JP2002208579A - Substrate treatment device and substrate treating method - Google Patents
Substrate treatment device and substrate treating methodInfo
- Publication number
- JP2002208579A JP2002208579A JP2001287949A JP2001287949A JP2002208579A JP 2002208579 A JP2002208579 A JP 2002208579A JP 2001287949 A JP2001287949 A JP 2001287949A JP 2001287949 A JP2001287949 A JP 2001287949A JP 2002208579 A JP2002208579 A JP 2002208579A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- substrate
- gas
- processing apparatus
- substrate processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明が属する技術分野】本発明は基板に存在する有機
物を、有機物の除去液で除去する基板処理装置に係る。
特に、基板からレジスト膜を除去する基板処理装置に係
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for removing an organic substance present on a substrate with an organic substance removing liquid.
In particular, the present invention relates to a substrate processing apparatus for removing a resist film from a substrate.
【０００２】また、本発明はレジストが変質して生じた
反応生成物が存在する基板に、反応生成物の除去液を供
給して除去する基板処理装置に係り、特にレジスト膜を
マスクとして基板の表面に存在する薄膜をドライエッチ
ングするドライエッチング工程を経た基板から、該ドラ
イエッチング工程によって基板上に生成された反応生成
物を除去する基板処理装置に関する。[0002] The present invention also relates to a substrate processing apparatus for supplying a reaction product removing liquid to a substrate on which a reaction product generated due to deterioration of a resist is present, and particularly to a substrate processing apparatus using a resist film as a mask. The present invention relates to a substrate processing apparatus that removes a reaction product generated on a substrate by a dry etching process from a substrate that has undergone a dry etching process of dry etching a thin film present on a surface.
【０００３】[0003]
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては半導体
ウエハなどの基板上に形成されたアルミや銅などの金属
の薄膜がレジスト膜をマスクとしてエッチングされて半
導体素子の配線とされる工程がある。例えば図１７
（Ａ）のように、基板１０１上に素子１０２が形成さ
れ、その上に金属膜１０３が形成される。この金属膜１
０３は例えばアルミニウムである。そして金属膜１０３
の上にはレジスト膜１０４が形成されている。このレジ
スト膜１０４は金属膜１０３の上面にレジストを塗布し
て乾燥させ、乾燥したレジストに対して露光機によって
配線パターンを露光し、露光が済んだレジストに対して
現像液を供給して不要な部分を溶解除去することで得る
ことができる。これによって、金属膜１０３の必要部分
だけはレジスト膜１０３によってマスクされ、次のエッ
チング工程では該金属膜１０３の必要部分はエッチング
されずに残ることになる。次に、レジスト膜１０３によ
ってマスクされた金属膜１０３に対してＲＩＥなどのド
ライエッチングを施すと金属膜１０３の内、レジスト膜
１０３によってマスクされていない部分はエッチングさ
れて除去され、エッチングされずに残った部分が金属配
線１０６となる。このようにドライエッチングを行うと
図１７（Ｂ）のように、金属配線１０６の側方にレジス
ト膜１０３などに由来する反応生成物１０５が堆積す
る。この反応生成物１０５は後続するレジスト除去工程
では通常除去されず、レジスト膜１０４を除去した後も
図１７（Ｃ）のように基板１０１上に残ってしまう。こ
のような反応生成物１０５を除去せずに基板１０１を次
工程に渡すと次工程以降の処理品質に悪影響を与えるの
で次工程に渡す前に除去する必要がある。従来の基板処
理装置では、基板に対して反応生成物の除去液を供給す
る除去液供給手段、除去液を洗い流す作用のある有機溶
剤などの中間リンス液を基板に供給する中間リンス供給
手段、基板に純水を供給して純水洗浄を行う純水供給手
段を有している。そして、このような反応生成物を除去
する基板処理装置ではノズルから基板に対して各種処理
液を供給している。2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process, there is a process in which a thin film of a metal such as aluminum or copper formed on a substrate such as a semiconductor wafer is etched using a resist film as a mask to form wiring for a semiconductor element. For example, FIG.
1A, an element 102 is formed on a substrate 101, and a metal film 103 is formed thereon. This metal film 1
03 is, for example, aluminum. And the metal film 103
On top of this, a resist film 104 is formed. The resist film 104 is coated with a resist on the upper surface of the metal film 103 and dried. The dried resist is exposed to a wiring pattern by an exposure machine. It can be obtained by dissolving and removing the portion. As a result, only the necessary portions of the metal film 103 are masked by the resist film 103, and the necessary portions of the metal film 103 remain without being etched in the next etching step. Next, when dry etching such as RIE is performed on the metal film 103 masked by the resist film 103, portions of the metal film 103 that are not masked by the resist film 103 are removed by etching, and are not etched. The remaining portion becomes the metal wiring 106. When dry etching is performed in this manner, as shown in FIG. 17B, a reaction product 105 derived from the resist film 103 and the like is deposited on the side of the metal wiring 106. The reaction product 105 is not usually removed in the subsequent resist removing step, and remains on the substrate 101 even after the resist film 104 is removed as shown in FIG. If the substrate 101 is transferred to the next step without removing such a reaction product 105, the quality of the processing after the next step is adversely affected, so it is necessary to remove the reaction product 105 before transferring to the next step. In a conventional substrate processing apparatus, a removing liquid supply unit that supplies a removing liquid of a reaction product to a substrate, an intermediate rinsing supply unit that supplies an intermediate rinsing liquid such as an organic solvent having an action of rinsing the removing liquid to the substrate, Pure water supply means for supplying pure water to the substrate and performing pure water cleaning. And in the substrate processing apparatus which removes such reaction products, various processing liquids are supplied to a substrate from a nozzle.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のこの
種の基板処理装置においてはノズルの構成についての考
慮が特になされておらず、ノズルの構成に由来する処理
品質の向上の余地があった。本発明の目的は、基板に存
在する有機物を、有機物の除去液で除去する処理、特
に、基板からレジスト膜を除去する処理を行ったときの
処理品質を向上させることである。However, in this type of conventional substrate processing apparatus, no special consideration is given to the nozzle configuration, and there is room for improvement in processing quality due to the nozzle configuration. An object of the present invention is to improve the processing quality of a process for removing an organic substance present on a substrate with an organic substance removing liquid, particularly, a process of removing a resist film from the substrate.
【０００５】また、本発明の目的はレジストが変質して
生じた反応生成物が存在する基板に、反応生成物の除去
液を供給して、基板から反応生成物を除去する処理を行
ったときの処理品質を向上させることである。Another object of the present invention is to provide a process for removing a reaction product from a substrate by supplying a reaction product removing liquid to a substrate on which a reaction product generated by the deterioration of the resist is present. Is to improve the processing quality.
【０００６】また、本発明の目的はレジスト膜をマスク
として基板の表面に存在する薄膜をドライエッチングす
るドライエッチング工程を経た基板から、該ドライエッ
チング工程によって基板上に生成された反応生成物を除
去する処理の品質向上である。Another object of the present invention is to remove a reaction product generated on a substrate by a dry etching process from a substrate after a dry etching process of dry etching a thin film present on the surface of the substrate using a resist film as a mask. Quality improvement of the processing.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明は
レジスト膜をマスクとして基板の表面に存在する薄膜を
ドライエッチングするドライエッチング工程を経た基板
から、該ドライエッチング工程によって基板上に生成さ
れた反応生成物を除去する基板処理装置において、前記
ドライエッチング工程を経た基板を保持して回転する保
持回転部と、回転している基板に対して反応生成物を除
去する除去液を供給する除去液供給部と、回転している
基板に対して純水を供給する純水供給部とを有し、前記
純水供給部は、液体と加圧されたガスとを混合してミス
トを形成する混合室を有する混合部と、一端が混合室に
接続され他端に向って狭くなるテーパ状流路を有する吐
出部とを有する気液混合ノズルを有するとともに、前記
気液混合ノズルはガスと純水とを混合して純水ミストを
基板に供給する基板処理装置である。According to a first aspect of the present invention, a substrate is formed on a substrate by a dry etching process from a substrate that has undergone a dry etching process of dry etching a thin film present on the surface of the substrate using a resist film as a mask. In the substrate processing apparatus for removing the reaction product, a holding and rotating unit that holds and rotates the substrate that has undergone the dry etching process, and a removing liquid that removes the reaction product is supplied to the rotating substrate. A removing liquid supply unit, and a pure water supply unit for supplying pure water to the rotating substrate, wherein the pure water supply unit forms a mist by mixing the liquid and the pressurized gas. And a gas-liquid mixing nozzle having a discharge unit having a tapered flow path having one end connected to the mixing chamber and narrowing toward the other end. By mixing the scan and pure water which is a substrate processing apparatus for supplying pure water mist to the substrate.
【０００８】請求項２に記載の発明はレジスト膜をマス
クとして基板の表面に存在する薄膜をドライエッチング
するドライエッチング工程を経た基板から、該ドライエ
ッチング工程によって基板上に生成された反応生成物を
除去する基板処理装置において、前記ドライエッチング
工程を経た基板を保持して回転する保持回転部と、回転
している基板に対して反応生成物を除去する除去液を供
給する除去液供給部と、回転している基板に対して純水
を供給する純水供給部とを有し、前記除去液供給部は、
液体と加圧されたガスとを混合してミストを形成する混
合室を有する混合部と、一端が混合室に接続され他端に
向って狭くなるテーパ状流路を有する吐出部とを有する
気液混合ノズルを有するとともに、前記気液混合ノズル
はガスと除去液とを混合して除去液ミストを基板に供給
する基板処理装置である。According to a second aspect of the present invention, a reaction product generated on a substrate by a dry etching step is obtained from a substrate that has undergone a dry etching step of dry etching a thin film present on the surface of the substrate using a resist film as a mask. In the substrate processing apparatus to be removed, a holding and rotating unit that holds and rotates the substrate after the dry etching process, a removing liquid supply unit that supplies a removing liquid that removes a reaction product to the rotating substrate, A pure water supply unit that supplies pure water to the rotating substrate, and the removal liquid supply unit includes:
A gas having a mixing section having a mixing chamber for forming a mist by mixing a liquid and a pressurized gas, and a discharge section having a tapered flow path having one end connected to the mixing chamber and narrowing toward the other end. A substrate processing apparatus having a liquid mixing nozzle, wherein the gas-liquid mixing nozzle mixes a gas and a removing liquid to supply a removing liquid mist to the substrate.
【０００９】請求項３に記載の発明はレジスト膜をマス
クとして基板の表面に存在する薄膜をドライエッチング
するドライエッチング工程を経た基板から、該ドライエ
ッチング工程によって基板上に生成された反応生成物を
除去する基板処理装置において、前記ドライエッチング
工程を経た基板を保持して回転する保持回転部と、回転
している基板に対して反応生成物を除去する除去液を供
給する除去液供給部と、回転している基板に対して基板
上の除去液を洗い流す中間リンス液を供給する中間リン
ス液供給部と、回転している基板に対して純水を供給す
る純水供給部とを有し、前記中間リンス液供給部は、液
体と加圧されたガスとを混合してミストを形成する混合
室を有する混合部と、一端が混合室に接続され他端に向
って狭くなるテーパ状流路を有する吐出部とを有する気
液混合ノズルを有するとともに、前記気液混合ノズルは
ガスと中間リンス液とを混合して中間リンス液ミストを
基板に供給する基板処理装置である。According to a third aspect of the present invention, a reaction product produced on the substrate by the dry etching step is obtained from a substrate that has undergone a dry etching step of dry etching a thin film present on the surface of the substrate using the resist film as a mask. In the substrate processing apparatus to be removed, a holding and rotating unit that holds and rotates the substrate after the dry etching process, a removing liquid supply unit that supplies a removing liquid that removes a reaction product to the rotating substrate, An intermediate rinsing liquid supply unit that supplies an intermediate rinsing liquid to wash away the removal liquid on the substrate with respect to the rotating substrate, and a pure water supply unit that supplies pure water to the rotating substrate, The intermediate rinsing liquid supply section includes a mixing section having a mixing chamber for forming a mist by mixing a liquid and a pressurized gas, and a taper having one end connected to the mixing chamber and narrowing toward the other end. And has a gas-liquid mixing nozzle having a discharge portion having a Jo passage, the gas-liquid mixing nozzle is a substrate processing apparatus for supplying an intermediate rinsing liquid mist to the substrate by mixing a gas and an intermediate rinsing liquid.
【００１０】請求項４に記載の発明は請求項１ないし請
求項３に記載の基板処理装置において、前記気液混合ノ
ズルからのミストの吐出方向は基板表面に対して傾斜し
ている基板処理装置である。According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects, the mist discharge direction from the gas-liquid mixing nozzle is inclined with respect to the substrate surface. It is.
【００１１】請求項５に記載の発明は請求項１ないし請
求項４に記載の基板処理装置において、前記吐出部は一
端がテーパ状流路に接続され他端に向って同じ形状の断
面が連続する直流路を更に有する基板処理装置である。According to a fifth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to fourth aspects, the discharge section has one end connected to the tapered flow path and a cross section having the same shape continuing toward the other end. The substrate processing apparatus further includes a direct current path.
【００１２】請求項６に記載の発明は請求項１ないし請
求項５に記載の基板処理装置において、前記混合室の内
壁面は滑らかな表面を有する基板処理装置である。The invention according to claim 6 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the inner wall surface of the mixing chamber has a smooth surface.
【００１３】請求項７に記載の発明は請求項６に記載の
基板処理装置において、前記混合室の内壁面は平滑度と
して表面の凹凸が０．３μｍ以下の範囲である滑らかな
表面を有する基板処理装置である。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the sixth aspect, wherein the inner wall surface of the mixing chamber has a smooth surface having a surface roughness of 0.3 μm or less as a smoothness. Processing device.
【００１４】請求項８に記載の発明は請求項６に記載の
基板処理装置において、前記混合室の内壁面は平滑度と
して表面の凹凸が０．１μｍ以下の範囲である滑らかな
表面を有する基板処理装置である。According to an eighth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the sixth aspect, the inner wall surface of the mixing chamber has a smooth surface having a surface roughness of 0.1 μm or less as a smoothness. Processing device.
【００１５】請求項９に記載の発明は請求項１ないし請
求項８に記載の基板処理装置において、前記混合部は、
液を供給する供給管がガスを導入するガス導入管の外側
を取り囲む構造である基板処理装置である。According to a ninth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to eighth aspects, the mixing section includes:
The substrate processing apparatus has a structure in which a supply pipe for supplying a liquid surrounds the outside of a gas introduction pipe for introducing a gas.
【００１６】請求項１０に記載の発明は基板に存在する
有機物を除去する基板処理装置において、基板を保持し
て回転する保持回転部と、前記基板に有機物を除去する
除去液を供給する除去液供給部と、前記基板に純水を供
給する純水供給部とを有し、前記純水供給部は、加圧さ
れたガスと液体とを混合してミストを形成する気液混合
ノズルを有するとともに、該気液混合ノズルにて加圧さ
れたガスと純水とを混合して純水ミストを形成し、基板
に供給することを特徴とする基板処理装置である。According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for removing an organic substance present on a substrate, comprising: a holding / rotating section for holding and rotating the substrate; A supply unit, and a pure water supply unit that supplies pure water to the substrate, wherein the pure water supply unit has a gas-liquid mixing nozzle that forms a mist by mixing a pressurized gas and liquid. In addition, a substrate processing apparatus is characterized in that a gas pressurized by the gas-liquid mixing nozzle and pure water are mixed to form a pure water mist, and the mist is supplied to a substrate.
【００１７】請求項１１に記載の発明は基板に存在する
有機物を除去する基板処理装置において、基板を保持し
て回転する保持回転部と、前記基板に有機物を除去する
除去液を供給する除去液供給部と、前記基板に純水を供
給する純水供給部とを有し、前記除去液供給部は、加圧
されたガスと液体とを混合してミストを形成する気液混
合ノズルを有するとともに、該気液混合ノズルにて加圧
されたガスと除去液とを混合して除去液ミストを形成
し、基板に供給することを特徴とする基板処理装置であ
る。According to an eleventh aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for removing an organic substance present on a substrate, comprising: a holding and rotating unit for holding and rotating the substrate; A supply unit, a pure water supply unit that supplies pure water to the substrate, the removal liquid supply unit includes a gas-liquid mixing nozzle that forms a mist by mixing a pressurized gas and liquid. In addition, the substrate processing apparatus is characterized in that the gas pressurized by the gas-liquid mixing nozzle and the removing liquid are mixed to form a removing liquid mist, and the mist is supplied to the substrate.
【００１８】請求項１２に記載の発明は基板に存在する
有機物を除去する基板処理装置において、基板を保持し
て回転する保持回転部と、前記基板に有機物を除去する
除去液を供給する除去液供給部と、基板上の除去液を洗
い流す中間リンス液を供給する中間リンス液供給部と、
前記基板に純水を供給する純水供給部とを有し、前記中
間リンス液供給部は、加圧されたガスと液体とを混合し
てミストを形成する気液混合ノズルを有するとともに、
該気液混合ノズルにて加圧されたガスと中間リンス液と
を混合して中間リンス液ミストを形成し、基板に供給す
ることを特徴とする基板処理装置である。According to a twelfth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus for removing organic substances present on a substrate, a holding and rotating unit for holding and rotating the substrate, and a removing liquid for supplying a removing liquid for removing organic substances to the substrate. A supply unit, an intermediate rinsing liquid supply unit that supplies an intermediate rinsing liquid for washing away the removal liquid on the substrate,
A pure water supply unit that supplies pure water to the substrate, and the intermediate rinse liquid supply unit includes a gas-liquid mixing nozzle that forms a mist by mixing a pressurized gas and liquid,
A substrate processing apparatus characterized in that a gas pressurized by the gas-liquid mixing nozzle and an intermediate rinsing liquid are mixed to form an intermediate rinsing liquid mist and supplied to the substrate.
【００１９】請求項１３に記載の発明は請求項１０ない
し請求項１２に記載の基板処理装置において、前記気液
混合ノズルは液体と加圧されたガスとを混合してミスト
を形成する混合室を有する混合部と、一端が混合室に接
続され他端に向って狭くなるテーパ状流路を有する吐出
部とを有することを特徴とする基板処理装置である。According to a thirteenth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the tenth to twelfth aspects, the gas-liquid mixing nozzle forms a mist by mixing a liquid and a pressurized gas. And a discharge unit having a tapered flow path having one end connected to the mixing chamber and narrowing toward the other end.
【００２０】請求項１４に記載の発明は請求項１０ない
し請求項１３に記載の基板処理装置において、前記気液
混合ノズルからのミストの吐出方向は基板表面に対して
傾斜している基板処理装置である。According to a fourteenth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the tenth to thirteenth aspects, the mist discharge direction from the gas-liquid mixing nozzle is inclined with respect to the substrate surface. It is.
【００２１】請求項１５に記載の発明は請求項１０ない
し請求項１４に記載の基板処理装置において、前記吐出
部は一端がテーパ状流路に接続され他端に向って同じ形
状の断面が連続する直流路を更に有する基板処理装置で
ある。According to a fifteenth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the tenth to fourteenth aspects, the discharge section has one end connected to a tapered flow path and a cross section having the same shape continuing toward the other end. The substrate processing apparatus further includes a direct current path.
【００２２】請求項１６に記載の発明は請求項１０ない
し請求項１５に記載の基板処理装置において、前記混合
室の内壁面は滑らかな表面を有する基板処理装置であ
る。According to a sixteenth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the tenth to fifteenth aspects, the inner wall surface of the mixing chamber has a smooth surface.
【００２３】請求項１７に記載の発明は請求項１６に記
載の基板処理装置において、前記混合室の内壁面は平滑
度として表面の凹凸が０．３μｍ以下の範囲である滑ら
かな表面を有する基板処理装置である。According to a seventeenth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the sixteenth aspect, wherein the inner wall surface of the mixing chamber has a smooth surface having a surface roughness of 0.3 μm or less as a smoothness. Processing device.
【００２４】請求項１８に記載の発明は請求項１６に記
載の基板処理装置において、前記混合室の内壁面は平滑
度として表面の凹凸が０．１μｍ以下の範囲である滑ら
かな表面を有する基板処理装置である。According to an eighteenth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the sixteenth aspect, wherein the inner wall surface of the mixing chamber has a smooth surface having a surface roughness of 0.1 μm or less as a smoothness. Processing device.
【００２５】請求項１９に記載の発明は請求項１３ない
し請求項１８に記載の基板処理装置において、前記混合
部は、液を供給する供給管がガスを導入するガス導入管
の外側を取り囲む構造である基板処理装置である。According to a nineteenth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the thirteenth to eighteenth aspects, the mixing section has a structure in which a supply pipe for supplying a liquid surrounds an outside of a gas introduction pipe for introducing a gas. Is a substrate processing apparatus.
【００２６】請求項２０に記載の発明は請求項１０ない
し請求項１２に記載の基板処理装置において、前記気液
混合ノズルは液体を吐出する液体吐出手段と前記液体吐
手段に近接して気体を吐出する気体吐出手段とを備え、
前記液体吐出手段から吐出される液体を、空中にて前記
気体吐出手段より吐出された気体と混合させてミストを
形成し、基板に供給することを特徴とする基板処理装置
である。According to a twentieth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the tenth to twelfth aspects, the gas-liquid mixing nozzle includes a liquid discharging means for discharging a liquid and a gas close to the liquid discharging means. Gas discharge means for discharging,
The substrate processing apparatus is characterized in that a liquid discharged from the liquid discharging means is mixed with a gas discharged from the gas discharging means in the air to form a mist, and the mist is supplied to a substrate.
【００２７】請求項２１に記載の発明は請求項２１に記
載の基板処理装置において、前記液体と気体の混合は、
前記液体吐出手段から吐出される液体と、前記気体吐出
手段より吐出された気体とを空中にて衝突させることに
より行うことを特徴とする基板処理装置である。According to a twenty-first aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the twenty-first aspect, the mixing of the liquid and the gas is performed by:
The substrate processing apparatus is characterized in that the processing is performed by colliding a liquid discharged from the liquid discharging means with a gas discharged from the gas discharging means in the air.
【００２８】請求項２２に記載の発明は請求項２１に記
載の基板処理装置において、前記液体と気体の混合は、
吐出された液体もしくは気体のどちらか一方の空中への
噴流中で他方を吐出させることにより行うことを特徴と
する基板処理装置である。According to a twenty-second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the twenty-first aspect, the mixing of the liquid and the gas is performed by:
A substrate processing apparatus is characterized in that the processing is performed by discharging one of the discharged liquid and gas in a jet flow into the air.
【００２９】請求項２３に記載の発明は請求項２１に記
載の基板処理装置において、前記液体吐出手段は液体供
給手段と、その液体供給手段より供給された液体を吐出
する液体吐出口と、を備え、前記気体吐出手段は気体供
給手段と、その気体供給手段により供給された気体を吐
出する気体吐出口と、を備え、前記液体吐出口を通る中
心軸線と、前記気体吐出口を通る中心軸線との交点にお
ける各軸線のなす角度は、０度以上で１１０度以下の範
囲であることを特徴とする基板処理装置である。According to a twenty-third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the twenty-first aspect, the liquid discharge means includes a liquid supply means and a liquid discharge port for discharging the liquid supplied from the liquid supply means. Wherein the gas discharge means comprises a gas supply means, and a gas discharge port for discharging gas supplied by the gas supply means, a central axis passing through the liquid discharge port, and a central axis passing through the gas discharge port. The substrate processing apparatus is characterized in that the angle formed by each axis at the intersection with is in the range of 0 degree or more and 110 degrees or less.
【００３０】請求項２４に記載の発明は請求項１０ない
し請求項１２に記載の基板処理装置において、液体供給
手段より供給された液体を吐出する液体吐出口と、気体
供給手段より供給された気体を吐出する気体吐出口と、
を前記気液混合ノズルに備え、前記液体吐出口から吐出
された液体に、液体吐出口の直後において、気体を混入
すべく前記気体吐出口より吐出し、前記液体を気体の混
合により滴状化させてミストを形成し、基板に供給する
ことを特徴とする基板処理装置である。According to a twenty-fourth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the tenth to twelfth aspects, a liquid discharge port for discharging the liquid supplied from the liquid supply means, and a gas supplied from the gas supply means. A gas discharge port for discharging
Is provided in the gas-liquid mixing nozzle, and the liquid discharged from the liquid discharge port is discharged from the gas discharge port immediately after the liquid discharge port so as to mix gas, and the liquid is formed into a droplet by mixing the gas. A substrate processing apparatus characterized in that a mist is formed and supplied to a substrate.
