JP2018164111A - ナノインプリント用構造体の検査方法およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ナノインプリント用構造体の凹部形状を正確に検出する。【解決手段】ナノインプリント用接合体の検査方法は、第1面2aと第2面2bとを有し、第2面2bに凹部3が形成されたナノインプリント用基板1を準備する工程と、ナノインプリント用基板1に光を照射する工程とを備えている。ナノインプリント用基板1からの反射光に基づいて第1面2aと第2面2bの高さ位置を求め、第1面2aを基準面として第2面2bの高さ位置に基づいて凹部3の形状を求める。【選択図】図4
Description
本発明は、ナノインプリント用構造体の検査方法およびその製造方法に関する。
従来より、半導体装置、磁気記録媒装置、光学素子等を製造するために、ナノインプリント用モールドが用いられている。
このようなナノインプリント用モールドとしては、パターンが形成される第1面と、この第1面に対向する第2面とを有し、第2面に凹部が形成されたナノインプリント用構造体が知られている(特許文献1参照)。
ところでナノインプリント用モールドの第1面はパターンが形成される面であるから一般に平坦性が保たれているが、第2面に設けられた凹部の形状はバラツキが生じることがある。第2面に形成された凹部はその形状によってナノインプリント作用に影響を及ぼすことがあるが、この凹部の形状を正確に把握する技術は開発されていない。
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、第2面に形成された凹部の形状を精度良く検出することができるナノインプリント用構造体の検査方法およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、パターンが形成される第1面と、この第1面に対向する第2面とを有し、この第2面に凹部が形成されたナノインプリント用構造体を準備する工程と、前記ナノインプリント用構造体に対して光を照射して、前記ナノインプリント用構造体からの反射光に基づいて、前記第1面の高さ情報および前記第2面の高さ情報を取得する工程と、前記第1面の高さ情報と前記第2面の高さ情報に基づいて、前記第1面を基準面として前記凹部の形状を検出する工程と、を備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の検査方法である。
本発明は、前記第1面の高さ情報に基づいて、前記第2面の高さ情報を補正する工程を更に備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の検査方法である。
本発明は、パターンが形成される第1面と、この第1面に対向する第2面とを有し、この第2面に凹部が形成されたナノインプリント用構造体を準備する工程と、前記ナノインプリント用構造体に対して光を照射して、前記ナノインプリント用構造体からの反射光に基づいて、前記第1面と前記第2面との間の厚み情報を取得する工程と、前記厚み情報に基づいて、前記第1面を基準面として前記凹部の形状を検出する工程と、を備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の検査方法である。
本発明は、パターンが形成される第1面と、この第1面に対向する第2面とを有し、この第2面に凹部が形成されたナノインプリント用構造体を作製する工程と、前記ナノインプリント用構造体に対して光を照射して、前記ナノインプリント用構造体からの反射光に基づいて、前記第1面の高さ情報および前記第2面の高さ情報を取得する工程と、前記第1面の高さ情報と前記第2面の高さ情報に基づいて、前記第1面を基準面として前記凹部の形状を検出する工程と、を備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の製造方法である。
本発明は、前記第1面の高さ情報に基づいて、前記第2面の高さ情報を補正する工程を更に備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の製造方法である。
本発明は、パターンが形成される第1面と、この第1面に対向する第2面とを有し、この第2面に凹部が形成されたナノインプリント用構造体を作製する工程と、前記ナノインプリント用構造体に対して光を照射して、前記ナノインプリント用構造体からの反射光に基づいて、前記第1面と前記第2面との間の厚み情報を取得する工程と、前記厚み情報に基づいて、前記第1面を基準面として前記凹部の形状を検出する工程と、を備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の製造方法である。
以上のように本発明によれば、ナノインプリント用構造体の第2面に形成された凹部の形状を精度良く検出することができる。
<第1の実施の形態>
以下、図面を参照して本発明の第1の実施の形態について説明する。
以下、図面を参照して本発明の第1の実施の形態について説明する。
