JP2018205633A - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 表示品位を改善することを可能とする。【解決手段】 カバー部材と、第1絶縁基板と、前記第1絶縁基板と前記カバー部材との間に位置し、前記第1絶縁基板と対向する第2絶縁基板と、前記第2絶縁基板上に形成され、前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間を保持するスペーサと、前記第2絶縁基板において、前記スペーサよりも前記カバー部材側に設けられた磁性体層と、を備える表示装置。【選択図】 図1
Description
本発明の実施形態は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
表示装置は、第1基板と第2基板との間にスペーサを有する表示パネルと、カバー部材とを貼り合わせて構成されている。貼り合わせる工程において、表示パネルは、カバー部材に押し当てられて、接着される。このとき、スペーサと配向膜とが擦れ合い、配向膜を損傷するおそれがある。配向膜の損傷個所では、液晶分子の配向が乱れ、光漏れに起因したコントラスト比の低下を招くおそれがある。
本実施形態の目的は、表示品位を改善することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。
一実施形態によれば、カバー部材と、第1絶縁基板と、前記第1絶縁基板と前記カバー部材との間に位置し、前記第1絶縁基板と対向する第2絶縁基板と、前記第2絶縁基板上に形成され、前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間を保持するスペーサと、前記第2絶縁基板において、前記スペーサよりも前記カバー部材側に設けられた磁性体層と、を備える、表示装置。
一実施形態によれば、第1絶縁基板と、前記第1絶縁基板と対向する第2絶縁基板と、前記第2絶縁基板上に形成され、前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間を保持するスペーサと、前記第2絶縁基板に設けられた磁性体層とを有する表示パネルを備える表示装置の製造方法であって、前記第2絶縁基板に対向する位置にカバー部材を配置し、前記表示パネルを前記カバー部材に近づけ、磁力により前記カバー部材に前記表示パネルを引き付けて取り付ける、表示装置の製造方法。
以下、実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
実施形態においては、電子機器の一例として表示装置を開示する。この表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブックタイプのパーソナルコンピュータ、ゲーム機器、VR(Virtual Reality)ビュアー等の種々の装置に用いることができる。以下で、表示装置DSPを液晶表示装置として説明する。
図1は、第1実施形態の表示装置DSPを構成する表示パネルPNLの構成及び等価回路を示す図である。以下で、表示パネルPNLをフレキシブルタイプの表示パネルとして説明する。なお、表示パネルPNLは、フレキシブルタイプでなくともよい。
ここで、図1では、互いに交差する第1方向X及び第2方向Yで規定されるX−Y平面における表示パネルPNLの平面図を示している。なお、図示した例では、第1方向X及び第2方向Yは、互いに直交しているが、90°以外の角度で交差していてもよい。以下で、第3方向Zを示す矢印の先端の向かう方向を上と定義し、矢印の先端と逆方向を下と定義する。「第1部材の上の第2部材」及び「第1部材の下の第2部材」とした場合、第2部材は、第1部材に接していてもよく、又は第1部材から離れて位置していてもよい。また、第3方向Zにおいて上から第1方向X及び第2方向Yによって規定されるX−Y平面に向かってみることを平面視という。
ここで、図1では、互いに交差する第1方向X及び第2方向Yで規定されるX−Y平面における表示パネルPNLの平面図を示している。なお、図示した例では、第1方向X及び第2方向Yは、互いに直交しているが、90°以外の角度で交差していてもよい。以下で、第3方向Zを示す矢印の先端の向かう方向を上と定義し、矢印の先端と逆方向を下と定義する。「第1部材の上の第2部材」及び「第1部材の下の第2部材」とした場合、第2部材は、第1部材に接していてもよく、又は第1部材から離れて位置していてもよい。また、第3方向Zにおいて上から第1方向X及び第2方向Yによって規定されるX−Y平面に向かってみることを平面視という。
表示パネルPNLは、第1基板SUB1と、第1基板SUB1と対向する第2基板SUB2と、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間に保持された液晶層LCと、を備えている。第1基板SUB1と第2基板SUB2とは、これらの間に所定のセルギャップを形成した状態で、シール材SLによって貼り合わせられている。液晶層LCは、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間のセルギャップにおいてシール材SLによって囲まれた内側に保持されている。表示パネルPNLは、シール材SLによって囲まれた内側に画像を表示する表示領域DAを有している。表示領域DAは、例えば、略長方形状であり、マトリクス状に配置された複数の画素PXは、表示領域DAに位置している。なお、表示領域DAは、他の多角形状であっても良いし、そのエッジが曲線状に形成されていても良い。また、表示パネルPNLは、表示領域DAの外側に非表示領域NDAを有している。なお、第2基板SUB2は、平面視で表示領域DAと重なる領域である光透過領域TAと、平面視で非表示領域NDAと重なる領域である非透過領域NTAとを有している。ここで、光透過領域TAにおいては、配線等の遮光性を有する部材が配置されていても良い。
第1基板SUB1は、表示領域DAにおいて、第1方向Xに沿って延出した走査線G、第2方向Yに沿って延出した信号線S、各画素PXにおいて走査線G及び信号線Sと電気的に接続されたスイッチング素子SW、各画素PXにおいてスイッチング素子SWと電気的に接続された画素電極PEなどを備えている。本実施形態において、第1基板SUB1は、共通電極CEを備えている。
表示パネルPNLは、その背面側に配置されたバックライトユニットからの光を選択的に透過することによって画像を表示する透過型パネルとして構成されても良いし、表示パネルPNLに入射する外光を選択的に反射することによって画像を表示する反射型パネルとして構成されても良いし、透過型及び反射型を組み合わせた半透過型パネルとして構成されても良い。
