JP2018074126A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】トレンチの長手方向の端部において半導体基板上面とトレンチ側面が接する範囲では、絶縁膜が破壊されやすい。【解決手段】トレンチ６の端部では、トレンチの端部１０が露出する開口２２を引出電極２０に形成し、トレンチゲート電極１４の半導体基板上面側の側面をトレンチ側面１２から離間させ、半導体基板上面４とトレンチ側面との間に位置する境界線に隣接する範囲をゲート絶縁膜に層間絶縁膜を積層した積層絶縁膜で覆う。絶縁膜の破壊を防止できる。【選択図】図１

Description

本明細書は、トレンチゲート電極と引出電極を備えた半導体装置を開示する。

特許文献１に開示されているように、半導体基板の上面から深部側に延びるトレンチを設け、そのトレンチ内にトレンチゲート電極を収容した半導体装置が知られている。その半導体装置では、トレンチゲート電極をゲート配線に導通させる必要があり、半導体基板の上面上を上面に沿って延びる引出電極を備えている。トレンチゲート電極と引出電極が導通し、引出電極とゲート配線が導通している。

半導体基板の上面（以下では上面と略称する）とトレンチの側面（以下では側面と略称する）との間に存在する境界に隣接する範囲では、上面と側面が接している。境界の近傍では、上面と側面との間に急峻なエッジまたは曲率半径が小さな急峻なコーナー（両者を総称して急峻部という）が存在する。トレンチの内面は、薄いゲート絶縁膜で覆われており、急峻部も薄いゲート絶縁膜で覆われている。

半導体基板を平面視したときに、トレンチが半導体基板の上面を直線的に延びていることが多い。この場合、半導体基板を平面視したときに、トレンチ側面は直線的に延びている。しかしながら、トレンチの長手方向の端部近傍では、半導体基板を平面視したときにトレンチ側面が湾曲し、平面視した状態で湾曲するトレンチ側面でトレンチの長手方向の端部を形成している。本明細書では、半導体基板を平面視したときにトレンチ側面が直線的に延びる範囲を直線部といい、トレンチ側面が湾曲している範囲を端部という。端部は、直線部の長手方向の両端側に位置している。前記端部でも、前記急峻部が薄いゲート絶縁膜で覆われている。

前記急峻部では、ゲート絶縁膜に大きな電界が作用しやすい。特に、前記した端部における前記急峻部は、半導体基板を平面視した面内でも湾曲しており、半導体基板に垂直な断面内でも湾曲しており、両者の湾曲が複合している。端部内の急峻部を覆うゲート絶縁膜には、特に大きな電界が作用しやすく、絶縁破壊しやすい。ゲート絶縁膜の膜厚は、半導体装置の閾値電圧に影響するために、単に厚くして耐圧を確保することもできない。

特許文献１では、急峻部を覆うゲート絶縁膜の絶縁破壊を防止するために、急峻部を覆うゲート絶縁膜の膜厚を局所的に厚くする技術を開示している。すなわち、急峻部以外の範囲ではゲート絶縁膜の膜厚を薄くし、急峻部の範囲ではゲート絶縁膜の膜厚を厚くする技術を開示している。ただし特許文献１では、直線部の急峻部より端部の急峻部で絶縁破壊が生じやすいことを認識しておらず、直線部でも端部でも一様に、急峻部近傍のゲート絶縁膜の厚みを厚くする。

特開２０１３−２３２５３３号公報

前記した急峻部は、トレンチの開口側に位置している。その開孔側に位置している急峻部を覆うゲート絶縁膜を厚くし、それよりも深部側のゲート絶縁膜を薄くすると、厚いゲート絶縁膜によって開口側でトレンチ内に飛び出る庇状の張り出しが形成されることになる。庇状の張り出しが形成されているトレンチ内に導体を充填することは難しい。特許文献１の技術では、トレンチ内に導体を充填している間に開口部が閉塞してしまい、必要なトレンチゲート電極が形成できない場合が生じる。トレンチの底部に厚い絶縁膜を形成する場合にも、庇状の張り出しが障害となる。
本明細書では、トレンチゲート電極等の形成に不都合を招かないとともに、ゲート絶縁膜の絶縁破壊を防止できる技術を開示する。