ここで図1乃至図8は、本発明の第1の実施の形態を示す図である。
まず、本発明の第1の実施形態に係るナノインプリント用構造体の検査方法について説明する。本発明の第1の実施形態に係るナノインプリント用構造体は、ナノインプリント用モールドに必要とされるパターン(例えば、凹凸パターン)が形成される前のナノインプリント用基板や、当該パターンが形成された後のナノインプリント用モールドを含む。
以下では、ナノインプリント用構造体として、ナノインプリント用基板を例に採り、図1により説明する。
以下では、ナノインプリント用構造体として、ナノインプリント用基板を例に採り、図1により説明する。
ナノインプリント用基板1は、パターンが形成される第1面2aと第1面に対向する第2面2bとを有する薄板2からなり、薄板2の第2面2bに凹部3が形成されている。この薄板2は、力が印可されると、第1面2a側または第2面2b側に撓むように構成されている。
薄板2には、特に制限はなく、例えば、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラス類、シリコン、炭化シリコン等の半導体類、更にはポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル、ポリプロピレン等の樹脂等から選択される。例えば、ナノインプリント用基板1が光ナノインプリントに使用される場合、少なくとも薄板2は上記の中の透明材料から選択され、典型的には薄板2は石英ガラスより構成される。
薄板2の第1面2aには、後述のように凹凸パターン4が形成され、薄板2の第1面2aに凹凸パターン4を形成することによりナノインプリント用モールド1Aが構成される。なお、図示しないが、ナノインプリント用基板1としての薄板2の第1面2aには、1以上の材料層が形成されていてもよい。
またこのような構成からなるナノインプリント用基板1の第1面2aに、エッチング等によって凹凸パターン4が形成されて、ナノインプリント用モールド1Aが得られる。
ナノインプリント用モールド1Aは、図8に示すように例えば被転写体8の基板8a上に塗布されたレジスト膜(UV硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂)8bに接触され、レジスト膜を硬化させた後にナノインプリント用モールド1Aを引き剥がすことにより、ナノインプリント用モールド1Aの凹凸パターン4がレジスト膜8b上に転写される。この場合、枠体3の内周側に位置する薄板2は下方(第2面2b側)へ撓み、被転写体8に対して接触する。
次に図2乃至図7によりナノインプリント用構造体の検査方法について述べる。
ここではナノインプリント用構造体としてナノインプリント用基板1を用いて検査する。
まずナノインプリント用基板1の第1面2aは凹凸パターン4の形成面となるため、平坦性を維持している。また第2面2bには凹部3が形成される。この場合、凹部3の境界から外れた領域3Aでは、凹部3の形状を探針等を用いて検出することは可能であるが、凹部3の境界近傍の領域3Bでは凹部の形状を探針等を用いて検出することはむずかしい(図2参照)。
また、ナノインプリント用基板1の第1面2aは平坦性を維持しているが、第2面2b側は凹部3が形成される面であり、平坦性は第1面2aに比べると望めない(図3参照)。
本実施の形態は、ナノインプリント用基板1のこのような特性を利用して凹部の形状を検出する。
以下、ナノインプリント用基板の検査方法について図4乃至図7(a)(b)により説明する。
まず図4および図5(a)(b)によりナノインプリント用構造体の検査装置について説明する。
ナノインプリント用構造体の検査装置10は、ナノインプリント用基板1を保持するとともにXY方向に移動可能なXYステージ12と、ナノインプリント用基板1に対して例えばレーザ光を照射する投光部13aと、ナノインプリント用基板1から反射する反射光を受光する受光部13bと、受光部13bからの信号に基づいて第1面2aの高さ情報および第2面の高さ情報を取得する高さ情報取得部15aと、高さ情報取得部15aで取得した第1面2aの高さ情報および第2面2bの高さ情報に基づいて第1面2aを基準面として凹部3の形状を検出する凹部形状検出部15bとを備えている。
このうち、高さ情報取得部15aと凹部形状検出部15bは、制御部15内に組込まれている。またXYステージ12は制御部15によりXY方向(水平方向)に駆動制御され、XYステージ12からのXY方向データは制御部15に送られる。また投光器13aおよび受光器13bは、制御部15によりZ方向(高さ方向)に駆動制御される。この場合、投光器13aから対物レンズを介して照射されたレーザ光がナノインプリント用基板1で反射して受光器13bにより受光されるが計測表面に焦点が合うように投光器13aおよび受光器13bが制御部15によりZ方向に駆動制御される。このとき投光器13aおよび受光器13bの高さデータは制御部15に送られる。
次にこのようなナノインプリント用構造体の検査方法について説明する。
まず第1面2aと第2面2bとを有し、第2面2bに凹部3が形成されたナノインプリント用基板1を作製する。この場合、第1面2aはパターンが形成される基準面となる。
