JP7057655B2 - 計測装置、リソグラフィ装置、物品の製造方法、および計測方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板のエッジ位置を計測する計測装置、それを含むリソグラフィ装置、物品の製造方法、および計測方法に関する。

ＦＰＤ（Flat Panel Display）や半導体デバイスなどの製造には、ガラスプレートやウェハなどの基板にパターンを形成するリソグラフィ装置が用いられる。このようなリソグラフィ装置では、基板に形成されたマークの位置の検出結果に基づいて基板を高精度に位置決めする前に、ステージによって保持された基板のエッジ位置を計測して基板の位置を把握する、いわゆるプリアライメントが行われる。

基板のエッジ位置を計測する計測装置としては、例えば、基板の端部に光を照射して基板のエッジ位置を計測する光学式の計測装置がある。特許文献１には、ステージによって保持された基板の側方から該基板の端部に光を照射し、該基板の端部で反射された光を検出部で検出することによって基板のエッジ位置を計測する、いわゆる反射光方式の計測装置が開示されている。

特開２０１７－１１６８６８号公報

反射光方式の計測装置では、基板の端部で反射された光に加えて、リソグラフィ装置内の構造物などで反射（散乱）された迷光も検出部で検出されることがある。このような迷光が検出部で検出されると、検出部での検出結果に基づいて基板のエッジ位置を精度よく決定することが困難になりうる。

そこで、本発明は、基板のエッジ位置を精度よく計測するために有利な計測装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての計測装置は、基板のエッジ位置を計測する計測装置であって、第１光量で前記基板の端部に光を照射して前記端部で反射された光の第１強度分布と、前記第１光量とは異なる第２光量で前記端部に光を照射して前記端部で反射された光の第２強度分布とを検出する検出部と、強度分布上の位置が互いに対応する前記第１強度分布のピーク信号と前記第２強度分布のピーク信号とをそれぞれ含む複数の組のうち、前記第１強度分布のピーク信号の強度と前記第２強度分布のピーク信号の強度とが共に許容範囲内にある組を選択し、選択した組のピーク信号に基づいて前記基板のエッジ位置を決定する処理部と、を含み、前記処理部は、基板端部の面取量が規格下限値である場合に該基板端部からの反射光の強度が目標強度になるように前記第１光量を設定し、基板端部の面取量が規格上限値である場合に該基板端部からの反射光の強度が前記目標強度になるように前記第２光量を設定する、ことを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、基板のエッジ位置を精度よく計測するために有利な計測装置を提供することができる。

第１実施形態の露光装置を示す概略図である。 複数の計測部の配置を示す図である。 計測部の構成を示す図である。 計測部の構成を示す図である。 基板のエッジ位置の計測方法を示すフローチャートである。 基板のエッジ位置の計測方法を示すフローチャートである。 基板端部の面取量と目標光量との関係を示す情報の一例を示す図である。 第１光量と第２光量とで基板の端部に光を照射したときの光強度分布を示す図である。 検出部で得られた光強度分布を示す図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

以下の実施形態では、リソグラフィ装置として、基板を露光する露光装置を例示して説明するが、それに限られるものではない。例えば、モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置や、荷電粒子線（ビーム）を基板に照射して該基板にパターンを形成する描画装置などのリソグラフィ装置においても、本発明を適用することができる。ここで、リソグラフィ装置は、光またはビームを基板に照射して該基板にパターンを形成する形成部を含む。露光装置では、光を用いてマスクのパターン像を基板に投影する投影光学系が形成部に相当しうる。インプリント装置では、モールドを保持し且つモールドを介して基板上のインプリント材に光を照射するインプリントヘッドが形成部に相当しうる。また、描画装置では、基板に荷電粒子線を照射する鏡筒が形成部に相当しうる。

＜第１実施形態＞
本発明に係る第１実施形態の露光装置１００について、図１を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態の露光装置１００を示す概略図である。露光装置１００は、例えば、マスクステージ２と、照明光学系３と、投影光学系４と、基板ステージ６（ステージ）と、複数の計測部７（計測装置）と、制御部８とを含み、ＦＰＤ用ガラス基板などの基板５を露光して該基板上にパターン（潜像）を形成する。制御部８は、例えばＣＰＵやメモリを有するコンピュータによって構成され、露光装置１００の各部を制御する（基板５を露光する処理を制御する）。また、露光装置１００は、露光性能に関する特性を計測する各種センサなどを有する機構１２を含む。機構１２は、例えば、基板５の表面位置を計測するフォーカスセンサや基板上のマークを検出（観察）するオフアクシススコープなどを有し、投影光学系４に固定された支持部材１３によって支持されうる。

