JP2024050440A - Lift pin cleaning method and substrate processing apparatus - Google Patents
Lift pin cleaning method and substrate processing apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2024050440A JP2024050440A JP2023142760A JP2023142760A JP2024050440A JP 2024050440 A JP2024050440 A JP 2024050440A JP 2023142760 A JP2023142760 A JP 2023142760A JP 2023142760 A JP2023142760 A JP 2023142760A JP 2024050440 A JP2024050440 A JP 2024050440A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- liquid
- cleaning
- wafer
- rotating plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 159
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 114
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 68
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 147
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 33
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 22
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 11
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 9
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 7
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 3
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229960001231 choline Drugs 0.000 claims description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 141
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】装置内の汚染を抑えつつ、リフトピンを洗浄すること。
【解決手段】リフトピンの洗浄方法は、回転プレートと、複数の支持部と、液吐出部と、複数のリフトピンとを備える基板処理装置におけるリフトピンの洗浄方法であって、支持工程と、洗浄工程とを含む。回転プレートは、回転可能である。複数の支持部は、回転プレート上に設けられ、基板を支持する。液吐出部は、複数の支持部に支持された基板の上面に洗浄液を吐出する。複数のリフトピンは、回転プレートに設けられた複数の通過部をそれぞれ通過して基板を上方へ押し上げる。支持工程は、複数の支持部を用いて、基板を支持する。洗浄工程は、複数のリフトピンが回転プレートよりも低い位置に配置された状態で、液吐出部から複数の支持部に支持された基板の上面に洗浄液を吐出して、複数の通過部から流下する洗浄液により複数のリフトピンを洗浄する。
【選択図】図2
To clean lift pins while suppressing contamination inside an apparatus.
[Solution] A method for cleaning lift pins in a substrate processing apparatus including a rotating plate, multiple support parts, a liquid discharge part, and multiple lift pins, includes a supporting step and a cleaning step. The rotating plate is rotatable. The multiple support parts are provided on the rotating plate and support a substrate. The liquid discharge part discharges a cleaning liquid onto an upper surface of the substrate supported by the multiple support parts. The multiple lift pins push the substrate upward by passing through multiple passing parts provided on the rotating plate. The supporting step supports the substrate using the multiple support parts. The cleaning step discharges a cleaning liquid from the liquid discharge part onto an upper surface of the substrate supported by the multiple support parts with the multiple lift pins positioned lower than the rotating plate, and cleans the multiple lift pins with the cleaning liquid flowing down from the multiple passing parts.
[Selected figure] Figure 2
Description
開示の実施形態は、リフトピンの洗浄方法および基板処理装置に関する。 The disclosed embodiments relate to a lift pin cleaning method and a substrate processing apparatus.
従来、搬送装置との間で基板の受け渡しを行うための複数のピンを有する基板処理装置において、基板処理が行われていない期間に、洗浄液ノズルから複数のピンに洗浄液を吐出することで、各ピンに付着した付着物を除去する技術がある(特許文献1参照)。 In a conventional substrate processing apparatus having multiple pins for transferring substrates between the substrate processing apparatus and a transport apparatus, a technique is available for removing deposits on each pin by ejecting a cleaning liquid from a cleaning liquid nozzle onto the multiple pins during periods when substrate processing is not being performed (see Patent Document 1).
本開示は、装置内の汚染を抑えつつ、リフトピンを洗浄することができる技術を提供する。 This disclosure provides technology that can clean lift pins while minimizing contamination inside the device.
本開示の一態様によるリフトピンの洗浄方法は、回転プレートと、複数の支持部と、液吐出部と、複数のリフトピンとを備える基板処理装置におけるリフトピンの洗浄方法であって、支持工程と、洗浄工程とを含む。回転プレートは、回転可能である。複数の支持部は、回転プレート上に設けられ、基板を支持する。液吐出部は、複数の支持部に支持された基板の上面に洗浄液を吐出する。複数のリフトピンは、回転プレートに設けられた複数の通過部をそれぞれ通過して基板を上方へ押し上げる。支持工程は、複数の支持部を用いて、基板を支持する。洗浄工程は、複数のリフトピンが回転プレートよりも低い位置に配置された状態で、液吐出部から複数の支持部に支持された基板の上面に洗浄液を吐出して、複数の通過部から流下する洗浄液により複数のリフトピンを洗浄する。 A method for cleaning lift pins according to one aspect of the present disclosure is a method for cleaning lift pins in a substrate processing apparatus including a rotating plate, multiple support parts, a liquid discharge part, and multiple lift pins, and includes a supporting step and a cleaning step. The rotating plate is rotatable. The multiple support parts are provided on the rotating plate and support a substrate. The liquid discharge part discharges a cleaning liquid onto an upper surface of the substrate supported by the multiple support parts. The multiple lift pins push the substrate upward by passing through multiple passing parts provided on the rotating plate. The supporting step supports the substrate using the multiple support parts. The cleaning step discharges a cleaning liquid from the liquid discharge part onto an upper surface of the substrate supported by the multiple support parts with the multiple lift pins positioned lower than the rotating plate, and cleans the multiple lift pins with the cleaning liquid flowing down from the multiple passing parts.
本開示によれば、装置内の汚染を抑えつつ、リフトピンを洗浄することができる。 According to the present disclosure, it is possible to clean the lift pins while minimizing contamination inside the device.
以下、本開示によるリフトピンの洗浄方法および基板処理装置を実施するための形態(以下、「実施形態」と記載する)について図面を参照しつつを詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示によるリフトピンの洗浄方法および基板処理装置が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。 Below, the lift pin cleaning method and substrate processing apparatus according to the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. Note that the lift pin cleaning method and substrate processing apparatus according to the present disclosure are not limited to these embodiments. Furthermore, the embodiments can be appropriately combined as long as they do not cause any contradiction in the processing contents.
回転プレート上に基板を設置して基板を回転させつつ、回転する基板の上方から基板の上面に対して洗浄液を供給することによって基板を洗浄する基板処理装置が知られている。 There is known a substrate processing apparatus that cleans a substrate by rotating the substrate by placing the substrate on a rotating plate and supplying a cleaning liquid to the upper surface of the substrate from above the rotating substrate.
