JP2018177568A - 高性能・高均な大型Fe−Ga基合金単結晶の製造方法及び製造装置 - Google Patents
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- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 94
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 19
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 7
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 4
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 abstract 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004033 diameter control Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000009395 breeding Methods 0.000 description 1
- 230000001488 breeding effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007712 rapid solidification Methods 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
この合金の磁歪特性は化学組成や結晶方位に大きく依存するため、化学組成や結晶方位を厳密に制御する必要がある。
これまである組成や方位の結晶は、主に、急冷凝固法(特許文献1)、ブリッジマン法や異常粒成長法(非特許文献1、2)により作製されてきた。
特許文献2では、図2に示すように、ルツボを、外側ルツボと、該外側ルツボ内に配置された内側ルツボとからなる二重ルツボとし、該ルツボ内の原料融液に種結晶を接触させた後に、前記種結晶を引き上げて単結晶を育成させる技術が提供されている。この技術によれば、大型の結晶を、化学組成、結晶方位を精度よく、しかも、廉価に製造することが可能となる。
(1)結晶長尺化につれて結晶欠陥が入りやすい。表面に肌荒れが生じる。結晶内に空孔、異成分晶出物が入りやすい。
(2)磁歪特性に50−350ppmnのバラツキがある。
結晶咲くとき直径自動制御装置をしようしても突然制御が困難になることがある。すなわち、安定的な結晶製造にかける事がある。
Fe-Ga単結晶は固溶体単結晶なので固化率に対応して偏析により結晶組成が変化して磁歪特性が変わる。
結晶育成中に結晶重量が増すとシードが伸び、ロードセルに過信号が入り結晶直径制御が不十分である。
磁歪特性と組成に相関性があり、結晶中のGa濃度が15〜17at%の場合、磁歪特性250ppm以上が得られるが、凝固過程における偏析の発生により固化率50%を超えるとGa濃度の上昇により良好な磁歪特性を得る事が困難となる。
本発明は、長尺であっても結晶欠陥が無く、表面に肌荒れが無く、結晶内に空孔、異成分晶出物が無く、磁歪特性が従来よりも優れ、かつ組成のバラツキひいては磁歪特性のバラつきが少ない単結晶を製造することが可能な高性能・高均な大型Fe−Ga基合金単結晶の製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。
請求項2に係る発明は、成長界面と原料供給面とを隔てることを特徴とする請求項1記載の高性能・高均な大型Fe−Ga基合金単結晶の製造方法。
成長界面と原料供給面とを隔てることは、原料供給の際、成長界面への影響、Feの液化・拡散などの点から好ましい。
請求項3に係る発明は、前記ルツボを外側ルツボと内側ルツボの二重ルツボとし、内側ルツボ内に成長界面囲い、外側ルツボ内に原料供給面とする請求項2記載の高性能・高均な大型Fe−Ga基合金単結晶の製造方法。
二重ルツボすれば、シード及び育成結晶に対しての輻射を遮る効果も有する。これによりシードの伸び抑制、結晶からの熱拡散を増加させることができ、大口径結晶育成も容易となる。
請求項4に係る発明は、外側ルツボを回転させることを特徴とする請求項2又は3記載の高性能・高均な大型Fe−Ga基合金単結晶の製造方法。
外側ルツボを回転させることは、速やかに投下したFe原料の液化・拡散が行われるため好ましい。
請求項5に係る発明は、Fe原料とともにGa原料を同時に投入することを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項記載の高性能・高均な大型Fe−Ga基合金単結晶の製造方法。
