JP2019033131A - セラミックス回路基板 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 135
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 139
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 139
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 43
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 5
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 49
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 26
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 10
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 7
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 229910017818 Cu—Mg Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007541 indentation hardness test Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005482 strain hardening Methods 0.000 description 1
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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Abstract
Description
HT115=160.07・P/d2
上記式中、Pは付加した最大荷重(mN)を示し、dは三角錐圧子による圧痕の垂線の長さ(μm)を示す。
セラミックス基材として、窒化アルミニウム(AlN)基材(サイズ:50mm×60mm×0.635mmt)を用いた。Al−Cu−Mgクラッド箔をろう材として用い、セラミックス基材の両面に温度630℃にてAl板(厚み0.2mm)を接合し、エッチングによりAl回路を形成した。続いて、溶射法(コールドスプレー法)で厚み0.4mmのCu回路を積層し、温度300℃でアニール処理を行った後、無電解Niめっきを施し、セラミックス回路基板を作製した。
実施例1と同様のセラミックス基材の両面に溶射法(コールドスプレー法)で厚み0.2mmのAl回路を積層し、温度500℃でアニール処理を行った。続いて、溶射法(コールドスプレー法)で厚み0.4mmのCu回路を積層し、温度300℃でアニール処理を行った後、無電解Niめっきを施し、セラミックス回路基板を作製した。
セラミックス基材として、窒化珪素(Si3N4)基材(サイズ:50mm×60mm×0.32mmt)を用いた。Ag−Cu−TiH2ろう材を用い、セラミックス基材の両面に温度800℃にてCu板(厚み0.1mm)を接合し、エッチングによりCu回路を形成した。続いて、溶射法(コールドスプレー法)で厚み0.9mmのCu回路を積層し、温度300℃でアニール処理を行った後、無電解Niめっきを施し、セラミックス回路基板を作製した。
Ag−Cu−TiH2ろう材を用い、実施例1と同様のセラミックス基材の両面に温度800℃にてCu板(厚み0.3mm)を接合し、エッチングによりCu回路を形成した後、無電解Niめっきを施し、セラミックス回路基板を作製した。
セラミックス基材として、窒化アルミニウム(AlN)基材(サイズ:50mm×60mm×1.0mmt)を用いた以外は、比較例1と同様の操作を行い、セラミックス回路基板を作製した。
セラミックス基材として、窒化珪素(Si3N4)基材(サイズ:50mm×60mm×0.635mmt)を用いた以外は、比較例1と同様の操作を行い、セラミックス回路基板を作製した。
セラミックス基材として、窒化珪素(Si3N4)基材(サイズ:50mm×60mm×0.32mmt)を用いた以外は、比較例1と同様の操作を行い、セラミックス回路基板を作製した。
Cu板(厚み1.0mm)を用いた以外は、比較例4と同様の操作を行い、セラミックス回路基板を作製した。
Al−Cu−Mgクラッド箔をろう材として用い、実施例1と同様のセラミックス基材の両面に温度630℃にてAl板(厚み0.4mm)を接合し、エッチングによりAl回路を形成した後、無電解Niめっきを施してセラミックス回路基板を作製した。
得られたセラミックス回路基板を、4×20mmのサイズに切り出し、エポキシ樹脂で包埋後、試料の切断面を自動研磨装置にて研磨したものを測定試料とした。
超微小硬度計(株式会社島津製作所製、商品名「DUH−211」)を用いて、負荷速度を70.067mN/秒、試験力を500mN、負荷保持時間を10秒として、負荷−除荷試験を行い、超微小負荷硬さを測定した。結果を表2に示す。
各セラミックス回路基板の金属層の最外層における残留応力は、X線回折法を用いて金属層の中央部のX線回折パターンを測定し、その結果に基づき評価した。応力評価にはsin2ψ法(並傾法、ψ一定法)を用い、銅の331回折線を解析した。具体的には、多目的試料アタッチメントを取り付けたX線回折装置(リガク社製;Ultima IV型)の試料板にセラミックス絶縁基板を貼り付け、以下の測定条件で測定した。
・X線源:CuKα線(多層膜ミラーを使用した平行ビーム光学系)
・X線管の電圧および電流:40kVおよび40mA
・X線入射側スリット:発散スリットは1mm、縦制限スリットは10mm
・X線受光側スリット:散乱スリットおよび受光スリットは開放。平行スリットアナライザーは開口角度0.5°
・垂直発散制限ソーラースリット:X線入射側、受光側ともに開口角度5°
・検出器:シンチレーションカウンター
・測定範囲(2θ):134°〜139.5°
・測定ステップ幅:0.02°
・計数時間:測定ステップあたり5秒
・試料面法線と回折面法線のなす角ψ:sin2ψが0、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5となるように設定。なお、測定精度を上げる目的で±5°以内で搖動をかけることもある。
Al−SiC(65%)材をサイズが140×190×5mmとなるように加工した後、無電解Niめっきを施したベース板を用い、上記実施例及び比較例で得られたセラミックス回路基板とベース板を、共晶半田にて接合して測定用サンプルとした。
測定用サンプルにおけるベース板の放熱面の形状を3次元輪郭測定装置(株式会社東京精密製、商品名「コンターレコード1600D−22」)を用いて測定することで、長さ10cmに対するベース板の反り変化量を測定した。結果を表2に示す。
Claims (9)
- セラミックス基材と、前記セラミックス基材の両面のそれぞれに設けられ、Al及び/又はCuを含む少なくとも一層の金属層と、を備え、
前記金属層のうちの少なくとも一方が金属回路を形成しており、
前記金属層の最外層の超微小負荷硬さが70以上である、セラミックス回路基板。 - 前記最外層には、圧縮応力又は40MPa以下の引張応力が残留している、請求項1に記載のセラミックス回路基板。
- 前記セラミックス基材が、AlN、Si3N4又はAl2O3で形成されている、請求項1又は2に記載のセラミックス回路基板。
- 前記セラミックス基材の厚みが0.2〜1.5mmである、請求項1〜3のいずれか一項に記載のセラミックス回路基板。
- 前記金属層が、Cu、Al、Cu及びMoを含む合金、並びにCu及びWを含む合金からなる群より選ばれる少なくとも1種で形成されている、請求項1〜4のいずれか一項に記載のセラミックス回路基板。
- 前記金属層の厚みが0.1〜2.0mmである、請求項1〜5のいずれか一項に記載のセラミックス回路基板。
- 前記金属層が第一金属層及び第二金属層を有し、前記セラミックス基材、前記第一金属層及び前記第二金属層がこの順で積層されている、請求項1〜6のいずれか一項に記載のセラミックス回路基板。
- 前記第二金属層がCuを含む、請求項7に記載のセラミックス回路基板。
- 前記第一金属層の端面と前記第二金属層の端面とが面一である、又は、前記第一金属層の端面が前記第二金属層の端面よりも外側にはみ出ている、請求項7又は8に記載のセラミックス回路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017151892A JP7369508B2 (ja) | 2017-08-04 | 2017-08-04 | セラミックス回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017151892A JP7369508B2 (ja) | 2017-08-04 | 2017-08-04 | セラミックス回路基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019033131A true JP2019033131A (ja) | 2019-02-28 |
JP7369508B2 JP7369508B2 (ja) | 2023-10-26 |
Family
ID=65524376
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017151892A Active JP7369508B2 (ja) | 2017-08-04 | 2017-08-04 | セラミックス回路基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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