JP2018150188A - 支持結晶化ガラス基板及びこれを用いた積層体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】加工基板11を支持するための支持結晶化ガラス基板10であって、二珪酸リチウム、α−クリストバライト、α−クォーツの内、一種又は二種以上が析出しており、ヤング率が80GPa以上である支持結晶化ガラス基板10。好ましくは、アルカリ溶出量が、1.5mg未満であり、30〜380℃における平均線熱膨張係数が60×10−7超え〜195×10−7/℃である、支持結晶化ガラス基板10。
【選択図】図1
Description
10、26 支持結晶化ガラス基板
11、24 加工基板
12 剥離層
13、21、25 接着層
20 支持部材
22 半導体チップ
23 封止材
28 配線
29 半田バンプ
Claims (11)
- 加工基板を支持するための支持結晶化ガラス基板であって、
二珪酸リチウム、α−クリストバライト、α−クォーツの内、一種又は二種以上が析出しており、
ヤング率が80GPa以上であることを特徴とする支持結晶化ガラス基板。 - アルカリ溶出量が1.5mg未満であることを特徴とする請求項1に記載の支持結晶化ガラス基板。
- 耐候性試験(HAST)前の波長範囲250〜1500nmでの板厚方向の平均透過率をX(%)、耐候性試験(HAST)後の波長範囲250〜1500nmでの板厚方向の平均透過率をY(%)とした時に、X−Y<10%の関係を満たすことを特徴とする請求項1又は2に記載の支持結晶化ガラス基板。
- 30〜380℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が60×10−7/℃超であり、且つ195×10−7/℃以下であることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の支持結晶化ガラス基板。
- 全体板厚偏差(TTV)が5μm以下であることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の支持結晶化ガラス基板。
- 組成として、質量%で、SiO2 50〜85%、Al2O3 0.1〜15%、B2O3 0〜10%、P2O5 0〜15%、Li2O 2〜20%、Na2O 0〜10%、K2O 0〜7%、MgO 0〜10%、CaO 0〜5%、SrO 0〜5%、BaO 0〜5%、ZnO 0〜5%、ZrO2 0〜10%を含有することを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載の支持結晶化ガラス基板。
- 板厚が2.0mm未満であり、且つ反り量が60μm以下であることを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載の支持結晶化ガラス基板。
- 少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持結晶化ガラス基板とを備える積層体であって、
支持結晶化ガラス基板が請求項1〜7の何れかに記載の支持結晶化ガラス基板であることを特徴とする積層体。 - 加工基板が、少なくとも封止材でモールドされた半導体チップを備えることを特徴とする請求項8に記載の積層体。
- 少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持結晶化ガラス基板とを備える積層体を用意する工程と、
加工基板に対して、加工処理を行う工程と、を有すると共に、
支持結晶化ガラス基板として、請求項1〜7の何れかに記載の支持結晶化ガラス基板を用いることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。 - 加工基板が、少なくとも封止材でモールドされた半導体チップを備えることを特徴とする請求項10に記載の半導体パッケージの製造方法。
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