KR101530959B1 - Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium - Google Patents

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Abstract

횡방향으로 일렬로 배치된 기판 보지부를 구비한 복수의 액 처리부와, 이들 액 처리부에 대하여 공용화된 처리액 노즐을 구비한 액 처리 장치에서, 상기 처리액 노즐로부터 기판으로 처리액이 낙하되는 것을 억제하여 수율의 저하를 방지하는 것이다. 횡방향으로 일렬로 배열된 복수의 컵체의 개구부 간에서 처리액 노즐의 이동로의 하방측에, 이동 수단에 의해 이동하는 처리액 노즐로부터 매달려 있는 상기 처리액의 액적에 접촉하여 이 액적을 처리액 노즐로부터 제거하기 위한 액 제거부가 설치되어 있다. 따라서, 처리액 노즐이 기판에 처리를 행하기 위하여 대기부와 각 액 처리부를 이동함에 있어서 처리액 노즐로부터 기판 상으로 상기 액적이 낙하되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과로서 수율의 저하를 억제할 수 있다.A liquid processing apparatus comprising a plurality of liquid processing units each having a substrate holding unit arranged in a row in a transverse direction and having a processing liquid nozzle shared with these liquid processing units to suppress dropping of the processing liquid from the processing liquid nozzle to the substrate Thereby preventing a decrease in the yield. Contacting the droplets of the treatment liquid suspended from the treatment liquid nozzle moving by the moving means between the openings of the plurality of cup bodies arranged in a row in the transverse direction on the lower side of the movement path of the treatment liquid nozzle, And a liquid removing portion for removing the liquid from the nozzle. Therefore, it is possible to prevent the droplet from dropping from the treatment liquid nozzle onto the substrate when the treatment liquid nozzle moves the base portion and the liquid treatment portion to perform the treatment on the substrate. As a result, a reduction in the yield can be suppressed.

Figure R1020100009009
Figure R1020100009009

Description

액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체{LIQUID PROCESSING APPARATUS, LIQUID PROCESSING METHOD, AND STORAGE MEDIUM}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a liquid processing apparatus, a liquid processing method,

본 발명은 기판으로 처리액을 공급하여 액 처리를 행하는 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid processing apparatus, a liquid processing method, and a storage medium for supplying a processing liquid to a substrate to perform liquid processing.

반도체 제조 공정 중 하나인 포토레지스트 공정에서는, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)의 표면에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트를 소정의 패턴으로 노광시킨 후에 현상하여 레지스트 패턴을 형성하고 있다. 이러한 처리는 일반적으로 레지스트의 도포, 현상을 행하는 도포 현상 장치에 노광 장치를 접속시킨 시스템을 이용하여 행해진다.In a photoresist process, which is one of semiconductor manufacturing processes, a resist is applied to the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), and the resist is exposed in a predetermined pattern and then developed to form a resist pattern. Such a treatment is generally carried out using a system in which an exposure apparatus is connected to a coating and developing apparatus for applying and developing a resist.

이 도포 현상 장치에는 웨이퍼로 처리액을 공급하여 액 처리를 행하는 액 처리 모듈이 설치되어 있다. 이 액 처리 모듈로서는, 예를 들면 현상액을 공급하여 현상을 행하는 현상 모듈(현상 장치)이 있다. 현상 모듈은, 웨이퍼를 보지(保持)하는 기판 보지부와, 배액 수단 및 배기 수단을 구비하고 이 기판 보지부에 보지된 웨이퍼를 둘러싸도록 설치된 컵체를 포함하는 현상 처리부를 구비하고 있다. 또한, 그 외에 현상 모듈은 상기 웨이퍼로 현상액을 공급하기 위한 현상액 노즐과, 이 현상액 노즐을 대기시키기 위한 대기부와, 현상액 공급 후에 세정액을 공급하는 세정액 노즐을 구비하고 있다.This coating and developing apparatus is provided with a liquid processing module for supplying a processing liquid to a wafer and performing liquid processing. As this liquid processing module, for example, there is a developing module (developing device) for supplying a developing liquid to perform development. The developing module is provided with a developing section including a substrate holding section for holding a wafer, a liquid discharging section and an exhaust section, and a cup body provided so as to surround the wafer held by the substrate holding section. In addition, the developing module further includes a developer nozzle for supplying developer to the wafer, a standby portion for waiting the developer nozzle, and a cleaning liquid nozzle for supplying a cleaning liquid after the developer is supplied.

스루풋(throughput)의 향상을 도모하기 위하여, 이 현상 모듈에서 상기 현상 처리부를 횡방향으로 복수 배설(配設)하고, 이 현상 처리부의 배열 방향의 연장선 상에 상기 대기부를 설치하고, 그리고 각 컵에 공통의 현상액 노즐이 각 현상 처리부의 상방 영역과 대기부의 사이를 이동하여 현상액을 공급하는 구성으로 하는 경우가 있다. 이 경우, 하나의 현상 처리부의 웨이퍼로 현상액의 공급이 행해지는 동안에 다른 현상 처리부에서는 웨이퍼로 세정액이 공급되거나, 기판 보지부를 회전시켜 스핀 건조가 행해진다.In order to improve the throughput, a plurality of the development processing sections are disposed (arranged) in the lateral direction in the development module, the atmosphere section is provided on the extension line of the development processing section, There is a case where a common developer nozzle is moved between the upper region of each development processing portion and the atmosphere portion to supply the developer. In this case, while the developer is supplied to the wafer of one development processing section, the cleaning liquid is supplied to the wafer from another development processing section, or the substrate holding section is rotated to spin dry.

그런데, 웨이퍼로 현상액 공급을 행한 후, 현상액 노즐의 하단(下端)에 현상액의 액적(液適)이 부착되어 매달려 있는 경우가 있다. 그리고 현상 장치를 상기와 같이 구성한 경우, 현상액 노즐이 현상 처리부 간을 이동하는 동안에 이 액적이 건조를 마친 웨이퍼 상에 낙하하여, 파티클이 되어 현상 결함이 될 우려가 있다. 또한, 이 액적이 장시간 노즐에 매달려 있으면, 액적이 분위기 중의 파티클을 흡수하고, 그리고 이러한 액적이 현상액 노즐로부터 토출되는 현상액에 섞여 웨이퍼로 공급되는, 이른바 노즐 오염으로 이어지는 경우가 있다. 현재는 레지스트 패턴의 미세화가 진행되어, 약간의 파티클이 웨이퍼에 부착됨으로써 수율의 저하를 초래할 우려가 있다는 점에서, 이와 같이 현상액 노즐에 매달려 있는 액적을 제거하는 요구가 높아지고 있다.However, after the developing solution is supplied to the wafer, the developing solution may be adhered to the lower end of the developing solution nozzle. When the developing apparatus is configured as described above, there is a possibility that the liquid drops fall on the dried wafer while the developer nozzle moves between the development processing sections, thereby becoming particles and a development defect. In addition, if the droplet is suspended from the nozzle for a long time, the droplet may absorb the particles in the atmosphere, and such droplets may be mixed with the developer discharged from the developer nozzle and supplied to the wafer, leading to so-called nozzle contamination. At present, there is a growing need to remove droplets hanging from the developer nozzle in such a manner that the resist pattern is made finer and some particles adhere to the wafer, thereby lowering the yield.

이 액적의 제거를 행하기 위해서는, 현상액 노즐에 흡인 기구를 설치하여 현상액 노즐의 토출구로부터 흡인을 행하여 액적을 흡입하는 것 또는, 웨이퍼 이외의 장소를 향해 현상액을 토출하여 액적을 흘려보내는 이른바 더미 디스펜스라고 불리는 처리를 행하는 것이 생각된다. 그러나, 상기 흡인 기구를 설치하는 것은 고비용이 되고, 더미 디스펜스를 행하는 것은 처리 택트의 연장에 따른 스루풋의 저하 또는 현상 처리의 비용의 상승을 초래할 우려가 있다.In order to remove the droplets, a so-called dummy dispenser is used in which a suction mechanism is provided in the developer nozzle to suck the droplets by suction from a discharge port of the developer nozzle, or a droplet is caused to flow by discharging a developer toward a place other than the wafer It is conceivable to carry out a process called. However, it is expensive to install the suction mechanism, and performing dummy dispensing may cause a decrease in throughput or an increase in the cost of development processing due to the extension of the processing tact.

또한, 웨이퍼로의 현상액의 공급 방법으로는, 회전하는 웨이퍼에 현상액 노즐로부터 현상액을 토출시키면서 이 현상액 노즐을 웨이퍼의 직경 방향으로 이동시켜 그 표면에 액막을 형성하는 경우가 있다. 이 경우, 웨이퍼(W)에 토출된 현상액이 웨이퍼(W) 상에서 튀어 파티클이 되는 것을 억제하기 위하여, 현상액 노즐(11)은, 도 18에 도시한 바와 같이, 이 토출구(12)가 비스듬히 경사진 상태로 이동 수단에 장착되고, 이 이동 수단에 의해 경사진 상태인 채로 웨이퍼(W) 상 및 현상 처리부 간을 이동시키는 것이 검토되고 있다.As a method of supplying the developer to the wafer, there is a case where the developer nozzle is moved in the radial direction of the wafer while discharging the developer from the developer nozzle onto the rotating wafer, thereby forming a liquid film on the surface. In this case, in order to suppress the developing liquid discharged onto the wafer W from splashing on the wafer W and becoming a particle, the developer nozzle 11 is arranged so that the discharge port 12 is inclined at an angle And moving the wafer W between the development processing unit and the developing unit while being tilted by the moving unit.

그러나, 이와 같이 현상액 노즐(11)을 경사지게 한 경우에는 도면 중의 쇄선(鎖線) 간에 도시한 토출구(12)의 투영 영역(14)으로부터 하방으로 어긋난 위치에 액적(13)이 형성되기 때문에, 상기와 같이 흡인 기구를 설치하거나 더미 디스펜스를 행해도 충분히 액적(13)이 제거되지 않을 우려가 있다.However, when the developer nozzle 11 is inclined as described above, the droplets 13 are formed at positions displaced downward from the projection region 14 of the ejection orifice 12 shown between the dashed lines in the drawing. There is a possibility that the droplet 13 is not sufficiently removed even if a suction mechanism is provided or dummy dispensing is performed.

현상 장치에 대하여 설명했지만, 현상액 대신에 레지스트 등의 각종 처리액을 도포하는 액 처리 장치에 대해서도, 사용하는 처리액이 현상액과 상이한 것 외에는 기술한 현상 장치와 동일한 장치 구성으로 되는 경우가 있다. 그리고, 이 액 처리 장치에 대해서도 이와 같이 처리액을 공급하는 노즐로부터 액적이 매달려 있고, 매달려 있는 동안에 이 액적에 포함되는 용제가 휘발하여 액적 중의 성분의 농도가 변화되는 것이 생각된다. 그리고, 이와 같이 성분의 농도가 변화된 액적이 액 처리 전, 액 처리 후의 웨이퍼 상으로 낙하되면, 이 액적이 파티클이 되어 웨이퍼를 오염시키거나 웨이퍼의 면 내에서의 처리의 균일성이 저하됨으로써, 역시 수율이 저하될 우려가 있다.The developing apparatus has been described. However, in the liquid processing apparatus for applying various processing liquids such as resist in place of the developing liquid, there are cases where the same apparatus configuration as the developing apparatus described above is employed, except that the processing liquid to be used is different from the developing liquid. It is also conceivable that the liquid contained in the droplet is volatilized and the concentration of the component in the droplet changes while the droplet is suspended from the nozzle for supplying the treatment liquid to the liquid treatment apparatus. When the droplet with the concentration of the component thus changed drops onto the wafer after the liquid treatment, the droplet becomes a particle and contaminates the wafer or the uniformity of the treatment in the plane of the wafer is lowered, The yield may be lowered.

특허 문헌 1에는 하나의 컵체의 측방 위치에 액적 제거용의 니들(needle)을 설치하는 것이 기재되어 있다. 그러나, 상기와 같이 복수의 컵체를 설치하여 처리를 행하는 것에 대해서는 기재되어 있지 않아, 상기의 문제를 해결하기에는 불충분하다.Patent Document 1 discloses that a needle for removing droplets is provided at a lateral position of one cup body. However, as described above, there is no description about the process of installing a plurality of cup bodies, which is insufficient to solve the above problems.

특허문헌1:일본특허공개공보평10-261609(단락[0020]등)Patent Document 1: JP-A-10-261609 (paragraph [0020] etc.)

본 발명은 이러한 사정 하에 이루어진 것으로, 그 목적은, 횡방향으로 일렬로 배치된 기판 보지부를 구비한 복수의 액 처리부와, 이들 액 처리부에 대하여 공용화된 처리액 노즐을 구비한 액 처리 장치에서, 상기 처리액 노즐로부터 기판으로 처리액이 낙하되는 것을 억제하여 수율의 저하를 방지할 수 있는 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체를 제공하는 것에 있다.The object of the present invention is to provide a liquid processing apparatus comprising a plurality of liquid processing units each having a substrate holding unit arranged in a line in a transverse direction and a processing liquid nozzle shared by the liquid processing units, A liquid processing method, and a storage medium that can prevent dropping of a process liquid from a process liquid nozzle to a substrate and prevent a decrease in yield.

본 발명의 액 처리 장치는, 상측에 개구부가 형성된 컵체 내에 기판을 수평하게 보지(保持)하는 기판 보지부를 설치하여 구성되고, 각각 횡방향으로 일렬로 배치된 복수의 액 처리부와, 상기 복수의 액 처리부에 대하여 공용화되어, 기판으로 처리액을 공급하기 위한 처리액 노즐과, 상기 액 처리부의 열(列)의 연장선 상에 설치되어, 처리액 노즐을 대기시키기 위한 대기부(待機部)와, 상기 액 처리부의 각각의 상방 영역과 상기 대기부의 사이에서 상기 처리액 노즐을 액 처리부의 열을 따라 이동시키기 위한 이동 수단과, 상기 컵체의 개구부 간에서 처리액 노즐의 이동로의 하방측에 설치되고, 상기 이동 수단에 의해 이동되는 처리액 노즐에 매달려 있는 액적(液適)에 접촉하여 상기 액적을 처리액 노즐로부터 제거하기 위한 액 제거부와, 상기 컵체의 개구부 간에서 상기 이동로에 위치하고, 또한 하나의 액 처리부로부터 다른 액 처리부를 향하여 횡방향으로 이동하는 도중의 상기 처리액 노즐에 세정액을 공급하여 세정하고, 상기 세정액이 상기 액 제거부에 의해 처리액 노즐로부터 제거되도록 상기 액 제거부에 설치된 세정액 공급부를 구비한 것을 특징으로 한다. A liquid processing apparatus of the present invention is characterized by comprising a plurality of liquid processing units each having a substrate holding unit for horizontally holding a substrate in a cup body having an opening formed on its upper side and arranged in a row in a row, A waiting portion for waiting for the treatment liquid nozzle, which is provided on an extended line of the column of the liquid treatment portion and which is shared with the treatment portion and supplies the treatment liquid to the substrate; A moving means for moving the processing liquid nozzle along the row of the liquid processing section between each upper region of the liquid processing section and the waiting section; Liquid removing means for removing the liquid droplets from the processing liquid nozzle by contacting a liquid droplet (liquid liquid) suspended from the processing liquid nozzle moved by the moving means; The cleaning liquid is supplied to the processing liquid nozzle located in the moving path from the bending section to the processing liquid nozzle while being moved in the lateral direction from one liquid processing section toward the other liquid processing section to clean the cleaning liquid, And a cleaning liquid supply unit provided in the liquid removal unit so as to be removed from the nozzle.

상기 처리액 노즐은, 예를 들면 경사 하방으로 상기 처리액을 토출하는 토출구를 구비하고 있고, 또한 상기 액 제거부는 예를 들면 탄성재에 의해 구성되고, 상기 액 제거부는, 예를 들면 또한 상기 대기부에 설치되어 있다. 그리고, 상기 대기부에 위치하는 처리액 노즐로 세정액을 공급하기 위한 세정액 공급부를 구비하고 있어도 좋다. 상기 액 제거부는 모세관 현상에 의해 액적을 그 내부로 흡수하여 제거하기 위하여 그 표면에 다수의 오목부를 가지고 있어도 좋다. 상기 오목부는, 예를 들면 상방을 향하여 개구되어 있고, 또한 상방으로부터 하방을 향해 갈수록 넓어지도록 구성된다. 상기 액 제거부는, 예를 들면 모세관 현상에 의해 액적을 그 내부로 흡수하여 제거하기 위하여 다공질 재료에 의해 구성되어 있다. 상기 처리액은, 예를 들면 현상액이며, 상기 기판은 그 표면에 레지스트가 도포되어 노광된 것이다. The treatment liquid nozzle has, for example, a discharge port for discharging the treatment liquid downwardly, and the liquid removal portion is made of, for example, an elastic material, and the liquid removal portion is, for example, It is installed at base. The cleaning liquid supply unit may include a cleaning liquid supply unit for supplying the cleaning liquid to the treatment liquid nozzle located at the standby portion. The liquid removing unit may have a plurality of recesses on its surface to absorb and remove the droplets by capillary phenomenon. The concave portion is configured to be opened upward, for example, and to be wider from the upper side toward the lower side. The liquid removing portion is made of a porous material for absorbing and removing liquid droplets therein by, for example, capillary phenomenon. The treatment liquid is, for example, a developer, and the substrate is exposed by applying a resist on its surface.

본 발명의 액 처리 방법은, 상측에 개구부가 형성된 컵체 내에 기판을 수평하게 보지하는 기판 보지부를 설치하여 구성되고, 각각 횡방향으로 일렬로 배치된 복수의 액 처리부에 대하여 공용화된 처리액 노즐로부터 상기 기판으로 처리액을 공급하는 액 처리 방법에 있어서, 상기 액 처리부의 열의 연장선 상에 설치된, 처리액 노즐을 대기시키기 위한 대기부로부터, 상기 복수의 액 처리부를 구성하는 하나의 액 처리부의 상방 영역으로, 상기 하나의 액 처리부의 기판에 처리액을 공급하기 위해 상기 처리액 노즐을 액 처리부의 열을 따라 이동 수단에 의해 이동시키는 공정과, 상기 대기부로 처리액 노즐을 되돌리지 않고 상기 처리액 노즐을 상기 복수의 액 처리부를 구성하는 다른 액 처리부의 기판에 처리액을 공급하기 위해, 상기 다른 액 처리부의 상방 영역을 향하여 상기 열을 따라 이동시키는 공정과, 상기 처리액 노즐이 다른 액 처리부까지 횡방향으로 이동하는 도중에, 상기 컵체의 개구부 간에서, 세정액 공급부에 의해 상기 처리액 노즐에 세정액을 공급하여 상기 처리액 노즐을 세정하고, 상기 세정액 공급부를 구비하고 또한 처리액 노즐의 이동로의 하방측에 설치된 액 제거부를 상기 이동 수단에 의해 이동되는 처리액 노즐에 매달려 있는 세정액의 액적에 접촉시키는 공정과, 상기 액 제거부에 접촉된 액적을 상기 액 제거부에 의해 처리액 노즐로부터 제거하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다. A liquid processing method of the present invention is a liquid processing method comprising the steps of: preparing a plurality of liquid processing units arranged in a row in a row, from a common process liquid nozzle to a substrate holding unit A liquid processing method for supplying a processing liquid to a substrate, the method comprising: a step of supplying, from a standby portion provided on an extension of a row of the liquid processing portion to wait for a processing liquid nozzle to a region above one liquid processing portion constituting the plurality of liquid processing portions A step of moving the treatment liquid nozzle by the moving means along the row of the liquid treatment unit so as to supply the treatment liquid to the substrate of the one liquid treatment unit; In order to supply the treatment liquid to the substrates of the other liquid processing units constituting the plurality of liquid treatment units, The cleaning liquid is supplied to the processing liquid nozzle by the cleaning liquid supply unit between the openings of the cup body while the processing liquid nozzle is moving in the lateral direction to the other liquid processing unit, A step of cleaning the process liquid nozzle and bringing the liquid removal section provided with the cleaning liquid supply section and provided below the moving path of the process liquid nozzle into contact with the liquid droplets of the cleaning liquid suspended from the process liquid nozzle moved by the moving device, And removing the liquid droplets contacted with the liquid removing unit from the treatment liquid nozzle by the liquid removing unit.

상기 기판으로 처리액을 공급하는 공정은, 예를 들면 처리액 노즐의 토출구로부터 상기 처리액을 경사 하방으로 공급하는 공정이며, 또한 상기 처리액은, 예를 들면 현상액이고, 상기 기판은 그 표면에 레지스트가 도포되어 노광된 것이다.The step of supplying the treatment liquid to the substrate is, for example, a step of supplying the treatment liquid downward from the discharge port of the treatment liquid nozzle, and the treatment liquid is, for example, a developer, A resist is applied and exposed.

기판에 대한 액 처리를 행하는 액 처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체로서, 상기 컴퓨터 프로그램은 상기의 액 처리 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 한다.A storage medium storing a computer program used in a liquid processing apparatus for performing liquid processing on a substrate, characterized in that the computer program is for carrying out the liquid processing method.

본 발명에 따르면, 횡방향으로 일렬로 배열된 복수의 컵체의 개구부 간에서, 처리액 노즐의 이동로의 하방측에, 이동 수단에 의해 이동하는 처리액 노즐로부터 매달려 있는 상기 처리액의 액적에 접촉하여 이 액적을 처리액 노즐로부터 제거하기 위한 액 제거부가 설치되어 있다. 따라서, 처리액 노즐이 기판에 처리를 행하기 위하여 대기부와 각 액 처리부를 이동함에 있어서, 처리액 노즐로부터 기판 상으로 상기 액적이 낙하되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과로서, 이 낙하된 액적이 파티클이 되거나 기판의 처리의 면내 균일성을 저하시키는 것을 방지할 수 있기 때문에 수율의 저하를 억제할 수 있다.According to the present invention, between the openings of a plurality of cup bodies arranged in a row in the transverse direction, on the lower side of the movement path of the processing liquid nozzle, a liquid droplet of the processing liquid suspended from the processing liquid nozzle moving by the moving means And a liquid removing portion for removing the droplet from the treatment liquid nozzle is provided. Therefore, when the treatment liquid nozzle moves the base portion and each of the liquid treatment portions to perform the treatment on the substrate, it is possible to prevent the droplet from falling from the treatment liquid nozzle onto the substrate. As a result, it is possible to prevent the dropped droplets from becoming particles or from decreasing the in-plane uniformity of the processing of the substrate, so that the reduction in the yield can be suppressed.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 현상 장치의 개략도이다.
도 2는 상기 현상 장치의 사시도이다.
도 3은 상기 현상 장치의 평면도이다.
도 4는 상기 현상 장치에 설치된 현상액 노즐 및 대기부(待機部)의 사시도이다.
도 5a 및 도 5b는 상기 현상액 노즐과 액 제거부의 위치 관계를 도시한 설명도 및 상기 현상액 노즐의 하방측 사시도이다.
도 6은 상기 현상액 노즐에 의해 현상액이 웨이퍼로 공급되는 상태를 도시한 설명도이다.
도 7a 내지 도 7d는 현상액 노즐의 이동 경로에서 현상액 노즐의 액적(液適)이 제거되는 상태를 도시한 설명도이다.
도 8a 내지 도 8d는 대기부에서 현상액 노즐의 액적이 제거되는 상태를 도시한 설명도이다.
도 9a 내지 도 9e는 상기 현상 장치에 의한 현상 공정을 도시한 작용도이다.
도 10a 내지 도 10e는 상기 현상 장치에 의한 현상 공정을 도시한 작용도이다.
도 11a 내지 도 11e는 상기 현상 장치에 의한 현상 공정을 도시한 작용도이다.
도 12a 내지 도 12d는 상기 현상 장치의 다른 현상 공정을 도시한 작용도이다.
도 13a 내지 도 13c는 액 제거부의 다른 구성을 도시한 설명도이다.
도 14a 및 도 14b는 액 제거부의 또 다른 구성을 도시한 설명도이다.
도 15는 상기 현상 장치를 구비한 도포 현상 장치의 평면도이다.
도 16은 상기 도포 현상 장치의 사시도이다.
도 17은 상기 도포 현상 장치의 종단 평면도이다.
도 18은 현상액 노즐로부터 액적이 매달려 있는 상태를 도시한 설명도이다.1 is a schematic view of a developing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view of the developing apparatus.
3 is a plan view of the developing apparatus.
4 is a perspective view of a developer nozzle and a standby portion provided in the developing apparatus.
5A and 5B are explanatory diagrams showing the positional relationship between the developer nozzle and the liquid refinement, and a perspective view of the developer nozzle downward.
6 is an explanatory diagram showing a state in which a developer is supplied to the wafer by the developer nozzle.
7A to 7D are explanatory diagrams showing a state in which a droplet (liquid solution) of the developer nozzle is removed in the movement path of the developer nozzle.
8A to 8D are explanatory diagrams showing a state in which the liquid developer in the developer nozzle is removed from the base portion.
9A to 9E are operation diagrams showing a developing process by the developing apparatus.
10A to 10E are functional diagrams showing a developing process by the developing apparatus.
11A to 11E are operation diagrams showing a developing process by the developing apparatus.
12A to 12D are operation diagrams showing another developing process of the developing apparatus.
13A to 13C are explanatory diagrams showing other configurations of liquid rejection.
14A and 14B are explanatory diagrams showing another configuration of the liquid rejection.
15 is a plan view of a coating and developing apparatus including the developing apparatus.
16 is a perspective view of the coating and developing apparatus.
17 is a longitudinal plan view of the coating and developing apparatus.
18 is an explanatory view showing a state in which droplets are suspended from the developer nozzle.

본 발명의 액 처리 장치의 일례인 현상 장치(2)에 대하여 그 개략 구성도인 도 1을 참조하여 설명한다. 현상 장치(2)는 3 개의 액 처리부인 현상 처리부(21a, 21b, 21c)와 복합 노즐부(4a ~ 4c)와 현상액 노즐(6)을 구비하고 있다.The developing apparatus 2, which is an example of the liquid processing apparatus of the present invention, will be described with reference to Fig. 1 which is a schematic configuration diagram thereof. The developing apparatus 2 is provided with development processing sections 21a, 21b and 21c which are three liquid processing sections, composite nozzle sections 4a to 4c and a developer nozzle 6. [

현상 처리부(21a ~ 21c)는 횡방향으로 일렬로 배열되어 있다. 각 현상 처리부(21a ~ 21c)는 각각 동일하게 구성되어 있고, 여기서는 현상 처리부(21a)를 예로 들어 설명한다. 현상 처리부(21a)는 각각 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡착하여 수평하게 보지(保持)하는 기판 보지부인 스핀 척(22a)을 구비하고, 스핀 척(22a)은 회전축(23a)을 개재하여 회전 구동 기구(24a)와 접속되어 있다. 스핀 척(22a)은 회전 구동 기구(24a)를 개재하여 웨이퍼(W)를 보지한 상태로 수직축을 중심으로 회전 가능하게 구성되어 있고, 이 회전축 상에 웨이퍼(W)의 중심이 위치하도록 설정되어 있다. 회전 구동 기구(24a)는 후술하는 제어부(100)로부터의 제어 신호를 수신하여 스핀 척(22a)의 회전 속도를 제어한다.The development processing units 21a to 21c are arranged in a row in the lateral direction. Each of the development processors 21a to 21c is configured identically, and the development processor 21a is taken as an example here. The development processing unit 21a includes a spin chuck 22a that is a substrate holding unit that adsorbs and horizontally holds the central portion of the back surface of the wafer W. The spin chuck 22a is rotated And is connected to the driving mechanism 24a. The spin chuck 22a is configured to be rotatable about a vertical axis while holding the wafer W via the rotation drive mechanism 24a and is set so that the center of the wafer W is positioned on the rotation axis have. The rotation driving mechanism 24a receives the control signal from the control unit 100 to be described later and controls the rotation speed of the spin chuck 22a.

스핀 척(22a)의 주위에는 스핀 척(22a) 상의 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 하여 상방측에 개구부(30a)를 구비한 컵체(31a)가 설치되어 있고, 컵체(31a)의 측둘레면 상단(上端)측은 내측으로 경사진 경사부(32a)를 형성하고 있다. 컵체(31a)의 저부(底部)측에는, 도 1에 도시한 바와 같이, 예를 들면 오목부 형상을 이루는 액 받이부(33a)가 설치되어 있다. 액 받이부(33a)는 도시하지 않은 격벽에 의해, 웨이퍼(W)의 주연부 하방측에 전체 둘레에 걸쳐 외측 영역과 내측 영역으로 구획되어 있다. 외측 영역의 저부에는 저장된 현상액 등의 드레인을 배출하기 위한 도시하지 않은 폐액구가 설치되고, 내측 영역의 저부에는 처리 분위기를 배기하기 위한 배기구(34a, 34a)가 설치되어 있다.A cup body 31a provided with an opening 30a on the upper side so as to surround the wafer W on the spin chuck 22a is provided around the spin chuck 22a, (Upper end) side forms an inclined portion 32a inclined inward. On the bottom side of the cup body 31a, for example, a liquid receiving portion 33a having a concave shape is provided as shown in Fig. The liquid receiving portion 33a is divided into an outer region and an inner region all around the periphery of the periphery of the wafer W by a partition wall (not shown). At the bottom of the outer region, a waste liquid port (not shown) for discharging the stored developer or the like is provided, and at the bottom of the inner region, there are provided exhaust ports 34a and 34a for exhausting the processing atmosphere.

배기구(34a, 34a)에는 배기관(35a)의 일단이 접속되어 있고, 배기관(35a)의 타단은 배기 댐퍼(36a)를 개재하여 현상 처리부(21b) 및 현상 처리부(21c)의 배기관(35b, 35c)과 합류하여, 예를 들면 현상 장치(2)가 설치된 공장의 배기로에 접속되어 있다. 배기 댐퍼(36a)는 제어부(100)로부터의 제어 신호를 수신하여 컵체(31a) 내의 배기량을 제어한다.One end of the exhaust pipe 35a is connected to the exhaust ports 34a and 34a and the other end of the exhaust pipe 35a is connected to the development processing unit 21b via the exhaust damper 36a and the exhaust pipes 35b and 35c of the development processing unit 21c And is connected to, for example, an exhaust passage of a factory in which the developing apparatus 2 is installed. The exhaust damper 36a receives the control signal from the control unit 100 and controls the amount of exhaust in the cup body 31a.

도 2, 도 3은 도 1의 현상 장치(2)를 실제로 구성한 것을 각각 모식적으로 도시한 사시도, 상면도이다. 도면 중 25a는 승강 가능하게 구성된 승강핀으로서 컵체(31a) 내에 3 개 설치되어 있다. 현상 장치(2)로 웨이퍼(W)를 반송하는 도시하지 않은 기판 반송 수단의 동작에 따라 승강핀(25a)이 승강하고, 이 기판 반송 수단과 스핀 척(22a)의 사이에서 웨이퍼(W)가 전달된다.2 and 3 are a perspective view and a top view, respectively, schematically showing the developing device 2 of Fig. 1 actually constructed. In the figure, three lift pins 25a are provided in the cup body 31a. The lift pins 25a are raised and lowered in accordance with the operation of a not-shown substrate transfer means for transferring the wafers W to the developing apparatus 2, and the wafers W are transferred between the wafer transfer means and the spin chuck 22a .

현상 처리부(21b)의 각 부에 대하여 현상 처리부(21a)의 각 부에 대응되는 부분에 대해서는, 현상 처리부(21a)의 설명에서 이용한 숫자와 동일한 숫자를 이용하고, 또한 a 대신에 b를 부여하여 각 도면 중에 도시하고 있다. 또한, 현상 처리부(21c)의 각 부에 대하여 현상 처리부(21a)의 각 부에 대응되는 부분에 대해서는, 현상 처리부(21a)의 설명에서 이용한 숫자와 동일한 숫자를 이용하고, 또한 a 대신에 c를 부여하여 각 도면 중에 도시하고 있다.With respect to the portions of the development processing section 21b, the same numerals as those used in the description of the development processing section 21a are used for the portions corresponding to the respective sections of the development processing section 21a, and b is given instead of a Are shown in the respective figures. For each part of the development processing section 21c, the same number as the number used in the description of the development processing section 21a is used for the part corresponding to each section of the development processing section 21a, and c And is shown in each drawing.

이어서, 복합 노즐부(4a, 4b, 4c)에 대하여 설명한다. 이들 복합 노즐부(4a, 4b, 4c)는 각각 현상 처리부(21a, 21b, 21c)의 웨이퍼(W)로 순수 및 N2(질소) 가스를 공급하도록 구성되어 있고, 각 복합 노즐부(4a ~ 4c)는 동일하게 구성되어 있다. 여기서는 대표로 복합 노즐부(4a)를 예로 들어 설명한다. 복합 노즐부(4a)는 각각 순수 노즐(41a) 및 N2 가스 노즐(42a)을 구비하고 있고, 이들 각 노즐(41a, 42a)은 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 서로 연접(連接)되고, 각 노즐(41a, 42a)은, 예를 들면 각각 수직 하방으로 개구된 원형의 세공(細孔)인 토출구를 각각 구비하고 있다.Next, the composite nozzle units 4a, 4b, and 4c will be described. The composite nozzle unit (4a, 4b, 4c) are each the developing processing unit is configured to supply the pure water, and N 2 (nitrogen) gas as the wafer (W) of (21a, 21b, 21c), each multiple nozzle section (4a ~ 4c are the same. Here, the composite nozzle unit 4a will be described as an example. Multiple nozzle section (4a) are each pure nozzle (41a) and N 2 provided with a gas nozzle (42a), each of these nozzles (41a, 42a) are concatenated together (連接) in the radial direction of the wafer (W), Each of the nozzles 41a and 42a has, for example, discharge openings each of which is a circular pore opening vertically downward.

도 1에 도시한 바와 같이, 순수 노즐(41a)은 공급로(43a)를 개재하여 순수가 저장된 순수 공급원(5B)에, N2 가스 노즐(42a)은 공급로(44a)를 개재하여 N2 가스가 저장된 N2 가스 공급원(5C)에 각각 접속되어 있다. 순수는 웨이퍼(W)로 현상액을 공급하기 전에 그 현상액의 습윤성을 높이기 위하여 공급되는 프리웨트(pre-wet) 처리를 행하기 위한 표면 처리액이며, 또한 현상 후에 불필요해진 현상액을 세정하기 위한 린스액이기도 하다. N2 가스는 웨이퍼(W)를 건조시키기 위하여 당해 웨이퍼(W)에 분사되는 건조용 가스로서, 이 예에서는 스핀 척(22a ~ 22c)의 회전에 의한 액의 털어내기 외에 이 N2 가스에 의한 공급에 의해 세정 후의 웨이퍼(W)가 건조된다.1, a pure water nozzle (41a) is in pure water supply source (5B) is purely stored via the a supply (43a), N 2 to N 2 gas nozzle (42a) is interposed in the supply (44a) Gas is connected to the stored N 2 gas source 5C. The pure water is a surface treatment liquid for performing a pre-wet treatment to increase the wettability of the developer before supplying the developer to the wafer W. The pure water is a rinse liquid for cleaning the developer that is unnecessary after development It is also. N 2 gas is a dry gas is injected to the wafer (W) the art in order to dry the wafer (W), in addition to betting off of the liquid by the rotation of this example, the spin chuck (22a ~ 22c) are due to the N 2 gas The wafer W thus cleaned by the supply is dried.

공급로(43a, 44a)에는 유량 제어부(45a, 46a)가 각각 설치되어 있다. 각 유량 제어부(45a) 및 유량 제어부(46a)는 밸브 또는 매스플로우 콘트롤러 등을 포함하고, 제어부(100)로부터의 제어 신호에 근거하여 각 노즐(41a, 42a)로부터 웨이퍼(W)로의 각 순수 및 가스의 공급 및 차단을 제어한다.The supply passages 43a and 44a are provided with flow control portions 45a and 46a, respectively. Each of the flow rate controller 45a and the flow rate controller 46a includes a valve or a mass flow controller and controls the flow rates of the respective pure water and water from the nozzles 41a and 42a to the wafer W based on the control signal from the controller 100. [ Gas supply and shut-off.

도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 복합 노즐부(4a)에는 당해 복합 노즐부(4a)를 지지하는 암체(47a)의 일단이 접속되어 있고, 암체(47a)의 타단은 이동 수단인 구동 기구(48a)에 접속되어 있다. 구동 기구(48a)는 현상 처리부(21a ~ 21c)의 배열 방향을 따라 형성된 기대(基台)(37) 상을, 그 배열 방향으로 연장된 가이드(49a)를 따라 이동하고, 또한 암체(47a)를 개재하여 복합 노즐부(4a)를 승강시킨다. 이 구동 기구(48a)의 이동 및 구동 기구(48a)에 의한 승강에 따라 순수 노즐(41a), N2 가스 노즐(42a)의 토출구가 스핀 척(22a)에 재치된 웨이퍼(W)의 중심부 상으로 이동하여, 순수, N2 가스를 각각 웨이퍼(W)의 중심으로 공급할 수 있다. 구동 기구(48a)의 동작은 제어부(100)로부터의 제어 신호를 수신하여 제어된다.As shown in Figs. 2 and 3, one end of a female body 47a for supporting the composite nozzle portion 4a is connected to the composite nozzle portion 4a, and the other end of the female body 47a is driven And is connected to the mechanism 48a. The drive mechanism 48a moves along the guide 49a extending in the arrangement direction on the base 37 formed along the arrangement direction of the development processing portions 21a to 21c and further moves along the arm body 47a, Thereby moving the composite nozzle unit 4a up and down. Depending on the lift according to the movement and a drive mechanism (48a) of the drive mechanism (48a) pure water nozzle (41a), N 2 the center of the wafer (W) mounting the discharge port of the gas nozzle (42a) by the spin chuck (22a) onto So that pure water and N 2 gas can be supplied to the center of the wafer W, respectively. The operation of the driving mechanism 48a is controlled by receiving the control signal from the control unit 100. [

현상 처리부의 도시와 마찬가지로, 복합 노즐부(4b, 4c)에서의 복합 노즐부(4a)와 동일하게 구성된 각 부에 대해서는, 복합 노즐부의 설명에 이용한 부호와 동일한 숫자의 부호를 이용하고, 또한 부호 중의 a를 b 또는 c로 각각 변경하여 도시하고 있다.As in the case of the development processing unit, the same numerals as those used in the description of the composite nozzle unit are used for each unit configured similarly to the composite nozzle unit 4a in the composite nozzle units 4b and 4c, Quot; b " or " c "

각 현상 처리부(21a ~ 21c)의 측방에는 상측이 개구된 컵 형상의 노즐 대기부(待機部)(51a ~ 51c)가 각각 설치되고, 이 대기부(51a ~ 51c)의 내부는 복합 노즐부(4a ~ 4c)의 대기 영역(52a ~ 52c)으로서 구성되어 있다. 그리고, 복합 노즐부(4a ~ 4c)는 웨이퍼(W)에 처리를 행하지 않을 때에는 이들 대기 영역(52a ~ 52c)에 각각 수납된다.Shaped cup-shaped nozzle base portions 51a to 51c are provided at the side of each of the development processing portions 21a to 21c and the interior of the air bearing portions 51a to 51c is formed in the composite nozzle portion 4a to 4c in the waiting area 52a to 52c. The composite nozzles 4a to 4c are housed in the waiting areas 52a to 52c, respectively, when the wafer W is not to be processed.

이어서, 처리액 노즐인 현상액 노즐(6)에 대하여, 도 4, 도 5a 및 도 5b도 참조하여 설명한다. 현상액 노즐(6)은 그 하단면에 당해 현상액 노즐(6)의 이동 방향을 따라 편평한 슬릿 형상으로 개구된 토출구(61)를 구비하고 있고, 이 토출구(61)의 길이 방향은 웨이퍼(W)의 직경 및 현상액 노즐(6)의 이동 방향으로 병행하고 있다. 또한, 도 5a에 도시한 바와 같이, 토출구(61)는 경사 방향을 향해 형성되어 있다.Next, the developer nozzle 6 which is a treatment liquid nozzle will be described with reference to Figs. 4, 5A and 5B. The developer nozzle 6 has a discharge port 61 opened at its lower end surface in a flat slit shape along the moving direction of the developer nozzle 6. The longitudinal direction of the discharge port 61 is parallel to the longitudinal direction of the wafer W Diameter and the moving direction of the developer nozzle 6 are parallel to each other. Further, as shown in Fig. 5A, the discharge port 61 is formed toward the oblique direction.

도 1에 도시한 바와 같이, 현상액 노즐(6)에는 현상액 공급로(62)의 일단이 접속되어 있다. 현상액 공급로(62)의 타단은 밸브 또는 매스플로우 콘트롤러 등을 포함한 유량 제어부(63)를 개재하여 현상액 공급원(5A)에 접속되어 있고, 제어부(100)로부터의 제어 신호에 따라 유량 제어부(63)가 현상액 노즐(6)로부터 웨이퍼(W)로의 현상액의 공급 및 차단을 제어한다.As shown in Fig. 1, one end of the developer supply path 62 is connected to the developer nozzle 6. The other end of the developer supply path 62 is connected to the developer supply source 5A through a flow control section 63 including a valve or a mass flow controller and is connected to the flow control section 63 in accordance with a control signal from the control section 100. [ Controls the supply and blocking of the developer from the developer nozzle 6 to the wafer W.

도 2 및 도 4에 도시한 바와 같이, 현상액 노즐(6)은 암체(64)의 일단에 접속되어 지지되어 있고, 암체(64)의 타단은 기대(37) 상에 설치된 구동 기구(65)에 접속되어 있다. 구동 기구(65)는 기대(37)에 현상 처리부(21a ~ 21c)의 배열 방향으로 연장되도록 설치된 가이드(60)를 따라 횡방향으로 이동할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 구동 기구(65)는 암체(64)를 개재하여 현상액 노즐(6)을 승강시킬 수 있다. 구동 기구(65)의 동작은 제어부(100)로부터의 제어 신호를 수신하여 제어된다.2 and 4, the developer nozzle 6 is connected to and supported by one end of the arm body 64 and the other end of the arm body 64 is supported by a drive mechanism 65 provided on the base 37 Respectively. The drive mechanism 65 is configured so as to be able to move in the lateral direction along the guide 60 provided to extend in the arrangement direction of the development processing sections 21a to 21c on the base 37. [ Further, the driving mechanism 65 can move the developer nozzle 6 up and down via the arm body 64. The operation of the driving mechanism 65 is controlled by receiving a control signal from the control unit 100. [

현상액 노즐(6)은 이 구동 기구(65)에 의해 각 현상 처리부(21a ~ 21c)의 상방 영역과 후술하는 대기부(66)의 사이를 이동한다. 또한, 도 6에 도시한 바와 같이, 현상액 노즐(6)은 각 현상 처리부(21a ~ 21c)로 반입된 웨이퍼(W)의 회전 방향을 따라 비스듬히 띠 형상으로 현상액을 공급하면서, 화살표로 도시한 바와 같이, 당해 웨이퍼(W)의 주연부로부터 중심부를 향해 이동하여, 웨이퍼(W)의 표면 전체에 현상액(L)의 액막을 형성할 수 있다.The developer nozzle 6 is moved by the driving mechanism 65 between an upper region of each of the development processing sections 21a to 21c and a later described waiting section 66. [ 6, the developer nozzle 6 feeds the developer in a belt shape obliquely along the rotational direction of the wafer W carried into each of the development processing sections 21a to 21c, The liquid film of the developer L can be formed on the entire surface of the wafer W by moving from the periphery of the wafer W to the central portion.