ここで、以下の説明では、投影光学系４から射出された光の光軸と平行な方向をＺ方向とし、該光軸に垂直かつ互いに直交する２つの方向をＸ方向およびＹ方向とする。即ち、基板ステージにより保持された基板の上面と平行かつ互いに直交する２つの方向をＸ方向およびＹ方向とする。

照明光学系３は、光源（不図示）から射出された光を用いて、マスクステージ２によって保持されたマスク１を照明する。投影光学系４は、所定の倍率を有し、マスク１に形成されたパターンを基板５に投影する。マスク１および基板５は、マスクステージ２および基板ステージ６によってそれぞれ保持されており、投影光学系４を介して光学的にほぼ共役な位置（投影光学系４の物体面および像面）に配置される。

基板ステージ６は、基板５の端部が露出するように基板５を保持し、投影光学系４（形成部）の下方を移動可能に構成される。具体的には、基板ステージ６は、真空チャックなどにより基板５を保持するチャック６ａと、チャック６ａ（基板５）を駆動する駆動部６ｂとを有する。チャック６ａは、基板５の端部がチャック６ａから露出するように（即ち、基板５の端部がチャック６ａからはみ出す（突出する）ように）基板５の中央部を保持する。駆動部６ｂは、チャック６ａ（基板５）をＸＹ方向に駆動するように構成されうるが、それに限られず、例えばＺ方向やθ方向（Ｚ軸周りの回転方向）などにチャック６ａ（基板５）を駆動するように構成されてもよい。

また、基板ステージ６の位置は、位置検出部９によって検出される。位置検出部９は、例えばレーザ干渉計を含み、基板ステージ６に設けられた反射板６ｃにレーザ光を照射し、反射板６ｃで反射されたレーザ光に基づいて基板ステージ６の基準位置からの変位を求める。これにより、位置検出部９は、基板ステージ６の位置を検出することができ、制御部８は、位置検出部９による検出結果に基づいて、基板ステージ６の位置を制御することができる。

複数の計測部７は、基板ステージ６にそれぞれ設けられ、基板ステージ６によって保持された基板５の位置を把握するため（例えば、基板ステージ６に対する基板５の位置を把握するため）に用いられうる。複数の計測部７はそれぞれ、基板５の端部に光を照射し、該端部５で反射された光を検出した結果に基づいて基板５のエッジ位置を計測する。

複数の計測部７は、ＸＹ方向およびθ方向における基板５の位置（例えば、基板自体の位置）を求めることができるように、基板５の端部における互いに異なる箇所のエッジ位置を計測するように配置されることが好ましい。例えば、図２に示すように、計測部７ａが、基板５のＹ方向側のエッジ位置を計測するように配置され、計測部７ｂおよび７ｃが、基板５のＸ方向側における互いに異なるエッジ位置を計測するように配置されうる。図２は、基板５を保持した状態の基板ステージ６（チャック６ａ）を上方（Ｚ方向）から見た図である。このように複数（３つ）の計測部７を配置することにより、ＸＹ方向およびθ方向の基板５の位置を求めることができる。ここで、本実施形態では、各計測部７が基板ステージ６のチャック６ａによって支持されているが、それに限られるものではなく、例えば各計測部７が基板ステージ６の駆動部６ｂによって支持されていてもよい。即ち、各計測部７は、基板ステージ６に設けられていればよい。

次に、計測部７の構成について、図３を参照しながら説明する。図３は、計測部７の構成を示す図であり、一例として、基板５のＹ方向側のエッジ位置を計測する計測部７ａの構成を示している。計測部７は、基板５の端部５ａに光１０ａを照射して該端部５ａで反射された光の強度分布（以下では、光強度分布と言うことがある）を検出する検出部７０と、該検出部７０で得られた光強度分布に基づいて基板のエッジ位置を決定する処理部７３とを含みうる。検出部７０は、例えば、基板５の端部５ａに光を照射する照射部７１と、端部５ａで反射された光を受光する受光部７２とを含みうる。

照射部７１は、基板ステージ６（チャック６ａ）によって保持された基板５の側方から該基板５の端部５ａに光１０ａを照射する。照射部７１は、例えば、光源７１ａから射出された例えば５００～１２００ｎｍ程度の波長の光１０ａを、ミラー７１ｂで反射させて、基板５の側方から基板５の端部５ａを照射する。光源７１ａとしては、例えば半導体レーザやＬＥＤ等が用いられうるが、コストの観点からはＬＥＤが用いられることが好ましい。

