JP2013232533A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 116
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 170
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 12
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 45
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 46
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 46
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 22
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 16
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 16
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 12
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
- H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
- H01L21/048—Making electrodes
- H01L21/049—Conductor-insulator-semiconductor electrodes, e.g. MIS contacts
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1095—Body region, i.e. base region, of DMOS transistors or IGBTs
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/401—Multistep manufacturing processes
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41741—Source or drain electrodes for field effect devices for vertical or pseudo-vertical devices
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42356—Disposition, e.g. buried gate electrode
- H01L29/4236—Disposition, e.g. buried gate electrode within a trench, e.g. trench gate electrode, groove gate electrode
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42364—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the insulating layer, e.g. thickness or uniformity
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- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
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Abstract
【解決手段】ゲートトレンチ9が形成されたn型SiC基板2と、側面絶縁膜18および底面絶縁膜19を一体的に含むゲート絶縁膜16と、ゲートトレンチ9に埋め込まれたゲート電極15であって、上部エッジ26においてSiC基板2の表面21に重なるオーバーラップ部17を選択的に有するゲート電極15とを含む半導体装置1において、側面絶縁膜18に、上部エッジ26においてゲートトレンチ9の内方へ突出するように、当該側面絶縁膜18の他の部分に比べて選択的に厚くなったオーバーハング部27を形成する。
【選択図】図3
Description
これにより、ゲートのオン時に上部エッジにかかる電界を傾斜面内に分散させて、電界集中を緩和することができる。
前記ゲートトレンチの前記上部エッジは、前記半導体層の前記表面と前記ゲートトレンチの前記側面とを連ならせる円形面を含むことが好ましい(請求項3)。
前記底面絶縁膜は、前記側面絶縁膜の他の部分に比べて厚いことが好ましい(請求項4)。
これにより、底面絶縁膜を介して互いに向かい合うゲート電極と半導体層とによって構成されるキャパシタの容量を低減することができる。その結果、ゲート全体としての容量(ゲート容量)を低減することができる。また、底面絶縁膜の耐圧を向上させることができるので、ゲートのオフ時における底面絶縁膜の絶縁破壊を防止することもできる。