현상 처리부(21a)의 컵체(31a)와 현상 처리부(21b)의 컵체(31b)의 사이에서 대기부(51b)의 상방 위치에는 액 제거부(7A)가 설치되어 있다. 또한, 현상 처리부(21b)의 컵체(31b)와 현상 처리부(21c)의 컵체(31c)의 사이에서 대기부(51c)의 상방 위치에는 액 제거부(7B)가 설치되어 있다. 이들 액 제거부(7A, 7B)는 현상액 노즐(6)의 횡방향으로의 이동로의 하방측에 설치되어 있다.Liquid rejection 7A is provided above the waiting portion 51b between the cup body 31a of the development processing portion 21a and the cup body 31b of the development processing portion 21b. A liquid removing unit 7B is provided above the waiting portion 51c between the cup body 31b of the developing processing unit 21b and the cup body 31c of the developing processing unit 21c. These liquid removers 7A and 7B are provided on the lower side of the movement path of the developer nozzle 6 in the lateral direction.

액 제거부(7A, 7B)는 서로 동일하게 구성되어 있고, 도 5a 및 도 7a를 이용하여 설명한다. 이들 도면에 도시한 바와 같이, 액 제거부(7A, 7B)는 수평하게 설치된 기부(基部)(71)와 기부(71)로부터 경사 방향으로 연장된 판 형상의 액 받이부(72)를 구비하고 있고, 이 액 받이부(72)의 선단은 현상액 노즐(6)의 횡방향으로의 이동 방향과 병행하고, 또한 이와 같이 횡방향으로 이동하는 현상액 노즐(6)의 하단과 근접하도록 형성되어 있다. 이들 액 제거부(7A, 7B)는 현상액 노즐(6)로부터 현상액의 액적(液適)을 효율적으로 제거하기 위하여, 예를 들면 높은 친수성을 가지는 다공질의 세라믹에 의해 구성되어 있어, 모세관 현상에 의해 액적을 그 내부로 흡수하여 제거한다.The liquid removers 7A and 7B are configured identically to each other and will be described with reference to Figs. 5A and 7A. As shown in these drawings, the liquid remover 7A, 7B includes a horizontally installed base portion 71 and a plate-shaped liquid receiving portion 72 extending in an oblique direction from the base portion 71 The distal end of the liquid receiving portion 72 is formed so as to be in parallel with the moving direction of the developer nozzle 6 in the transverse direction and in the vicinity of the lower end of the developer nozzle 6 moving in the lateral direction. These liquid removers 7A and 7B are made of, for example, porous ceramics having high hydrophilicity in order to efficiently remove the liquid developer from the developer nozzle 6, The droplet is absorbed into it and removed.

도 7a 내지 도 7d는 현상액 노즐(6)이 횡방향으로 이동할 때의 모습을 도시하고 있고, 현상액 노즐(6)이 이동할 때에 액 제거부(7A) 및 액 제거부(7B)는 현상액 노즐(6)에 근접하여 현상액 노즐(6)의 하단에 매달려 형성된 액적(D)에 접촉하고, 이 액적(D)을 그 내부로 흡수하여 제거한다. 그런데, 현상액 노즐(6)의 하단에 매달려 형성되는 현상액의 액적(D)으로서는, 반복 현상 처리를 행하는 과정에서 그 하단으로의 현상액이 축적됨에 따라 점차 커져 소정의 크기가 되었을 때에 중력에 의해 현상액 노즐(6)로부터 낙하되는데, 이 낙하 전에 제거할 수 있으면 되기 때문에, 도 5a 중의 현상액 노즐(6)의 하단과 액 제거부(7A)의 거리(h1)는 이 액적(D)이 낙하될 때의 크기에 따라 임의로 설정되고, 예를 들면 1.5 mm이다.7A to 7D show a state in which the developer nozzle 6 is moved in the lateral direction and when the developer nozzle 6 is moved, the liquid agent removing unit 7A and the liquid removing unit 7B are moved to the developer nozzle 6 And comes into contact with the droplet D formed by hanging from the lower end of the developer nozzle 6 and absorbs the droplet D therein to remove it. As the droplet D of the developing solution suspended from the lower end of the developing solution nozzle 6, as the developing solution toward the lower end of the developing solution is accumulated in the process of performing the repeated developing process, The distance h1 between the lower end of the developer nozzle 6 in Fig. 5A and the liquid remover 7A is smaller than the distance h2 between the lower end of the developer nozzle 6 in Fig. 5A and the liquid remover 7A, For example, 1.5 mm.

기대(37)에서 현상 처리부(21a ~ 21c)의 배열 방향의 연장선 상에는 상측이 개구된 컵 형상으로 형성된 대기부(66)가 설치되어 있고, 이 대기부(66)의 내부는 현상액 노즐(6)의 대기 영역(67)으로서 구성되어 있다. 현상액 노즐(6)은 웨이퍼(W)에 처리를 행하지 않을 때에는 이 대기 영역(67)에 수납되고, 현상 처리를 행할 때에 상기 구동 기구(65)를 개재하여 당해 대기 영역(67)으로부터 각 현상 처리부(21a ~ 21c)로 이동한다.The base portion 66 is provided with a cup-shaped base portion 66 which is open on the upper side on an extension of the arrangement direction of the development processing portions 21a to 21c in the base 37. The inside of the base portion 66 is filled with a developer, As shown in Fig. The developer nozzle 6 is accommodated in the waiting area 67 when the wafer W is not to be processed and is stored in the waiting area 67 via the driving mechanism 65 when the developing process is performed, (21a to 21c).

대기 영역(67)에는 액 제거부(7C)가 설치되어 있다. 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 액 제거부(7C)는 액 제거부(7A, 7B)와 동일하게 구성되어 있고, 현상액 노즐(6)이 대기부(66)에 수납될 때에 액 받이부(72)의 선단은 현상액 노즐(6)의 토출구(61)에 근접하고, 또한 토출구(61)의 길이 방향과 이 선단이 병행하도록 설치되어 있다. 도 8a 내지 도 8d는, 현상액 노즐(6)이 대기부(6)에 수납되고 현상액 노즐(6)로부터 매달려 있는 현상액의 액적(D)을 액 제거부(7C)가 흡수하여 제거하는 모습을 도시하고 있다. 도 8d 중에 도시한 대기부(66)에 수납되었을 때의 현상액 노즐(6)의 하단과 액 제거부(7C)의 거리(h2)는 이 액적(D)이 낙하될 때의 크기에 따라 임의로 설정되고, 예를 들면 1.5 mm이다.In the waiting area 67, a liquid removing unit 7C is provided. 4 and 5, the liquid remover 7C is configured in the same manner as the liquid removers 7A and 7B, and when the developer nozzle 6 is housed in the standby portion 66, The distal end of the portion 72 is provided so as to be close to the ejection opening 61 of the developer nozzle 6 and to be parallel to the longitudinal direction of the ejection opening 61 and its tip. 8A to 8D show a state in which the liquid removing unit 7C absorbs and removes the liquid droplets D of the developing liquid stored in the standby portion 6 and suspended from the developing liquid nozzle 6 . The distance h2 between the lower end of the developer nozzle 6 and the liquid remover 7C when housed in the free base 66 shown in Fig. 8D is set arbitrarily according to the size when the droplet D falls For example, 1.5 mm.

이어서, 제어부(100)에 대하여 설명한다. 제어부(100)는, 예를 들면 컴퓨터로 이루어지고, 도시하지 않은 프로그램 저장부를 가지고 있다. 이 프로그램 저장부에는 후술하는 작용으로 설명하는 현상 처리가 행해지도록 명령이 포함된, 예를 들면 소프트웨어로 이루어지는 프로그램이 저장되고, 이 프로그램이 제어부(100)로 독출됨으로써 제어부(100)는 웨이퍼의 회전 속도, 각 노즐의 이동, 웨이퍼로의 현상액, 순수 및 N2 가스의 공급 등을 제어한다. 이 프로그램은, 예를 들면 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그넷 옵티컬 디스크 또는 메모리 카드 등의 기억 매체에 수납된 상태로 프로그램 저장부에 저장된다.Next, the control unit 100 will be described. The control unit 100 is, for example, a computer and has a program storage unit (not shown). The program storage unit stores a program, for example, a software program containing an instruction for performing a developing process described below by the action to be described later. The program is read to the control unit 100, Speed, the movement of each nozzle, the developer to the wafer, the supply of pure water and N 2 gas, and the like. The program is stored in a program storage unit in a state of being stored in a storage medium such as a hard disk, a compact disk, a magnet optical disk, or a memory card.

계속해서, 이 현상 장치(2)로 차례로 웨이퍼(W)가 반입되었을 때에 행해지는 처리의 일례에 대하여 도 9a 내지 도 12d를 참조하여 설명한다. 웨이퍼(W)는, 예를 들면 도시하지 않은 기판 반송 수단에 의해 현상 처리부(21a, 21b, 21c)의 순서로 반송되고, 또한 각 웨이퍼(W)의 표면에는 레지스트가 도포되어 있어, 이 레지스트가 소정의 노광 처리를 받고 있는 것으로 한다. 또한, 편의상 현상 처리부(21a, 21b, 21c)로 반입되는 웨이퍼(W)를 각각 웨이퍼(W1, W2, W3)라고 기재한다.Next, an example of processing performed when the wafers W are sequentially carried in the developing apparatus 2 will be described with reference to Figs. 9A to 12D. The wafers W are transported in the order of development processing units 21a, 21b, and 21c by, for example, substrate transport means (not shown), and the surfaces of the wafers W are coated with a resist. It is assumed that predetermined exposure processing has been performed. For convenience, the wafers W to be brought into the development processing sections 21a, 21b, and 21c will be referred to as wafers W1, W2, and W3, respectively.

또한, 전술한 바와 같이 반복하여 현상 처리를 행할 때마다 현상액 노즐(6)의 하단에 현상액이 모여 당해 노즐(6)에 부착된 액적(D)이 커진다. 그리고, 액적(D)이 소정의 사이즈가 되었을 때에 액 제거부(7A ~ 7C)에 의해 제거될 수 있도록 현상액 노즐(6)과 각 액 제거부의 거리를 조정하면 되는데, 하기의 설명에서는 현상액의 액적(D)이 제거되는 모습을 명확히 도시하기 위하여 설명의 편의상, 이 액적(D)이 웨이퍼(W)에 처리를 행할 때마다 현상액 노즐(6)에 매달려 있고, 처리를 행할 때마다 이 액적(D)이 제거되도록 액 제거부(7A ~ 7C)의 위치가 조정되고 있는 것으로 한다.Further, every time the developing process is repeatedly performed as described above, the developer is collected at the lower end of the developer nozzle 6, and the droplet D attached to the nozzle 6 becomes larger. The distance between the developer nozzle 6 and each liquid refinement is adjusted so that it can be removed by the liquid removers 7A to 7C when the droplet D reaches a predetermined size. In order to clearly show the state in which the droplet D is removed, for convenience of explanation, the droplet D is suspended from the developer nozzle 6 every time the wafer W is processed, It is assumed that the positions of the liquid removers 7A to 7C are adjusted so that the liquid drops 7A to 7D are removed.

도 9a에 도시한 바와 같이, 처리 개시 전에 현상액 노즐(6), 복합 노즐부(4a ~ 4c)는 각각 대기부(66, 51a ~ 51c)에 수납되어 있다. 각 컵체(31a ~ 31c) 내의 배기량이 소정의 배기량이 되고, 웨이퍼(W1)가 현상 처리부(21a)의 스핀 척(22a)으로 전달되어 소정의 회전수로 회전하고, 또한 복합 노즐부(4a)가 웨이퍼(W1) 상으로 이동하여 순수 노즐(41a)이 웨이퍼(W1)의 중심부로 순수(F)를 토출한다. 토출된 순수(F)는 원심력에 의해 주연부로 확산되는 이른바 스핀 코팅에 의해 웨이퍼(W1)를 덮어 전술한 프리웨팅이 행해진다(도 9b).As shown in Fig. 9A, the developer nozzle 6 and the composite nozzle portions 4a to 4c are accommodated in the base portions 66 and 51a to 51c, respectively, before the start of the treatment. The amount of exhaust in each of the cup bodies 31a to 31c becomes a predetermined amount of exhaust and the wafer W1 is transferred to the spin chuck 22a of the development processing unit 21a and rotated at a predetermined number of revolutions, And the pure water nozzle 41a discharges the pure water F to the center of the wafer W1. The above-described prewetting is performed by covering the wafer W1 by so-called spin coating in which the discharged pure water F is diffused to the periphery by centrifugal force (FIG. 9B).

순수(F)의 공급이 정지하고 복합 노즐부(4a)가 웨이퍼(W1)의 주연부측으로 이동하고, 또한 현상액 노즐(6)이 대기부(66)로부터 웨이퍼(W1)의 주연부 상으로 이동한다. 그리고, 현상액 노즐(6)은 현상액(L)을 공급하면서 웨이퍼(W1)의 중심부 상으로 이동하여(도 9c), 웨이퍼(W1)의 표면 전체가 현상액(L)에 의해 덮인다. 그 후, 현상액 노즐(6)로부터의 현상액(L)의 토출이 정지되고, 현상액 노즐(6)이 대기부(66)로 돌아온다(도 9d).The supply of the pure water F is stopped and the composite nozzle unit 4a moves toward the periphery of the wafer W1 and the developer nozzle 6 moves from the standby portion 66 onto the peripheral edge of the wafer W1. Then, the developer nozzle 6 moves onto the central portion of the wafer W1 while supplying the developer L (Fig. 9C), so that the entire surface of the wafer W1 is covered with the developer L. Thereafter, the ejection of the developer L from the developer nozzle 6 is stopped, and the developer nozzle 6 returns to the air bearing portion 66 (Fig. 9D).

현상액 노즐(6)이 대기부(66) 내의 대기 영역(67)에 수납되고, 도 8a 내지 도 8d에 도시한 바와 같이, 현상액 노즐(6)의 하단이 액 제거부(7C)에 근접하여 그 하단으로부터 매달려 있는 액적(D)이 액 제거부(7C)에 접촉하고, 당해 액 제거부(7C)에 흡수되어 제거된다. 또한, 복합 노즐부(4a)가 웨이퍼(W1)의 중심부 상으로 이동하고, 웨이퍼(W1)의 중심부 상으로 순수(F)가 공급되어 웨이퍼(W1) 표면의 현상액(L)이 세정된다. 한편, 현상 처리부(21b)의 스핀 척(22b)으로 웨이퍼(W2)가 전달된다(도 9e).The developer nozzle 6 is stored in the waiting area 67 in the standby portion 66 and the lower end of the developer nozzle 6 comes close to the liquid removing portion 7C as shown in Figures 8A to 8D, The droplet D suspended from the bottom comes into contact with the liquid removing unit 7C and is absorbed and removed by the liquid removing unit 7C. The composite nozzle portion 4a moves onto the central portion of the wafer W1 and pure water F is supplied onto the central portion of the wafer W1 to clean the developer L on the surface of the wafer W1. On the other hand, the wafer W2 is transferred to the spin chuck 22b of the development processing unit 21b (Fig. 9E).

그 후, 웨이퍼(W2)가 소정의 회전수로 회전하고, 복합 노즐부(4b)가 대기부(51b)로부터 웨이퍼(W2) 상으로 이동하고, 순수 노즐(41b)이 웨이퍼(W2)의 중심부 상에 순수(F)를 토출하여 웨이퍼(W2)의 표면이 순수(F)에 의해 덮히고, 또한 현상액 노즐(6)이 웨이퍼(W2)의 주연부 상으로 이동한다. 한편, 순수 노즐(41a)로부터 웨이퍼(W1)로의 순수(F)의 공급이 정지된다(도 10a).Thereafter, the wafer W2 rotates at a predetermined rotation speed, the composite nozzle portion 4b moves from the standby portion 51b to the wafer W2, and the pure water nozzle 41b moves to the center of the wafer W2 The surface of the wafer W2 is covered by the pure water F and the developer nozzle 6 moves onto the peripheral edge of the wafer W2. On the other hand, the supply of the pure water F from the pure water nozzle 41a to the wafer W1 is stopped (Fig. 10A).

N2 가스 노즐(42a)이 웨이퍼(W1)의 중심부 상으로 이동하고, N2 가스가 웨이퍼(W1)에 토출되어 회전에 의한 순수의 털어내기와 이 가스 공급의 상승(相乘) 작용으로 웨이퍼(W1)가 건조된다. 한편, 순수 노즐(41b)로부터 웨이퍼(W2)로의 순수(F)의 토출이 정지되고 복합 노즐부(4b)가 웨이퍼(W2)의 주연부 상으로 이동하고, 현상액 노즐(6)이 현상액(L)을 토출하면서 웨이퍼(W2)의 주연부 상으로부터 중심부 상으로 이동하여(도 10b), 웨이퍼(W2)의 표면 전체가 현상액(L)으로 피복된다.The N 2 gas nozzle 42a moves on the central portion of the wafer W1 and the N 2 gas is discharged to the wafer W1 and the pure water shearing due to rotation and the synergistic action of this gas supply (W1) is dried. On the other hand, when the discharge of the pure water F from the pure water nozzle 41b to the wafer W2 is stopped and the composite nozzle unit 4b moves onto the periphery of the wafer W2, The entire surface of the wafer W2 is covered with the developer L as shown in FIG. 10B, while moving from the periphery of the wafer W2 to the center of the wafer W2 while discharging the wafer W2.

그 후, 상기 웨이퍼(W1)로의 N2 가스의 토출이 정지되고, 또한 웨이퍼(W1)의 회전이 정지되고 복합 노즐부(4a)가 대기부(51a)로 돌아오는 한편, 웨이퍼(W2)로의 현상액(L)의 공급이 정지된다. 이어서, 현상액 노즐(6)은 도면 중 화살표로 도시한 바와 같이, 액 제거부(7A)의 상방을 통과하고, 도 7a 내지 도7d로 설명한 바와 같이, 현상액 노즐(6)의 하단에 매달려 있는 액적(D)이 액 제거부(7A)에 접촉하여 흡수되어 제거되고(도 10c, 10d), 현상액 노즐(6)은 웨이퍼(W1)의 상방을 통과하여 대기부(66)로 돌아온다(도 10e). 또한, 복합 노즐부(4b)가 웨이퍼(W2)의 중심부 상으로 이동하고, 순수(F)를 웨이퍼(W2)로 공급하여 웨이퍼(W2) 표면의 현상액(L)이 세정된다. 한편, 현상 처리부(21c)의 스핀 척(22c)으로 웨이퍼(W3)가 전달된다(도 11a).Thereafter, the discharge of the N 2 gas to the wafer W1 is stopped, the rotation of the wafer W1 is stopped, and the composite nozzle portion 4a returns to the standby portion 51a. On the other hand, The supply of the developer L is stopped. Next, as shown by the arrows in the drawing, the developer nozzle 6 passes above the liquid rejection 7A, and as described with reference to Figs. 7A to 7D, the droplets 10D), the developer nozzle 6 passes over the wafer W1 and returns to the standby portion 66 (Fig. 10E) . The composite nozzle unit 4b moves onto the central portion of the wafer W2 and supplies pure water F to the wafer W2 to clean the developer L on the surface of the wafer W2. On the other hand, the wafer W3 is transferred to the spin chuck 22c of the development processing unit 21c (Fig. 11A).

계속해서, 웨이퍼(W3)가 소정의 회전수로 회전하고, 복합 노즐부(4c)가 대기부(51c)로부터 웨이퍼(W3) 상으로 이동하고, 순수 노즐(42c)이 웨이퍼(W3)의 중심부 상에 순수(F)를 토출하고, 스핀 코팅에 의해 웨이퍼(W3)의 표면이 순수(F)에 의해 덮이고, 또한 현상액 노즐(6)이 웨이퍼(W3)의 주연부 상으로 이동한다. 또한, 한편으로 순수 노즐(41b)로부터의 순수(F)의 공급이 정지되고, N2 가스 노즐(42b)이 웨이퍼(W2)의 중심부 상으로 이동한다(도 11b).Subsequently, the wafer W3 rotates at a predetermined rotational speed, the composite nozzle unit 4c moves from the standby portion 51c to the wafer W3, and the pure water nozzle 42c moves to the center of the wafer W3 The surface of the wafer W3 is covered by the pure water F by spin coating and the developer nozzle 6 is moved onto the periphery of the wafer W3. On the other hand, the supply of the pure water F from the pure water nozzle 41b is stopped, and the N 2 gas nozzle 42b moves onto the central portion of the wafer W2 (FIG. 11B).

그리고, N2 가스가 웨이퍼(W2)의 중심부 상에 토출되어 웨이퍼(W2)가 건조되는 한편, 순수 노즐(41c)로부터의 순수(F)의 토출이 정지되고 복합 노즐부(4c)가 웨이퍼(W3)의 주연부 상으로 이동한다. 그리고, 현상액 노즐(6)이 현상액(L)을 토출하면서 웨이퍼(W3)의 주연부 상으로부터 중심부 상으로 이동하고(도 11c), 웨이퍼(W3)의 표면 전체가 현상액(L)으로 피복된다.And, N 2 gas is discharged on the center of the wafer (W2) to dry the wafer (W2) On the other hand, the ejection stop and the composite nozzle portion (4c) of the pure (F) from the pure water nozzle (41c) of the wafer ( W3. Then, the developer nozzle 6 moves from the periphery of the wafer W3 to the center of the wafer W (Fig. 11C) while discharging the developer L, and the entire surface of the wafer W3 is covered with the developer L.

그 후, 상기 웨이퍼(W2)로의 N2 가스의 토출이 정지되고, 또한 웨이퍼(W2)의 회전이 정지되고, 복합 노즐부(4b)가 대기부(51b)로 돌아오는 한편, 웨이퍼(W3)로의 현상액(L)의 공급이 정지된다. 그리고, 현상액 노즐(6)은 도면 중 화살표로 도시한 바와 같이, 액 제거부(7B)의 상방을 통과하고, 도 7a 내지 도 7d로 설명한 바와 같이, 현상액 노즐(6)의 하단에 매달려 있는 액적(D)이 액 제거부(7B)에 접촉하여 흡수되어 제거된다(도 11d, 11e). 그 후, 현상액 노즐(6)은 현상 처리부(21b, 21a)의 상방을 통과하여 대기부(66)로 돌아온다(도 12a). 또한, 복합 노즐부(4c)가 웨이퍼(W3)의 중심부 상으로 이동하고, 웨이퍼(W3)의 중심부 상으로 순수(F)가 공급되어 웨이퍼(W3) 표면의 현상액(L)이 세정된다(도 12b).Thereafter, the discharge of the N 2 gas to the wafer W2 is stopped, the rotation of the wafer W2 is stopped, and the composite nozzle portion 4b returns to the standby portion 51b. On the other hand, The supply of the developing solution L to the developing roller is stopped. 7A to 7D, the developer nozzle 6 passes over the liquid remover 7B as shown by the arrows in the figure, and the liquid droplets (liquid droplets) 6 hanging from the lower end of the developer nozzle 6 (D) comes into contact with the liquid removing unit 7B to be absorbed and removed (Figs. 11D and 11E). Thereafter, the developer nozzle 6 passes above the development processing sections 21b, 21a and returns to the standby section 66 (Fig. 12A). The composite nozzle portion 4c moves onto the central portion of the wafer W3 and pure water F is supplied onto the central portion of the wafer W3 to clean the developer L on the surface of the wafer W3 12b).

그 후, 순수 노즐(41c)로부터의 순수(F)의 공급이 정지되고 N2 가스 노즐(42c)이 웨이퍼(W3)의 중심부 상으로 이동하여, N2 가스 노즐(42c)로부터 N2 가스가 웨이퍼(W3)의 중심부 상으로 토출되어 웨이퍼(W3)가 건조된다(도 12c). 그 후, N2 가스의 공급이 정지되고, 또한 웨이퍼(W3)의 회전이 정지되어 복합 노즐부(4c)가 대기부(51c)로 돌아오고(도 12d), 기판 반송 수단에 의해 웨이퍼(W3)가 현상 처리부(31c)로부터 반출된다.Then, N 2 gas from the pure water nozzle to stop the supply of the pure water (F) from (41c) and N 2 gas nozzle (42c) is moved to the center of the wafer (W3), N 2 gas nozzle (42c) is And is discharged onto the central portion of the wafer W3 to dry the wafer W3 (Fig. 12C). Thereafter, N 2 The supply of the gas is stopped and the rotation of the wafer W3 is stopped so that the composite nozzle portion 4c returns to the standby portion 51c (Fig. 12D), and the wafer W3 is transferred to the development processing portion 31c.

이 현상 장치(2)에 따르면, 횡방향으로 일렬로 배열된 현상 처리부(21a ~ 21c)의 컵체(31a ~ 31c) 간에서, 구동 기구(65)에 의해 이동하는 현상액 노즐(6)의 이동로의 하방측에, 이 현상액 노즐(6)의 하단에 근접하여 당해 현상액 노즐(6)로부터 매달려 있는 현상액의 액적(D)에 접촉하여, 이 액적(D)을 현상액 노즐(6)로부터 제거하기 위한 액 제거부(7A, 7B)가 이 현상액 노즐(6)의 이동 궤도 상에 설치되어 있다. 따라서, 현상액 노즐(6)이 웨이퍼(W)에 처리를 행하기 위하여 대기부(66)와 각 현상 처리부(21a ~ 21c)를 이동하여, 현상액이 제거되어 건조된 웨이퍼(W) 상을 통과함에 있어서, 현상액 노즐(6)로부터 이 건조된 웨이퍼(W) 상으로 상기 액적(D)이 낙하되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 이 액적이 파티클이 되어 웨이퍼(W)를 오염시키는 것이 방지되므로 수율의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 현상액 노즐(6)의 이동 중에 이 액적(D)이 제거되므로, 액적(D)을 제거하기 위한 시간을 필요로 하지 않는다. 그 결과로서 스루풋의 저하를 억제할 수 있다.According to the developing device 2, the developing solution is supplied to the developing device 6 from the moving bodies of the developer nozzles 6, which are moved by the driving mechanism 65, between the cup bodies 31a to 31c of the developing units 21a to 21c arranged in a line in the lateral direction, For removing the droplets D from the developer nozzle 6 in the vicinity of the lower end of the developer nozzle 6 in contact with the droplets D of the developer suspended from the developer nozzle 6, Liquid removers 7A and 7B are provided on the moving trajectory of the developer nozzle 6. [ Therefore, the developer nozzle 6 moves the standby portion 66 and each of the development processing portions 21a to 21c in order to perform processing on the wafer W, passes through the dried wafer W with the developer removed therefrom , It is possible to prevent the droplet (D) from dropping from the developer nozzle (6) onto the dried wafer (W). Therefore, since the droplet becomes a particle and the wafer W is prevented from being contaminated, a reduction in the yield can be suppressed. Further, since the droplet D is removed during the movement of the developer nozzle 6, no time is required to remove the droplet D. As a result, deterioration of the throughput can be suppressed.

또한, 이 현상 장치(2)는 대기부(66)에서도 액 제거부(7C)를 구비하고 있어, 노즐(6)이 횡방향으로 이동할 때뿐만 아니라 대기부(66)에 수납되었을 때에도 액적(D)의 제거가 행해지므로, 보다 확실히 전술한 현상액 노즐(6)로부터 건조된 웨이퍼(W)로 액적(D)이 낙하되는 것을 방지할 수 있다.The developing device 2 is also provided with the liquid removing portion 7C even in the standby portion 66. This prevents the droplets D from being generated when the nozzle 6 moves in the lateral direction as well as when stored in the standby portion 66 It is possible to more reliably prevent the droplet D from dropping from the developer nozzle 6 to the dried wafer W. [

상기의 예에서는 3 매의 웨이퍼(W)가 현상 처리되는 모습을 설명하고 있는데, 3 매 이상의 웨이퍼(W)를 처리할 경우에는, 예를 들면 계속해서 현상 처리부(21a, 21b, 21c)의 차례로 반복하여 웨이퍼(W)가 반송되어, 상기의 예와 동일하게 현상 처리가 행해진다.In the above example, three wafers W are developed. In the case of processing three or more wafers W, for example, the development processing units 21a, 21b, and 21c The wafer W is conveyed repeatedly, and development processing is performed in the same manner as in the above example.

또한, 상기의 예에서는 웨이퍼(W)로 현상액을 공급할 때마다 현상액 노즐(6)이 대기부(66)로 돌아오고 있는데, 이와 같이 처리할 때마다 대기부(66)로 돌아오지 않고, 하나의 현상 처리부에서 현상액을 공급하면 직접 다른 현상 처리부로 이동하여 현상액을 공급하고, 수 매의 웨이퍼(W)로 현상액을 공급한 후에 대기부(66)로 돌아와도 좋다. 또한, 현상 처리부(21a ~ 21c)로의 웨이퍼(W)의 반송 순서도 상기한 바와 같지 않아도 좋고, 예를 들면 현상 처리부(21a, 21b)에 이 차례로 반복하여 웨이퍼(W)가 반송되고, 소정의 매수가 이들 현상 처리부(21a) 및 현상 처리부(21b)로 웨이퍼(W)가 반송되면 현상 처리부(21c)로 웨이퍼(W)가 반송되도록 하여, 이 반송 순대로 현상 처리가 행해지도록 해도 좋다. 이와 같이 현상 처리를 행할 경우에도 각 현상 처리부(21a ~ 21c) 간을 이동할 때에 액적이 제거되므로, 상기의 실시예와 동일한 효과가 얻어진다.In the above example, the developer nozzle 6 returns to the standby portion 66 every time a developer is supplied to the wafer W. The developer does not return to the vent portion 66 every time the developer W is processed, When the developer is supplied from the development processing section, it may be directly transferred to another development processing section to supply the developer, and then returned to the standby section 66 after the developer is supplied to several wafers W. The order of conveyance of the wafers W to the development processors 21a to 21c may not be the same as described above. For example, the wafers W are successively transferred to the development processors 21a and 21b, The wafer W may be conveyed to the development processing section 21c when the wafer W is conveyed to the development processing section 21a and the development processing section 21b so that the development processing may be performed at the transfer stage. Even when the developing process is performed in this way, since the droplet is removed when moving between the development processing sections 21a to 21c, the same effects as those of the above-described embodiment can be obtained.

액 제거부로서는, 예를 들면 도 13a에 그 외관을, 도 13b에 그 측면을 각각 도시한 바와 같이 구성해도 좋다. 액적의 높은 제거 효과를 얻기 위하여 이 액 제거부(81)는 빗 모양으로 형성되어 있고, 그 표면에는 현상액 노즐(6)의 이동 방향을 따라 다수의 홈(오목부)(82)이 형성되어 있다. 그리고, 전술한 실시예와 동일하게 현상액 노즐(6)의 하단이 근접하여 액적(D)이 이 액 제거부(81)의 표면에 부착되면, 도 13b에 화살표로 도시한 바와 같이, 액적(D)이 모세관 현상에 의해 이 홈(82) 내로 진입한다. 또한, 홈(82) 내에 현상액을 많이 저장시킴으로써 당해 액 제거부(81)의 교환 빈도가 높아지는 것을 방지하기 위하여, 이 액 제거부(81)에서, 도 13c에 도시한 바와 같이, 홈(82)의 하방측이 넓어지도록 구성되어 있어도 좋다.As the liquid removal, for example, it may be configured as shown in Fig. 13A and the side view thereof as shown in Fig. 13B. A plurality of grooves (concave portions) 82 are formed on the surface of the liquid removing portion 81 along the moving direction of the developer nozzle 6 in order to obtain a high removal effect of the droplets . When the lower end of the developer nozzle 6 comes close to the liquid drop D and adheres to the surface of the liquid removal unit 81 as in the above-described embodiment, the droplet D Is introduced into the groove 82 by the capillary phenomenon. 13C, the grooves 82 are formed in the liquid remover 81 in order to prevent the liquid remover 81 from being replaced frequently by storing a large amount of the developer in the grooves 82. In this case, It is also possible to form a configuration in which the lower side of the frame is widened.

그런데, 이 예에서는 현상액 노즐(6)의 토출구(61)는 경사지게 개구되는 대신에 수직 방향으로 개구되어 있어도 좋은데, 배경 기술란에서 설명한 바와 같이, 경사 방향으로 개구된 현상액 노즐(6)을 이용한 경우, 더미 디스펜스 또는 액의 흡인 등을 행하더라도 현상액 노즐로부터 액적이 낙하되는 것을 방지하기 어렵기 때문에, 전술한 액 제거부를 설치하는 것이 특히 효과적이다.In this example, the discharge port 61 of the developer nozzle 6 may be opened in a vertical direction instead of being opened obliquely. As described in the background section, when the developer nozzle 6 opened in the oblique direction is used, It is particularly effective to provide the liquid removing portion as described above because it is difficult to prevent the liquid drop from dropping from the developer nozzle even if dummy dispensing or liquid suction is performed.

상기의 각 액 제거부를 구성하는 재료로서는 세라믹에 한정되지 않지만, 높은 액적(D)의 제거 효과를 얻기 위하여 친수성인 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 이 표면 상태를 거칠게 함으로써, 높은 현상액의 제거 효과를 얻을 수 있으므로 바람직하다. 또한, 각 액 제거부를 탄성재를 이용하여 구성해도 좋고, 이 경우에는 현상액 노즐(6)이 각 액 제거부와 접촉해도 이들 액 제거부 및 현상액 노즐의 파손을 방지할 수 있으므로, 현상액 노즐과 액 제거부의 간격 조정에 드는 수고를 억제할 수 있다.The material constituting each of the liquid removing units is not limited to ceramic, but it is preferable to use a hydrophilic material in order to obtain the effect of removing the high droplet D. Further, by roughening the surface state, it is possible to obtain a high developer removal effect, which is preferable. In this case, even if the developer nozzle 6 comes in contact with each liquid decontamination, these liquid decontamination and damage to the developer nozzle can be prevented. Therefore, It is possible to suppress the labor of adjustment of the interval of the dispenser.

또한, 웨이퍼(W)로 액적(D)이 낙하되는 것을 방지할 수 있으면 되므로, 액제거부(7A, 7B)는 컵체(31a ~ 31c)의 개구부(31a ~ 31c) 간에 설치되어 있으면 되고, 예를 들면 컵체(31a ~ 31c)의 상측의 경사부(32a ~ 32c) 상에 설치되어 있어도 좋다.It is only necessary to prevent dropping of the droplets D onto the wafers W so that the solution rejects 7A and 7B may be provided between the openings 31a to 31c of the cups 31a to 31c, It may be provided on the sloped portions 32a to 32c on the upper side of the cup bodies 31a to 31c.

또한, 상기의 예에서는 현상 처리부(21a ~ 21c)가 직선 방향으로 배열되고 그 열의 연장선 상에 대기부(66)가 설치되어 있는데, 현상 처리부(21a ~ 21c) 및 대기부(66)가 둘레 방향으로 배열되어 있고 현상액 노즐(6)이 그 배열 방향으로 이동하여 이 현상액 노즐(6)의 이동로의 하방측에 액 제거부(7A, 7B)가 설치되어 있어도 좋다. 현상 처리부 및 액 제거부의 수는 전술한 실시예에 한정되지 않는다.In the above example, the developing units 21a to 21c are arranged in a straight line and the waiting unit 66 is provided on the extension of the row. The developing units 21a to 21c and the waiting unit 66 are arranged in the circumferential direction And the liquid developer removing nozzles 6 may be moved in the arrangement direction so that the liquid removing units 7A and 7B are provided on the lower side of the moving path of the developing liquid nozzle 6. [ The number of development processing sections and liquid rejection is not limited to the above-described embodiment.

또한, 액 제거부로서는 도 14a, 도 14b에 도시한 구성으로 해도 좋다. 이 액 제거부(9)는 기대(91) 상에 측면에서 봤을 때 삼각형 형상의 액 받이부(92)를 구비하고 있다. 또한, 기대(91) 상에는 경사 방향으로 순수 등의 세정액을 토출하는 세정액 노즐(93)이 설치되어 있다. 도면 중 94는 기대(91)에 설치된 배액구이며, 도시하지 않은 배액로에 접속되어 있다. 이 액 제거부(9)는, 예를 들면 액 받이부(7A ~ 7C) 대신에 각 컵체(31a ~ 31c) 간 및 대기 영역(67)에 설치된다. 이 예에서 현상 처리를 행하기 위한 현상액 노즐(90)은 경사 방향으로 원형으로 개구된 토출구(97)를 구비하고 있고, 기부(96)를 개재하여 전술한 암체(64)에 접속되어 현상액 노즐(6)과 동일하게 승강 및 횡방향으로의 이동을 행할 수 있다.14A and 14B may be used as the liquid removal method. This liquid removing unit 9 has a liquid receiving portion 92 in a triangular shape when viewed from the side on the base 91. On the base 91, a cleaning liquid nozzle 93 for discharging a cleaning liquid such as pure water in an oblique direction is provided. In the figure, reference numeral 94 denotes a drain port provided in the base 91 and connected to a drain line (not shown). This liquid removing unit 9 is provided between the cup bodies 31a to 31c and the waiting area 67 instead of the liquid receiving units 7A to 7C, for example. In this example, the developer nozzle 90 for performing development processing has a discharge port 97 that is opened in a circular shape in an oblique direction and is connected to the above-described arm body 64 via the base portion 96, It is possible to move up and down and move in the lateral direction in the same manner as in the first to sixth embodiments.

예를 들면, 컵체(31a ~ 31c) 간에서 설치된 액 받이부(92)에 현상액 노즐(90)이 횡방향으로부터 이동하여 가까워지면, 현상액의 액적(D)이 액 받이부(92)에 접촉되어 액 받이부(92)를 타고 기대(91)로 흘러 떨어진다. 또한, 세정액 노즐(93)로부터 현상액 노즐(90)을 향해 세정액이 토출되고 그 세정액에 의해 액적(D)이 세정된다. 그리고 세정된 액은 노즐(90)의 하단으로부터 액 받이부(92)를 타고 이 기대(91)로 흘러 떨어지고, 이 흘러 떨어진 배액은 배액구(94)로부터 제거된다. 이 액 제거부(9)는 액 제거부(7C) 대신에 대기 영역(67)에 설치해도 좋다. 또한, 이 예에서 세정액 노즐(93)을 설치하지 않고, 액 받이부(92)에 접촉된 액적을 당해 액 받이부(92)의 하방으로 흐르게 하는 것만으로 현상액 노즐(90)로부터의 액적의 제거를 행해도 좋다.For example, when the developer nozzle 90 moves from the lateral direction to the liquid receiving portion 92 provided between the cups 31a to 31c and the liquid droplet D of the developer comes into contact with the liquid receiving portion 92 And flows down to the base 91 on the liquid receiving portion 92. Further, the cleaning liquid is discharged from the cleaning liquid nozzle 93 toward the developing liquid nozzle 90, and the liquid droplet D is cleaned by the cleaning liquid. The cleaned liquid flows down from the lower end of the nozzle 90 through the liquid receiver 92 to the base 91 and the drained fluid is removed from the liquid drainage port 94. This liquid removing unit 9 may be provided in the waiting area 67 instead of the liquid removing unit 7C. In this example, the cleaning liquid nozzle 93 is not provided, and only the liquid droplet contacted to the liquid receiving portion 92 flows downward of the liquid receiving portion 92 to remove the liquid droplet from the developing liquid nozzle 90 .

세정액을 토출하는 노즐(93)로서는, 현상액 노즐(90)에 대한 높은 세정 효과를 얻어 액적(D)의 제거 효과를 높이기 위하여, 예를 들면 세정액의 액체와 기체를 혼합하여 세정액의 미스트(mist)를 발생시켜 이 미스트를 분무하는 이른바 2-유체 노즐을 이용해도 좋다. 또한, 이와 같이 제거 효과를 높이는 목적을 위하여, 예를 들면 1 MHz 정도의 초음파를 가한 세정액을 토출하는 이른바 메가소닉 노즐을 이용해도 좋다. 또한, 현상액 노즐(90) 대신에 전술한 현상액 노즐(6)에 대하여 이 액 제거부(9)를 이용해도 좋다.The nozzle 93 for discharging the cleaning liquid may be a nozzle 93 that has a high cleaning effect on the developer nozzle 90 and which improves the effect of removing the droplets D. For example, A so-called two-fluid nozzle for spraying the mist may be used. Further, for the purpose of enhancing the removal effect as described above, a so-called megasonic nozzle may be used in which a cleaning liquid is applied by applying ultrasonic waves of about 1 MHz, for example. The developer removing nozzle 9 may be replaced by the liquid removing unit 9 with respect to the developer nozzle 6 described above.

본 발명의 현상 장치에의 적용예에 대하여 설명했지만, 예를 들면 레지스트 도포 장치 등의 다른 액 처리 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다. 이 경우, 처리액 노즐로부터의 처리액이 당해 처리액에 의한 처리 전 및 처리 후의 기판으로 낙하되는 것을 방지하여, 파티클이 발생하거나 기판 처리의 면내 균일성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과로서 수율의 저하를 방지할 수 있다.The application to the developing apparatus of the present invention has been described. However, the present invention can also be applied to other liquid processing apparatuses such as a resist coating apparatus. In this case, it is possible to prevent the treatment liquid from the treatment liquid nozzle from dropping onto the substrate before and after treatment with the treatment liquid, thereby preventing occurrence of particles and in-plane uniformity of the substrate treatment. As a result, a decrease in the yield can be prevented.

이하, 상기의 현상 장치(2)가 포함된 도포 현상 장치(101)에 대하여 설명한다. 도 15는 도포 현상 장치(101)에 노광 장치(C4)가 접속된 레지스트 패턴 형성 시스템의 평면도를 도시하고 있고, 도 16은 이 시스템의 사시도이다. 또한, 도 17은 도포 현상 장치(101)의 종단면도이다. 이 도포 현상 장치(101)에는 캐리어 블록(C1)이 설치되어 있고, 이 재치대(111) 상에 재치된 밀폐형의 캐리어(110)로부터 전달 암(112)이 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(C2)으로 전달하고, 처리 블록(C2)으로부터 전달 암(112)이 처리 완료된 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(110)로 반환되도록 구성되어 있다. 캐리어(110)는 다수 매의 웨이퍼(W)를 포함하고, 각 웨이퍼(W)는 차례로 처리 블록(C2)으로 반송된다.Hereinafter, the coating and developing apparatus 101 including the developing apparatus 2 will be described. Fig. 15 shows a top view of the resist pattern forming system in which the exposure apparatus C4 is connected to the coating and developing apparatus 101, and Fig. 16 is a perspective view of this system. 17 is a longitudinal sectional view of the coating and developing apparatus 101. Fig. The coating and developing apparatus 101 is provided with a carrier block C1 and the transfer arm 112 takes out the wafer W from the sealed carrier 110 placed on the mounting table 111, And the transfer arm 112 receives the processed wafer W from the processing block C2 and returns to the carrier 110. [ The carrier 110 includes a plurality of wafers W and the wafers W are successively transported to the processing block C2.

상기 처리 블록(C2)은 도 16에 도시한 바와 같이, 이 예에서는 현상 처리를 행하기 위한 제 1 블록(DEV층)(B1), 레지스트막의 하층에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제 2 블록(BCT층)(B2), 레지스트막의 도포를 행하기 위한 제 3 블록(COT층)(B3), 레지스트막의 상층측에 형성되는 반사 방지막의 형성을 행하기 위한 제 4 블록(ITC층)(B4)을 아래부터 차례로 적층하여 구성되어 있다.As shown in Fig. 16, the processing block C2 includes a first block (DEV layer) B1 for performing development processing in this example, a first block A second block (BCT layer) B2, a third block (COT layer) B3 for applying a resist film, a fourth block for forming an antireflection film formed on the upper layer side of the resist film ) B4 from the bottom in this order.

처리 블록(C2)의 각 층은 평면에서 봤을 때 동일하게 구성되어 있다. 제 3 블록(COT층)(B3)을 예로 들어 설명하면, COT층(B3)은 도포막으로서 레지스트막을 형성하기 위한 레지스트막 형성 모듈과, 이 레지스트막 형성 모듈에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 가열·냉각계의 처리 모듈군을 구성하는 선반 유닛(U1 ~ U4)과, 상기 레지스트막 형성 모듈과 가열·냉각계의 처리 모듈군의 사이에 설치되어 이들 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송 암(A3)에 의해 구성되어 있다.Each layer of the processing block C2 is structured in the same way as seen in a plane. Taking the third block (COT layer) B3 as an example, the COT layer B3 includes a resist film forming module for forming a resist film as a coating film, a pre-treatment and post-treatment (U1 to U4) constituting a group of processing modules of the heating and cooling system for performing the processing of the wafer W and the processing modules of the heating and cooling system, And a transfer arm A3 for transferring the toner image.

상기 선반 유닛(U1 ~ U4)은 반송 암(A3)이 이동하는 반송 영역(R1)을 따라 배열되어 각각 상기의 가열 모듈, 냉각 모듈이 적층됨으로써 구성된다. 가열 모듈은 재치된 웨이퍼를 가열하기 위한 가열판을 구비하고 있고, 냉각 모듈은 재치된 웨이퍼를 냉각하기 위한 냉각판을 구비하고 있다.The shelf units U1 to U4 are arranged along the transport region R1 in which the transport arm A3 moves and are stacked with the heating module and the cooling module, respectively. The heating module is provided with a heating plate for heating the mounted wafer, and the cooling module is provided with a cooling plate for cooling the mounted wafer.

제 2 블록(BCT층)(B2), 제 4 블록(ITC층)(B4)에 대해서는 상기 레지스트막 형성 모듈에 상당하는 반사 방지막 형성 모듈, 보호막 형성 모듈이 각각 설치되고, 이들 모듈에서 레지스트 대신에 처리액으로서 반사 방지막 형성용의 약액, 보호막 형성용의 약액이 각각 웨이퍼(W)로 공급되는 것을 제외하면 COT층(B3)과 동일한 구성이다.An antireflection film forming module and a protective film forming module corresponding to the resist film forming module are provided for the second block (BCT layer) B2 and the fourth block (ITC layer) B4, Except that the chemical solution for forming the antireflection film and the chemical solution for forming the protective film are supplied to the wafer W as the treatment liquid, respectively.

제 1 블록(DEV층)(B1)에 대해서는 하나의 DEV층(B1) 내에 레지스트막 형성 모듈에 대응하는 현상 모듈(113)이 2 단으로 적층되어 있고, 각 현상 모듈(113)은 각각 전술한 현상 장치(2)에 상당하고, 공통의 하우징 내에 3 대의 현상 처리부 또는 전술한 각 노즐을 포함하고 있다. 또한, DEV층(B1)에는 이 현상 모듈(113)의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 가열·냉각계의 처리 모듈군을 구성하는 선반 유닛(U1 ~ U4)이 설치되어 있다. 그리고, DEV층(B1) 내에는 이들 2 단의 현상 모듈과 상기 가열·냉각계의 처리 모듈로 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송 암(A1)이 설치되어 있다. 즉, 2 단의 현상 모듈에 대하여 반송 암(A1)이 공통화되어 있는 구성으로 되어 있다. 이 반송 암(A1)이 상기의 기판 반송 수단에 상당한다.In the first block (DEV layer) B1, a developing module 113 corresponding to the resist film forming module is laminated in two stages in one DEV layer B1, and each developing module 113 has the above- Corresponds to the developing apparatus 2, and includes three development processing sections or the aforementioned nozzles in a common housing. The DEV layer B1 is provided with shelf units U1 to U4 constituting a group of processing modules of the heating and cooling system for performing the pre-processing and post-processing of the developing module 113. [ In the DEV layer B1, these two stages of development modules and a transfer arm A1 for transferring the wafers W to the processing module of the heating and cooling system are provided. That is, the transfer arm A1 is made common to the two-stage development modules. The transfer arm A1 corresponds to the above-mentioned substrate transfer means.

또한, 처리 블록(C2)에는, 도 15 및 도 17에 도시한 바와 같이, 선반 유닛(U5)이 설치되고, 캐리어 블록(C1)으로부터의 웨이퍼(W)는 상기 선반 유닛(U5)의 하나의 전달 유닛, 예를 들면 제 2 블록(BCT층)(B2)의 대응하는 전달 유닛(CPL2)으로 차례로 반송된다. 제 2 블록(BCT층)(B2) 내의 반송 암(A2)은 이 전달 유닛(CPL2)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 각 유닛(반사 방지막 형성 모듈 및 가열·냉각계의 처리 유닛군)으로 반송하고, 이들 유닛으로 웨이퍼(W)에는 반사 방지막이 형성된다.15 and 17, the processing block C2 is provided with a lathe unit U5 and the wafer W from the carrier block C1 is transferred to one of the lathe units U5 To the corresponding transfer unit CPL2 of the transfer unit, for example the second block (BCT layer) B2. The transfer arm A2 in the second block (BCT layer) B2 receives the wafer W from the transfer unit CPL2 and transfers the wafer W to each unit (the anti-reflection film forming module and the heating and cooling system processing unit group) And an anti-reflection film is formed on the wafer W by these units.

그 후, 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(BF2), 전달 암(D1), 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(CPL3)으로 반송되고, 거기서, 예를 들면 23℃로 온도 조정된 후, 반송 암(A3)을 개재하여 제 3 블록(COT층)(B3)으로 반입되고, 레지스트막 형성 모듈에서 레지스트막이 형성된다. 또한, 웨이퍼(W)는 반송 암(A3)→선반 유닛(U5)의 전달 유닛(BF3)→전달 암(D1)을 거쳐 선반 유닛(U5)에서의 전달 유닛(BF3)으로 전달된다. 또한, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는 제 4 블록(ITC층)(B4)에서 추가로 보호막이 형성되는 경우도 있다. 이 경우, 웨이퍼(W)는 전달 유닛(CPL4)을 개재하여 반송 암(A4)에 전달되고, 보호막이 형성된 후 반송 암(A4)에 의해 전달 유닛(TRS4)으로 전달된다.Thereafter, the wafer W is transferred to the transfer unit BF2 of the lathe unit U5, the transfer arm D1, and the transfer unit CPL3 of the lathe unit U5, whereupon, for example, Is adjusted, and is carried into the third block (COT layer) B3 via the transfer arm A3, and a resist film is formed in the resist film forming module. The wafer W is transferred to the transfer unit BF3 in the lathe unit U5 via the transfer arm A3, the transfer unit BF3 of the lathe unit U5, and the transfer arm D1. Further, the wafer W on which the resist film is formed may be further formed with a protective film in the fourth block (ITC layer) B4. In this case, the wafer W is transferred to the transfer arm A4 via the transfer unit CPL4, and after the protective film is formed, transferred to the transfer unit TRS4 by the transfer arm A4.

한편, DEV층(B1) 내의 상부에는, 선반 유닛(U5)에 설치된 전달 유닛(CPL11)으로부터 선반 유닛(U6)에 설치된 전달 유닛(CPL12)으로 웨이퍼(W)를 직접 반송하기 위한 전용의 반송 수단인 셔틀 암(115)이 설치되어 있다. 레지스트막 또는 추가로 보호막이 형성된 웨이퍼(W)는 전달 암(D1)을 개재하여 전달 유닛(BF3, TRS4)으로부터 수취 전달 유닛(CPL11)으로 전달되고, 이로부터 셔틀 암(115)에 의해 선반 유닛(U6)의 전달 유닛(CPL12)으로 직접 반송되어 인터페이스 블록(C3)으로 운반되게 된다. 또한, 도 17 중의 CPL이 부여되어 있는 전달 유닛은 온도 조절용의 냉각 유닛을 겸하고 있고, BF가 부여되어 있는 전달 유닛은 복수매의 웨이퍼(W)를 재치할 수 있는 버퍼 유닛을 겸하고 있다.On the other hand, on the upper part of the DEV layer B1, there is provided a dedicated conveying means for directly conveying the wafer W from the transfer unit CPL11 provided on the lathe unit U5 to the transfer unit CPL12 provided on the lathe unit U6 An in-shuttle arm 115 is provided. The wafer W on which the resist film or the protective film is further formed is transferred from the transfer units BF3 and TRS4 to the receiving and delivering unit CPL11 via the transfer arm D1, Is directly transferred to the transfer unit (CPL12) of the transfer unit (U6) and transferred to the interface block (C3). 17 also serves as a cooling unit for controlling the temperature, and the transfer unit to which the BF is applied also serves as a buffer unit capable of placing a plurality of wafers W thereon.

이어서, 웨이퍼(W)는 인터페이스 암(116)에 의해 노광 장치(C4)로 반송되어, 여기서 소정의 노광 처리가 행해진 후, 선반 유닛(U6)의 전달 유닛(TRS6)에 재치되어 처리 블록(C2)으로 반환된다. 반환된 웨이퍼(W)는 제 1 블록(DEV층)(B1)에서 현상 처리가 행해지고, 반송 암(A1)에 의해 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(TRS1)으로 전달된다. 그 후, 전달 암(112)을 개재하여 캐리어(110)로 되돌려진다.Then, the wafer W is transferred to the exposure apparatus C4 by the interface arm 116. After the predetermined exposure process is performed, the wafer W is placed in the transfer unit TRS6 of the lathe unit U6, ). The returned wafer W is subjected to development processing in the first block (DEV layer) B1 and transferred to the transfer unit TRS1 of the lathe unit U5 by the transfer arm A1. And thereafter, returned to the carrier 110 via the transfer arm 112.

(평가 시험 1)(Evaluation test 1)

현상액 노즐(6)에서, 그 하단으로부터 어느 정도 하방까지 매달려 있는 액적(D)이 낙하되는지를 확인하였다. 결과로서 액적의 크기가 1 mm, 2 mm, 3 mm인 경우에는 액적의 낙하는 일어나지 않았지만, 액적의 크기가 4 mm가 되면 현상액 노즐(6)의 선단으로부터 낙하되는 것이 확인되었다. 그리고 이 결과를 근거로 하여, 현상액 노즐(6)이 대기부(66)에 수납되었을 때 당해 현상액 노즐(6)의 하단과 액 제거부(7C)의 거리(h2)를 2 mm로 설정하고, 계속해서 현상액 노즐(6)을 액 제거부(7C)에 대하여 상승시켜 현상액 노즐의 하단으로부터 2 mm 조금 넘는 하측으로 매달려 있는 액적을 형성하였다. 그리고, 현상액 노즐(6)을 하강시켜 대기부(66)에 수납한 후, 현상액 노즐(6)을 상승시켜 액적의 유무를 관찰했다. 이 현상액 노즐(6)을 상승시킨 후의 액적의 형성과 현상액 노즐(6)의 대기부(6)로의 수납을 50 회 반복하여 행하였다.In the developer nozzle 6, it was confirmed whether the droplet D hanging down to a certain extent from the lower end thereof fell. As a result, when the size of the droplet was 1 mm, 2 mm, or 3 mm, the droplet did not fall, but it was confirmed that the droplet fell from the tip of the developer nozzle 6 when the droplet size became 4 mm. The distance h2 between the lower end of the developer nozzle 6 and the liquid remover 7C is set to 2 mm when the developer nozzle 6 is housed in the standby portion 66, Subsequently, the developer nozzle 6 was lifted up against the liquid removing unit 7C to form a droplet hanging downward just under 2 mm from the lower end of the developer nozzle. Then, after the developer nozzle 6 was lowered and housed in the standby portion 66, the developer nozzle 6 was raised to observe the presence of droplets. The droplets were formed after the developer nozzle 6 was lifted and the developer nozzle 6 was stored in the waiting portion 6 repeatedly 50 times.

평가 시험 1의 결과, 현상액 노즐(6)이 하강할 때마다 액적은 현상액 노즐(6)의 하단으로부터 제거되었다. 이 시험으로부터 상기의 실시예와 같이 현상 장치(2)에 액 제거부(7C)를 설치함으로써 액적의 제거를 행할 수 있음이 나타났다. 또한, 현상액 노즐(6)이 접근하는 방향은 상이하지만, 이 실험으로부터 액 제거부(7A, 7B)에서도 유효하게 현상액 노즐(6)로부터 액적(D)의 제거를 행할 수 있을 것으로 예상된다.As a result of the evaluation test 1, the droplets were removed from the lower end of the developer nozzle 6 every time the developer nozzle 6 descended. From this test, it was proved that the droplet removal can be performed by providing the liquid remover 7C in the developing device 2 as in the above embodiment. It is expected that the liquid drops D can be effectively removed from the developer nozzle 6 also in the liquid removers 7A and 7B from this experiment although the direction in which the developer nozzle 6 approaches is different.

(평가 시험 2)(Evaluation Test 2)

액 제거부(7C)를 그림 물감으로 칠하고 평가 시험 1과 동일한 시험을 행하여, 현상액 노즐(6)이 그림 물감으로 오염되는지 아닌지를 조사하였다. 결과적으로 현상액 노즐(6)로의 그림 물감의 부착은 없었다. 따라서, 현상액 노즐(6)로부터 액 제거부(7C)에 부착된 액적은 재차 현상액 노즐(6)에 부착되지 않고 액 제거부(7C)에 의해 제거되는 것을 알 수 있다. 이 시험으로부터도 상기의 실시예와 같이 현상 장치에 액 제거부(7C)를 설치하는 것이 효과적이라는 것을 알 수 있고, 또한 액 제거부(7A, 7B)를 설치하는 것이 효과적일 것으로 예상된다.The liquid remover 7C was painted with a paint and subjected to the same test as in the evaluation test 1 to examine whether or not the developer nozzle 6 was contaminated with paint. As a result, there was no adhesion of the paint to the developer nozzle 6. Therefore, it can be seen that the liquid droplets adhered to the liquid removing unit 7C from the developing liquid nozzle 6 are not removed again by the liquid developing unit 6 but removed by the liquid removing unit 7C. From this test, it is also understood that it is effective to provide the liquid remover 7C to the developing apparatus as in the above embodiment, and it is expected that the liquid remover 7A, 7B is also effective.

D : 액적
L : 현상액
W : 웨이퍼
2 : 현상 장치
21a ~ 21c : 현상 처리부
22a ~ 22c : 스핀 척
30a ~ 30c : 개구부
31a ~ 31c : 컵체
4a ~ 4c : 복합 노즐부
41a ~ 41c : 순수 노즐
42a ~ 42c : N2 가스 노즐
6 : 현상액 노즐
61 : 토출구
65 : 구동 기구
66 : 대기부
7A ~ 7C : 액 제거부
100 : 제어부D: Drops
L: developer
W: Wafer
2: developing device
21a to 21c:
22a to 22c:
30a to 30c:
31a to 31c: Cup body
4a to 4c: Composite nozzle part
41a to 41c: pure water nozzles
42a to 42c: N 2 gas nozzles
6: Developer nozzle
61:
65: drive mechanism
66:
7A to 7C:
100:

Claims (13)

상측에 개구부가 형성된 컵체 내에 기판을 수평하게 보지(保持)하는 기판 보지부를 설치하여 구성되고, 각각 횡방향으로 일렬로 배치된 복수의 액 처리부와,
상기 복수의 액 처리부에 대하여 공용화되어, 기판으로 처리액을 공급하기 위한 처리액 노즐과,
상기 액 처리부의 열(列)의 연장선 상에 설치되어, 처리액 노즐을 대기시키기 위한 대기부(待機部)와,
상기 액 처리부의 각각의 상방 영역과 상기 대기부의 사이에서 상기 처리액 노즐을 액 처리부의 열을 따라 이동시키기 위한 이동 수단과,
상기 복수의 액 처리부 중 하나의 액 처리부의 컵체의 개구부와 다른 액 처리부의 컵체의 개구부의 사이에서, 처리액 노즐의 이동로의 하방측에 설치되고, 상기 이동 수단에 의해 이동되는 처리액 노즐에 매달려 있는 액적(液適)에 접촉하여 상기 액적을 처리액 노즐로부터 제거하기 위한 액 제거부
를 구비하고,
상기 액 제거부는,
기대와,
상기 기대 상에 설치되고, 상기 하나의 액 처리부로부터 상기 다른 액 처리부를 향하여 횡방향으로 이동하는 도중의 상기 처리액 노즐을 향해 경사 방향으로 세정액을 공급하는 세정액 공급부와,
상기 하나의 액 처리부로부터 상기 다른 액 처리부를 향하여 횡방향으로 이동하는 도중의 상기 처리액 노즐에 매달려 있는 액적과 접촉하도록 상기 기대 상에 설치된 액 받이부
를 구비한 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.A plurality of liquid processing units each having a substrate holding unit for holding a substrate horizontally in a cup body having an opening formed on an upper side thereof,
A processing liquid nozzle shared for the plurality of liquid processing units to supply the processing liquid to the substrate;
A waiting section provided on an extension of the column of the liquid processing section for waiting the processing liquid nozzle,
Moving means for moving the processing liquid nozzle along the row of the liquid processing portion between each upper region of the liquid processing portion and the waiting portion,
Wherein a plurality of processing liquid nozzles are provided on the lower side of the moving path of the processing liquid nozzle between the opening of the cup body of one of the plurality of liquid processing units and the opening of the cup body of the other liquid processing unit, A liquid refill for removing the droplet from the treatment liquid nozzle by contact with the suspended droplet (liquid solution)
And,
The liquid-
With expectation,
A cleaning liquid supply unit that is provided on the base and supplies the cleaning liquid in an oblique direction toward the processing liquid nozzle on the way to move in the lateral direction from the one liquid processing unit toward the other liquid processing unit,
And a liquid receiving portion provided on the base so as to come into contact with a liquid droplet suspended from the processing liquid nozzle on the way to move in the lateral direction from the one liquid processing portion toward the other liquid processing portion,
And the liquid processing apparatus. 제 1 항에 있어서,
상기 처리액 노즐은 경사 하방으로 상기 처리액을 토출하는 토출구를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the treatment liquid nozzle has a discharge port for discharging the treatment liquid downwardly and obliquely. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 액 제거부는 탄성재에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the liquid removing portion is made of an elastic material. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 액 제거부는 상기 대기부에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
And the liquid removing portion is provided in the air bearing portion. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 대기부에 위치하는 처리액 노즐에 세정액을 공급하기 위한 세정액 공급부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
And a cleaning liquid supply unit for supplying a cleaning liquid to the processing liquid nozzle located at the standby portion. 상측에 개구부가 형성된 컵체 내에 기판을 수평하게 보지(保持)하는 기판 보지부를 설치하여 구성되고, 각각 횡방향으로 일렬로 배치된 복수의 액 처리부와,
상기 복수의 액 처리부에 대하여 공용화되어, 기판으로 처리액을 공급하기 위한 처리액 노즐과,
상기 액 처리부의 열(列)의 연장선 상에 설치되어, 처리액 노즐을 대기시키기 위한 대기부(待機部)와,
상기 액 처리부의 각각의 상방 영역과 상기 대기부의 사이에서 상기 처리액 노즐을 액 처리부의 열을 따라 이동시키기 위한 이동 수단과,
상기 컵체의 개구부 간에서 처리액 노즐의 이동로의 하방측에 설치되고, 상기 이동 수단에 의해 이동되는 처리액 노즐에 매달려 있는 액적(液適)에 접촉하여 상기 액적을 처리액 노즐로부터 제거하기 위한 액 제거부와,
상기 컵체의 개구부 간에서 상기 이동로에 위치하고, 또한 하나의 액 처리부로부터 다른 액 처리부를 향하여 횡방향으로 이동하는 도중의 상기 처리액 노즐에 세정액을 공급하여 세정하고, 상기 세정액이 상기 액 제거부에 의해 처리액 노즐로부터 제거되도록 상기 액 제거부에 설치된 세정액 공급부
를 구비하고,
상기 액 제거부는, 모세관 현상에 의해 액적을 그 내부로 흡수하여 제거하기 위하여 그 표면에 다수의 오목부를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.A plurality of liquid processing units each having a substrate holding unit for holding a substrate horizontally in a cup body having an opening formed on an upper side thereof,
A processing liquid nozzle shared for the plurality of liquid processing units to supply the processing liquid to the substrate;
A waiting section provided on an extension of the column of the liquid processing section for waiting the processing liquid nozzle,
Moving means for moving the processing liquid nozzle along the row of the liquid processing portion between each upper region of the liquid processing portion and the waiting portion,
For removing the droplets from the treatment liquid nozzle by contacting the droplets (liquid solution) hanging from the treatment liquid nozzle moved by the moving means and provided on the lower side of the movement path of the treatment liquid nozzle between the openings of the cup body Liquid decontamination,
The cleaning liquid is supplied to the processing liquid nozzle located in the moving path between the openings of the cup body and moving in the lateral direction from one liquid processing unit to the other liquid processing unit to clean the liquid, And a cleaning liquid supply unit
And,
Wherein the liquid removing unit has a plurality of concave portions on its surface in order to absorb and remove the liquid droplets by the capillary phenomenon. 제 6 항에 있어서,
상기 오목부는 상방을 향하여 개구되어 있고, 또한 상방으로부터 하방을 향해 갈수록 넓어지도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.The method according to claim 6,
Wherein the concave portion is open toward the upper side and is configured to be wider from the upper side toward the lower side. 상측에 개구부가 형성된 컵체 내에 기판을 수평하게 보지(保持)하는 기판 보지부를 설치하여 구성되고, 각각 횡방향으로 일렬로 배치된 복수의 액 처리부와,
상기 복수의 액 처리부에 대하여 공용화되어, 기판으로 처리액을 공급하기 위한 처리액 노즐과,
상기 액 처리부의 열(列)의 연장선 상에 설치되어, 처리액 노즐을 대기시키기 위한 대기부(待機部)와,
상기 액 처리부의 각각의 상방 영역과 상기 대기부의 사이에서 상기 처리액 노즐을 액 처리부의 열을 따라 이동시키기 위한 이동 수단과,
상기 컵체의 개구부 간에서 처리액 노즐의 이동로의 하방측에 설치되고, 상기 이동 수단에 의해 이동되는 처리액 노즐에 매달려 있는 액적(液適)에 접촉하여 상기 액적을 처리액 노즐로부터 제거하기 위한 액 제거부와,
상기 컵체의 개구부 간에서 상기 이동로에 위치하고, 또한 하나의 액 처리부로부터 다른 액 처리부를 향하여 횡방향으로 이동하는 도중의 상기 처리액 노즐에 세정액을 공급하여 세정하고, 상기 세정액이 상기 액 제거부에 의해 처리액 노즐로부터 제거되도록 상기 액 제거부에 설치된 세정액 공급부
를 구비하고,
상기 액 제거부는, 모세관 현상에 의해 액적을 그 내부로 흡수하여 제거하기 위하여 다공질 재료에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.A plurality of liquid processing units each having a substrate holding unit for holding a substrate horizontally in a cup body having an opening formed on an upper side thereof,
A processing liquid nozzle shared for the plurality of liquid processing units to supply the processing liquid to the substrate;
A waiting section provided on an extension of the column of the liquid processing section for waiting the processing liquid nozzle,
Moving means for moving the processing liquid nozzle along the row of the liquid processing portion between each upper region of the liquid processing portion and the waiting portion,
For removing the droplets from the treatment liquid nozzle by contacting the droplets (liquid solution) hanging from the treatment liquid nozzle moved by the moving means and provided on the lower side of the movement path of the treatment liquid nozzle between the openings of the cup body Liquid decontamination,
The cleaning liquid is supplied to the processing liquid nozzle located in the moving path between the openings of the cup body and moving in the lateral direction from one liquid processing unit to the other liquid processing unit to clean the liquid, And a cleaning liquid supply unit
And,
Wherein the liquid removing unit is made of a porous material for absorbing and removing the droplets by capillary phenomenon. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 처리액은 현상액이며, 상기 기판은 그 표면에 레지스트가 도포되어 노광된 것인 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the treatment liquid is a developer, and the substrate is one in which a resist is coated on the surface thereof and exposed. 상측에 개구부가 형성된 컵체 내에 기판을 수평하게 보지하는 기판 보지부를 설치하여 구성되고, 각각 횡방향으로 일렬로 배치된 복수의 액 처리부에 대하여 공용화된 처리액 노즐로부터 상기 기판으로 처리액을 공급하는 액 처리 방법에 있어서,
상기 액 처리부의 열의 연장선 상에 설치된, 처리액 노즐을 대기시키기 위한 대기부로부터, 상기 복수의 액 처리부를 구성하는 하나의 액 처리부의 상방 영역으로, 상기 하나의 액 처리부의 기판에 처리액을 공급하기 위해 상기 처리액 노즐을 액 처리부의 열을 따라 이동 수단에 의해 이동시키는 공정과,
상기 대기부로 처리액 노즐을 되돌리지 않고 상기 처리액 노즐을 상기 복수의 액 처리부를 구성하는 다른 액 처리부의 기판에 처리액을 공급하기 위해, 상기 다른 액 처리부의 상방 영역을 향하여 상기 열을 따라 이동시키는 공정과,
상기 처리액 노즐이 다른 액 처리부까지 횡방향으로 이동하는 도중에, 상기 하나의 액 처리부의 컵체의 개구부와 상기 다른 액 처리부의 컵체의 개구부의 사이에서, 기대, 세정액 공급부 및 액 받이부를 포함하는 액 제거부의 상기 기대 상에 설치된 상기 세정액 공급부로부터 상기 처리액 노즐을 향해 경사 방향으로 세정액을 공급하여 상기 처리액 노즐을 세정하고, 상기 액 제거부의 상기 기대 상에 설치된 상기 액 받이부를 상기 처리액 노즐에 매달려 있는 세정액의 액적에 접촉시키는 공정과,
상기 액 받이부에 접촉된 액적을 상기 액 받이부에 의해 상기 처리액 노즐로부터 제거하는 공정
을 구비한 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.And a substrate holding section for horizontally holding the substrate in a cup body having an opening formed on the upper side thereof. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, In the processing method,
Wherein a processing liquid is supplied to the substrate of the one liquid processing section from a standby section provided on an extension of the row of the liquid processing section for waiting the processing liquid nozzle to a region above one liquid processing section constituting the plurality of liquid processing sections A step of moving the treatment liquid nozzle by the moving means along the row of the liquid treatment unit,
The processing liquid nozzle is moved along the column toward the upper region of the other liquid processing section so as to supply the processing liquid to the substrate of the other liquid processing section constituting the plurality of liquid processing sections without returning the processing liquid nozzle to the atmosphere section. ,
The cleaning liquid supply portion and the liquid receiving portion are provided between the opening portion of the cup body of the one liquid processing portion and the opening portion of the cup body of the other liquid processing portion while the processing liquid nozzle is moving in the lateral direction to the other liquid processing portion The cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid supply unit installed on the expectation of rejection to the processing liquid nozzle in an oblique direction to clean the processing liquid nozzle and the liquid receiving unit provided on the base of the liquid decontamination, To the liquid droplet of the cleaning liquid suspended in the cleaning liquid,
A step of removing the liquid droplets contacted to the liquid receiving portion from the process liquid nozzle by the liquid receiving portion
Wherein the liquid processing method comprises the steps of: 제 10 항에 있어서,
상기 기판으로 처리액을 공급함에 있어서,
처리액 노즐의 토출구로부터 상기 처리액을 경사 하방으로 공급하는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.11. The method of claim 10,
In supplying the treatment liquid to the substrate,
And the treatment liquid is fed obliquely downward from a discharge port of the treatment liquid nozzle. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
상기 처리액은 현상액이며, 상기 기판은 그 표면에 레지스트가 도포되어 노광된 것인 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.The method according to claim 10 or 11,
Wherein the treatment liquid is a developer, and the substrate is one in which a resist is coated on the surface thereof and exposed. 기판에 대한 액 처리를 행하는 액 처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체로서,
상기 컴퓨터 프로그램은 청구항 10 또는 청구항 11에 기재된 액 처리 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 하는 기억 매체.
A storage medium storing a computer program used in a liquid processing apparatus for performing liquid processing on a substrate,
Wherein the computer program is for carrying out the liquid processing method according to claim 10 or claim 11.
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