Ga原料も同時に投入することにより、300mm長さ超えの長尺単結晶の作成、初期原料の減少(残原料の減少)などのコストダウンができる。
また、従来は初期投入原料を多くする必要のあった大口径結晶の育成も容易となる。
請求項6に係る発明は、
加熱室と、
前記加熱室内に設けられた外側ルツボと、
前記外側ルツボ内に設けられ、前記外側ルツボ内の融液と連通する孔を有し、
成長界面を囲うように配置された内側ルツボと、
前記外側ルツボ内壁と前記内側ルツボ外壁との間に原料投入口を有する原料連続供給装置と、
を有する高性能・高均な大型Fe−Ga基合金単結晶の製造装置。
[育成装置の形態]
図1は、本発明を実施するための第1の形態に係る単結晶引き上げ装置を説明するための図である。
本例では、加熱室と、前記加熱室内に設けられた外側ルツボと、
前記外側ルツボ内に設けられ、前記外側ルツボ内の融液と連通する孔を有し、成長界面を囲うように配置された内側ルツボと、前記外側ルツボ内壁と前記内側ルツボ外壁との間に原料投入口を有する原料連続供給装置と、を有する。
本例では、外側ルツボとしてアルミナルツボを使用している。
また、内側ルツボもアルミナルツボを使用している。
内側ルツボは外側ルツボの内側に配置されており、内側ルツボの内壁が育成面を囲っている。また、内側ルツボの底面は傾斜面となっており、底面には外側ルツボ内に保持される融液と連通する孔が設けられている。内側ルツボの底面を外側ルツボの融液に浸漬すると融液は内側ルツボの内部に導入される。内側ルツボの内壁内が育成面となる。
本例では、加熱室はカーボン断熱材400により形成されている。この加熱室内に外側ルツボと内側ルツボが配置されている。
加熱室にはさらにFe(Ga)供給装置が設けられている。
(内側ルツボ)
内側の内側ルツボ18は高融点材料からなる。アルミナが好ましい。
また、マグネシア、パイタリテックな窒化ホウ素(BN)でもよい。
内側ルツボの底面は傾斜面となっており、底面には外側ルツボ内に保持される融液と連通する孔が設けられている。内側ルツボの内壁内が育成面となる。
外側の外側ルツボ19は高融点材料からなる。アルミナが好ましい。
また、マグネシア、パイタリテックな窒化ホウ素(BN)でもよい。
外側ルツボ19は、底部を有し(有底)、底部の周縁から上方に立ち上げる側壁を有している。
外側ルツボを載置する受け台を持つルツボ支持軸500は回転、上下動可能であり、回転による溶融液の攪拌、上下動による内側ルツボ内の溶融液深さを制御することができる。
所定の量のFe原料またはFe原料及びGa原料を自動的に外ルツボ内に投下供給し、溶融液中の原料組成比を一定範囲に制御することができるとともに、長尺化、大型化用の原料追加供給装置としても使用することができる。
ルツボを、外側ルツボ(カーボンサセプタ)19と、外側ルツボ19内に配置された内側ルツボ(アルミナルツボ)18とからなる二重ルツボとし、ルツボ内の原料融液300に種結晶210を接触させた後に、種結晶210を引き上げて単結晶200を育成させる単結晶育成装置である。
内側ルツボ18の側面と外側ルツボ19の側面とは接触させて配置してもよいし、離間させて配置してもよい。離間させた方がより組成、結晶配向のばらつきの少ない単結晶が得られる。かかる観点からは、離間距離は1mm〜10mmが好ましく、2mmから5mmがより好ましい。また、内側ルツボ18の底面と外側ルツボ19の底部内面との間にはスペーサーを設けることが好ましい。
チャンバ11内に設けられた断熱材(耐火材)で形成される加熱室15と、加熱室15の内部に設けられたルツボと、加熱室15の外周に配置された加熱コイル20とを備え、前記ルツボを加熱して得られた原料融液300に種結晶210を接触させた後に、種結晶210を引き上げて単結晶200を育成させる単結晶育成装置である。
ルツボ内の原料融液300に種結晶210を接触させた後に、種結晶210を引き上げ
て単結晶200を育成させる。
前記ルツボは、原料保持用である内側ルツボ18と、内側ルツボ18の外側に間隔を置いて又は置かないで配置された外側ルツボ19とからなる単結晶育成装置である。
(内側ルツボ)
内側の内側ルツボ18は高融点材料からなる。アルミナが好ましい。
また、マグネシア、パイタリテックな窒化ホウ素(BN)でもよい。
外側ルツボ19はグラファイトから構成される。グラファイトはIrに比べてはるかに
安価である。また、高周波(RF)に対する発熱効率が極めて良好である。
外側ルツボ19は、底部を有し(有底)、底部の周縁から上方に立ち上げる側壁を有している。
外側ルツボ19の内部は、内側ルツボ18の外面全体と外側ルツボ19の内面全体が接触するように、外径、内径を適宜設定しておくことが好ましい。底部においても、外側ルツボ19の底部内面が、内側ルツボ18の底部外面と接触させ外側ルツボ19内に内側ルツボ18をスライドさせてはめ込み可能な形状としておくことが好ましい。