【００３１】請求項２５に記載の発明は請求項２４に記
載の基板処理装置において、前記液体と気体の混合は、
前記液体吐出口から吐出される液体と、前記気体吐出口
より吐出された気体とを空中にて衝突させることにより
行うことを特徴とする基板処理装置である。According to a twenty-fifth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the twenty-fourth aspect, the mixture of the liquid and the gas is
The substrate processing apparatus is characterized in that a liquid discharged from the liquid discharge port and a gas discharged from the gas discharge port collide in the air to perform the processing.
【００３２】請求項２６に記載の発明は請求項２４に記
載の基板処理装置において、前記液体と気体の混合は、
吐出された液体もしくは気体のどちらか一方の空中への
噴流中で他方を吐出させることにより行うことを特徴と
する基板処理装置である。According to a twenty-sixth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the twenty-fourth aspect, the mixing of the liquid and the gas is performed by:
A substrate processing apparatus is characterized in that the processing is performed by discharging one of the discharged liquid and gas in a jet flow into the air.
【００３３】請求項２７に記載の発明は請求項２４に記
載の基板処理装置において、前記液体吐出口を通る中心
軸線と、前記気体吐出口を通る中心軸線との交点におけ
る各軸線のなす角度は、０度以上で１１０度以下の範囲
であることを特徴とする基板処理装置である。According to a twenty-seventh aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the twenty-fourth aspect, an angle formed by each axis at an intersection of a central axis passing through the liquid discharge port and a central axis passing through the gas discharge port is provided. The substrate processing apparatus is characterized in that the angle ranges from 0 degree to 110 degree.
【００３４】請求項２８に記載の発明は請求項２４ない
し請求項２７に記載の基板処理装置において、前記気体
供給手段を作動して気体の吐出を開始し、所定時間の後
に、前記液体供給手段を作動させ液体の吐出を開始する
ように制御する制御手段と、を有することを特徴とする
基板処理装置である。According to a twenty-eighth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the twenty-fourth to twenty-seventh aspects, the gas supply means is operated to start discharging gas, and after a predetermined time, the liquid supply means is provided. And a control means for controlling so as to start discharging the liquid by operating the substrate processing apparatus.
【００３５】請求項２９に記載の発明は請求項２４ない
し請求項２８に記載の基板処理装置において、前記液体
供給手段の作動を停止して、所定時間の後に、前記気体
供給手段を作動を停止するように制御する制御手段と、
を有することを特徴とする基板処理装置である。According to a twenty-ninth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the twenty-fourth to twenty-eighth aspects, the operation of the liquid supply means is stopped, and the operation of the gas supply means is stopped after a predetermined time. Control means for controlling
A substrate processing apparatus comprising:
【００３６】請求項３０に記載の発明は請求項１０ない
し請求項２９に記載の基板処理装置において、前記有機
物はレジストが変質して生じた反応生成物であり、前記
除去液は該反応生成物を除去する除去液であることを特
徴とする基板処理装置である。According to a thirtieth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the tenth to the twenty-ninth aspects, the organic substance is a reaction product generated by alteration of a resist, and the removing liquid is the reaction product. A substrate processing apparatus, characterized in that the substrate processing apparatus is a removing liquid for removing the substrate.
【００３７】請求項３１に記載の発明は請求項２０ない
し請求項２９に記載の基板処理装置において、前記有機
物は、レジスト膜をマスクとして基板の表面に存在する
薄膜をドライエッチングするドライエッチング工程を経
た基板によって基板上に生成された反応生成物であり、
前記除去液は該反応生成物を除去する除去液であること
を特徴とする基板処理装置である。According to a thirty-first aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the twentieth to twenty-ninth aspects, the organic substance includes a dry etching step of dry-etching a thin film present on the surface of the substrate using a resist film as a mask. A reaction product generated on the substrate by the passed substrate,
The substrate processing apparatus is characterized in that the removing liquid is a removing liquid for removing the reaction product.
【００３８】請求項３２に記載の発明は請求項１ないし
請求項３１を用いて基板を処理することを特徴とする基
板処理方法である。According to a thirty-second aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method for processing a substrate using the first to thirty-first aspects.
【００３９】[0039]
【発明の実施の形態】以下の各実施形態において、基板
とは半導体基板であり、より詳しくはシリコン基板であ
る。また、当該基板は薄膜を有する。該薄膜は金属膜ま
たは絶縁膜である。金属膜を構成する金属としては銅や
アルミニウム、チタン、タングステンがある。絶縁膜と
してはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜、有機絶縁膜、
低誘電体層間絶縁膜がある。なお、ここでいう薄膜と
は、薄膜が形成された基板の主面に対して垂直方向の断
面において高さ寸法が底部の長さ寸法より短いものはも
ちろん、高さ寸法が底部の長さ寸法より長いものも含
む。従って、基板上で部分的に形成されている膜や配線
など、基板主面に向ったとき線状や島状に存在するもの
も薄膜に含まれる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In each of the following embodiments, a substrate is a semiconductor substrate, more specifically, a silicon substrate. Further, the substrate has a thin film. The thin film is a metal film or an insulating film. Examples of the metal constituting the metal film include copper, aluminum, titanium, and tungsten. As the insulating film, a silicon oxide film, a silicon nitride film, an organic insulating film,
There is a low dielectric interlayer insulating film. Here, the thin film refers to a thin film whose height is shorter than the length of the bottom in a cross section perpendicular to the main surface of the substrate on which the thin film is formed, and of course, the height is the length of the bottom. Including longer ones. Therefore, a thin film includes a film or a wiring partially formed on the substrate, such as a film or a wiring existing in a line shape or an island shape when facing the main surface of the substrate.
【００４０】また以下の各実施形態における基板処理と
は基板から有機物を除去する有機物除去処理、または、
レジストが変質して生じた反応生成物を基板から除去す
る反応生成物除去処理である。さらに具体的に述べる
と、有機物としてのレジストを除去する処理、またはド
ライエッチングによって生じた有機物であり、レジスト
や薄膜に由来する反応生成物であるポリマーを基板から
除去するポリマー除去処理である。The substrate processing in each of the following embodiments is an organic substance removal processing for removing organic substances from a substrate, or
This is a reaction product removal process for removing a reaction product generated by the deterioration of the resist from the substrate. More specifically, the process is a process of removing a resist as an organic material, or a polymer removing process of removing a polymer which is an organic material generated by dry etching and is a reaction product derived from a resist or a thin film from a substrate.
【００４１】例えば、レジスト膜をマスクとして前記薄
膜をドライエッチングする工程を経た基板にはドライエ
ッチングによってレジストや薄膜に由来する反応生成物
であるポリマーが生成されている。このポリマーはレジ
ストそのものよりも薄膜に由来する成分（例えば金属）
が多く含まれた有機物である。なお、ここでいうレジス
トは感光性物質である。また、以下の各実施形態におけ
る除去液とは有機物を除去する有機物除去液であり、レ
ジストが変質して生じた反応生成物の除去液であり、レ
ジストを除去するレジスト除去液であって、ポリマー除
去液である。ポリマー除去液としては有機アルカリ液を
含む液体、有機アミンを含む液体、無機酸を含む液体、
フッ化アンモン系物質を含む液体が使用できる。その
内、有機アルカリ液を含む液体としてはＤＭＦ（ジメチ
ルホルムアミド）、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシ
ド）、ヒドロキシルアミンが挙げられる。また無機酸を
含む液体としてはフツ酸、燐酸が挙げられる。その他、
ポリマー除去液としては１−メチル−２ピロリドン、テ
トラヒドロチオフェン１．１−ジオキシド、イソプロパ
ノールアミン、モノエタノールアミン、２−（２アミノ
エトキシ）エタノール、カテコール、Ｎ−メチルピロリ
ドン、アロマテイックジオール、パーフレン、フェノー
ルを含む液体などがあり、より具体的には、１−メチル
−２ピロリドンとテトラヒドロチオフェン１．１−ジオ
キシドとイソプロパノールアミンとの混合液、ジメチル
スルホシキドとモノエタノールアミンとの混合液、２−
（２アミノエトキシ）エタノールとヒドロキシアミンと
カテコールとの混合液、２−（２アミノエトキシ）エタ
ノールとＮ−メチルピロリドンとの混合液、モノエタノ
ールアミンと水とアロマテイックジオールとの混合液、
パークレンとフェノールとの混合液などが挙げられる。For example, a polymer which is a reaction product derived from the resist or the thin film is generated on the substrate which has undergone the step of dry-etching the thin film using the resist film as a mask. This polymer is a component derived from a thin film rather than the resist itself (eg, metal)
Organic matter. The resist mentioned here is a photosensitive substance. Further, the removing liquid in each of the following embodiments is an organic substance removing liquid for removing an organic substance, a removing liquid for a reaction product generated by changing the quality of a resist, a resist removing liquid for removing a resist, and a polymer. It is a removal liquid. As the polymer removing liquid, a liquid containing an organic alkaline liquid, a liquid containing an organic amine, a liquid containing an inorganic acid,
A liquid containing an ammonium fluoride-based material can be used. Among them, examples of the liquid containing an organic alkaline liquid include DMF (dimethylformamide), DMSO (dimethylsulfoxide), and hydroxylamine. Examples of the liquid containing an inorganic acid include hydrofluoric acid and phosphoric acid. Others
Examples of the polymer removing solution include 1-methyl-2-pyrrolidone, tetrahydrothiophene 1.1-dioxide, isopropanolamine, monoethanolamine, 2- (2aminoethoxy) ethanol, catechol, N-methylpyrrolidone, aromatic diol, perfrene, Examples include a liquid containing phenol, and more specifically, a liquid mixture of 1-methyl-2-pyrrolidone, tetrahydrothiophene 1.1-dioxide and isopropanolamine, a liquid mixture of dimethyl sulfoxide and monoethanolamine, −
A mixed solution of (2aminoethoxy) ethanol, hydroxyamine and catechol, a mixed solution of 2- (2aminoethoxy) ethanol and N-methylpyrrolidone, a mixed solution of monoethanolamine, water and an aromatic diol,
A mixed solution of perchulene and phenol is exemplified.
【００４２】なお、有機アミンを含む液体（有機アミン
系除去液という。）にはモノエタノールアミンと水とア
ロマティックトリオールとの混合溶液、２−（２−アミ
ノエトキシ）エタノールとヒドロキシアミンとカテコー
ルとの混合溶液、アルカノールアミンと水とジアルキル
スルホキシドとヒドロキシアミンとアミン系防食剤の混
合溶液、アルカノールアミンとグライコールエーテルと
水との混合溶液、ジメチルスルホキシドとヒドロキシア
ミンとトリエチレンテトラミンとピロカテコールと水の
混合溶液、水とヒドロキシアミンとピロガロールとの混
合溶液、２−アミノエタノールとエーテル類と糖アルコ
ール類との混合溶液、２−（２−アミノエトキシ）エタ
ノールとＮとＮ−ジメチルアセトアセトアミドと水とト
リエタノールアミンとの混合溶液がある。The liquid containing an organic amine (referred to as an organic amine-based removal liquid) includes a mixed solution of monoethanolamine, water and aromatic triol, and 2- (2-aminoethoxy) ethanol, hydroxyamine, catechol. Mixed solution of alkanolamine, water, dialkyl sulfoxide, hydroxyamine, and amine anticorrosive, mixed solution of alkanolamine, glycol ether, and water, dimethyl sulfoxide, hydroxyamine, triethylenetetramine, pyrocatechol, and water Mixed solution of water, hydroxyamine and pyrogallol, mixed solution of 2-aminoethanol, ethers and sugar alcohols, 2- (2-aminoethoxy) ethanol, N, N-dimethylacetoacetamide and water And triethanolamid There is a mixed solution of.
【００４３】また、フッ化アンモン系物質を含む液体
（フッ化アンモン系除去液という。）には、有機アルカ
リと糖アルコールと水との混合溶液、フッ素化合物と有
機カルボン酸と酸・アミド系溶剤との混合溶液、アルキ
ルアミドと水と弗化アンモンとの混合溶液、ジメチルス
ルホキシドと２−アミノエタノールと有機アルカリ水溶
液と芳香族炭化水素との混合溶液、ジメチルスルホキシ
ドと弗化アンモンと水との混合溶液、弗化アンモンとト
リエタノールアミンとペンタメチルジエチレントリアミ
ンとイミノジ酢酸と水の混合溶液、グリコールと硫酸ア
ルキルと有機塩と有機酸と無機塩の混合溶液、アミドと
有機塩と有機酸と無機塩との混合溶液、アミドと有機塩
と有機酸と無機塩との混合溶液がある。また、無機物を
含む無機系除去液としては水と燐酸誘導体との混合溶液
がある。また、以下の各実施形態における中間リンス液
とは除去液を基板から洗い流す液体であり、例えばイソ
プロピルアルコール（ＩＰＡ）などの有機溶剤またはオ
ゾンを純水に溶解したオゾン水、水素を純水に溶解した
水素水などの機能水である。なお、中間リンス液として
オゾンを純水に溶解したオゾン水を使用すれば、有機
物、レジストが変質して生じた反応生成物、ポリマーを
より完全に除去できる。Further, a liquid containing an ammonium fluoride-based substance (referred to as an ammonium fluoride-based removal liquid) includes a mixed solution of an organic alkali, a sugar alcohol and water, a fluorine compound, an organic carboxylic acid, and an acid / amide solvent. A mixed solution of alkyl amide, water and ammonium fluoride, a mixed solution of dimethyl sulfoxide and 2-aminoethanol, an organic alkali aqueous solution and an aromatic hydrocarbon, a mixed solution of dimethyl sulfoxide, ammonium fluoride and water Solution, mixed solution of ammonium fluoride, triethanolamine, pentamethyldiethylenetriamine, iminodiacetic acid and water, mixed solution of glycol, alkyl sulfate, organic salt, organic acid and inorganic salt, amide, organic salt, organic acid and inorganic salt And a mixed solution of an amide, an organic salt, an organic acid, and an inorganic salt. Further, as the inorganic removal liquid containing an inorganic substance, there is a mixed solution of water and a phosphoric acid derivative. Further, the intermediate rinse liquid in each of the following embodiments is a liquid that rinses the removal liquid from the substrate, for example, an organic solvent such as isopropyl alcohol (IPA) or ozone water in which ozone is dissolved in pure water, and hydrogen is dissolved in pure water. Functional water such as hydrogen water. If ozone water obtained by dissolving ozone in pure water is used as the intermediate rinsing liquid, organic substances, reaction products generated by the deterioration of the resist, and polymers can be more completely removed.
【００４４】また、以下の各実施形態において、除去
液、中間リンス液、純水を総称して処理液という。In the following embodiments, the removing solution, the intermediate rinsing solution, and the pure water are collectively referred to as a processing solution.
【００４５】＜１、第1実施形態の基板処理装置＞図
１、図２は基板処理装置１の構成を示す図である。な
お、図１は図２のＩ−Ｉ断面図であるが、便宜上、一部
ハッチングを省略している。基板処理装置１は図１のよ
うに断面が略コの字状で、上面視では図２のように中央
部分に開口を有する略リング状のカップ３と、図１のよ
うにカップ３の開口を通じて鉛直方向に立設され、基板
Ｗを保持して回転する保持回転部５と、保持回転部５に
保持されている基板Ｗに対して除去液を供給する除去液
供給部７と、同じく保持回転部５に保持されている基板
Ｗに対して純水を供給する純水供給部９とを有する。カ
ップ３は底部に複数の排出口４を有する。そして、基板
Ｗに供給された処理液の剰余分はカップ３の内壁を伝っ
て排出口４に至り、該排出口４から装置外に排出され
る。保持回転部５は不図示の機枠に固定され、鉛直方向
に配された駆動軸を有するスピンモータ１３とスピンモ
ータ１３の駆動軸に固定されたスピン軸１４と、スピン
軸１４の頂部に設けられた基板保持部材としてのバキュ
ーム式のチャック１５とを有する。このチャック１５は
上面の吸着面に不図示の吸着孔を有し、該吸着孔からエ
アを吸引する。そして、チャック１５上に載置された基
板Ｗは前記吸着孔からのエアの吸引により保持される。
このようにチャック１５は基板Ｗの裏面のみと接触して
基板Ｗを保持している。このような保持回転部５ではチ
ャック１５上に載置された基板Ｗをチャック１５による
吸着で保持し、スピンモータ１３を駆動することで前記
チャック１５上に保持した基板Ｗを回転させる。除去液
供給部７は、不図示の機枠に固定され、鉛直方向に配さ
れた駆動軸を有する第１回動モータ１７と第１回動モー
タ１７の駆動軸に固定された第１回動軸１９と、第１回
動軸１９の頂部に接続された第１アーム２１とを有す
る。第１アーム２１の先端には除去液吐出ノズル１１が
設けられる。除去液吐出ノズル１１は略鉛直方向に長手
方向が配された管状部材であり、一端から除去液が供給
されるとともに、他端から基板Ｗに対して除去液を供給
する。また、同じく第１アーム２１の先端にはブラケッ
ト２３（図２では二点鎖線で表示）を介して除去液噴霧
ノズル１２が設けられている。除去液噴霧ノズル１２は
後述のように除去液ミストを噴射するが、基板Ｗの表面
に対して４５度の傾斜をもって除去液ミストを噴射する
よう設置されている。そして、上記、前記除去液吐出ノ
ズル１１および除去液噴霧ノズル１２は、除去液吐出ノ
ズル１１から吐出される除去液と除去液噴霧ノズル１２
から噴射される除去液ミストとが基板Ｗ表面において交
差するように配置されているとともに、除去液吐出ノズ
ル１１および除去液噴霧ノズル１２が第１回動モータ１
７によって回動させられたとき除去液吐出ノズル１１か
ら吐出される除去液と除去液噴霧ノズル１２から噴射さ
れる除去液ミストとが図２のように基板Ｗの回転中心Ｃ
を通り、かつ、回転する基板Ｗの端縁が描く回転円９５
の円周上の２点で交差する円弧８５上を往復移動するよ
うに配置されている。<1, Substrate Processing Apparatus According to First Embodiment> FIGS. 1 and 2 are views showing the structure of a substrate processing apparatus 1. FIG. FIG. 1 is a cross-sectional view taken along line II of FIG. 2, but for convenience, hatching is partially omitted. The substrate processing apparatus 1 has a substantially U-shaped cross section as shown in FIG. 1, and a substantially ring-shaped cup 3 having an opening at a central portion as shown in FIG. 2 when viewed from above, and an opening of the cup 3 as shown in FIG. A holding and rotating unit 5 that stands upright in the vertical direction and holds and rotates the substrate W; and a removing liquid supply unit 7 that supplies a removing liquid to the substrate W held by the holding and rotating unit 5. A pure water supply section 9 for supplying pure water to the substrate W held by the rotating section 5; The cup 3 has a plurality of outlets 4 at the bottom. The surplus of the processing liquid supplied to the substrate W travels along the inner wall of the cup 3 to reach the discharge port 4, and is discharged from the apparatus from the discharge port 4. The holding and rotating unit 5 is fixed to a machine frame (not shown), and has a spin motor 13 having a vertically arranged drive shaft, a spin shaft 14 fixed to the drive shaft of the spin motor 13, and a top of the spin shaft 14. And a vacuum chuck 15 as a substrate holding member. The chuck 15 has a suction hole (not shown) on a suction surface on an upper surface, and sucks air from the suction hole. Then, the substrate W placed on the chuck 15 is held by suction of air from the suction holes.
In this manner, the chuck 15 holds the substrate W in contact with only the back surface of the substrate W. In such a holding and rotating unit 5, the substrate W mounted on the chuck 15 is held by suction by the chuck 15, and the substrate W held on the chuck 15 is rotated by driving the spin motor 13. The removal liquid supply unit 7 is fixed to a machine frame (not shown), and has a first rotation motor 17 having a drive shaft arranged vertically and a first rotation motor fixed to the drive shaft of the first rotation motor 17. It has a shaft 19 and a first arm 21 connected to the top of the first rotation shaft 19. A removal liquid discharge nozzle 11 is provided at the tip of the first arm 21. The removing liquid discharge nozzle 11 is a tubular member whose longitudinal direction is arranged in a substantially vertical direction. The removing liquid is supplied from one end and the removing liquid is supplied to the substrate W from the other end. Further, a removal liquid spray nozzle 12 is provided at the tip of the first arm 21 via a bracket 23 (indicated by a two-dot chain line in FIG. 2). The removing liquid spray nozzle 12 injects the removing liquid mist as described later, and is installed so as to inject the removing liquid mist at an angle of 45 degrees with respect to the surface of the substrate W. The removal liquid discharge nozzle 11 and the removal liquid spray nozzle 12 are used for removing the removal liquid discharged from the removal liquid discharge nozzle 11 and the removal liquid spray nozzle 12.
The removal liquid mist ejected from the first rotation motor 1 is disposed so as to intersect with the removal liquid mist ejected from the substrate W on the surface of the substrate W.
As shown in FIG. 2, the removal liquid ejected from the removal liquid ejection nozzle 11 and the removal liquid mist ejected from the removal liquid spray nozzle 12 when rotated by the rotation center 7 rotate the rotation center C of the substrate W.
Circle 95 that is drawn by the edge of the rotating substrate W
Are arranged to reciprocate on an arc 85 intersecting at two points on the circumference of the circle.
【００４６】純水供給部９は、不図示の機枠に固定さ
れ、鉛直方向に配された駆動紬を有する第２回動モータ
３１と第２回動モータ３１の駆動軸に固定された第２回
動軸３３と、第２回動軸３３の頂部に接続された第２ア
ーム３５とを有する。第２アーム３５の先端には純水吐
出ノズル２４が設けられる。純水吐出ノズル２４は略鉛
直方向に長手方向が配された管状部材であり、一端から
純水が供給されるとともに、他端から基板Ｗに対して純
水を供給する。また、同じく第２アーム３５の先端には
ブラケット２６（図２では二点鎖線で表示）を介して純
水噴霧ノズル２５が設けられている。純水噴霧ノズル２
５は後述のように純水ミストを噴射するが、基板Ｗの表
面に対して４５度の傾斜をもって純水ミストを噴射する
よう設置されている。そして、前記純水吐出ノズル２４
および純水噴霧ノズル２５は、純水吐出ノズル２４から
吐出される純水と純水噴霧ノズル２５から噴射される純
水ミストとが基板Ｗ表面において交差するように配置さ
れているとともに、純水吐出ノズル２４および純水噴霧
ノズル２５が第２回動モータ３１によって回動させられ
たとき純水吐出ノズル２４から吐出される純水と純水噴
霧ノズル２５から噴射される純水ミストとが図２のよう
に基板Ｗの回転中心Ｃを通り、かつ、回転する基板Ｗの
端縁が描く回転円９５の円周上の２点で交差する円弧８
７上を往復移動するように配置されている。The pure water supply unit 9 is fixed to a machine frame (not shown), and has a second rotating motor 31 having a vertically arranged driving rod, and a second rotating motor 31 fixed to a driving shaft of the second rotating motor 31. It has a two rotation shaft 33 and a second arm 35 connected to the top of the second rotation shaft 33. At the tip of the second arm 35, a pure water discharge nozzle 24 is provided. The pure water discharge nozzle 24 is a tubular member whose longitudinal direction is arranged in a substantially vertical direction, and supplies pure water from one end and supplies pure water to the substrate W from the other end. Similarly, a pure water spray nozzle 25 is provided at the tip of the second arm 35 via a bracket 26 (indicated by a two-dot chain line in FIG. 2). Pure water spray nozzle 2
Numeral 5 injects pure water mist as described later, and is installed so as to inject pure water mist at an inclination of 45 degrees with respect to the surface of the substrate W. Then, the pure water discharge nozzle 24
The pure water spray nozzle 25 is arranged so that the pure water discharged from the pure water discharge nozzle 24 and the pure water mist sprayed from the pure water spray nozzle 25 intersect on the surface of the substrate W. The pure water discharged from the pure water discharge nozzle 24 and the pure water mist sprayed from the pure water spray nozzle 25 when the discharge nozzle 24 and the pure water spray nozzle 25 are rotated by the second rotation motor 31 are illustrated. 2, an arc 8 passing through the center of rotation C of the substrate W and intersecting at two points on the circumference of a rotating circle 95 drawn by the edge of the rotating substrate W
7 to reciprocate.