これにより、平面絶縁膜を介して互いに向かい合うゲート電極(オーバーラップ部)と半導体層とによって構成されるキャパシタの容量を低減することができる。その結果、ゲート全体としての容量(ゲート容量)を低減することができる。
これにより、ゲートのオフ時に下部エッジにかかる電界を円形面内に分散させて、電界集中を緩和することができる。
前記半導体層は、トレンチゲート型MISトランジスタが形成されるアクティブ領域と、前記アクティブ領域外の領域であって、前記オーバーハング部が形成された非アクティブ領域とを含み、前記アクティブ領域において前記半導体層は、前記半導体層の前記表面側に露出するように形成され、前記ゲートトレンチの前記側面の一部を形成する第1導電型のソース層と、前記ソース層に対して前記半導体層の裏面側に前記ソース層に接するように形成され、前記ゲートトレンチの前記側面の一部を形成する第2導電型のチャネル層と、前記チャネル層に対して前記半導体層の前記裏面側に前記チャネル層に接するように形成され、前記ゲートトレンチの前記底面を形成する第1導電型のドリフト層とを含み、前記非アクティブ領域において前記半導体層は、前記チャネル層と同じ深さ位置に形成された第2導電型層を含むことが好ましい(請求項7)。
これにより、非アクティブ領域の第1導電型層を、アクティブ領域のソース層と同一の工程で形成することができるので、半導体装置の製造工程を簡略化することができる。
前記アクティブ領域において前記半導体層は、前記チャネル層に連なるように前記ドリフト層内に形成され、前記チャネル層から前記半導体層の前記裏面に向かって延びた第2導電型のピラー層をさらに含み、前記非アクティブ領域において前記半導体層は、前記第2導電型層に連なるように前記ピラー層と同じ深さ位置に形成され、前記ゲートトレンチの前記底面を形成する底部第2導電型層をさらに含むことが好ましい(請求項9)。
これにより、ゲートフィンガー直下のオーバーラップ部に接するゲート絶縁膜の絶縁破壊を防止することができる。
前記半導体装置は、前記ゲート電極を覆うように半導体層の前記表面に形成された層間膜をさらに含み、前記ゲートフィンガーは、その幅方向中央において前記層間膜を貫通して前記ゲート電極に接するコンタクト部を含むことが好ましい(請求項12)。
前記ゲート電極がポリシリコンからなり、前記ゲートフィンガーがアルミニウムからなることが好ましい(請求項14)。
本発明の半導体装置の製造方法は、第1導電型の半導体層にゲートトレンチを形成する工程と、前記ゲートトレンチの開口端に形成された上部エッジにおいて他の部分に比べて選択的に厚くなるオーバーハング部が形成されるように、所定の条件下でのCVD法を用いて前記ゲートトレンチ内に絶縁材料を堆積させることによって、前記ゲートトレンチの側面および底面にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記上部エッジにおいて前記半導体層の表面に重なるオーバーラップ部が選択的に形成されるように、前記ゲートトレンチにゲート電極を埋め込む工程とを含む(請求項15)。
この方法によって得られた半導体装置では、ゲートのオン時に上部エッジにかかる電界を傾斜面内に分散させて、電界集中を緩和することができる。
この方法によって得られた半導体装置では、ゲートのオン時に上部エッジにかかる電界を円形面内に分散させて、電界集中を緩和することができる。
図1(a)(b)は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の模式的な平面図であって、図1(a)は全体図、図1(b)は内部拡大図をそれぞれ示す。
半導体装置1は、SiC(炭化シリコン)を用いたパワーMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)素子(個別素子)を含み、たとえば、図1の紙面における上下方向の長さは1mm程度である。
図2(a)(b)(c)は、前記半導体装置の断面図であって、図2(a)は図1(b)の切断線IIa−IIaでの切断面、図2(b)は図1(b)の切断線IIb−IIbでの切断面、図2(c)は図1(b)の切断線IIc−IIcでの切断面をそれぞれ示す。
SiC基板2の表面21側には、p型チャネル層14が形成されている。p型チャネル層14内には、n+型ソース層12と、このn+型ソース層12に取り囲まれた、第2導電型不純物領域の一例としてのp+型チャネルコンタクト層11とが形成されている。n+型ソース層12およびp+型チャネルコンタクト層11は共にSiC基板2の表面21に露出している。
そして、ゲートトレンチ9に、たとえばポリシリコンからなるゲート電極15が埋め込まれており、このゲート電極15とSiC基板2との間にゲート絶縁膜16が介在されている。
また、アクティブ領域3では、ドレイン領域としてのSiC基板2内にp型ピラー層22が形成されている。p型ピラー層22は、各単位セル10のp型チャネル層14の内方の領域に形成されている。より具体的には、この実施形態では、p型ピラー層22は、p型チャネル層14のほぼ中央の領域において、たとえばp型チャネル層14と相似形(図1(b)のレイアウトでは平面視四角形)に形成されている。p型ピラー層22は、p型チャネル層14に連なるように形成されており、ドレイン領域としてのSiC基板2において、p型チャネル層14よりも深い位置までSiC基板2の裏面に向かって延びている。すなわち、p型ピラー層22は、ほぼ柱状(図1(b)のレイアウトではほぼ四角柱状)に形成されている。これにより、SiC基板2には、適当なピッチで配列されたp型ピラー層22と、互いに隣り合うp型ピラー層22の間に挟まれたn型ドレイン領域としてのSiC基板2とが表面21に沿う方向に交互に配列されている。
図3に示すように、第1の実施形態では、側面絶縁膜18は、コンタクトトレンチ92の上部エッジ26においてコンタクトトレンチ92の内方へ突出するように、当該側面絶縁膜18の他の部分に比べて選択的に厚くなったオーバーハング部27を含んでいる。ここで、上部エッジ26は、コンタクトトレンチ92の側面とSiC基板2の表面21とが交わってできる交線を含む角部のことである。
また、ゲート絶縁膜16の各部の厚さの関係について、底面絶縁膜19の厚さt2が平面絶縁膜20の厚さt1以上であり(t2≧t1)、厚さt1,t2が共に側面絶縁膜18(オーバーハング部27を除く)の厚さt3に比べて大きいことが好ましい。つまり、t2≧t1>t3の関係を満たしている。
この構成によって、ゲートのオフ時に下部エッジにかかる電界を円形面28内に分散させることができるので、下部エッジでの電界集中を緩和することができる。
この構成によって、ゲートのオン時に上部エッジ26にかかる電界を傾斜面29内に分散させることができるので、上部エッジ26での電界集中を緩和することができる。
この構成によって、ゲートのオン時に上部エッジ26にかかる電界を円形面30内に分散させることができるので、上部エッジ26での電界集中を緩和することができる。
この構成によって、外周領域4のp型層31を、アクティブ領域3のp型チャネル層14と同一の工程で形成することができるので、半導体装置1の製造工程を簡略化することができる。また、ゲート絶縁膜16とn型ドレイン領域としてのSiC基板2との接触面積を減らすことができるので、リーク電流を低減することができ、ゲート容量を低減することもできる。
この構成によって、外周領域4のn+型層32を、アクティブ領域3のn+型ソース層12と同一の工程で形成することができるので、半導体装置1の製造工程を簡略化することができる。
図10は、前記半導体装置の製造方法を説明するためのフロー図である。
半導体装置1を製造するには、たとえば、SiC基板2の表面21に選択的に不純物を注入し、アニール処理する(ステップS1)。これにより、p型チャネル層14、n+型ソース層12、p+型チャネルコンタクト層11等の不純物領域が形成される。次に、所定パターンでSiC基板2を表面21からエッチングすることによって、SiC基板2にゲートトレンチ9(アクティブトレンチ91およびコンタクトトレンチ92)が形成される(ステップS2)。
一方、図5に示したように上部エッジ26に円形面30を形成する場合には、ゲートトレンチ9の形成後ゲート絶縁膜16の形成前に、SiC基板2をH2アニール処理する。具体的には、図12に示すように、SiC基板2に対して1400℃以上でH2アニール(H2エッチング)を施すことによって、上部エッジ26に円形面30が形成される。
次に、スパッタ法、蒸着法によって、層間膜23上にアルミニウム等の金属材料を堆積させる(ステップS7)。これにより、ソースパッド5、ゲートパッド7およびゲートフィンガー8が形成される。以上の工程等を経て、図1に示す半導体装置1が得られる。
たとえば、前述の半導体装置1の各半導体部分の導電型を反転した構成が採用されてもよい。たとえば、半導体装置1において、p型の部分がn型であり、n型の部分がp型であってもよい。
また、オーバーラップ部17は、外周領域4に限らず、アクティブ領域3に形成されていてもよい。たとえば、各単位セル10の上面が隠れない程度にアクティブトレンチ91の開口端の周囲のみを覆うことによって、アクティブ領域3にもオーバーラップ部17を形成してもよい。この場合、アクティブトレンチ91にもオーバーハング部27を形成しておけば、前述と同様の耐圧向上効果を得ることができる。すなわち、ゲートフィンガー8の直下の構造は、本発明のオーバーハング部27による耐圧向上の効果を示す一例に過ぎず、同様の効果を得ることができる構造であれば、ゲートフィンガー部だけに限らない。
2 SiC基板
21 表面
3 アクティブ領域
4 外周領域
8 ゲートフィンガー
9 ゲートトレンチ
91 アクティブトレンチ
92 コンタクトトレンチ
12 n+型ソース層
14 p型チャネル層
15 ゲート電極
16 ゲート絶縁膜
17 オーバーラップ部
18 側面絶縁膜
19 底面絶縁膜
20 平面絶縁膜
22 p型ピラー層
23 層間膜
26 上部エッジ
27 オーバーハング部
28 円形面
29 傾斜面
30 円形面
31 p型層
32 n+型層
33 底部p型層
34 犠牲酸化膜
Claims (17)
- ゲートトレンチが形成された第1導電型の半導体層と、
前記ゲートトレンチの側面および底面に形成されたゲート絶縁膜であって、前記側面上の側面絶縁膜および前記底面上の底面絶縁膜を一体的に含むゲート絶縁膜と、
前記ゲートトレンチに埋め込まれたゲート電極であって、前記ゲートトレンチの開口端に形成された上部エッジにおいて前記半導体層の表面に重なるオーバーラップ部を選択的に有するゲート電極とを含み、
前記側面絶縁膜は、前記上部エッジにおいて前記ゲートトレンチの内方へ突出するように、当該側面絶縁膜の他の部分に比べて選択的に厚くなったオーバーハング部を含む、半導体装置。 - 前記ゲートトレンチの前記上部エッジは、前記半導体層の前記表面と前記ゲートトレンチの前記側面とを連ならせる傾斜面を含む、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ゲートトレンチの前記上部エッジは、前記半導体層の前記表面と前記ゲートトレンチの前記側面とを連ならせる円形面を含む、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記底面絶縁膜は、前記側面絶縁膜の他の部分に比べて厚い、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記ゲート絶縁膜は、前記半導体層の前記表面に形成された平面絶縁膜をさらに含み、
前記平面絶縁膜は、前記側面絶縁膜の他の部分に比べて厚い、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記ゲートトレンチの底部における下部エッジは、前記ゲートトレンチの前記側面と前記底面とを連ならせる円形面を含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記半導体層は、トレンチゲート型MISトランジスタが形成されるアクティブ領域と、前記アクティブ領域外の領域であって、前記オーバーハング部が形成された非アクティブ領域とを含み、
前記アクティブ領域において前記半導体層は、
前記半導体層の前記表面側に露出するように形成され、前記ゲートトレンチの前記側面の一部を形成する第1導電型のソース層と、
前記ソース層に対して前記半導体層の裏面側に前記ソース層に接するように形成され、前記ゲートトレンチの前記側面の一部を形成する第2導電型のチャネル層と、
前記チャネル層に対して前記半導体層の前記裏面側に前記チャネル層に接するように形成され、前記ゲートトレンチの前記底面を形成する第1導電型のドリフト層とを含み、
前記非アクティブ領域において前記半導体層は、
前記チャネル層と同じ深さ位置に形成された第2導電型層を含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記非アクティブ領域において前記半導体層は、
前記ソース層と同じ深さ位置に形成された第1導電型層をさらに含む、請求項7に記載の半導体装置。 - 前記アクティブ領域において前記半導体層は、
前記チャネル層に連なるように前記ドリフト層内に形成され、前記チャネル層から前記半導体層の前記裏面に向かって延びた第2導電型のピラー層をさらに含み、
前記非アクティブ領域において前記半導体層は、
前記第2導電型層に連なるように前記ピラー層と同じ深さ位置に形成され、前記ゲートトレンチの前記底面を形成する底部第2導電型層をさらに含む、請求項7または8に記載の半導体装置。 - 前記非アクティブ領域は、前記アクティブ領域を取り囲む外周領域を含み、
前記半導体装置は、前記外周領域に沿って前記アクティブ領域を取り囲むように配置され、前記ゲート電極の前記オーバーラップ部に電気的に接続されたゲートフィンガーを含む、請求項1〜9のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記ゲートトレンチは、前記アクティブ領域において格子状に形成され、前記外周領域において前記格子状のトレンチの端部から引き出されたストライプ状に形成されており、
前記ゲートフィンガーは、前記ストライプ状のトレンチを横切る方向に沿って敷設されている、請求項10に記載の半導体装置。 - 前記半導体装置は、前記ゲート電極を覆うように半導体層の前記表面に形成された層間膜をさらに含み、
前記ゲートフィンガーは、その幅方向中央において前記層間膜を貫通して前記ゲート電極に接するコンタクト部を含む、請求項10または11に記載の半導体装置。 - 前記コンタクト部は、前記外周領域に沿って前記アクティブ領域を取り囲む直線状に形成されている、請求項12に記載の半導体装置。
- 前記ゲート電極がポリシリコンからなり、前記ゲートフィンガーがアルミニウムからなる、請求項10〜13のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 第1導電型の半導体層にゲートトレンチを形成する工程と、
前記ゲートトレンチの開口端に形成された上部エッジにおいて他の部分に比べて選択的に厚くなるオーバーハング部が形成されるように、所定の条件下でのCVD法を用いて前記ゲートトレンチ内に絶縁材料を堆積させることによって、前記ゲートトレンチの側面および底面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記上部エッジにおいて前記半導体層の表面に重なるオーバーラップ部が選択的に形成されるように、前記ゲートトレンチにゲート電極を埋め込む工程とを含む、半導体装置の製造方法。 - 前記半導体装置の製造方法は、前記ゲート絶縁膜の形成前に熱酸化法を用いて前記ゲートトレンチの前記側面および前記底面に犠牲酸化膜を形成することによって、前記上部エッジに、前記半導体層の前記表面と前記ゲートトレンチの前記側面とを連ならせる傾斜面を形成する工程をさらに含む、請求項15に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体装置の製造方法は、前記ゲート絶縁膜の形成前に前記半導体層を水素アニール処理することによって、前記上部エッジに、前記半導体層の前記表面と前記ゲートトレンチの前記側面とを連ならせる円形面を形成する工程をさらに含む、請求項15または16に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012103862A JP2013232533A (ja) | 2012-04-27 | 2012-04-27 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US14/397,073 US9536998B2 (en) | 2012-04-27 | 2013-04-22 | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
EP13781066.9A EP2843707B1 (en) | 2012-04-27 | 2013-04-22 | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
CN202310046900.9A CN116013974A (zh) | 2012-04-27 | 2013-04-22 | 半导体装置 |
PCT/JP2013/061765 WO2013161753A1 (ja) | 2012-04-27 | 2013-04-22 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
EP19188674.6A EP3584843B1 (en) | 2012-04-27 | 2013-04-22 | Semiconductor device |
CN201810083012.3A CN108155087B (zh) | 2012-04-27 | 2013-04-22 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 |
CN201380022113.5A CN104247028B (zh) | 2012-04-27 | 2013-04-22 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012103862A JP2013232533A (ja) | 2012-04-27 | 2012-04-27 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016159257A Division JP6273329B2 (ja) | 2016-08-15 | 2016-08-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013232533A true JP2013232533A (ja) | 2013-11-14 |
Family
ID=49483066
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012103862A Pending JP2013232533A (ja) | 2012-04-27 | 2012-04-27 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9536998B2 (ja) |
EP (2) | EP2843707B1 (ja) |
JP (1) | JP2013232533A (ja) |
CN (3) | CN108155087B (ja) |
WO (1) | WO2013161753A1 (ja) |
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CN116013974A (zh) | 2023-04-25 |
EP3584843B1 (en) | 2023-03-29 |
EP2843707A4 (en) | 2015-12-02 |
EP3584843A1 (en) | 2019-12-25 |
CN104247028B (zh) | 2018-03-06 |
WO2013161753A1 (ja) | 2013-10-31 |
CN104247028A (zh) | 2014-12-24 |
CN108155087A (zh) | 2018-06-12 |
EP2843707A1 (en) | 2015-03-04 |
US9536998B2 (en) | 2017-01-03 |
CN108155087B (zh) | 2023-01-10 |
EP2843707B1 (en) | 2019-08-28 |
US20150295079A1 (en) | 2015-10-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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