ナノインプリント用基板1をXYステージ12上に載置する。
次に投光部13aから例えばレーザ光をナノインプリント用基板1に対して照射する。
投光部13aから照射された光は薄板2の第1面2aおよび第2面2bで各々で反射し、第1面2aおよび第2面2bで各々反射した反射光は受光部13bにより受光される。
投光部13aから照射された光は薄板2の第1面2aおよび第2面2bで各々で反射し、第1面2aおよび第2面2bで各々反射した反射光は受光部13bにより受光される。
次に受光部13bからの信号が検出部15に送られ、この検出部15の高さ情報取得手段15aにおいてナノインプリント用基板1の第1面2aおよび第2面2bの高さ位置が求められる。
具体的には投光器13aおよび受光器13bから反射光のXY方向位置データが制御部15に送られ、同時に計測表面に焦点が合った場合の投光器13aおよび受光器13bの高さ方向位置データが制御部15に送られる。
制御部15の高さ情報取得手段15aは、反射光のXY方向位置データと投光器13aおよび受光器13bの高さ方向位置データとに基づいて、当該XY方向位置における第1面2aと第2面2bの高さ情報を取得する。
次に制御部15によりXYステージ12をX方向およびY方向に移動させ、反射光のXY方向位置データおよび投光器13aおよび受光器13bの高さ方向位置データに基づいて、ナノインプリント用基板1の全域に渡って第1面2aおよび第2面2bの高さ位置を求めることができる。
次に高さ情報取得部15aで取得したナノインプリント用基板1の第1面2aおよび第2面2bの高さ位置に基づいて、凹部形状検出部15bにより、第1面2aを基準面として第2面2bの高さ位置により凹部3の形状を求める。図5(a)(b)に示すように、ナノインプリント用基板1のうち第2面2bに形成された凹部3の境界近傍は、探針等を用いて測定することが困難な領域3Bであるが、第1面2aを基準面として第2面2aの高さ位置を用いることにより、容易かつ確実に凹部3の形状、とりわけ凹部3の境界近傍の領域3Bの形状を求めることができる。このとき高さ位置はナノインプリント用基板1を透過した光によって求めているのだから、ナノインプリント用基板1の屈折率によって光路長を求めることで、第1面2aを基準とした時の第2面2bの高さを得ることができる。
なお、高さ情報取得部15aで取得した第1面2aと第2面2bの高さ位置に基づいて、第2面2bの高さ位置を補正部15cにより補正してもよい。また投光器13aおよび受光器13bは複数個有していても良く、一度に複数個所を同時に計測しても良い。更に高さ情報を正確にするために、計測対象物の屈折率を求める機能を有していても良い。
例えば図6(a)(b)(c)に示すように、XYステージ12の表面が傾斜している場合、第1面2aの高さ位置はわずかに傾斜して示される(図6(a)(b)参照)。このとき、補正部15cにおいて、基準面としての第1面2aの高さ位置に対応してXYステージ12の表面が傾斜しているものと判断し、第2面2bの高さ位置を第1面2aの高さ位置に基づいて補正することができる(図6(c)参照)。
次に補正部15cからの情報に基づいて、凹部形状検出部15bにより、第1面2aを基準面として第2面2bの高さ位置により凹部3の形状を求めることができる。
この場合、補正部15cにおいて、ナノインプリント用基板1の全域に渡って第1面2aの高さ位置が傾斜しているものと判断して、第2面2bの高さ位置を第1面2aの高さ位置に基づいて補正してもよく(図7(a)参照)、ナノインプリント用基板1のある領域において第1面2aの高さ位置が傾斜しているものと判断して第2面2bの高さ位置を第1面2aの高さ位置に基づいて補正してもよい(図7(b)参照)。
とりわけ第1面2aに凹凸パターン4が形成される場合、凹凸パターン4の境界の内側と外側の両方の領域において、第2面2bの高さ位置を第1面2aの高さ位置に基づいて補正することができる。このことにより、第1面2aに凹凸パターン4が形成されていても、凹凸パターン4の境界近傍において第2面2bの高さ位置を精度良く求めて、この第2面2bの高さ位置に基づいて凹部3の形状を正確に検出することができる。
あるいはまた、凹部3の境界近傍の領域3Bを正確に計測するためナノインプリント用基板1をわずかに傾斜することも考えられるが、この場合は、上述のようにナノインプリント用基板1の全域に渡って第1面2aの高さ位置が傾斜するため、補正部15cにおいて第2面2bの高さ位置を第1面2aの高さ位置に基づいて補正することができる。
以上のようにして、検査されたナノインプリント用基板1は、例えば、良品として判断された場合に、薄板2の第2面2bに凹凸パターン4が形成され、ナノインプリント用モールド1Aが作製される。
<第2の実施の形態>
次に図9乃至図12により第2の実施の形態について説明する。
次に図9乃至図12により第2の実施の形態について説明する。
図9乃至図12に示す第2の実施の形態は、光の干渉を利用してナノインプリント用基板1の第1面2aと第2面2bとの間の厚みを求め、この厚みに基づいて第1面2aを基準面として凹部3の形状を検出するものである。
