JP2018147979A - Substrate processing device - Google Patents
Substrate processing device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018147979A JP2018147979A JP2017040373A JP2017040373A JP2018147979A JP 2018147979 A JP2018147979 A JP 2018147979A JP 2017040373 A JP2017040373 A JP 2017040373A JP 2017040373 A JP2017040373 A JP 2017040373A JP 2018147979 A JP2018147979 A JP 2018147979A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cup
- cup body
- nozzle
- diw
- rotating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
本発明は、基板処理装置を洗浄する技術に関する。 The present invention relates to a technique for cleaning a substrate processing apparatus.
半導体製造工程では、回転する基板（半導体ウエハ等）に処理液を供給することで基板上に処理液の膜を形成しつつ、遠心力によって処理液を基板の外方へ飛散させる。基板から振り切られて飛散した処理液を受けるカップ体が設けられている（特許文献１参照）。 In the semiconductor manufacturing process, the processing liquid is spattered to the outside of the substrate by centrifugal force while forming a film of the processing liquid on the substrate by supplying the processing liquid to a rotating substrate (semiconductor wafer or the like). A cup body is provided for receiving the processing liquid that has been shaken off and scattered from the substrate (see Patent Document 1).
回転する基板から飛散した処理液は、カップ体の表面に付着する。そのため、カップ体表面のうち処理液が付着する可能性のある箇所を定期的に洗浄して、パーティクルの発生を未然に防ぐことが好ましい。 The processing liquid scattered from the rotating substrate adheres to the surface of the cup body. For this reason, it is preferable to prevent the generation of particles in advance by periodically cleaning the surface of the cup body where the treatment liquid may adhere.
しかしながら、回転カップを囲繞するカップ体に処理液が付着した場合、処理液の成分を洗い流すことができなかった。 However, when the treatment liquid adheres to the cup body surrounding the rotating cup, the components of the treatment liquid cannot be washed away.
本発明は上述の事情に鑑みてなされたものであり、カップ体に付着した処理液の成分を効果的に洗い流すことができる技術を提供することを目的としている。 This invention is made | formed in view of the above-mentioned situation, and it aims at providing the technique which can wash away the component of the process liquid adhering to a cup body effectively.
本発明の一態様は、基板を保持する保持部であって、当該基板を取り囲むように設けられた回転カップを具備する保持部と、保持部を回転させる駆動部と、洗浄液を吐出する液供給部と、保持部を囲む第１カップ体と、第１カップ体の下方において保持部を囲み、第１カップ体との間にスペースを形成する第２カップ体と、を備え、液供給部は、回転する回転カップに洗浄液を供給し、当該回転カップを介して、第１カップ体と第２カップ体との間に形成されるスペースに洗浄液を供給する基板処理装置に関する。 One embodiment of the present invention is a holding unit that holds a substrate, the holding unit including a rotating cup provided so as to surround the substrate, a driving unit that rotates the holding unit, and a liquid supply that discharges cleaning liquid A first cup body that surrounds the holding portion, and a second cup body that surrounds the holding portion below the first cup body and forms a space between the first cup body, and the liquid supply section The present invention relates to a substrate processing apparatus that supplies a cleaning liquid to a rotating rotating cup and supplies the cleaning liquid to a space formed between a first cup body and a second cup body via the rotating cup.
本発明によれば、カップ体に付着した処理液の成分を効果的に洗い流すことができる。 According to the present invention, the components of the treatment liquid adhering to the cup body can be washed away effectively.
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。なお、以下の説明において、特に断りがない限り、「上下方向」は基本的に鉛直方向（重力方向）を基準としており、上向きは重力に逆らう方向を意味し、下向きは重力に従う方向を意味する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, unless otherwise specified, “vertical direction” is basically based on the vertical direction (gravity direction), upward means a direction against gravity, and downward means a direction according to gravity. .
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。 FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to the present embodiment. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X axis, the Y axis, and the Z axis that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z axis is the vertically upward direction.
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
As shown in FIG. 1, the
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウエハ（以下ウエハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
The carry-in /
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウエハＷの搬送を行う。
The
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
The
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウエハＷの搬送を行う。
The
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウエハＷに対して所定の基板処理を行う。
The
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
Further, the
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