また、受光部７２は、照射部７１により光１０ａが照射される基板５の端部５ａの下方に配置され、該端部５ａからの反射光１０ｂを受光して反射光１０ｂの強度分布を検出する。具体的には、受光部７２は、複数のレンズ７２ａ、７２ｂと、受光素子７２ｃとを有する。受光部７２は、基板５の端部５ａからの反射光１０ｂを複数のレンズ７２ａ、７２ｂを介して受光素子７２ｃで受光し、該反射光１０ｂによって受光素子７２ｃの受光面に形成された光強度分布を検出する。検出された光強度分布のデータは、処理部７３に出力される。受光素子７２ｃは、例えば、ＣＣＤやＣＭＯＳなどの光電変換素子によって構成されたラインセンサ（またはエリアセンサ）を含みうる。

処理部７３は、検出部７０（受光素子７２ｃ）から光強度分布のデータを取得し、取得した光強度分布のデータに基づいて、基板５のエッジ位置を決定する（基板５のエッジ位置情報を生成する）。例えば、処理部７３は、検出部７０で得られた光強度分布におけるピーク信号の位置に基づいて、基板ステージ６により保持された基板５のエッジ位置を決定することができる。ここで、処理部７３は、ＣＰＵやメモリ（記憶部）などを有するコンピュータによって構成され、本実施形態では、処理部７３を計測部７の構成要素としているが、それに限られるものではなく、例えば、制御部８の構成要素としてもよい。

このように構成された計測部７では、図４に示すように、照射部７１から射出された光１０ａが機構１２など装置内の構造物で反射されて迷光１０ｃとなり、該迷光１０ｃが検出部７０（受光素子７２ｃ）で検出されることがある。この場合、検出部７０で得られた光強度分布には、基板５の端部５ａからの反射光１０ｂと迷光１０ｃとによって複数のピーク信号が生成されてしまう。そのため、処理部７３では、光強度分布における複数のピーク信号のうち、どのピーク信号が反射光１０ｂに対応する信号なのかを判断することができず、基板５のエッジ位置を精度よく決定することが困難になりうる。

そこで、本実施形態の計測部７（処理部７３）では、検出部（受光部７２）で得られた光強度分布における複数のピーク信号のうち、基板５の端部５ａからの反射光１０ｂに対応するピーク信号を選択する処理を行う。これにより、処理部７３は、選択したピーク信号に基づいて、基板５のエッジ位置を精度よく決定することができる。以下に、本実施形態の計測部７における基板５のエッジ位置の計測方法について、図５および図６を参照しながら説明する。図５および図６は、計測部７における基板５のエッジ位置の計測方法を示すフローチャートである。以下の説明では、図５および図６に示すフローチャートの各工程は、処理部７３によって行われうるが、制御部８によって行われてもよい。

図５におけるＳ１１～Ｓ１６は、照射部７１により基板５の端部５ａに照射する光の光量を変更することで、検出部７０で得られた光強度分布における複数のピーク信号の中から、基板５のエッジ位置を決定するために用いるピーク信号を選択する処理である。以下の説明において、エッジ位置の計測対象の基板５の端部５ａの面取量は、事前に設定された規格内（規格下限値Ｒ_１と規格上限値Ｒ_２との間）にあると推定されるが未知の値である。また、本実施形態の計測部７の構成では、基板端部で反射されて検出部７０（受光素子７２ｃ）で検出される反射光１０ｂのピーク信号の強度（信号強度、ピーク値とも言う）が、該基板端部の面取量に応じて変わりうる。

Ｓ１１では、処理部７３は、基板端部の面取量の規格下限値Ｒ_１に対応する第１光量Ｉ_１と、基板端部の面取量の規格上限値Ｒ_２に対応する第２光量Ｉ_２とを設定する。第１光量Ｉ_１は、基板端部の面取量が規格下限値Ｒ_１である場合において、基板端部からの反射光の強度（即ち、基板端部からの反射光に対応するピーク信号の強度）が目標強度Ｅ_Ｔになるように該基板端部に照射すべき光の目標光量である。また、第２光量Ｉ_２は、基板端部の面取量が規格上限値Ｒ_２である場合において、基板端部からの反射光の強度（即ち、基板端部からの反射光に対応するピーク信号の強度）が目標強度Ｅ_Ｔになるように該基板端部に照射すべき光の目標光量である。目標強度Ｅ_Ｔは、受光素子７２ｃのダイナミックレンジ内における任意の強度（好ましくは、中心強度）に設定されうる。

