JP2018125499A - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体製造装置および半導体装置の製造方法 Download PDF

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隆史 泉
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Abstract

【課題】基板表面の外観異常の発生を抑制することができる半導体製造装置を提供する。【解決手段】本実施形態による半導体製造装置は、基板を搭載可能な搭載部を備える。第１供給部は、基板上に薬液を供給する。第１保護板は、基板の外周に沿って設けられ、基板から飛散する薬液を受ける。第２供給部は、第１保護板の上部に設けられ、第１保護板の内面に洗浄液を供給する。【選択図】図３

Description

本発明による実施形態は、半導体製造装置および半導体装置の製造方法に関する。
金属めっき装置等の半導体製造装置は、半導体装置の製造工程において、基板の端部のエッチング、洗浄液による水洗および乾燥を行う場合がある。しかし、半導体製造装置がこれらの工程を同じチャンバにおいて行うと、基板の表面に外観異常（ストリーク）が生じることがある。このストリークは、基板の乾燥中に、チャンバ内に存在する薬液が基板に付着することにより発生する。
ストリークが発生している部分は、正常な部分に比べて酸化されている。そのため、ストリークが発生している部分と正常な部分との間には、外観上の差異が生じる。この場合、ストリークが発生した基板は、外観検査において異常があるものとして検出されてしまう。従って、ストリークの発生を抑制させることが望まれている。
特開２００５−６８５６１号公報（米国特許第６，３６５，０１７号） 特開２００６−１０４５８１号公報（米国特許第６，７１６，３３０号）
基板表面の外観異常の発生を抑制することができる半導体製造装置を提供する。
本実施形態による半導体製造装置は、基板を搭載可能な搭載部を備える。第１供給部は、基板上に薬液を供給する。第１保護板は、基板の外周に沿って設けられ、基板から飛散する薬液を受ける。第２供給部は、第１保護板の上部に設けられ、第１保護板の内面に洗浄液を供給する。
第１実施形態による半導体製造装置の構成の一例を示す概略平面図。 洗浄チャンバの構成の一例を示す模式図。 洗浄チャンバの構成の一部の断面図。 第１実施形態によるめっき処理後のベベルエッチ、水洗および乾燥の工程の一例を示す表。 第１実施形態によるめっき処理後の銅めっき装置１の動作の一例を示すフロー図。 第２実施形態に従った洗浄チャンバ２０の構成の一例を示す模式図。 第２実施形態によるめっき処理後の銅めっき装置１の動作の一例を示すフロー図。
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。
（第１実施形態）
図１は、本実施形態による半導体製造装置１の構成の一例を示す概略平面図である。半導体製造装置１は、例えば、めっき装置、エッチング装置等の基板上の材料膜の一部をエッチングする半導体製造装置である。以下、本実施形態において、半導体製造装置１は、銅めっき装置であるものとして説明を進める。
半導体製造装置１は、成膜チャンバ１０と、洗浄チャンバ２０と、キャリアボックス３０と、搬送部４０とを備える。
成膜チャンバ１０は、ウェハＷを収容可能であり、ウェハＷ上に材料膜を形成する。成膜チャンバ１０は、例えば、ウェハＷの表面に銅をめっきするためのめっきチャンバである。尚、銅めっきをするためには、成膜チャンバ１０は、必ずしも密閉されている必要はない。しかし、エッチング装置等のチャンバのように、成膜チャンバ１０は、密閉されていてもよい。ウェハＷは、例えば、シリコン基板等の半導体基板でよい。
洗浄チャンバ２０は、ウェハＷを収容可能であり、ウェハＷおよびウェハＷ上にめっきされた銅膜の一部をエッチングし、その後、ウェハＷを洗浄し、乾燥させるチャンバである。洗浄チャンバ２０は、ウェハＷの搬送を容易にするために、ウェハＷのエッジ部分あるいは外縁部（以下、ベベル部ともいう）および銅膜がめっきされるべきでないウェハＷの裏面のエッチングを行う。洗浄チャンバ２０は、ウェハＷのベベル部のエッチング後、ウェハＷを水洗し、乾燥させる。尚、洗浄チャンバ２０は、成膜チャンバ１０と同様に、密閉されていてもよく、開放されていてもよい。
キャリアボックス３０は、ウェハＷを収容し、半導体製造装置間においてそのウェハＷを搬送するボックスである。
搬送部４０は、例えば、ロボットハンドであり、成膜チャンバ１０と、洗浄チャンバ２０と、キャリアボックス３０との間において、ウェハＷの搬送を行う。
尚、図１において、成膜チャンバ１０および洗浄チャンバ２０は、それぞれ３つずつ示されている。しかし、成膜チャンバ１０および洗浄チャンバ２０の数は、これに限定されない。
図２は、洗浄チャンバ２０の構成の一例を示す模式図である。図３は、洗浄チャンバ２０の構成の一部の断面図である。図２および図３を参照して、洗浄チャンバ２０の内部構成をより詳細に説明する。
洗浄チャンバ２０は、ステージ２１と、薬液供給ノズル２２と、純水供給ノズル２３と、第１保護板２４と、第２保護板２５と、洗浄液供給管２６と、洗浄液供給管２７とを備える。尚、第２保護板２５および洗浄液供給管２７は、図２では省略されているが、図３に示されている。
搭載部としてのステージ２１は、基板としてのウェハＷを搭載することが可能である。ステージ２１は、ウェハＷを吸着するチャックであってもよい。また、ステージ２１は、ウェハＷを回転させる回転機構を備える。これにより、ステージ２１は、ウェハＷの処理中にウェハＷを回転させることができる。
第１供給部としての薬液供給ノズル２２は、ウェハＷのベベル部上に薬液としてのエッチング液を供給する。このとき、薬液供給ノズル２２は、エッチング液がウェハＷの中心部へ跳ばないように、ウェハＷの外方へ向けて斜め下方向へエッチング液を供給する。これにより、ウェハＷの中心部の銅膜をエッチングすること無く、ウェハＷのベベル部にある銅膜をエッチングする。銅膜をエッチングする場合、エッチング液は、例えば、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）および過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）の混合液でよい。図２に示すように、薬液供給ノズル２２は、ウェハＷのベベル部に薬液を供給することにより、ウェハＷのエッジ部分の銅膜をエッチングすることができる。
第４供給部としての純水供給ノズル２３は、銅膜のエッチング後にウェハＷ上に、洗浄液としての純水（ＤＩＷ（Deionized Water））を供給する。純水供給ノズル２３は、ウェハＷの中心部に純水を供給する。純水供給ノズル２３は、ウェハＷ上に純水を供給することにより、ウェハＷを水洗する。これにより、純水供給ノズル２３は、ウェハＷのベベル部のエッチング液を洗い流す。
第１保護板２４は、ウェハＷおよびステージ２１の外周に沿ってその周囲に設けられており、例えば、円筒または円環の形状を有する。第１保護板２４の内面は、上方に向かって径が小さくなるように、略鉛直方向に対して傾斜している。尚、第１保護板２４の内面は、後述するように、略鉛直方向に延伸し、傾斜していなくてもよい。第１保護板２４には、例えば、ステンレスまたは樹脂等を用いている。第１保護板２４は、ウェハＷおよびステージ２１の周囲全体を取り囲むように設けられていてもよく、あるいは、その周囲の一部に設けられていてもよい。
第１保護板２４は、ウェハＷから飛散するエッチング液や純水を受けて洗浄チャンバ２０の下方へ落とすように機能する。例えば、銅膜のエッチングの際に、ウェハＷの上方の薬液供給ノズル２２から供給されたエッチング液は、ウェハＷのベベル部に落下する。このとき、エッチング液は、ウェハＷに反跳して飛散する。また、薬液供給ノズル２２がウェハＷ上にエッチング液を供給している間および純水供給ノズル２３がウェハＷ上に純水を供給している間、搭載部２１はウェハＷを回転させ続ける。このため、エッチング液および純水は、遠心力によりウェハＷの周囲へ飛散する。第１保護板２４は、このようにウェハＷから飛散するエッチング液や純水を受けて洗浄チャンバ２０の下方に落とす。これにより、第１保護板２４は、ウェハＷからのエッチング液や純水が洗浄チャンバ２０の周辺に飛散することを抑制することができる。洗浄チャンバ２０の下方に落とされた薬液は、回収または排出される。
第２供給部としての洗浄液供給管２６は、第１保護板２４の上端部に沿って設けられている。洗浄液供給管２６は、第１保護板２４の上端部に沿って延伸する中空の管であり、その内部に純水を流すことができる。洗浄液供給管２６には、第１保護板２４と同様に、例えば、ステンレスまたは樹脂等を用いている。尚、洗浄液供給管２６の材料は、第１保護板２４の材料と同じであってもよく、異なっていてもよい。また、洗浄液供給管２６は、第１保護板２４と別体であってもよいが、一体形成されていてもよい。さらに、洗浄液供給管２６は、第１保護板２４とともにウェハＷおよびステージ２１の周囲を取り囲むように設けられていてもよく、あるいは、その周囲の一部に設けられていてもよい。即ち、洗浄液供給管２６は、第１保護板２４の上端部の全体に設けられていてもよく、第１保護板２４の上端部の一部分に設けられていてもよい。
ここで、洗浄液供給管２６は、図３に示すように、第１保護板２４の内面側かつ該内面の近傍に複数の第１穴２６１を有する。第１穴２６１は、洗浄液供給管２６の外部から内部まで貫通しており、純水が洗浄液供給管２６の内部から外部へ流れ出るように設けられている。第１穴２６１は第１保護板２４の内面側かつ該内面の近傍に設けられているので、洗浄液供給管２６から流れ出た純水は、第１保護板２４の内面に供給され、その内面を伝って流れる。即ち、洗浄液供給管２６からの純水は、第１保護板２４の内面に接触しながらチャンバ２０の下方へ流れ落ち、第１保護板２４の内面に付着したエッチング液を洗い流し、エッチング液を第１保護板２４から除去する。洗浄液供給管２６は、第１保護板２４の上端部に設けられているため、第１保護板２４の内側面の上端部から下端部までの全体を洗浄することができる。また、洗浄液供給管２６を第１保護板２４の上端部全体に設ければ、第１保護板２４の内面全体を洗浄することができる。第１穴２６１の径および間隔は、第１保護板２４の内側面全体に純水が供給されるように調整されることが好ましい。
洗浄液供給管２６へ純水を送る配管（図示せず）は、例えば、純水供給ノズル２３へ純水を送る配管と共通であってもよい。即ち、洗浄液供給管２６へ純水を送る配管は、純水供給ノズル２３へ純水を送る配管から分岐された配管であってもよい。勿論、これに限られず、洗浄液供給管２６へ純水を送る配管と純水供給ノズル２３へ純水を送る配管とは別々であってもよい。
第２保護板２５は、図３に示すように、ウェハＷおよびステージ２１の外周に沿って、第１保護板２４の外側に設けられている。第２保護板２５は、例えば、円筒または円環の形状を有する。第２保護板２５は、略垂直方向に延伸しており、傾斜していない。ただし、第２保護板２５も、第１保護板２４と同様に、略鉛直方向から傾斜していても構わない。第２保護板２５には、例えば、ステンレスまたは樹脂等を用いている。第２保護板２５は、ウェハＷおよびステージ２１の周囲全体を取り囲むように設けられていてもよく、あるいは、その周囲の一部に設けられていてもよい。
第２保護板２５は、第１保護板２４を越えて飛散したエッチング液や純水を受けて洗浄チャンバ２０の下方に落とすように機能する。そのため、第２保護板２５は、第１保護板２４よりも高い位置にまで設けられることが好ましい。これにより、第２保護板２５は、ウェハＷからのエッチング液や純水が洗浄チャンバ２０の周辺に飛散することを抑制することができる。洗浄チャンバ２０の下方に落とされた薬液は、回収または排出される。
第３供給部としての洗浄液供給管２７は、図３に示すように、第２保護板２５の上端部に沿って設けられている。洗浄液供給管２７は、第２保護板２５の上端部に沿って延伸する中空の管であり、その内部に純水を流すことができる。洗浄液供給管２７には、第２保護板２５と同様に、例えば、ステンレスまたは樹脂等を用いている。尚、洗浄液供給管２７の材料は、第２保護板２５の材料と同じであってもよく、異なっていてもよい。また、洗浄液供給管２７は、第２保護板２５と別体であってもよいが、一体形成されていてもよい。さらに、洗浄液供給管２７は、第２保護板２５とともにウェハＷおよびステージ２１の周囲を取り囲むように設けられていてもよく、あるいは、その周囲の一部に設けられていてもよい。即ち、洗浄液供給管２７は、第２保護板２５の上端部の全体に設けられていてもよく、第２保護板２５の上端部の一部分に設けられていてもよい。
ここで、洗浄液供給管２７は、図３に示すように、第２保護板２５の内面側かつ該内面の近傍に複数の第２穴２７１を有する。第２穴２７１は、洗浄液供給管２７の外部から内部まで貫通しており、純水が洗浄液供給管２７の内部から外部へ流れ出るように設けられている。第２穴２７１は第２保護板２５の内面側かつ該内面の近傍に設けられているので、洗浄液供給管２７から流れ出た純水は、第２保護板２５の内面に供給され、その内面を伝って流れる。即ち、洗浄液供給管２７からの純水は、第２保護板２５の内面に接触しながらチャンバ２０の下方へ流れ落ち、第２保護板２５の内面に付着したエッチング液を洗い流し、エッチング液を第２保護板２５から除去する。洗浄液供給管２７は、第２保護板２５の上端部に設けられているため、第２保護板２５の内側面の上端部から下端部までの全体を洗浄することができる。また、洗浄液供給管２７を第２保護板２５の上端部全体に設ければ、第２保護板２５の内面全体を洗浄することができる。第２穴２７１の径および間隔は、第２保護板２５の内側面全体に純水が供給されるように調整されることが好ましい。
洗浄液供給管２７へ純水を送る配管（図示せず）は、例えば、純水供給ノズル２３または洗浄液供給管２６へ純水を送る配管と共通であってもよい。即ち、洗浄液供給管２７へ純水を送る配管は、純水供給ノズル２３または洗浄液供給管２６へ純水を送る配管から分岐された配管であってもよい。勿論、これに限られず、洗浄液供給管２６７へ純水を送る配管と純水供給ノズル２３または洗浄液供給管２６へ純水を送る配管とは別々であってもよい。
尚、上述のように、第１保護板２４は、上方に向かって径が小さくなるように傾斜している。即ち、第１保護板２４の内面は、上方へ行くに従って、基板Ｗまたはステージ２１へ近付く方向へ傾斜している。第１保護板２４の内面の傾斜角は、例えば、略鉛直方向から４５度である。この傾斜角が大きいと、洗浄液供給管２６からの純水が第１保護板２４の内面を伝って流れることができず、そのまま下方へ落ちてしまう。従って、第１保護板２４の内面の傾斜角は、洗浄液供給管２６からの純水が第１保護板２４の内面を伝って流れる程度の角度である必要がある。例えば、その傾斜角は、略鉛直方向に対して約０〜約４５度であることが好ましい。第１保護板２４は、略鉛直方向（約０度）に設けられてもよい。これにより、洗浄液供給管２６からの純水が第１保護板２４の内面を伝って流れやすくなるからである。第２保護板２５の内面の傾斜角についても同様のことが言える。
さらに、第１および第２保護板２４、２５の内面は、親水性であってもよい。親水性は、第１および第２保護板２４、２５の内面と純水との接触角が９０度未満である状態である。これにより、第１および第２保護板２４、２５の内面の濡れ性が向上し、純水が第１および第２保護板２４、２５の内面を伝って流れやすくなる。従って、洗浄液供給管２６、２７は、さらに効率よくエッチング液を第１および第２保護板２４、２５から洗い流すことができる。勿論、純水が第１および第２保護板２４、２５の内面を伝って流れる限りにおいて、第１および第２保護板２４、２５の内面は、親水性でなくてもよく、上記接触角が９０度異常であっても構わない。
以上のような構成により、本実施形態による銅めっき装置１は、洗浄チャンバ２０における洗浄液供給管２６、２７によって、第１および第２保護板２４、２５の内面を水洗し、エッチング液を第１および第２保護板２４、２５の内面から取り除くことができる。
もし、洗浄液供給管２６、２７が設けられていない場合、上記のように、洗浄チャンバ２０内においてウェハＷの乾燥中に、ウェハＷの表面に外観異常（ストリーク）が生じることがある。
例えば、洗浄チャンバ２０は、ウェハＷのベベル部の銅膜をエッチングした後、ウェハＷを水洗して乾燥する。このとき、洗浄チャンバ２０は、ウェハＷを高速回転させることにより、ウェハＷを乾燥（即ち、スピン乾燥）させる。スピン乾燥時に、エッチング液が第１または第２保護板２４、２５の内面に付着していると、ウェハＷの高速回転により生じる気流によって、エッチング液が乾燥中のウェハＷに付着することがある。エッチング液がウェハＷの中心部の銅膜に付着すると、エッチング液は、ウェハＷの回転による遠心力によって、ウェハＷの中心部からそのベベル部までウェハＷの表面上を伝って移動する（飛ばされる）。これにより、ウェハＷの中心部からベベル部に向かって、筋状のストリークが銅膜の表面に発生する。すなわち、乾燥前に第１または第２保護板２４、２５の内面に付着しているエッチング液が、ストリークの原因となり得る。
これに対し、本実施形態による半導体製造装置１は、第１および第２保護板２４、２５の上端部に洗浄液供給管２６、２７が設けられており、第１および第２保護板２４、２５の内面を純水で洗浄する。これにより、エッチング液を第１および第２保護板２４、２５から洗い流すことができる。従って、ウェハＷをスピン乾燥させるときに、エッチング液が第１および第２保護板２４、２５の内面にほとんど残っていないので、エッチング液が乾燥中のウェハＷに付着し難くなる。その結果、ストリークによる外観異常の発生を抑制することができる。
次に、本実施形態による銅めっき装置１のめっき処理後の動作について、図４および図５を参照しながら説明する。
図４は、本実施形態によるめっき処理後のベベル部のエッチ、ウェハＷの水洗および乾燥の工程の一例を示す表である。図５は、本実施形態によるめっき処理後の銅めっき装置１の動作の一例を示すフロー図である。
成膜チャンバ１０において銅膜をウェハＷ上にめっき処理した後、搬送部４０が、ウェハＷを成膜チャンバ１０から洗浄チャンバ２０へ搬送する。
洗浄チャンバ２０において、純水供給ノズル２３は、前処理として、ウェハＷを純水で洗浄処理する（Ｓ１０）。このとき、ウェハＷを２００ｒｐｍ（Revolution Per Minutes）で回転させ、純水（ＤＩＷ）で洗浄する。
次に、薬液供給ノズル２２は、エッチング液として硫酸および過酸化水素水の混合液を用いて、ウェハＷのベベル部の銅膜をエッチングする（Ｓ２０）。以下、ウェハＷのベベル部のエッチングをベベルエッチともいう。ベベルエッチにおいては、ウェハＷを２００ｒｐｍで回転させ、硫酸および過酸化水素水の混合液でウェハＷのベベル部をエッチングする。このとき、硫酸および過酸化水素水の混合液が、第１および第２保護板２４、２５に付着する。従って、洗浄液供給管２６、２７は、第１および第２保護板２４、２５の水洗を開始する。
次に、純水供給ノズル２３は、ウェハＷに純水を供給し、純水でウェハＷを水洗する（Ｓ３０）。この間、洗浄液供給管２６、２７は、第１および第２保護板２４、２５の水洗を継続してよい。
次に、硫酸によりウェハＷの裏面をエッチングする（Ｓ４０）。これにより、ウェハＷの裏面に付着した銅を除去する。この間、洗浄液供給管２６、２７は、第１および第２保護板２４、２５の水洗を継続してよい。
次に、純水供給ノズル２３がウェハＷを純水で水洗する（Ｓ５０）。この間、洗浄液供給管２６、２７は、第１および第２保護板２４、２５の水洗を継続してよい。ステップＳ５０のウェハＷの水洗が終わるとき、洗浄液供給管２６、２７は、第１および第２保護板２４、２５の水洗を終了する。
第１および第２保護板２４、２５の水洗の終了後、ステージ２１がウェハＷを回転させることにより、ウェハＷをスピン乾燥させる（Ｓ６０）。
尚、第１および第２保護板２４、２５の洗浄は、第１および第２保護板２４、２５に付着したエッチング液を洗い流すことができる限りにおいて、ステップＳ２０のベベルエッチからステップＳ６０のスピン乾燥開始前までの間の任意の期間に実行すればよい。例えば、洗浄液供給管２６、２７は、ステップＳ２０のベベルエッチの期間中、第１および第２保護板２４、２５を洗浄し続け、ベベルエッチの終了とともに、第１および第２保護板２４、２５の洗浄も終了してもよい。あるいは、洗浄液供給管２６、２７は、ステップＳ２０からＳ４０までは水洗を行わず、ステップＳ６０の乾燥前のステップＳ５０において第１および第２保護板２４、２５の洗浄を行ってもよい。さらに、洗浄液供給管２６、２７は、ステップＳ５０の後、ステップＳ６０の乾燥前に第１および第２保護板２４、２５の洗浄を行ってもよい。
洗浄液供給管２６、２７は、第１および第２保護板２４、２５の洗浄をほぼ同時に開始し、ほぼ同時に終了してもよい。あるいは、洗浄液供給管２６、２７は、第１および第２保護板２４、２５の洗浄時期を相違させてもよい。即ち、第１および第２保護板２４、２５への洗浄液の供給は、ほぼ同時であってもよく、時間的にずれていても構わない。
また、第２保護板２５に付着する薬液の濃度は、第１保護板２４に付着する薬液の濃度よりも低い場合がある。この場合の銅めっき装置１は、第２保護板２５の水洗を省略してもよい。この場合、銅めっき装置１の構成が比較的簡単になり、コストを低く抑えることができる。
以上のように、本実施形態による銅めっき装置１は、ステップＳ５０におけるエッチング液の供給中、あるいは、エッチング液の供給後に、第１および第２保護板２４、２５の内面に純水を供給し、スピン乾燥前に第１および第２保護板２４、２５の内面に付着するエッチング液を洗い流すことができる。これにより、銅めっき装置１は、ストリークによる外観異常の発生を抑制することができる。
尚、ステップＳ３０やＳ５０におけるウェハＷの洗浄時間を長くすることによって、第１および第２保護板２４、２５に付着するエッチング液の濃度が洗浄液によって次第に薄くなり、ストリークの発生割合が減少することが分かっている。しかし、ストリークの発生割合を減少させるためには、ウェハＷの洗浄時間を非常に長くする必要があり、生産性が著しく低下してしまう。
これに対し、本実施形態によれば、ステップＳ３０やＳ５０におけるウェハＷの洗浄時間を長くすることなくストリークの発生を抑制させることができる。その結果、半導体装置は、生産性を低下させない。
（第２実施形態）
図６は、第２実施形態に従った洗浄チャンバ２０の構成の一例を示す模式図である。第２実施形態による洗浄チャンバ２０は、洗浄液供給管２６、２７に代えて、あるいは、洗浄液供給管２６、２７とともに、吸引部５０をさらに備えている点で第１実施形態のそれと異なる。第２実施形態のその他の構成は、第１実施形態の対応する構成と同様でよい。
吸引部５０は、基板Ｗの下方に設けられ、かつ、薬液供給ノズル２２に対応した位置に設けられている。吸引部５０は、基板Ｗからエッチング液が落下する位置に配置され、薬液供給ノズル２２からウェハＷに供給されたエッチング液を、ウェハＷ供給後に吸引する。吸引部５０は、例えば、薬液供給ノズル２２の直下に設けられていてもよく、あるいは、薬液供給ノズル２２の直下からウェハＷの回転方向に幾分ずれた位置に設けられていてもよい。また、吸引部５０は、エッチング液を供給するウェハＷのエッジ部分（ベベル部）の直下であってもよい。これにより、吸引部５０は、ウェハＷからのエッチング液を受け取りやすくなる。さらに、吸引部５０の開口の大きさは、ウェハＷから落下するエッチング液を受け取るために充分な大きさにする。尚、吸引部５０の形状および配置は、上記例に限定されず、ウェハＷからのエッチング液を吸引できればよい。
図７は、第２実施形態によるめっき処理後の銅めっき装置１の動作の一例を示すフロー図である。
ステップＳ１０までは、第１実施形態で説明したとおりである。
次に、硫酸および過酸化水素水の混合液を用いてベベルエッチを行う（Ｓ２１）。ベベルエッチ自体は、第１実施形態におけるステップＳ２０と同様でよい。一方、ベベルエッチにおけるエッチング液の供給と同時またはその直前に、吸引部５０がエッチング液の吸引を開始する。吸引部５０は、ベベルエッチにおいてウェハＷ上へのエッチング液の供給中に、ウェハＷ上に供給されたエッチング液を吸引する。その後、ウェハＷ上へのエッチング液の供給の終了後、吸引部５０は、エッチング液の吸引を終了する。
ステップＳ３０〜Ｓ６０は、第１実施形態のステップＳ３０〜Ｓ６０と同様でよい。尚、洗浄液供給管２６、２７が設けられていない場合には、第１および第２保護板２４、２５の洗浄は行われない。
第２実施形態による銅めっき装置１は、吸引部５０を備え、ウェハＷに供給されたエッチング液をそのまま直接吸引する。従って、第１および第２保護板２４、２５に付着するエッチング液の量が低下し、あるいは、エッチング液が第１および第２保護板２４、２５に付着する可能性が低下する。これにより、第２実施形態による銅めっき装置１は、スピン乾燥前に、第１および第２保護板２４、２５の内面にエッチング液が付着することを抑制することができ、あるいは、第１および第２保護板２４、２５の内面のエッチング液をより確実に除去することができる。その結果、第２実施形態は、ストリークによる外観異常の発生をより確実に抑制することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
１ 銅めっき装置、２１ ステージ、２２ 薬液供給ノズル、２３ 純水供給ノズル、２４ 第１保護板、２５ 第２保護板、２６，２７ 洗浄液供給管、２６１ 第１穴、 ２７１ 第２穴

Claims (5)

  1. 基板を搭載可能な搭載部と、
    前記基板上に薬液を供給する第１供給部と、
    前記基板の外周に沿って設けられ、前記基板から飛散する前記薬液を受ける第１保護板と、
    前記第１保護板の上部に設けられ、前記第１保護板の内面に洗浄液を供給する第２供給部と、を備える半導体製造装置。
  2. 前記第２供給部は、前記第１保護板の上端部に沿って設けられ、複数の第１穴を有する管であり、
    前記第１穴は、前記第２供給部のうち前記第１保護板の内面側に設けられている、請求項１に記載の半導体製造装置。
  3. 前記第１保護板の外側に設けられ、前記基板から飛散する前記薬液を受ける第２保護板と、
    前記第２保護板の上部に設けられ、前記第２保護板の内面に洗浄液を供給する第３供給部と、をさらに備える、請求項１または請求項２に記載の半導体製造装置。
  4. 前記第３供給部は、前記第２保護板の上端部に沿って設けられ、複数の第２穴を有する管であり、
    前記第２穴は、前記第３供給部のうち前記第２保護板の内面側に設けられている、請求項３に記載の半導体製造装置。
  5. 基板を搭載可能な搭載部と、前記基板上に薬液を供給する第１供給部と、前記基板の外周に沿って設けられ、前記基板から飛散する前記薬液を受ける第１保護板と、前記第１保護板の上部に設けられ、前記第１保護板の内面に洗浄液を供給する第２供給部と、を備える半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
    前記基板上に前記薬液を供給し、
    前記薬液の供給中あるいは前記薬液の供給後に、前記第１保護板の内面に前記洗浄液を供給し、
    前記洗浄液の供給後、前記基板を乾燥させることを具備する、半導体装置の製造方法。
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