本明細書に開示する技術では、直線部の急峻部より、端部の急峻部で絶縁破壊が生じやすい現象を利用する。すなわち、端部の急峻部で絶縁破壊が生じ難くすれば、効果的な絶縁破壊対策となることに着目する。

従来の半導体装置では、トレンチ端部の急峻部近傍において、ゲート絶縁膜を介してトレンチ側面にトレンチゲート電極が対面し、ゲート絶縁膜を介して半導体基板上面に引出電極が対面する。そのゲート絶縁膜が薄いことから、問題が生じる。

本明細書に開示する技術では、端部の急峻部近傍では、トレンチ側面とトレンチゲート電極の間にゲート絶縁膜に層間絶縁膜を積層した積層絶縁膜が介在し、半導体基板上面と引出電極の間にもゲート絶縁膜に層間絶縁膜を積層した積層絶縁膜が介在する構成を採用する。

本明細書に開示する半導体装置は、半導体基板の上面を直線的に延びるトレンチと、トレンチの内面を覆っているゲート絶縁膜と、内面がゲート絶縁膜で覆われているトレンチ内に収容されているトレンチゲート電極と、半導体基板の上面上を上面に沿って延びる引出電極を備えている。引出電極はトレンチゲート電極に導通する。
半導体基板を平面視したときに、トレンチには、トレンチ側面が直線的に延びる直線部と、トレンチ側面が湾曲する端部が存在する。その端部は、直線部の長手方向の端部側に位置している。また、半導体基板を平面視したときに、引出電極は、端部を覆うとともに前記した直線部に至っている。前記端部において、半導体基板上面とトレンチ側面との間に位置する境界に隣接する範囲では、半導体基板上面とトレンチ側面が、ゲート絶縁膜に層間絶縁膜を積層した積層絶縁膜で覆われている。

上記の半導体装置では、絶縁破壊が生じやすいトレンチ端部の急峻部近傍では、トレンチ側面と半導体基板上面の双方が厚い積層絶縁膜で覆われており、絶縁破壊が生じないようにできる。

トレンチ端部の急峻部近傍の半導体基板上面を積層絶縁膜で覆うためには、前記の引出電極に、端部（トレンチ端部）が露出する開口を形成しておくことが好ましい。トレンチ端部の急峻部近傍の半導体基板上面を積層絶縁膜で覆う構造を実現しやすい。

トレンチ端部の急峻部近傍のトレンチ側面を積層絶縁膜で覆うためには、トレンチゲート電極の側面がトレンチ側面から離間していることが好ましい。トレンチ端部の急峻部近傍のトレンチ側面を積層絶縁膜で覆う構造を実現しやすい。

前記した積層絶縁膜の一部をとなる層間絶縁膜は、ゲート電極と上面電極を絶縁する絶縁膜に連続していることが好ましい。層間絶縁膜の形成工程数が増加しない。

複数本のトレンチの平行に延びていることがある。この場合は、隣接するトレンチの間で、前記した端部の長手方向位置がずれていることが好ましい。引出電極に開口群を形成する場合（各開口が各トレンチに対応する）、その開口群が同一直線状に並んでいると、その直線に沿った断面における引出電極の断面積が減少し、ゲート配線とのコンタクト領域から各トレンチとのコンタクト領域までの抵抗が増大する。トレンチ端部の長手方向の位置が交互にずれていると、開口群がジグザグに配置された構成としやすく、前記した抵抗の増大を防止することができる。

前記したように、引出電極はトレンチ端部を覆っており、トレンチを長手方向に延長した延長線上の位置に達している。それを利用し、引出電極とゲート配線が、トレンチを長手方向に延長した延長線上の位置で接している構成とすることができる。これによって、半導体基板に無駄な面積が生じるのを防止できる。

実施例１の半導体装置の、トレンチと、トレンチゲート電極と、引出電極の関係を模式的に示す分解斜視図。 実施例１の半導体装置の平面図。 実施例１の半導体装置の断面図。 実施例２の半導体装置の平面図。 実施例３の半導体装置の、トレンチと、トレンチゲート電極と、引出電極の関係を模式的に示す分解斜視図。 実施例３の半導体装置の平面図。 従来の半導体装置の平面図。 従来の半導体装置の断面図。 対策した従来の半導体装置の断面図。 対策した従来の他の半導体装置の平面図。 対策した従来のさらに他の半導体装置の平面図。

以下に説明する実施例の特徴を列記する。
（特徴１）トレンチゲート電極の上面は、半導体基板の上面に揃っており、層間絶縁膜がトレンチ内に侵入していない。
（特徴２）トレンチ端部では、トレンチゲート電極の上面が彫り込まれている。
（特徴３）トレンチ端部では、半導体基板上面側のトレンチ側面に、トレンチゲート電極が対向しない。
（特徴４）トレンチ端部では、半導体基板上面側のトレンチ側面に、積層絶縁膜を介してトレンチゲート電極が対向する。
（特徴５）トレンチゲート電極の上面は、半導体基板の上面よりも深い位置にあり、層間絶縁膜がトレンチ内に侵入している。
（特徴６）引出電極の下面に、下面から延びてトレンチ内に侵入する侵入部が形成されている。
（特徴７）侵入部は、トレンチの直線部に形成されている。

図１は、本明細書で開示するトレンチゲート電極１４と引出電極２０を備えた半導体装置を模式的に示す分解斜視図である。実際には、半導体基板２の上面４と引出電極２０は離間していない。

図１において、参照番号２は半導体基板であり、その上面４をトレンチ６が直線的に延びている。図１では、３本のトレンチ６ａ，６ｂ，６ｃが平行に延びている。本明細書では、複数個の同一部材の夫々に添え字ａ，ｂ，ｃ・・を付する。共通事象を説明する際には、添え字を省略する。なお、本技術の適用範囲は、トレンチ６の本数に限定されない。

トレンチ６の内面は図示しないゲート絶縁膜で覆われおり、その内側にトレンチゲート電極１４が収容されている。本実施例では、トレンチゲート電極１４の上面１６が、半導体基板２の上面４にほぼ一致している。
引出電極２０は、半導体基板２の上面４とトレンチゲート電極１４の上面１６上を上面４，１６に沿って延びている。
引出電極２０に形成されている開口２２と、トレンチゲート電極１４の端部に形成されている掘り込みは、実施例１に固有の構成であり、従来技術では存在しない。実施例１の固有の構成については後記する。
本明細書では、説明すみの部材等については、従来技術と実施例を通して同じ参照番号を付し、重複説明を割愛する。

（従来技術１）
実施例の理解を容易化するために、先に従来技術を具体的に説明する。
従来技術１では、図１に示した開口２２が存在せず、トレンチゲート電極１４の端部に掘り込みが形成されていない。
図７は、従来技術１の半導体装置の平面図を示している。複数本のトレンチ６が半導体基板の上面を平行に延びている。図７のラインＡよりも左側は、半導体基板を平面視したときにトレンチ側面が直線的に延びており、直線部８という。図６のラインＡよりも右側は、半導体基板を平面視したときにトレンチ側面が湾曲しており、端部１０という。参照番号２０は引出電極の形成範囲を示し、３０はゲート配線の形成範囲を示し、２４は図８に示す層間絶縁膜２６に形成されているコンタクトホールを通過して引出電極２０とゲート配線３０が接触しているコンタクト領域を示している。図８に示すように、コンタクト領域２４以外では、引出電極２０の高さと、ゲート配線３０の高さが相違し、両者間に層間絶縁膜２６が介在している。参照番号２８はソース電極（上面電極の実施例）であり、層間絶縁膜２６によってゲート電極１４から絶縁されている。

図７と図８に示す従来技術では、端部１０において、トレンチ６の側面にゲート絶縁膜４０ｂを介してトレンチゲート電極１４が対面し、半導体基板２の上面４にゲート絶縁膜４０ｃを介して引出電極２０が対面する。この場合、薄いゲート絶縁膜４０ｂ，４０ｃの外面と内面間に大きな電圧差がかかり、絶縁破壊しやすい。特に、絶縁破壊しやすい端部１０における急峻部（トレンチ６の側面と半導体基板の上面４との境界付近）において、トレンチ６の側面に薄いゲート絶縁膜４０ｂを介してトレンチゲート電極１４が対面し、半導体基板の表面４に薄いゲート絶縁膜４０ｃを介して引出電極２０が対面するために、端部１０の急峻部で絶縁破壊しやすい。

（従来技術２）
図９は、前記した従来技術１の問題に対処する従来技術の一つであり、トレンチ６の横断面を示している。ゲート絶縁膜４０ａ，４０ｂ，４０ｃのうち、閾値電圧に影響するトレンチ深部の側面を覆うゲート絶縁膜４０ｂについては薄くし、その他の部分のゲート絶縁膜を厚くしている。トレンチ浅部（トレンチ６の側面と半導体基板の上面４との境界付近に存在する急峻部の近傍に位置している）の側面を覆うゲート絶縁膜４０ｄは局所的に厚くしている。
この構造によると、電界が集中しやすい、トレンチ６の側面と半導体基板の上面４との境界付近に存在する急峻部の近傍では、絶縁膜が厚いので、絶縁破壊の発生を防止できる。しかしながら、側面に形成されている絶縁膜４０ｄ（トレンチの開孔側に位置している）が厚いために、トレンチの内側に庇状に張り出し、トレンチ内部にゲート電極１４を充填するのが困難となる。

（従来技術３）
従来技術３では、図１０に示すように、トレンチ６の端部１０が引出電極２０で覆われないようにする。すなわち、トレンチ６の直線部８の範囲内に引出電極２０を設ける。この構成に依れば、電界が集中しやすい端部１０では引出電極２０が存在しないので、絶縁破壊の発生が防止される。
従来技術３の場合、図７に比して、トレンチ６をアクティブ領域４４から長く伸ばす必要が生じる。図１０の場合、図７に比して、距離Ｌ２だけ、トレンチ６が長く形成されている。トレンチ端部と半導体基板の側面との間には一定の距離が必要であり、トレンチを長く延すと、それだけ必要な半導体基板の大きさが大きくなる。従来技術３では、必要な半導体基板のサイズが大型化する。図２に示すように、トレンチ６の長手方向の終端から周辺耐圧領域４６までの間には一定の距離が必要とされ、トレンチ６の長手方向の終端から半導体基板２の外周までの間には一定の距離Ｌ１が必要とされる。図１０の場合、トレンチの終端位置がＬ２だけ半導体基板２の外周側にシフトするために、必要な半導体基板のサイズが大型化する。

（従来技術４）
図１１に示す従来技術４でも、図１０と同様に、トレンチ６の直線部８の範囲内に引出電極２０を設ける。トレンチ６の端部１０は、引出電極２０で覆われない。この構成に依ると、電界が集中しやすい端部１０では引出電極２０が存在しないので、絶縁破壊の発生が防止される。
この技術でも、トレンチの長さが図７に比して長くなる。図１１の構造では、引出電極とゲート配線のコンタクト領域２４が、図示のＹ方向にシフトしているために、図１０と比較すれば、トレンチの長さは短くて済む。しかしながら、コンタクト領域２４をＹ方向にシフトしているために、コンタクト領域２４から各トレンチゲート電極１４までの抵抗が増大し、スイッチング速度が低速化する。

従来技術１〜４の諸問題を解決するために、下記の実施例が開発された。
（実施例１）
図１〜３に示すように、本実施例では、引出電極２０に開口２２を形成した。図中における参照番号２２ａ１は、引出電極２０の下面がトレンチゲート電極１４の上面に接触した状態における開口２２ａの輪郭を示す。開口２２ａは、トレンチ６ａの端部１０が露出する大きさであり、端部１０の輪郭の外側に広がっている。なお、図の明瞭化のために、２２ａ１のみを図示し、２２ｂ１，２２ｃ１等の図示を省略しているが、前記の説明は、全部のトレンチ６ａ，６ｂ，６ｃ・・に共通する。

またトレンチの直線部８に位置しているゲート電極１４の上面１６は、半導体基板２の上面４とほぼ一致している。引出電極２０の下面は、直線部８において、ゲート電極１４の上面に接触し、両者が導通する。トレンチ６の端部１０では、ゲート電極１４の上面が彫り込まれており、端部１０内では、ゲート電極１４の上面１８の高さが、半導体基板２の上面４よりも低い。急峻部Ｓの近傍では、ゲート電極１４の上部にトレンチ側面１２が露出している。図１から明らかに、端部１０の急峻部Ｓの近傍に位置するトレンチ側面１２に対面する範囲には、ゲート電極１４が存在しない。端部１０の急峻部Ｓの近傍にゲート電極１４が存在しないために、端部１０の急峻部Ｓの近傍に電界集中が生じて絶縁破壊することがない。なお、図１では、ゲート絶縁膜と層間絶縁膜の図示が省略されている。端部１０の急峻部Ｓの近傍に位置するトレンチ側面１２は、ゲート絶縁膜に層間絶縁膜を積層した積層絶縁膜で覆われている。

図２は、図１の半導体装置の平面図を示している。明らかに、端部１０の急峻部Ｓの近傍に位置する半導体基板上面４は開口２２に露出しており、引出電極２０で覆われない。端部１０の急峻部Ｓの近傍に引出電欲２０が存在しないために、端部１０の急峻部Ｓの近傍に電界集中が生じて絶縁破壊することがない。なお、図２では、ゲート絶縁膜と層間絶縁膜の図示が省略されている。端部１０の急峻部Ｓの近傍に位置する半導体基板上面４はゲート絶縁膜に層間絶縁膜を積層した積層絶縁膜で覆われている。

図３は、図１と図２の半導体装置の断面図を示している。端部１０の急峻部Ｓの近傍に位置するトレンチ側面１２は、ゲート絶縁膜４０ｂに層間絶縁膜２６を積層した積層絶縁膜で覆われている。端部１０の急峻部Ｓの近傍に位置する半導体基板上面４もまた、ゲート絶縁膜４０ｃに層間絶縁膜２６を積層した積層絶縁膜で覆われている。端部１０では、急峻部Ｓの近傍に、トレンチゲート電極１４も存在しなければ、引出電極２０も存在しない。絶縁破壊しやすい端部１０で絶縁破壊しないようにしている。

（実施例２）
以下の実施例の説明では、実施例１との相違点のみを説明する。
実施例２では、図４に示すように、隣接するトレンチの間で、トレンチ端部の長手方向位置がずれている。これに伴って、開口２２の長手方向位置も、隣接するトレンチの間でずれている。図２の場合、隣接する開口２２，２２の間に存在する引出電極２０の通電方向に直交する断面積が小さい。そのために、コンタクト２４からトレンチ１４までの抵抗が高くなる場合がある。図４の場合、隣接する開口２２，２２間の距離が長くなり、隣接する開口２２，２２の間に存在する引出電極２０の通電方向に直交する断面積が大きくなる。そのために、コンタクト２４からトレンチ１４までの抵抗が高くなるのを防止することができる。

（実施例３）
第１相違点
実施例３では、図５に示すように、トレンチゲート電極１４の上面１６Ａ，１８Ａが、半導体基板２の上面４よりも低い。すなわち、直線部８の上面１６Ａも、端部１０の上面１８Ａも、図１の端部１０の上面１８の高さにある。
第２相違点
実施例１では、開口２２の形状が矩形であったが、実施例２では、端部６の急峻部Ｓに沿った形状の開口２２Ａを設ける。図６に示すように、開口部２２Ａは、半導体基板２を平面視したときに、急峻部Ｓから外側に距離Ｂだけ隔てた位置を延びる輪郭と、急峻部Ｓから内側に距離Ｃだけ隔てた位置を延びる輪郭を備えている。急峻部Ｓから距離Ｂの範囲内にある半導体基板表面４は、引出電極２０に覆われない。
前記した距離Ｂ，Ｃは製造公差を加味して決定する。加工のばらつきに抗して、開口２２Ａの底面に、トレンチ６の端部１０の開口部を縁取る輪郭が観察される関係とする。
第３相違点
図６に示すハッチの範囲内では、引出電極２０の下面が下方に突出し、トレンチゲート電極の上面１６Ａ、１８Ａに接触する（トレンチゲート電極の上面１６Ａ、１８Ａは半導体基板２の上面４よりも低いので、引出電極２０の下面が下方に突出しないと、トレンチゲート電極１４と引出電極２０が接触しない。）図５の参照番号３２と３４は、突出部を示している（明瞭化のために引出電極から離れた状態で図示している）。突出部３４は、直線部８内のトレンチ６内に侵入し、直線部８内の上面１６Ａに接触する。突出部３２は端部１０内のトレンチ６内に侵入し、端部１０内の上面１８Ａに接触する。突出部３２の側面は、端部１０内のトレンチ側面１２から距離Ｃ（図６参照）だけ内側にシフトしており、両者は密着しない。両者間の間隙には、図５と図６では図示しない層間絶縁膜が充填されている。
突出部３２，３４は、トレンチ６内に侵入しており、トレンチゲート電極の一部ということができる。突出部３２，３４以外の部分が、引出電極２０にあたるということもできる。

実施例２でも、端部１０の急峻部Ｓの近傍に位置するトレンチ側面１２は、ゲート絶縁膜（図２の４０ｂと同等なもの）に層間絶縁膜（図２の２８と同等なもの）を積層した積層絶縁膜で覆われており、積層絶縁膜を介してゲート電極３２に対面する。端部１０の急峻部Ｓの近傍に位置する半導体基板２の上面４もまた、ゲート絶縁膜（図２の４０ｃと同等なもの）に層間絶縁膜（図２の２８と同等なもの）を積層した積層絶縁膜で覆われており、引出電極２０に対面しない。端部１０では急峻部Ｓの近傍が、積層絶縁膜で覆われている。端部１０の急峻部Ｓの近傍では、薄いゲート絶縁膜のみを介して半導体基板とゲート電極が対面することがない。絶縁破壊しやすい端部１０の急峻部Ｓの近傍で絶縁破壊しないようにしている。
本明細書では、層間絶縁膜に覆われている部分をゲート電極といい、トレンチ内ゲート電極と引出電極を総称する。層間絶縁膜に覆われていない部分をゲート配線といい、層間絶縁膜に形成されているコンタクトホールを通過する部分を含んでいる。

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。

２：半導体基板
４：半導体基板の上面
６：トレンチ
８：直線部
１０：端部
１２：トレンチの側面
１４：トレンチゲート電極
１６：トレンチゲート電極の上面
１８：彫り込まれたトレンチゲート電極の上面
２０：引出電極
２２：開口
２４：コンタクト領域
２６：層間絶縁膜
２８：ソース電極（上面電極の実施例）
３０：ゲート配線
３２：引出電極の下面から延びてトレンチ内に侵入するゲート電極の一部
３４：引出電極の下面から延びてトレンチ内に侵入するゲート電極の一部
４０：トレンチの内面を覆うゲート絶縁膜
４２：半導体基板の上面を覆う絶縁膜
４４：アクティブ領域
４６：周辺耐圧領域

Claims (6)

1. 半導体基板の上面を延びるトレンチと、
   前記トレンチの内面を覆っているゲート絶縁膜と、
   前記内面が前記ゲート絶縁膜で覆われている前記トレンチ内に収容されているトレンチゲート電極と、
   前記上面上を前記上面に沿って延びるとともに前記トレンチゲート電極に導通する引出電極を備えており、
   半導体基板を平面視したときに、前記トレンチが、トレンチ側面が直線的に延びる直線部と、その直線部の長手方向端部側に位置して前記トレンチ側面が湾曲する端部を備えており、
   半導体基板を平面視したときに、前記引出電極が、前記端部を覆うとともに前記直線部に至っており、
   前記端部において前記上面と前記トレンチ側面との間に位置する境界線に隣接する隣接範囲では、前記上面と前記トレンチ側面が前記ゲート絶縁膜に層間絶縁膜を積層した積層絶縁膜で覆われている半導体装置。
2. 半導体基板を平面視したときに、前記引出電極に、前記端部が露出する開口が形成されている、請求項１の半導体装置。
3. 前記端部において、前記トレンチゲート電極の前記隣接範囲の側面が、前記トレンチ側面から離間している、請求項１または２の半導体装置。
4. 前記層間絶縁膜が、前記トレンチゲート電極と上面電極を絶縁する絶縁膜に連続していることを特徴とする請求項１〜３のいずれかの一項に記載の半導体装置。
5. 前記トレンチの複数本が平行に延びており、
   隣接する前記トレンチの間で、前記端部の長手方向位置がずれていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかの一項に記載の半導体装置。
6. 前記引出電極とゲート配線が、前記トレンチを長手方向に延長した延長線上の位置で接していることを特徴する請求項１〜５のいずれかの一項に記載の半導体装置。

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