例えば、処理部７３は、基板端部の面取量と、該基板端部からの反射光の強度が目標強度Ｅ_Ｔになる目標光量との関係を示す情報に基づいて、第１光量Ｉ_１および第２光量Ｉ_２を設定しうる。図７は、基板端部の面取量と目標光量との関係を示す情報の一例を示す図である。当該関係は、実験やシミュレーションなどによって事前に取得され、式やテーブルなどの形態で処理部７３に記憶されうる。このような図７に示す情報を用いることにより、処理部７３は、基板端部の面取量の規格下限値Ｒ_１に対応する第１光量Ｉ_１と、基板端部の面取量の規格上限値Ｒ_２に対応する第２光量Ｉ_２とを設定することができる。第１光量Ｉ_１と第２光量Ｉ_２とは、互いに異なる光量である。

Ｓ１２では、処理部７３は、Ｓ１１で設定した第１光量Ｉ_１と第２光量Ｉ_２とで基板５の端部５ａに光をそれぞれ照射し、該端部５ａで反射された光の強度分布を検出部７０に検出させる。以下では、第１光量Ｉ_１で端部５ａに光を照射したときの強度分布を第１強度分布と呼び、第２光量Ｉ_２で端部５ａに光を照射したときの強度分布を第２強度分布と呼ぶことがある。ここで、Ｓ１２では、第１強度分布を検出部７０に検出させるときと、第２強度分布を検出部７０に検出させるときとで、基板ステージ６の位置の変更は行わない。即ち、第１強度分布の検出時と第２強度分布の検出時とにおいて、基板ステージ６の位置が同じでありうる。

図８は、第１光量Ｉ_１と第２光量Ｉ_２とで基板５の端部５ａに光を照射したときに検出部７０で得られた光強度分布を示す図である。図８では、横軸は検出方向（光照射方向）の位置を、縦軸は信号強度をそれぞれ示しており、破線は、光量Ｉ_１を用いて得られた第１強度分布１１を、実線は、光量Ｉ_２を用いて得られた第２強度分布１２をそれぞれ示している。図８に示す例では、強度分布上の位置が互いに対応する第１強度分布１１のピーク信号と第２強度分布１２のピーク信号とをそれぞれ含む複数（３つ）の組１３ａ～１３ｃが得られている。この複数の組１３ａ～１３ｃのうち、１つの組のピーク信号が反射光１０ｂに対応する信号であり、他の組のピーク信号が迷光１０ｃに対応する信号でありうる。

Ｓ１３では、処理部７３は、検出部７０で得られた光強度分布における複数の組１３ａ～１３ｃのうち、第１強度分布１１のピーク信号の強度と第２強度分布１２のピーク信号の強度とが共に許容範囲内（許容範囲ＡＲ内）にある組を選択する。図８に示す例では、第１強度分布１１のピーク信号の強度と第２強度分布のピーク信号の強度とが共に許容範囲ＡＲ内にあるのは組１３ｂである。そのため、処理部７３は、組１３ｂを、エッジ位置の決定に用いるピーク信号の組として選択する。

ここで、許容範囲ＡＲの下限値Ｖ_Ｌは、例えば、基板端部の面取量の規格下限値Ｒ_１に対して第２光量Ｉ_２を適用した場合に得られうるピーク信号の強度に設定されうる。また、許容範囲ＡＲの上限値Ｖ_Ｕは、例えば、基板端部の面取量の規格上限値Ｒ_２に対して第１光量Ｉ_１を適用した場合に得られうるピーク信号の強度に設定されうる。許容範囲ＡＲの下限値Ｖ_Ｌおよび上限値Ｖ_Ｕは、実験やシミュレーションなどの結果に基づいて、例えば処理部７３によって設定されてもよい。このように許容範囲ＡＲを設定すると、基板５の端部５ａの面取量が規格内にあれば、端部５ａへの照射光量を第１光量Ｉ_１と第２光量Ｉ_２とで変えても、それらの光量の双方において、反射光１０ｂに対応するピーク信号の強度が許容範囲ＡＲ内に収まる。したがって、処理部７３は、第１強度分布１１のピーク信号と第２強度分布１２のピーク信号とが共に許容範囲ＡＲ内にある組を、エッジ位置の決定に用いる信号成分として選択することができる。

