JP2018074809A - Dc−dcコンバータ - Google Patents
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Abstract
Description
12:高電位配線
14:中電位配線
16:低電位配線
20:上アームスイッチング素子
22:上アームスイッチング素子のIGBT
24:上アームスイッチング素子の還流ダイオード
26:上アームスイッチング素子のエミッタ電極
28:上アームスイッチング素子のコレクタ電極
30:下アームスイッチング素子
32:下アームスイッチング素子のIGBT
34:下アームスイッチング素子の還流ダイオード
36:下アームスイッチング素子のエミッタ電極
38:下アームスイッチング素子のコレクタ電極
40:第1平滑コンデンサ
42:第2平滑コンデンサ
44:インダクタ
50:半導体基板
70、170:半導体モジュール
72:樹脂モールド
74、174:第1リードフレーム
75、77、79:はんだ層
76:導電性ブロック(エミッタ電極に接合された導電体の一例)
78、178:第2リードフレーム
90:冷却器
92:絶縁プレート
94:放熱グリス
100:直流電源
102:負荷
104:走行用モータ
106:三相インバータ
Claims (3)
- 自動車の走行用モータを含む負荷に電力を供給する直流電源に用いられるDC−DCコンバータであって、
高電位配線と、
中電位配線と、
低電位配線と、
前記高電位配線と前記中電位配線との間に接続された上アームスイッチング素子と、
前記中電位配線と前記低電位配線との間に接続された下アームスイッチング素子と、
を備え、
前記高電位配線と前記低電位配線は前記負荷に接続され、前記中電位配線と前記低電位配線は前記直流電源に接続され、
前記上アームスイッチング素子は、RC−IGBTであり、
前記RC−IGBTのエミッタ電極には、前記中電位配線に電気的に接続された導電体が接合されており、
前記エミッタ電極と前記導電体との間の接合面積は、前記エミッタ電極の面積の50パーセント以上である、
DC−DCコンバータ。 - 前記エミッタ電極と前記導電体は、はんだを介して接合されている、請求項1に記載のDC−DCコンバータ。
- 前記エミッタ電極と前記導電体は、互いに圧接している、請求項1に記載のDC−DCコンバータ。
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JP2016213662A JP6642382B2 (ja) | 2016-10-31 | 2016-10-31 | Dc−dcコンバータ |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2016213662A JP6642382B2 (ja) | 2016-10-31 | 2016-10-31 | Dc−dcコンバータ |
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009125779A1 (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-15 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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-
2016
- 2016-10-31 JP JP2016213662A patent/JP6642382B2/ja active Active
Patent Citations (5)
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JP6642382B2 (ja) | 2020-02-05 |
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