Such a program may be recorded on a computer-readable storage medium, and may be installed in the
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウエハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
In the
処理ユニット１６へ搬入されたウエハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウエハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
The wafer W loaded into the
次に、処理ユニット（すなわち基板処理装置）１６の構成を説明する。図２は、処理ユニット１６の概略構成を示す図である。
Next, the configuration of the processing unit (that is, the substrate processing apparatus) 16 will be described. FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of the
図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理流体供給部４０と、回収カップ５０とを備える。
As shown in FIG. 2, the
チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理流体供給部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。
The
基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウエハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸周りに回転させる。かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウエハＷを回転させる。
The
処理流体供給部４０は、ウエハＷに対して処理流体を供給する。処理流体供給部４０は、処理流体供給源（図示省略）に接続される。
The processing
保持部３１は、円盤状のベースプレート３１ａと、ベースプレート３１ａに設けられウエハＷを保持する複数の保持要素３１ｂと、処理ユニット１６へのウエハＷの搬出入時に保持要素３１ｂから離れたウエハＷの下面を支持するリフトピン３１ｃと、を有する。保持要素３１ｂは、ウエハＷの周縁部を保持／解放でき、ベースプレート３１ａに取り付けられた可動の保持爪、または、ベースプレート３１ａに固定された保持ピン等によって構成可能である。
The
リフトピン３１ｃは、ベースプレート３１ａの上面に形成された凹所に格納されるリング状のリフトピンプレート３１ｄに固定されている。リフトピンプレート３１ｄは図示しない昇降機構により昇降可能に設けられ、リフトピン３１ｃを介してウエハＷを持ち上げることができる。チャンバ２０内に侵入してきた基板搬送装置１７のアームと、上昇したリフトピン３１ｃとの間で、ウエハＷの受け渡しを行うことができる。
The lift pins 31c are fixed to a ring-shaped
なお、ＦＦＵ２１の吹き出し口の真下には、多数の穴（図示せず）が形成された整流板２２が設けられ、チャンバ２０内の空間を流れるダウンフローガスの分布が最適化されている。
A rectifying
次に、回収カップ５０の構成を説明する。
Next, the configuration of the
図２に示すように、回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置されており、ウエハＷから飛散する処理液を回収するとともに、ウエハＷの周囲の気流を制御する役割を果たす。回収カップ５０は、最も外側にある不動の排気カップ５１と、その内側にある処理液案内用の排液カップ５２とを有する。
As shown in FIG. 2, the
一方、保持部３１のベースプレート３１ａには第１回転カップ５３及び第２回転カップ５４が取り付けられており、第１回転カップ５３及び第２回転カップ５４は、保持部３１の一部として設けられ、ベースプレート３１ａと一緒に回転する。第１回転カップ５３及び第２回転カップ５４は、複数の保持要素３１ｂによって保持されたウエハＷを取り囲むように設けられており、ウエハＷの表面（上面）から外方に飛散する液を受け止めて、斜め下方（すなわち半径方向外向きかつ下方に）案内する。また第２回転カップ５４は、ウエハＷの裏面（下面）から外方に飛散する液を案内する機能も果たす。さらに、第１回転カップ５３及び第２回転カップ５４は、ウエハＷの周囲の気流を制御する機能も果たす。第１回転カップ５３及び第２回転カップ５４の各々とベースプレート３１ａとの間には隙間が設けられており、第１回転カップ５３及び第２回転カップ５４により案内された液及び気流は、当該隙間を通って外方（図２では第２可動カップ要素５２３に向かって）流出する。
On the other hand, the first
排液カップ５２は、排液カップ本体５２１と、第１可動カップ要素５２２と、第２可動カップ要素５２３とを有する。排液カップ本体５２１は、概ね鉛直方向に延びる外周筒部５２１ａと、張出部５２１ｂと、底部５２１ｃと、内周部５２１ｄとを有する。張出部５２１ｂは、外周筒部５２１ａの上端部から、ウエハＷ側に向かって延びている。底部５２１ｃからは２つの凸部５２１ｅ、５２１ｆが上方に延びている。
The
外周筒部５２１ａと凸部５２１ｅとの間、凸部５２１ｅと凸部５２１ｆとの間、並びに凸部５２１ｆと内周部５２１ｄとの間には、それぞれ酸性液、アルカリ性液、及び有機液を受けるための液溜まり５２２ａ、５２２ｂ、５２２ｃが画定されている。液溜まり５２２ａ、５２２ｂ、５２２ｃは、各々に接続された排液ライン５２３ａ、５２３ｂ、５２３ｃを介して、酸性液用（ＤＲ１）、アルカリ性液用（ＤＲ２）、及び有機液用（ＤＲ２）の工場廃液系にそれぞれ接続されている。
An acidic liquid, an alkaline liquid, and an organic liquid are received between the outer peripheral
凸部５２１ｅ、５２１ｆには、第１可動カップ要素５２２及び第２可動カップ要素５２３がそれぞれ上下動自在に嵌合している。第１可動カップ要素５２２及び第２可動カップ要素５２３は、図示しない昇降機構により昇降する。第１可動カップ要素５２２及び第２可動カップ要素５２３の位置を変更することにより、ウエハＷから外方に飛散した後に第１回転カップ５３及び第２回転カップ５４により案内された処理液を、それぞれ対応する液溜まり（５２２ａ、５２２ｂ、５２２ｃのうちのいずれか１つ）に導くことができる。
The first
排気カップ５１は、外周筒部５１１と、張出部５１２と、底部５１３と、内周部５１４とを有する。排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間には、排気通路５５１が形成されている。排気カップ５１の底部５１３には排気口５５２が設けられ、この排気口５５２には排気ダクト（排気路）５５３が接続されている。排気ダクト５５３は減圧雰囲気の工場排気系の工場排気ダクト（図示せず）に接続されている（Ｃ−ＥＸＨ）。排気ダクト５５３にはバタフライ弁またはダンパ等の流量制御弁５５４が介設されている。流量制御弁５５４の開度を調節することにより、排気通路５５１を介して吸引されるガスの流量を調節することができる。なお、排気ダクト５５３に、エジェクタまたは排気ポンプ等の排気を促進する機器を介設してもよい。このように本実施形態では、排気ダクト５５３、流量制御弁５５４、及び減圧雰囲気の工場排気ダクト（図示せず）によって圧力調整機構が構成され、当該圧力調整機構によって、排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間に形成されるスペースが負圧にされる。
The
次に、処理流体供給部４０の構成を説明する。
Next, the configuration of the processing
図３に示すように、処理流体供給部４０は、処理流体（液体または気体）を供給する複数のノズルを有する。これらの複数のノズルには、図３に示すように、ＳＣ１液を吐出するＳＣ１ノズル４１１、ＤＩＷ（純水）の液滴と窒素ガスとを含む二流体を吐出するＡＳノズル４１２、ＤＨＦ（希フッ酸）を吐出するＤＨＦノズル４１３、純水（ＤＩＷ）を吐出する第１ＤＩＷノズル４１４、暖められたＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を吐出するＩＰＡノズル４１５、窒素ガスを鉛直方向下方に向けて吐出する第１窒素ガスノズル４１６、窒素ガスを斜め下方に向けて吐出する第２窒素ガスノズル４１７、ＳＣ２液を吐出するＳＣ２ノズル４１８、及び純水（ＤＩＷ）を吐出する第２ＤＩＷノズル４１９が含まれる。
As illustrated in FIG. 3, the processing
ＡＳノズル４１２は、窒素ガスの流れにＤＩＷを合流させることによりＤＩＷをミスト化させ、このミスト化したＤＩＷと窒素ガスとを含む二流体を吐出する。ＡＳノズル４１２に窒素ガスを供給しないでＤＩＷのみを供給することにより、ＡＳノズル４１２からミスト化されていないＤＩＷのみを吐出させることができる。ＩＰＡノズル４１５は、ＤＩＷと相溶性があり、ＤＩＷより揮発性が高く、かつ、ＤＩＷより表面張力の低いＤＩＷ以外の溶剤を吐出することもできる。
The