Ｓ１４では、処理部７３は、Ｓ１３において２以上の組が選択されたか否かを判定する。２以上の組が選択されていない場合（即ち、１つの組が選択された場合）にはＳ１５に進む。一方、２以上の組が選択された場合には図６のＳ２１に進む。Ｓ１５では、処理部７３は、Ｓ１３で選択された組の位置に検出されるピーク信号の強度が目標強度Ｅ_Ｔになるように、基板５の端部５ａへの照射光量を調整する。図８に示す例では、組１３ｂの位置に検出されるピーク信号の強度が目標強度Ｅ_Ｔになるように照射光量が調整される。Ｓ１６では、処理部７３は、Ｓ１３で選択された組１３ｂのピーク信号の位置に基づいて、基板５のエッジ位置を決定する（エッジ位置情報を生成する）。

図６におけるＳ２１～Ｓ２６は、上述したＳ１３の工程において２以上の組が選択された場合において、該２以上の組の中から、エッジ位置の決定に用いる組を選択する処理である。具体的には、該２以上の組の中から、基板ステージ６の移動の前後において、ピーク信号の強度変化が最も小さい組を選択する処理である。ここで、本実施形態におけるＳ２１～Ｓ２６の処理は、Ｓ１１～Ｓ１６の処理で選択された２以上の組の中から、エッジ位置の決定に用いる組を選択するために行われるが、それに限られるものではない。例えば、Ｓ１１～Ｓ１６の処理を行わずに、所定の照射光量で最初に検出部７０で得られた光強度分布に含まれる複数のピーク信号の中から、エッジ位置の決定に用いるピーク信号を選択するために行われてもよい。即ち、Ｓ１１～Ｓ１６の処理を行わずに、初めからＳ２１～Ｓ２６の処理が行われてもよい。

Ｓ２１では、処理部７３は、Ｓ１３で選択された組１３ｂのピーク信号の強度が目標強度Ｅ_Ｔになるように、基板５の端部５ａへの照射光量を調整する。Ｓ２２では、処理部７３は、Ｓ２１で調整した照射光量で基板５の端部５ａを照射したときの光強度分布を検出部７０に検出させる。図９（ａ）は、Ｓ２２において検出部７０で得られた光強度分布を示す図であり、図９（ａ）に示す例では、Ｓ１３で２つの組が選択された場合に、該２つの組の位置でそれぞれ検出された２つのピーク信号１４ａ、１４ｂが図示されている。Ｓ２３では、処理部７３（制御部８）は、基板ステージ６を移動させる。Ｓ２４では、処理部７３は、Ｓ２１で調整した照射光量で基板５の端部５ａを照射したときの光強度分布を検出部７０に検出させる。図９（ｂ）は、Ｓ２４において検出部７０で得られた光強度分布を示す図であり、図９（ｂ）に示す例では、図９（ａ）と同様に、Ｓ１３で選択された２つの組の位置でそれぞれ検出された２つのピーク信号１４ａ、１４ｂが図示されている。ここで、Ｓ２２とＳ２４とでは、光強度分布を検出する際における基板５の端部５ａへの照射光量は同じでありうる。

Ｓ２５では、処理部７３は、Ｓ２２で得られた光強度分布（図９（ａ））と、Ｓ２４で得られた光強度分布（図９（ｂ））とを比較する。そして、Ｓ１３で選択された２以上の組（ピーク信号）のうち、基板ステージ６の移動による信号強度の変化が最も小さい組（ピーク信号）を選択する。Ｓ２６では、処理部７３は、Ｓ２５で選択した組（ピーク信号）のピーク位置に基づいて、基板５のエッジ位置を決定する（エッジ位置情報を生成する）。

上述したように検出部７０は基板ステージ６に設けられているため、基板５の端部５ａからの反射光１０ｂに対応するピーク信号の強度は、基板ステージ６を移動させても変化しない。一方、迷光１０ｃに対応するピーク信号の強度は、基板ステージ６を移動させると変化する。つまり、処理部７３は、光強度分布に現れた２以上のピーク信号のうち、基板ステージ６の移動によるピーク強度の変化が最も小さいピーク信号を、反射光１０ｂに対応するピーク信号として選択することができる。図９に示す例では、基板ステージ６の移動による信号強度の変化がピーク信号１４ｂよりピーク信号１４ａの方が小さいため、処理部７３は、ピーク信号１４ａを、反射光１０ｂに対応するピーク信号として選択することができる。ここで、基板ステージ６の移動方向は、ＸＹ方向、Ｚ方向、θ方向のいずれでもよく、基板ステージ６の移動量も任意であるが、迷光１０ｃに対応する信号成分の変化が閾値以上になるように設定されるとよい。

このように、本実施形態の計測部７では、検出部７０で得られた光強度分布に複数のピーク信号が含まれている場合、基板５の端部５ａへの照射光量の変更、または基板ステージ６の移動を行うことにより、反射光１０ｂに対応するピーク信号を選択する。これにより、計測部７は、迷光１０ｃに起因する計測誤差を低減し、基板５のエッジ位置を精度よく決定することができる。

＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、上記のリソグラフィ装置（露光装置）を用いて基板上にパターンを形成する工程と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。

１：マスク、２：マスクステージ、３：照明光学系、４：投影光学系、５：基板、６：基板ステージ、７：計測部、７０：検出部、７１：照射部、７２：受光部、７３：処理部、８：制御部、１００：露光装置

Claims (9)

1. 基板のエッジ位置を計測する計測装置であって、
   第１光量で前記基板の端部に光を照射して前記端部で反射された光の第１強度分布と、前記第１光量とは異なる第２光量で前記端部に光を照射して前記端部で反射された光の第２強度分布とを検出する検出部と、
   強度分布上の位置が互いに対応する前記第１強度分布のピーク信号と前記第２強度分布のピーク信号とをそれぞれ含む複数の組のうち、前記第１強度分布のピーク信号の強度と前記第２強度分布のピーク信号の強度とが共に許容範囲内にある組を選択し、選択した組のピーク信号に基づいて前記基板のエッジ位置を決定する処理部と、
   を含み、
   前記処理部は、基板端部の面取量が規格下限値である場合に該基板端部からの反射光の強度が目標強度になるように前記第１光量を設定し、基板端部の面取量が規格上限値である場合に該基板端部からの反射光の強度が前記目標強度になるように前記第２光量を設定する、ことを特徴とする計測装置。
2. 前記処理部は、基板端部の面取量と該基板端部からの反射光の強度が前記目標強度になる光量との関係を示す情報に基づいて、前記第１光量および前記第２光量を設定する、ことを特徴とする請求項１に記載の計測装置。
3. 前記処理部は、基板端部の面取量の規格下限値に対して前記第２光量を適用した場合に得られうるピーク信号の強度を下限値とし、基板端部の面取量の規格上限値に対して前記第１光量を適用した場合に得られうるピーク信号の強度を上限値として前記許容範囲を設定する、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の計測装置。
4. 前記基板を保持して移動可能なステージを更に含み、
   前記検出部は、前記ステージに設けられている、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の計測装置。
5. 前記処理部は、２以上の組を選択した場合、選択した前記２以上の組のうち、前記ステージの移動によるピーク信号の強度変化が最も小さい組のピーク位置に基づいて前記基板のエッジ位置を決定する、ことを特徴とする請求項４に記載の計測装置。
6. 前記検出部は、前記基板の側方から前記基板の端部に光を照射する照射部と、該端部の下方において、該端部で反射された光を受光する受光部とを含む、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の計測装置。
7. 基板にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
   前記基板のエッジ位置を計測する請求項１乃至６のいずれか１項に記載の計測装置を含む、ことを特徴とするリソグラフィ装置。
8. 請求項７に記載のリソグラフィ装置を用いて基板上にパターンを形成する工程と、
   前記工程でパターンが形成された前記基板を加工する工程と、を含み、
   加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
9. 基板のエッジ位置を計測する計測方法であって、
   第１光量で前記基板の端部に光を照射して前記端部で反射された光の第１強度分布と、前記第１光量とは異なる第２光量で前記端部に光を照射して前記端部で反射された光の第２強度分布とを検出する検出工程と、
   強度分布上の位置が互いに対応する前記第１強度分布のピーク信号と前記第２強度分布のピーク信号とをそれぞれ含む複数の組のうち、前記第１強度分布のピーク信号の強度と前記第２強度分布のピーク信号の強度とが共に許容範囲内にある組を選択する選択工程と、
   前記選択工程で選択した組のピーク信号に基づいて前記基板のエッジ位置を決定する決定工程と、
   を含み、
   前記検出工程では、基板端部の面取量が規格下限値である場合に該基板端部からの反射光の強度が目標強度になるように前記第１光量を設定し、基板端部の面取量が規格上限値である場合に該基板端部からの反射光の強度が前記目標強度になるように前記第２光量を設定する、ことを特徴とする計測方法。

Images