すなわち、図9に示すように、投光器13aからのレーザ光が、駆動部25により駆動される可動走査手段21により走査され、このレーザ光はコリメータレンズ22を通ってナノインプリント用基板1に照射される。ナノインプリント用基板1に照射されたレーザ光は、第1面2aおよび第2面2bで反射しスクリーン23を透過した後、受光部13bに入る。受光器13bにより受光された反射光は、フリンジ26を介して制御部30の厚み情報取得部30aに送られる。
次にこの厚み情報取得部30aにおいて、第1面2aからの反射光と第2面2bからの反射光の光が干渉して干渉稿を生じさせ、この干渉稿によって第1面2aと第2面2bとの間の厚みを求める(図11参照)。
次に制御部30の凹部形状検出部30bにおいて、厚み情報取得部30aにより取得された第1面2aと第2面2bとの間の厚みに基づいて、第1面2aを基準面として凹部3の形状を求めることができる。
なお、図9において、投光器13aからナノインプリント用基板1に対して斜め方向からレーザ光が照射されているが、図10に示すように、ナノインプリント用基板1に対して投光器13aから直交する方向にレーザ光を照射してもよい。図10において、投光器13aからのレーザ光はビームスプリッタ2aおよびコリメータ22を経てナノインプリント用基板1に達する。ナノインプリント用基板1からの反射光はコリメータ22およびビームスプリッタ29を経て受光器13bに送られ、さらに受光器13bへ送られた反射光は制御部30へ送られる。
また図9において、ナノインプリント用基板1の第1面2aと第2面2bの厚みを求める前に、ナノインプリント用基板1上にプリズム31を配置し、プリズム31からの反射光と第1面2aからの反射光を受光器13bにより受光し、プリズム31からの反射光と第1面1aからの反射光の干渉を利用して厚み情報取得部30aにおいて、プリズム31と第1面2aとの間の隙間を求め、このプリズム31と第1面2aとの隙間に基づいて、基準面としての第1面2aの平坦度を予め求めておいてもよい。この第2の実施の形態の場合も、屈折率による補正や、屈折率を求めるための機能を有していても良い。
1 ナノインプリント用基板
1A ナノインプリント用モールド
2 薄板
2a 第1面
2b 第2面
3 凹部
4 凹凸パターン
8 被転写体
10 ナノインプリント用接合体の検査装置
12 XYステージ
13a 投光部
13b 受光部
15 制御部
15a 高さ情報取得部
15b 凹部形状検出部
21 可動走査手段
22 コリメータレンズ
30 制御部
30a 厚み情報取得部
30b 凹部形状検出部
31 プリズム
1A ナノインプリント用モールド
2 薄板
2a 第1面
2b 第2面
3 凹部
4 凹凸パターン
8 被転写体
10 ナノインプリント用接合体の検査装置
12 XYステージ
13a 投光部
13b 受光部
15 制御部
15a 高さ情報取得部
15b 凹部形状検出部
21 可動走査手段
22 コリメータレンズ
30 制御部
30a 厚み情報取得部
30b 凹部形状検出部
31 プリズム
Claims (6)
- パターンが形成される第1面と、この第1面に対向する第2面とを有し、この第2面に凹部が形成されたナノインプリント用構造体を準備する工程と、
前記ナノインプリント用構造体に対して光を照射して、前記ナノインプリント用構造体からの反射光に基づいて、前記第1面の高さ情報および前記第2面の高さ情報を取得する工程と、
前記第1面の高さ情報と前記第2面の高さ情報に基づいて、前記第1面を基準面として前記凹部の形状を検出する工程と、
を備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の検査方法。 - 前記第1面の高さ情報に基づいて、前記第2面の高さ情報を補正する工程を更に備えたことを特徴とする請求項1記載のナノインプリント用構造体の検査方法。
- パターンが形成される第1面と、この第1面に対向する第2面とを有し、この第2面に凹部が形成されたナノインプリント用構造体を準備する工程と、
前記ナノインプリント用構造体に対して光を照射して、前記ナノインプリント用構造体からの反射光に基づいて、前記第1面と前記第2面との間の厚み情報を取得する工程と、 前記厚み情報に基づいて、前記第1面を基準面として前記凹部の形状を検出する工程と、
を備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の検査方法。 - パターンが形成される第1面と、この第1面に対向する第2面とを有し、この第2面に凹部が形成されたナノインプリント用構造体を作製する工程と、
前記ナノインプリント用構造体に対して光を照射して、前記ナノインプリント用構造体からの反射光に基づいて、前記第1面の高さ情報および前記第2面の高さ情報を取得する工程と、
前記第1面の高さ情報と前記第2面の高さ情報に基づいて、前記第1面を基準面として前記凹部の形状を検出する工程と、
を備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の製造方法。 - 前記第1面の高さ情報に基づいて、前記第2面の高さ情報を補正する工程を更に備えたことを特徴とする請求項4記載のナノインプリント用構造体の製造方法。
- パターンが形成される第1面と、この第1面に対向する第2面とを有し、この第2面に凹部が形成されたナノインプリント用構造体を作製する工程と、
前記ナノインプリント用構造体に対して光を照射して、前記ナノインプリント用構造体からの反射光に基づいて、前記第1面と前記第2面との間の厚み情報を取得する工程と、 前記厚み情報に基づいて、前記第1面を基準面として前記凹部の形状を検出する工程と、
を備えたことを特徴とするナノインプリント用構造体の製造方法。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000241121A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-09-08 | Lasertec Corp | 段差測定装置並びにこの段差測定装置を用いたエッチングモニタ装置及びエッチング方法 |
JP2007139752A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-06-07 | Canon Inc | パターン形成装置、パターン形成方法およびパターン形成用モールド |
JP2009536591A (ja) * | 2006-05-11 | 2009-10-15 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 厚さが変化するテンプレート |
JP2011148227A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Hoya Corp | マスクブランク用基板とその製造方法、インプリントモールド用マスクブランク及びインプリントモールドの製造方法 |
JP2011245816A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-08 | Hoya Corp | マスクブランク用基板の製造方法、インプリントモールド用マスクブランクの製造方法、及びインプリントモールドの製造方法 |
JP2015139888A (ja) * | 2014-01-27 | 2015-08-03 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド及び半導体デバイスの製造方法 |
JP2015170789A (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-28 | 株式会社東芝 | テンプレート基板、テンプレートおよびテンプレート基板作製方法 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000241121A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-09-08 | Lasertec Corp | 段差測定装置並びにこの段差測定装置を用いたエッチングモニタ装置及びエッチング方法 |
JP2007139752A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-06-07 | Canon Inc | パターン形成装置、パターン形成方法およびパターン形成用モールド |
JP2009536591A (ja) * | 2006-05-11 | 2009-10-15 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 厚さが変化するテンプレート |
JP2011148227A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Hoya Corp | マスクブランク用基板とその製造方法、インプリントモールド用マスクブランク及びインプリントモールドの製造方法 |
JP2011245816A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-08 | Hoya Corp | マスクブランク用基板の製造方法、インプリントモールド用マスクブランクの製造方法、及びインプリントモールドの製造方法 |
JP2015139888A (ja) * | 2014-01-27 | 2015-08-03 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド及び半導体デバイスの製造方法 |
JP2015170789A (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-28 | 株式会社東芝 | テンプレート基板、テンプレートおよびテンプレート基板作製方法 |
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