ＳＣ１ノズル４１１及びＡＳノズル４１２は第１ノズルアーム４２１に保持されている。ＤＨＦノズル４１３、第１ＤＩＷノズル４１４及びＩＰＡノズル４１５は、第２ノズルアーム４２２に保持されている。第１窒素ガスノズル４１６及び第２窒素ガスノズル４１７は第３ノズルアーム４２３に保持されている。第１〜第３ノズルアーム４２１、４２２、４２３は、各々に設けられたアーム駆動機構４３１、４３２、４３３によって、鉛直軸線周りに旋回することができ、かつ、鉛直方向に昇降することができる。各アーム駆動機構４３１、４３２、４３３は、例えば上記旋回機能を実現するための旋回駆動機構として回転モータ（図示せず）を備え、また上記昇降機能を実現するための昇降機構としてエアシリンダ（図示せず）を備えることができる。
The
アーム駆動機構４３１が第１ノズルアーム４２１を旋回させることにより、ＳＣ１ノズル４１１及びＡＳノズル４１２を、回収カップ５０外方の待機場所４４１、及びウエハＷの中心部Ｗｃの真上の位置を含む旋回軌道上の任意の場所に配置することができる（図３の矢印Ｍ１を参照）。アーム駆動機構４３２が第２ノズルアーム４２２を旋回させることにより、ＤＨＦノズル４１３、第１ＤＩＷノズル４１４及びＩＰＡノズル４１５を、回収カップ５０外方の待機場所４４２、及びウエハＷの中心部Ｗｃの真上の位置を含む旋回軌道上の任意の場所に配置することができる（図３の矢印Ｍ２を参照）。アーム駆動機構４３３が第３ノズルアーム４２３を旋回させることにより、第１窒素ガスノズル４１６及び第２窒素ガスノズル４１７を、回収カップ５０外方のホーム待機場所４４３、及びウエハＷの中心部Ｗｃの真上の位置を含む旋回軌道上の任意の場所に配置することができる（図３の矢印Ｍ３を参照）。
The
アーム駆動機構４３１に設けられた昇降機構（図示省略）により、各ノズルアーム（４２１、４２２、４２３）を低位置と高位置との間で移動させることができる。これに伴い、該当するノズルアームに担持されたノズルを、ウエハＷに近接した近接位置と、近接位置よりもウエハＷから離れた離間位置との間で移動させることができる。
Each nozzle arm (421, 422, 423) can be moved between a low position and a high position by an elevating mechanism (not shown) provided in the
ただし、ＳＣ２ノズル４１８及び第２ＤＩＷノズル４１９は不動の固定ノズルであり、床板９６の上に配置されている。ＳＣ２ノズル４１８及び第２ＤＩＷノズル４１９は、予め定められた流量で液を吐出し、これらのノズル４１８、４１９から吐出された液が放物線を描いて飛んでウエハＷの中心部Ｗｃに落ちるように設置されている。後述のミストガード８０（特に外周筒部８１）には通液開口（図示省略）が形成され、ＳＣ２ノズル４１８及び第２ＤＩＷノズル４１９から吐出された液はこの通液開口を通ってウエハＷ上に着地する。
However, the
なお、図２に示すように、支柱部３２の内部において円筒体４５０が上下方向に延びている。円筒体４５０は、支柱部３２が回転しても回転しないように設置されている。円筒体４５０の内部には、１つまたは複数の処理流体供給路４５１（図２では１つだけ示す）が上下方向に延びている。処理流体供給路４５１の上端開口が処理流体を供給するための下面ノズル４５２を形成する。この下面ノズル４５２からは、ウエハＷの裏面（下面）に、例えば、リンス液またはパージ液としてのＤＩＷや、乾燥ガスまたはパージガスとしての窒素ガスを供給することができる。以下の説明においては、この下面ノズル４５２についての言及はしない。
As shown in FIG. 2, the
各ノズル（４１１〜４１９、４５２）には、対応する処理流体供給源（例えばＳＣ１、ＤＨＦ等を貯留する薬液供給タンク、或いは工場用として提供される純水、窒素ガス等の供給元等（図示せず））から、対応する処理流体供給機構（図示せず）を介して、上記の処理流体のいずれかが供給される。処理流体供給機構は、各ノズル（４１１〜４１９、４２２）と対応する処理流体供給源とを接続する供給ライン、この供給ラインに介設された開閉弁、及び流量制御弁等の流量制御機器等を有する。 Each nozzle (411-419, 452) has a corresponding processing fluid supply source (for example, a chemical supply tank for storing SC1, DHF, etc., or a supply source of pure water, nitrogen gas, etc. provided for use in a factory, etc. Any one of the above processing fluids is supplied from a corresponding processing fluid supply mechanism (not shown). The processing fluid supply mechanism includes a supply line that connects each nozzle (411 to 419, 422) and a corresponding processing fluid supply source, an on-off valve provided in the supply line, and a flow control device such as a flow control valve. Have
処理液ノズル（ＳＣ１ノズル４１１、ＡＳノズル４１２、ＤＨＦノズル４１３、第１ＤＩＷノズル４１４、ＳＣ２ノズル４１８、第２ＤＩＷノズル４１９等）から回転するウエハＷに供給された処理液は、ウエハＷの表面に衝突することによって（２つ以上のノズルから同時に液がウエハＷ表面に供給された場合には液同士の衝突によっても）、或いは、ウエハＷから遠心力により振り切られることによって、微小な液滴となって飛散する。この飛散した液滴は、チャンバ２０の内壁面及びチャンバ２０内の装置構成部品に付着しうる。飛散した処理液がチャンバ２０の内壁面に到達することを防止するか、少なくとも大幅に抑制するために、回収カップ５０の外側にはミストガード８０が設けられている。
The processing liquid supplied to the rotating wafer W from the processing liquid nozzle (
次に、ミストガード８０の構成を説明する。
Next, the configuration of the
図２に示すように、ミストガード８０は、外周筒部８１と、この外周筒部８１の上端部から外周筒部８１の（半径方向）内側に向かって延びて排気カップ５１の上方に張り出す張出部８２と、を有する。張出部８２の先端部の下面には、下方に向けて突出する突起８３が設けられている。
As shown in FIG. 2, the
ミストガード８０は、排気カップ５１よりも上方において昇降可能に設けられ、下方位置（すなわち図２において実線で示す低位置）と、当該下方位置よりも排気カップ５１から上方に離れている上方位置（すなわち高位置又は中間位置）とに配置することができる。すなわちミストガード８０は、昇降機構８４（図３を参照）により昇降させられて、３つの異なる高さ位置（高位置（図２では一点鎖線で示す）、低位置（図２では実線で示す）及び中間位置（図２では二点鎖線で示す））に配置できる。昇降機構８４は、図３に概略的に示すように、例えばエアシリンダ８４ａにより構成される。ミストガード８０は、外周筒部８１から外側に張り出すフランジ部８５を有し、フランジ部８５には、その下方にあるエアシリンダ８４ａのロッド８４ｂが接続され、ロッド８４ｂの進退に伴ってミストガード８０が昇降する。昇降機構８４は、回転モータにより駆動される直動機構、或いはリニアモータにより構成されてもよく、そのような場合、ミストガード８０を任意の高さ位置に配置することができる。
The
ミストガード８０は、高位置にあるときに、ノズル（ＳＣ１ノズル４１１、ＡＳノズル４１２、ＤＨＦノズル４１３、第１ＤＩＷノズル４１４、ＳＣ２ノズル４１８、第２ＤＩＷノズル４１９等）からウエハＷに供給され当該ウエハＷから飛散する処理液がチャンバ２０の内壁に到達することを、最も効果的に防止できる。ミストガード８０の高位置の望ましい高さは、ウエハＷ回転数及びウエハＷ表面上への処理液供給条件（流量等）により異なるので、それら条件に応じて高位置の高さを決定することが好ましい。一例として、高位置にあるミストガード８０の最上部の高さは、ウエハＷの表面の高さより６０ｍｍ高い。ミストガード８０が高位置に位置しているときには、近接位置にあるノズル（ノズル４１１〜４１７のいずれかに対応する）の吐出口がミストガード８０の張出部８２の内周端よりも低い位置に位置し、かつ、当該ノズルに対応するノズルアーム（第１ノズルアーム４２１、第２ノズルアーム４２２及び第３ノズルアーム４２３のいずれかに対応する）は張出部８２より上方に位置する。
When the
低位置は、ミストガード８０がとりうる下限位置である。低位置に配置されたミストガード８０の張出部８２の突起８３は、排気カップ５１の張出部５１２の上面５１６に接する。つまり、ミストガード８０と排気カップ５１との間の空間が、ウエハＷ近傍のウエハＷの上方空間から隔離される。また、ミストガード８０は、低位置に位置している間は、ウエハＷの上方空間からチャンバ２０の周縁部にある排気口（すなわちスリット状開口９７）に向かうガスの流れを妨げない。
The low position is a lower limit position that the
中間位置は、前述した高位置と低位置との間の中間の高さにある。ミストガード８０が中間位置に位置しているときには、ミストガード８０の張出部８２が排気カップ５１の張出部５１２から上方に離れる。このように中間位置に配置されたミストガード８０は、高位置に配置されたミストガード８０よりも処理液飛散防止能力は劣るものの、ウエハＷから飛散する処理液がチャンバ２０の内壁に到達することをある程度抑制することができる。また、ミストガード８０が中間位置に位置しているときには、前述した離間位置にあるノズルの吐出口がミストガード８０の張出部８２の内周端よりも高い位置に位置し、ノズルは、ミストガード８０と干渉することなく、ミストガード８０の上方を越えて、ウエハＷの面内の上方の位置と上述した待機位置との間を自在に移動することができる。