【００４７】＜２、気液混合ノズル＞上述の除去液噴霧
ノズル１２および、純水噴霧ノズル２５は同様の構成で
あって、図３のような気液混合ノズル２７を用いてい
る。気液混合ノズル２７は気体と液体とが混合される混
合室４２を形成する円筒状の混合部３０と、混合室４２
に一端が接続され多端に向って狭くなるテーパ状流路３
４を有し、前記混合部３０に接続されたテーパ部３２
と、テーパ状流路３４に一端が接続され多端に向って同
じ形状の断面が連続する直流路３６を有し、前記テーパ
部３２に接続された直流部３７とを有する。また、混合
部３０にはガス導入管３８と処理液導入管２９とが接続
されており、混合部３０、ガス導入管３８、処理液導入
管２９はハウジング２８によって固定されている。混合
部３０は略円筒状の部材であり、混合部３０の内経より
も小さい外径を有する円筒状<2. Gas-Liquid Mixing Nozzle> The above-described removing liquid spray nozzle 12 and pure water spray nozzle 25 have the same configuration, and use a gas-liquid mixing nozzle 27 as shown in FIG. The gas-liquid mixing nozzle 27 includes a cylindrical mixing section 30 forming a mixing chamber 42 in which gas and liquid are mixed, and a mixing chamber 42.
Flow path 3 having one end connected to the end and narrowing toward the multi-end
4 and a tapered portion 32 connected to the mixing portion 30
And a direct current path 36 having one end connected to the tapered flow path 34 and having the same shape of cross section continuing toward the multi-end, and a direct current portion 37 connected to the tapered portion 32. Further, a gas introduction pipe 38 and a processing liquid introduction pipe 29 are connected to the mixing section 30, and the mixing section 30, the gas introduction pipe 38, and the processing liquid introduction pipe 29 are fixed by the housing 28. The mixing section 30 is a substantially cylindrical member, and has a cylindrical shape having an outer diameter smaller than the inner diameter of the mixing section 30.
【００４８】のガス導入管３８が挿入されている。詳述
すると、混合部３０とガス導入管３８とは各々円筒状で
あって、その中心軸を一致させている。そして、混合部
３０の内部にガス導入管３８の端部が収まっている。混
合部３０に接続されているテーパ部３２は円錐形状であ
る。テーパ部３２の、混合部３０に接続されている一端
の内径は該接続されている部分の混合部３０の内径と同
じ寸法である。そして、テーパ部３２の内径は前記一端
から多端に向って連続的に小さくなっていく構造となっ
ており、この構造によって、テーパ部３２の内部におい
て徐々に狭くなるテーパ状流路３４が形成される。テー
パ部３２に接続されている直流部３７は円筒状である。
直流部３７の、テーパ部３２に接続されている一端の内
径は該接続されている部分のテーパ部３２の内径と同じ
寸法である。そして、直流部３７の内径は前記一端から
多端に向って連続的に同じである。すなわち、直流部３
７は一端から他端に向って同じ形状（ここでは円形）の
断面が連続する流路を有し、該同じ形状の断面が連続す
る流路が直流路３６を構成する。なお、ここではテーパ
部３２と直流部３７とは一体の部材で形成されている。The gas introduction pipe 38 is inserted. More specifically, the mixing section 30 and the gas introduction pipe 38 are each cylindrical and their central axes coincide. The end of the gas introduction pipe 38 is housed inside the mixing section 30. The tapered section 32 connected to the mixing section 30 has a conical shape. The inside diameter of one end of the tapered section 32 connected to the mixing section 30 is the same as the inside diameter of the mixing section 30 at the connected portion. The inner diameter of the tapered portion 32 is continuously reduced from the one end to the multi-end. With this structure, a tapered flow path 34 that gradually narrows inside the tapered portion 32 is formed. You. The DC section 37 connected to the tapered section 32 has a cylindrical shape.
The inner diameter of one end of the DC portion 37 connected to the tapered portion 32 has the same size as the inner diameter of the tapered portion 32 at the connected portion. The inner diameter of the DC portion 37 is continuously the same from one end to the other end. That is, the DC unit 3
Numeral 7 has a flow path having a continuous cross section of the same shape (here, circular) from one end to the other end. Here, the tapered portion 32 and the DC portion 37 are formed as an integral member.
【００４９】このような気液混合ノズル２７ではガス導
入管３８から加圧された気体が供給され、処理液導入管
２９から処理液が供給されると、混合室４２内で気体と
処理液が混合され処理液は微細な液滴である処理液ミス
トとなる。そして、処理液ミストの移動速度はテーパ状
流路３４および、直流路３６で加速され最終的に処理液
ミストは直流部３７の先端から噴射される。ここではガ
ス導入管３８から供給される気体の圧力を調節して最終
的に直流部３７から噴射される処理液ミストの速度を音
速程度に加速している。この気液混合ノズル２７の内壁
部には、気体や処理液ミストが高速に衝突することか
ら、該内壁部の削れによりパーティクルが発生する可能
性があるが、少なくとも混合室４２の内壁面すなわち、
混合部３０の内壁面の表面を滑らかな面にしているので
その可能性が低減されている。ここでは前記混合室４２
の内壁面の表面の凹凸を０．３μｍ以下、（好ましくは
０．１μｍ以下）の滑らかな面としている。また、混合
部３０は石英で、テーパ部３２および直流部３７は弗素
樹脂で作製されているので処理液による汚染物質の溶出
が低減されている。In such a gas-liquid mixing nozzle 27, when a pressurized gas is supplied from a gas introduction pipe 38 and a processing liquid is supplied from a processing liquid introduction pipe 29, the gas and the processing liquid are mixed in the mixing chamber 42. The mixed processing liquid becomes a processing liquid mist as fine droplets. The moving speed of the processing liquid mist is accelerated in the tapered flow path 34 and the DC path 36, and the processing liquid mist is finally jetted from the tip of the DC section 37. Here, the pressure of the gas supplied from the gas introduction pipe 38 is adjusted to accelerate the speed of the processing liquid mist finally injected from the DC unit 37 to about the speed of sound. Since the gas and the processing liquid mist collide with the inner wall of the gas-liquid mixing nozzle 27 at high speed, particles may be generated due to the scraping of the inner wall, but at least the inner wall of the mixing chamber 42,
Since the surface of the inner wall surface of the mixing section 30 is made smooth, the possibility is reduced. Here, the mixing chamber 42
Of the inner wall surface is a smooth surface of 0.3 μm or less (preferably 0.1 μm or less). Further, since the mixing section 30 is made of quartz and the tapered section 32 and the DC section 37 are made of fluororesin, elution of contaminants by the processing liquid is reduced.
【００５０】以上のような気液混合ノズル２７を除去液
噴霧ノズル１２として適用した場合、後述の窒素供給系
９３からガス導入管３８に対して加圧された窒素ガスが
供給され、除去液供給系８９から処理液導入管２９に対
して除去液が供給される。これにより、除去液噴霧ノズ
ル１２からは除去液ミストが噴射される。また、気液混
合ノズル２７を純水噴霧ノズル２５として適用した場
合、窒素供給系９３からガス導入管３８に対して加圧さ
れた窒素ガスが供給され、純水供給系９１から処理液導
入管２９に対して純水が供給される。これにより、純水
噴霧ノズル２５からは純水ミストが噴射される。When the gas-liquid mixing nozzle 27 as described above is used as the removing liquid spray nozzle 12, pressurized nitrogen gas is supplied to a gas introduction pipe 38 from a nitrogen supply system 93 to be described later. The removal liquid is supplied from the system 89 to the processing liquid introduction pipe 29. Thus, the removing liquid mist is sprayed from the removing liquid spray nozzle 12. When the gas-liquid mixing nozzle 27 is used as the pure water spray nozzle 25, pressurized nitrogen gas is supplied from the nitrogen supply system 93 to the gas introduction pipe 38, and the processing liquid introduction pipe is supplied from the pure water supply system 91. Pure water is supplied to 29. Thereby, pure water mist is sprayed from the pure water spray nozzle 25.
【００５１】＜３、除去液供給系、純水供給系、窒素供
給系＞図４に除去液供給系８９と純水供給系９１およ
び、窒素供給系９３を示す。除去液供給系８９は装置外
の除去液源４５から除去液を汲み出す除去液ポンプ４７
と、除去液ポンプ４７によって汲み出された除去液を所
定温度に加熱または冷却することで除去液の温度を調節
する温調器５１と、温調器５１で温度調節された除去液
から汚染物質をフィルタリングするフィルタ４９と、フ
ィルタリングされた除去液の除去液噴霧ノズル１２への
流路を開閉する除去液噴霧弁５３とを有する。このよう
な構成によって除去液供給系８９は温調器５１によって
所定温度に温度調節され、フィルタ４９で清浄化された
除去液を除去液噴霧ノズル１２に供給できる。また、除
去液供給系８９はフィルタリングされた除去液の除去液
吐出ノズル１１への流路を開閉する除去液吐出弁５６も
有し、除去液吐出弁５６を開閉することで除去液吐出ノ
ズル１１からの除去液の吐出、吐出停止を制御すること
ができる。<3. Removal Solution Supply System, Pure Water Supply System, and Nitrogen Supply System> FIG. 4 shows a removal solution supply system 89, a pure water supply system 91, and a nitrogen supply system 93. The removing liquid supply system 89 supplies the removing liquid from the removing liquid source 45 outside the apparatus.
And a temperature controller 51 for adjusting the temperature of the removing liquid by heating or cooling the removing liquid pumped by the removing liquid pump 47 to a predetermined temperature; And a removal liquid spray valve 53 that opens and closes a flow path of the filtered removal liquid to the removal liquid spray nozzle 12. With such a configuration, the temperature of the removing liquid supply system 89 is adjusted to a predetermined temperature by the temperature controller 51, and the removing liquid purified by the filter 49 can be supplied to the removing liquid spray nozzle 12. The removing liquid supply system 89 also has a removing liquid discharge valve 56 for opening and closing the flow path of the filtered removing liquid to the removing liquid discharge nozzle 11. The discharge of the removal liquid from the nozzle and the stop of the discharge can be controlled.
【００５２】純水供給系９１は装置外の純水源５５から
純水を汲み出す純水ポンプ５７と、純水ポンプ５７によ
って汲み出された純水を所定温度に加熱または冷却する
ことで純水の温度を調節する温調器５２と、温調器５２
で温度調節された純水から汚染物質をフィルタリングす
るフィルタ５９と、フィルタリングされた純水の純水噴
霧ノズル２５への流路を開閉する純水噴霧弁６３とを有
する。このような構成によって純水供給系９１は温調器
５２によって所定温度に温度調節され、フィルタ５９で
清浄化された純水を純水噴霧ノズル２５に供給できる。
また、純水供給系９１はフィルタリングされた純水の純
水吐出ノズル２４への流路を開閉する純水吐出弁５８も
有し、純水吐出弁５８を開閉することで純水吐出ノズル
２４からの純水の吐出、吐出停止を制御することができ
る。The pure water supply system 91 includes a pure water pump 57 that draws pure water from a pure water source 55 outside the apparatus, and a pure water pump that heats or cools the pure water pumped by the pure water pump 57 to a predetermined temperature. Temperature controller 52 for adjusting the temperature of the
And a pure water spray valve 63 for opening and closing a flow path to the pure water spray nozzle 25 for the filtered pure water. With such a configuration, the temperature of the pure water supply system 91 is adjusted to a predetermined temperature by the temperature controller 52, and the pure water purified by the filter 59 can be supplied to the pure water spray nozzle 25.
The pure water supply system 91 also has a pure water discharge valve 58 that opens and closes a flow path to the filtered pure water discharge nozzle 24, and opens and closes the pure water discharge valve 58 to open and close the pure water discharge nozzle 24. Discharge of pure water from the nozzle and stop of discharge can be controlled.
【００５３】窒素供給系９３は加圧された窒素ガスを供
給する窒素源６７と窒素源６７から除去液噴霧ノズル１
２に至る管路を開閉する除去液側窒素弁６６と、同じく
窒素源６７から純水噴霧ノズル２５に至る管路を開閉す
る純水側窒素弁６５とを有する。そして、除去液側窒素
弁６６を開閉することで除去液噴霧ノズル１２への窒素
ガスの供給、供給停止を制御することができ、純水側窒
素弁６５を開閉することで純水噴霧ノズル２５への窒素
ガスの供給、供給停止を制御することができる。The nitrogen supply system 93 includes a nitrogen source 67 for supplying a pressurized nitrogen gas and a removing liquid spray nozzle 1 from the nitrogen source 67.
2 has a removal liquid side nitrogen valve 66 that opens and closes a pipe to the pure water spray nozzle 25, and a pure water side nitrogen valve 65 that also opens and closes a pipe from the nitrogen source 67 to the pure water spray nozzle 25. By opening and closing the removing liquid side nitrogen valve 66, the supply and stop of the supply of the nitrogen gas to the removing liquid spray nozzle 12 can be controlled. By opening and closing the pure water side nitrogen valve 65, the pure water spraying nozzle 25 can be controlled. Supply and stop of supply of nitrogen gas to the apparatus can be controlled.
【００５４】＜４、制御手段＞図５は基板処理装置１の
制御手段６９を示す。制御手段６９にはスピンモータ１
３、第１回動モータ１７、第２回動モータ３１、除去液
ポンプ４７、純水ポンプ５７、除去液噴霧弁５３、純水
噴霧弁６３、除去液吐出弁５６、純水吐出弁５８、除去
液側窒素弁６６、純水側窒素弁６５、温調器５１、温調
器６１が接続されており、制御手段６９は後述の基板処
理方法に記載のとおり、これら接続されているものを制
御する。本基板処理装置１では除去液噴霧ノズル１２お
よび、純水噴霧ノズル２５に気液混合ノズル２７を使用
している。気液混合ノズル２７は直流部３７を有するの
で除去液ミストや純水ミストの拡散が抑制される。この
ため、除去液ミストや純水ミストが所定の速度までに加
速されるとともに、除去液ミストや純水ミストはその速
度の減衰が小さい状態で基板Ｗに到達できる。<4. Control Means> FIG. 5 shows the control means 69 of the substrate processing apparatus 1. The control means 69 includes a spin motor 1
3, the first rotation motor 17, the second rotation motor 31, the removal liquid pump 47, the pure water pump 57, the removal liquid spray valve 53, the pure water spray valve 63, the removal liquid discharge valve 56, the pure water discharge valve 58, The remover-side nitrogen valve 66, the pure water-side nitrogen valve 65, the temperature controller 51, and the temperature controller 61 are connected, and the control means 69 controls these connected components as described in a substrate processing method described later. Control. In the present substrate processing apparatus 1, a gas-liquid mixing nozzle 27 is used for the removal liquid spray nozzle 12 and the pure water spray nozzle 25. Since the gas-liquid mixing nozzle 27 has the DC section 37, the diffusion of the removal liquid mist and the pure water mist is suppressed. For this reason, the removing liquid mist and the pure water mist are accelerated to a predetermined speed, and the removing liquid mist and the pure water mist can reach the substrate W in a state where the decay of the speed is small.
【００５５】本基板処理装置１では除去液噴霧ノズル１
２および、純水噴霧ノズル２５から除去液ミストおよび
純水ミストを基板Ｗの表面に対して４５度の角度をもっ
て噴射しているが側壁の反応生成物を除去するためには
除去液ミストおよび純水ミストの噴射方向と基板Ｗの表
面との角度を３０度から６０度の範囲にするのが好まし
く、４５度にするのがより好ましい。In the present substrate processing apparatus 1, the removing liquid spray nozzle 1
2 and the removal liquid mist and the pure water mist are sprayed from the pure water spray nozzle 25 at an angle of 45 degrees with respect to the surface of the substrate W, but the removal liquid mist and the pure water mist The angle between the direction in which the water mist is sprayed and the surface of the substrate W is preferably in the range of 30 to 60 degrees, and more preferably 45 degrees.
【００５６】＜５、基板処理装置１を用いた基板処理方
法＞図６のように基板処理装置１を用いた基板処理方法
は除去液供給工程ｓ１と、除去液振切り工程ｓ２と、純
水供給工程ｓ３と純水振切り工程ｓ４とを有する。以
下、各工程について図７を参照して説明する。なお、図
７では縦軸に記載の各要素が横軸に記載の時間におい
て、弁にあっては開状態に、その他の要素では動作状態
にある場合、網掛けが施されている。<5. Substrate Processing Method Using Substrate Processing Apparatus 1> A substrate processing method using the substrate processing apparatus 1 as shown in FIG. It has a supply step s3 and a pure water shaking-off step s4. Hereinafter, each step will be described with reference to FIG. In FIG. 7, when each element described on the vertical axis is in the open state for the valve and in the operating state for the other elements at the time described on the horizontal axis, hatching is applied.
【００５７】（１、除去液供給工程ｓ１）まず、時刻ｔ
０にいたるまでに制御手段６９は温調器５１、６１を制
御して除去液、純水の温度が所定温度になるようにして
いる。また、時刻ｔ０にいたるまでに制御手段６９がス
ピンモータ１３を駆動して基板Ｗを回転させ、時刻ｔ０
において基板Ｗは所定の回転数で回転している。そし
て、時刻ｔ０において制御手段６９が、第１回動モータ
１７を回動させる。また時刻ｔ０において制御手段６９
は除去液ポンプ４７を駆動させ除去液吐出弁５８を開状
態にし、除去液吐出ノズル１１から基板Ｗに対して除去
液を供給させる。これにより、基板Ｗは比較的多量の除
去液の供給を受け、基板Ｗ上の反応生成物は膨潤を開始
する。次に時刻ｔ０から第１の所定時間経過後、除去液
吐出弁５８を閉じて除去液吐出ノズル１１からの除去液
を供給を停止し、除去液噴霧弁５３と除去液側窒素弁６
６とを開き、除去液噴霧ノズル１２から除去液ミストを
基板Ｗに噴射する。これにより、音速程度に加速された
除去液ミストが、膨潤してふやけつつある反応生成物に
叩き付けられる。よって、反応生成物には強力に除去液
が打ち込まれて、さらに膨潤が進むとともに、既に膨潤
していた反応生成物は基板Ｗから脱落する。しかも、除
去液噴霧ノズル１２は基板Ｗに対して４５度の角度をも
って除去液ミストを噴射しているので除去液ミストは基
板Ｗの凹凸の側壁に付着している反応生成物に対して勢
いを弱められることが少ない状態で到達する。よって、
より、反応生成物の膨潤、基板Ｗからの脱落が促進され
る。(1. Removal liquid supply step s1) First, at time t
By 0, the control means 69 controls the temperature controllers 51 and 61 so that the temperatures of the removing liquid and the pure water become a predetermined temperature. Further, by the time t0, the control means 69 drives the spin motor 13 to rotate the substrate W, and at the time t0
The substrate W is rotating at a predetermined rotation speed. Then, at time t0, the control means 69 causes the first rotation motor 17 to rotate. At time t0, the control unit 69
Drives the removing liquid pump 47 to open the removing liquid discharge valve 58 and supply the removing liquid to the substrate W from the removing liquid discharge nozzle 11. As a result, the substrate W receives a relatively large amount of the removing liquid, and the reaction product on the substrate W starts to swell. Next, after a lapse of a first predetermined time from time t0, the removing liquid discharge valve 58 is closed to stop supplying the removing liquid from the removing liquid discharge nozzle 11, and the removing liquid spray valve 53 and the removing liquid side nitrogen valve 6 are stopped.
6 is opened, and the removing liquid mist is sprayed onto the substrate W from the removing liquid spray nozzle 12. As a result, the removing liquid mist accelerated to about the speed of sound is beaten against the swollen and swollen reaction product. Therefore, the removal liquid is strongly injected into the reaction product, and the swelling further progresses, and the already swollen reaction product drops off from the substrate W. Moreover, since the removing liquid spray nozzle 12 sprays the removing liquid mist at an angle of 45 degrees with respect to the substrate W, the removing liquid mist exerts momentum on the reaction products attached to the uneven side walls of the substrate W. Reached with less weakening. Therefore,
This promotes swelling of the reaction product and falling off from the substrate W.
【００５８】なお、前記第１の所定時間は時刻ｔ０以
降、除去液吐出ノズル１１から供給される除去液によ
り、基板Ｗ上の反応生成物が膨潤を開始するまでの時間
であり、予め実験で求めてある。そして時刻ｔ１におい
て制御手段６９は除去液噴霧ノズル１２がカップ３の上
方から退避した状態にて第１回動モータ１７の駆動を停
止させる。また、制御手段６９は除去液噴霧弁５３およ
び、除去液側窒素弁８６を閉状態にし、除去液ポンプ４
７の駆動も停止して除去液供給部７からの除去液の供給
を停止させる。Note that the first predetermined time is a time from time t0 until the reaction product on the substrate W starts to swell with the removing liquid supplied from the removing liquid discharge nozzle 11, and is determined in advance by an experiment. I'm asking. Then, at time t1, the control means 69 stops driving the first rotation motor 17 in a state where the removing liquid spray nozzle 12 is retracted from above the cup 3. Further, the control means 69 closes the removing liquid spray valve 53 and the removing liquid side nitrogen valve 86 and sets the removing liquid pump 4
The driving of the removing liquid 7 is also stopped, and the supply of the removing liquid from the removing liquid supply unit 7 is stopped.
【００５９】（２、除去液振切り工程ｓ２）次に時刻ｔ
１において制御手段６９は基板Ｗへの除去液の供給を停
止させる一方で、引き続きスピンモータ１３を回転さ
せ、基板Ｗを回転させた状態を維持する。これにより、
除去液振切り工程ｓ２が実行される。この除去液振切り
工程ｓ２において基板Ｗは５００ｒｐｍ以上で回転さ
れ、好ましくは１０００ｒｐｍから４０００ｒｐｍで回
転される。また、回転を維持する時間は少なくとも１秒
以上、好ましくは２〜５秒である。このように、基板Ｗ
に対する除去液の供給を停止した状態で基板が回転する
状態を維持するので基板Ｗ上の除去液は遠心力によって
基板Ｗ上から振切られる。(2, Removal liquid shaking step s2) Next, at time t
In 1, the control means 69 stops the supply of the removing liquid to the substrate W, while continuing to rotate the spin motor 13 to maintain the state in which the substrate W is rotated. This allows
The removal liquid shaking-off step s2 is performed. In the removing liquid shaking step s2, the substrate W is rotated at 500 rpm or more, preferably at 1000 rpm to 4000 rpm. The time for maintaining the rotation is at least 1 second or more, preferably 2 to 5 seconds. Thus, the substrate W
In the state where the supply of the removing liquid to the substrate is stopped, the state in which the substrate is rotated is maintained, so that the removing liquid on the substrate W is shaken off from the substrate W by centrifugal force.
【００６０】（３、純水供給工程ｓ３）時刻ｔ２におい
て制御手段６９が、第２回動モータ３１を回動させる。
また時刻ｔ２において制御手段６９は純水ポンプ５７を
駆動し、純水吐出弁５８を開状態にして純水吐出ノズル
２４から純水を供給させる。これにより、基板Ｗは比較
的多量の純水の供給を受け、基板Ｗ上で膨潤している反
応生成物は洗い流され始める。次に時刻ｔ２から第２の
所定時間経過後、純水吐出弁５８を閉じて純水吐出ノズ
ル２４からの純水の供給を停止するとともに、純水噴霧
弁５３と純水側窒素弁６５とを開き、純水噴霧ノズル２
５から純水ミストを基板Ｗに噴射する。これにより、音
速程度に加速された純水ミストが、膨潤してふやけた反
応生成物に叩き付けられ、反応生成物は基板Ｗから脱落
する。しかも、純水噴霧ノズル２５は基板Ｗに対して４
５度の角度をもって純水ミストを噴射しているので純水
ミストは基板Ｗの凹凸の側壁に付着している反応生成物
に対して勢いを弱められることが少ない状態で到達す
る。よって、より反応生成物の基板Ｗからの脱落が保進
される。なお、前記第２の所定時間は、時刻ｔ２以降、
純水吐出ノズル２４から供給される純水により、基板Ｗ
上の反応生成物がある程度脱落するまでの時間であり、
予め実験で求めてある。時刻ｔ３において制御手段６９
は純水噴霧ノズル２５がカップ３の上方から退避した状
態にて第２回動モータ３１の駆動を停止させる。また、
制御手段６９は純水噴霧弁５３および、純水側窒素弁６
５を閉状態にし、純水ポンプ５７の駆動も停止して純水
供給部９からの純水の供給を停止させる。(3, Pure Water Supply Step s3) At time t2, the control means 69 rotates the second rotating motor 31.