駆動ICチップ2及びフレキシブル・プリンテッド・サーキット(FPC)基板3などの表示パネルPNLの駆動に必要な信号供給源は、非表示領域NDAに位置している。図示した例では、駆動ICチップ2及びFPC基板3は、第2基板SUB2の1つの基板側縁SUB2eよりも外側に延出した第1基板SUB1の実装部MTに実装されている。実装部MTは、第1基板SUB1の1つの基板側縁SUB1eに沿って形成されている。図示した例では、基板側縁SUB1e及びSUB2eは、第1方向Xに沿って互いに略平行に形成されている。図示していないが、第1基板SUB1は、実装部MTに信号供給源を接続するための接続端子(以下、パッドと称する)を備えている。パッドには、上記の走査線Gや信号線Sなどと電気的に接続されたものが含まれる。なお、図示した例では、第2基板SUB2の他の3つの基板側縁は、第1基板SUB1の他の3つの基板側縁と対向している。
シール材SLは、非表示領域NDAに配置され、表示領域DAを取り囲んでいる。図示した例では、シール材SLは、枠状に形成されている。
シール材SLは、非表示領域NDAに配置され、表示領域DAを取り囲んでいる。図示した例では、シール材SLは、枠状に形成されている。
図2は、第3方向Zの上側から第1基板SUB1を見たときの構成例を示す平面図である。図示した例は、横電界を利用する表示モードの一つであるFFS(Fringe Field Switching)モードが適用された例に相当する。第1基板SUB1は、走査線G(G1、G2、G3…)、信号線S(S1、S2、S3、S4、S5…)、スイッチング素子SW(SW1、SW2、SW3…)、及び画素電極PE(PE1、PE2、PE3…)などを備えている。なお、一例では、第1基板SUB1は共通電極を備えているが、ここでは共通電極の図示を省略する。
走査線G(G1、G2、G3…)は、第2方向Yに間隔をおいて配置され、それぞれ第1方向Xに沿って延出している。信号線S(S1、S2、S3、S4、S5…)は、第1方向Xに間隔をおいて配置され、それぞれ第2方向Yに沿って延出している。走査線G及び信号線Sは、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、銀(Ag)、モリブデン(Mo、タングステン(W)、銅(Cu)、クロム(Cr)などの金属材料や、これらの金属材料を組み合せた合金などによって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。一例では、画素PX(PX1、PX2、PX3、PX4、PX5、PX6、PX7、PX8…)は、走査線Gと信号線Sとで囲われている領域に相当し、第1方向Xに沿った長さが第2方向Yに沿った長さよりも短い長方形状である。図示した例では、画素PX1は、走査線G1及びG2と信号線S1及びS2とが成すマス目の領域に相当している。以下で、説明の便宜上、画素PX1を用いて説明するが、画素PX2乃至PX8も画素PX1と同様の構成が適用できる。なお、画素PXの形状は、長方形状に限らず、適宜に変更することが可能である。
スイッチング素子SWは、半導体層SCを備えている。図2において、スイッチング素子SWは、ダブルゲート構造を有している。スイッチング素子SWは、走査線G及び信号線Sに電気的に接続されている。一例ではスイッチング素子SW1は、半導体層SC1を備えている。スイッチング素子SW1は、走査線G2及び信号線S1と電気的に接続されている。
スイッチング素子SWは、半導体層SCを備えている。図2において、スイッチング素子SWは、ダブルゲート構造を有している。スイッチング素子SWは、走査線G及び信号線Sに電気的に接続されている。一例ではスイッチング素子SW1は、半導体層SC1を備えている。スイッチング素子SW1は、走査線G2及び信号線S1と電気的に接続されている。
半導体層SCは、その一部分が信号線Sと重なるように配置され、他の部分が隣接する2つの信号線Sの間に延出し、略U字状に形成されている。半導体層SCは、コンタクトホールCHを介して信号線Sに電気的に接続されている。半導体層SCは、例えば、多結晶シリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンや酸化物半導体によって形成されていても良い。一例では、半導体層SC1は、その一部分が信号線S1と重なるように配置され、他の部分が信号線S1及びS2の間に延出している。半導体層SC1は、コンタクトホールCH11を介して信号線S1に接続されている。
画素電極PEは、隣接する2つの走査線の間、且つ隣接する2つの信号線Sの間に配置されている。画素電極PEは、主電極部PA及びコンタクト部PBを備えている。主電極部PA及びコンタクト部PBは、一体的あるいは連続的に形成され、互いに電気的に接続されている。画素電極PEは、コンタクトホールCHを介してドレイン層DRに電気的に接続されている。ドレイン層DRは、スイッチング素子SWと電気的に接続されている。ドレイン層DRは、例えば、信号線Sと同一材料によって形成されている。なお、スイッチング素子SWは、ドレイン層DRを含んでいてもよい。
一例では、画素電極PE1は、コンタクト部PB1から走査線G1に向かって延出した2本の主電極部PA1を備えている。主電極部PA1は、それぞれ第2方向Yに沿って直線的に延出している。2本の主電極部PA1は、間隔をおいて第1方向Xに並び、それぞれ第1方向Xに沿って略同一の幅を有する帯状に形成されている。コンタクト部PB1において、画素電極PE1は、コンタクトホールCH12を介してスイッチング素子SW1に電気的に接続されたドレイン層DR1にコンタクトホールCH13を介して電気的に接続される。言い換えると、画素電極PE1は、コンタクトホールCH13を介してスイッチング素子SW1に電気的に接続されている。
なお、画素電極PEの形状は、図示した例に限定されるものではなく、画素PXの形状などに合わせて適宜変更することができる。例えば、画素電極PEは、第1方向X及び第2方向Yと交差する斜め方向に延出し、主電極部PAが斜め方向に延出していても良い。
図3は、第3方向Zの上側から第2基板SUB2を見たときの構成例を示す平面図である。
第2基板SUB2は、遮光層BM、及びカラーフィルタCFを備えている。
遮光層BMは、遮光性を有し、且つ磁性体材料(磁性体層)を含んでいる。遮光層BMは、強磁性体材料、例えば、鉄、コバルト、及びニッケル、これらを主成分とする合金、又は、これらを組み合わせた合金等を含んでいる。なお、遮光層BMは、全部が磁性体材料で構成されていてもよい。
第2基板SUB2は、遮光層BM、及びカラーフィルタCFを備えている。
遮光層BMは、遮光性を有し、且つ磁性体材料(磁性体層)を含んでいる。遮光層BMは、強磁性体材料、例えば、鉄、コバルト、及びニッケル、これらを主成分とする合金、又は、これらを組み合わせた合金等を含んでいる。なお、遮光層BMは、全部が磁性体材料で構成されていてもよい。
