JP2018113394A - ウェーハの加工方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 56
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
Description
図1に示すように、ウェーハWの表面Waに表面保護部材1を貼着する。表面保護部材1は、少なくともウェーハWと略同径に形成されている。ウェーハWの表面Waの全面が表面保護部材1によって覆われると、デバイスDが保護される。表面保護部材1としては、例えば粘着性を有する耐熱テープからなる。また、ガラス、シリコン、金属からなる基板を接着剤や両面テープなどによってウェーハWの表面Waに貼着してもよい。
図2に示すように、ウェーハWの裏面Wbが上向きに露出するように、被加工物を保持し自転可能な保持テーブル10に表面保護部材1側を載置する。保持テーブル10には、図示しない吸引源が接続されている。保持テーブル10の上方側には、ウェーハWの中央部分を研削して凹部を形成するとともに、外周部分に環状凸部を形成する研削手段20が配設されている。研削手段20は、鉛直方向の軸心を有するスピンドル21と、スピンドル21を回転可能に囲繞するスピンドルハウジング22と、スピンドル21の下端に装着された研削ホイール23と、研削ホイール23の下部に円環状に固着された研削砥石24とを備え、研削ホイール23を回転させながら、全体が昇降可能となっている。研削砥石24の外周縁の直径は、図1に示したウェーハWのデバイス領域W1の半径と同程度に設定されている。
研削ステップを実施した後、図4に示すように、ウェーハWに形成された凹部2に金属層4を形成する。金属層4の形成には、例えば特許第4749849号公報の図7に示された減圧成膜装置を使用することができる。金属層4は、電極として機能するものであり、例えば、金やチタンからなる。そして、金属層4が形成されたウェーハWは、後述する分割ステップにおいて最終的にデバイスDとともに分割されて金属層付きのチップとして形成される。
金属層形成ステップを実施した後、図5に示すように、ウェーハWに形成された凹部2に充填材5を充填する。充填材5としては、例えば、エポキシなどの熱硬化性のモールド樹脂を使用する。充填材5は、少なくともウェーハWの裏面Wbの高さと同じ位置に至るまで凹部2に供給される。その後、例えばヒータによって加熱して充填材5を硬化する。このようにして、金属層4が埋設されるように凹部2が充填材5によって充填されると、凹部2の厚みが研削前のウェーハWの厚みと同程度になるため、ウェーハWの強度を高めることができる。
充填ステップを実施した後、図6に示すように、例えば、ウェーハWを切削する切削手段30を備える切削装置にウェーハWを搬送する。切削手段30は、ウェーハWの表面Waに対して平行な方向の軸心を有するスピンドル31と、スピンドル31の先端に装着された切削ブレード32とを少なくとも備えており、スピンドル31が回転することにより、切削ブレード32を回転することができる。切削手段30には、図示しない昇降手段が接続されており、切削手段30を鉛直方向に昇降させることができる。
溝形成ステップを実施した後、図8に示すように、例えば、自転可能な保持テーブル40においてウェーハWを保持して、保持テーブル40の上方側に配設された研削手段50によってウェーハWの裏面Wbを研削して所望の厚みへと薄化する。研削手段50は、鉛直方向の軸心を有するスピンドル51と、スピンドル51の下部にマウント52を介して装着された研削ホイール53と、研削ホイール53の下部にリング状に固着された研削砥石54とを備え、研削ホイール53を回転させながら、全体が昇降可能となっている。
10:保持テーブル 20:研削手段 21:スピンドル 22:スピンドルハウジング
23:研削ホイール 24:研削砥石
30:切削手段 31:スピンドル 31:切削ブレード 40:保持テーブル
50:研削手段 51:スピンドル 52:マウント 53:研削ホイール
54:研削砥石
Claims (1)
- 交差する複数の分割予定ラインで区画された領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えた表面を有するウェーハの加工方法であって、
該デバイス領域に対応したウェーハの裏面を研削して凹部を形成するとともに該凹部を囲繞する該外周余剰領域に対応した環状凸部を形成する研削ステップと、
該研削ステップを実施した後、該凹部に金属層を形成する金属層形成ステップと、
該金属層形成ステップを実施した後、該凹部を充填材で充填する充填ステップと、
該充填ステップを実施した後、ウェーハの表面から該分割予定ラインに沿って該金属層を分断する溝を形成する溝形成ステップと、
該溝形成ステップを実施した後、ウェーハの裏面を研削または研磨して該金属層を露出させるとともに個々のチップへと分割する分割ステップと、を備えたウェーハの加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017004115A JP6788508B2 (ja) | 2017-01-13 | 2017-01-13 | ウェーハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017004115A JP6788508B2 (ja) | 2017-01-13 | 2017-01-13 | ウェーハの加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018113394A true JP2018113394A (ja) | 2018-07-19 |
JP6788508B2 JP6788508B2 (ja) | 2020-11-25 |
Family
ID=62912480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017004115A Active JP6788508B2 (ja) | 2017-01-13 | 2017-01-13 | ウェーハの加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6788508B2 (ja) |
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2017
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A621 | Written request for application examination |
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