At time t2, the control means 69 drives the pure water pump 57 to open the pure water discharge valve 58 and supply pure water from the pure water discharge nozzle 24. As a result, the substrate W receives a relatively large amount of pure water, and the reaction products swelling on the substrate W begin to be washed away. Next, after a lapse of a second predetermined time from time t2, the pure water discharge valve 58 is closed to stop the supply of pure water from the pure water discharge nozzle 24, and the pure water spray valve 53 and the pure water nitrogen valve 65 are closed. Open the pure water spray nozzle 2
From 5, a pure water mist is sprayed on the substrate W. As a result, the pure water mist accelerated to about the speed of sound is swept against the swollen and swollen reaction product, and the reaction product drops off from the substrate W. In addition, the pure water spray nozzle 25 is
Since the pure water mist is sprayed at an angle of 5 degrees, the pure water mist arrives in a state where the force of the reaction product attached to the uneven side wall of the substrate W is not weakened. Accordingly, the reaction products are more reliably prevented from dropping from the substrate W. Note that the second predetermined time is set after time t2.
With the pure water supplied from the pure water discharge nozzle 24, the substrate W
The time it takes for the above reaction product to drop to some extent,
Determined in advance by experiments. At time t3, control means 69
Stops the driving of the second rotary motor 31 in a state where the pure water spray nozzle 25 is retracted from above the cup 3. Also,
The control means 69 includes a pure water spray valve 53 and a pure water side nitrogen valve 6.
5 is closed, the driving of the pure water pump 57 is also stopped, and the supply of pure water from the pure water supply unit 9 is stopped.
【００６１】（４、純水振切り工程ｓ４）時刻ｔ３にお
いて制御手段６９は基板Ｗへの純水の供給を停止する一
方で、引き続きスピンモータ１３を回転させ、基板Ｗを
回転させた状態を維持する。これにより、純水振切り工
程ｓ４が実行される。以上のようにして基板Ｗに除去液
および純水が供給されることによって反応生成物が除去
される。(4, Pure Water Shaking-off Step s4) At time t3, the control means 69 stops the supply of pure water to the substrate W, and continues to rotate the spin motor 13 to rotate the substrate W. maintain. Thus, the pure water shaking-off step s4 is performed. As described above, the reaction product is removed by supplying the substrate W with the removing liquid and the pure water.
【００６２】本基板処理方法によれば除去液供給工程ｓ
１開始以降、第１の所定時間が経過するまでは除去液吐
出ノズル１１から液状の除去液を連続的に供給している
が、前記第１の所定時間経過後は除去液噴霧ノズル１２
から除去液ミストを供給しているので、除去液供給工程
ｓ１全体において除去液吐出ノズル１１のように連続的
に液状の除去液を供給するものに比べて除去液の消費量
が少なくて済む。しかも、除去液噴霧ノズル１２からは
高速の除去液ミストを基板Ｗに噴射しているので、基板
Ｗ上の反応生成物の膨潤、基板Ｗからの脱落にかかる時
間が短くなりスループットが向上する。According to the present substrate processing method, the removing liquid supply step s
From the start, the liquid removing liquid is continuously supplied from the removing liquid discharge nozzle 11 until the first predetermined time has elapsed, but after the first predetermined time has elapsed, the removing liquid spray nozzle 12 has been supplied.
Since the removal liquid mist is supplied from the apparatus, the consumption amount of the removal liquid in the entire removal liquid supply step s1 can be reduced as compared with the case where the liquid removal liquid is continuously supplied like the removal liquid discharge nozzle 11. In addition, since the high-speed removal liquid mist is sprayed from the removal liquid spray nozzle 12 onto the substrate W, the time required for the reaction product on the substrate W to swell and drop off from the substrate W is shortened, and the throughput is improved.
【００６３】また、純水供給工程ｓ３開始以降、第２の
所定時間が経過するまでは純水吐出ノズル２４から液状
の純水を連続的に供給しているが、前記第２の所定時間
経過後は純水噴霧ノズル２５から純水ミストを供給して
いるので、純水供給工程ｓ３全体において純水吐出ノズ
ル２４のように連続的に液状の純水を供給するものに比
べて純水の消費量が少なくて済む。しかも、純水噴霧ノ
ズル２５からは高速の純水ミストを基板Ｗに噴射してい
るので、反応生成物の基板Ｗからの脱落にかかる時間が
短くなりスループットが向上する。Further, after the start of the pure water supply step s3, liquid pure water is continuously supplied from the pure water discharge nozzle 24 until the second predetermined time elapses. Thereafter, since the pure water mist is supplied from the pure water spray nozzle 25, the pure water mist is supplied in the entire pure water supply step s3 as compared with the pure water discharge nozzle 24 which continuously supplies the liquid pure water. Low consumption. Moreover, since high-speed pure water mist is sprayed from the pure water spray nozzle 25 onto the substrate W, the time required for the reaction product to drop off from the substrate W is reduced, and the throughput is improved.
【００６４】なお、本基板処理方法によれば除去液振切
り工程ｓ２において、基板Ｗ上の除去液が振切られ、基
板Ｗ上に残存する除去液が僅少または全く無くなる。よ
って、この状態で純水供給工程ｓ３において基板Ｗに対
して純水を供給すれば純水が接触する除去液の量は僅少
または全く無いのでペーハーショックが発生しても基板
Ｗへの影響はほとんど無いか、ペーハーショック自体が
生じない。ペーハーショックとは除去液と純水とが接触
して強アルカリが生成されることを言い、このような強
アルカリが生成されると金属膜に損傷を与えるので可能
な限り抑制する必要がある。According to the present substrate processing method, the removing liquid on the substrate W is shaken off in the removing liquid shaking step s2, and the removing liquid remaining on the substrate W is reduced to a small amount or completely eliminated. Therefore, in this state, if pure water is supplied to the substrate W in the pure water supply step s3, the amount of the removing solution contacted by the pure water is small or not at all. Very little or no pH shock itself. The pH shock refers to the contact between the removing solution and pure water to generate a strong alkali. If such a strong alkali is generated, the metal film is damaged, and thus it is necessary to suppress the strong alkali as much as possible.
【００６５】また、本基板処理方法では時刻ｔ０から第
１の所定時間が経過するまでは除去液吐出ノズル１１か
ら液状の除去液を供給し、第１の所定時間経過後、時刻
ｔ１まで除去液噴霧ノズル１２から除去液ミストを基板
Ｗに噴射しているが、以下のようにしてもよい。すなわ
ち、時刻ｔ０から時刻ｔ１まで除去液噴霧ノズル１２か
ら除去液ミストを供給してもよい。この場合、基板処理
装置１には除去液吐出ノズル１１を設けなくてもよい。
また、時刻ｔ０から所定時間が経過するまでは除去液噴
霧ノズル１２から除去液ミストを供給し、該所定時間経
過後、除去液吐出ノズル１１から液状の除去液を供給し
てもよい。また、本基板処理方法では時刻ｔ２から第２
の所定時間が経過するまでは純水吐出ノズル２４から液
状の純水を供給し、第２の所定時間経過後、時刻ｔ３ま
で純水噴霧ノズル２５から純水ミストを基板Ｗに噴射し
ているが、以下のようにしてもよい。すなわち、時刻ｔ
２から時刻ｔ３まで純水噴霧ノズル２５から純水ミスト
を供給してもよい。この場合、基板処理装置１には純水
吐出ノズル２４を設けなくてもよい。また、時刻ｔ２か
ら所定時間が経過するまでは純水噴霧ノズル２５から純
水ミストを供給し、該所定時間経過後、純水吐出ノズル
２４から液状の純水を供給してもよい。In the present substrate processing method, a liquid removing liquid is supplied from the removing liquid discharge nozzle 11 until the first predetermined time has elapsed from the time t0, and after the first predetermined time has elapsed, the removing liquid is supplied until the time t1. Although the removing liquid mist is sprayed from the spray nozzle 12 to the substrate W, the following may be performed. That is, the removing liquid mist may be supplied from the removing liquid spray nozzle 12 from time t0 to time t1. In this case, the substrate processing apparatus 1 does not need to be provided with the removing liquid discharge nozzle 11.
Alternatively, the removing liquid mist may be supplied from the removing liquid spray nozzle 12 until a predetermined time elapses from the time t0, and the liquid removing liquid may be supplied from the removing liquid discharge nozzle 11 after the predetermined time elapses. Further, in the present substrate processing method, the second
Is supplied from the pure water discharge nozzle 24 until the predetermined time elapses, and after the second predetermined time elapses, the pure water mist is jetted from the pure water spray nozzle 25 onto the substrate W until time t3. However, the following may be performed. That is, the time t
The pure water mist may be supplied from the pure water spray nozzle 25 from time 2 to time t3. In this case, the substrate processing apparatus 1 may not be provided with the pure water discharge nozzle 24. Further, pure water mist may be supplied from the pure water spray nozzle 25 until a predetermined time has elapsed from the time t2, and liquid pure water may be supplied from the pure water discharge nozzle 24 after the predetermined time has elapsed.
【００６６】＜６、第２実施形態の基板処理装置＞図
８、図９に従って基板処理装置１００について説明す
る。なお、図８は図９のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ断面図であ
るが、便宜上、一部ハッチングを省略している。基板処
理装置１００は前述の基板処理装置１の構成に加えて、
中間リンス液供給部としての溶剤供給部２を有してい
る。そして、基板処理装置１００は基板処理装置１と共
通部分が多いので、以下、基板処理装置１と共通の部分
は図面に同一の参照番号を付し説明を省略する。<6. Substrate Processing Apparatus of Second Embodiment> The substrate processing apparatus 100 will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line VIII-VIII of FIG. 9, but hatching is partially omitted for convenience. The substrate processing apparatus 100 includes, in addition to the configuration of the above-described substrate processing apparatus 1,
It has a solvent supply section 2 as an intermediate rinsing liquid supply section. Since the substrate processing apparatus 100 has many common parts with the substrate processing apparatus 1, the same parts as those in the substrate processing apparatus 1 are given the same reference numerals in the drawings, and description thereof will be omitted.
【００６７】基板処理装置１００は溶剤供給部２を有
し、該溶剤供給部２は、不図示の機枠に固定され、鉛直
方向に配された駆動軸を有する第３回動モータ１８と第
３回動モータ１８の駆動軸に固定された第３回動軸２０
と、第３回動軸２０の頂部に接続された第３アーム２２
とを有する。第３アーム２２の先端には溶剤吐出ノズル
４０が設けられる。溶剤吐出ノズル４０は略鉛直方向に
長手方向が配された管状部材であり、一端から有機溶剤
が供給されるとともに、他端から基板Ｗに対して有機溶
剤を供給する。また、同じく第３アーム２２の先端には
ブラケット４１（図９では二点鎖線で表示）を介して溶
剤噴霧ノズル３９が設けられている。溶剤噴霧ノズル３
９は後述のように溶剤ミストを噴射するが、基板Ｗの表
面に対して４５度の傾斜をもって溶剤ミストを噴射する
よう設置されている。そして、上記、前記溶剤吐出ノズ
ル４０および溶剤噴霧ノズル３９は、溶剤吐出ノズル４
０から吐出される有機溶剤と溶剤噴霧ノズル３９から噴
射される溶剤ミストとが基板Ｗ表面において交差するよ
うに配置されているとともに、溶剤吐出ノズル４０およ
び溶剤噴霧ノズル３９が第３回動モータ１８によって回
動させられたとき溶剤吐出ノズル４０から吐出される有
機溶剤と溶剤噴霧ノズル３９から噴射される溶剤ミスト
とが図９のように基板Ｗの回転中心Ｃを通り、かつ、回
転する基板Ｗの端縁が描く回転円９５の円周上の２点で
交差する円弧８６上を往復移動するように配置されてい
る。前記溶剤噴霧ノズル３９には図３の気液混合ノズル
２７が用いられており、後述の窒素供給系９４からガス
導入管３８に対して加圧された窒素ガスが供給され、溶
剤供給系９０から処理液導入管２９に対して有機溶剤が
供給される。これにより、溶剤噴霧ノズル３９からは溶
剤ミストが噴射される。The substrate processing apparatus 100 has a solvent supply unit 2. The solvent supply unit 2 is fixed to a machine frame (not shown) and has a third rotating motor 18 having a drive shaft arranged vertically and a third rotation motor 18. Third rotation shaft 20 fixed to the drive shaft of three rotation motor 18
And a third arm 22 connected to the top of the third rotating shaft 20.
And A solvent discharge nozzle 40 is provided at the tip of the third arm 22. The solvent discharge nozzle 40 is a tubular member whose longitudinal direction is arranged in a substantially vertical direction, and supplies the organic solvent from one end and supplies the organic solvent to the substrate W from the other end. Similarly, a solvent spray nozzle 39 is provided at the tip of the third arm 22 via a bracket 41 (indicated by a two-dot chain line in FIG. 9). Solvent spray nozzle 3
Numeral 9 injects a solvent mist as described later, and is installed so as to inject the solvent mist at an inclination of 45 degrees with respect to the surface of the substrate W. The solvent discharge nozzle 40 and the solvent spray nozzle 39 are connected to the solvent discharge nozzle 4.
0 and the solvent mist sprayed from the solvent spray nozzle 39 are arranged so as to intersect on the surface of the substrate W, and the solvent discharge nozzle 40 and the solvent spray nozzle 39 are connected to the third rotating motor 18. The organic solvent ejected from the solvent ejection nozzle 40 and the solvent mist ejected from the solvent spray nozzle 39 when rotated by the rotation of the substrate W pass through the rotation center C of the substrate W as shown in FIG. Are arranged so as to reciprocate on a circular arc 86 that intersects at two points on the circumference of a rotating circle 95 drawn by the edge of. The gas-liquid mixing nozzle 27 shown in FIG. 3 is used as the solvent spray nozzle 39. A pressurized nitrogen gas is supplied to a gas introduction pipe 38 from a nitrogen supply system 94 described later, and An organic solvent is supplied to the processing liquid introduction pipe 29. As a result, a solvent mist is ejected from the solvent spray nozzle 39.
【００６８】＜７、溶剤供給系＞図１０に溶剤供給系９
０および、窒素供給系９４を示す。溶剤供給系９０は装
置外の有機溶剤源４６から有機溶剤を汲み出す溶剤ポン
プ４８と、溶剤ポンプ４８によって汲み出された有機溶
剤を所定温度に加熱または冷却することで有機溶剤の温
度を調節する温調器５０と、温調器５０で温度調節され
た有機溶剤から汚染物質をフィルタリングするフィルタ
５２と、フィルタリングされた有機溶剤の有機溶剤噴霧
ノズル１２への流路を開閉する溶剤噴霧弁５４とを有す
る。このような構成によって溶剤供給系９０は温調器５
０によって所定温度に温度調節され、フィルタ５２で清
浄化された有機溶剤を有機溶剤噴霧ノズル１２に供給で
きる。また、溶剤供給系９０はフィルタリングされた有
機溶剤の溶剤吐出ノズル４０への流路を開閉する溶剤吐
出弁６２も有し、溶剤吐出弁６２を開閉することで溶剤
吐出ノズル４０からの有機溶剤の吐出、吐出停止を制御
することができる。窒素供給系９４は加圧された窒素ガ
スを供給する窒素源６８と窒素源６８から除去液噴霧ノ
ズル１２に至る管路を開閉する除去液側窒素弁６６と、
同じく窒素源６８から純水噴霧ノズル２５に至る管路を
開閉する純水側窒素弁６５と、溶剤噴霧ノズル３９に至
る管路を開閉する溶剤側窒素弁７１とを有する。そし
て、除去液側窒素弁６６を開閉することで除去液噴霧ノ
ズル１２への窒素ガスの供給、供給停止を制御すること
ができ、純水側窒素弁６５を開閉することで純水噴霧ノ
ズル２５への窒素ガスの供給、供給停止を制御すること
ができ、溶剤側窒素弁７１を開閉することで溶剤噴霧ノ
ズル３９への窒素ガスの供給、供給停止を制御すること
ができる。また基板処理装置１００は不図示の制御手段
を有し、その制御手段には基板処理装置１の制御手段６
９と同様、スピンモータ１３、第１回動モータ１７、第
２回動モータ３１、除去液ポンプ４７、純水ポンプ５
７、除去液噴霧弁５３、純水噴霧弁８３、除去液吐出弁
５６、純水吐出弁５８、除去液側窒素弁６６、純水側窒
素弁６５、温調器５１、温調器６１が接続されていると
ともに、第３回動モータ１８、溶剤ポンプ４８、溶剤噴
霧弁５４、溶剤吐出弁６２、溶剤側窒素弁７１、温調器
５０がさらに接続されている。<7. Solvent Supply System> FIG.
0 and a nitrogen supply system 94. The solvent supply system 90 adjusts the temperature of the organic solvent by pumping the organic solvent from the organic solvent source 46 outside the apparatus and heating or cooling the organic solvent pumped by the solvent pump 48 to a predetermined temperature. A temperature controller 50, a filter 52 for filtering contaminants from the organic solvent temperature-controlled by the temperature controller 50, a solvent spray valve 54 for opening and closing a flow path of the filtered organic solvent to the organic solvent spray nozzle 12. Having. With such a configuration, the solvent supply system 90 is connected to the temperature controller 5.
The organic solvent whose temperature is adjusted to a predetermined temperature by 0 and which is cleaned by the filter 52 can be supplied to the organic solvent spray nozzle 12. The solvent supply system 90 also has a solvent discharge valve 62 that opens and closes a flow path of the filtered organic solvent to the solvent discharge nozzle 40. Discharge and discharge stop can be controlled. The nitrogen supply system 94 includes a nitrogen source 68 that supplies a pressurized nitrogen gas, a removal liquid side nitrogen valve 66 that opens and closes a pipe from the nitrogen source 68 to the removal liquid spray nozzle 12,
Similarly, it has a pure water side nitrogen valve 65 for opening and closing a line from the nitrogen source 68 to the pure water spray nozzle 25, and a solvent side nitrogen valve 71 for opening and closing a line to the solvent spray nozzle 39. By opening and closing the removing liquid side nitrogen valve 66, the supply and stop of the supply of the nitrogen gas to the removing liquid spray nozzle 12 can be controlled. By opening and closing the pure water side nitrogen valve 65, the pure water spraying nozzle 25 can be controlled. Supply and stop of the supply of nitrogen gas to the solvent spray nozzle 39 can be controlled by opening and closing the solvent-side nitrogen valve 71. The substrate processing apparatus 100 has control means (not shown), and the control means includes the control means 6 of the substrate processing apparatus 1.
9, the spin motor 13, the first rotation motor 17, the second rotation motor 31, the removing liquid pump 47, the pure water pump 5
7, the removal liquid spray valve 53, the pure water spray valve 83, the removal liquid discharge valve 56, the pure water discharge valve 58, the removal liquid nitrogen valve 66, the pure water nitrogen valve 65, the temperature controller 51, and the temperature controller 61. In addition to being connected, the third rotating motor 18, the solvent pump 48, the solvent spray valve 54, the solvent discharge valve 62, the solvent-side nitrogen valve 71, and the temperature controller 50 are further connected.
【００６９】本基板処理装置１００では溶剤噴霧ノズル
３９に気液混合ノズル２７を使用している。気液混合ノ
ズル２７は直流部３７を有するので溶剤ミストの拡散が
抑制される。このため、溶剤ミストが所定の速度までに
加速されるとともに、溶剤ミストはその速度の減衰が小
さい状態で基板Ｗに到達できる。本基板処理装置１００
では溶剤噴霧ノズル３９から溶剤ミストを基板Ｗの表面
に対して４５度の角度をもって噴射しているが側壁の反
応生成物を除去するためには溶剤ミストの噴射方向と基
板Ｗの表面との角度を３０度から６０度の範囲にするの
が好ましく、４５度にするのがより好ましい。In the substrate processing apparatus 100, the gas-liquid mixing nozzle 27 is used as the solvent spray nozzle 39. Since the gas-liquid mixing nozzle 27 has the DC part 37, diffusion of the solvent mist is suppressed. For this reason, the solvent mist is accelerated to a predetermined speed, and the solvent mist can reach the substrate W in a state where the speed is slightly attenuated. The present substrate processing apparatus 100
In the above, the solvent mist is sprayed from the solvent spray nozzle 39 at an angle of 45 degrees with respect to the surface of the substrate W. Is preferably in the range of 30 to 60 degrees, and more preferably 45 degrees.
【００７０】＜８、基板処理装置１００を用いた基板処
理方法＞図１１に従って、上記基板処理装置１００を用
いた基板処理方法について説明する。基板処理装置１０
０を用いた基板処理方法は除去液供給工程ｓ３１と、除
去液振切り工程Ｓ３２と、中間リンス工程としての溶剤
供給工程ｓ３３と純水供給工程ｓ３４と純水振切り工程
ｓ３５とを有する。この基板処理方法は実質的に、除去
液供給工程ｓ１と、除去液振切り工程ｓ２と、純水供給
工程ｓ３と純水振切り工程ｓ４とを有する基板処理装置
１を用いた基板処理方法において、除去液振切り工程ｓ
２と純水供給工程ｓ３との間に溶剤供給工程を加えたも
のである。よって、前記除去液供給工程ｓ３１と、除去
液振切り工程ｓ３２と、純水供給工程ｓ３４と純水振切
り工程ｓ３５とはそれぞれ基板処理装置１を用いた基板
処理方法における除去液供給工程ｓ１と、除去液振切り
工程ｓ２と、純水供給工程ｓ３と純水振切り工程ｓ４と
同じ内容なので説明を省略する。<8. Substrate Processing Method Using Substrate Processing Apparatus 100> A substrate processing method using the substrate processing apparatus 100 will be described with reference to FIG. Substrate processing device 10
The substrate processing method using 0 includes a removal liquid supply step s31, a removal liquid shake-off step S32, a solvent supply step s33 as an intermediate rinsing step, a pure water supply step s34, and a pure water shake-off step s35. This substrate processing method is essentially a substrate processing method using a substrate processing apparatus 1 having a removing liquid supply step s1, a removing liquid shaking step s2, a pure water supplying step s3, and a pure water shaking step s4. , Removal liquid shaking step s
2 and a solvent supply step between the pure water supply step s3. Therefore, the removal liquid supply step s31, the removal liquid shake-off step s32, the pure water supply step s34, and the pure water shake-off step s35 are respectively equivalent to the removal liquid supply step s1 in the substrate processing method using the substrate processing apparatus 1. Since the removal liquid shaking step s2, the pure water supply step s3, and the pure water shaking step s4 are the same, description thereof will be omitted.
【００７１】次に図１２に基づき溶剤供給工程ｓ３３に
ついて説明する。図１２では縦軸に記載の各要素が横軸
に記載の時間において、弁にあっては開状態に、その他
の要素では動作状態にある場合、網掛けが施されてい
る。溶剤供給工程ｓ３３は除去液供給工程ｓ３１と、除
去液振切り工程ｓ３２とを経てから実行される。除去液
振切り工程ｓ３２では基板Ｗに対する除去液の供給を停
止した状態で基板が回転する状態を維持するので基板Ｗ
上の除去液は遠心力によって基板Ｗ上から振切られ、基
板Ｗ上に残る除去液は限りなく少なくなっている。Next, the solvent supply step s33 will be described with reference to FIG. In FIG. 12, when each element described on the vertical axis is in the open state for the valve and in the operating state for the other elements at the time described on the horizontal axis, hatching is applied. The solvent supply step s33 is performed after the removal liquid supply step s31 and the removal liquid shake-off step s32. In the removing liquid shaking-off step s32, the substrate is kept rotating while the supply of the removing liquid to the substrate W is stopped.
The removal liquid above is shaken off from above the substrate W by centrifugal force, and the removal liquid remaining on the substrate W is reduced as much as possible.