外側ルツボ19の内面及び内側ルツボ18の外面は鏡面仕上げしておけば、内側ルツボ18を容易に外側ルツボ19内にスライドさせて収納させることができる。
なお、図2では、内側ルツボ18と外側ルツボ19とを接触させて配置した例を示した
が、Fe0.80Ga0.20よりFeが多くなるか、Gaの置換体により所要温度が高くなる場合はカーボンとアルミナが反応するので、内側ルツボ18の側壁と外側ルツボ19の側壁とを離隔して配置した方がよい。
内径130mmのアルミナ製の坩堝に、出発原料としてFeを79at%、Gaを21at%の割合に配合した原料5000g投入した。原料を投入したアルミナ製の坩堝を前記育成炉に投入し、炉内の圧力を減圧雰囲気とし、アルゴンガスを1.0L/minの流量でフローを行った。その後、坩堝の加熱を開始し、Fe-Gaの融点に達するまで16時間かけて徐々に加熱した。その後、(100)方位に切り出した単結晶を種結晶として用い、種結晶を融液近くまで降下させた。この種結晶を毎分4.0回転の速度で回転させながら、徐々に降下させ、種結晶の先端を融液に接触させて温度を徐々に降下させながら、2.0mm/hの速度で種結晶を上昇させるとともに、坩堝を毎分2.0回転の速度で回転させながら、常に液面位置が一定となるよう最大0.39mm/hの速度で坩堝を上昇させながら結晶成長を行った。また、Fe原料を1時間当たり計6.6gとなるよう坩堝内へ投下した。
その結果、直径50mm、直胴部の長さ200mmの単結晶が得られた。得られた結晶は全部分において表面の凹凸、内部空孔が無く、磁歪特性も250ppmを超えていた。
図2に示すような炉内構造をした高周波誘導加熱式チョクラルスキー炉(CZ法)を用いてFe-Ga単結晶を育成した。
内径130mmのアルミナ製の坩堝に、出発原料としてFeを80at%、Gaを20at%の割合に配合した原料5000g投入した。原料を投入したアルミナ製の坩堝を前記育成炉に投入し、炉内の圧力を減圧雰囲気とし、アルゴンガスを1.0L/minの流量でフローを行った。その後、坩堝の加熱を開始し、Fe-Gaの融点に達するまで16時間かけて徐々に加熱した。その後、(100)方位に切り出した単結晶を種結晶として用い、種結晶を融液近くまで降下させた。この種結晶を毎分4.0回転の速度で回転させながら、徐々に降下させ、種結晶の先端を融液に接触させて温度を徐々に降下させながら、実行成長2.0mm/hの速度で種結晶を上昇させて結晶成長を行った。
その結果、直径50mm、直胴部の長さ125mmの単結晶が得られた。得られた結晶は底部から50mmの範囲において表面の凹凸、内部空孔があり、その箇所は磁歪特性も250ppmを下回っていた。
18 内側ルツボ
19 外側ルツボ
20 加熱手段(加熱コイル)
200 インゴット(単結晶)
210 種結晶
300 原料融液
400 カーボン断熱材
500 ルツボ支持軸
600 カーボンヒーター
700 自動原料供給装置
Claims (6)
- ルツボ内のFe-Ga基合金原料を融解後、結晶固化率に応じてFe原料を融液中に投入して該融液中のGa濃度を一定範囲に制御しながら引上げを行うことを特徴とする高性能・高均な大型Fe−Ga基合金単結晶の製造方法。
- 成長界面と原料供給面とを隔てることを特徴とする請求項1記載の高性能・高均な大型Fe−Ga基合金単結晶の製造方法。
- 前記ルツボを外側ルツボと内側ルツボの二重ルツボとし、内側ルツボ内に成長界面囲い、外側ルツボ内に原料供給面とする請求項2記載の高性能・高均な大型Fe−Ga基合金単結晶の製造方法。
- 外側ルツボを回転させることを特徴とする請求項2又は3記載の高性能・高均な大型Fe−Ga基合金単結晶の製造方法。
- Fe原料とともにGa原料を同時に投入することを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項記載の高性能・高均な大型Fe−Ga基合金単結晶の製造方法。
- 加熱室と、
前記加熱室内に設けられた外側ルツボと、
前記外側ルツボ内に設けられ、前記外側ルツボ内の融液と連通する孔を有し、
成長界面を囲うように配置された内側ルツボと、
前記外側ルツボ内壁と前記内側ルツボ外壁との間に原料投入口を有する原料連続供給装置と、
を有する高性能・高均な大型Fe−Ga基合金単結晶の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (1)
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JP2018177568A true JP2018177568A (ja) | 2018-11-15 |
Family
ID=64282380
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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