図示した例では、遮光層BMは、格子状に形成されている。なお、遮光層BMは、はしご状やストライプ状などの格子状以外の構成であっても良い。例えば、遮光層BMは、縦部分BMYと、横部分BMXとを備えている。縦部分BMYは、間隔をおいて第1方向Xに並び、第2方向Yに延出している。平面視した場合、縦部分BMYは、信号線Sと重なっている。図示した例では、縦部分BMY1と重なる信号線S1と、縦部分BMY2と重なる信号線S2とを図示し、その他の信号線については図示を省略している。縦部分BMYは、第1方向Xにほぼ一定の幅を有する帯状に形成されている。横部分BMXは、間隔をおいて第2方向Yに並び、第1方向Xに延出している。横部分BMXは、平面視した場合、走査線G、スイッチング素子SWなどの配線部と重なっている。図示した例では、横部分BMX2と重なる走査線G2、スイッチング素子SW1及びSW2を図示し、その他の走査線、スイッチング素子の図示を省略している。横部分BMXは、第2方向Yにほぼ一定の幅を有する帯状に形成されている。縦部分BMYと横部分BMXとは、平面視した場合、交差している。図示した例では、縦部分BMYと横部分BMXとは、平面視した場合、十字状に交差している。なお、縦部分BMYと横部分BMXとは、平面視した場合、T字状、又はY字状に交差していてもよい。以下で、X―Y平面においてほぼ一定の幅で延出する縦部分BMY及び横部分BMXが交差する領域を非拡張部分ISと定義する。また、X−Y平面において縦部分BMY及び横部分BMXが交差し、且つ非拡張部分ISよりも大きい面積を有する領域を拡張部分EISと定義する。
拡張部分EISは、平面視した場合、メインスペーサ(以下、単に、スペーサと称する)MSPと重なっている。図示した例では、拡張部分EISは、平面視した場合、縦部分BMY2と横部分BMX2とが交差する位置に位置し、スペーサMSPと重なっている。
スペーサMSPは、平面視した場合、第1方向Xにおいて2つの隣接するコンタクトホールCH13及びCH23の間に位置している。なお、図示していないが、平面視した場合、サブスペーサが、非拡張部分ISに重なる位置に位置していてもよい。メインスペーサとは、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間に所定のセルギャップを形成するために、第1基板SUB1及び第2基板SUB2の双方に接触しているものである。サブスペーサとは、メインスペーサよりも小さく、第1基板SUB1及び第2基板SUB2のいずれか一方に接触しているものである。
開口部OPは、遮光層BMによって区画され、表示に寄与する領域である。開口部OPは、X―Y平面上にマトリクス状に並んでいる。一例では、開口部OPは、開口部OP1、OP2、OP3、OP4、OP5、OP6、OP7、及びOP8を有している。
カラーフィルタCFは、開口部OPと重畳するように設けられている。カラーフィルタCFは、第1色のカラーフィルタCF1と、第2色のカラーフィルタCF2と、第3色のカラーフィルタCF3とを備えている。第1色、第2色、及び、第3色は、互いに異なる色である。一例では、カラーフィルタCF1は、赤色カラーフィルタであり、カラーフィルタCF2は、緑色カラーフィルタであり、カラーフィルタCF3は、青色カラーフィルタである。
カラーフィルタCFは、開口部OPと重畳するように設けられている。カラーフィルタCFは、第1色のカラーフィルタCF1と、第2色のカラーフィルタCF2と、第3色のカラーフィルタCF3とを備えている。第1色、第2色、及び、第3色は、互いに異なる色である。一例では、カラーフィルタCF1は、赤色カラーフィルタであり、カラーフィルタCF2は、緑色カラーフィルタであり、カラーフィルタCF3は、青色カラーフィルタである。
図示した例では、開口部OP1、OP4、OP5、及びOP8は、カラーフィルタCF1を有し、開口部OP2及びOP6は、カラーフィルタCF2を有し、開口部OP3及びOP7は、カラーフィルタCF3を有している。
図示した例では、カラーフィルタCF1、CF2、及びCF3は、この順に第1方向Xに繰り返し配置されている。また、カラーフィルタCF1、CF2、CF3は、それぞれ、第2方向Yに沿って配置されている。言い換えると、カラーフィルタCF1、CF2、CF3は、それぞれ第2方向Yに帯状に形成されている。なお、カラーフィルタCF1乃至CF3の色の組み合せは、前述した例に限定されるものではない。また、カラーフィルタCFは、白色カラーフィルタを有していてもよい。この場合、第1方向Xにおいて、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタをそれぞれ有する3つの開口部に白色カラーフィルタを有する開口部が追加されても良い。この白色カラーフィルタを有する開口部(白色画素)に相当する開口部には無着色の樹脂材料が配置されていても良い。
図示した例では、カラーフィルタCF1、CF2、及びCF3は、この順に第1方向Xに繰り返し配置されている。また、カラーフィルタCF1、CF2、CF3は、それぞれ、第2方向Yに沿って配置されている。言い換えると、カラーフィルタCF1、CF2、CF3は、それぞれ第2方向Yに帯状に形成されている。なお、カラーフィルタCF1乃至CF3の色の組み合せは、前述した例に限定されるものではない。また、カラーフィルタCFは、白色カラーフィルタを有していてもよい。この場合、第1方向Xにおいて、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタをそれぞれ有する3つの開口部に白色カラーフィルタを有する開口部が追加されても良い。この白色カラーフィルタを有する開口部(白色画素)に相当する開口部には無着色の樹脂材料が配置されていても良い。
図4は、図3のIV−IVにおける表示装置DSPの断面の一例を示す図である。
表示装置DSPは、カバー部材CGと、接着剤ADと、表示パネルPNLとを備えている。前述したように、表示パネルPNLは、第1基板SUB1と、第2基板SUBと、液晶層LCとを備えている。
表示装置DSPは、カバー部材CGと、接着剤ADと、表示パネルPNLとを備えている。前述したように、表示パネルPNLは、第1基板SUB1と、第2基板SUBと、液晶層LCとを備えている。
第1基板SUB1は、第1絶縁基板10、第1絶縁膜11、第2絶縁膜12、第3絶縁膜13、第4絶縁膜14、第5絶縁膜15、信号線S1乃至S4、共通電極CE、画素電極PE1乃至PE3、第1配向膜AL1などを備えている。例えば、第1絶縁膜11、第2絶縁膜12、第3絶縁膜13、及び第5絶縁膜15は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの無機絶縁膜である。例えば、第4絶縁膜14は、アクリル樹脂などの有機絶縁膜である。なお、第1絶縁膜11、第2絶縁膜12、第3絶縁膜13、及び第5絶縁膜15は、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。