【００７２】時刻ｔ２において前記不図示の制御手段
が、第３回動モータ１８を回動させる。また時刻ｔ２に
おいて前記不図示の制御手段は溶剤ポンプ４８を駆動
し、溶剤吐出弁６２を開状態にして溶剤吐出ノズル４０
から有機溶剤を供給させる。これにより、基板Ｗは比較
的多量の有機溶剤の供給を受け、基板Ｗ上の除去液が洗
い流され始める。次に時刻ｔ２から第３の所定時間経過
後、溶剤吐出弁６２を閉じて溶剤吐出ノズル４０からの
有機溶剤の供給を停止するとともに、溶剤噴霧弁５４と
溶剤側窒素弁７１とを開き、溶剤噴霧ノズル３９から溶
剤ミストを基板Ｗに噴射する。これにより、音速程度に
加速された溶剤ミストが、膨潤してふやけた反応生成物
に叩き付けられ、反応生成物は基板Ｗから脱落する。し
かも、溶剤噴霧ノズル３９は基板Ｗに対して４５度の角
度をもって溶剤ミストを噴射しているので溶剤ミストは
基板Ｗの凹凸の側壁に付着している反応生成物に対して
勢いを弱められることが少ない状態で到達する。よっ
て、より反応生成物の基板Ｗからの脱落が促進される。
このため、処理に要する時間が短くなる。なお、前記第
３の所定時間は、時刻ｔ２以降、溶剤吐出ノズル４０か
ら供給される有機溶剤により、基板Ｗ上の除去液がある
程度洗い流されるまでの時間であり、予め実験で求めて
ある。時刻ｔ３において前記不図示の制御手段は溶剤噴
霧ノズル３９がカップ３の上方から退避した状態にて第
３回動モータ１８の駆動を停止させる。また、不図示の
制御手段は溶剤噴霧弁５４および、溶剤側窒素弁７１を
閉状態にし、溶剤ポンプ４８の駆動も停止して溶剤噴霧
ノズル３９からの有機溶剤の供給を停止させる。At time t2, the control means (not shown) causes the third rotating motor 18 to rotate. Further, at time t2, the control means (not shown) drives the solvent pump 48 to open the solvent discharge valve 62 so that the solvent discharge nozzle 40
To supply an organic solvent. As a result, the substrate W is supplied with a relatively large amount of the organic solvent, and the removal liquid on the substrate W starts to be washed away. Next, after a lapse of a third predetermined time from the time t2, the solvent discharge valve 62 is closed to stop the supply of the organic solvent from the solvent discharge nozzle 40, and the solvent spray valve 54 and the solvent-side nitrogen valve 71 are opened. A solvent mist is sprayed from the spray nozzle 39 onto the substrate W. As a result, the solvent mist accelerated to about the speed of sound is beaten against the swollen and swollen reaction product, and the reaction product drops off from the substrate W. Moreover, since the solvent spray nozzle 39 sprays the solvent mist at an angle of 45 degrees with respect to the substrate W, the solvent mist can be weakened against the reaction products attached to the uneven side walls of the substrate W. Arrives with less. Thus, the reaction products are more likely to fall off the substrate W.
Therefore, the time required for the processing is shortened. Note that the third predetermined time period is a time period from time t2 until the organic solvent supplied from the solvent discharge nozzle 40 flushes the removal liquid on the substrate W to some extent, and is obtained in advance by an experiment. At time t3, the control unit (not shown) stops driving the third rotation motor 18 in a state where the solvent spray nozzle 39 is retracted from above the cup 3. The control means (not shown) closes the solvent spray valve 54 and the solvent-side nitrogen valve 71, stops driving the solvent pump 48, and stops the supply of the organic solvent from the solvent spray nozzle 39.
【００７３】このように溶剤供給工程ｓ３３では有機溶
剤を基板Ｗに供給することによって、基板Ｗから除去液
を洗い流してしまう。このため、後続する純水供給工程
ｓ３４にて基板Ｗに純水が供給されたとき、純水に接触
する除去液はまったく無くなるのでペーハーショックの
発生を防止することができる。このため、基板Ｗ上の薄
膜に対するダメージの発生を防止することができる。ま
た、本基板処理方法では除去液振切り工程ｓ３２におい
て基板Ｗから除去液を振切っているのでこの時点で基板
Ｗに残存する除去液は僅かである。このため、溶剤供給
工程ｓ３３において有機溶剤によって除去液を洗い流す
のに必要な時間を短縮することができる。このためスル
ープットが向上する。また、同じく、基板Ｗに残存する
除去液は僅かであるため、溶剤供給工程ｓ３３において
必要となる有機溶剤の量を低減することができるのでコ
ストを削減することもできる。なお、本基板処理方法で
は溶剤供給工程ｓ３３の直後に純水供給工程ｓ３４を実
行しているが、溶剤供給工程ｓ３３と純水供給工程ｓ３
４との間に基板Ｗ上の溶剤を振切る溶剤振切り工程を設
けてもよい。As described above, in the solvent supply step s33, the removal solvent is washed out of the substrate W by supplying the organic solvent to the substrate W. For this reason, when pure water is supplied to the substrate W in the subsequent pure water supply step s34, there is no removal liquid that comes into contact with the pure water, so that the occurrence of pH shock can be prevented. Therefore, it is possible to prevent the thin film on the substrate W from being damaged. Further, in the present substrate processing method, since the removing liquid is shaken off from the substrate W in the removing liquid shaking-off step s32, the removing liquid remaining on the substrate W at this time is small. For this reason, in the solvent supply step s33, it is possible to reduce the time required for washing away the removal liquid with the organic solvent. Therefore, the throughput is improved. Similarly, since the amount of the removal liquid remaining on the substrate W is small, the amount of the organic solvent required in the solvent supply step s33 can be reduced, so that the cost can be reduced. In the present substrate processing method, the pure water supply step s34 is performed immediately after the solvent supply step s33, but the solvent supply step s33 and the pure water supply step s3 are performed.
4, a solvent shake-out step of shaking off the solvent on the substrate W may be provided.
【００７４】また、本基板処理方法では除去液供給工程
ｓ３１開始から純水振切り工程ｓ３５終了まで基板Ｗの
回転を停止させていないが、除去液供給工程ｓ３１との
間、除去液振切り工程ｓ３２と溶剤供給工程ｓ３３との
間、溶剤供給工程ｓ３３と純水供給工程ｓ３４との間、
純水供給工程ｓ３４と純水振切り工程ｓ３５との間の何
れかで一旦基板Ｗの回転を停止させてもよい。また、本
基板処理方法では時刻ｔ０から第１の所定時間が経過す
るまでは除去液吐出ノズル１１から液状の除去液を供給
し、第１の所定時間経過後、時刻ｔ１まで除去液噴霧ノ
ズル１２から除去液ミストを基板Ｗに噴射しているが、
以下のようにしてもよい。すなわち、時刻ｔ０から時刻
ｔ１まで除去液噴霧ノズル１２から除去液ミストを供給
してもよい。この場合、基板処理装置１００には除去液
吐出ノズル１１を設けなくてもよい。また、時刻ｔ０か
ら所定時間が経過するまでは除去液噴霧ノズル１２から
除去液ミストを供給し、該所定時間経過後、時刻ｔ１ま
で除去液吐出ノズル１１から液状の除去液を供給しても
よい。また、本基板処理方法では時刻ｔ２から第３の所
定時間が経過するまでは溶剤吐出ノズル４０から液状の
有機溶剤を供給し、第３の所定時間経過後、時刻ｔ３ま
で溶剤噴霧ノズル３９から溶剤ミストを基板Ｗに噴射し
ているが、以下のようにしてもよい。すなわち、時刻ｔ
２から時刻ｔ３まで溶剤噴霧ノズル３９から溶剤ミスト
を供給してもよい。この場合、基板処理装置１００には
溶剤吐出ノズル４０を設けなくてもよい。また、時刻ｔ
２から所定時間が経過するまでは溶剤噴霧ノズル３９か
ら溶剤ミストを供給し、該所定時間経過後、時刻ｔ３ま
で溶剤吐出ノズル４０から液状の有機溶剤を供給しても
よい。また、本基板処理方法では時刻ｔ３から第２の所
定時間が経過するまでは純水吐出ノズル２４から液状の
純水を供給し、第２の所定時間経過後、時刻ｔ４まで純
水噴霧ノズル２５から純水ミストを基板Ｗに噴射してい
るが、以下のようにしてもよい。すなわち、時刻ｔ３か
ら時刻ｔ４まで純水噴霧ノズル２５から純水ミストを供
給してもよい。この場合、基板処理装置１００には純水
吐出ノズル２４を設けなくてもよい。また、時刻ｔ３か
ら所定時間が経過するまでは純水噴霧ノズル２５から純
水ミストを供給し、該所定時間経過後、ｔ４まで純水吐
出ノズル２４から液状の純水を供給してもよい。また、
本実施形態では除去液供給工程ｓ３１と、除去液振切り
工程ｓ３２と、溶剤供給工程ｓ３３と純水供給工程ｓ３
４と純水振切り工程ｓ３５という一連の工程を一度のみ
行っているが、この一連の工程を複数回繰り返してもよ
い。In the present substrate processing method, the rotation of the substrate W is not stopped from the start of the removing liquid supply step s31 to the end of the pure water shaking step s35. between s32 and the solvent supply step s33, between the solvent supply step s33 and the pure water supply step s34,
The rotation of the substrate W may be temporarily stopped during any of the pure water supply step s34 and the pure water shaking step s35. Further, in the present substrate processing method, a liquid removing liquid is supplied from the removing liquid discharge nozzle 11 until a first predetermined time has elapsed from time t0, and after the first predetermined time has elapsed, the removing liquid spray nozzle 12 has been supplied until time t1. Mist is sprayed onto the substrate W from
The following may be performed. That is, the removing liquid mist may be supplied from the removing liquid spray nozzle 12 from time t0 to time t1. In this case, the substrate processing apparatus 100 may not be provided with the removing liquid discharge nozzle 11. Further, the removing liquid mist may be supplied from the removing liquid spray nozzle 12 until a predetermined time elapses from the time t0, and after the elapse of the predetermined time, the liquid removing liquid may be supplied from the removing liquid discharge nozzle 11 until the time t1. . Further, in the present substrate processing method, the liquid organic solvent is supplied from the solvent discharge nozzle 40 until the third predetermined time has elapsed from the time t2, and after the third predetermined time has elapsed, the solvent is sprayed from the solvent spray nozzle 39 until the time t3. Although the mist is sprayed on the substrate W, the following may be performed. That is, the time t
The solvent mist may be supplied from the solvent spray nozzle 39 from 2 to time t3. In this case, the substrate processing apparatus 100 may not be provided with the solvent discharge nozzle 40. Time t
The solvent mist may be supplied from the solvent spray nozzle 39 until the predetermined time elapses from 2 and the liquid organic solvent may be supplied from the solvent discharge nozzle 40 until the time t3 after the predetermined time elapses. Further, in the present substrate processing method, liquid pure water is supplied from the pure water discharge nozzle 24 until the second predetermined time has elapsed from the time t3, and after the second predetermined time has elapsed, the pure water spray nozzle 25 is supplied until the time t4. Although the pure water mist is sprayed onto the substrate W from the above, the following may be performed. That is, pure water mist may be supplied from the pure water spray nozzle 25 from time t3 to time t4. In this case, the substrate processing apparatus 100 may not be provided with the pure water discharge nozzle 24. Further, pure water mist may be supplied from the pure water spray nozzle 25 until a predetermined time has elapsed from time t3, and after the predetermined time has elapsed, liquid pure water may be supplied from the pure water discharge nozzle 24 until t4. Also,
In the present embodiment, the removing liquid supply step s31, the removing liquid shaking step s32, the solvent supplying step s33, and the pure water supplying step s3.
Although the series of steps 4 and the pure water shaking off step s35 are performed only once, this series of steps may be repeated a plurality of times.
【００７５】＜９、第3実施形態の基板処理装置および
第2実施形態の気液混合ノズル＞<9. Substrate Processing Apparatus of Third Embodiment and Gas-Liquid Mixing Nozzle of Second Embodiment>
【００７６】図１３は、第3実施形態に係る基板処理装
置の概略構成を示すブロック図であり、図１４はその平
面図である。FIG. 13 is a block diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to the third embodiment, and FIG. 14 is a plan view thereof.
【００７７】図中、符号３０１は円板状のスピンチャッ
クである。このスピンチャック３０１に６個の支持ピン
３０１ａが立設されている。図１３に示すように、スピ
ンチャック３０１は、その底面に連結された回転軸３０
３を介して電動モータ３０５で回転されるようになって
いる。この回転駆動により、支持ピン３０１ａで周縁部
を当接支持された基板Ｗが回転中心C周りに水平面内で
回転される。スピンチャック３０１の周囲には、２流体
式の気液混合ノズル３０７から吐出された処理液Ｍが飛
散するのを防止するための飛散防止カップ３０９が配備
されている。この飛散防止カップ３０９は、未処理の基
板Ｗをスピンチャック３０１に載置したり、図示してい
ない搬送手段が処理済の基板Ｗをスピンチャック３０１
から受け取る際に図中に矢印で示すようにスピンチャッ
ク３０１に対して昇降するように構成されている。In the figure, reference numeral 301 denotes a disk-shaped spin chuck. Six support pins 301a are provided upright on the spin chuck 301. As shown in FIG. 13, the spin chuck 301 has a rotating shaft 30 connected to its bottom surface.
3 through an electric motor 305. By this rotational drive, the substrate W, whose peripheral edge is supported by the support pins 301a, is rotated about a rotation center C in a horizontal plane. A scattering prevention cup 309 for preventing the processing liquid M discharged from the two-fluid gas-liquid mixing nozzle 307 from scattering around the spin chuck 301 is provided. The scattering prevention cup 309 places the unprocessed substrate W on the spin chuck 301 or transports the processed substrate W to a spin chuck 301 by a transport unit (not shown).
When receiving from the device, it is configured to move up and down with respect to the spin chuck 301 as indicated by an arrow in the figure.
【００７８】次に気液混合ノズル３０７および気液混合
ノズルの駆動、制御、気体供給、液体供給について説明
する。本実施形態の基板処理装置では除去液用、中間リ
ンス用、純水用の３つの気液混合ノズル３０７を有する
がここでは純水用の気液混合ノズル３０７を例にとり説
明する。従って、便宜上、図１３、図１４においては純
水用気液混合ノズル３０７のみを図示し、除去液用、中
間リンス用の気液混合ノズル３０７の図示は省略する。Next, driving, control, gas supply, and liquid supply of the gas-liquid mixing nozzle 307 and the gas-liquid mixing nozzle will be described. The substrate processing apparatus of the present embodiment has three gas-liquid mixing nozzles 307 for removing liquid, intermediate rinsing, and pure water. Here, the gas-liquid mixing nozzle 307 for pure water will be described as an example. Therefore, for convenience, only the gas-liquid mixing nozzle 307 for pure water is illustrated in FIGS. 13 and 14, and the gas-liquid mixing nozzle 307 for the removal liquid and the intermediate rinse is omitted.
【００７９】気液混合ノズル３０７は、図１３に示すよ
うに、胴部３０７ｂに支持アーム３０８の先端が接続さ
れて吐出面３０７ａが基板Ｗの表面に向かう姿勢で支持
されている。一方、支持アーム３０８の基端部は、昇降
・移動機構３１１に連接されている。この昇降・移動機
構３１１によって、図１４に示すように、基板Ｗ面内の
処理液の供給開始位置Ｋから回転中心Cを通って供給終
了位置Ｆに向かうように構成されている。さらに、支持
アーム３０８には、回転モータ３１１ａの回転軸１１ｂ
に連結されている。回転モータ３１１ａの回転中心Ｐｂ
の周りに気液混合ノズル３０７を基板Ｗ上で揺動させる
ためのものである。As shown in FIG. 13, the tip of the support arm 308 is connected to the body 307b of the gas-liquid mixing nozzle 307, and the discharge surface 307a is supported in a posture facing the surface of the substrate W. On the other hand, the base end of the support arm 308 is connected to the lifting / moving mechanism 311. As shown in FIG. 14, the lifting / moving mechanism 311 is configured to move from the processing liquid supply start position K in the surface of the substrate W to the supply end position F through the rotation center C. Further, the supporting arm 308 has a rotating shaft 11b of the rotating motor 311a.
It is connected to. Rotation center Pb of rotation motor 311a
To swing the gas-liquid mixing nozzle 307 around the substrate W.
【００８０】また、気液混合ノズル３０７は、その胴部
３０７ｂに気体として圧縮空気を導入する配管３１５ａ
と、純水を導入する配管３１５ｂとが連通接続された二
流体ノズルを構成している。配管３１５ａは、その上手
で本発明の気体供給手段に相当する圧縮空気供給部３２
１に接続されている。配管３１５ａには、流通する空気
の圧力をコントローラ３２０から入力された制御信号に
対応する圧力に調整する電空レギュレータ３１７ａと、
空気の圧力を検出する圧力センサ３１８ａと、流量を検
出する流量センサ３１９ａとがそれぞれ備えられてい
る。The gas-liquid mixing nozzle 307 is connected to a pipe 315a for introducing compressed air as a gas into the body 307b.
And a pipe 315b for introducing pure water constitutes a two-fluid nozzle connected and connected. The pipe 315a is capable of supplying the compressed air
1 An electropneumatic regulator 317a that adjusts the pressure of the flowing air to a pressure corresponding to the control signal input from the controller 320,
A pressure sensor 318a for detecting the pressure of the air and a flow sensor 319a for detecting the flow rate are provided.
【００８１】また、配管３１５ｂには、流通する純水の
圧力をコントローラ３２０から入力された制御信号に対
応する圧力に調整する電空レギュレータ３１７ｂと、空
気の圧力を検出する圧力センサ３１８ｂと、流量を検出
する流量センサ３１９ｂとがそれぞれ備えられている。
なお、使用される処理液はここでは純水であるが、除去
液用気液混合ノズルの場合は処理液として除去液を、中
間リンス液用気液混合ノズルの場合は中間リンス液を用
いる。The pipe 315b has an electropneumatic regulator 317b for adjusting the pressure of pure water flowing therethrough to a pressure corresponding to the control signal input from the controller 320, a pressure sensor 318b for detecting the pressure of air, Are provided respectively.
Although the processing liquid used here is pure water, a removing liquid is used as a processing liquid in the case of a gas-liquid mixing nozzle for a removing liquid, and an intermediate rinsing liquid is used in the case of a gas-liquid mixing nozzle for an intermediate rinsing liquid.
【００８２】電空レギュレータ３１７ａ、３１７ｂのそ
れぞれには、コントローラ３２０から制御信号が入力さ
れ、この制御信号に応じて配管３１５ａ、３１５ｂを流
通する各気体と純水の圧力がそれぞれ調整されている。
一方、圧力センサ３１８ａ、３１８ｂ流量センサ３１９
ａ、３１９ｂのそれぞれから逐次検出された検出結果が
コントローラ３２０にフィードバックされる。A control signal is input from the controller 320 to each of the electropneumatic regulators 317a and 317b, and the pressure of each gas and pure water flowing through the pipes 315a and 315b is adjusted according to the control signal.
On the other hand, pressure sensors 318a and 318b flow rate sensors 319
a, 319b are sequentially fed back to the controller 320.
【００８３】コントローラ３２０には、電動モータ３０
５と、昇降・移動機構３１１と、電空レギュレータ３１
７ａ、３１７ｂと、圧力センサ３１８ａ、３１８ｂと、
流量センサ３１９ａ、３１９ｂのそれぞれが接続されて
いる。そして、基板Ｗに応じた処理条件が、処理プログ
ラム（レシピーとも呼ばれる）として予めコントローラ
３２０に格納されており、各基板Ｗごとの処理プログラ
ムに準じて前記各部が制御されている。このコントロー
ラ３２０が本発明の制御手段に相当する。The controller 320 includes the electric motor 30
5, the lifting / moving mechanism 311 and the electropneumatic regulator 31
7a, 317b, pressure sensors 318a, 318b,
Each of the flow sensors 319a and 319b is connected. Then, processing conditions corresponding to the substrate W are stored in the controller 320 in advance as a processing program (also called a recipe), and the respective units are controlled according to a processing program for each substrate W. This controller 320 corresponds to the control means of the present invention.
【００８４】なお、コントローラ３２０には、さらに処
理プログラムの作成・変更や、複数の処理プログラムの
中から所望のものを選択するために用いる指示部３３０
が接続されている。さて、次に、本実施形態の特徴的な
構成を備えている気液混合ノズル３０７の内部構造につ
いて、図を用いて、詳しく説明する。図１５は、気液混
合ノズル３０７の構成を簡略的に示す装置側方から見た
断面図である。The controller 320 further includes an instruction unit 330 used to create / change a processing program and to select a desired one from a plurality of processing programs.
Is connected. Next, the internal structure of the gas-liquid mixing nozzle 307 having the characteristic configuration of the present embodiment will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 15 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the gas-liquid mixing nozzle 307 viewed from the side of the apparatus.
【００８５】なお、胴部３０７ｂは上述の支持アーム３
０８の一方端にボルト等によって固定されてThe body 307b is connected to the support arm 3 described above.
08 is fixed to one end by bolts
【００８６】おり、胴部３０７ｂ内を気体吐出口３９１
を有する気体吐出ノズル３８０と、液体吐出口３８１を
有する液体吐出ノズル３８２が挿通して配置される。気
体吐出ノズル３８０と液体吐出ノズル３８２は、支持ア
ーム３０８の内部を通る配管３１５ａ、３１５ｂを介し
て、上述の圧縮空気供給部３２１と純水供給部３２５に
接続されている。気体吐出ノズル３８０は、その気体吐
出口３９１が基板Ｗの表面に対向するように配置され、
気体吐出口３９１を通る中心軸線Ｐ１は基板Ｗの表面に
垂直に交わる。一方、液体吐出ノズル３８２は、気体吐
出ノズル３８０の近傍で斜めに傾斜して配置され、その
液体吐出口３８１を通る中心軸線Ｐ２が、基板Ｗの表面
に対して斜めに交わる。そして、中心軸線Ｐ１、Ｐ２が
交わる交点が、液体と気体との混合領域である衝突部位
Ｇとなる。The inside of the body 307b is provided with a gas discharge port 391.
And a liquid discharge nozzle 382 having a liquid discharge port 381. The gas discharge nozzle 380 and the liquid discharge nozzle 382 are connected to the above-described compressed air supply unit 321 and pure water supply unit 325 via pipes 315a and 315b passing through the inside of the support arm 308. The gas discharge nozzle 380 is disposed so that the gas discharge port 391 faces the surface of the substrate W,
A central axis P1 passing through the gas discharge port 391 crosses the surface of the substrate W perpendicularly. On the other hand, the liquid discharge nozzle 382 is disposed obliquely in the vicinity of the gas discharge nozzle 380, and the central axis P2 passing through the liquid discharge port 381 crosses the surface of the substrate W obliquely. Then, the intersection of the central axes P1 and P2 intersects with each other at a collision site G which is a mixed region of liquid and gas.
【００８７】そして、気液混合ノズル３０７の胴部３０
７ｂは、円柱状で、その吐出面３０７ａの外周端縁が下
方に突出した傘部３０７ｃを形成する。その傘部３０７
ｃの上面部３０７ｄには、気体吐出口３９１が配置され
るように気体吐出ノズル３８０は配置され、傘部３０７
ｃの途中に液体吐出口３８１が配置されるように液体吐
出ノズル３８２は配置される。尚、胴部３０７ｂはフッ
素樹脂で一体的に形成されている。The body 30 of the gas-liquid mixing nozzle 307
Reference numeral 7b denotes a columnar shape, and forms an umbrella portion 307c whose outer peripheral edge of the discharge surface 307a protrudes downward. Umbrella part 307
The gas discharge nozzle 380 is disposed on the upper surface portion 307d of the “c” so that the gas discharge port 391 is disposed.
The liquid ejection nozzle 382 is arranged such that the liquid ejection port 381 is arranged in the middle of c. The body 307b is integrally formed of a fluororesin.
【００８８】この気液混合ノズル３０７にて処理液ミス
トを生成する場合、衝突部位Ｇにおける中心軸線Ｐ１、
Ｐ２の入射角度αは、各流体の流量や流速により若干異
なるが、０度以上で１１０度以下の範囲が好ましい。こ
こで各入射角度αが０度であれば、空気と純水の吐出は
平行状態となるが、一方の噴流中に他方と吐出すること
で液滴が生成できる。その態様に関しては、後述する。
しかしながら、入射角度αが、１１０度より大きければ
純水と空気との衝突が正面衝突に近くなり、液滴が一方
向ではなく四方に飛び散るのが確認された。即ち、基板
Ｗの表面を洗浄するに基板Ｗの表面に向かう液滴が減少
し、良好な洗浄が行なえない。そこで、入射角度αを０
度以上で１１０度以下の範囲とすることで、霧状の処理
液を一方向に向かわすことができる。When the processing liquid mist is generated by the gas-liquid mixing nozzle 307, the central axis P1 at the collision site G,
The incident angle α of P2 slightly varies depending on the flow rate and flow velocity of each fluid, but is preferably in the range of 0 ° to 110 °. Here, if each incident angle α is 0 degrees, the discharge of air and pure water is in a parallel state, but droplets can be generated by discharging one jet into the other jet. This aspect will be described later.