また、かかる基板処理装置は、搬送装置との間で基板の受け渡しを行うための複数のリフトピンを備えることがある。複数のリフトピンと基板とは、搬送装置との基板の受け渡しが行われる際に直接的に接触するため、たとえば、複数のリフトピンに付着しているパーティクルが基板の下面に付着するおそれがある。このため、基板処理装置では、複数のリフトピンを定期的に洗浄することが好ましい。 Such substrate processing apparatus may also include multiple lift pins for transferring the substrate to and from the transport device. The multiple lift pins and the substrate are in direct contact with each other when transferring the substrate to and from the transport device, so there is a risk that particles adhering to the multiple lift pins may adhere to the underside of the substrate. For this reason, it is preferable to periodically clean the multiple lift pins in the substrate processing apparatus.
しかしながら、上記特許文献1に記載の技術のように、洗浄液ノズルから直接的に複数のリフトピンに洗浄液が吐出されると、複数のリフトピンにおいて洗浄液の飛散が発生するおそれがある。複数のリフトピンにおける洗浄液の飛散が生じると、例えば、飛散した洗浄液に含まれるパーティクルが基板処理装置内においてリフトピン以外の他の部品等に付着し、基板処理装置内の汚染を生じさせる可能性がある。
However, as in the technology described in
そこで、装置内の汚染を抑えつつ、リフトピンを洗浄することができる技術の提供が期待されている。 Therefore, there is a need for technology that can clean the lift pins while minimizing contamination inside the equipment.
<基板処理システムの構成>
図1は、実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
<Configuration of Substrate Processing System>
1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention. In the following, in order to clarify the positional relationship, an X-axis, a Y-axis, and a Z-axis that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z-axis is defined as the vertical upward direction.
図1に示すように、基板処理システム1は、搬入出ステーション2と、処理ステーション3とを備える。搬入出ステーション2と処理ステーション3とは隣接して設けられる。
As shown in FIG. 1, the
搬入出ステーション2は、キャリア載置部11と、搬送部12とを備える。キャリア載置部11には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ(以下ウェハW)を水平状態で収容する複数のキャリアCが載置される。
The loading/
搬送部12は、キャリア載置部11に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置13と、受渡部14とを備える。基板搬送装置13は、ウェハWを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置13は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアCと受渡部14との間でウェハWの搬送を行う。
The
処理ステーション3は、搬送部12に隣接して設けられる。処理ステーション3は、搬送部15と、複数の処理ユニット16とを備える。複数の処理ユニット16は、搬送部15の両側に並べて設けられる。
The
搬送部15は、内部に基板搬送装置17を備える。基板搬送装置17は、ウェハWを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置17は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部14と処理ユニット16との間でウェハWの搬送を行う。
The
処理ユニット16は、基板搬送装置17によって搬送されるウェハWに対して所定の基板処理を行う。また、処理ユニット16は、基板搬送装置17によって搬送されるウェハWを用いて、処理ユニット16内に設けられた後述するリフトピン23H(図2および図3参照)に対する洗浄処理を行う。
The
また、基板処理システム1は、制御装置4を備える。制御装置4は、たとえばコンピュータであり、制御部18と記憶部19とを備える。記憶部19には、基板処理システム1において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部18は、記憶部19に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム1の動作を制御する。
The
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置4の記憶部19にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。
The program may be recorded on a computer-readable storage medium and installed from that storage medium into the
上記のように構成された基板処理システム1では、まず、搬入出ステーション2の基板搬送装置13が、キャリア載置部11に載置されたキャリアCからウェハWを取り出し、取り出したウェハWを受渡部14に載置する。受渡部14に載置されたウェハWは、処理ステーション3の基板搬送装置17によって受渡部14から取り出されて、処理ユニット16へ搬入される。
In the
処理ユニット16へ搬入されたウェハWは、処理ユニット16によって処理された後、基板搬送装置17によって処理ユニット16から搬出されて、受渡部14に載置される。そして、受渡部14に載置された処理済のウェハWは、基板搬送装置13によってキャリア載置部11のキャリアCへ戻される。
The wafer W loaded into the
<処理ユニットの構成>
次に、処理ユニット16の構成について図2を参照して説明する。図2は、実施形態に係る処理ユニット16の構成を説明するための図である。
<Configuration of Processing Unit>
Next, the configuration of the
図2に示すように、処理ユニット16は、筐体21と、筐体21内の中央部に設けられ、上面が開口する略円筒形状のカップ部22と、カップ部22の内側に配置され、ウェハWを保持するとともに回転することができるウェハ保持回転部23とを備える。また、処理ユニット16は、ウェハ保持回転部23に保持されるウェハWに対して洗浄液を供給する第1供給部24および第2供給部25を備える。
As shown in FIG. 2, the
筐体21には、基板搬送装置17(図1参照)によりウェハWを筐体21に搬入出するための図示しない搬送口が形成されている。搬送口には、図示しないシャッタが設けられ、搬入出時にはシャッタが開き、処理時にはシャッタは閉じ搬送口は閉じられている。
The
カップ部22は、ウェハWに対して供給される洗浄液を受け、図示しないドレインから洗浄液を排出する。
The
ウェハ保持回転部23は、筐体21の下方に配置されるモータMに接続されて回転する回転シャフト23Sと、下面中央部において回転シャフト23Sに取り付けられる回転プレート23Pとを有している。なお、モータMおよび回転シャフト23Sは、回転プレート23Pを回転させる回転機構の一例である。
The wafer holding and
第1供給部24は、ウェハWの外方からウェハWの上方に移動し、ウェハ保持回転部23に保持されるウェハWの上面へ向けて第1洗浄液、リンス液および乾燥用ガスを供給する。第1洗浄液は、たとえば、アルカリ性水溶液またはアルカリ性水溶液とDIW(純水)との混合液である。第1洗浄液の温度は、70℃よりも小さい。アルカリ性水溶液としては、例えば、無機系アルカリ性水溶液または有機系アルカリ性水溶液を用いることができる。無機系アルカリ性水溶液は、例えば、SC1液(アンモニアと過酸化水素水との混合液)である。有機系アルカリ性水溶液は、例えば、TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)およびコリン水溶液のうち少なくとも一つを含む溶液である。また、リンス液は、例えば、DIWである。また、乾燥用ガスは、例えば、N2ガスである。
The
第1供給部24は、第1ノズル24A、リンスノズル24Bおよび乾燥用ノズル24Cを支持する第1アーム24aと、第1アーム24aを水平方向に旋回させ、上下方向に昇降させる旋回昇降機構24bとを備える。なお、図示を省略するが、第1供給部24は、第1アーム24aを水平方向に移動させる移動機構を備えていてもよい。
The
第1ノズル24Aには、バルブ等の流量調整機構26aを介して薬液供給源31が接続される。薬液供給源31は、たとえばタンクであり、第1洗浄液として、アルカリ性水溶液またはアルカリ性水溶液とDIW(純水)との混合液等の薬液を貯留する。第1ノズル24Aは、第1洗浄液をウェハWの上面に吐出する。第1ノズル24Aは、第1液吐出部の一例である。
The
リンスノズル24Bには、バルブ等の流量調整機構26bを介してDIW供給源32が接続される。DIW供給源32は、たとえばタンクであり、リンス液として、DIWを貯留する。リンスノズル24Bは、リンス液をウェハWの上面に吐出する。
The rinse
乾燥用ノズル24Cには、バルブ等の流量調整機構26cを介してN2ガス供給源33が接続される。N2ガス供給源33は、たとえばタンクであり、N2ガスを貯留する。乾燥用ノズル24Cは、乾燥用ガスであるN2ガスをウェハWの上面に吐出する。
The drying
第2供給部25は、ウェハWの外方からウェハWの上方に移動し、ウェハ保持回転部23に保持されるウェハWの上面へ向けて第2洗浄液を供給する。第2洗浄液は、液体と気体との混合流体である。液体としては、DIWにCO2ガス、アンモニアガスおよびアンモニア水の少なくともいずれか一つを溶解して得られた溶液を用いることができ、かかる液体は、機能水とも呼ばれる。機能水としての液体がDIWにCO2ガスを溶解して得られた溶液である場合、液体の比抵抗は0.1(MΩ・cm)よりも小さいことが好ましい。また、機能水としての液体がDIWにアンモニアガスおよびアンモニア水の少なくとも一方を溶解して得られた溶液である場合、液体におけるアンモニアの濃度は、1(ppm)以上100(ppm)以下であることが好ましい。第2洗浄液である混合流体に含まれる液体として機能水が用いられることにより、ウェハWの除電が行われることから、ウェハWに第2洗浄液が接触した際にウェハWが受けるダメージ(静電破壊)が抑制される。気体としては、N2ガスを用いることができる。
The
第2供給部25は、第2ノズル25Aを支持する第2アーム25aと、第2アーム25aを水平方向に旋回させ、上下方向に昇降させる旋回昇降機構25bとを備える。なお、図示を省略するが、第2供給部25は、第2アーム25aを水平方向に移動させる移動機構を備えていてもよい。
The
第2ノズル25Aには、バルブ等の流量調整機構26dを介して機能水供給源34が接続される。機能水供給源34は、たとえばタンクであり、機能水を貯留する。また、第2ノズル25Aには、バルブ等の流量調整機構26eを介してN2ガス供給源33が接続される。第2ノズル25Aは、たとえば二流体ノズルであり、内部で機能水とN2ガスとを混合させて第2洗浄液である混合流体を生成し、ウェハWの上面に第2洗浄液を吐出する。第2ノズル25Aに供給されるN2ガスの圧力は比較的に高く、第2ノズル25Aは、高圧の混合流体をウェハWの上面に引き付けることができる。第2ノズル25Aは、第2液吐出部の一例である。
A functional
回転シャフト23Sには、その中央部を貫通する導管23Cが形成されている。導管23Cは、バルブ等の流量調整機構26fを介してN2ガス供給源33に接続される。ウェハ保持回転部23の回転プレート23Pと、ウェハ保持回転部23により保持されるウェハWとの間には空間が形成されており、導管23Cを通ったN2ガスは、導管23Cの上端からこの空間へ流れ出て、外周に向かって流れる。ウェハ保持回転部23およびウェハWが回転すると、回転プレート23PとウェハWとの間の空間がウェハW上方の空間よりも陰圧になる。そうすると、ウェハWの中心部が撓んで、ウェハWの上面の平坦性が悪化し、液処理の均一性もまた悪化するおそれがある。しかし、その空間にN2ガスを供給しているため、ウェハWの中心部の撓みを抑制することが可能となる。また、回転プレート23PとウェハWとの間の空間からN2ガスが吹き出すため、ウェハWの上面に供給される処理液が下面に付着するのを低減する効果が得られる。
The
なお、導管23Cから供給される気体は、N2ガスに限らず、アルゴンガス等の他の不活性ガスやドライエア等であってもよい。
The gas supplied from
回転プレート23Pは、モータMおよび回転シャフト23Sによって回転可能な円板形状を有する部材である。回転プレート23Pの周縁部には、ウェハWの周縁部を押さえることによりウェハWを側方から把持する複数(図2では1つのみを図示)の把持部23Gが設けられる。
The
各把持部23Gは、回動軸23Tまわりに回動可能なレバー部材23Lと、レバー部材23Lの回動に伴って回動することによってウェハWの周縁部に接触可能な把持片23Aとを有している。各レバー部材23Lの下方には、レバー部材23Lの一端に当接可能な押上板41が設けられている。押上板41は、水平方向に延在しており、鉛直方向に延在する複数の支柱部材42によって下方から支持される。複数の支柱部材42は、水平方向に延在するアーム部材43によって下方から支持されており、アーム部材43は、昇降機構44により上下動する。
Each gripping portion 23G has a
また、回転プレート23Pの下方には、基板搬送装置17(図1参照)との間でウェハWの受け渡しを行う際に、ウェハWの周縁部を下方から支持してウェハWを上下動させる複数(図2では1つのみ図示)のリフトピン23Hが設けられる。各リフトピン23Hは、鉛直方向に延在し、水平方向に延在するアーム部材51によって支持される。アーム部材51は、昇降機構52により上下動する。
In addition, below the
ここで、上述した把持部23Gおよびリフトピン23Hの動作について図3を参照して説明する。図3は、実施形態に係る把持部23Gおよびリフトピン23Hの動作説明図である。
Here, the operation of the gripper 23G and
図3に示すように、ウェハWの搬入時において、押上板41は、昇降機構44によって上方に移動しており、把持部23Gのレバー部材23Lの一端を上方へ押し上げている。このため、レバー部材23Lの他端に設けられた把持片23Aは外方に傾いている。
As shown in FIG. 3, when the wafer W is loaded, the push-up
また、ウェハWの搬入時において、リフトピン23Hは、昇降機構52によって上方に移動しており、回転プレート23Pよりも高い位置に配置された状態となっている。
When the wafer W is loaded, the lift pins 23H are moved upward by the lifting mechanism 52 and are positioned higher than the
回転プレート23Pの外周部には、リフトピン23Hを通過させるための通過部65が形成されている。通過部65は、回転プレート23Pの外周縁を径方向内側に向かって切り欠いた切欠部である。通過部65は、回転プレート23Pに対して複数設けられるが、図2および図3では、1つの通過部65のみを示している。
A
ウェハWの搬入時において、リフトピン23Hは、昇降機構52によって上昇し、回転プレート23Pに設けられた通過部65を通過して、回転プレート23Pよりも高い位置に配置される。
When the wafer W is loaded, the lift pins 23H are raised by the lifting mechanism 52, pass through the
筐体21に搬入されたウェハWは、基板搬送装置17から複数のリフトピン23Hに受け渡される。その後、複数のリフトピン23Hが回転プレート23Pよりも低い位置まで降下すると、押上板41が降下する。これにより、押上板41とレバー部材23Lとの接触状態が解除され、レバー部材23Lが回動軸23Tを中心に回動し、これに伴って把持片23AがウェハWの周縁部に押しつけられる。複数の把持部23Gの把持片23AがウェハWの周縁部を押しつけることにより、ウェハWが把持される。この状態で、モータMが回転すると、回転プレート23Pと、これに取り付けられた把持部23Gとが回転し、回転プレート23P上で把持部23Gに把持されたウェハWが回転する。
The wafer W loaded into the
ウェハWの搬出時において、複数の把持部23GによるウェハWの把持が解除されると、リフトピン23Hは、昇降機構52によって上昇し、回転プレート23Pに設けられた通過部65を通過してウェハWに下方から当接する。そして、リフトピン23Hは、ウェハWを上方へ押し上げる。リフトピン23Hによって押し上げられたウェハWは、基板搬送装置17に受け渡され、基板搬送装置17によって筐体21から搬出される。
When the wafer W is unloaded, the multiple gripping parts 23G release the grip of the wafer W, and the lift pins 23H are raised by the lifting mechanism 52, pass through the
<回転プレートの構成>
次に、回転プレート23Pの構成について図4および図5を用いて説明する。図4は、実施形態に係る回転プレート23Pの斜視図であり、図5は、実施形態に係る回転プレート23Pの平面図である。
<Configuration of Rotating Plate>
Next, the configuration of the
図4および図5に示すように、回転プレート23Pは、第1平坦部61と、傾斜部62と、第2平坦部63とを備える。
As shown in Figures 4 and 5, the
第1平坦部61は、ウェハWよりも小径の円板形状を有する。第1平坦部61の中央部には、ウェハWの下面に対してN2ガスを供給するための開口部61aが設けられる。
The first
傾斜部62は、第1平坦部61の外周縁に連接して配置される。傾斜部62は、ウェハWよりも大径であり、ウェハWの外側(第2平坦部63)からウェハWの内側(第1平坦部61)に向かって下り傾斜する傾斜面を有する。かかる傾斜面は、ウェハWの周方向に沿って延在する。具体的には、傾斜部62の傾斜面は、第1平坦部61の外周縁の全周に亘って設けられる。第2平坦部63は、傾斜部62の外周縁に連接する平坦面を有する。
The
また、回転プレート23Pには、複数の切欠部64と、複数の通過部65と、複数の支持部66と、複数の嵩上げ部67とが設けられる。
The
複数の切欠部64は、回転プレート23Pの外周縁のうち複数の把持片23Aに対応する各部分を径方向内側に向かって切り欠いた切欠部である。切欠部64は、傾斜部62の傾斜面の中途部まで到達する。把持部23Gの把持片23Aは、かかる切欠部64に配置される。
The
複数の通過部65は、回転プレート23Pの外周縁のうち複数のリフトピン23Hに対応する各部分を径方向内側に向かって切り欠いた切欠部である。複数の通過部65は、回転プレート23Pの外周縁のうち複数のリフトピン23Hに対応する各部分を上下に貫通する貫通孔であってもよい。通過部65は、切欠部64よりも大きく、傾斜部62の傾斜面の下部まで到達する。リフトピン23Hは、かかる通過部65を介して上下動する。
The multiple passing
なお、本実施形態では、3つの切欠部64および3つの通過部65が、回転プレート23Pの外周部に対して所定の間隔を空けて交互に配置される場合の例を示すが、複数の切欠部64および通過部65の個数や配置は、上記の例に限定されない。
In this embodiment, an example is shown in which three
複数の支持部66は、傾斜部62の傾斜面に対して突出して設けられ、ウェハWを下方から支持する。かかる支持部66は、ウェハWの外側から内側に向かって、具体的には、第1平坦部61(換言すればウェハW)の径方向に沿って延在する長細形状を有する。
The
また、通過部65よりも回転プレート23Pの径方向内側には、傾斜部62の傾斜面および第1平坦部61の一部を嵩上げする嵩上げ部67が設けられる。
In addition, a raised
嵩上げ部67は、通過部65および通過部65の両側に設けられる2つの支持部66に連接する。
The raised
<処理ユニットの具体的動作>
次に、実施形態に係る処理ユニット16の具体的な動作について図6を参照して説明する。図6は、実施形態に係る処理ユニット16が実行する一連の処理手順を示すフローチャートである。図6に示す各処理手順は、制御部18による制御に従って実行される。
<Specific Operation of Processing Unit>
Next, a specific operation of the
なお、以下においては、ウェハWは、処理対象のウェハ(製品基板の一例)とは異なるダミーウェハ(ダミー基板の一例)であるものとする。ウェハWがダミーウェハである場合、図6に示す一連の処理手順は、処理ユニット16によって処理対象のウェハに対する基板処理が行われていない期間に実施される。また、以下においては、ウェハWの回路形成面を「主面」とし、主面とは反対側の面を「裏面」とする。
In the following, the wafer W is assumed to be a dummy wafer (an example of a dummy substrate) that is different from the wafer to be processed (an example of a product substrate). When the wafer W is a dummy wafer, the series of processing steps shown in FIG. 6 is performed during a period when the
図6に示すように、処理ユニット16では、まず、搬入処理が行われる(ステップS101)。搬入処理では、基板搬送装置17(図1参照)によって処理ユニット16の筐体21にウェハWが搬入される。なお、ここでは、ウェハWの主面が下方に向けられた状態でウェハWが搬入される。筐体21に搬入されたウェハWは、回転プレート23Pの複数の支持部66によって支持され、複数の把持部23Gによって把持される。このとき、複数のリフトピン23Hは、回転プレート23Pよりも低い位置に配置された状態(図2に示す状態)となっている。
As shown in FIG. 6, in the
つづいて、処理ユニット16では、洗浄処理が行われる(ステップS102)。洗浄処理では、複数のリフトピン23Hが回転プレート23Pよりも低い位置に配置された状態で、第1ノズル24Aおよび第2ノズル25AからウェハWの上面に洗浄液を吐出して、複数の通過部65から流下する洗浄液により複数のリフトピン23Hを洗浄する。
Next, in the
ところで、複数のリフトピン23HとウェハWとは、処理ユニット16と基板搬送装置17との間でウェハWの受け渡しが行われる際に直接的に接触する。これにより、たとえば、複数のリフトピン23Hに付着しているパーティクルがウェハWの下面(主面)に付着するおそれがある。このため、パーティクルの付着を抑制するためには、複数のリフトピン23Hを定期的に洗浄することが好ましい。
The
この点、従来技術のように洗浄液ノズルから直接的に複数のリフトピン23Hに洗浄液を吐出することが考えられる。 In this regard, it is possible to eject cleaning liquid directly from a cleaning liquid nozzle onto multiple lift pins 23H, as in the conventional technology.
しかしながら、洗浄液ノズルから直接的に複数のリフトピン23Hに洗浄液が吐出されると、複数のリフトピン23Hにおいて洗浄液の飛散が発生するおそれがある。複数のリフトピン23Hにおける洗浄液の飛散が生じると、例えば、飛散した洗浄液に含まれるパーティクルが処理ユニット16内においてリフトピン23H以外の他の部品等に付着し、処理ユニット16内の汚染を生じさせる可能性がある。
However, when cleaning liquid is discharged from the cleaning liquid nozzle directly onto the multiple lift pins 23H, there is a risk that the cleaning liquid will splash onto the multiple lift pins 23H. If the cleaning liquid splashes onto the multiple lift pins 23H, for example, particles contained in the splashed cleaning liquid may adhere to other parts, etc., other than the lift pins 23H within the
そこで、実施形態に係る処理ユニット16は、複数のリフトピン23Hが回転プレート23Pよりも低い位置に配置された状態で、ウェハWの上面に洗浄液を吐出して、複数の通過部65から流下する洗浄液により複数のリフトピン23Hを洗浄する洗浄処理を行う。
The
かかる洗浄処理によれば、従来技術のように洗浄液ノズルから直接的に複数のリフトピン23Hに洗浄液を吐出する場合と比べて、複数のリフトピン23Hから洗浄液が飛散する範囲を小さくすることができる。その結果、処理ユニット16内の汚染を抑えつつ、リフトピン23Hを洗浄することができる。
This cleaning process can reduce the area over which the cleaning liquid is scattered from the multiple lift pins 23H, compared to conventional technology in which the cleaning liquid is directly ejected from a cleaning liquid nozzle onto the multiple lift pins 23H. As a result, the lift pins 23H can be cleaned while minimizing contamination inside the
上述した洗浄処理の内容について図7~図9を参照してより具体的に説明する。図7は、実施形態に係る洗浄処理の処理手順を示すフローチャートである。図8は、実施形態に係る洗浄処理における第1ノズル24Aの動作例を示す図である。図9は、実施形態に係る洗浄処理における第2ノズル25Aの動作例を示す図である。
The above-mentioned cleaning process will be described in more detail with reference to Figs. 7 to 9. Fig. 7 is a flowchart showing the procedure of the cleaning process according to the embodiment. Fig. 8 is a diagram showing an example of the operation of the
図7に示すように、ウェハWが回転プレート23Pの複数の支持部66によって支持されるとともに複数の把持部23Gによって把持されると、処理ユニット16は、ウェハWの回転を開始する(ステップS201)。ウェハWの回転は、モータMを用いて回転シャフト23Sおよび回転プレート23Pを回転させることによって行われる。なお、ウェハWの回転は、図6に示す一連の処理手順が終了するまで継続する。
As shown in FIG. 7, when the wafer W is supported by the
つづいて、処理ユニット16は、旋回昇降機構24bを用いて第1ノズル24AをウェハWの上方に配置する(ステップS202)。
Next, the
つづいて、処理ユニット16は、第1ノズル24Aから回転するウェハWの上面への第1洗浄液L1の吐出を開始する(ステップS203)。ウェハWの上面へ吐出された第1洗浄液L1は、図8に示すように、ウェハWの回転に伴う遠心力によってウェハWの上面において塗り広げられ、ウェハWの周縁部から外方へ飛散する。また、ウェハWの上面へ吐出された第1洗浄液L1の一部は、ウェハWの周縁部においてウェハWの上面から下面へ回り込み、ウェハWの下面から回転プレート23Pの通過部65に向かって飛散する。通過部65に向かって飛散した第1洗浄液L1は、回転プレート23Pの通過部65から流下し、リフトピン23Hに着液する。これにより、リフトピン23Hに付着したパーティクル等の異物が第1洗浄液L1によって洗い流される。
Next, the
第1洗浄液L1は、アルカリ性水溶液またはアルカリ性水溶液と純水との混合液等の薬液であることから、リフトピン23Hに付着したパーティクル等の異物を除去可能な化学反応性を有している。かかる第1洗浄液L1によりリフトピン23Hを洗浄することにより、リフトピン23Hに付着したパーティクル等の異物の除去効率を向上することができる。 The first cleaning liquid L1 is a chemical liquid such as an alkaline aqueous solution or a mixture of an alkaline aqueous solution and pure water, and therefore has a chemical reactivity capable of removing foreign matter such as particles adhering to the lift pins 23H. By cleaning the lift pins 23H with the first cleaning liquid L1, the efficiency of removing foreign matter such as particles adhering to the lift pins 23H can be improved.
処理ユニット16は、第1洗浄液L1の吐出を予め決められた時間継続する。その後、処理ユニット16は、第1洗浄液L1の吐出を終了する(ステップS204)。
The
なお、ステップS201~S204の処理は、回転プレート23Pを用いて複数の支持部66に支持された基板を回転させながら、第1ノズル24Aから基板の上面に第1洗浄液を吐出する第1洗浄工程の一例である。
The processes in steps S201 to S204 are an example of a first cleaning process in which the first cleaning liquid is ejected from the
つづいて、処理ユニット16は、旋回昇降機構25bを用いて第2ノズル25AをウェハWの中心部の上方に配置する(ステップS205)。
Next, the
つづいて、処理ユニット16は、第2ノズル25Aから回転するウェハWの上面への第2洗浄液L2の吐出を開始する(ステップS206)。
Next, the
つづいて、処理ユニット16は、第2ノズル25Aから第2洗浄液L2を吐出させた状態で、旋回昇降機構25bを用いて第2ノズル25AをウェハWの中心部から周縁部へ向けて移動させる(ステップS207)。ウェハWの上面へ吐出された第2洗浄液L2は、図9に示すように、ウェハWの周縁部から外方へ飛散する。また、ウェハWの上面へ吐出された第2洗浄液L2の一部は、ウェハWの周縁部においてウェハWの上面から下面へ回り込み、ウェハWの下面から回転プレート23Pの通過部65に向かって飛散する。通過部65に向かって飛散した第2洗浄液L2は、回転プレート23Pの通過部65から流下し、リフトピン23Hに着液する。これにより、第1洗浄液L1によりリフトピン23Hから洗い流されなかったパーティクル等の異物が第2洗浄液L2によって洗い流される。
Next, the
第2洗浄液L2は、機能水と比較的に圧力が高いN2ガスとの混合流体であることから、リフトピン23Hに付着したパーティクル等の異物に対して高圧で着液する。かかる第2洗浄液L2によりリフトピン23Hを洗浄することにより、リフトピン23Hに付着したパーティクル等の異物の除去効率を向上することができる。 The second cleaning liquid L2 is a mixed fluid of functional water and N2 gas, which has a relatively high pressure, and therefore adheres to foreign matter such as particles adhering to the lift pins 23H at high pressure. By cleaning the lift pins 23H with the second cleaning liquid L2, the efficiency of removing foreign matter such as particles adhering to the lift pins 23H can be improved.
ここで、ステップS207の処理において第2ノズル25Aを等速で移動させた場合、洗浄処理の処理時間が必要以上に長くなるおそれがある。また、ウェハWの上面に留まる第2洗浄液L2の液量が不足することで、通過部65に向かって飛散する第2洗浄液L2の液量も不足するおそれがある。
Here, if the
そこで、処理ユニット16は、旋回昇降機構25bを制御して、第2ノズル25AがウェハWの中心部からウェハWの周縁部に到達しない所定位置へ近づくにつれて第2ノズル25Aの移動速度を速くしてもよい。さらに、処理ユニット16は、第2ノズル25Aが所定位置からウェハWの周縁部に近づくにつれて第2ノズル25Aの移動速度を遅くしてもよい。これにより、洗浄処理の処理時間の短縮と、通過部65に向かって飛散する第2洗浄液L2の液量の維持との両立を図ることができる。
The
なお、ステップS205~S207の処理は、基板を回転させるとともに第2ノズル25Aを基板の中心部側から周縁部側へ移動させながら、第2ノズル25Aから基板の上面に第2洗浄液L2を吐出する第2洗浄工程の一例である。
The processes in steps S205 to S207 are an example of a second cleaning process in which the
第2ノズル25AがウェハWの周縁部に到達すると、処理ユニット16は、第2ノズル25Aの移動が所定回数繰り返されたか否かを判定する(ステップS208)。第2ノズル25Aの移動が所定回数繰り返されていない場合(ステップS208;No)、処理ユニット16は、処理をステップS205に戻し、ステップS205~207の処理を繰り返す。すなわち、処理ユニット16は、第1洗浄工程(ステップS201~S204の処理)の後に、第2洗浄工程(ステップS205~S207の処理)を複数回繰り返す。これにより、処理ユニット16は、リフトピン23Hに付着したパーティクル等の異物の除去効率をより向上することができる。
When the
一方、第2ノズル25Aの移動が所定回数繰り返された場合(ステップS208;Yes)、処理ユニット16は、第2洗浄液L2の吐出を終了し(ステップS209)、洗浄処理を終了する。
On the other hand, if the movement of the
なお、上述した洗浄処理の例では、第1洗浄工程(ステップS201~S204の処理)および第2洗浄工程(ステップS205~S207の処理)の両方を実行したが、第1洗浄工および第2洗浄工程の一方のみを実行してもよい。これにより、処理の簡素化を図ることができる。また、処理ユニット16の仕様によっては化学反応性を有する薬液である第1洗浄液L1の使用が適切ではない場合がある。かかる場合に、処理ユニット16は、機能水とN2ガスとの混合流体である第2洗浄液L2を用いて第2洗浄工程のみを実行することで、薬液の使用に適さない処理ユニット16の仕様を満たすことができる。
In the above-mentioned cleaning process example, both the first cleaning step (steps S201 to S204) and the second cleaning step (steps S205 to S207) were performed, but only one of the first cleaning step and the second cleaning step may be performed. This simplifies the process. Depending on the specifications of the
また、ステップS207の処理において、第2ノズル25AがウェハWの周縁部に到達した後、第2ノズル25Aからの第2洗浄液L2の吐出を継続しつつ、第2ノズル25AをウェハWの周縁部で所定時間停止させてもよい。これにより、ウェハWの周縁部において回転プレート23Pの通過部65からリフトピン23Hへ向かって流下する第2洗浄液L2の量を増やすことができ、リフトピン23Hの洗浄効率をより向上させることができる。
In addition, in the process of step S207, after the
ステップS102(図6参照)の洗浄処理が終了すると、処理ユニット16では、リンス処理が行われる(ステップS103)。リンス処理において、処理ユニット16は、ウェハWの上方に配置させたリンスノズル24BからウェハWの上面側の中心部にリンス液であるDIWを吐出する。ウェハWの中心部に吐出されたDIWは、遠心力により、ウェハWの中心部から周縁部に向けて広がり、ウェハWの上面に残存する洗浄液がDIWによって洗い流される。また、リンス処理では、回転プレート23Pの複数の通過部65から流下するDIWによって、複数のリフトピン23Hの表面に残存する洗浄液が洗い流される。
After the cleaning process in step S102 (see FIG. 6) is completed, the
つづいて、処理ユニット16では、乾燥処理が行われる(ステップS104)。乾燥処理において、処理ユニット16は、ウェハWの回転数を増加させる。そして、処理ユニット16は、ウェハWを回転させながら、乾燥用ノズル24CからウェハWの上面にN2ガスを吐出する。これにより、ウェハWの主面に残存する液体が遠心力によって振り切られるとともにN2ガスによってウェハWの周縁部に向けて押し出されて、ウェハWが乾燥する。
Next, in the
つづいて、処理ユニット16では、搬出処理が行われる(ステップS105)。搬出処理では、基板搬送装置17(図1参照)によってウェハWが筐体21から搬出される。筐体21から搬出されたウェハWは、基板搬送装置17によってキャリアCに収容される。
Next, in the
上述したように、実施形態に係る基板処理装置(例えば、処理ユニット16)は、回転プレート(例えば、回転プレート23P)と、複数の支持部(例えば、支持部66)と、液吐出部(例えば、第1ノズル24Aおよび第2ノズル25A)と、複数のリフトピン(例えば、リフトピン23H)とを備える。回転プレートは、回転可能である。複数の支持部は、回転プレート上に設けられ、基板(例えば、ウェハW)を支持する。液吐出部は、複数の支持部に支持された基板の上面に洗浄液(例えば、第1洗浄液および第2洗浄液)を吐出する。複数のリフトピンは、回転プレートに設けられた複数の通過部(例えば、通過部65)をそれぞれ通過して基板を上方へ押し上げる。かかる基板処理装置において実行される実施形態に係るリフトピンの洗浄方法は、支持工程と、洗浄工程とを含む。支持工程は、複数の支持部を用いて、基板を支持する。洗浄工程は、複数のリフトピンが回転プレートよりも低い位置に配置された状態で、液吐出部から複数の支持部に支持された基板の上面に洗浄液を吐出して、複数の通過部から流下する洗浄液により複数のリフトピンを洗浄する。これにより、実施形態に係る基板処理装置によれば、装置内の汚染を抑えつつ、リフトピンを洗浄することができる。
As described above, the substrate processing apparatus (e.g., processing unit 16) according to the embodiment includes a rotating plate (e.g., rotating
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 The embodiments disclosed herein should be considered in all respects as illustrative and not restrictive. Indeed, the above-described embodiments may be embodied in various forms. Furthermore, the above-described embodiments may be omitted, substituted, or modified in various forms without departing from the scope and spirit of the appended claims.
1 基板処理システム
4 制御装置
16 処理ユニット
18 制御部
19 記憶部
23 ウェハ保持回転部
23P 回転プレート
24 第1供給部
24A 第1ノズル
25 第2供給部
25A 第2ノズル
65 通過部
66 支持部
W ウェハ
REFERENCE SIGNS
Claims (16)
前記回転プレート上に設けられ、基板を支持する複数の支持部と、
前記複数の支持部に支持された前記基板の上面に洗浄液を吐出する液吐出部と、
前記回転プレートに設けられた複数の通過部をそれぞれ通過して前記基板を上方へ押し上げる複数のリフトピンと
を備える基板処理装置におけるリフトピンの洗浄方法であって、
前記複数の支持部を用いて、前記基板を支持する支持工程と、
前記複数のリフトピンが前記回転プレートよりも低い位置に配置された状態で、前記液吐出部から前記複数の支持部に支持された前記基板の上面に前記洗浄液を吐出して、前記複数の通過部から流下する前記洗浄液により前記複数のリフトピンを洗浄する洗浄工程と
を含む、リフトピンの洗浄方法。 A rotatable rotating plate;
a plurality of supports provided on the rotating plate for supporting a substrate;
a liquid discharge unit that discharges a cleaning liquid onto an upper surface of the substrate supported by the plurality of supports;
a plurality of lift pins that push up the substrate by passing through a plurality of passing portions provided on the rotating plate, respectively,
a supporting step of supporting the substrate using the plurality of supports;
and a cleaning process of discharging the cleaning liquid from the liquid discharge section onto an upper surface of the substrate supported by the plurality of support sections while the plurality of lift pins are positioned at a position lower than the rotating plate, and cleaning the plurality of lift pins with the cleaning liquid flowing down from the plurality of passing sections.
複数の前記液吐出部は、
前記複数の支持部に支持された前記基板の上面に第1洗浄液を吐出する第1液吐出部と、
前記複数の支持部に支持された前記基板の上面に第2洗浄液を吐出する第2液吐出部と
を含み、
前記洗浄工程は、
前記回転プレートを用いて前記複数の支持部に支持された前記基板を回転させながら、前記第1液吐出部から前記基板の上面に前記第1洗浄液を吐出する第1洗浄工程と、
前記第1洗浄工程の後に、前記基板を回転させるとともに前記第2液吐出部を前記基板の中心部側から周縁部側へ移動させながら、前記第2液吐出部から前記基板の上面に前記第2洗浄液を吐出する第2洗浄工程と
を含む、請求項1に記載のリフトピンの洗浄方法。 The substrate processing apparatus includes a plurality of the liquid discharge units,
The liquid discharge units include
a first liquid ejection unit that ejects a first cleaning liquid onto an upper surface of the substrate supported by the plurality of supports;
a second liquid ejection unit that ejects a second cleaning liquid onto an upper surface of the substrate supported by the plurality of supports,
The washing step comprises:
a first cleaning step of discharging the first cleaning liquid from the first liquid discharger onto an upper surface of the substrate while rotating the substrate supported by the plurality of supports using the rotation plate;
2. The lift pin cleaning method according to claim 1, further comprising: a second cleaning step of, after the first cleaning step, rotating the substrate and moving the second liquid discharger from a central portion side to a peripheral portion side of the substrate while discharging the second cleaning liquid from the second liquid discharger onto an upper surface of the substrate.
前記第1洗浄工程の後に、前記第2洗浄工程を複数回繰り返す、請求項2に記載のリフトピンの洗浄方法。 The washing step comprises:
The lift pin cleaning method according to claim 2 , wherein the second cleaning step is repeated a plurality of times after the first cleaning step.
前記第2液吐出部が前記基板の中心部から前記基板の周縁部に到達しない所定位置へ近づくにつれて前記第2液吐出部の移動速度を速くし、前記第2液吐出部が前記所定位置から前記基板の周縁部へ近づくにつれて前記第2液吐出部の移動速度を遅くする、請求項2に記載のリフトピンの洗浄方法。 The second cleaning step includes:
3. The lift pin cleaning method according to claim 2, wherein a moving speed of the second liquid discharging part is increased as the second liquid discharging part approaches from a center of the substrate to a predetermined position not reaching the peripheral edge of the substrate, and a moving speed of the second liquid discharging part is decreased as the second liquid discharging part approaches from the predetermined position to the peripheral edge of the substrate.
前記有機系アルカリ性水溶液は、TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)およびコリン水溶液のうち少なくとも一つを含む溶液である、請求項6に記載のリフトピンの洗浄方法。 The inorganic alkaline aqueous solution is a mixture of ammonia and hydrogen peroxide,
7. The lift pin cleaning method according to claim 6, wherein the organic alkaline aqueous solution is a solution containing at least one of TMAH (tetramethylammonium hydroxide) and a choline aqueous solution.
前記回転プレートを用いて前記複数の支持部に支持された前記基板を回転させるとともに前記液吐出部を前記基板の中心部側から周縁部側へ移動させながら、前記液吐出部から前記基板の上面に前記洗浄液を吐出する、請求項1に記載のリフトピンの洗浄方法。 The washing step comprises:
2. The lift pin cleaning method according to claim 1, further comprising the steps of: rotating the substrate supported by the plurality of supports using the rotating plate; and discharging the cleaning liquid from the liquid discharger onto the upper surface of the substrate while moving the liquid discharger from a central portion side to a peripheral portion side of the substrate.
前記回転プレートを用いて前記複数の支持部に支持された前記基板を回転させながら、前記液吐出部から前記基板の上面に前記洗浄液を吐出する、請求項1に記載のリフトピンの洗浄方法。 The washing step comprises:
2. The lift pin cleaning method according to claim 1, wherein the cleaning liquid is discharged from the liquid discharge portion onto an upper surface of the substrate while the substrate supported by the plurality of supports is rotated using the rotating plate.
前記支持工程および前記洗浄工程は、前記基板処理装置によって前記製品基板に対する基板処理が行われていない期間に、実施される、請求項1に記載のリフトピンの洗浄方法。 The substrate is a dummy substrate different from a product substrate,
2. The lift pin cleaning method according to claim 1, wherein the supporting step and the cleaning step are performed during a period when the product substrate is not being processed by the substrate processing apparatus.
前記回転プレート上に設けられ、基板を支持する複数の支持部と、
前記複数の支持部に支持された前記基板の上面に洗浄液を吐出する液吐出部と、
前記回転プレートに設けられた複数の通過部をそれぞれ通過して前記基板を上方へ押し上げる複数のリフトピンと、
各部を制御する制御部と
を備え、
前記制御部は、
前記複数の支持部を用いて、前記基板を支持し、
前記複数のリフトピンが前記回転プレートよりも低い位置に配置された状態で、前記液吐出部から前記基板の上面に前記洗浄液を吐出して、前記複数の通過部から流下する前記洗浄液により前記複数のリフトピンを洗浄する、
基板処理装置。 A rotatable rotating plate;
a plurality of supports provided on the rotating plate for supporting a substrate;
a liquid discharge unit that discharges a cleaning liquid onto an upper surface of the substrate supported by the plurality of supports;
a plurality of lift pins that push the substrate upward by passing through a plurality of passages provided on the rotating plate;
A control unit for controlling each unit,
The control unit is
Supporting the substrate using the plurality of supports;
the cleaning liquid is discharged onto an upper surface of the substrate from the liquid discharge part while the plurality of lift pins are disposed at a position lower than the rotation plate, and the plurality of lift pins are cleaned by the cleaning liquid flowing down from the plurality of passage parts.
Substrate processing equipment.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SG10202251211R | 2022-09-29 | ||
SG10202251211R | 2022-09-29 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2024050440A true JP2024050440A (en) | 2024-04-10 |
Family
ID=90622035
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023142760A Pending JP2024050440A (en) | 2022-09-29 | 2023-09-04 | Lift pin cleaning method and substrate processing apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2024050440A (en) |
-
2023
- 2023-09-04 JP JP2023142760A patent/JP2024050440A/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101530959B1 (en) | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium | |
JP6404189B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and storage medium | |
TWI381435B (en) | Liquid treatment device, liquid treatment method and memory media | |
US20090038641A1 (en) | Substrate Cleaning Apparatus, Substrate Cleaning Method, Substrate Processing System, and Storage Medium | |
US8607807B2 (en) | Liquid treatment apparatus and method | |
KR20170142136A (en) | Cleaning jig and cleaning method for cleaning substrate processing apparatus, and substrate processing system | |
KR101670095B1 (en) | Liquid processing apparatus | |
JP2007208247A (en) | Apparatus and system for cleaning substrate | |
US9266153B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP3958594B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP5726686B2 (en) | Liquid processing apparatus and method for controlling liquid processing apparatus | |
TW201919779A (en) | Substrate processing device, substrate processing method, and storage medium | |
JP4053800B2 (en) | Substrate processing equipment | |
KR102294642B1 (en) | Liquid processing apparatus | |
JP6726575B2 (en) | Substrate cleaning apparatus, substrate processing apparatus, substrate cleaning method and substrate processing method | |
JP2012099582A (en) | Liquid treatment apparatus, liquid treatment method and recording medium in which computer program for performing liquid treatment method is recorded | |
JP6407829B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus and substrate liquid processing method | |
JP2007103956A (en) | Substrate treatment device | |
JP3958572B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP6961362B2 (en) | Board processing equipment | |
JP5293790B2 (en) | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium | |
JP5676362B2 (en) | Liquid processing apparatus and cleaning method for liquid processing apparatus | |
JP2024050440A (en) | Lift pin cleaning method and substrate processing apparatus | |
JP2018129476A (en) | Substrate processing device | |
JP7292120B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus |