JP2018117235A - パワーオンリセット回路 - Google Patents
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Abstract
Description
実施の形態1にかかるパワーオンリセット回路について説明する。図1は、実施の形態1にかかるパワーオンリセット回路の構成を模式的に示すブロック図である。図1に示すように、実施の形態1にかかるパワーオンリセット回路1は、基準電圧源10及びコンパレータ20を有する。
ここで、ゲート幅のそれぞれに上記で説明した値を代入すると、PMOSトランジスタMP23の電流iMP23とNMOSトランジスタMN24の電流iMN24との比は以下の式(7)で求められる。
式(7)で示されるように、この例では、NMOSトランジスタMN24の電流iMN24は、PMOSトランジスタMP23の電流iMP23の4倍の値をとることとなる。この場合、この電流比により生じるコンパレータ20の入力オフセットΔVは、約80mVとなる。換言すれば、電源電圧VDDが基準電圧Vrefよりも約80mV大きくなったときに、コンパレータ20の出力電圧OUTがLOWからHIGHに遷移することとなる。結果として、コンパレータ20は、電源電圧VDDが基準電圧Vrefよりも所定の入力オフセットΔV(この例では約80mV)だけ大きくなったときに、リセット信号である出力電圧OUTを遷移させる。これにより、電源電圧VDDが緩やかに立ち上がるときでも、電源電圧VDDが上昇し、回路が不安定な領域を脱したときにリセット解除信号を出力することができる。
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、上述のデプレッション型のMOSトランジスタ及びエンハンスメント型のMOSトランジスタの導電型は、適宜入れ替えることが可能である。すなわち、NMOSトランジスタをPMOSトランジスタに置換し、かつ、PMOSトランジスタをNMOSトランジスタに置換することが可能である。
2 電源
10 基準電圧源
11 電流源
20 コンパレータ
21 差動入力段
22 出力段
DN NMOSトランジスタ
MN11、MN12、MN21〜MN24 NMOSトランジスタ
MP21〜MP23 PMOSトランジスタ
GND グランド
N1、N2 ノード
OUT 出力電圧
VDD 電源電圧
Vref 基準電圧
Claims (6)
- 電源電圧が基準電圧よりも低い場合には前記電源電圧を出力し、前記電源電圧が前記基準電圧以上の場合には前記基準電圧を出力する基準電圧源と、
一方の入力に前記基準電圧源が出力する電圧が印加され、他方の入力に前記電源電圧が印加され、前記電源電圧が前記基準電圧よりも所定値だけ大きい値になった場合に、出力端子から出力するリセット信号を遷移させるコンパレータと、を備える、
パワーオンリセット回路。 - 前記基準電圧源は、
前記電源電圧とグランドとの間に直列接続されるデプレション型MOSトランジスタ及びエンハンスメント型の第1のMOSトランジスタを備え、
前記デプレション型MOSトランジスタと前記第1のMOSトランジスタとの間の第1のノードが、前記コンパレータの一方の入力に接続され、
前記デプレション型MOSトランジスタの一端に前記電源電圧が印加され、他端が前記第1のMOSトランジスタの一端と接続され、
前記第1のMOSトランジスタの他端は、前記グランドと接続される、
請求項1に記載のパワーオンリセット回路。 - 前記基準電圧源は、
一端に電源電圧が印加される電流源又は抵抗と、
一端が前記電流源又は前記抵抗の他端と接続され、他端が前記グランドと接続される第2のMOSトランジスタと、を備え、
前記第1及び第2のMOSトランジスタのゲートと、前記デプレション型MOSトランジスタのゲートとは、前記電流源又は前記抵抗と前記第2のMOSトランジスタとの間の第2のノードに接続される、
請求項2に記載のパワーオンリセット回路。 - 前記コンパレータは、
ゲートに前記基準電圧源が出力する前記電圧が印加される第1の入力トランジスタと、ゲートに前記電源電圧が印加される第2の入力トランジスタと、を有し、前記第1の入力トランジスタの前記ゲートと前記第2の入力トランジスタの前記ゲートとに同じ電圧が印加された場合に、前記第1の入力トランジスタに第1の電流が流れ、前記第2の入力トランジスタに前記第1の電流よりも小さな第2の電流が流れる差動入力段と、
前記電源電圧と前記出力端子との間に接続され、前記第2の電流を複製した電流を流す第3のMOSトランジスタと、
前記グランドと前記出力端子との間に接続され、ゲートが前記第2のノードと接続され第4のMOSトランジスタと、を備え、
前記出力端子と前記グランドとの間に電圧源を接続した場合、かつ、前記電源電圧が前記基準電圧と等しい場合に、前記第4のMOSトランジスタに流れる電流が前記第3のMOSトランジスタに流れる電流よりも大きくなるように、前記差動入力段、前記第3のMOSトランジスタ及び前記第4のMOSトランジスタが設計される、
請求項3に記載のパワーオンリセット回路。 - 前記第4のMOSトランジスタに流れる電流を前記第3のMOSトランジスタに流れる電流で除した値は、1.5以上である、
請求項4に記載のパワーオンリセット回路。 - 前記差動入力段は、
一端が前記電源電圧と接続される第5及び第6のMOSトランジスタと、
一端が前記グランドと接続され、ゲートが前記第2のノードと接続される第7のMOSトランジスタと、を備え、
前記第1の入力トランジスタの一端が前記第5のMOSトランジスタの他端及びゲートに接続され、他端が前記第7のMOSトランジスタの他端と接続され、ゲートが前記第1のノードと接続され、
前記第2の入力トランジスタの一端が前記第6のMOSトランジスタの他端及びゲートと、前記第3のMOSトランジスタのゲートと、に接続され、他端が前記第7のMOSトランジスタの他端と接続され、ゲートに前記電源電圧が印加される、
請求項4又は5に記載のパワーオンリセット回路。
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JP2017006593A JP6823468B2 (ja) | 2017-01-18 | 2017-01-18 | パワーオンリセット回路 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108667443A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-10-16 | 上海艾为电子技术股份有限公司 | 一种上电复位电路 |
US11079416B2 (en) | 2019-04-11 | 2021-08-03 | Rohm Co., Ltd. | Voltage monitoring apparatus |
JP7494610B2 (ja) | 2020-07-10 | 2024-06-04 | セイコーエプソン株式会社 | 回路装置及びリアルタイムクロック装置 |
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CN108667443A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-10-16 | 上海艾为电子技术股份有限公司 | 一种上电复位电路 |
CN108667443B (zh) * | 2018-05-18 | 2021-11-23 | 上海艾为电子技术股份有限公司 | 一种上电复位电路 |
US11079416B2 (en) | 2019-04-11 | 2021-08-03 | Rohm Co., Ltd. | Voltage monitoring apparatus |
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