However, when the incident angle α was larger than 110 degrees, the collision between pure water and air was close to a head-on collision, and it was confirmed that the droplets scattered not in one direction but in all directions. That is, when cleaning the surface of the substrate W, the number of droplets directed to the surface of the substrate W is reduced, and good cleaning cannot be performed. Therefore, the incident angle α is set to 0
By setting the temperature in the range of not less than 110 ° and not more than 110 °, the mist-like treatment liquid can be directed in one direction.
【００８９】さらに、液体吐出口３８１から衝突部位Ｇ
までの距離βは、液体の水噴流の圧力が減衰して流れが
崩壊しない距離として、０ｍｍよりも大きく２０ｍｍ以
下に設けることがよい。Further, the collision portion G is
Is preferably greater than 0 mm and not more than 20 mm as a distance at which the pressure of the liquid water jet is attenuated and the flow does not collapse.
【００９０】また、衝突部位Ｇは気液混合ノズル３０７
の吐出面３０７ａと同位置もしくは少し基板Ｗの表面側
に位置する。こうすることで、衝突部位Ｇにおいて傘部
３０７ｃにより外的影響を防止した状態で、純水と空気
の混合を行うことができる。さらに、上面部３０７ｄに
近接しないことにより傘部３０７ｃ内面に対する霧状の
液滴が付着し滴り落ちることを防止することができる。
そして、衝突部位Ｇと基板Ｗの表面との間隔は、所望す
る洗浄能力に従う間隔であればよく、通常１００ｍｍ以
下、好ましくは３〜３０ｍｍ程度に設定される。The collision site G is a gas-liquid mixing nozzle 307
Is located at the same position as the discharge surface 307a of the substrate W or slightly on the surface side of the substrate W. In this way, pure water and air can be mixed at the collision site G in a state where external effects are prevented by the umbrella portion 307c. Further, by not approaching the upper surface portion 307d, it is possible to prevent mist-like droplets from adhering to the inner surface of the umbrella portion 307c and dropping.
The distance between the collision site G and the surface of the substrate W may be any distance according to the desired cleaning ability, and is usually set to 100 mm or less, preferably about 3 to 30 mm.
【００９１】以上の構成により、電空レギュレータ３１
７ａ、１７ｂがコントローラ３２０の信号により開成さ
れて気体吐出口３９１と液体吐出口３８１から空気と純
水が供給されると、噴射する空気の噴流中に純水が混入
し噴流構造を崩壊させることにより液滴化が促進され
る。そして、この霧状の処理液ミストにより基板Ｗの表
面が洗浄される。With the above configuration, the electropneumatic regulator 31
When air and pure water are supplied from the gas discharge port 391 and the liquid discharge port 381 when the signals 7a and 17b are opened by the signal of the controller 320, pure water is mixed into the jet of the jetting air to cause the jet structure to collapse. This promotes droplet formation. Then, the surface of the substrate W is cleaned by the mist of the processing liquid mist.
【００９２】次に、以上の構成を有する基板処理装置に
よる処理動作について説明する。Next, the processing operation by the substrate processing apparatus having the above configuration will be described.
【００９３】ここでは純水ミストを基板に供給する場合
を例にとり説明する。例えば、除去液供給工程、除去液
振切り工程、純水供給工程、純水振切り工程の内の純水
供給工程である。すなわち、図６の基板処理方法を実行
する場合の純水供給工程ｓ３である。よって、除去液振
切り工程ｓ２に引き続き以下が実行される。なお、除去
液供給工程、除去液振切り工程、溶剤供給工程、純水供
給工程、純水振切り工程の内の純水供給工程であっても
同様である。すなわち、図１１の基板処理方法を実行す
る場合の純水供給工程ｓ３４である。よって、この場合
は溶剤供給工程ｓ３３に引き続き以下が実行される。Here, a case where pure water mist is supplied to the substrate will be described as an example. For example, a removal liquid supply step, a removal liquid shake-out step, a pure water supply step, and a pure water supply step in the pure water shake-out step. That is, it is a pure water supply step s3 when the substrate processing method of FIG. 6 is executed. Therefore, the following is executed following the removal liquid shaking-off step s2. The same applies to the pure water supply step of the removal liquid supply step, the removal liquid shake-out step, the solvent supply step, the pure water supply step, and the pure water shake-out step. That is, the pure water supply step s34 in the case where the substrate processing method of FIG. 11 is performed. Therefore, in this case, the following is executed following the solvent supply step s33.
【００９４】基板Ｗを一定速度で回転させつつ、気液混
合ノズル３０７は、図１４に示すように、処理液の供給
開始位置Ｋから回転中心Cを通り、供給終了位置Ｆまで
移動する。While rotating the substrate W at a constant speed, the gas-liquid mixing nozzle 307 moves from the processing liquid supply start position K through the rotation center C to the supply end position F as shown in FIG.
【００９５】このとき、コントローラ３２０から各電空
レギュレータ３１７ａ、３１７ｂに制御信号が送られ、
衝突部位Ｇで液滴化するように空気と純水の圧力が適切
に調整される。また、同時に、各圧力センサ３１８ａ、
１８ｂと流量センサ３１９ａ、３１９ｂから検出された
結果が、逐次コントローラ３２０にフィードバックされ
る。つまり、圧縮空気供給部３２１から供給された空気
が配管３１５ａから搬送され、同時に純水供給部２５か
ら純水が配管３１５ｂから搬送される。At this time, a control signal is sent from the controller 320 to each of the electropneumatic regulators 317a and 317b.
The pressure of air and pure water is appropriately adjusted so as to form droplets at the collision site G. At the same time, each pressure sensor 318a,
18b and the results detected from the flow sensors 319a and 319b are sequentially fed back to the controller 320. That is, the air supplied from the compressed air supply unit 321 is transported from the pipe 315a, and at the same time, the pure water is transported from the pure water supply unit 25 from the pipe 315b.
【００９６】この時、気液混合ノズル３０７の気体吐出
口３９１から空気が吐出開始され、所定時間経過後に液
体吐出口３８１から純水が供給される。こうするこで、
衝突部位Ｇに供給された純水は液滴化されると同時に、
供給された空気と混合される。その結果、純水は吐出さ
れた当初から空気と衝突して霧状となり、液流のまま基
板Ｗの表面に衝突される無駄を省くことができる。この
液滴は純水ミストとしてそのまま基板Ｗに向けて直接供
給される。At this time, the discharge of air is started from the gas discharge port 391 of the gas-liquid mixing nozzle 307, and pure water is supplied from the liquid discharge port 381 after a predetermined time has elapsed. In this way,
The pure water supplied to the collision site G is turned into droplets,
It is mixed with the supplied air. As a result, the pure water collides with the air from the beginning of the discharge and becomes a mist, so that it is possible to eliminate the waste that the pure water collides with the surface of the substrate W with the liquid flow. These droplets are supplied directly to the substrate W as pure water mist.
【００９７】ここで、霧状の処理液の噴出速度は、互い
に独立した状態を維持される純水と空気の流量や流速を
調整することで設定することができる。この制御は互い
に空気と純水が干渉することがないので、液体または気
体の流量や流速を所望に制御することで、所望の液滴が
得られる。そして、基板面の微細な汚染物質を十分に除
去ことができる。Here, the jetting speed of the mist-like processing liquid can be set by adjusting the flow rate and the flow rate of pure water and air, which are maintained independently of each other. In this control, since the air and the pure water do not interfere with each other, a desired droplet can be obtained by controlling the flow rate and the flow rate of the liquid or gas as desired. Then, fine contaminants on the substrate surface can be sufficiently removed.
【００９８】次に、気液混合ノズル３０７が供給終了位
置Ｆに到達すると、コントローラ３２０からの制御信号
が電空レギュレータ３１７ａ、３１７ｂに送られて各供
給物の供給が停止され、気液混合ノズル３０７は待機位
置３１３に移送される。この洗浄停止の際に気液混合ノ
ズル３０７は、純水の吐出を停止させた後に、空気の吐
出が停止される。その結果、霧状の処理液による基板Ｗ
の表面の洗浄後に、液流が基板Ｗの表面に衝突される無
駄を省くことができる。Next, when the gas-liquid mixing nozzle 307 reaches the supply end position F, a control signal from the controller 320 is sent to the electropneumatic regulators 317a and 317b, and the supply of each supply is stopped. 307 is transferred to the standby position 313. When the cleaning is stopped, the gas-liquid mixing nozzle 307 stops discharging pure water and then stops discharging air. As a result, the substrate W by the atomized processing liquid
After the surface is cleaned, wasteful collision of the liquid flow with the surface of the substrate W can be eliminated.
【００９９】そして、基板Ｗを高速回転させて基板Ｗ面
に付着している処理液を飛散し、純水振切り工程ｓ４ま
たは純水振切り工程ｓ３５を実行する。最後に、図示し
ない基板搬送ロボットのハンドによって基板Ｗがスピン
チャック３０１から搬出されて、１枚の基板Ｗに対する
この基板処理装置での洗浄処理が終了する。Then, the processing liquid adhering to the surface of the substrate W is scattered by rotating the substrate W at a high speed, and the pure water shaking off step s4 or the pure water shaking off step s35 is executed. Finally, the substrate W is unloaded from the spin chuck 301 by a hand of a substrate transfer robot (not shown), and the cleaning process for one substrate W by the substrate processing apparatus is completed.
【０１００】以上、本発明によれば、気体と液体が空中
にて霧状となった処理液にて基板面が処理される。その
際、霧状の処理液は、気体吐出手段と液体吐出手段より
吐出された後に生成される。このため、液体と気体の流
量や流速は、互いに独立した状態を維持される。そし
て、吐出された液体と気体は空中で混合し、その結果、
霧状となる。よって、霧状の処理液が生成される時に、
互いの流れが干渉することなく、所望の液滴流を得るこ
とができる。したがって、基板面の微細な汚染物質を十
分に除去し、基板表面の洗浄力を向上させることができ
る。As described above, according to the present invention, the substrate surface is treated with the processing liquid in which gas and liquid are atomized in the air. At that time, the mist-like processing liquid is generated after being discharged from the gas discharging means and the liquid discharging means. For this reason, the flow rates and the flow rates of the liquid and the gas are maintained independent of each other. Then, the discharged liquid and gas are mixed in the air, and as a result,
It becomes a mist. Therefore, when mist-like processing liquid is generated,
A desired droplet flow can be obtained without mutual interference of the flows. Therefore, fine contaminants on the substrate surface can be sufficiently removed, and the detergency of the substrate surface can be improved.
【０１０１】なお、上記の実施例においては気液混合ノ
ズル３０７の気体吐出口３９１を通る中心軸線Ｐ１が基
板Ｗの表面に略垂直に向くように配置しているが、斜め
に向くように配置してもよい。In the above embodiment, the central axis P1 passing through the gas discharge port 391 of the gas-liquid mixing nozzle 307 is arranged so as to be substantially perpendicular to the surface of the substrate W, but is arranged so as to be inclined. May be.
【０１０２】＜１０、第3実施形態の気液混合ノズル＞<10. Gas-liquid mixing nozzle according to third embodiment>
【０１０３】図１６は、気液混合ノズルの他の構成を簡
略的に示す装置側方から見た断面図である。なお、第３
実施形態と同様の構成に関しては、同符号を付与し説明
を省略する。気液混合ノズル３７１においては、胴部３
７１ｂの内部に気体吐出口３９１を有する気体吐出ノズ
ル３８０が挿通される。そして、気液混合ノズル３７１
の傘部３７１ｃの上面部３７１ｄには、気体吐出口３９
１が配置される。傘部３７１ｃの下端に液体吐出ノズル
３９２が配置される。FIG. 16 is a cross-sectional view schematically showing another configuration of the gas-liquid mixing nozzle viewed from the side of the apparatus. The third
The same reference numerals are given to the same components as those in the embodiment, and the description is omitted. In the gas-liquid mixing nozzle 371, the body 3
A gas discharge nozzle 380 having a gas discharge port 391 is inserted inside 71b. Then, the gas-liquid mixing nozzle 371
The gas outlet 39 is provided on the upper surface 371d of the umbrella 371c.
1 is arranged. A liquid ejection nozzle 392 is arranged at a lower end of the umbrella portion 371c.
【０１０４】液体吐出ノズル３９２は、吐出面３７１ａ
に水平に配置され、その先端が気体吐出口１０１の下方
で、空気の噴流中に延在して配置される。そして、先端
部は下方へ曲折され、液体吐出口３９３が基板Ｗの表面
に対向するように配置される。さらに、気体吐出口３９
１を通る中心軸線Ｐ１が基板Ｗの表面に垂直に交わると
ともに、液体吐出口３９３を通る中心軸線とも一致して
なる。そして、液体吐出口３９３の吐出方向直近におい
て、吐出された純水はその周囲の空気の噴流によりすみ
やかに液滴化されるため、図中Ｇ１が液体と気体との混
合領域である衝突部位となる。すなわち、この第2実施
例ではる中心軸線Ｐ１と液体吐出口３９３を通る中心軸
線との入射角度が０度として配置構成されている。The liquid discharge nozzle 392 has a discharge surface 371a.
, And its tip extends below the gas discharge port 101 and extends into the air jet. Then, the tip is bent downward, and the liquid discharge port 393 is disposed so as to face the surface of the substrate W. Further, the gas discharge port 39
1 is perpendicular to the surface of the substrate W and coincides with the central axis passing through the liquid ejection port 393. Then, in the immediate vicinity of the discharge direction of the liquid discharge port 393, the discharged pure water is rapidly formed into droplets by the jet of the surrounding air, so that G1 in the figure corresponds to the collision area where the liquid and gas are mixed. Become. That is, in the second embodiment, the incident angle between the central axis P1 and the central axis passing through the liquid discharge port 393 is set to 0 degree.
【０１０５】以上、この実施形態によれば、空気の噴流
中で純水を吐出することで、すみやかに液滴が生成され
る。また、噴流中で液滴が生成されるので、液滴の飛び
散りが少なく、洗浄効果が良好となる。なお、本実施形
態の気液混合ノズルは一方の噴流中に他方を吐出すれば
よく、液体吐出口３９３と気体吐出口３９１のそれぞれ
の中心軸線は必ずしも一致しなくともよい。すなわち、
一方の噴流中にて他方を吐出できるのであれば、噴流中
の吐出口を多少傾斜させてもよい。As described above, according to this embodiment, droplets are immediately generated by discharging pure water in a jet of air. Further, since the droplets are generated in the jet, the scattering of the droplets is small, and the cleaning effect is improved. Note that the gas-liquid mixing nozzle of the present embodiment only needs to discharge one jet into one jet, and the central axes of the liquid discharge port 393 and the gas discharge port 391 do not necessarily have to coincide. That is,
If the other jet can be ejected in one jet, the ejection port in the jet may be slightly inclined.
【０１０６】（１）なお、本実施形態では、配管３１５
ａから空気を供給し、配管３１５ｂから純水を供給して
いるが、配管３１５ａから純水を供給し、配管３１５ｂ
から空気を供給するようにしてもよい。(1) In this embodiment, the piping 315
a, air is supplied from the pipe 315b, and pure water is supplied from the pipe 315b.
The air may be supplied from.
【０１０７】（２）さらに、本実施形態においては、配
管３１５ａから供給される気体が空気のみであるが、空
気と洗浄度合いに寄与する気体の混合気体や、単に洗浄
度合いに寄与する気体、例えば、オゾンガス、二酸化炭
素、水素のみを供給するようにしてもよい。また、不活
性ガスとして窒素、アルゴンを供給してもよい。(2) Further, in the present embodiment, the gas supplied from the pipe 315a is only air. , Ozone gas, carbon dioxide, and hydrogen alone may be supplied. Further, nitrogen or argon may be supplied as an inert gas.
【０１０８】（３）本実施形態では、、処理液を供給す
る基板Ｗ面内を気液混合ノズル３０７が一方向に１回し
か揺動していないが、基板Ｗ面内を複数回揺動するよう
にしてもよい。(3) In the present embodiment, the gas-liquid mixing nozzle 307 swings only once in one direction in the surface of the substrate W for supplying the processing liquid, but swings in the surface of the substrate W a plurality of times. You may make it.
【０１０９】（４）本実施形態では、スピンチャック３
０１は、基板Ｗの周縁部をその下方および端面でピン保
持しつつを回転させるピン保持式のスピンチャックとし
ていたが、基板Ｗの下面を吸着して保持するチャック１
５としてもよい。(4) In this embodiment, the spin chuck 3
01 is a pin-hold type spin chuck that rotates while holding the peripheral edge of the substrate W below and at the end face with a pin.
It may be five.
【０１１０】（５）あるいは、スピンチャック３０１
は、基板Ｗの周縁部の端面に当接しつつ基板Ｗの回転中
心Cに平行な軸を中心に回転する少なくとも３つのロー
ラピンのようなものであってもよい。このローラピンを
用いたスピンチャックは、特に、基板Ｗの両面を洗浄す
る場合に有効であり、気液混合ノズル３０７を基板Ｗを
挟む位置に配置すれば、基板両面の全域を良好に洗浄で
きる。(5) Alternatively, the spin chuck 301
May be at least three roller pins that rotate about an axis parallel to the rotation center C of the substrate W while abutting on the end surface of the peripheral portion of the substrate W. The spin chuck using the roller pins is particularly effective when cleaning both surfaces of the substrate W. If the gas-liquid mixing nozzle 307 is arranged at a position sandwiching the substrate W, the entire area on both surfaces of the substrate W can be cleaned well.
【０１１１】以上説明したように、第2実施形態の気液
混合ノズル３０７、第3実施形態の気液混合ノズル３７
１によれば、気体と液体を気液混合ノズルの外部である
空中にて混合させることにより、互いの流れが干渉する
ことなく、所望の液滴流を得ることができる。したがっ
て、所望の液滴が得られるので、基板面の微細な汚染物
質を十分に除去し、基板表面の洗浄度を向上させること
ができる。As described above, the gas-liquid mixing nozzle 307 of the second embodiment and the gas-liquid mixing nozzle 37 of the third embodiment
According to 1, by mixing a gas and a liquid in the air outside the gas-liquid mixing nozzle, a desired droplet flow can be obtained without interference between the flows. Therefore, a desired droplet can be obtained, so that fine contaminants on the substrate surface can be sufficiently removed, and the degree of cleaning of the substrate surface can be improved.
【０１１２】すなわち、例えば気液混合ノズル２７はそ
の内部で気体と液体を混合しているため、気体および液
体を夫々独立に流量を可変として一方の流量を変化させ
た場合、互いの圧力が干渉し、他方の流量も変化してし
まうという問題がある。よって、洗浄力を上げるため、
気体流量を増加させると、気体の圧力が高まるので、供
給される液体の流量が押えられてしまう。その結果、気
液混合ノズル２７のノズル先端開口から噴出される液滴
は液体流量が抑えられることにより、予定していた洗浄
力と異なる結果になる問題があったがこれを解決するこ
とができる。That is, for example, since the gas and liquid are mixed inside the gas-liquid mixing nozzle 27, when the flow rates of the gas and the liquid are varied independently and one of the flow rates is changed, the pressure of the gas and the liquid may interfere with each other. However, there is a problem that the other flow rate also changes. Therefore, in order to increase detergency,
When the gas flow rate is increased, the pressure of the gas increases, so that the flow rate of the supplied liquid is suppressed. As a result, the liquid ejected from the nozzle tip opening of the gas-liquid mixing nozzle 27 has a problem in that the flow rate of the liquid is suppressed, resulting in a result different from the expected cleaning power, but this can be solved. .
【０１１３】また、さらに、気液混合ノズル２７のよう
に内部でガスと処理液とを混合させる場合に比較して、
ゴミ等の発塵を防止することができる。すなわち、気液
混合ノズル２７はその内部で気体と液体を混合している
ため、混合室内壁面の凹凸を削ることで発塵を伴った。
この発塵は、混合時に、混合室内に付着した液体が乾燥
した付着物を削り取ることで発生する場合もあるが、こ
れらを防止できる。Further, as compared with the case where the gas and the processing liquid are mixed internally as in the gas-liquid mixing nozzle 27,
Generation of dust such as dust can be prevented. That is, since the gas-liquid mixing nozzle 27 mixes the gas and the liquid inside, the dust is generated by shaving the unevenness on the wall surface of the mixing chamber.
This dusting may be caused by the liquid adhering in the mixing chamber scraping off the dried deposits during mixing, but these can be prevented.
【０１１４】＜１１、まとめ＞以上の基板処理装置の保
持回転部は基板を水平に保持して回転させているが、基
板の主面を水平面に対して傾斜させて、または基板の主
面を鉛直方向に沿わせて保持回転する保持回転部として
もよい。また、以上の基板処理装置の保持回転部は唯１
枚の基板を保持しているが、複数の基板を保持する保持
回転部としてもよい。また、基板処理装置１では除去液
噴霧ノズル１２、純水噴霧ノズル２５、溶剤噴霧ノズル
３９に対して窒素ガスを供給する窒素供給系９３、９４
を有しているが、窒素供給系９３、９４の窒素源６７、
６８の代わりに加圧された空気を供給する圧空源を設け
て窒素供給系９３、９４に代えて圧空供給系を設けても
よい。この場合は加圧された空気により処理液ミストが
作られる。また、以上の基板処理装置において、処理液
と混合されるガスとして不活性ガス（例えば窒素ガス、
アルゴン）を使用した場合、具体的には基板処理装置
１、１００では除去液噴霧ノズル１２、純水噴霧ノズル
２５、溶剤噴霧ノズル３９に対して窒素ガスを供給する
ので金属膜を有する基板に処理液ミストを供給した場
合、前記金属膜の酸化を防止でき基板の処理品質悪化を
抑制できる。前記金属膜としてはアルミニウムが挙げら
れる。また、特に銅（Ｃｕ）は酸化しやすいので銅の膜
を有する基板に対して効果が大きい。<11. Conclusion> The holding and rotating unit of the substrate processing apparatus described above rotates the substrate while holding it horizontally. It may be a holding and rotating unit that holds and rotates along the vertical direction. Further, the holding and rotating part of the above substrate processing apparatus is only one.
Although it holds a plurality of substrates, it may be a holding rotating unit that holds a plurality of substrates. In the substrate processing apparatus 1, nitrogen supply systems 93 and 94 for supplying nitrogen gas to the removal liquid spray nozzle 12, the pure water spray nozzle 25, and the solvent spray nozzle 39.
However, the nitrogen source 67 of the nitrogen supply system 93, 94,
A pressurized air supply system for supplying pressurized air may be provided instead of 68, and a pressurized air supply system may be provided instead of the nitrogen supply systems 93 and 94. In this case, the processing liquid mist is formed by the pressurized air. In the above substrate processing apparatus, an inert gas (for example, nitrogen gas,
When using (argon), specifically, in the substrate processing apparatuses 1 and 100, a nitrogen gas is supplied to the removing liquid spray nozzle 12, the pure water spray nozzle 25, and the solvent spray nozzle 39, so that a substrate having a metal film is processed. When the liquid mist is supplied, oxidation of the metal film can be prevented, and deterioration of the processing quality of the substrate can be suppressed. Examples of the metal film include aluminum. Particularly, copper (Cu) is easily oxidized, so that the effect is large for a substrate having a copper film.
【０１１５】また基板処理装置１では除去液供給部７、
純水供給部９の両方に気液混合ノズル２７を適用してい
るが、何れか一方に適用してもよい。また、基板処理装
置１００では除去液供給部７、純水供給部９、溶剤供給
部２の３つすべてに気液混合ノズル２７を適用している
が、何れか１つまたは２つに適用してもよい。以上の実
施形態の基板処理ではドライエッチングを経て表面にポ
リマーが生成された基板を対象としているが、該ドライ
エッチングを経てさらにアッシングを経た基板を対象と
した場合に特に効果がある。アッシングは例えば酸素プ
ラズマ中にレジスト膜を有する基板を配して行われる
が、アッシングを経ると、より多くのポリマーが生成さ
れる。このため、ドライエッチングとアッシングとを経
た基板からポリマーを除去する処理を行う場合、本願発
明によれば、よりスループットが向上でき、また、コス
トを削減できる。また、基板Ｗ上に反応生成物が凸状に
堆積している場合には処理液ミストを基板Ｗに対して傾
斜した方向から噴射すれば、該凸状に堆積している反応
生成物は高速で飛来してくる処理液のミストによりへし
折られる。このため、反応生成物の除去処理を速く済ま
せることができる。Further, in the substrate processing apparatus 1, the removing liquid supply unit 7,
Although the gas-liquid mixing nozzle 27 is applied to both of the pure water supply units 9, it may be applied to either one. Further, in the substrate processing apparatus 100, the gas-liquid mixing nozzle 27 is applied to all three of the removing liquid supply unit 7, the pure water supply unit 9, and the solvent supply unit 2. You may. Although the substrate processing of the above-described embodiment is directed to a substrate having a polymer formed on the surface through dry etching, the present invention is particularly effective when the substrate is subjected to ashing and further to ashing. Ashing is performed, for example, by disposing a substrate having a resist film in oxygen plasma. After ashing, more polymer is generated. Therefore, in the case of performing a process of removing a polymer from a substrate that has been subjected to dry etching and ashing, according to the present invention, the throughput can be further improved and the cost can be reduced. In addition, when the reaction product is deposited on the substrate W in a convex shape, if the processing liquid mist is sprayed from the direction inclined with respect to the substrate W, the reaction product deposited in the convex shape is high-speed. Is broken by the mist of the processing liquid coming in at the time. For this reason, the removal process of the reaction product can be completed quickly.
【０１１６】なお、上記実施形態では基板Ｗを回転させ
ながら、少なくとも基板Ｗの回転中心Ｃに処理液を供給
しているが、本発明は回転する基板Ｗに処理液を供給す
ることに限られない。例えば、間欠的に回動または回転
している基板Wの回転中心Ｃに処理液を供給してもよ
い。また、静止した状態の基板Ｗの中央に処理液を供給
した後、基板Wを回動または回転させてもよい。この場
合の回動または回転は連続的でも間欠的でもよい。In the above embodiment, the processing liquid is supplied to at least the rotation center C of the substrate W while rotating the substrate W. However, the present invention is limited to supplying the processing liquid to the rotating substrate W. Absent. For example, the processing liquid may be supplied to the rotation center C of the substrate W that is intermittently rotating or rotating. Further, the substrate W may be rotated or rotated after the processing liquid is supplied to the center of the substrate W in a stationary state. The rotation or rotation in this case may be continuous or intermittent.
【０１１７】また、チャック１５は基板Ｗの裏面のみと
接触して基板Ｗを保持しているため、基板Ｗの表面全
体、特に基板Ｗの表面の周辺部分にもまんべんなく液体
が供給されるので処理における基板Ｗの面内均一性が確
保できる。Further, since the chuck 15 is in contact with only the back surface of the substrate W and holds the substrate W, the liquid is supplied evenly to the entire surface of the substrate W, especially the peripheral portion of the surface of the substrate W. , The in-plane uniformity of the substrate W can be secured.
【０１１８】また、同じくチャック１５は基板Ｗの裏面
のみと接触して基板Ｗを保持しているため、基板Ｗの周
部分に接触するものは何も無い。よって、基板Ｗから液
体を振り切るとき、液が基板Ｗから円滑に排出される。Also, since the chuck 15 holds the substrate W by contacting only the back surface of the substrate W, nothing comes into contact with the peripheral portion of the substrate W. Therefore, when the liquid is shaken off from the substrate W, the liquid is smoothly discharged from the substrate W.
【０１１９】なお、上記実施形態ではドライエッチング
工程を経た基板に対して、ドライエッチング時に生成さ
れたポリマーを除去することを開示したが、本発明はド
ライエッチング時に生成されたポリマーが存在する基板
から前記ポリマーを除去することに限定されるものでは
ない。例えば、先にも言及したが、本発明はプラズマア
ッシングの際に生成されたポリマーを基板から除去する
場合も含む。よって、本発明は、必ずしもドライエッチ
ングとは限らない各種処理において、レジストに起因し
て生成されたポリマーを基板から除去する場合も含む。
また、本発明は、ドライエッチングや、プラズマアッシ
ングによる処理で生成されるポリマーだけを除去するこ
とに限定されるものではなく、レジストに由来する各種
反応生成物を基板から除去する場合も含む。In the above embodiment, the removal of the polymer generated at the time of dry etching from the substrate subjected to the dry etching step is disclosed. It is not limited to removing the polymer. For example, as mentioned above, the present invention includes the case where the polymer generated during the plasma ashing is removed from the substrate. Therefore, the present invention includes a case where the polymer generated due to the resist is removed from the substrate in various processes that are not necessarily dry etching.
Further, the present invention is not limited to the removal of only the polymer generated by the processing by dry etching or plasma ashing, but also includes the case where various reaction products derived from the resist are removed from the substrate.
【０１２０】また、本発明ではレジストに由来する反応
生成物を基板から除去することに限らず、レジストその
ものを基板から除去する場合も含む。例えば、レジスト
が塗布され、該レジストに配線パターン等の模様が露光
され、該レジストが現像され、該レジストの下層に対し
て下層処理（例えば下層としての薄膜に対するエッチン
グ処理）が施された基板を対象とし、下層処理が終了し
て、不要になったレジスト膜を除去する場合も含まれ
る。なお、この場合、不要になったレジスト膜を除去す
るのと同時に、レジスト膜が変質して生じた反応生成物
があればこれも同時に除去できるので、スループットが
向上するとともに、コストを削減できる。例えば、上記
下層処理において、下層である薄膜に対してドライエッ
チングを施した場合は反応生成物も生成される。よっ
て、ドライエッチング時に下層をマスクすることに供さ
れたレジスト膜そのもの、および、レジスト膜が変質し
て生じた反応生成物も同時に除去できる。Further, the present invention is not limited to removing the reaction product derived from the resist from the substrate, but also includes removing the resist itself from the substrate. For example, a substrate on which a resist is applied, a pattern such as a wiring pattern is exposed on the resist, the resist is developed, and a lower layer process (for example, an etching process for a thin film as a lower layer) is performed on a lower layer of the resist. This includes a case where the unnecessary resist film is removed after the lower layer processing is completed. In this case, at the same time as removing the unnecessary resist film, any reaction products generated by the deterioration of the resist film can be removed at the same time, so that the throughput can be improved and the cost can be reduced. For example, in the above-described lower layer processing, when dry etching is performed on the lower thin film, a reaction product is also generated. Therefore, the resist film itself used for masking the lower layer during the dry etching and the reaction product generated by the deterioration of the resist film can be simultaneously removed.
【０１２１】また、本発明はレジストに由来する反応生
成物やレジストそのものを基板から除去することに限ら
ず、レジストに由来しない有機物、例えば人体から発塵
した微細な汚染物質などを基板から除去することも含
む。Further, the present invention is not limited to removing the reaction product derived from the resist or the resist itself from the substrate, but also removes organic substances not derived from the resist, for example, fine contaminants generated from the human body from the substrate. Including.
【０１２２】また、上記実施形態の基板処理装置では純
水供給部が設けられているがこれをリンス液供給部とし
てもよい。この場合は純水源の代わりにリンス液源を設
け、リンス液源のリンス液を基板に供給する。ここでの
リンス液は常温（摂氏20度〜28度程度）、常圧（約1気
圧）で放置すれば水になる液体である。例えば、オゾン
を純水に溶解したオゾン水、水素を純水に溶解した水素
水、二酸化炭素を純水に溶解した炭酸水である。特に、
純水の代わりにリンス液として、オゾン水を使用すれば
有機物、レジストが変質して生じた反応生成物、ポリマ
ーをより完全に除去できる。よって、この場合は有機
物、レジストが変質して生じた反応生成物、ドライエッ
チによって生じたポリマーを基板から除去する処理の処
理品質を向上させるという課題を解決できる。Further, in the substrate processing apparatus of the above embodiment, a pure water supply unit is provided, but this may be used as a rinse liquid supply unit. In this case, a rinse liquid source is provided instead of the pure water source, and the rinse liquid from the rinse liquid source is supplied to the substrate. The rinsing liquid here is a liquid that becomes water when left at normal temperature (about 20 to 28 degrees Celsius) and normal pressure (about 1 atm). For example, ozone water in which ozone is dissolved in pure water, hydrogen water in which hydrogen is dissolved in pure water, and carbonated water in which carbon dioxide is dissolved in pure water. In particular,
If ozone water is used as a rinsing liquid instead of pure water, organic substances, reaction products generated by the deterioration of the resist, and polymers can be more completely removed. Therefore, in this case, it is possible to solve the problem of improving the processing quality of the processing for removing, from the substrate, the organic substance, the reaction product generated by the deterioration of the resist, and the polymer generated by the dry etching.
【０１２３】また上記実施形態の基板処理方法では純水
供給工程において、基板に純水を供給し、純水振切り工
程で基板から純水を振切っているが、純水供給工程をリ
ンス液供給工程とし、純水振切り工程をリンス液振切り
工程としてもよい。この場合はリンス液供給工程で前記
リンス液を基板に供給し、リンス液振切り工程で基板か
ら前記リンス液を振切る。従って、上記実施形態におい
て、除去液振切り工程または中間リンス工程に続いてリ
ンス液供給工程、リンス液振切り工程を行ってもよい。In the substrate processing method of the above embodiment, pure water is supplied to the substrate in the pure water supply step, and pure water is shaken from the substrate in the pure water shake-out step. As the supply step, the pure water shaking-off step may be a rinsing liquid shaking-off step. In this case, the rinsing liquid is supplied to the substrate in the rinsing liquid supply step, and the rinsing liquid is shaken off the substrate in the rinsing liquid shaking off step. Therefore, in the above embodiment, the rinsing liquid supply step and the rinsing liquid shaking step may be performed following the removing liquid shaking step or the intermediate rinsing step.
【０１２４】なお、リンス液供給工程で使用するリンス
液がオゾン水であるときは、有機物、レジストが変質し
て生じた反応生成物、ドライエッチによって生じたポリ
マーをより完全に除去できる。よって、この場合は有機
物、レジストが変質して生じた反応生成物、ドライエッ
チによって生じたポリマーを基板から除去する処理の処
理品質を向上させるという課題を解決できる。When the rinsing liquid used in the rinsing liquid supply step is ozone water, organic substances, reaction products generated by alteration of the resist, and polymers generated by dry etching can be more completely removed. Therefore, in this case, it is possible to solve the problem of improving the processing quality of the processing for removing, from the substrate, the organic substance, the reaction product generated by the deterioration of the resist, and the polymer generated by the dry etching.
【０１２５】[0125]
【発明の効果】本発明の基板処理装置によれば、気液混
合ノズルを有するので基板に対して高According to the substrate processing apparatus of the present invention, since the apparatus has the gas-liquid mixing nozzle, the height of the substrate is high.
【０１２６】速のミストを供給できる。このため、基板
から反応生成物を良好に除去でき、処A high-speed mist can be supplied. For this reason, the reaction products can be satisfactorily removed from the substrate.
【０１２７】理の品質向上を達成することができる。It is possible to achieve a high quality of reason.
【図１】基板処理装置１の側面図である。FIG. 1 is a side view of a substrate processing apparatus 1.
【図２】基板処理装置１の上面図である。FIG. 2 is a top view of the substrate processing apparatus 1.
【図３】気液混合ノズル２７の断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a gas-liquid mixing nozzle 27.
【図４】除去液供給系８９、純水供給系９１、窒素供給
系９３を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a removing liquid supply system 89, a pure water supply system 91, and a nitrogen supply system 93.
【図５】基板処理装置１のハード構成を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a hardware configuration of the substrate processing apparatus 1.
【図６】基板処理装置１を用いた基板処理方法のフロー
図である。FIG. 6 is a flowchart of a substrate processing method using the substrate processing apparatus 1.
【図７】基板処理装置１を用いた基板処理方法の詳細な
フロー図である。FIG. 7 is a detailed flowchart of a substrate processing method using the substrate processing apparatus 1.
【図８】基板処理装置１００の側面図である。FIG. 8 is a side view of the substrate processing apparatus 100.
【図９】基板処理装置１００の上面図である。FIG. 9 is a top view of the substrate processing apparatus 100.
【図１０】溶剤供給系９０、窒素供給系９４を示す図で
ある。FIG. 10 is a diagram showing a solvent supply system 90 and a nitrogen supply system 94.
【図１１】基板処理装置１００を用いた基板処理方法の
フロー図である。FIG. 11 is a flowchart of a substrate processing method using the substrate processing apparatus 100.
【図１２】基板処理装置１００を用いた基板処理方法の
詳細なフロー図である。FIG. 12 is a detailed flowchart of a substrate processing method using the substrate processing apparatus 100.
【図１３】第３実施形態に係る基板処理装置の概略構成
を示すブロック図である。FIG. 13 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a third embodiment.
【図１４】第３実施形態に係る基板処理装置の平面図で
ある。FIG. 14 is a plan view of a substrate processing apparatus according to a third embodiment.
【図１５】気液混合ノズル３０７の構成を簡略的に示す
装置側方から見た断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a gas-liquid mixing nozzle 307 viewed from a side of the apparatus.
【図１６】気液混合ノズル３７１の構成を簡略的に示す
装置側方から見た断面図である。FIG. 16 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a gas-liquid mixing nozzle 371 as viewed from the side of the apparatus.
【図１７】従来技術を説明する図である。FIG. 17 is a diagram illustrating a conventional technique.
１ 基板処理装置 ２ 溶剤供給部 ５ 保持回転部 ７ 除去液供給部 ９ 純水供給部 １２ 除去液噴霧ノズル ２５ 純水噴霧ノズル ２７ 気液混合ノズル ３０ 混合部 ３２ テーパ部 ３４ テーパ状流路 ３６ 直流路 ３７ 直流部 ３８ ガス導入管 ３９ 溶剤噴霧ノズル ４２ 混合室 ９３、９４窒素供給系 １００ 基板処理装置 ３０１ スピンチャック ３０３ 回転軸 ３０５ 電動モータ ３０７ 洗浄ノズル ３０８ 支持アーム ３０９ 飛散防止カップ ３１１ 昇降・移動機構 ３１３ 待機位置 ３２０ コントローラ ３２１ 圧縮空気供給部 ３２５ 純水供給部 ３３０ 指示部 ３７１ 洗浄ノズル ３８０ 気体吐出ノズル ３８１ 液体吐出口 ３８２ 液体吐出ノズル ３９１ 気体吐出口 ３９２ 液体吐出ノズル ３９３ 液体吐出口 ３０１ａ 支持ピン ３０７ａ 吐出面 ３０７ｂ 胴部 ３０７ｃ 傘部 ３０７ｄ 上面部 ３１１ａ 回転モータ ３１１ｂ 回転軸 ３１５ａ 配管 ３１５ｂ 配管 ３１７ａ 電空レギュレータ ３１８ａ 圧力センサ ３１８ｂ 圧力センサ ３１９ａ 流量センサ ３１９ｂ 流量センサ ３７１ａ 吐出面 ３７１ｂ 胴部 ３７１ｃ 傘部 ３７１ｄ 上面部 Ｍ 処理液 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 2 Solvent supply part 5 Holding rotation part 7 Removal liquid supply part 9 Pure water supply part 12 Removal liquid spray nozzle 25 Pure water spray nozzle 27 Gas-liquid mixing nozzle 30 Mixing part 32 Taper part 34 Tapered flow path 36 DC Path 37 DC section 38 Gas introduction pipe 39 Solvent spray nozzle 42 Mixing chamber 93, 94 Nitrogen supply system 100 Substrate processing apparatus 301 Spin chuck 303 Rotating shaft 305 Electric motor 307 Cleaning nozzle 308 Support arm 309 Splash prevention cup 311 Elevating / moving mechanism 313 Standby position 320 Controller 321 Compressed air supply unit 325 Pure water supply unit 330 Indication unit 371 Cleaning nozzle 380 Gas discharge nozzle 381 Liquid discharge port 382 Liquid discharge nozzle 391 Gas discharge port 392 Liquid discharge nozzle 393 Liquid discharge port 301a Support pin 307a Discharge surface 3 7b barrel 307c umbrella portion 307d top portion 311a rotates the motor 311b rotates shaft 315a piping 315b piping 317a electropneumatic regulator 318a pressure sensor 318b pressure sensor 319a flow sensor 319b flow sensor 371a ejection surface 371b barrel 371c umbrella portion 371d upper surface portion M processing solution
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/42 Ｇ０３Ｆ 7/42 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｊ 21/306 21/30 ５７２Ｂ (72)発明者 佐藤 雅伸 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の １ 大日本スクリーン製造 株式会社内 (72)発明者 平得 貞雄 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の １ 大日本スクリーン製造 株式会社内 (72)発明者 安田 周一 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の １ 大日本スクリーン製造 株式会社内 (72)発明者 森西 健也 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の １ 大日本スクリーン製造 株式会社内 Ｆターム(参考） 2H096 AA25 HA23 LA02 LA30 4F033 QA09 QB02Y QB03X QB13Y QB17 QD03 QD15 QE09 4F042 AA07 AB00 CC04 CC10 DA01 DF28 DF32 EB05 EB09 EB17 EB23 5F043 AA40 CC20 DD13 EE07 EE08 EE10 EE30 GG10 5F046 MA10 MA19 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (Reference) G03F 7/42 G03F 7/42 H01L 21/027 H01L 21/306 J 21/306 21/30 572B (72) Inventor Sato Masanobu 1 Tenjin Kitamachi 4-chome Horikawa-dori Teranouchi, Kamigyo-ku, Kyoto Dai Nippon Screen Manufacturing Co., Ltd. (72) Inventor Sadao Hiroku 1 4-chome Tenjin Kitamachi 4-chome Horikawa-dori Teranouchi, Kamigyo-ku, Kyoto No. 1 Dai Nippon Screen Manufacturing Co., Ltd. (72) Inventor Shuichi Yasuda 4-chome Tenjin Kitamachi Kitamachi, Korikyo-ku, Kyoto-shi 1 Dai Nippon Screen Manufacturing Co., Ltd. (72) Inventor Kenya Morinishi Kyoto 4-chome Tenjin, Horikawa-dori-Terunouchi, Kamigyo-ku, Tokyo 1-Denichi Kitamachi 1 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. F-term (reference) 2H096 AA25 HA23 LA02 LA30 4F033 QA09 QB02Y QB03X QB13Y QB17 QD03 QD15 QE09 4F042 AA07 AB00 CC04 CC10 DA01 DF32 EB05 EB09 EB17 EB23 5F043 AA40 CC20 DD13 EE07 EE08 EE10 EE30 GG10 5F046 MA10 MA19
Claims (32)
在する薄膜をドライエッチングするドライエッチング工
程を経た基板から、該ドライエッチング工程によって基
板上に生成された反応生成物を除去する基板処理装置に
おいて、 前記ドライエッチング工程を経た基板を保持して回転す
る保持回転部と、 回転している基板に対して反応生成物を除去する除去液
を供給する除去液供給部と、 回転している基板に対して純水を供給する純水供給部と
を有し、 前記純水供給部は、 液体と加圧されたガスとを混合してミストを形成する混
合室を有する混合部と、一端が混合室に接続され他端に
向って狭くなるテーパ状流路を有する吐出部とを有する
気液混合ノズルを有するとともに、 前記気液混合ノズルはガスと純水とを混合して純水ミス
トを基板に供給する基板処理装置。1. A substrate processing apparatus for removing a reaction product generated on a substrate by a dry etching step from a dry etching step of dry etching a thin film present on the surface of the substrate using a resist film as a mask. A holding and rotating unit that holds and rotates the substrate after the dry etching process, a removing liquid supply unit that supplies a removing liquid that removes a reaction product to the rotating substrate, A pure water supply unit for supplying pure water to the mixture, wherein the pure water supply unit has a mixing unit having a mixing chamber for forming a mist by mixing a liquid and a pressurized gas; A gas-liquid mixing nozzle having a discharge section having a tapered flow path narrowed toward the other end connected to the chamber, and the gas-liquid mixing nozzle mixes gas and pure water to form a pure water mist. Supplied to the plate substrate processing apparatus.
在する薄膜をドライエッチングするドライエッチング工
程を経た基板から、該ドライエッチング工程によって基
板上に生成された反応生成物を除去する基板処理装置に
おいて、 前記ドライエッチング工程を経た基板を保持して回転す
る保持回転部と、 回転している基板に対して反応生成物を除去する除去液
を供給する除去液供給部と、 回転している基板に対して純水を供給する純水供給部と
を有し、 前記除去液供給部は、 液体と加圧されたガスとを混合してミストを形成する混
合室を有する混合部と、一端が混合室に接続され他端に
向って狭くなるテーパ状流路を有する吐出部とを有する
気液混合ノズルを有するとともに、 前記気液混合ノズルはガスと除去液とを混合して除去液
ミストを基板に供給する基板処理装置。2. A substrate processing apparatus for removing a reaction product generated on a substrate by a dry etching step from a dry etching step of dry etching a thin film present on the surface of the substrate using a resist film as a mask. A holding and rotating unit that holds and rotates the substrate after the dry etching process; a removing liquid supply unit that supplies a removing liquid that removes a reaction product to the rotating substrate; A pure water supply unit that supplies pure water to the mixing unit, wherein the removal liquid supply unit has a mixing unit having a mixing chamber that forms a mist by mixing a liquid and a pressurized gas; A gas-liquid mixing nozzle having a discharge portion connected to the chamber and having a tapered flow path narrowing toward the other end. Supplying bets on the substrate the substrate processing apparatus.
在する薄膜をドライエッチングするドライエッチング工
程を経た基板から、該ドライエッチング工程によって基
板上に生成された反応生成物を除去する基板処理装置に
おいて、 前記ドライエッチング工程を経た基板を保持して回転す
る保持回転部と、回転している基板に対して反応生成物
を除去する除去液を供給する除去液供給部と、 回転している基板に対して基板上の除去液を洗い流す中
間リンス液を供給する中間リンス液供給部と、 回転している基板に対して純水を供給する純水供給部と
を有し、 前記中間リンス液供給部は、液体と加圧されたガスとを
混合してミストを形成する混合室を有する混合部と、一
端が混合室に接続され他端に向って狭くなるテーパ状流
路を有する吐出部とを有する気液混合ノズルを有すると
ともに、 前記気液混合ノズルはガスと中間リンス液とを混合して
中間リンス液ミストを基板に供給する基板処理装置。3. A substrate processing apparatus for removing a reaction product generated on a substrate by a dry etching step from a dry etching step of dry etching a thin film present on the surface of the substrate using a resist film as a mask. A holding and rotating unit that holds and rotates the substrate after the dry etching process, a removing liquid supply unit that supplies a removing liquid that removes a reaction product to the rotating substrate, An intermediate rinsing liquid supply unit for supplying an intermediate rinsing liquid for washing away the removal liquid on the substrate, and a pure water supply unit for supplying pure water to the rotating substrate; Has a mixing section having a mixing chamber for forming a mist by mixing a liquid and a pressurized gas, and a discharge section having a tapered flow path having one end connected to the mixing chamber and narrowing toward the other end. And a gas-liquid mixing nozzle having a section, and wherein the gas-liquid mixing nozzle mixes the gas and the intermediate rinse liquid and supplies an intermediate rinse liquid mist to the substrate.
装置において、 前記気液混合ノズルからのミストの吐出方向は基板表面
に対して傾斜している基板処理装置。4. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a mist discharge direction from said gas-liquid mixing nozzle is inclined with respect to the substrate surface.
装置において、 前記吐出部は一端がテーパ状流路に接続され他端に向っ
て同じ形状の断面が連続する直流路を更に有する基板処
理装置。5. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the discharge unit further includes a direct current path having one end connected to the tapered flow path and a cross section having the same shape continuing toward the other end. Substrate processing equipment.
装置において、 前記混合室の内壁面は滑らかな表面を有する基板処理装
置。6. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein an inner wall surface of said mixing chamber has a smooth surface.
μｍ以下の範囲である滑らかな表面を有する基板処理装
置。7. The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the inner wall surface of the mixing chamber has a surface irregularity of 0.3 as smoothness.
A substrate processing apparatus having a smooth surface in a range of μm or less.
μｍ以下の範囲である滑らかな表面を有する基板処理装
置。8. The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the inner wall surface of said mixing chamber has a surface roughness of 0.1% as a smoothness.
A substrate processing apparatus having a smooth surface in a range of μm or less.
装置において、 前記混合部は、液を供給する供給管がガスを導入するガ
ス導入管の外側を取り囲む構造である基板処理装置。9. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the mixing section has a structure in which a supply pipe for supplying a liquid surrounds an outside of a gas introduction pipe for introducing a gas.
理装置において、 基板を保持して回転する保持回転部と、 前記基板に有機物を除去する除去液を供給する除去液供
給部と、 前記基板に純水を供給する純水供給部とを有し、 前記純水供給部は、加圧されたガスと液体とを混合して
ミストを形成する気液混合ノズルを有するとともに、該
気液混合ノズルにて、加圧されたガスと純水とを混合し
て純水ミストを形成し、基板に供給することを特徴とす
る基板処理装置。10. A substrate processing apparatus for removing an organic substance present on a substrate, comprising: a holding and rotating unit for holding and rotating the substrate; a removing liquid supply unit for supplying a removing liquid for removing the organic substance to the substrate; A pure water supply unit for supplying pure water to the water, the pure water supply unit having a gas-liquid mixing nozzle for mixing a pressurized gas and a liquid to form a mist, and A substrate processing apparatus characterized in that a pressurized gas and pure water are mixed by a nozzle to form a pure water mist and supplied to the substrate.
理装置において、 基板を保持して回転する保持回転部と、 前記基板に有機物を除去する除去液を供給する除去液供
給部と、 前記基板に純水を供給する純水供給部とを有し、 前記除去液供給部は、加圧されたガスと液体とを混合し
てミストを形成する気液混合ノズルを有するとともに、
該気液混合ノズルにて、加圧されたガスと除去液とを混
合して除去液ミストを形成し、基板に供給することを特
徴とする基板処理装置。11. A substrate processing apparatus for removing an organic substance present on a substrate, comprising: a holding and rotating unit for holding and rotating the substrate; a removing liquid supply unit for supplying a removing liquid for removing the organic substance to the substrate; A pure water supply unit for supplying pure water to the liquid, the removal liquid supply unit has a gas-liquid mixing nozzle for forming a mist by mixing the pressurized gas and liquid,
A substrate processing apparatus, wherein the gas-liquid mixing nozzle mixes a pressurized gas and a removing liquid to form a removing liquid mist and supplies the mist to a substrate.
理装置において、 基板を保持して回転する保持回転部と、 前記基板に有機物を除去する除去液を供給する除去液供
給部と、 基板上の除去液を洗い流す中間リンス液を供給する中間
リンス液供給部と、 前記基板に純水を供給する純水供給部とを有し、 前記中間リンス液供給部は、加圧されたガスと液体とを
混合してミストを形成する気液混合ノズルを有するとと
もに、該気液混合ノズルにて、加圧されたガスと中間リ
ンス液とを混合して中間リンス液ミストを形成し、基板
に供給することを特徴とする基板処理装置。12. A substrate processing apparatus for removing an organic substance present on a substrate, comprising: a holding and rotating unit for holding and rotating the substrate; a removing liquid supply unit for supplying a removing liquid for removing the organic substance to the substrate; An intermediate rinsing liquid supply unit for supplying an intermediate rinsing liquid for washing away the removal liquid, and a pure water supply unit for supplying pure water to the substrate, wherein the intermediate rinsing liquid supply unit includes a pressurized gas and a liquid. And a gas-liquid mixing nozzle that forms a mist by mixing the gas and the intermediate rinsing liquid with the gas-liquid mixing nozzle to form an intermediate rinsing liquid mist and supply it to the substrate. A substrate processing apparatus.
板処理装置において、 前記気液混合ノズルは液体と加圧されたガスとを混合し
てミストを形成する混合室を有する混合部と、一端が混
合室に接続され他端に向って狭くなるテーパ状流路を有
する吐出部とを有することを特徴とする基板処理装置。13. The substrate processing apparatus according to claim 10, wherein the gas-liquid mixing nozzle has a mixing section having a mixing chamber for forming a mist by mixing a liquid and a pressurized gas; A discharge section having a tapered flow path having one end connected to the mixing chamber and narrowing toward the other end.
板処理装置において、 前記気液混合ノズルからのミストの吐出方向は基板表面
に対して傾斜している基板処理装置。14. A substrate processing apparatus according to claim 10, wherein a mist discharge direction from said gas-liquid mixing nozzle is inclined with respect to a substrate surface.
板処理装置において、 前記吐出部は一端がテーパ状流路に接続され他端に向っ
て同じ形状の断面が連続する直流路を更に有する基板処
理装置。15. The substrate processing apparatus according to claim 10, wherein the discharge unit further has a direct current path having one end connected to the tapered flow path and a cross section having the same shape continuing toward the other end. Substrate processing equipment.
板処理装置において、 前記混合室の内壁面は滑らかな表面を有する基板処理装
置。16. The substrate processing apparatus according to claim 10, wherein an inner wall surface of said mixing chamber has a smooth surface.
て、 前記混合室の内壁面は平滑度として表面の凹凸が０．３
μｍ以下の範囲である滑らかな表面を有する基板処理装
置。17. The substrate processing apparatus according to claim 16, wherein an inner wall surface of said mixing chamber has a surface irregularity of 0.3 as smoothness.
A substrate processing apparatus having a smooth surface in a range of μm or less.
て、 前記混合室の内壁面は平滑度として表面の凹凸が０．１
μｍ以下の範囲である滑らかな表面を有する基板処理装
置。18. The substrate processing apparatus according to claim 16, wherein the inner wall surface of the mixing chamber has a surface roughness of 0.1% as a smoothness.
A substrate processing apparatus having a smooth surface in a range of μm or less.
板処理装置において、 前記混合部は、液を供給する供給管がガスを導入するガ
ス導入管の外側を取り囲む構造である基板処理装置。19. The substrate processing apparatus according to claim 13, wherein the mixing section has a structure in which a supply pipe for supplying a liquid surrounds an outside of a gas introduction pipe for introducing a gas.
板処理装置において、 前記気液混合ノズルは液体を吐出する液体吐出手段と前
記液体吐手段に近接して気体を吐出する気体吐出手段と
を備え、 前記液体吐出手段から吐出される液体を、空中にて前記
気体吐出手段より吐出された気体と混合させてミストを
形成し、基板に供給することを特徴とする基板処理装
置。20. The substrate processing apparatus according to claim 10, wherein the gas-liquid mixing nozzle includes a liquid discharging unit that discharges a liquid, and a gas discharging unit that discharges a gas in proximity to the liquid discharging unit. A substrate processing apparatus, comprising: mixing a liquid discharged from the liquid discharging unit with a gas discharged from the gas discharging unit in the air to form a mist, and supplying the mist to a substrate.
て、 前記液体と気体の混合は、前記液体吐出手段から吐出さ
れる液体と、前記気体吐出手段より吐出された気体とを
空中にて衝突させることにより行うことを特徴とする基
板処理装置。21. The substrate processing apparatus according to claim 21, wherein the mixing of the liquid and the gas collides the liquid discharged from the liquid discharging means with the gas discharged from the gas discharging means in the air. A substrate processing apparatus characterized by performing the above.
て、 前記液体と気体の混合は、吐出された液体もしくは気体
のどちらか一方の空中への噴流中で他方を吐出させるこ
とにより行うことを特徴とする基板処理装置。22. The substrate processing apparatus according to claim 21, wherein the mixing of the liquid and the gas is performed by discharging one of the discharged liquid and the gas in a jet flow into the air. Characteristic substrate processing equipment.
て、 前記液体吐出手段は液体供給手段と、その液体供給手段
より供給された液体を吐出する液体吐出口と、を備え、 前記気体吐出手段は気体供給手段と、その気体供給手段
により供給された気体を吐出する気体吐出口と、を備
え、 前記液体吐出口を通る中心軸線と、前記気体吐出口を通
る中心軸線との交点における各軸線のなす角度は、０度
以上で１１０度以下の範囲であることを特徴とする基板
処理装置。23. The substrate processing apparatus according to claim 21, wherein the liquid discharge means includes a liquid supply means, and a liquid discharge port for discharging the liquid supplied from the liquid supply means, and the gas discharge means. Comprises a gas supply means and a gas discharge port for discharging the gas supplied by the gas supply means, and each axis at an intersection of a central axis passing through the liquid discharge port and a central axis passing through the gas discharge port. The substrate processing apparatus is characterized in that the angle formed is within a range of 0 degree or more and 110 degrees or less.
板処理装置において、 液体供給手段より供給された液体を吐出する液体吐出口
と、 気体供給手段より供給された気体を吐出する気体吐出口
と、を前記気液混合ノズルに備え、 前記液体吐出口から吐出された液体に、液体吐出口の直
後において、気体を混入すべく前記気体吐出口より吐出
し、前記液体を気体の混合により滴状化させてミストを
形成し、基板に供給することを特徴とする基板処理装
置。24. The substrate processing apparatus according to claim 10, wherein a liquid discharge port for discharging the liquid supplied from the liquid supply means, and a gas discharge port for discharging the gas supplied from the gas supply means. The gas-liquid mixing nozzle is provided, and the liquid discharged from the liquid discharge port is discharged from the gas discharge port immediately after the liquid discharge port to mix the gas, and the liquid is dropped by mixing the gas. A substrate processing apparatus characterized in that the mist is formed into a mist and supplied to a substrate.
て、 前記液体と気体の混合は、前記液体吐出口から吐出され
る液体と、前記気体吐出口より吐出された気体とを空中
にて衝突させることにより行うことを特徴とする基板処
理装置。25. The substrate processing apparatus according to claim 24, wherein the mixture of the liquid and the gas collides the liquid discharged from the liquid discharge port with the gas discharged from the gas discharge port in the air. A substrate processing apparatus characterized by performing the above.
て、 前記液体と気体の混合は、吐出された液体もしくは気体
のどちらか一方の空中への噴流中で他方を吐出させるこ
とにより行うことを特徴とする基板処理装置。26. The substrate processing apparatus according to claim 24, wherein the mixing of the liquid and the gas is performed by discharging one of the discharged liquid and the gas in a jet flow into the air. Characteristic substrate processing equipment.
て、 前記液体吐出口を通る中心軸線と、前記気体吐出口を通
る中心軸線との交点における各軸線のなす角度は、０度
以上で１１０度以下の範囲であることを特徴とする基板
処理装置。27. The substrate processing apparatus according to claim 24, wherein each axis at an intersection of a central axis passing through the liquid discharge port and a central axis passing through the gas discharge port has an angle of 0 degree or more and 110 degrees or more. A substrate processing apparatus characterized by being in a range of less than or equal to degrees.
板処理装置において、 前記気体供給手段を作動して気体の吐出を開始し、所定
時間の後に、前記液体供給手段を作動させ液体の吐出を
開始するように制御する制御手段と、を有することを特
徴とする基板処理装置。28. The substrate processing apparatus according to claim 24, wherein the gas supply means is operated to start discharging gas, and after a predetermined time, the liquid supply means is operated to discharge liquid. Control means for controlling the start of the substrate processing.
板処理装置において、 前記液体供給手段の作動を停止して、所定時間の後に、
前記気体供給手段を作動を停止するように制御する制御
手段と、を有することを特徴とする基板処理装置。29. The substrate processing apparatus according to claim 24, wherein the operation of the liquid supply unit is stopped, and after a predetermined time,
Control means for controlling the gas supply means to stop its operation.
板処理装置において、 前記有機物はレジストが変質して生じた反応生成物であ
り、前記除去液は該反応生成物を除去する除去液である
ことを特徴とする基板処理装置。30. The substrate processing apparatus according to claim 10, wherein the organic substance is a reaction product generated by alteration of a resist, and the removing liquid is a removing liquid for removing the reaction product. A substrate processing apparatus, comprising:
板処理装置において、 前記有機物は、レジスト膜をマスクとして基板の表面に
存在する薄膜をドライエッチングするドライエッチング
工程を経た基板によって基板上に生成された反応生成物
であり、前記除去液は該反応生成物を除去する除去液で
あることを特徴とする基板処理装置。31. The substrate processing apparatus according to claim 20, wherein the organic substance is formed on the substrate by a substrate having undergone a dry etching step of dry etching a thin film present on the surface of the substrate using a resist film as a mask. A substrate processing apparatus, wherein the substrate processing apparatus is a generated reaction product, and the removing liquid is a removing liquid for removing the reaction product.
を処理することを特徴とする基板処理方法。32. A method for processing a substrate, comprising processing a substrate according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001287949A JP4005326B2 (en) | 2000-09-22 | 2001-09-21 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000288076 | 2000-09-22 | ||
| JP2000-288076 | 2000-09-22 | ||
| JP2001287949A JP4005326B2 (en) | 2000-09-22 | 2001-09-21 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002208579A true JP2002208579A (en) | 2002-07-26 |
| JP4005326B2 JP4005326B2 (en) | 2007-11-07 |
Family
ID=26600486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001287949A Expired - Fee Related JP4005326B2 (en) | 2000-09-22 | 2001-09-21 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4005326B2 (en) |
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004148224A (en) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Advanced Display Inc | Method for washing air knife, air knife, and wet etching apparatus |
| JP2004274028A (en) * | 2003-02-20 | 2004-09-30 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Device and method for development |
| JP2004281429A (en) * | 2003-03-12 | 2004-10-07 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | Wet cleaning device and nozzle used therefor |
| WO2004095550A1 (en) * | 2003-04-21 | 2004-11-04 | Sekisui Chemical Co. Ltd. | Organic matter removing apparatus, organic matter removing method, ozone water jet nozzle, and organic matter removing apparatus for mask substrate |
| JP2004327537A (en) * | 2003-04-22 | 2004-11-18 | Tokyo Electron Ltd | Method, equipment, and system for substrate processing |
| JP2005039205A (en) * | 2003-06-27 | 2005-02-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Foreign substance removing device, substrate processing equipment and substrate processing method |
| JP2005044872A (en) * | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing equipment |
| JP2005216908A (en) * | 2004-01-27 | 2005-08-11 | Aqua Science Kk | Apparatus and method of treating object |
| JP2005327833A (en) * | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | Cleaning device |
| JP2005347639A (en) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing method and substrate processing equipment |
| JP2006026609A (en) * | 2004-07-21 | 2006-02-02 | Tokyo Electron Ltd | Cleaning treatment method and apparatus therefor |
| JP2006061786A (en) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Shibaura Mechatronics Corp | Two-fluid jetting nozzle apparatus |
| JP2006196478A (en) * | 2003-04-21 | 2006-07-27 | Sekisui Chem Co Ltd | Resist removal method and resist removing apparatus |
| JP2006518096A (en) * | 2002-10-29 | 2006-08-03 | ノヴォ リサーチ インコーポレイテッド | Apparatus and method for cleaning semiconductor wafer surface using ozone |
| JP2006247619A (en) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Sony Corp | Two fluid nozzle and cleaning apparatus |
| JPWO2005038893A1 (en) * | 2003-10-20 | 2007-02-01 | 山本 義治 | Substrate cleaning device |
| JP2007134689A (en) * | 2005-10-14 | 2007-05-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing method and its device |
| JP2007180497A (en) * | 2005-12-02 | 2007-07-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Method and apparatus for substrate treatment |
| JP2007317936A (en) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Tokyo Electron Ltd | Method and device for washing, and computer-readable storage medium |
| JP2013129193A (en) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Oce Printing Systems Gmbh | Device of cleaning deposit from component |
| JP2013243331A (en) * | 2012-04-26 | 2013-12-05 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2014027245A (en) * | 2012-06-22 | 2014-02-06 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing device and substrate processing method |
| KR101365736B1 (en) | 2012-03-12 | 2014-03-13 | 엄재홍 | Low nitrogen oxide burner apparatus for fuel saving |
| WO2014081216A1 (en) * | 2012-11-23 | 2014-05-30 | 주식회사 아모그린텍 | Organic thin film forming apparatus, and organic thin film forming method and method using same for manufacturing organic thin film device |
| KR20140103071A (en) * | 2013-02-15 | 2014-08-25 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | Substrate processing apparatus |
| KR101511283B1 (en) | 2012-11-23 | 2015-04-13 | 주식회사 아모그린텍 | Apparatus for forming thin film and method using spray technology |
| JP2015167938A (en) * | 2014-03-10 | 2015-09-28 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | Substrate processing device |
| KR20180033594A (en) * | 2014-03-10 | 2018-04-03 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate processing system and tubing cleaning method |
| CN108046358A (en) * | 2017-12-25 | 2018-05-18 | 河南中烟工业有限责任公司 | A kind of high temperature sewage centrifugal atomization apparatus |
| JP2018083133A (en) * | 2016-11-21 | 2018-05-31 | 有限会社上川製作所 | Dispenser |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101803008B1 (en) * | 2011-05-04 | 2017-11-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | Substrate processing apparatus and method of operating the same |
-
2001
- 2001-09-21 JP JP2001287949A patent/JP4005326B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006518096A (en) * | 2002-10-29 | 2006-08-03 | ノヴォ リサーチ インコーポレイテッド | Apparatus and method for cleaning semiconductor wafer surface using ozone |
| JP2004148224A (en) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Advanced Display Inc | Method for washing air knife, air knife, and wet etching apparatus |
| JP2004274028A (en) * | 2003-02-20 | 2004-09-30 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Device and method for development |
| US6893172B2 (en) | 2003-02-20 | 2005-05-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Developing apparatus and developing method |
| JP2004281429A (en) * | 2003-03-12 | 2004-10-07 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | Wet cleaning device and nozzle used therefor |
| WO2004095550A1 (en) * | 2003-04-21 | 2004-11-04 | Sekisui Chemical Co. Ltd. | Organic matter removing apparatus, organic matter removing method, ozone water jet nozzle, and organic matter removing apparatus for mask substrate |
| JP2006196478A (en) * | 2003-04-21 | 2006-07-27 | Sekisui Chem Co Ltd | Resist removal method and resist removing apparatus |
| JP2004327537A (en) * | 2003-04-22 | 2004-11-18 | Tokyo Electron Ltd | Method, equipment, and system for substrate processing |
| JP2005039205A (en) * | 2003-06-27 | 2005-02-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Foreign substance removing device, substrate processing equipment and substrate processing method |
| JP4494840B2 (en) * | 2003-06-27 | 2010-06-30 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Foreign matter removing apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method |
| JP2005044872A (en) * | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing equipment |
| KR100970601B1 (en) * | 2003-10-20 | 2010-07-16 | 요시하루 야마모토 | Substrate washing apparatus |
| JPWO2005038893A1 (en) * | 2003-10-20 | 2007-02-01 | 山本 義治 | Substrate cleaning device |
| JP2005216908A (en) * | 2004-01-27 | 2005-08-11 | Aqua Science Kk | Apparatus and method of treating object |
| JP2005327833A (en) * | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | Cleaning device |
| JP2005347639A (en) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing method and substrate processing equipment |
| JP2006026609A (en) * | 2004-07-21 | 2006-02-02 | Tokyo Electron Ltd | Cleaning treatment method and apparatus therefor |
| JP4497407B2 (en) * | 2004-07-21 | 2010-07-07 | 東京エレクトロン株式会社 | Cleaning method and apparatus |
| JP2006061786A (en) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Shibaura Mechatronics Corp | Two-fluid jetting nozzle apparatus |
| KR101188293B1 (en) | 2004-08-25 | 2012-10-09 | 시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤 | Nozzle device for applying two fluids |
| JP2006247619A (en) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Sony Corp | Two fluid nozzle and cleaning apparatus |
| JP2007134689A (en) * | 2005-10-14 | 2007-05-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing method and its device |
| US7959820B2 (en) | 2005-10-14 | 2011-06-14 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| JP2007180497A (en) * | 2005-12-02 | 2007-07-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Method and apparatus for substrate treatment |
| JP2007317936A (en) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Tokyo Electron Ltd | Method and device for washing, and computer-readable storage medium |
| JP2013129193A (en) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Oce Printing Systems Gmbh | Device of cleaning deposit from component |
| KR101365736B1 (en) | 2012-03-12 | 2014-03-13 | 엄재홍 | Low nitrogen oxide burner apparatus for fuel saving |
| JP2013243331A (en) * | 2012-04-26 | 2013-12-05 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2014027245A (en) * | 2012-06-22 | 2014-02-06 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing device and substrate processing method |
| KR101511283B1 (en) | 2012-11-23 | 2015-04-13 | 주식회사 아모그린텍 | Apparatus for forming thin film and method using spray technology |
| WO2014081216A1 (en) * | 2012-11-23 | 2014-05-30 | 주식회사 아모그린텍 | Organic thin film forming apparatus, and organic thin film forming method and method using same for manufacturing organic thin film device |
| CN104823294A (en) * | 2012-11-23 | 2015-08-05 | 阿莫绿色技术有限公司 | Organic thin film forming apparatus, and organic thin film forming method and method using same for manufacturing organic thin film device |
| US9673395B2 (en) | 2012-11-23 | 2017-06-06 | Amogreentech Co., Ltd. | Apparatus and method for forming organic thin film and manufacturing method of organic thin film device using the same |
| KR20140103071A (en) * | 2013-02-15 | 2014-08-25 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | Substrate processing apparatus |
| KR102073994B1 (en) * | 2013-02-15 | 2020-02-05 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate processing apparatus |
| KR20190003822A (en) * | 2014-03-10 | 2019-01-09 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate processing system and tubing cleaning method |
| KR20180033594A (en) * | 2014-03-10 | 2018-04-03 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate processing system and tubing cleaning method |
| CN109285800A (en) * | 2014-03-10 | 2019-01-29 | 株式会社斯库林集团 | Base plate processing system and pipeline cleaning method |
| KR102049193B1 (en) * | 2014-03-10 | 2019-11-26 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate processing system and tubing cleaning method |
| JP2015167938A (en) * | 2014-03-10 | 2015-09-28 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | Substrate processing device |
| TWI709443B (en) * | 2014-03-10 | 2020-11-11 | 日商斯克林集團公司 | Substrate processing apparatus |
| CN109285800B (en) * | 2014-03-10 | 2022-02-08 | 株式会社斯库林集团 | Substrate processing system and pipe cleaning method |
| TWI760883B (en) * | 2014-03-10 | 2022-04-11 | 日商斯克林集團公司 | Substrate processing apparatus |
| JP2018083133A (en) * | 2016-11-21 | 2018-05-31 | 有限会社上川製作所 | Dispenser |
| CN108046358A (en) * | 2017-12-25 | 2018-05-18 | 河南中烟工业有限责任公司 | A kind of high temperature sewage centrifugal atomization apparatus |
| CN108046358B (en) * | 2017-12-25 | 2023-11-21 | 河南中烟工业有限责任公司 | High Wen Wushui centrifugal atomization device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4005326B2 (en) | 2007-11-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4005326B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| US7428907B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
| US7479205B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
| TW583732B (en) | Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method | |
| TWI443722B (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP2003275696A (en) | Substrate washing apparatus and substrate washing method | |
| TWI531420B (en) | Method of processing a microelectronic workpiece | |
| JP2010050226A (en) | Substrate processing apparatus and method | |
| JP2003092283A (en) | Apparatus and method for processing substrate | |
| JP2005353739A (en) | Substrate cleaning apparatus | |
| KR100749544B1 (en) | Apparatus and method for cleaning a substrate | |
| JP2005032819A (en) | Device and method for peeling resist | |
| JP2004349501A (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| JP2004273799A (en) | Rinsing liquid for substrate, and substrate treatment method and equipment | |
| JP2004152849A (en) | Liquid processing device and method therefor | |
| JP2002270564A (en) | Apparatus and method for cleaning substrate | |
| JP2002124502A (en) | Method and apparatus for substrate treatment | |
| JP2003103228A (en) | Apparatus and method for removal of deposit on surface of electronics-industrial substrate | |
| JP3686011B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| JP4004266B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP2005217138A (en) | Spin treating device and spin treatment method | |
| JP2002170811A (en) | Substrate treatment apparatus | |
| US11728185B2 (en) | Steam-assisted single substrate cleaning process and apparatus | |
| JP4759395B2 (en) | Substrate processing apparatus and processing method | |
| JP4484861B2 (en) | Substrate cleaning device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20040929 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060113 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060829 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061030 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070417 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070618 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070821 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070823 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4005326 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100831 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100831 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100831 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110831 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110831 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120831 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120831 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120831 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130831 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |