JP2019050294A - 炭化珪素半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
<1> ゲート電極と、
二酸化珪素の絶縁膜と、
炭化珪素の半導体基板と、を備え、
前記二酸化珪素の絶縁膜と前記炭化珪素の半導体基板との界面では、炭化珪素側の2つの珪素原子のみと結合する炭素サイトの少なくとも一部に、窒素原子が配位している絶縁ゲート型の炭化珪素半導体装置。
<2> 前記界面における前記炭化珪素側の結晶面が、m面、a面、Si面およびC面のうちのいずれか一つの面であり、かつ、各々の結晶面のずれが、±10%以内である<1>に記載の炭化珪素半導体装置。
<3> 前記界面における前記炭化珪素側の結晶面がm面である<2>に記載の炭化珪素半導体装置。
なお、2つのSi原子のみと結合する炭素サイトの少なくとも一部に窒素原子が配位されるとは、2つのSi原子のみと結合している炭素原子と置換された状態であること以外にも、2つのSi原子のみと結合する炭素原子が欠陥となっている炭素サイトに、窒素原子が導入されていることも包含する概念である。
図1は、本実施形態の炭化珪素半導体装置における炭化珪素と酸化珪素との界面の炭化珪素側の結晶構造の一例を表す模式図である。図1に示す模式図は、具体的には、SiC/SiO2界面におけるSiC側のa面から見た結晶構造を表している。つまり、図1に示す模式図の正面がSiCのa面を表している。また、図1において、結晶構造の上部側はm面を表している。図1において、11は珪素(Si)原子、12は炭素(C)原子、13は窒素(N)原子を表す。図1に示すように、窒素原子は、SiC/SiO2界面で、SiC側のm面において、2つのSi原子と結合する炭素サイトの少なくとも一部に配位している。
以下、符号は省略して説明する。
「界面」は、SiO2とSiCとの遷移領域において、酸素濃度が、SiO2中での酸素濃度として50%となる位置を中心として、その中心から、炭化珪素側に5nm以内までの範囲、および二酸化珪素側に5nm以内までの範囲を表す。
本明細書中において、m面は(1−100面)、a面は(11−20)面、Si面(0001)、C面は(000−1)面を表す。なお、「−」は、「−」の右隣の数字の上に付されるものであるが、便宜上、数字の左隣に付してある。
また、この対策として、例えば、窒素を含むガス(アンモニア、亜酸化窒素、一酸化窒素など)雰囲気中で熱処理することにより、SiC/SiO2界面に窒素を含ませることで、遷移層の欠陥を少なくして、チャンネル移動度を向上させることが知られている。
このように、従来のSiCを用いた半導体装置は、安定した電気特性が要求されており、さらなる性能向上が望まれている。
本実施形態の炭化珪素半導体装置の好ましい製造方法の一例としては、例えば、製造方法が好ましいSiCの半導体基板上にSiO2の絶縁膜を設ける工程(絶縁膜形成工程)と、窒素原子を含むガス雰囲気下で熱処理する工程(熱処理工程)と、SiO2の絶縁膜の上に、ゲート電極を形成する工程(ゲート電極形成工程)とを有する。
絶縁膜形成工程は、SiCの半導体基板上に、SiO2の絶縁膜を形成する工程である。
なお、SiO2絶縁膜は、この熱酸化による熱酸化膜に限定されず、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)法で堆積して、SiCの半導体基板上に設けてもよい。
熱処理(アニール)工程は、SiO2の絶縁膜を設けたSiCの半導体基板を、窒素原子を含むガス雰囲気下で熱処理することによって、SiC/SiO2界面に、SiC側の2つのSi原子のみと結合する炭素サイトの少なくとも一部に、窒素原子を配位させる工程である。この工程によって、SiC/SiO2界面において、ダングリングボンドが少なくなり、キャリアのトラップが減少すると考えられる。その結果、ゲート電極にストレス電圧を印加した場合であっても、安定した半導体素子特性を有する炭化珪素半導体装置が得られる。
ゲート電極形成工程は、SiO2絶縁膜を形成したSiC半導体基板のSiO2絶縁膜上に、ゲート電極を形成する工程である。ゲート電極は、不純物がドープされたポリシリコンでもよい(p型ポリシリコンおよびn型ポリシリコンのいずれでもよい)。また、ゲート電極は、アルミニウム等の金属及び金属化合物(例えば、TiSi)でもよい。
本実施形態の炭化珪素半導体装置が、トレンチ構造を有する場合、ゲート電極は、例えば、次のようにして得られる。SiC半導体基板の表面をドライエッチング等により、トレンチを形成する。次に、前述の熱酸化、またはCVD法により、トレンチを形成したSiC半導体基板上に、SiO2絶縁膜を形成する。次に、SiO2絶縁膜が形成されたトレンチの内部に、SiO2絶縁膜上に設けられるように、例えば、不純物がドープされたポリシリコンを堆積することで、ゲート電極が形成される。
また、本実施形態の炭化珪素半導体装置が、プレーナ構造を有する場合、CVD法などにより、SiO2絶縁膜上になるように、例えば、不純物がドープされたポリシリコンなどのゲート電極が形成される。
以上の工程を経て、本実施形態の炭化珪素半導体装置が得られる。
以下のようにして、実施例および比較例の酸化珪素半導体装置を作製した。
まず、市販の4H−SiCの単結晶SiC半導体基板を準備する。次に、準備したSiC半導体基板に対し、SiC半導体基板の表面をドライエッチング法により、トレンチを形成する。次に、熱酸化を行い、トレンチ内部のSiC半導体基板上に、SiO2絶縁膜を形成する。炭化珪素基板に対し熱酸化の条件は、乾燥酸素雰囲気下、1300℃、0.1時間である。次に、SiO2絶縁膜を形成した炭化珪素基板に対し、濃度10%の一酸化窒素中で、1250℃以上の温度となるように、0.5時間の条件で熱処理(アニール処理)を行う。次に、SiO2絶縁膜に接するように、SiO2絶縁膜上に、不純物がドープされたポリシリコンを堆積させて、トレンチ内部にゲート電極を設ける。なお、SiO2絶縁膜は、ゲート絶縁膜である。
以上のようにして、SiC半導体基板上に設けられたSiO2絶縁膜およびゲート電極を有する実施例の酸化珪素半導体装置を作製した。
また、比較例の酸化珪素半導体装置は、アニール処理温度の条件を1150℃に変更したこと以外に、実施例の酸化珪素半導体装置と同様の手順で作製した。
得られた酸化珪素半導体装置について、X線吸収分光分析装置(分析条件/使用施設:九州シンクロトロン光研究センター、使用ビームライン:BL12、測定法:全電子収量法)により分析を行った。分析の結果を図6に示す。図6において、Aは実施例の炭化珪素半導体装置のX線吸収分光分析の分析結果を、Bは比較例の炭化珪素半導体装置のX線吸収分光分析の分析結果を、それぞれ表す。図6に示すように、実施例の炭化珪素半導体装置(A)の吸収スペクトルには、ショルダーが見られない。よって、実施例の酸化珪素半導体装置(A)は、図1に示す模式図のように、m面において、2つのSi原子のみと結合する炭素サイトの少なくとも一部に窒素原子が配位していることを確認した。
一方、図6に示すように、比較例の酸化珪素半導体装置(B)の吸収スペクトルには、矢印Sで示す位置に、ショルダーが見られる。よって、比較例の炭化珪素半導体装置(B)では、3つのSi原子と結合する炭素サイトの少なくとも一部に窒素原子が配位していることを確認した。しかし、比較例の酸化珪素半導体装置(B)は、m面、a面、Si面及びC面のいずれの面においても、2つのSi原子のみと結合する炭素サイトに窒素原子が配位していることを確認できなかった。
したがって、2つのSi原子のみと結合する炭素サイトの少なくとも一部に窒素原子が配位している実施例の炭化珪素半導体装置は、ゲート電極にストレス電圧を印加したときに発生する閾値電圧の変動が抑制されるため、安定した半導体素子特性を有することがわかる。
Claims (3)
- ゲート電極と、
二酸化珪素の絶縁膜と、
炭化珪素の半導体基板と、を備え、
前記二酸化珪素の絶縁膜と前記炭化珪素の半導体基板との界面では、炭化珪素側の2つの珪素原子のみと結合する炭素サイトの少なくとも一部に、窒素原子が配位している絶縁ゲート型の炭化珪素半導体装置。 - 前記界面における前記炭化珪素側の結晶面が、m面、a面、Si面およびC面のうちのいずれか一つの面であり、かつ、各々の結晶面のずれが、±10%以内である請求項1に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記界面における前記炭化珪素側の結晶面がm面である請求項2に記載の炭化珪素半導体装置。
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