第1絶縁基板10は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する基板である。一例として、第1絶縁基板10は、可撓性を有するフレキシブル基板である。例えば、第1絶縁基板10は、ポリイミド等の樹脂基板である。第1絶縁膜11は、第1絶縁基板10の上に位置している。第2絶縁膜12は、第1絶縁膜11の上に位置している。第3絶縁膜13は、第2絶縁膜12の上に位置している。
信号線S1乃至S4は、第3絶縁膜13の上に位置し、第4絶縁膜14によって覆われている。図示した例では、信号線S1乃至S4は、第3絶縁膜13の上で、離間して配置されている。
信号線S1乃至S4は、第3絶縁膜13の上に位置し、第4絶縁膜14によって覆われている。図示した例では、信号線S1乃至S4は、第3絶縁膜13の上で、離間して配置されている。
共通電極CEは、第4絶縁膜14の上に位置している。第5絶縁膜15は、共通電極CEの上に位置している。画素電極PE1乃至PE3は、第5絶縁膜15の上に位置し、第1配向膜AL1によって覆われている。画素電極PE1乃至PE3は、第5絶縁膜15を介して共通電極CEと対向している。共通電極CE及び画素電極PEは、インジウム・ティン・オキサイド(ITO)やインジウム・ジンク・オキサイド(IZO)などの透明な導電材料によって形成されている。図示した例では、画素電極PE1乃至PE3は、第5絶縁膜15の上で位置している。また、画素電極PE1乃至PE3は、第1方向Xにおいて離間して配置されている。第1配向膜AL1は、第5絶縁膜15及び画素電極PEの上に位置している。図示した例では、第1配向膜AL1は、第5絶縁膜15及び画素電極PE1乃至PE3の上に位置している。
第2基板SUB2は、第2絶縁基板20、遮光層BM、カラーフィルタCF、オーバーコート層OC、第2配向膜AL2などを備えている。図示した例では、第2基板SUB2は、第1基板SUB1の上に位置し、第1基板SUB1と対向している。
第2絶縁基板20は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する基板である。一例として、第2絶縁基板20は、可撓性を有するフレキシブル基板である。例えば、第2絶縁基板20は、ポリイミド等の樹脂基板である。第2絶縁基板20は、第1基板SUB1と対向する第1面20A及びカバー部材CGと対向する第2面20Bを有している。
遮光層BMは、第2絶縁基板20の下に位置し、カラーフィルタCFによって覆われている。つまり、遮光層BMは、第2絶縁基板20の第1面20A側に位置している。また、遮光層BMの縦部分BMYは、信号線Sの直上に位置している。図示した例では、縦部分BMY1乃至BMY4は、それぞれ、信号線S1乃至S4の直上に位置している。
第2絶縁基板20は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する基板である。一例として、第2絶縁基板20は、可撓性を有するフレキシブル基板である。例えば、第2絶縁基板20は、ポリイミド等の樹脂基板である。第2絶縁基板20は、第1基板SUB1と対向する第1面20A及びカバー部材CGと対向する第2面20Bを有している。
遮光層BMは、第2絶縁基板20の下に位置し、カラーフィルタCFによって覆われている。つまり、遮光層BMは、第2絶縁基板20の第1面20A側に位置している。また、遮光層BMの縦部分BMYは、信号線Sの直上に位置している。図示した例では、縦部分BMY1乃至BMY4は、それぞれ、信号線S1乃至S4の直上に位置している。
カラーフィルタCFは、第2絶縁基板20及び遮光層BMの下に位置している。カラーフィルタCFの一部は、遮光層BMの下に重なっている。カラーフィルタCFは、画素電極PEの直上に位置している。図示した例では、カラーフィルタCF1乃至CF3は、それぞれ、画素電極PE1乃至PE3の直上に位置している。オーバーコート層OCは、カラーフィルタCFの下に位置している。第2配向膜AL2は、オーバーコート層OCの下に位置している。
なお、遮光層BMは、カラーフィルタCFとオーバーコート層OCとの間、あるいは、オーバーコート層OCと第2配向膜AL2との間に配置されても良い。また、カラーフィルタCFは、第1基板SUB1に配置されても良い。この場合、第2絶縁基板20の下には、カラーフィルタCFを配置せずに、オーバーコート層OCが配置されても良い。
なお、遮光層BMは、カラーフィルタCFとオーバーコート層OCとの間、あるいは、オーバーコート層OCと第2配向膜AL2との間に配置されても良い。また、カラーフィルタCFは、第1基板SUB1に配置されても良い。この場合、第2絶縁基板20の下には、カラーフィルタCFを配置せずに、オーバーコート層OCが配置されても良い。
第1配向膜AL1と第2配向膜AL2との間には、図3で示したスペーサMSPによって所定のセルギャップが形成される。セルギャップは、例えば2〜5μmである。第1基板SUB1及び第2基板SUB2は、所定のセルギャップが形成された状態でシール材によって貼り合わせられている。
液晶層LCは、第1基板SUB1及び第2基板SUB2の間に位置し、第1配向膜AL1と第2配向膜AL2との間に保持されている。液晶層LCは、液晶分子を含んでいる。このような液晶層LCは、ポジ型(誘電率異方性が正)の液晶材料、あるいは、ネガ型(誘電率異方性が負)の液晶材料によって構成されている。
液晶層LCは、第1基板SUB1及び第2基板SUB2の間に位置し、第1配向膜AL1と第2配向膜AL2との間に保持されている。液晶層LCは、液晶分子を含んでいる。このような液晶層LCは、ポジ型(誘電率異方性が正)の液晶材料、あるいは、ネガ型(誘電率異方性が負)の液晶材料によって構成されている。
上記のような構成の表示パネルPNLに対して、第1基板SUB1の下には、第1偏光板PL1を含む第1光学素子OD1が配置されている。また、第2基板SUB2の上には、第2偏光板PL2を含む第2光学素子OD2が配置されている。図示した例では、第1光学素子OD1は、第1絶縁基板10の下に配置され、第2光学素子OD2は、第2絶縁基板20の上に配置されている。一例では、第1偏光板PL1及び第2偏光板PL2は、それぞれの吸収軸がX−Y平面において互いに直交するように配置されている。なお、第1光学素子OD1及び第2光学素子OD2は、必要に応じて、1/4波長板や1/2波長板などの位相差板、散乱層、反射防止層などを備えていても良い。
カバー部材CGは、第2基板SUB2の上に位置している。カバー部材CGは、例えばガラス製であるが、樹脂製であってもよい。カバー部材CGは、第2基板SUB2と接着剤ADで接着されている。図示した例では、カバー部材CGは、第2光学素子OD2の上に接着剤ADで接着されている。なお、カバー部材CGと第2光学素子OD2との間には、接着剤AD以外にいくつかの層が配置されていてもよい。
このような構成例の表示装置DSPにおいては、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成されていないオフ状態において、液晶層LCに含まれる液晶分子は、第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2の間で所定の方向に初期配向している。このようなオフ状態では、バックライトユニットBLから表示パネルPNLに向けて照射された光は、第1光学素子OD1及び第2光学素子OD2によって吸収され、暗表示となる。一方、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成されたオン状態においては、液晶分子は、電界により初期配向方向とは異なる方向に配向し、その配向方向は電界によって制御される。このようなオン状態では、バックライトユニットBLからの光の一部は、第1光学素子OD1及び第2光学素子OD2を透過し、明表示となる。
図5は、図3のV−Vにおける表示装置DSPの断面の一例を示す図である。
半導体層SC1乃至SC3は、それぞれ、第1絶縁膜11と第2絶縁膜12との間に位置している。半導体層SC1乃至SC3は、第1絶縁膜11の上で離間して配置されている。
半導体層SC1乃至SC3は、それぞれ、第1絶縁膜11と第2絶縁膜12との間に位置している。半導体層SC1乃至SC3は、第1絶縁膜11の上で離間して配置されている。
画素電極PE1は、コンタクトホールCH13を介してドレイン層DR1に電気的に接続されている。ドレイン層DR1は、図2に示したコンタクトホールCH12を介してスイッチング素子SW1と電気的に接続されている。言い換えると、画素電極PE1は、CH13を介してスイッチング素子SW1に接続されている。また、画素電極PE2は、コンタクトホールCH23を介してドレイン層DR2に電気的に接続されている。ドレイン層DR2は、図2に示したコンタクトホールCH22を介してスイッチング素子SW2と電気的に接続されている。言い換えると、画素電極PE2は、コンタクトホールCH23を介してスイッチング素子SW2に接続されている。
スペーサMSPは、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間に位置している。スペーサMSPは、第1基板SUB1及び第2基板SUB2を支持し、第1基板SUB1及び第2基板SUB2の間に所定のセルギャップを形成する。図示した例では、スペーサMSPは、オーバーコート層OCの下に形成され、第2配向膜AL2によって覆われている。スペーサMSPは、下に向かって先細るテーパ形状を有している。スペーサMSPの下の先端部は、例えば、第1配向膜AL1に接触している。
図6は、第1実施形態に係る表示パネルPNLのカバー部材CGへの取り付けの概念を説明する断面図である。
チャンバCBは、例えば、磁気発生部EMを備えている。磁気発生部EMは、例えば、電磁石で構成されている。チャンバCBは、例えば、メカニカルチャック等でカバー部材CGを支持している。表示パネルPNLは、カバー部材CGに対向するように配置されている。チャンバCBは、磁気発生部EMで発生する磁力により、磁性体材料を含む表示パネルPNLをカバー部材CG側に引き付ける。このため、磁性体材料は、磁気発生部EMのより近くに配置している方が良く、スペーサMSPよりもカバー部材CG側に位置していることが好ましい。例えば、磁性体材料は、第1基板SUB1よりも磁気発生部EMに近くに配置された第2基板SUB2に設けられている。図示した例では、遮光層BMが磁性体材料を含んでいるため、表示パネルPNLがカバー部材CGに引き付けられやすい。また、スペーサMSPは、第2基板SUB2側に形成されているため、第1配向膜AL1に押圧されない。そのため、磁気発生部EMで発生する磁力により表示パネルPNLをカバー部材CGに取り付ける場合、表示パネルPNLにおいて、スペーサMSPと第1配向膜AL1との擦れ合いが抑制される。
チャンバCBは、例えば、磁気発生部EMを備えている。磁気発生部EMは、例えば、電磁石で構成されている。チャンバCBは、例えば、メカニカルチャック等でカバー部材CGを支持している。表示パネルPNLは、カバー部材CGに対向するように配置されている。チャンバCBは、磁気発生部EMで発生する磁力により、磁性体材料を含む表示パネルPNLをカバー部材CG側に引き付ける。このため、磁性体材料は、磁気発生部EMのより近くに配置している方が良く、スペーサMSPよりもカバー部材CG側に位置していることが好ましい。例えば、磁性体材料は、第1基板SUB1よりも磁気発生部EMに近くに配置された第2基板SUB2に設けられている。図示した例では、遮光層BMが磁性体材料を含んでいるため、表示パネルPNLがカバー部材CGに引き付けられやすい。また、スペーサMSPは、第2基板SUB2側に形成されているため、第1配向膜AL1に押圧されない。そのため、磁気発生部EMで発生する磁力により表示パネルPNLをカバー部材CGに取り付ける場合、表示パネルPNLにおいて、スペーサMSPと第1配向膜AL1との擦れ合いが抑制される。
図7、図8及び図9を参照して、第1実施形態に係る表示装置DSPの製造方法の一例について説明する。図7乃至図9において、カバー部材CGは、第1方向Xの両端部に湾曲している湾曲部CVを有する。図7乃至図9に示した例では、カバー部材CGは、第1方向Xに沿って全体が湾曲している。なお、表示パネルPNLは、図6に示したように、第3方向に、第1基板SUB1、スペーサMSP、及び第2基板SUB2の順に配置されている。
図7は、カバー部材CGに取り付けるために表示パネルPNLを設置した状態の一例を示す図である。図示した例では、表示パネルPNL、カバー部材CG、及びチャンバCBの順に配置されている。表示パネルPNLは、台座STの上に配置されている。接着剤ADは、表示パネルPNLの上に配置されている。チャンバCBは、表示パネルPNLに対向するようにカバー部材CGを支持している。
図7は、カバー部材CGに取り付けるために表示パネルPNLを設置した状態の一例を示す図である。図示した例では、表示パネルPNL、カバー部材CG、及びチャンバCBの順に配置されている。表示パネルPNLは、台座STの上に配置されている。接着剤ADは、表示パネルPNLの上に配置されている。チャンバCBは、表示パネルPNLに対向するようにカバー部材CGを支持している。
図8は、表示パネルPNLをカバー部材CG側に近づけた状態の一例を示す図である。例えば、台座STと表示パネルPNLとの間に配置されたクッションCUを用いて、カバー部材CG側に表示パネルPNLを持ち上げ、表示パネルPNLをカバー部材CGに近づける。クッションCUは、表示パネルPNLが第1方向Xにおいてカバー部材CGに沿って湾曲するように、表示パネルPNLを持ち上げる。
図9は、カバー部材CGに表示パネルPNLを取り付けた状態の一例を示す図である。チャンバCBは、磁気発生部EMで発生する磁力により、磁性体材料を含む遮光層BMを有する表示パネルPNLをカバー部材CG側に引き付けることで、カバー部材CGに表示パネルPNLを取り付ける。取り付け後、クッションCUによって、カバー部材CGに表示パネルPNLを押圧する。その後、例えば、紫外線等により接着剤ADを硬化させ、表示パネルPNLとカバー部材CGとを接着する。こうして、第1方向Xの両端部に湾曲している湾曲部CVを有する表示装置DSPが製造される。
なお、表示装置DSPは、湾曲部CVを有し、且つ第1方向Xに沿って湾曲しているとしたが、湾曲部CVを有していなくともよい。例えば、表示装置DSPは、第1方向Xに沿って平坦であってもよい。
第1実施形態によれば、表示装置1は、磁性体材料を含む遮光層BMを備えている。遮光層BMは、スペーサMSPよりもカバー部材CG側に位置し、スペーサMSPは第2絶縁基板20側に形成されている。そのため、表示装置1は、機械的に押圧するだけで形成される場合に比べて、スペーサMSPと第1配向膜AL1とが擦れることなく、表示パネルPNLをカバー部材CGに取り付けることができる。つまり、表示装置1は、配向膜の損傷を防止できるため、配向不良やコントラストの低下を防止できる。したがって、表示品位を改善可能な表示装置を提供することができる。
なお、遮光層BMが磁性体材料を含むとしたが、遮光層BMに限らず、スペーサMSPよりもカバー部材CG側に位置している配線等が磁性体材料を含んでいればよい。
第1実施形態によれば、表示装置1は、磁性体材料を含む遮光層BMを備えている。遮光層BMは、スペーサMSPよりもカバー部材CG側に位置し、スペーサMSPは第2絶縁基板20側に形成されている。そのため、表示装置1は、機械的に押圧するだけで形成される場合に比べて、スペーサMSPと第1配向膜AL1とが擦れることなく、表示パネルPNLをカバー部材CGに取り付けることができる。つまり、表示装置1は、配向膜の損傷を防止できるため、配向不良やコントラストの低下を防止できる。したがって、表示品位を改善可能な表示装置を提供することができる。
なお、遮光層BMが磁性体材料を含むとしたが、遮光層BMに限らず、スペーサMSPよりもカバー部材CG側に位置している配線等が磁性体材料を含んでいればよい。
次に、他の実施形態および変形例に係る表示装置について説明する。以下に説明する他の実施形態および変形例において、前述した第1実施形態と同一の部分には、同一の参照符号を付しその詳細な説明を省略あるいは簡略化し、第1実施形態と異なる部分を中心に詳細に説明する。
図10は、第2実施形態に係る表示装置DSPのセンサSSの一構成例を示す平面図である。第2実施形態に係る表示装置DSPは、センサSSを構成する電極が磁性体材料を含む点が相違する。
センサSSは、タッチ検出用のセンサである。図示した例では、センサSSは、センサ駆動電極Tx、タッチ検出用の検出電極BRx、共通電極駆動回路CD、及び検出回路RCを備えている。センサ駆動電極Txは、右下がりの斜線で示した部分に相当し、第1基板SUB1に設けられている。また、検出電極BRxは、右上がりの斜線で示した部分に相当し、第2基板SUB2に設けられている。一例では、検出電極BRxは、検出電極BRx1、BRx2、BRx3、BRx4、…、BRxn−2、BRn−1、及びBRxnを含む。平面視した場合に、センサ駆動電極Txと検出電極BRxとは、交差している。検出電極BRxは、第3方向Zにおいてセンサ駆動電極Txと対向している。
センサSSは、タッチ検出用のセンサである。図示した例では、センサSSは、センサ駆動電極Tx、タッチ検出用の検出電極BRx、共通電極駆動回路CD、及び検出回路RCを備えている。センサ駆動電極Txは、右下がりの斜線で示した部分に相当し、第1基板SUB1に設けられている。また、検出電極BRxは、右上がりの斜線で示した部分に相当し、第2基板SUB2に設けられている。一例では、検出電極BRxは、検出電極BRx1、BRx2、BRx3、BRx4、…、BRxn−2、BRn−1、及びBRxnを含む。平面視した場合に、センサ駆動電極Txと検出電極BRxとは、交差している。検出電極BRxは、第3方向Zにおいてセンサ駆動電極Txと対向している。
センサ駆動電極Tx及び検出電極BRxは、表示領域DAに位置し、それらの一部が非表示領域NDAに延在している。図示した例では、センサ駆動電極Txは、間隔をおいて第1方向Xに並び、第2方向Yに延出している。検出電極BRxは、間隔をおいて第2方向Yに並び、第1方向Xに延出している。例えば、検出電極BRxの一部は、第1基板SUB1に設けられたパッドに接続され、このパッドに接続された配線を介して検出回路RCと電気的に接続されている。図示した例では、検出電極BRx1、BRx3、…、BRxn−2、及びBRxnは、それぞれ、第1基板SUB1に設けられた各パッドに接続され、各パッドに接続された各配線を介して検出回路RCと電気的に接続されている。検出電極BRx2、BRx4、…、及びBRxn−1は、ダミー配線である。なお、ダミー配線である検出電極BRx2、BRx4、…、BRxn−1を遮光層BRx2、BRx4、…、BRxn−1としてもよい。
センサ駆動電極Txは、配線を介して共通電極駆動回路CDと電気的に接続されている。センサ駆動電極Txは、共通電極CEを有する。センサ駆動電極Txは、画素電極PEとの間で電界を発生させる機能を有するとともに、検出電極BRxとの間で容量を発生させることで被検出物の位置を検出するための機能を有している。なお、センサ駆動電極Tx及び検出電極BRxの個数やサイズ、形状は特に限定されるものではなく種々変更可能である。
共通電極駆動回路CDは、表示領域DAに画像を表示する表示駆動時に、共通電極CEを含むセンサ駆動電極Txに対してコモン駆動信号を供給する。また、共通電極駆動回路CDは、センシングを行うセンシング駆動時に、センサ駆動電極Txに対してセンサ駆動信号を供給する。検出電極BRxは、センサ駆動電極Txへのセンサ駆動信号の供給に伴って、センシングに必要な検出信号(つまり、センサ駆動電極Txと検出電極BRxとの間の電極間容量の変化に基づいた信号)を検出回路RCに出力する。
なお、上記した各構成例におけるセンサSSは、一対の電極間の静電容量(上記の例ではセンサ駆動電極Txと検出電極BRxとの間の静電容量)の変化に基づいて被検出物を検出する相互容量方式に限らず、検出電極BRxの静電容量の変化に基づいて被検出物を検出する自己容量方式であっても良い。
図11は、検出電極BRxの一構成例を示す断面図である。
検出電極BRxは、遮光部SDと、配線部WRとを備えている。遮光部SDは、遮光性を有する。例えば、遮光部SDは、積層された複数の層により黒色化されていてもよい。遮光部SDは、第3方向Zにおいて配線部WRの上に位置している。配線部WRは、強磁性体材料、例えば、鉄、コバルト、及びニッケル、これらを主成分とする合金、又は、これらを組み合わせた合金等を含んでいる。なお、配線部WRは、複数の層を備えていてもよい。また、検出電極BRxは、遮光部SDを含まず、配線部WRのみで構成されていてもよいし、遮光部SDも配線部WRと同様に複数の層を備えていてもよい。なお、配線部WRは、全部が磁性体材料で構成されていてもよいし、遮光部SDの全部が磁性体材料で構成されていてもよい。
検出電極BRxは、遮光部SDと、配線部WRとを備えている。遮光部SDは、遮光性を有する。例えば、遮光部SDは、積層された複数の層により黒色化されていてもよい。遮光部SDは、第3方向Zにおいて配線部WRの上に位置している。配線部WRは、強磁性体材料、例えば、鉄、コバルト、及びニッケル、これらを主成分とする合金、又は、これらを組み合わせた合金等を含んでいる。なお、配線部WRは、複数の層を備えていてもよい。また、検出電極BRxは、遮光部SDを含まず、配線部WRのみで構成されていてもよいし、遮光部SDも配線部WRと同様に複数の層を備えていてもよい。なお、配線部WRは、全部が磁性体材料で構成されていてもよいし、遮光部SDの全部が磁性体材料で構成されていてもよい。
図12は、第3方向Zの上側から第2基板SUB2を見たときの構成例を示す平面図である。
図示した例では、カラーフィルタCF1、CF2、及びCF3は、この順に第1方向Xに繰り返し配置されている。また、カラーフィルタCF1、CF2、及びCF3は、それぞれ、第2方向Yに沿って配置されている。
図示した例では、カラーフィルタCF1、CF2、及びCF3は、この順に第1方向Xに繰り返し配置されている。また、カラーフィルタCF1、CF2、及びCF3は、それぞれ、第2方向Yに沿って配置されている。
検出電極BRxは、第2方向Yに並び、第1方向Xに延出している。平面視した場合、検出電極BRxは、走査線G、スイッチング素子SWなどの配線部などに重なっている。図示した例では、検出電極BRx2と重なる走査線G2、スイッチング素子SW1及びSW2を図示し、その他の走査線、スイッチング素子の図示を省略している。検出電極BRxは、第2方向Yにほぼ一定の幅を有する帯状に形成されている。一例では、検出電極BRxは、矩形状の板で形成されている。以下で、X−Y平面において周囲の幅より拡張された検出電極BRxの拡張部分EPと定義する。拡張部分EPは、平面視した場合、スペーサMSPと重なっている。図示した例では、拡張部分EPは、平面視した場合、信号線S2と重なる部分に位置し、スペーサMSPと重なっている。
図13は、図12のA−Aにおける表示装置DSPの断面の一例を示す図である。
第2基板SUB2は、第2絶縁基板20、検出電極BRx、カラーフィルタCF、オーバーコート層OC、第2配向膜AL2などを備えている。
検出電極BRxは、第2絶縁基板20の下に位置している。つまり、検出電極BRxは、第2絶縁基板20の第1面20A側に位置している。カラーフィルタCFは、検出電極BRxの下に位置している。オーバーコート層OCは、カラーフィルタCFの下に位置している。第2配向膜AL2は、オーバーコート層OCの下に位置している。
図示した例では、スペーサMSPは、オーバーコート層OCの下に形成されている。第2配向膜AL2は、オーバーコート層OC及びスペーサMSPを覆っている。
第2実施形態においても、前述の実施形態と同様の効果が得られる。
第2基板SUB2は、第2絶縁基板20、検出電極BRx、カラーフィルタCF、オーバーコート層OC、第2配向膜AL2などを備えている。
検出電極BRxは、第2絶縁基板20の下に位置している。つまり、検出電極BRxは、第2絶縁基板20の第1面20A側に位置している。カラーフィルタCFは、検出電極BRxの下に位置している。オーバーコート層OCは、カラーフィルタCFの下に位置している。第2配向膜AL2は、オーバーコート層OCの下に位置している。
図示した例では、スペーサMSPは、オーバーコート層OCの下に形成されている。第2配向膜AL2は、オーバーコート層OC及びスペーサMSPを覆っている。
第2実施形態においても、前述の実施形態と同様の効果が得られる。
図14は、図12のA−Aにおける変形例1に係る表示装置DSPの断面の一例を示す図である。変形例1に係る表示装置DSPは、図13に示した表示装置DSPと比べて検出電極BRxの位置が異なる点が相違する。
検出電極BRxは、第2絶縁基板20の上に位置している。つまり、検出電極BRxは、第2絶縁基板20の第2面20B側に位置している。カラーフィルタCFは、第2絶縁基板20の下に位置している。オーバーコート層OCは、カラーフィルタCFの下に位置している。第2配向膜AL2は、オーバーコート層OCの下に位置している。
図示した例では、スペーサMSPは、オーバーコート層OCの下に形成されている。第2配向膜AL2は、オーバーコート層OC及びスペーサMSPを覆っている。
検出電極BRxは、第2絶縁基板20の上に位置している。つまり、検出電極BRxは、第2絶縁基板20の第2面20B側に位置している。カラーフィルタCFは、第2絶縁基板20の下に位置している。オーバーコート層OCは、カラーフィルタCFの下に位置している。第2配向膜AL2は、オーバーコート層OCの下に位置している。
図示した例では、スペーサMSPは、オーバーコート層OCの下に形成されている。第2配向膜AL2は、オーバーコート層OC及びスペーサMSPを覆っている。
図示した例では、第2光学素子OD2は、検出電極BRxの上に配置されている。なお、第2絶縁基板20と第2光学素子OD2との間において、検出電極BRxは、第2絶縁基板20の第2面20Bに接触していてもよいし、第2光学素子OD2に接触していてもよい。
変形例1においても、前述の実施形態と同様の効果が得られる。
変形例1においても、前述の実施形態と同様の効果が得られる。
図15は、変形例2に係る表示装置DSPのセンサSSの一構成例を示す平面図である。変形例2に係る表示装置DSPは、第2実施形態と比べてセンサSSの構成が異なる点が相違する。
図示した例では、センサSSは、センサ駆動電極Tx、検出電極Rx、共通電極駆動回路CD、及び検出回路RCを備えている。検出電極Rxは、図10に示した検出電極BRxとほぼ同等の構成であるが、遮光部SDを備えていない。つまり、検出電極Rxは、図10に示した検出電極BRxの配線部WRに対応する。検出電極Rxは、第2方向Yの幅が検出電極BRxの第2方向Yの幅よりも大きくてもよい。例えば、検出電極Rxは、微細な金属細線の集合体によって形成されていてもよい。一例では、検出電極Rxは、メッシュ状に形成されている。検出電極Rxは、磁性体層を含む。検出電極Rxは、磁性体材料、例えば、鉄、コバルト、及びニッケル、これらを主成分とする合金、又はこれらを組み合わせた合金等を含んでいる。
図示した例では、センサSSは、センサ駆動電極Tx、検出電極Rx、共通電極駆動回路CD、及び検出回路RCを備えている。検出電極Rxは、図10に示した検出電極BRxとほぼ同等の構成であるが、遮光部SDを備えていない。つまり、検出電極Rxは、図10に示した検出電極BRxの配線部WRに対応する。検出電極Rxは、第2方向Yの幅が検出電極BRxの第2方向Yの幅よりも大きくてもよい。例えば、検出電極Rxは、微細な金属細線の集合体によって形成されていてもよい。一例では、検出電極Rxは、メッシュ状に形成されている。検出電極Rxは、磁性体層を含む。検出電極Rxは、磁性体材料、例えば、鉄、コバルト、及びニッケル、これらを主成分とする合金、又はこれらを組み合わせた合金等を含んでいる。
図16は、図15に示した変形例2に係る表示装置DSPの断面の一例を示す図である。
第2基板SUB2は、検出電極Rx、第2絶縁基板20、遮光層BM、カラーフィルタCF、オーバーコート層、第2配向膜AL2などを備えている。
検出電極Rxは、第2絶縁基板20の上に位置している。つまり、検出電極Rxは、第2絶縁基板20の第2面20B側に位置している。遮光層BMは、第2絶縁基板20の下に位置している。つまり、遮光層BMは、第2絶縁基板20の第1面20A側に位置している。カラーフィルタCFは、遮光層BMの下に位置している。図示した例では、スペーサMSPは、オーバーコート層OCの下に形成され、第2配向膜AL2によって覆われている。なお、遮光層BMは、磁性体層を含んでいてもよい。
第2基板SUB2は、検出電極Rx、第2絶縁基板20、遮光層BM、カラーフィルタCF、オーバーコート層、第2配向膜AL2などを備えている。
検出電極Rxは、第2絶縁基板20の上に位置している。つまり、検出電極Rxは、第2絶縁基板20の第2面20B側に位置している。遮光層BMは、第2絶縁基板20の下に位置している。つまり、遮光層BMは、第2絶縁基板20の第1面20A側に位置している。カラーフィルタCFは、遮光層BMの下に位置している。図示した例では、スペーサMSPは、オーバーコート層OCの下に形成され、第2配向膜AL2によって覆われている。なお、遮光層BMは、磁性体層を含んでいてもよい。
図示した例では、第2光学素子OD2は、検出電極Rxの上に配置されている。なお、第2絶縁基板20と第2光学素子OD2との間において、検出電極Rxは、第2絶縁基板20の第2面20Bに接触していてもよいし、第2光学素子OD2に接触していてもよい。
変形例2によれば、前述の実施形態と同様の効果が得られる。
変形例2によれば、前述の実施形態と同様の効果が得られる。
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
DSP…表示装置 PNL…表示パネル SUB1…第1基板 SUB2…第2基板
BL…照明装置 DA…表示領域 NDA…非表示領域
G…走査線 S…信号線 SW…スイッチング素子 PE…画素電極
CE…共通電極 BM…遮光層 CF…カラーフィルタ MSP…メインスペーサ
SS…センサ Tx…センサ駆動電極 BRx、Rx…検出電極
CD…共通電極駆動回路 RC…検出回路
BL…照明装置 DA…表示領域 NDA…非表示領域
G…走査線 S…信号線 SW…スイッチング素子 PE…画素電極
CE…共通電極 BM…遮光層 CF…カラーフィルタ MSP…メインスペーサ
SS…センサ Tx…センサ駆動電極 BRx、Rx…検出電極
CD…共通電極駆動回路 RC…検出回路
Claims (11)
- カバー部材と、
第1絶縁基板と、
前記第1絶縁基板と前記カバー部材との間に位置し、前記第1絶縁基板と対向する第2絶縁基板と、
前記第2絶縁基板上に形成され、前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間を保持するスペーサと、
前記第2絶縁基板において、前記スペーサよりも前記カバー部材側に設けられた磁性体層と、を備える、表示装置。 - さらに、前記第2絶縁基板は、遮光層と、カラーフィルタと、を備え、
前記磁性体層は、前記遮光層である、請求項1に記載の表示装置。 - さらに、前記第2絶縁基板は、タッチ検出用の検出電極を備え、
前記磁性体層は、前記検出電極である、請求項1に記載の表示装置。 - 前記磁性体層は、平面視した場合、第1方向に延出し、前記第1方向と交差する第2方向に配列されている、請求項3に記載の表示装置。
- 前記第1絶縁基板及び前記第2絶縁基板は、フレキシブル基板である、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記カバー部材は、湾曲している湾曲部を有する請求項1乃至5のいずれか1項に記載の表示装置。
- 第1絶縁基板と、
前記第1絶縁基板と対向する第2絶縁基板と、
前記第2絶縁基板上に形成され、前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間を保持するスペーサと、
前記第2絶縁基板に設けられた磁性体層とを有する表示パネルを備える表示装置の製造方法であって、
前記第2絶縁基板に対向する位置にカバー部材を配置し、
前記表示パネルを前記カバー部材に近づけ、
磁力により前記カバー部材に前記表示パネルを引き付けて取り付ける、表示装置の製造方法。 - さらに、前記第2絶縁基板は、遮光層と、カラーフィルタと、を備え、
前記磁性体層は、前記遮光層である、請求項7に記載の表示装置の製造方法。 - さらに、前記第2絶縁基板は、タッチ検出用の検出電極を備え、
前記磁性体層は、前記検出電極である、請求項7に記載の表示装置の製造方法。 - 前記第1絶縁基板及び前記第2絶縁基板は、フレキシブル基板である、請求項7乃至9のいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。
- 前記カバー部材は、湾曲している湾曲部を有する請求項7乃至10のいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017113509A JP2018205633A (ja) | 2017-06-08 | 2017-06-08 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017113509A JP2018205633A (ja) | 2017-06-08 | 2017-06-08 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
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Family Applications (1)
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JP2017113509A Pending JP2018205633A (ja) | 2017-06-08 | 2017-06-08 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
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2017
- 2017-06-08 JP JP2017113509A patent/JP2018205633A/ja active Pending
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