The intermediate position is at an intermediate height between the above-described high position and low position. When the
各アーム駆動機構（４３１、４３２、４３３）は昇降機構を含む。ミストガード８０を中間位置に配置した状態でノズルアーム（４２１、４２２、４２３）を高位置に上昇させることによって、対応するノズルがミストガード８０の上方を、十分なクリアランスをもって通過できる。
Each arm drive mechanism (431, 432, 433) includes an elevating mechanism. By raising the nozzle arm (421, 422, 423) to a high position with the
図２に示すように、排気カップ５１の外周筒部５１１の外側には、ミストガード８０の外周筒部８１を収容する円筒状のガードポケット９０が設けられている。ガードポケット９０は、排気カップ５１の外周筒部５１１の外周面と、外周筒部５１１に対面する円筒状の鉛直壁（縦壁）９１と、底壁９２とにより画定されている。底壁９２には、円周方向に複数の排出口９３が等間隔に形成されている。各排出口９３には排出管９４（排出ライン）が接続されている。ミストガード８０の内面上を重力の影響によって下方に流れる液滴は、ガードポケット９０内に落ち、排出管９４及び排気管１００を通って流れ、ミストトラップ１０１によって気液分離された後、液体成分としてドレン１０３から図示しない工場廃液系に排出される。
As shown in FIG. 2, a
なお、高位置にあるミストガード８０の外周筒部８１の下端は、ガードポケット９０の上端よりやや上方に位置する。これにより、ミストガード８０の張出部８２と排気カップ５１の張出部５１２との間の空間内の雰囲気（ガス、ミストなど）が、スリット状開口９７またはガードポケット９０内にスムーズに流れ込むようになり、ウエハＷ上方の空間に薬液由来の雰囲気や高湿度雰囲気（ミストを含む）が滞留することを防止することができる。
Note that the lower end of the outer peripheral
チャンバ２０内には、チャンバ２０内の処理空間の下限を画定する床板９６が設けられている。床板９６は、ミストガード８０の全周を囲み、ガードポケット９０を構成する鉛直壁９１から、概ね水平方向外側に向けてチャンバ２０の側壁２０ａに至るまで延びている。床板９６の一部は、チャンバ２０の側壁２０ａの手前で終端しており、床板９６の外側端９６ａとチャンバ２０の側壁２０ａとの間にスリット状開口９７が形成される。図３に示すチャンバ２０は４つの側壁２０ａを有しており、そのうちの３つに沿ってそれぞれ１ずつスリット状開口９７が設けられている。これらの３つのスリット状開口９７は共通の１つの排気空間９８に接続されている。残りの１つの側壁２０ａには、ウエハＷをチャンバ２０内に搬出入するためのシャッタ２５付きの搬出入口２４が設けられており、ここには、スリット状開口９７は設けられていない。
A
床板９６の下方には、チャンバ２０内の空間（処理空間）の雰囲気を排気するための排気空間９８が形成されている。排気空間９８は、床板９６、チャンバ２０の側壁２０ａ、底壁２０ｂ等の壁体、及び鉛直壁９１により画定されている。床板９６の上面は、平滑かつ平坦であり、チャンバ２０の側壁２０ａに近づくに従って高さが低くなるように緩やかに傾斜している。チャンバ２０内を洗浄したときに、スリット状開口９７を介して洗浄液がスムーズに排気空間９８に流れ込むようになっている。
An
排気空間９８に面するチャンバ２０の底壁２０ｂには、排気口９９が設けられている。排気口９９には、排気管１００（排気ライン）が接続されている。排気管１００には、排出管９４が合流している。合流点の下流側において、排気管１００には、ミストトラップ１０１およびバタフライ弁またはダンパ等の流量制御弁１０２が介設されている。排気管１００の下流端は、減圧雰囲気の工場排気系のダクト（図示せず）に接続されている。流量制御弁１０２の開度を調節することにより、排気空間９８及びガードポケット９０内の減圧の度合いを調整することができる。
An
［回収カップの洗浄］
次に、回収カップ５０の洗浄について、以下の第１実施形態及び第２実施形態に基づいて説明する。
[Recovery cup cleaning]
Next, the cleaning of the
以下の各実施形態において、本発明の各要素は、以下のように構成されている。すなわち、洗浄液を吐出する液供給部は、第１ノズルアーム４２１に保持されているＡＳノズル４１２と、第２ノズルアーム４２２に保持されている第１ＤＩＷノズル４１４と、を含む。また保持部３１を囲む第１カップ体は排気カップ５１によって構成され、排気カップ５１の下方において保持部３１を囲み、排気カップ５１との間にスペースを形成する第２カップ体は、排液カップ本体５２１によって構成されている。なお、排気カップ５１及び排液カップ本体５２１の各々は固定的に設けられているため、排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間に形成されるスペースは一定の大きさを有する。
In each of the following embodiments, each element of the present invention is configured as follows. That is, the liquid supply unit that discharges the cleaning liquid includes an AS
そして、ＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４から吐出されるＤＩＷ（特にミスト化されていないＤＩＷ）が洗浄液として使用され、当該ＤＩＷが、回転する保持部３１（特に第１回転カップ５３）にＤＩＷを供給し、当該保持部３１（特に第１回転カップ５３）を介して、排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間に形成されるスペースに供給される。ここでいう保持部３１にはベースプレート３１ａとともに回転する第１回転カップ５３及び第２回転カップ５４も含まれ、洗浄液として用いられるＤＩＷは、第１回転カップ５３及び／又は第２回転カップ５４を介して、排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間に形成されるスペースに供給される。
Then, DIW (particularly non-misted DIW) discharged from the
なお、下述の洗浄処理に関連する各デバイスは、図１に示す制御装置４によって制御される。制御装置４の制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラム及びデータに従って各デバイスを制御し、以下の各実施形態に係る洗浄処理を実行する。したがって記憶部１９は、下述の洗浄処理に含まれる各手順をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な非一次的な記録媒体を構成する。
Each device related to the cleaning process described below is controlled by the control device 4 shown in FIG. The
［第１実施形態］
図４は、第１実施形態に係る洗浄方法を説明するための図であって、回収カップ５０及び保持部３１の断面状態の概略を示す拡大斜視図である。なお図４には、ＡＳノズル４１２が代表的に示されているが、第１ＤＩＷノズル４１４もＡＳノズル４１２と同様に配置され、ＡＳノズル４１２と同様にＤＩＷを吐出する。
[First Embodiment]
FIG. 4 is a diagram for explaining the cleaning method according to the first embodiment, and is an enlarged perspective view showing an outline of a sectional state of the
保持部３１の一部を構成する円環状の第１回転カップ５３の上面は、第１傾斜面５６及び第２傾斜面５７を有する。第１傾斜面５６は、排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間に形成されるスペースＳの開口部に対向する位置に配置される。第２傾斜面５７は、第１傾斜面５６よりも下方において、第１傾斜面５６に隣接して設けられる。第１傾斜面５６及び第２傾斜面５７は相互に異なる傾斜角を有し、第２傾斜面５７の傾斜角の方が第１傾斜面５６の傾斜角よりも鉛直方向の傾斜角に近い。第１傾斜面５６及び第２傾斜面５７は、径方向外側に向かって徐々に下降しており、第１傾斜面５６の方が第２傾斜面５７よりもなだらかな傾斜を持つ。第１傾斜面５６と第２傾斜面５７との間の境界部分は、鉛直方向（すなわち図４の上下方向）に関し、排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間に位置する。
The upper surface of the annular first
本実施形態のＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４は、第１傾斜面５６よりも上方から第１傾斜面５６にＤＩＷを付与し、そのＤＩＷの少なくとも一部を、第１傾斜面５６を介して排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間に形成されるスペースＳに供給する。
The
すなわちＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４の各々は、排気カップ５１と第１回転カップ５３との間に形成される隙間の直上に配置され、当該隙間に向けてＤＩＷを吐出する。第１傾斜面５６の一部は当該隙間に対面しており、ＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４の各々から吐出されたＤＩＷの一部又は全部は、当該隙間を通過して第１傾斜面５６に着地する。一方、第１回転カップ５３を含む保持部３１は駆動部３３によって回転させられているため、上述のようにしてＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４の各々から吐出されたＤＩＷは、回転する第１傾斜面５６上に着地する。
That is, each of the
なお排気カップ５１は、ＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４の各々から吐出されたＤＩＷの断面に対応する大きさを持つ切欠部を有していてもよい。この場合、当該切欠部を通過するようにＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４の各々からＤＩＷを吐出させることで、ＤＩＷを効率良く第１傾斜面５６に付与することができる。
The
第１傾斜面５６に付与されたＤＩＷは、第１傾斜面５６の回転によってもたらされる遠心力の影響を受け、径方向外側に向けて飛散する。このようにして飛散したＤＩＷは、排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間のスペースＳに供給され、排気カップ５１及び排液カップ本体５２１の表面に付着した処理液成分Ｃを洗い流す洗浄液として働く。
The DIW applied to the first
なお、ＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４の各々が上述のようにしてＤＩＷを吐出している間、ミストガード８０は、高位置（図２の一点鎖線参照）又は中間位置（図２では二点鎖線参照）に配置される。ミストガード８０を上方位置に配置することで、ＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４は、排気カップ５１及び保持部３１（特に第１回転カップ５３）よりも上方から、ＤＩＷを吐出する。これにより、排気カップ５１又は保持部３１（特に第１回転カップ５３）に衝突して飛散したＤＩＷの一部を、ミストガード８０に付着させることができる。このようにしてミストガード８０に付着したＤＩＷは、ミストガード８０に付着した処理液の成分を洗い流す洗浄液として働く。
In addition, while each of the
なお、ミストガード８０に付着させるＤＩＷを増大させる観点からは、排気カップ５１又は保持部３１に近い位置にミストガード８０を配置することが好ましい。したがって、高位置よりも中間位置にミストガード８０を配置した方が、より効果的に、ミストガード８０に付着した処理液の成分を洗い流すことができることを期待できる。また、上述の低位置と中間位置との間若しくは中間位置と高位置との間の中途位置にミストガード８０を配置することができる場合には、そのような中途位置にミストガード８０が配置されてもよい。このように、排気カップ５１又は保持部３１（特に第１回転カップ５３）に衝突して飛散したＤＩＷの一部が、ミストガード８０のうち排気カップ５１と向かい合う下面に付着することが可能な任意の高さ位置にミストガード８０を配置した状態で、上述のようにしてＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４の各々からＤＩＷが吐出される。
From the viewpoint of increasing DIW attached to the
また、ミストガード８０に付着させるＤＩＷを増大させる観点からは、ＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４から吐出されるＤＩＷの一部を、第１回転カップ５３の上面及び排気カップ５１の上面５１６に衝突させることが好ましい。すなわち、第１回転カップ５３及び排気カップ５１のうち、第１回転カップ５３及び排気カップ５１よりも上方且つミストガード８０よりも下方の空間に露出する面に、ＤＩＷを積極的に衝突させて飛散させることで、ミストガード８０の内面にＤＩＷの液滴を効果的に付着させることができる。
Further, from the viewpoint of increasing DIW attached to the
このように、本実施形態に係る処理ユニット１６及び洗浄方法によれば、排気カップ５１と排液カップ本体５２１の間のスペースＳにおける処理液成分Ｃだけではなく、ミストガード８０に付着した処理液成分も洗い流すこともできる。
As described above, according to the
なお、ＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４の各々は、ミスト状（液滴状を含む）のＤＩＷを洗浄液として吐出してもよい。これにより、ミストガード８０に対してＤＩＷを効率良く付着させることができる。なお、この場合、ＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４の両方からミスト状のＤＩＷを吐出させてもよい。また、ＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４のうちの一方から連続的に流れる液状のＤＩＷを吐出させつつ、他方からミスト状のＤＩＷを吐出させてもよい。これにより、スペースＳを形成する排気カップ５１及び排液カップ本体５２１を液状のＤＩＷによって効果的に洗浄しつつ、ミストガード８０をミスト状のＤＩＷによって効果的に洗浄することができる。
Each of the
また上述の実施形態では、スペースＳを形成する排気カップ５１及び排液カップ本体５２１の洗浄とミストガード８０の洗浄とを同時に行っているが、先ず一方の洗浄を行い、その後、他方の洗浄を行ってもよい。例えば、まず図５Ａに示すように、排気カップ５１と第１回転カップ５３との間に形成される隙間の直上にＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４を配置し、当該隙間に向けてＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４からＤＩＷを吐出し、第１傾斜面５６に対してＤＩＷを積極的に付与する。これにより、スペースＳを形成する排気カップ５１及び排液カップ本体５２１の洗浄が行われる。その後、図５Ｂに示すように、ＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４の位置を変えて第１回転カップ５３の天面の直上にＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４を配置し、当該天面に向けてＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４からＤＩＷを吐出する。これにより、第１回転カップ５３の天面にＤＩＷを積極的に衝突させて、ＤＩＷの飛沫をミストガード８０に向けて飛散させ、ミストガード８０の洗浄が行われる。
Further, in the above-described embodiment, the
図６は、洗浄処理におけるＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４の配置（第１位置）を概略的に示す平面図である。図７は、洗浄処理におけるＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４の配置（第２位置）を概略的に示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view schematically showing the arrangement (first position) of the
本実施形態のＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４は、保持部３１（特に第１回転カップ５３の第１傾斜面５６）の複数箇所を介し、排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間に形成されるスペースＳにＤＩＷを供給する。すなわち、ＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４は、それぞれ、回転する第１回転カップ５３の第１傾斜面５６のうちの異なる位置（特に保持部３１の回転方向に関して異なる位置）に向けてＤＩＷを吐出する。第１回転カップ５３の第１傾斜面５６の全周にわたって満遍なくＤＩＷを付与する観点からは、ウエハＷの中心部Ｗｃを介して相互に対向する位置（すなわち中心部Ｗｃを基準として１８０度の中心角を形成する位置）に向けて、ＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４からＤＩＷを吐出することが好ましい。このように保持部３１の複数箇所を介してＤＩＷを供給することによって、より確実に、排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間に形成されるスペースＳの全体にＤＩＷを行き渡らせることができる。
The
また本実施形態の洗浄方法は、正方向ＣＷに回転する保持部３１（特に第１回転カップ５３）を介して排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間のスペースＳにＤＩＷを供給する工程と、逆方向ＣＣＷに回転する保持部３１（特に第１回転カップ５３）を介して排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間のスペースＳにＤＩＷを供給する工程と、を含む。
In the cleaning method of the present embodiment, DIW is supplied to the space S between the
制御部１８（図１参照）は、駆動部３３（図２参照）及び液供給部の一部を構成する上述の処理流体供給機構（図示せず）を制御する。当該制御下で、まず、保持部３１を正方向ＣＷに回転させつつ排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間に形成されるスペースＳにＤＩＷが供給され、その後、保持部３１を逆方向ＣＣＷに回転させつつ排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間に形成されるスペースＳにＤＩＷが供給される。
The control unit 18 (see FIG. 1) controls the above-described processing fluid supply mechanism (not shown) that forms part of the drive unit 33 (see FIG. 2) and the liquid supply unit. Under this control, first, DIW is supplied to the space S formed between the
具体的には、まず、ＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４を図６に示す第１位置に配置し、保持部３１を正方向ＣＷに回転させつつＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４から同時にＤＩＷを吐出させる（第１洗浄工程）。この第１洗浄工程を所定時間行った後、ＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４を図６に示す第１位置に配置し続けた状態で、保持部３１を逆方向ＣＣＷに回転させつつＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４から同時にＤＩＷを吐出させる（第２洗浄工程）。この第２洗浄工程を所定時間行った後、ＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４を図７に示す第２位置に配置し、保持部３１を正方向ＣＷに回転させつつＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４から同時にＤＩＷを吐出させる（第３洗浄工程）。この第３洗浄工程を所定時間行った後、ＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４を図７に示す第２位置に配置し続けた状態で、保持部３１を逆方向ＣＣＷに回転させつつＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４から同時にＤＩＷを吐出させる（第４洗浄工程）。
Specifically, first, the
上述の第１洗浄工程〜第４洗浄工程を連続的に行うことによって、排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間に形成されるスペースＳの全体にＤＩＷを行き渡らせて、排気カップ５１及び排液カップ本体５２１に付着した処理液成分Ｃを効果的に洗い流すことができる。なお、上述の第１洗浄工程〜第４洗浄工程を実施する順番は特に限定されず、第１洗浄工程〜第４洗浄工程のいずれかが省略されてもよく、第１洗浄工程〜第４洗浄工程以外の洗浄工程が行われてもよく、第１洗浄工程〜第４洗浄工程のうちの１以上の工程が繰り返し行われてもよい。例えば、上述の第１洗浄工程、第２洗浄工程、第４洗浄工程及び第３洗浄工程の順に洗浄処理を行う場合、第２洗浄工程及び第４洗浄工程における保持部３１の回転方向が同じであるため、ＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４の配置を変えるだけで、第２洗浄工程及び第４洗浄工程を連続的にスムーズに実施することができる。
By continuously performing the first cleaning process to the fourth cleaning process described above, the DIW is spread over the entire space S formed between the
本件発明者は、本実施形態に係る処理ユニット１６及び洗浄方法の洗浄性能を確認するための実験を行った。すなわち、上述の処理液としてクエン酸を使用し、排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間のスペースＳにクエン酸の固化成分を堆積させた回収カップ５０（すなわち処理ユニット１６）を準備した。そして、上述の第１洗浄工程〜第４洗浄工程を順次実施し、洗浄後の排気カップ５１及び排液カップ本体５２１の表面におけるクエン酸の固化成分の残存の有無を目視により確認した。具体的には、保持部３１を１５００ｒｐｍで回転させつつ、ＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４の各々から１．０／ｍｉｎの流量でＤＩＷを吐出させ、各洗浄工程を２０ｓｅｃ（秒）行って、全体で８０ｓｅｃにわたって上述の洗浄処理を行った。その結果、排気カップ５１及び排液カップ本体５２１の表面におけるクエン酸の固化成分の残存は認められず、洗浄が適切に行われたことを確認できた。
The present inventor conducted an experiment for confirming the cleaning performance of the
［第２実施形態］
本実施形態において、上述の第１実施形態と共通の要素には同一の符合を付し、その詳細な説明を省略する。また本実施形態において、上述の第１実施形態と共通の作用及び効果についても、その詳細な説明を省略する。
[Second Embodiment]
In the present embodiment, elements that are the same as those in the first embodiment described above are given the same reference numerals, and detailed descriptions thereof are omitted. In the present embodiment, detailed description of the operations and effects common to the first embodiment described above is also omitted.
図８は、第２実施形態に係る洗浄方法を説明するための図であって、回収カップ５０及び保持部３１の断面状態の概略を示す拡大斜視図である。図９は、排液カップ本体５２１の側面部６０の一部を示す概略図である。
FIG. 8 is an enlarged perspective view for explaining the cleaning method according to the second embodiment and showing an outline of a sectional state of the
本実施形態のＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４も、保持部３１（特に第１回転カップ５３）を介して、排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間に形成されるスペースＳにＤＩＷ（すなわち洗浄液）を供給するが、本実施形態では当該スペースＳよりも下方から当該スペースＳにＤＩＷが供給される。このＤＩＷの具体的な経路については後述するが、図８に示す矢印は、ＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４の各々から吐出されたＤＩＷの進行ルートを示す。
The
排液カップ本体５２１は、保持部３１（特に第１回転カップ５３の第２傾斜面５７）と対向するようにして配置された側面部６０を有する。側面部６０と第１回転カップ５３（特に第２傾斜面５７）との間には隙間が形成され、当該隙間は、排気カップ５１と第１回転カップ５３（特に第１傾斜面５６）との間に形成される隙間と、第１可動カップ要素５２２及び第２可動カップ要素５２３と保持部３１（特にベースプレート３１ａ）との間に形成される隙間と、に連通する。
The drain cup
排液カップ本体５２１の側面部６０には、図９に示すように複数の溝部６１が形成されている。複数の溝部６１は、上下方向に延在するが、鉛直方向（すなわち図８及び図９の上下方向）とは異なる方向に方向付けられており、回転する保持部３１から飛散して側面部６０に付着したＤＩＷを、排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間に形成されるスペースＳに向けて誘導する。
A plurality of
本実施形態では、排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間に形成されるスペースＳにＤＩＷを供給する際、保持部３１は逆方向ＣＣＷ（図６及び図７参照）に回転する。したがって、本実施形態の複数の溝部６１は、図９に示すように、排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間のスペースＳにＤＩＷ（すなわち洗浄液）を供給する際の保持部３１の回転方向（すなわち逆方向ＣＣＷ）に関し、上方向を向くように方向付けられている。なお、排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間のスペースＳにＤＩＷを供給する際に保持部３１を正方向ＣＷに回転させる場合には、各溝部６１は図９に示す方向とは逆方向（すなわち図９の紙面の右斜め上方向及び左斜め下方向）に方向付けられ、正方向ＣＷに関して上方向を向くように方向付けられる。
In this embodiment, when DIW is supplied to the space S formed between the
他の構成は、上述の第１実施形態と同様である。 Other configurations are the same as those in the first embodiment.
本実施形態では、ダミーのウエハＷｄがセットされた状態で保持部３１が回転されつつ、ＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４の各々からダミーのウエハＷｄ上にＤＩＷが吐出される。ダミーのウエハＷｄ上に吐出されたＤＩＷは、ダミーのウエハＷｄの回転による遠心力の影響を受けて第１回転カップ５３及び第２回転カップ５４に向かって飛散し、第１回転カップ５３及び第２回転カップ５４によって、第１回転カップ５３及び第２回転カップ５４の各々とベースプレート３１ａとの間に形成される隙間に誘導される。ＤＩＷは、その後、遠心力の影響を受けて保持部３１から外方に飛散して第２可動カップ要素５２３に衝突し、当該衝突によって様々な方向に飛散する。このようにして飛散したＤＩＷの一部は、排液カップ本体５２１の側面部６０に形成された溝部６１によって、排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間のスペースＳに誘導される。このようにして排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間のスペースＳにＤＩＷが供給され、当該スペースＳに堆積した処理液成分ＣがＤＩＷによって洗い流される。
In the present embodiment, DIW is discharged onto the dummy wafer Wd from each of the
なお本実施形態においても、上述の第１実施形態（図６及び図７参照）と同様に、ＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４は、保持部３１（特に第１回転カップ５３）の複数箇所を介し、排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間に形成されるスペースＳにＤＩＷを供給する。すなわち、ＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４は、それぞれ、回転するダミーのウエハＷｄの異なる位置（特に保持部３１の回転方向に関して異なる位置）に向けてＤＩＷを吐出する。これにより、ＡＳノズル４１２から吐出されたＤＩＷ及び第１ＤＩＷノズル４１４から吐出されたＤＩＷは、それぞれ第１回転カップ５３及び第２回転カップ５４の異なる箇所に付着し、その後、第２可動カップ要素５２３の異なる箇所に衝突する。このように保持部３１の複数箇所を介してＤＩＷを供給することで、排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間のスペースＳの全体に、効果的にＤＩＷを行き渡らせることができる。
In the present embodiment, as in the first embodiment (see FIGS. 6 and 7), the
またＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４の各々は、洗浄処理が行われている間に、異なる位置（図６及び図７に示す第１位置及び第２位置参照）でＤＩＷを吐出してもよい。
Each of the
ただし本実施形態の洗浄方法は、逆方向ＣＣＷに回転する保持部３１を介して排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間のスペースＳにＤＩＷを供給する工程のみを含み、正方向ＣＷに回転する保持部３１を介して排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間のスペースＳにＤＩＷを供給する工程は含まない。すなわち制御部１８（図１参照）は、駆動部３３（図２参照）及び上述の処理流体供給機構（図示せず）を制御し、保持部３１を逆方向ＣＣＷに回転させつつ、ＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４からＤＩＷを吐出させ、排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間に形成されるスペースＳにＤＩＷを供給する。
However, the cleaning method of the present embodiment includes only a step of supplying DIW to the space S between the
これにより、排液カップ本体５２１の側面部６０に形成された溝部６１によって、ＤＩＷを、排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間に形成されるスペースＳに効果的に誘導して、排気カップ５１及び排液カップ本体５２１に付着した処理液成分ＣをＤＩＷによって適切に洗い流すことができる。また、洗浄液としてのＤＩＷが側面部６０にも付着するため、側面部６０も併せて洗浄される。
Accordingly, the DIW is effectively guided to the space S formed between the
本件発明者は、本実施形態に係る処理ユニット１６及び洗浄方法の洗浄性能を確認するための実験を行った。すなわち、上述の処理液としてクエン酸を使用し、排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間のスペースＳにクエン酸の固化成分を堆積させた回収カップ５０（すなわち処理ユニット１６）を準備した。そして、上述の洗浄方法を実施し、洗浄後の排気カップ５１及び排液カップ本体５２１の表面におけるクエン酸の固化成分の残存の有無を目視により確認した。具体的には、保持部３１を２０００ｒｐｍで回転させつつ、ＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４の各々から２．０／ｍｉｎの流量でＤＩＷを吐出させ、１８０ｓｅｃにわたって上述の洗浄処理を行った。その結果、排気カップ５１及び排液カップ本体５２１の表面におけるクエン酸の固化成分の残存は認められず、洗浄が適切に行われたことを確認できた。
The present inventor conducted an experiment for confirming the cleaning performance of the
［他の実施形態］
なお、本発明は上述の実施形態には限定されない。
[Other Embodiments]
In addition, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment.
上述の第１の実施形態及び第２実施形態は組み合わされてもよい。例えば、ＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４の一方を使って第１実施形態のように第１傾斜面５６を介して上方から上述のスペースＳにＤＩＷ（すなわち洗浄液）を供給しつつ、他方を使って第２実施形態のようにダミーのウエハＷｄを介して下方から上述のスペースＳにＤＩＷを供給してもよい。また、ＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４以外の追加ノズルから上述のスペースＳにＤＩＷを供給してもよい。この場合、第１実施形態に基づくＤＩＷの供給手法が、ＡＳノズル４１２、第１ＤＩＷノズル４１４及び追加ノズルのうちのいずれか１以上のノズルが使われて行われ、第２実施形態に基づくＤＩＷの供給手法が、他のノズルが使われて行われてもよい。
The first embodiment and the second embodiment described above may be combined. For example, one of the
また、上述の各実施形態では排気カップ５１と排液カップ本体５２１との間のスペースＳを洗浄対象としているが、他のカップ体間のスペースに対して上述の各洗浄手法を適用し、そのような他のカップ体の表面に付着している処理液成分を洗い流してもよい。したがって、排液流路を形成するスペース（例えば、排液カップ本体５２１と第１可動カップ要素５２２との間のスペース、第１可動カップ要素５２２と第２可動カップ要素５２３との間のスペース、或いは第２可動カップ要素５２３と内周部５２１ｄとの間のスペース）に対し、上述の各洗浄手法が適用されてもよい。
Further, in each of the above-described embodiments, the space S between the
また、上述の各実施形態では、処理対象の基板は半導体ウエハであったが、これに限定されるものではなく、他の基板（例えば液晶ディスプレイ用のガラス基板、セラミック基板等）であってもよい。 In each of the above-described embodiments, the substrate to be processed is a semiconductor wafer. However, the substrate is not limited to this, and may be another substrate (for example, a glass substrate for a liquid crystal display, a ceramic substrate, or the like). Good.
１６ 処理ユニット
３１ 保持部
３３ 駆動部
５１ 排気カップ
４１２ ＡＳノズル
４１４ 第１ＤＩＷノズル
５２１ 排液カップ本体
Ｓ スペース
Ｗ ウエハ
16
Claims (10)
前記保持部を回転させる駆動部と、
洗浄液を吐出する液供給部と、
前記保持部を囲む第１カップ体と、
前記第１カップ体の下方において前記保持部を囲み、前記第１カップ体との間にスペースを形成する第２カップ体と、を備え、
前記液供給部は、回転する前記回転カップに前記洗浄液を供給し、当該回転カップを介して、前記第１カップ体と前記第２カップ体との間に形成される前記スペースに前記洗浄液を供給する基板処理装置。 A holding unit for holding a substrate, the holding unit including a rotating cup provided so as to surround the substrate;
A drive unit for rotating the holding unit;
A liquid supply unit for discharging the cleaning liquid;
A first cup body surrounding the holding portion;
A second cup body that surrounds the holding portion below the first cup body and forms a space with the first cup body,
The liquid supply unit supplies the cleaning liquid to the rotating cup that rotates, and supplies the cleaning liquid to the space formed between the first cup body and the second cup body via the rotating cup. Substrate processing apparatus.
前記液供給部は、前記第１傾斜面よりも上方から前記第１傾斜面に前記洗浄液を付与し、当該洗浄液の少なくとも一部を前記第１傾斜面を介して前記第１カップ体と前記第２カップ体との間に形成される前記スペースに供給する請求項１に記載の基板処理装置。 The upper surface of the rotating cup has a first inclined surface facing an opening of the space formed between the first cup body and the second cup body,
The liquid supply unit applies the cleaning liquid to the first inclined surface from above the first inclined surface, and at least a part of the cleaning liquid passes through the first inclined surface and the first cup body and the first inclined surface. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus supplies the space formed between the two cup bodies.
前記液供給部が前記洗浄液を吐出している間、前記ミストガードは前記上方位置に配置され、
前記液供給部は、前記第１カップ体及び前記回転カップよりも上方から前記洗浄液を吐出し、前記第１カップ体及び前記回転カップの少なくともいずれか一方によって飛散された前記洗浄液の一部を前記ミストガードに付着させる請求項２に記載の基板処理装置。 A mist guard provided so as to be movable up and down above the first cup body, the mist guard disposed at a lower position and an upper position farther from the first cup body than the lower position. In addition,
While the liquid supply unit is discharging the cleaning liquid, the mist guard is disposed at the upper position,
The liquid supply unit discharges the cleaning liquid from above the first cup body and the rotating cup, and a part of the cleaning liquid scattered by at least one of the first cup body and the rotating cup is The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the substrate processing apparatus is attached to a mist guard.
前記第１傾斜面と前記第２傾斜面との間の境界部分は、鉛直方向に関し、前記第１カップ体と前記第２カップ体との間に位置する請求項２又は３に記載の基板処理装置。 The upper surface of the rotating cup is a second inclined surface provided adjacent to the first inclined surface below the first inclined surface, and a second inclined surface having an inclination angle different from that of the first inclined surface. Has a surface,
4. The substrate processing according to claim 2, wherein a boundary portion between the first inclined surface and the second inclined surface is located between the first cup body and the second cup body in the vertical direction. apparatus.
前記複数の溝部は、鉛直方向とは異なる方向に方向付けられており、回転する前記保持部から飛散して前記側面部に付着した前記洗浄液を、前記第１カップ体と前記第２カップ体との間に形成される前記スペースに向けて誘導する請求項５に記載の基板処理装置。 The second cup body has a side surface portion which is a side surface portion facing the holding portion and in which a plurality of groove portions are formed,
The plurality of grooves are oriented in a direction different from the vertical direction, and the cleaning liquid splashed from the rotating holding part and adhered to the side part is separated from the first cup body and the second cup body. The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the substrate processing apparatus guides toward the space formed between the two.
前記制御部は、前記駆動部及び前記液供給部を制御し、前記保持部を正方向に回転させつつ前記第１カップ体と前記第２カップ体との間に形成される前記スペースに前記洗浄液を供給し、その後、前記保持部を逆方向に回転させつつ前記第１カップ体と前記第２カップ体との間に形成される前記スペースに前記洗浄液を供給する請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。 A control unit for controlling the driving unit and the liquid supply unit;
The control unit controls the driving unit and the liquid supply unit, and rotates the holding unit in a forward direction while the cleaning liquid is formed in the space formed between the first cup body and the second cup body. Then, the cleaning liquid is supplied to the space formed between the first cup body and the second cup body while rotating the holding portion in the reverse direction. The substrate processing apparatus according to one item.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017040373A JP6961362B2 (en) | 2017-03-03 | 2017-03-03 | Board processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017040373A JP6961362B2 (en) | 2017-03-03 | 2017-03-03 | Board processing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018147979A true JP2018147979A (en) | 2018-09-20 |
| JP6961362B2 JP6961362B2 (en) | 2021-11-05 |
Family
ID=63592372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017040373A Active JP6961362B2 (en) | 2017-03-03 | 2017-03-03 | Board processing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6961362B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111446150A (en) * | 2019-01-17 | 2020-07-24 | 东京毅力科创株式会社 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| KR20230006393A (en) | 2021-07-02 | 2023-01-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Substrate processing apparatus and cleaning method of mist guard |
| WO2024048122A1 (en) * | 2022-08-29 | 2024-03-07 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | Substrate treatment device and substrate treatment method |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0851064A (en) * | 1994-08-08 | 1996-02-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate backside washing method |
| JP2004111487A (en) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus |
| WO2008013118A1 (en) * | 2006-07-26 | 2008-01-31 | Tokyo Electron Limited | Liquid treatment device and liquid treatment method |
| JP2008034489A (en) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus |
| JP2009059895A (en) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Tokyo Electron Ltd | Liquid treatment apparatus, liquid treating method, and storage medium |
| JP2012178544A (en) * | 2011-02-01 | 2012-09-13 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
| JP2014183121A (en) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus |
| JP2015144239A (en) * | 2013-12-27 | 2015-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate liquid processing apparatus |
| JP2017034235A (en) * | 2015-07-29 | 2017-02-09 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing device, substrate processing method, and storage medium |
-
2017
- 2017-03-03 JP JP2017040373A patent/JP6961362B2/en active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0851064A (en) * | 1994-08-08 | 1996-02-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate backside washing method |
| JP2004111487A (en) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus |
| WO2008013118A1 (en) * | 2006-07-26 | 2008-01-31 | Tokyo Electron Limited | Liquid treatment device and liquid treatment method |
| JP2008034489A (en) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus |
| JP2009059895A (en) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Tokyo Electron Ltd | Liquid treatment apparatus, liquid treating method, and storage medium |
| JP2012178544A (en) * | 2011-02-01 | 2012-09-13 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
| JP2014183121A (en) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus |
| JP2015144239A (en) * | 2013-12-27 | 2015-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate liquid processing apparatus |
| JP2017034235A (en) * | 2015-07-29 | 2017-02-09 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing device, substrate processing method, and storage medium |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111446150A (en) * | 2019-01-17 | 2020-07-24 | 东京毅力科创株式会社 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| CN111446150B (en) * | 2019-01-17 | 2024-03-01 | 东京毅力科创株式会社 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| KR20230006393A (en) | 2021-07-02 | 2023-01-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Substrate processing apparatus and cleaning method of mist guard |
| WO2024048122A1 (en) * | 2022-08-29 | 2024-03-07 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | Substrate treatment device and substrate treatment method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6961362B2 (en) | 2021-11-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6740028B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium | |
| KR101530959B1 (en) | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium | |
| JP6404189B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and storage medium | |
| JP3587723B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| TWI538044B (en) | Cleaning jig and cleaning method for cleaning substrate processing device, and substrate processing system | |
| KR102482211B1 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium | |
| JP7197376B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| KR101670095B1 (en) | Liquid processing apparatus | |
| CN107527839B (en) | Substrate processing apparatus, cleaning method for substrate processing apparatus, and storage medium | |
| JP2017188665A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP2018147979A (en) | Substrate processing device | |
| CN107851572B (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium | |
| TWI665723B (en) | Substrate treatment device and substrate treatment method | |
| JP2018129476A (en) | Substrate processing device | |
| JP6395673B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| JP6125449B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus and substrate liquid processing method | |
| TWI808813B (en) | Substrate cleaning device, substrate cleaning system, substrate processing system, substrate cleaning method and substrate processing method | |
| JP7008546B2 (en) | Substrate processing equipment, substrate liquid treatment method and nozzle | |
| JP2024044905A (en) | Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method | |
| TW202304601A (en) | Substrate liquid processing device and substrate liquid processing method | |
| JP2024050440A (en) | Lift pin cleaning method and substrate processing apparatus | |
| KR20210109449A (en) | Development processing apparatus and development processing method | |
| JP2024044924A (en) | Substrate cleaning equipment and substrate cleaning method | |
| JP2022189496A (en) | Substrate processing method and substrate processing device | |
| JP2018093142A (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200110 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201209 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210202 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210324 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210914 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211013 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6961362 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |