JP2018054844A - 画像形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】転写不良の抑制と前画像の履歴が残ることで生じる残像現象の抑制とを両立した画像形成装置の提供。【解決手段】単位面積あたりの静電容量が１.０×１０−９Ｆ／ｃｍ２以上１.５×１０−８Ｆ／ｃｍ２以下である下引層を有する電子写真感光体と、帯電手段と、静電潜像形成手段と、現像手段と、体積抵抗率の常用対数値が８．０ｌｏｇΩ・ｃｍ以上１２．０ｌｏｇΩ・ｃｍ以下である中間転写体と、軸方向の単位長さ（ｍｍ）あたりの一次転写電流値が１５（μＡ／ｍｍ）以上１９（μＡ／ｍｍ）以下である一次転写手段と、二次転写手段と、を備える画像形成装置。【選択図】なし

Description

本発明は、画像形成装置に関する。

従来、電子写真方式の画像形成装置としては、電子写真感光体を用いて帯電、静電潜像形成、現像、転写、クリーニング等の工程を順次行う装置が広く知られている。

例えば特許文献１には、複数のドラム状の像担持体と、該複数の像担持体上にそれぞれ所定の色のトナー像を形成するためのトナー像形成手段と、該複数の像担持体に対向するように設けられた転写ベルトと、該像担持体上のトナー像を該転写ベルト側に転移させるための転写電界を形成すべく転写バイアスを印加する転写バイアス印加手段とを有し、該複数の像担持体上に形成されたトナー像を該転写ベルト側に順次転写して重ね合わせトナー像を形成するタンデム型の画像形成装置において、上記転写バイアス印加手段による転写バイアスの印加対象を上記像担持体とし、かつ上記転写ベルトに該像担持体から印加された転写バイアスを保持する電荷保持層を設けたことを特徴とする画像形成装置が開示されている。

特開２００３−９１１３２号公報

中間転写方式の画像形成装置を用いて高速（例えばプロセススピード３００ｍｍ／ｓ以上）で画像形成を行うと、電子写真感光体から中間転写体へのトナー像の転写（一次転写）において転写不良が起こりやすくなり、転写不良に起因する画像欠陥を生じやすくなる。一方、一次転写における転写不良を起こりにくくするために一次転写電流値を大きくすると、前画像の履歴が残ることで生じる残像現象が起こりやすくなる。

本発明の課題は、中間転写方式の画像形成装置において、電子写真感光体における下引層の単位面積あたりの静電容量が１.０×１０^−９Ｆ／ｃｍ^２未満若しくは１.５×１０^−８Ｆ／ｃｍ^２を超える場合、中間転写体の体積抵抗率の常用対数値が８．０ｌｏｇΩ・ｃｍ未満若しくは１２．０ｌｏｇΩ・ｃｍを超える場合、又は一次転写手段における軸方向の単位長さ（ｍｍ）あたりの一次転写電流値が１５（μＡ／ｍｍ）未満若しくは１９（μＡ／ｍｍ）を超える場合に比べ、転写不良に起因する画像欠陥の抑制と、前画像の履歴が残ることで生じる残像現象の抑制と、を両立した画像形成装置を提供することである。

上記課題は、以下の手段により解決される。
即ち、請求項１に係る発明は、
導電性基体と前記導電性基体上に設けられ単位面積あたりの静電容量が１.０×１０^−９Ｆ／ｃｍ^２以上１.５×１０^−８Ｆ／ｃｍ^２以下である下引層と前記下引層上に設けられた感光層とを有する電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
体積抵抗率の常用対数値が８．０ｌｏｇΩ・ｃｍ以上１２．０ｌｏｇΩ・ｃｍ以下であり、前記電子写真感光体の表面に形成された前記トナー像が表面に転写される中間転写体と、
前記電子写真感光体の表面に形成された前記トナー像を前記中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段であって、軸方向の単位長さ（ｍｍ）あたりの一次転写電流値が１５（μＡ／ｍｍ）以上１９（μＡ／ｍｍ）以下である一次転写手段と、
前記中間転写体の表面に転写された前記トナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、
を備える画像形成装置である。

請求項２に係る発明は、
前記下引層は、結着樹脂と、金属酸化物粒子と、電子受容性化合物と、を含有する請求項１に記載の画像形成装置である。

請求項３に係る発明は、
前記金属酸化物粒子は、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、及び酸化亜鉛粒子から選ばれる少なくとも１種を含む請求項２に記載の画像形成装置である。

請求項４に係る発明は、
前記金属酸化物粒子の体積平均一次粒径は、１００ｎｍ以下である請求項２又は請求項３に記載の画像形成装置である。

請求項５に係る発明は、
前記金属酸化物粒子は、１種以上のカップリング剤で処理されたものである請求項２〜請求項４のいずれか１項に記載の画像形成装置である。

請求項６に係る発明は、
前記カップリング剤は、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、及びアルミニウム系カップリング剤から選択される少なくとも１種を含む請求項５に記載の画像形成装置である。

請求項７に係る発明は、
前記電子受容性化合物は、アントラキノン骨格を有する電子受容性化合物である請求項２〜請求項６のいずれか１項に記載の画像形成装置である。

請求項８に係る発明は、
前記アントラキノン骨格を有する電子受容性化合物は、下記一般式（１）で表される化合物である請求項７に記載の画像形成装置である。

（一般式（１）中、ｎ１及びｎ２は、各々独立に０以上３以下の整数を表す。但し、ｎ１及びｎ２の少なくとも一方は、各々独立に１以上３以下の整数を表す。ｍ１及びｍ２は、各々独立に０又は１の整数を示す。Ｒ^１１及びＲ^１２は、各々独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、又は炭素数１以上１０以下のアルコキシ基を表す。）

請求項９に係る発明は、
前記下引層の厚みが１５μｍ以上３０μｍ以下である請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の画像形成装置である。

請求項１、２、３、４、５、６、７、８、又は９に係る発明によれば、中間転写方式の画像形成装置において、電子写真感光体における下引層の単位面積あたりの静電容量が１.０×１０^−９Ｆ／ｃｍ^２未満若しくは１.５×１０^−８Ｆ／ｃｍ^２を超える場合、中間転写体の体積抵抗率の常用対数値が８．０ｌｏｇΩ・ｃｍ未満若しくは１２．０ｌｏｇΩ・ｃｍを超える場合、又は一次転写手段における軸方向の単位長さ（ｍｍ）あたりの一次転写電流値が１５（μＡ／ｍｍ）未満若しくは１９（μＡ／ｍｍ）を超える場合に比べ、転写不良の抑制と、前画像の履歴が残ることで生じる残像現象の抑制と、を両立した画像形成装置が提供される。

本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。 本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の一例を示す概略部分断面図である。 本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の他の例を示す概略部分断面図である。 無端ベルトの体積抵抗率を測定する測定装置の一例を示す模式図であって、（Ｂ）は平面図であり、（Ａ）は（Ｂ）のＡ−Ａ’断面図である。 本実施形態に係る画像形成装置の他の例を示す概略構成図である。

以下、本発明の一例である実施形態について詳細に説明する。

［画像形成装置］
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により、電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、電子写真感光体の表面に形成されたトナー像が表面に転写される中間転写体と、電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を備える。
上記の電子写真感光体（以下、単に「感光体」とも称する）は、導電性基体と、導電性基体上に設けられた下引層と、下引層上に設けられた感光層と、を有する。そして、下引層における単位面積あたりの静電容量が１.０×１０^−９Ｆ／ｃｍ^２以上１.５×１０^−８Ｆ／ｃｍ^２以下である。
また、上記の中間転写体の体積抵抗率の常用対数値は８ｌｏｇΩ・ｃｍ以上１２．０ｌｏｇΩ・ｃｍ以下であり、上記の一次転写手段における軸方向の単位長さ（ｍｍ）あたりの一次転写電流値は１５（μＡ／ｍｍ）以上１９（μＡ／ｍｍ）以下である。

ここで、「一次転写電流値」とは、感光体から中間転写体にトナー像が転写される際に、一次転写手段から感光体に流れる転写電流の電流値を示す。以下、軸方向の単位長さ（ｍｍ）あたりの一次転写電流値を単に「一次転写電流値」と称する場合がある。

本実施形態に係る画像形成装置は、下引層の単位面積あたりの静電容量、中間転写体の体積抵抗率の常用対数値、及び一次転写手段における一次転写電流値が上記範囲であると、転写不良に起因する画像欠陥の抑制と、前画像の履歴が残ることで生じる残像現象（以下「ゴースト」ともいう）の抑制と、を両立する。この理由は定かではないが、以下に示す理由によるものと推測される。

従来の中間転写方式の画像形成装置では、高速（例えばプロセススピード３００ｍｍ／ｓ以上）で画像形成を行う場合、電子写真感光体から中間転写体へのトナー像の転写（一次転写）を短時間で行うため、転写電流の不足により転写不良が起こりやすくなる。そして、一次転写において転写不良が起こると、得られた画像において前記転写不良に起因する画像欠陥が生じる。
一方、一次転写における転写不良を抑制する方法として、中間転写体の体積抵抗率を適切な範囲に調整した上で、一次転写電流値を大きくすることで転写電流の不足を解消する方法が考えられる。しかし、一次転写電流値を大きくすると、一次転写の工程において一次転写手段に印加された転写電圧によって転写電流が感光体に流入し、次の画像形成において前画像の履歴が残る残像現象（ゴースト）が発生しやすくなる。

上記ゴーストは、以下のようにして生じると推測される。具体的には、例えば、感光体と一次転写手段との間の電気抵抗は、画像部においては中間転写体の電気抵抗とトナー像の電気抵抗との総和であるのに対し、非画像部においては中間転写体の電気抵抗のみである。すなわち、トナー像が存在する画像部に比べてトナー像が存在しない非画像部の方が、電気抵抗が小さいため、感光体の非画像部に一次転写電流が集中して流入し、多くの電荷が蓄積されやすい。このように、画像部と非画像部とで電荷の蓄積量に大きな差が生じた状態で次の画像形成が行われると、帯電工程において、前画像における非画像部では帯電電位と逆極性の電荷が多く蓄積されているため、表面電荷が打ち消され、帯電不良が起こりやすくなる。その結果、前画像における非画像部が次画像において前画像の履歴画像として現れ、ゴーストが生じると推測される。

このように、従来の中間転写方式の画像形成装置で高速の画像形成を行うと、一次転写電流値が従来の値であれば転写不良が起こり、中間転写体の体積抵抗率の調整及び高い一次転写電流値の設定により転写不良を抑制しようとするとゴーストが起こりやすくなる。そのため、転写不良に起因する画像欠陥とゴーストとの両方が抑制された画像を得ることは困難であった。

これに対して本実施形態では、下引層における単位面積あたりの静電容量、中間転写体の体積抵抗率の常用対数値、及び軸方向の単位長さ（ｍｍ）あたりの一次転写電流値をそれぞれ前記範囲とすることで、高速の画像形成を行っても、転写不良に起因する画像欠陥とゴーストとの両方が抑制される。
具体的には、本実施形態では、中間転写体の体積抵抗率の常用対数値及び軸方向の単位長さ（ｍｍ）あたりの一次転写電流値がそれぞれ前記範囲であるため、高速で画像形成を行っても一次転写における転写不良が抑制される。加えて、本実施形態では、下引層における単位面積あたりの静電容量が上記範囲であるため、一次転写電流値を高速での画像形成に適切な前記範囲に設定しても、ゴーストが生じにくい。

以上の理由により、本実施形態の画像形成装置は、中間転写方式の画像形成装置において、下引層における単位面積あたりの静電容量を１.０×１０^−９Ｆ／ｃｍ^２以上１.５×１０^−８Ｆ／ｃｍ^２以下とし、中間転写体の体積抵抗率の常用対数値を８．０ｌｏｇΩ・ｃｍ以上１２．０ｌｏｇΩ・ｃｍ以下とし、かつ、一次転写手段における一次転写電流値を１５（μＡ／ｍｍ）以上１９（μＡ／ｍｍ）以下することで、転写不良に起因する画像欠陥の抑制と、ゴーストの抑制と、を両立すると推測される。

ここで、本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置；トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に電子写真感光体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置；電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。

本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。

なお、本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して着脱されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。また、プロセスカートリッジには、電子写真感光体以外に、例えば、帯電手段、静電潜像形成手段、現像手段、転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。

以下、図面を参照しつつ、本実施形態に係る画像形成装置について詳細に説明する。

図１は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図１に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成手段の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。なお、画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。

なお、転写装置４０が一次転写手段の一例に相当し、二次転写装置（不図示）が二次転写手段の一例に相当する。

図１におけるプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、電子写真感光体７、帯電装置８（帯電手段の一例）、現像装置１１（現像手段の一例）、及びクリーニング装置１３（クリーニング手段の一例）を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材の一例）１３１を有しており、クリーニングブレード１３１は、電子写真感光体７の表面に接触するように配置されている。なお、クリーニング部材は、クリーニングブレード１３１の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード１３１と併用してもよい。

なお、図１には、画像形成装置として、潤滑材１４を電子写真感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、及び、クリーニングを補助する繊維状部材１３３（平ブラシ状）を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。

以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。

＜電子写真感光体＞
電子写真感光体７としては、導電性基体と、導電性基体上に設けられた下引層と、下引層上に設けられた感光層と、を有する構成の感光体が適用される。
なお、感光層は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型の感光層（以下「機能分離型感光層」ともいう）であってもよいし、単層型の感光層（以下「単層型感光層」ともいう）であってもよい。感光層が機能分離型感光層である場合、電荷発生層に電荷発生材料を含み、電荷輸送層に電荷輸送材料を含む。

以下、図面を参照しつつ、本実施形態に係る電子写真感光体を詳細に説明する。
図２は、電子写真感光体７の層構成の一例として示した電子写真感光体７Ａの模式断面図である。図２に示す電子写真感光体７Ａは、導電性基体１上に、下引層３、電荷発生層４、及び電荷輸送層５がこの順序で積層された構造を有する。そして、電荷発生層４及び電荷輸送層５が機能分離型感光層６を構成している。
なお、電子写真感光体７Ａは、必要に応じてその他の層を設けてもよい。必要に応じて設けられる層としては、例えば、電荷輸送層５上に更に設けられる保護層等が挙げられる。

図３は、電子写真感光体７の層構成の他の一例として示した電子写真感光体７Ｂの模式断面図である。図３に示した電子写真感光体７Ｂは、例えば、導電性基体１上に、下引層３及び単層型感光層２がこの順序で積層された構造を有する。
なお、電子写真感光体７Ｂは、必要に応じてその他の層を設けてもよい。必要に応じて設けられる層としては、例えば、単層型感光層２上に更に設けられる保護層等が挙げられる。

以下、電子写真感光体７の各層について詳細に説明する。なお、符号は省略して説明する。

（導電性基体）
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０^１３Ω・ｃｍ未満であることをいう。

導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。なお、非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。

粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて支持体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。

粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。

陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。

陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。

導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。

ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。

（下引層）
下引層は、導電性基体と感光層との間に設けられ、単位面積あたりの静電容量１.０×１０^−９Ｆ／ｃｍ^２以上１.５×１０^−８Ｆ／ｃｍ^２以下である層である。
前述のように、下引層における単位面積あたりの静電容量が上記範囲であることにより、上記範囲よりも小さい場合に比べてゴーストが抑制される。また、下引層における単位面積あたりの静電容量が上記範囲であることにより、上記範囲よりも大きい場合に比べて実機走行中の下引層内のイオン性物質の移動に伴う高抵抗化にて高光量の光照射時の電位上昇が抑制される。
また、下引層における単位面積あたりの静電容量は、転写不良の抑制及びゴーストの抑制を両立する観点から、５.０×１０^−９Ｆ／ｃｍ^２以上１.０×１０^−８Ｆ／ｃｍ^２以下が好ましく、５.０×１０^−９Ｆ／ｃｍ^２以上８.０×１０^−９Ｆ／ｃｍ^２以下がより好ましい。

ここで、下引層における単位面積あたりの静電容量を求める方法について説明する。
例えば、電子写真感光体の各層を構成する導電性有機膜の等価回路としては、一般的に、抵抗（抵抗値：Ｒ）とコンデンサー（静電容量：Ｃ）との並列回路が適用される。抵抗値Ｒ、及び静電容量Ｃが不明な並列回路において、抵抗値Ｒと静電容量Ｃとを解析・算出する方法として、コール・コールプロット（Ｃｏｌｅ・Ｃｏｌｅ Ｐｌｏｔ）解析が挙げられる。
コール・コールプロット解析とは、抵抗値Ｒ及び静電容量Ｃが不明の並列回路（例えば、導電性有機膜）の両端に電極を取り付け、両電極間に、周波数を変化させながら交流電圧を印加し、印加させた電圧と得られた電流の位相関係を解析する方法である。この方法により、上記並列回路の抵抗値Ｒ及び静電容量Ｃを求め、静電容量Ｃの値と取り付けた電極の面積の値とから、単位面積あたりの静電容量を求める。

具体的には、例えば、まず下引層の外周面に対向電極としてφ６ｍｍの金電極を真空蒸着法にて形成し、常温常湿（２２℃／５０％ＲＨ）において、ソーラトロン社製インピーダンスアナライザー１２６０９６Ｗ型により測定を行う。
測定条件としては、例えば、ＤＣバイアス（直流印加電圧）：０Ｖ、ＡＣ（交流印加電圧）：±１Ｖ、周波数：１Ｈｚ以上１００Ｈｚ以下の範囲が挙げられる。
得られた測定結果から、コール・コールプロット解析により上記静電容量Ｃが求められ、対向電極の電極面積Ｓ（ｃｍ^２）で除することにより、下引層における単位面積あたりの静電容量が算出される。

なお、測定対象となる感光体から、上記単位面積あたりの静電容量を測定する方法としては、例えば以下の方法が挙げられる。
まず、測定対象となる感光体を準備する。次に、例えば、下引層を被覆している電荷発生層、及び電荷輸送層等の感光層をアセトン、テトラヒドロフラン、メタノール、エタノール等の溶剤を用いて除去し、下引層を露出させる。そして、露出された下引層上に真空蒸着法やスパッタ法等の手段により金電極を装着して、測定用試料とする。そして、この測定用試料について測定を行い、単位面積あたりの静電容量を求める。

下引層における単位面積あたりの静電容量を制御する方法としては、特に制限されるものではないが、下引層が結着樹脂と金属酸化物粒子と電子受容性化合物とを含有する層である場合、例えば、下引層内における金属酸化物粒子の分散度を調整する方法、金属酸化物粒子の粒径を調整する方法、金属酸化物粒子の表面処理量（すなわち、金属酸化物粒子の表面処理に用いる表面処理剤の量）を調整する方法、金属酸化物粒子の含有量（金属酸化物粒子の表面に表面処理剤が付着している場合は表面処理剤も含む含有量）を調整する方法、金属酸化物粒子の表面処理剤の種類と結着樹脂の種類との組み合わせを変える方法、及び電子受容性化合物の含有量を調整する方法、並びにこれらを組み合わせる方法等が挙げられる。

具体的には、各種材料の種類、組み合わせ、及び含有量等の条件によって適切な調整方法が変わるが、例えば、金属酸化物粒子の分散度を下げると下引層の静電容量が下がり、金属酸化物粒子の分散度を上げると下引層の静電容量が上がる傾向がある。
金属酸化物粒子を分散させた下引層形成用塗布液の塗膜を形成して下引層を形成する場合、形成された下引層の膜中に、例えば、金属酸化物粒子の一次粒子とともに、一次粒子が凝集した二次粒子が存在することがある。二次粒子の金属酸化物粒子は、一次粒子に比べて粒径が大きく、この二次粒子の存在によって電荷が移動する経路が形成されやすい。そのため、例えば、金属酸化物粒子の分散度を調整して、二次粒子の金属酸化物粒子を制御することによって、下引層の単位面積当たりの静電容量が制御される。
具体的には、金属酸化物粒子の分散度が低い場合（すなわち金属酸化物粒子の分散粒径が大きい場合）、下引層中での電荷の移動度が高くなり、単位面積当たりの静電容量が低下し易くなる。一方、金属酸化物粒子の分散度が高い場合（すなわち金属酸化物粒子の分散粒径が小さい場合）、下引層中での電荷の移動度が低くなり、単位面積当たりの静電容量が増大し易くなる傾向がある。
なお、分散度を調整する方法は、例えば、下引層形成用塗布液を形成する際における金属酸化物粒子の分散時間等によって調整する方法が挙げられる。

また、例えば、金属酸化物粒子の粒径を大きくすると下引層の静電容量が下がり、金属酸化物粒子の粒径を小さくすると下引層の静電容量が上がる傾向がある。
さらに、金属酸化物粒子としてアミノ基を有するシランカップリング剤により表面処理した酸化亜鉛粒子を用い、結着樹脂としてアセタール樹脂を用いた場合、例えば、金属酸化物粒子の表面処理量を多くすると金属酸化物粒子の分散度が下がることで下引層の静電容量が下がり、金属酸化物粒子の表面処理量を少なくすると金属酸化物粒子の分散度が上がることで下引層の静電容量が上がる傾向がある。
また、例えば、金属酸化物粒子の含有量を多くすると結着樹脂量が少なくなることで下引層の静電容量が下がり、金属酸化物粒子の含有量を少なくすると結着樹脂量が多くなることで下引層の静電容量が上がる傾向がある。
また、例えば、電子受容性化合物の含有量を多くすると下引層の静電容量が下がり、電子受容性化合物の含有量を少なくすると下引層の静電容量が上がる傾向がある。
以下、下引層の一例として、結着樹脂と金属酸化物粒子と電子受容性化合物とを含有する層について、材料、製造方法、及び特性等を説明する。

−金属酸化物粒子−
金属酸化物粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等が挙げられ、その中でも、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、及び酸化亜鉛粒子から選ばれる少なくとも１種が好ましく、酸化亜鉛粒子がより好ましい。

金属酸化物粒子の体積平均一次粒径としては、例えば、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が挙げられる。
金属酸化物粒子の体積平均一次粒径が上記範囲であることにより、上記範囲よりも小さい場合に比べて、金属酸化物粒子の表面積が大きすぎることによる分散液中での偏在が抑制される。また、金属酸化物粒子の体積平均一次粒径が上記範囲であることにより、上記範囲よりも大きい場合に比べて、二次粒子又はそれ以上の高次粒子の粒径が大きすぎることによる下引層内での偏在が抑制される。なお、上記下引層内での偏在が起こると、下引層内で金属酸化物粒子の存在する部分と存在しない部分とで構成された海島構造が形成され、ハーフトーン濃度のムラ等の画像欠陥が発生することがある。
また、金属酸化物粒子の体積平均一次粒径は、下引層における単位面積当たりの静電容量を前記範囲に調整する観点から、２０ｎｍ以上７０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以上６０ｎｍ以下がより好ましい。

金属酸化物粒子の体積平均一次粒径の測定は、レーザ回折式粒度分布測定装置（ＬＡ−７００：堀場製作所製）を用いて測定を行う。測定法としては、分散液となっている状態の試料を固形分で２ｇになるように調整し、これにイオン交換水を添加して、４０ｍｌにする。これをセルに適当な濃度になるまで投入し、２分待ったところで測定する。得られたチャンネルごとの粒径を体積基準で小さい方から累積し、累積５０％になったところを体積平均一次粒径とする。

金属酸化物粒子の体積抵抗率としては、例えば、１０^４Ω・ｃｍ以上１０^１０Ω・ｃｍ以下が挙げられる。
下引層は、電子写真プロセス速度に対応した周波数で適切なインピーダンスを得ることが好ましく、その観点で、金属酸化物粒子の体積抵抗率が上記範囲であることが好ましい。すなわち、金属酸化物粒子の体積抵抗率が上記範囲であることにより、上記範囲よりも低い場合に比べて、インピーダンスの粒子含有量依存性の傾きが小さくなり、インピーダンスの制御困難性が抑制されやすくなる。また、金属酸化物粒子の体積抵抗率が上記範囲であることにより、上記範囲よりも高い場合に比べて、残留電位の上昇が抑制されやすくなる。

金属酸化物粒子の体積抵抗率は、次のようにして測定する。なお、測定環境は、温度２０℃、湿度５０％ＲＨとする。
まず、層中から金属酸化物粒子を分離する。そして、２０ｃｍ^２の電極板を配した円形の治具の表面に、測定対象となる分離した金属酸化物粒子を１ｍｍ以上３ｍｍ以下程度の厚さになるように載せ、金属酸化物粒子層を形成する。この上に前記同様の２０ｃｍ^２の電極板を載せ金属酸化物粒子層を挟み込む。金属酸化物粒子間の空隙をなくすため、金属酸化物粒子層上に載せた電極板の上に４ｋｇの荷重をかけてから金属酸化物粒子層の厚み（ｃｍ）を測定する。金属酸化物粒子層上下の両電極には、エレクトロメーター及び高圧電源発生装置に接続されている。両電極に電界が予め定められた値となるように高電圧を印加し、このとき流れた電流値（Ａ）を読み取ることにより、金属酸化物粒子の体積抵抗率（Ω・ｃｍ）を計算する。金属酸化物粒子の体積抵抗率（Ω・ｃｍ）の計算式は、下式に示す通りである。
なお、式中、ρは金属酸化物粒子の体積抵抗率（Ω・ｃｍ）、Ｅは印加電圧（Ｖ）、Ｉは電流値（Ａ）、Ｉ_０は印加電圧０Ｖにおける電流値（Ａ）、Ｌは金属酸化物粒子層の厚み（ｃｍ）をそれぞれ表す。本評価では印加電圧が１０００Ｖの時の体積抵抗率を用いた。
・式：ρ＝Ｅ×２０／（Ｉ−Ｉ_０）／Ｌ

金属酸化物粒子の含有量としては、例えば、結着樹脂に対して１０質量％以上８０質量％以下が挙げられ、下引層における単位面積当たりの静電容量を前記範囲に調整する観点から４５質量％以上７０質量％以下が好ましく、５５質量％以上６５質量％以下がより好ましい。

金属酸化物粒子は、表面処理剤によって表面処理が施されていてもよく、表面処理剤の中でも１種以上のカップリング剤で処理されたものであることが好ましい。カップリング剤は、一般に、有機系材料と無機系材料とを化学的に結び付ける作用を有するものであり、例えば、金属酸化物粒子の表面と親和性又は反応性を有する官能基を含有する化合物が挙げられる。
なお、金属酸化物粒子は、表面処理の異なるものを２種以上混合して用いてもよく、粒子径の異なるものを２種以上混合して用いてもよい。

表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。

アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。

金属酸化物粒子は、例えば、カップリング剤で表面処理がされた後、必要に応じて、金属酸化物粒子の体積抵抗率の環境依存性の改善等の目的で熱処理を行ってもよい。上記熱処理における温度としては、例えば、１５０℃以上３００℃以下が挙げられ、上記熱処理における処理時間としては、例えば、３０分以上５時間以下が挙げられる。

表面処理剤の処理量としては、例えば、金属酸化物粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が挙げられる。また、例えば金属酸化物粒子としてアミノ基を有するシランカップリング剤により表面処理した酸化亜鉛粒子を用い、結着樹脂としてアセタール樹脂を用いた場合、金属酸化物粒子に対する表面処理剤の処理量は、下引層における単位面積当たりの静電容量を前記範囲に調整する観点から０．５質量％以上２．０質量％以下が好ましく、０．７質量％以上１．３質量％以下がより好ましい。

−電子受容性化合物−
電子受容性化合物は、下引層中に金属酸化物粒子と共に分散して含まれていてもよいし、金属酸化物粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。電子受容性化合物が金属酸化物粒子の表面に付着した状態で含まれる場合、電子受容性化合物は、金属酸化物粒子の表面と化学反応する材料、又は金属酸化物粒子の表面に吸着する材料であることが好ましく、金属酸化物粒子の表面に選択的に存在し得る。

電子受容性化合物としては、例えば、キノン骨格、アントラキノン骨格、クマリン骨格、フタロシアニン骨格、トリフェニルメタン骨格、アントシアニン骨格、フラボン骨格、フラーレン骨格、ルテニウム錯体骨格、キサンテン骨格、ベンゾキサジン骨格、ポルフィリン骨格等を有する電子受容性化合物が挙げられる。
なお、電子受容性化合物は、これら骨格に、酸性基（例えば、水酸基、カルボキシル基、スルホニル基等）、アリール基、アミノ基等の置換基で置換された化合物であってもよい。

特に、電子受容性化合物としては、下引層における単位面積あたりの静電容量を前記範囲に調整する観点から、アントラキノン骨格を有する電子受容性化合物が好ましく、ヒドロキシアントラキノン骨格（水酸基を持つアントラキノン骨格）を有する電子受容性化合物がより好ましい。

ヒドロキシアントラキノン骨格を有する電子受容性化合物として具体的には、例えば、下記一般式（１）で示される化合物が挙げられる。

一般式（１）中、ｎ１及びｎ２は、各々独立に０以上３以下の整数を表す。但し、ｎ１及びｎ２の少なくとも一方は、各々独立に１以上３以下の整数を表す（つまり、ｎ１及びｎ２が同時に０を表さない）。ｍ１及びｍ２は、各々独立に０又は１の整数を示す。Ｒ^１１及びＲ^１２は、各々独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、又は炭素数１以上１０以下のアルコキシ基を表す。

また、電子受容性化合物としては、下記一般式（２）で表される化合物であってもよい。

一般式（２）中、ｎ１、ｎ２、ｎ３、及びｎ４は、各々独立に０以上３以下の整数を表す。ｍ１及びｍ２は、各々独立に０又は１の整数を示す。ｎ１及びｎ２の少なくとも一方は、各々独立に１以上３以下の整数を表す（つまり、ｎ１及びｎ２が同時に０を表さない）。ｎ３及びｎ４の少なくとも一方は、各々独立に１以上３以下の整数を表す（つまり、ｎ３及びｎ４が同時に０を表さない）。ｒは、２以上１０以下の整数を示す。Ｒ^１１及びＲ^１２は、各々独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、又は炭素数１以上１０以下のアルコキシ基を表す。

ここで、一般式（１）及び（２）中、Ｒ^１１及びＲ^１２が表す炭素数１以上１０以下のアルキル基としては、直鎖状、又は分枝状のいずれでもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等が挙げられる。炭素数１以上１０以下のアルキル基としては、好ましくは１以上８以下のアルキル基、より好ましくは１以上６以下のアルキル基である。
Ｒ^１１及びＲ^１２が表す炭素数１以上１０以下のアルコキシ基（アルコキシル基）としては、直鎖状、又は分枝状のいずれでもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基等が挙げられる。炭素数１以上１０以下のアルコキシ基としては、好ましくは１以上８以下のアルコキシル基、より好ましくは１以上６以下のアルコキシル基である。

電子受容性化合物の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。

電子受容性化合物を金属酸化物粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。

乾式法は、例えば、金属酸化物粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を金属酸化物粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。

湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、金属酸化物粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を金属酸化物粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に金属酸化物粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。

なお、電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を金属酸化物粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。

電子受容性化合物の含有量は、例えば、金属酸化物粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下がよく、好ましくは０．１質量％以上１０質量％以下である。
電子受容性化合物の含有量が上記範囲であることにより、上記範囲よりも小さい場合に比べて、電子受容性化合物のアクセプターとしての効果が得られやすい。また、電子受容性化合物の含有量が上記範囲であることにより、上記範囲よりも大きい場合に比べて、金属酸化物粒子同士の凝集を引き起こして下引層内に金属酸化物粒子が偏在しすぎることが起こりにくく、金属酸化物粒子が偏在しすぎることによる残留電位の上昇、黒点の発生、ハーフトーン濃度ムラ等が起こりにくい。
また、電子受容性化合物の含有量は、下引層における単位面積当たりの静電容量を前記範囲に調整する観点から、０．５質量％以上１５質量％が好ましく、０．８質量％以上１０質量％以下がより好ましい。

−結着樹脂−
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。

これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。

−添加剤−
下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように金属酸化物粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。

添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。

ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。

チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。

アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。

これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。

下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。

−下引層の形成方法−
下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。

下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。

下引層形成用塗布液を調製するときの金属酸化物粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。

下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

下引層の膜厚は、例えば、好ましくは１５μｍ以上３０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以上２５μｍ以下の範囲内に設定される。

（中間層）
図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。

これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。

中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。

中間層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。なお、中間層を下引層として使用してもよい。

（電荷発生層）
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。

電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。

これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、特開平５−２６３００７号公報、特開平５−２７９５９１号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン；特開平５−９８１８１号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン；特開平５−１４０４７２号公報、特開平５−１４０４７３号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン；特開平４−１８９８７３号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンがより好ましい。

一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；特開２００４−７８１４７号公報、特開２００５−１８１９９２号公報に開示されたビスアゾ顔料等が好ましい。

４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ−型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。

これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ−型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。ｎ−型の電荷発生材料としては、例えば、特開２０１２−１５５２８２号公報の段落［０２８８］〜［０２９１］に記載された化合物（ＣＧ−１）〜（ＣＧ−２７）が挙げられるがこれに限られるものではない。
なお、ｎ−型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ−型とする。

電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０^１３Ω・ｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。

なお、電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが好ましい。

電荷発生層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。

電荷発生層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。なお、電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。

電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。

電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。

電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

電荷発生層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。

（電荷輸送層）
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。

電荷輸送材料としては、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。電荷輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物も挙げられる。これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。

電荷輸送材料としては、電荷移動度の観点から、下記構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び下記構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体が好ましい。

構造式（ａ−１）中、Ａｒ^Ｔ１、Ａｒ^Ｔ２、及びＡｒ^Ｔ３は、各々独立に置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ_６Ｈ_４−Ｃ（Ｒ^Ｔ４）＝Ｃ（Ｒ^Ｔ５）（Ｒ^Ｔ６）、又は−Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｔ７）（Ｒ^Ｔ８）を示す。Ｒ^Ｔ４、Ｒ^Ｔ５、Ｒ^Ｔ６、Ｒ^Ｔ７、及びＲ^Ｔ８は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。

構造式（ａ−２）中、Ｒ^Ｔ９１及びＲ^Ｔ９２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基を示す。Ｒ^Ｔ１０１、Ｒ^Ｔ１０２、Ｒ^Ｔ１１１及びＲ^Ｔ１１２は各々独立に、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ（Ｒ^Ｔ１２）＝Ｃ（Ｒ^Ｔ１３）（Ｒ^Ｔ１４）、又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｔ１５）（Ｒ^Ｔ１６）を示し、Ｒ^Ｔ１２、Ｒ^Ｔ１３、Ｒ^Ｔ１４、Ｒ^Ｔ１５及びＲ^Ｔ１６は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２は各々独立に０以上２以下の整数を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。

ここで、構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び前記構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体のうち、特に、「−Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｔ７）（Ｒ^Ｔ８）」を有するトリアリールアミン誘導体、及び「−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｔ１５）（Ｒ^Ｔ１６）」を有するベンジジン誘導体が、電荷移動度の観点で好ましい。

電荷輸送材料としては、電荷移動度の観点から、下記一般式（ＣＴ１）で表されるブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）も好ましく挙げられる。

一般式（ＣＴ１）中、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上３０以下のアリール基を表し、隣接する２つの置換基同士が結合して炭化水素環構造を形成してもよい。
ｃｍ及びｃｎは、各々独立に、０、１又は２を表す。

一般式（ＣＴ１）において、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。これらの中でも、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。

一般式（ＣＴ１）において、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が表すアルキル基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基、イソウンデシル基、ｓｅｃ−ウンデシル基、ｔｅｒｔ−ウンデシル基、ネオウンデシル基、イソドデシル基、ｓｅｃ−ドデシル基、ｔｅｒｔ−ドデシル基、ネオドデシル基、イソトリデシル基、ｓｅｃ−トリデシル基、ｔｅｒｔ−トリデシル基、ネオトリデシル基、イソテトラデシル基、ｓｅｃ−テトラデシル基、ｔｅｒｔ−テトラデシル基、ネオテトラデシル基、１−イソブチル−４−エチルオクチル基、イソペンタデシル基、ｓｅｃ−ペンタデシル基、ｔｅｒｔ−ペンタデシル基、ネオペンタデシル基、イソヘキサデシル基、ｓｅｃ−ヘキサデシル基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシル基、ネオヘキサデシル基、１−メチルペンタデシル基、イソヘプタデシル基、ｓｅｃ−ヘプタデシル基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシル基、ネオヘプタデシル基、イソオクタデシル基、ｓｅｃ−オクタデシル基、ｔｅｒｔ−オクタデシル基、ネオオクタデシル基、イソノナデシル基、ｓｅｃ−ノナデシル基、ｔｅｒｔ−ノナデシル基、ネオノナデシル基、１−メチルオクチル基、イソイコシル基、ｓｅｃ−イコシル基、ｔｅｒｔ−イコシル基、ネオイコシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基等の低級アルキル基が好ましい。

一般式（ＣＴ１）において、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が表すアルコキシ基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が挙げられる。
直鎖状のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−ノナデシルオキシ基、ｎ−イコシルオキシ基等が挙げられる。
分岐状のアルコキシ基として具体的には、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ−ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ−デシルオキシ基、ｔｅｒｔ−デシルオキシ基、イソウンデシルオキシ基、ｓｅｃ−ウンデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ウンデシルオキシ基、ネオウンデシルオキシ基、イソドデシルオキシ基、ｓｅｃ−ドデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ドデシルオキシ基、ネオドデシルオキシ基、イソトリデシルオキシ基、ｓｅｃ−トリデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−トリデシルオキシ基、ネオトリデシルオキシ基、イソテトラデシルオキシ基、ｓｅｃ−テトラデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−テトラデシルオキシ基、ネオテトラデシルオキシ基、１−イソブチル−４−エチルオクチルオキシ基、イソペンタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ペンタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンタデシルオキシ基、ネオペンタデシルオキシ基、イソヘキサデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキサデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシルオキシ基、ネオヘキサデシルオキシ基、１−メチルペンタデシルオキシ基、イソヘプタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシルオキシ基、ネオヘプタデシルオキシ基、イソオクタデシルオキシ基、ｓｅｃ−オクタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクタデシルオキシ基、ネオオクタデシルオキシ基、イソノナデシルオキシ基、ｓｅｃ−ノナデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノナデシルオキシ基、ネオノナデシルオキシ基、１−メチルオクチルオキシ基、イソイコシルオキシ基、ｓｅｃ−イコシルオキシ基、ｔｅｒｔ−イコシルオキシ基、ネオイコシルオキシ基等が挙げられる。
これらの中でも、アルコキシ基としては、メトキシ基が好ましい。

一般式（ＣＴ１）において、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が表すアリール基としては、炭素数６以上３０以下（好ましくは６以上２０以下、より好ましくは６以上１６以下）のアリール基が挙げられる。
アリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ビフェニリル基などが挙げられる。
これらの中でも、アリール基としては、フェニル基、ナフチル基が好ましい。

なお、一般式（ＣＴ１）において、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、上記例示した原子および基（例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基など）が挙げられる。

一般式（ＣＴ１）において、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６の隣接する二つの置換基同士（例えばＲ^Ｃ１１及びＲ^Ｃ１２同士、Ｒ^Ｃ１３及びＲ^Ｃ１４同士、Ｒ^Ｃ１５及びＲ^Ｃ１６同士）が連結した炭化水素環構造における、当該置換基同士を連結する基としては、単結合、２，２’−メチレン基、２，２’−エチレン基、２，２’−ビニレン基などが挙げられ、これらの中でも単結合、２，２’−メチレン基が好ましい。
ここで、炭化水素環構造として具体的には、例えば、シクロアルカン環構造、シクロアルケン環構造、シクロアルカンポリエン環構造等が挙げられる。

一般式（ＣＴ１）において、ｃｍ及びｃｎは、１であることが好ましい。

一般式（ＣＴ１）において、電荷輸送能の高い感光層（電荷輸送層）形成の点から、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、又は炭素数１以上２０以下のアルコキシ基を表し、ｃｍ及びｃｎが１又は２を表することが好ましく、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が水素原子を表し、ｃｍ及びｃｎが１を表すことがより好ましい。
つまり、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）は、下記構造式（ＣＴ１Ａ）で示される電荷輸送材料（例示化合物（ＣＴ１−３））であることがより好ましい。

以下に、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）の具体例を示すが、これに限定されるわけではない。

なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。また、置換基の前に付す番号は、ベンゼン環に対する置換位置を示している。
・−ＣＨ_３：メチル基
・−ＯＣＨ_３：メトキシ基

ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

電荷輸送材料としては、電荷移動度の観点から、下記一般式（ＣＴ２）で表されるベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）も好ましく挙げられる。特に、電荷移動度の観点から、電荷輸送材料として、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）とベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）とを併用することが好ましい。

一般式（ＣＴ２）中、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、及びＲ^Ｃ２３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。

一般式（ＣＴ２）において、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、及びＲ^Ｃ２３が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。これらの中でも、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。

一般式（ＣＴ２）において、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、及びＲ^Ｃ２３が表すアルキル基としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基等の低級アルキル基が好ましい。

一般式（ＣＴ２）において、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、及びＲ^Ｃ２３が表すアルコキシ基としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が挙げられる。
直鎖状のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基等が挙げられる。
分岐状のアルコキシ基として具体的には、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ−ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ−デシルオキシ基、ｔｅｒｔ−デシルオキシ基等が挙げられる。
これらの中でも、アルコキシ基としては、メトキシ基が好ましい。

一般式（ＣＴ２）において、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、及びＲ^Ｃ２３が表すアリール基としては、炭素数６以上１０以下（好ましくは６以上９以下、より好ましくは６以上８以下）のアリール基が挙げられる。
アリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基などが挙げられる。
これらの中でも、アリール基としては、フェニル基が好ましい。

なお、一般式（ＣＴ２）において、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、及びＲ^Ｃ２３が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、上記例示した原子及び基（例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基など）が挙げられる。

一般式（ＣＴ２）において、特に、電荷輸送能の高い感光層（電荷輸送層）形成（感光体の高感度化）の点から、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、及びＲ^Ｃ２３が、各々独立に、水素原子、又は、炭素数１以上１０以下のアルキル基を表すことが好ましく、Ｒ^Ｃ２１、及びＲ^Ｃ２３が水素原子を表し、Ｒ^Ｃ２２が炭素数１以上１０以下のアルキル基（特に、メチル基）を表すことがより好ましい。
具体的には、ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）は、下記構造式（ＣＴ２Ａ）で示される電荷輸送材料（例示化合物（ＣＴ２−２））であることが特に好ましい。

以下に、ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）の具体例を示すが、これに限定されるわけではない。

なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。また、置換基の前に付す番号は、ベンゼン環に対する置換位置を示している。
・−ＣＨ_３：メチル基
・−Ｃ_２Ｈ_５：エチル基
・−ＯＣＨ_３：メトキシ基
・−ＯＣ_２Ｈ_５：エトキシ基

ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

高分子電荷輸送材料としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の電荷輸送性を有する公知のものが用いられる。特に、特開平８−１７６２９３号公報、特開平８−２０８８２０号公報等に開示されているポリエステル系の高分子電荷輸送材は特に好ましい。なお、高分子電荷輸送材料は、単独で使用してよいが、結着樹脂と併用してもよい。

電荷輸送層に用いる結着樹脂は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの中でも、結着樹脂としては、ポリカーボネート樹脂又はポリアリレート樹脂が好適である。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。
なお、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：５までが好ましい。

電荷輸送層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。

電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。

電荷輸送層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、２−ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。

電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

電荷輸送層の膜厚は、例えば、好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以上４０μｍ以下の範囲内に設定される。

（保護層）
保護層は、必要に応じて感光層上に設けられる。保護層は、例えば、帯電時の感光層の化学的変化を防止したり、感光層の機械的強度をさらに改善する目的で設けられる。
そのため、保護層は、硬化膜（架橋膜）で構成された層を適用することがよい。これら層としては、例えば、下記１）又は２）に示す層が挙げられる。

１）反応性基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に有する反応性基含有電荷輸送材料を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり当該反応性基含有電荷輸送材料の重合体又は架橋体を含む層）
２）非反応性の電荷輸送材料と、電荷輸送性骨格を有さず、反応性基を有する反応性基含有非電荷輸送材料と、を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり、非反応性の電荷輸送材料と、当該反応性基含有非電荷輸送材料の重合体又は架橋体と、を含む層）

反応性基含有電荷輸送材料の反応性基としては、連鎖重合性基、エポキシ基、−ＯＨ、−ＯＲ［但し、Ｒはアルキル基を示す］、−ＮＨ_２、−ＳＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳｉＲ^Ｑ１ _３−Ｑｎ（ＯＲ^Ｑ２）_Ｑｎ［但し、Ｒ^Ｑ１は水素原子、アルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表し、Ｒ^Ｑ２は水素原子、アルキル基、トリアルキルシリル基を表す。Ｑｎは１〜３の整数を表す］等の周知の反応性基が挙げられる。

連鎖重合性基としては、ラジカル重合しうる官能基であれば特に限定されるものではなく、例えば、少なくとも炭素二重結合を含有する基を有する官能基である。具体的には、ビニル基、ビニルエーテル基、ビニルチオエーテル基、ビニルフェニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基等が挙げられる。なかでも、その反応性に優れることから、連鎖重合性基としては、ビニル基、ビニルフェニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基であることが好ましい。

反応性基含有電荷輸送材料の電荷輸送性骨格としては、電子写真感光体における公知の構造であれば特に限定されるものではなく、例えば、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の含窒素の正孔輸送性化合物に由来する骨格であって、窒素原子と共役している構造が挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン骨格が好ましい。

これら反応性基及び電荷輸送性骨格を有する反応性基含有電荷輸送材料、非反応性の電荷輸送材料、反応性基含有非電荷輸送材料は、周知の材料から選択すればよい。

保護層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。

保護層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた保護層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱等の硬化処理することで行う。

保護層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル等のセロソルブ系溶剤；イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶剤等が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
なお、保護層形成用塗布液は、無溶剤の塗布液であってもよい。

保護層形成用塗布液を感光層（例えば電荷輸送層）上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

保護層の膜厚は、例えば、好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上１０μｍ以下の範囲内に設定される。

（単層型感光層）
単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、例えば、電荷発生材料と電荷輸送材料と、必要に応じて、結着樹脂、及びその他周知の添加剤と、を含む層である。なお、これら材料は、電荷発生層及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。
そして、単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、全固形分に対して１０質量％以上８５質量％以下がよく、好ましくは２０質量％以上５０質量％以下である。また、単層型感光層中、電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して５質量％以上５０質量％以下がよい。
単層型感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。
単層型感光層の膜厚は、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下がよく、好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下である。

＜帯電装置＞
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。

＜露光装置＞
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。

＜現像装置＞
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。

現像装置１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、周知のものが適用される。

＜クリーニング装置＞
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。

＜中間転写体＞
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。

本実施形態では、中間転写体５０として、体積抵抗率の常用対数値が８．０ｌｏｇΩ・ｃｍ以上１２．０ｌｏｇΩ・ｃｍ以下であるものを用いる。
中間転写体５０の体積抵抗率の常用対数値が上記範囲であることにより、上記範囲よりも大きい場合に比べて、一次転写時の静電反発によるトナーの飛び散りに起因する転写不良が抑制される。また中間転写体５０の体積抵抗率の常用対数値が上記範囲であることにより、上記範囲よりも小さい場合に比べて、中間転写体の像保持力が不足することによる像流れに起因する転写不良が抑制される。
また、中間転写体５０の体積抵抗率の常用対数値は、転写不良の抑制の観点から、８.０ｌｏｇΩ・ｃｍ以上１２．０ｌｏｇΩ・ｃｍ以下が好ましく、９．０ｌｏｇΩ・ｃｍ以上１１．０ｌｏｇΩ・ｃｍ以下がより好ましい。

中間転写体５０の体積抵抗率は、例えば中間転写体５０が中間転写ベルト（無端ベルト）である場合、ＪＩＳ Ｋ６９１１に準じて、図４に示す体積抵抗率測定装置５００を用いて、測定する。詳細には、図４に示すように、体積抵抗率測定装置５００は、円形電極５２０と、平板状の対向電極５４０と、を備えている。円形電極５２０は、円柱状電極部５６０と、該円柱状電極部５６０の外径より大きい内径を有し、且つ円柱状電極部５６０を一定の間隔をあけて囲む円筒状の円筒状電極部５８０と、を備えている。対向電極５４０は、測定対象の無端ベルトである中間転写体５０を介して円形電極５２０に向かい合うように配置される電極である。

円形電極５２０としては、例えば、三菱アナリテック株式会社製ハイレスターＵＰのＵＲプローブ（二重リング電極構造のプローブ）等が挙げられる。また、対向電極５４０としては、例えば、ＳＵＳ３０４製の平板状の電極（例えば、５ｍｍ厚、８０ｍｍ×５００ｍｍの板状部材）が挙げられる。また、電流の測定装置としては、例えば、Ｒ８３４０Ａデジタル超高抵抗／微小電流計（株式会社 アドバンテスト社製）が挙げられる。

体積抵抗率の測定時には、例えば、円形電極５２０における円柱状電極部５６０と、対向電極５４０と、の間に測定対象の無端ベルトである中間転写体５０を挟み、荷重が１９．６Ｎになるように重りを載せて中間転写体５０に一様な荷重がかかるようにする。そして、例えば、円形電極５２０に上記デジタル超高抵抗／微小電流計を電気的に接続し、測定条件を、チャージタイムを３ｓｅｃ、ディスチャージタイムを１ｓｅｃ、印加電圧を１００Ｖとする。

この時、測定対象の中間転写体５０の体積抵抗率をρｖ、中間転写体５０の厚さｔ（μｍ）、Ｒ８３４０Ａ デジタル超高抵抗／微小電流計の読み値をＲ、円形電極５２の体積抵抗率補正係数をＲＣＦ（Ｖ）とする。なお、円形電極５２０として、三菱アナリテック株式会社製ハイレスターＵＰのＵＲプローブを用いた場合には、ダイアインスツルメンツ社「抵抗率計シリーズ」カタログによれば、ＲＣＦ（Ｖ）＝２．０１１である。このため、中間転写体５０の体積抵抗率は、下記式（１）により算出される。
式（１）：ρｖ［Ω・ｃｍ］＝Ｒ×ＲＣＦ（Ｖ）×（１００００／ｔ）＝Ｒ×２．０１１×（１００００／ｔ）となる。

中間転写体５０の体積抵抗率を制御する方法としては、特に制限されるものではないが、中間転写体５０が樹脂と導電材料とを含有する中間転写ベルトである場合、例えば、樹脂中における導電材料の分散度を調整する方法、及び樹脂中における導電材料の含有量を調整する方法、並びにこれらを組み合わせる方法等が挙げられる。

具体的には、各種材料の種類、組み合わせ、及び含有量等の条件によって適切な調整方法が変わるが、例えば、導電材料の分散度を下げると中間転写体５０の体積抵抗率が下がり、導電材料の分散度を上げると中間転写体５０の体積抵抗率が上がる。なお、分散度を調整する方法は、例えば、中間転写ベルト形成用塗布液を形成する際における導電材料の分散時間等によって調整する方法が挙げられる。
また、導電材料の含有量を多くすると中間転写体５０の体積抵抗率が下がり、導電材料の含有量を少なくすると中間転写体５０の体積抵抗率が上がる。
以下、中間転写体５０の一例として、中間転写ベルト（無端ベルト）について、材料、製造方法、及び特性等を説明する。

（中間転写ベルト）
中間転写ベルトは、例えば、樹脂と、導電材料と、を含む。
樹脂としては、例えば、ポリイミド系樹脂（例えば、熱可塑性、又は熱硬化性のポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエステルイミド樹脂）、ポリアミド樹脂、ポリエーテルエーテルエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエステル樹脂、補強材を添加してなるポリエステル樹脂などが挙げられる。
樹脂としては、これらの中でもポリイミド系樹脂が好適である。

中間転写ベルトに含まれる樹脂のヤング率は、ベルトとしての機械特性を発揮する観点から、例えば３５００ＭＰａ以上が挙げられ、好ましくは４０００ＭＰａ以上である。
なお、ヤング率は、ＪＩＳ Ｋ７１２７（１９９９）に準じて引張試験を行い、得られた応力・歪曲線の初期ひずみ領域の曲線に接線を引き、その傾きにより求める。測定条件としては、短冊状試験片（幅６ｍｍ、長さ１３０ｍｍ）、ダンベル１号、試験速度５００ｍｍ／分、厚みはベルト本体の厚みの各設定で測定するものとする。

導電材料としては、例えば、導電性（例えば体積抵抗率１０^７Ω・ｃｍ未満、以下同様である）もしくは半導電性（例えば体積抵抗率１０^７Ω・ｃｍ以上１０^１３Ω・ｃｍ以下、以下同様である）の材料が挙げられる。
導電材料として具体的は、例えば、カーボンブラック（例えばケッチエンブラック、アセチレンブラック、表面が酸化処理されたカーボンブラック等）、金属（例えばアルミニウムやニッケル等）、酸化金属化合物（例えば酸化イットリウム、酸化錫等）、イオン導電性物質（例えばチタン酸カリウム、ＬｉＣｌ等）、導電性高分子（例えばポリアニリン、ポリピロール、ポリサルフォン、ポリアセチレンなど）等が挙げられる。
導電材料は、１種単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。

導電材料は、電気抵抗の経時での安定性や、転写電圧による電界集中を抑制する電界依存性の観点から、ｐＨ５以下（好ましくはｐＨ４．５以下であり、より好ましくはｐＨ４．０以下）の酸化処理カーボンブラック（例えば表面にカルボキシル基、キノン基、ラクトン基、水酸基等を付与して得られたカーボンブラック）がよく、電気的耐久性付与の観点から、導電性高分子（例えばポリアニリン等）がよい。

導電材料がカーボンブラック等のように粒子状である場合、その個数平均一次粒径としては、例えば１０μｍ未満が挙げられ、好ましくは１μｍ以下である。
特に、導電材料がカーボンブラックである場合、個数平均一次粒径は、例えば、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下が挙げられ、１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下が好ましい。
上記個数平均一次粒径は、次の方法により測定される。
まず、測定対象となる中間転写ベルトから、ミクロトームにより切断して、１００ｎｍの厚みの測定サンプルを採取し、本測定サンプルをＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）により観察する。そして、導電材料の粒子５０個の各々の投影面積に等しい円の直径を粒径として、その平均値を個数平均一次粒径とする。

導電材料の含有量は、例えば、中間転写ベルト全体に対して１質量％以上５０質量％以下が挙げられ、中間転写ベルトの体積抵抗率を前記範囲にする観点から１０質量％以上３０質量％以下が好ましく、１５質量％以上２５質量％以下がより好ましい。

なお、中間転写ベルトは、樹脂及び導電材料以外のその他の添加剤を含んでもよい。その他の添加剤としては、例えば、導電材料の分散性を向上するための分散剤、中間転写ベルトの機械強度などの各種機能を付与するための各種充填剤、樹脂を合成する過程での反応を促進するための触媒、製膜品質向上のためのレベリング剤等が挙げられる。

（中間転写ベルトの製造方法）
以下、中間転写ベルトの一例として、樹脂がポリイミド樹脂であり、かつ、導電材料がカーボンブラックである形態の中間転写ベルトについて製造方法を説明するが、これに限られるわけではない。

まず、芯体を準備する。準備する芯体としては、例えば、円筒状金型等が挙げられる。芯体の素材としては、例えば、アルミニウム、ステンレス、ニッケル等の金属が挙げられる。芯体の長さは、製造する中間転写ベルトの幅以上の長さが必要であるが、製造する中間転写ベルトの幅より、１０％以上４０％以下長いことが好ましい。

次に、中間転写ベルト形成用塗布液として、例えば、カーボンブラックを分散させたポリアミック酸溶液を準備する。
具体的には、例えば、有機極性溶媒中にテトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物を溶解させ、これにカーボンブラックを分散させた後、重合してカーボンブラックを分散させたポリアミック酸溶液を準備する。

有機極性溶媒としては、例えば、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミドなどのホルムアミド系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミドなどのアセトアミド系溶媒；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−ビニル−２−ピロリドンなどのピロリドン系溶媒；フェノール、ｏ−、ｍ−、又はｐ−クレゾール、キシレノール、ハロゲン化フェノール、カテコールなどのフェノール系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン等のエーテル系溶媒；メタノール、エタノール、ブタノール等のアルコール系溶媒；ブチルセロソルブ等のセロソルブ系；及びヘキサメチルホスホルアミド、γ−ブチロラクトン；等が挙げられる。
有機極性溶媒は、１種のみを用いても、２種以上を併用してもよい。

カーボンブラックの分散方法としては、例えば、ボールミル、サンドミル、ビーズミル、ジェットミル（対向衝突型分散機）等、公知の方法が挙げられる。

ポリアミック酸溶液における、モノマー濃度（溶媒中におけるテトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物の濃度）は種々の条件により設定されるが、例えば、５質量％以上３０質量％以下が挙げられる。また、重合反応温度は８０℃以下に設定することが好ましく、特に好ましくは５℃以上５０℃以下であり、重合反応時間は５時間以上１０時間以下である。

次に、中間転写ベルト形成用塗布液を芯材としての円筒状金型に塗布し、中間転写ベルト形成用塗布液の塗膜を形成する。
塗布液の円筒状金型への塗布方法は、特に制限はなく、例えば、円筒状金型の外周面に浸漬する方法や、円筒状金型の内周面に塗布する方法、軸を水平にして円筒状金型を回転させながら、その外周面又は内周面にらせん状に塗布する方法や、円筒状金型の外周と特定の間隔を有するダイを用い塗布する方法により塗布する方法等が挙げられる。

次に、中間転写ベルト形成用塗布液の塗膜を乾燥させ、中間転写ベルトとなる皮膜（乾燥したイミド化前の塗膜）を形成する。乾燥条件は、例えば８０℃以上２００℃以下の温度で１０分間以上６０分間以下がよく、温度が高いほど加熱時間は短くてよい。加熱の際、熱風を当てることも有効である。加熱時は、温度を段階的に上昇させたり、速度を変化させずに上昇させてもよい。円筒状金型の軸方向を水平にして、芯体を５ｒｐｍ以上６０ｒｐｍ以下で回転させるのがよい。乾燥後は円筒状金型を垂直にしてもよい。

次に、中間転写ベルト形成用塗布液の塗膜を乾燥させた皮膜に対して、加熱処理を行う。
本加熱処理は、皮膜のポリアミック酸がイミド化する条件（温度・時間）で行う。そして、本加熱処理を行った後、皮膜を芯体から抜き取る。これにより、中間転写ベルトが得られる。

ここで、イミド化する加熱条件としては、例えば２５０℃以上４５０℃以下（好ましくは３００℃以上３５０℃以下）で、２０分間以上６０分間以下加熱することで、イミド化反応が起こり、ポリイミド樹脂の皮膜が形成される。加熱反応の際、加熱の最終温度に達する前に、温度を段階的、又は一定速度で徐々に上昇させて加熱することがよい。
なお、必要に応じて、得られた中間転写ベルトの表面に表面層を設けてもよい。

（中間転写ベルトの特性）
中間転写体の外周面における表面抵抗率は、常用対数値で９（ｌｏｇΩ／□）以上１３（ｌｏｇΩ／□）以下であることが好ましく、１０（ｌｏｇΩ／□）以上１２（ｌｏｇΩ／□）以下であることがより好ましい。
表面抵抗率の常用対数値が１３（ｌｏｇΩ／□）を超えると、二次転写時に記録媒体と中間転写体とが静電吸着し、記録媒体の剥離ができなくなる場合がある。一方、表面抵抗率の常用対数値が９（ｌｏｇΩ／□）未満であると、中間転写体に一次転写されたトナー像の保持力が不足し画質の粒状性や像乱れが発生する場合がある。尚、前記表面抵抗率の常用対数値は、導電材料の種類、及び導電材料の添加量により制御される。
ここで、表面抵抗率の測定方法は、例えば、円形電極（例えば、三菱油化（株）製ハイレスターＩＰの「ＵＲプローブ」）を用い、ＪＩＳ Ｋ６９１１に従って測定する。

中間転写ベルトの厚みは、例えば、５０μｍ以上５００μｍ以下が挙げられ、６０μｍ以上３００μｍ以下が好ましく、７０μｍ以上１５０μｍ以下がより好ましい。
厚みの測定方法については、ＪＩＳ Ｈ８６８０−１による顕微鏡断面測定法、ＪＩＳ Ｈ８６８０−２による渦電流式測定法、ＪＩＳ Ｈ８６８０−３によるスプリットビーム顕微鏡測定法などが挙げられる。例えば、渦電流式測定法（膜厚測定装置：フィッシャーインスツルメンツ：イソスコープＭＰ３０）を用いて測定される。

＜転写装置＞
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。

図示しない電源によって、トナーの極性とは逆極性の転写電圧を転写装置４０に印加することで、転写装置４０と電子写真感光体７との間に転写電流（一次転写電流）が流れ、電子写真感光体７上のトナー像が中間転写体５０に転写される。
なお、本実施形態では、一次転写電流値を１５（μＡ／ｍｍ）以上１９（μＡ／ｍｍ）以下とする。一次転写電流値が上記範囲であることにより、上記範囲よりも大きい場合に比べてゴーストが抑制される。また、一次転写電流値が上記範囲であることにより、上記範囲よりも小さい場合に比べて転写不良が抑制される。
また、一次転写電流値は、転写不良の抑制及びゴーストの抑制を両立する観点から、軸方向の単位長さ（ｍｍ）あたりの転写電流値が１５（μＡ／ｍｍ）以上１９（μＡ／ｍｍ）以下、１７（μＡ／ｍｍ）以上１８（μＡ／ｍｍ）以下がより好ましい。
なお、図示しない二次転写装置については、中間転写体５０上のトナー像を記録媒体に転写するものであること以外は、上記転写装置４０と同様の構成が適用される。

図５は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図５に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。

本実施形態に係る画像形成装置は、前述したごとく、図１及び図５に示される構成に限定されない。具体的には、前述した、単位面積あたりの静電容量が前記範囲である下引層を有する感光体、体積抵抗率の常用対数値が前記範囲である中間転写体、及び一次転写電流値が前記範囲である一次転写手段を備えていれば、その他の構成は、周知のものを採用すればよい。

以下、実施例により本実施形態を詳細に説明するが、本実施形態は、これら実施例に何ら限定されるものではない。なお、以下の説明において、特に断りのない限り、「部」及び「％」はすべて質量基準である。

＜感光体の作製＞
〔感光体１〕
（下引層の形成）
酸化亜鉛粒子（商品名：ＭＺ−３００、テイカ社製、体積平均一次粒径：３５ｎｍ）：１００質量部、シランカップリング剤として、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン（１０質量％のトルエン溶液）：１０質量部、及びトルエン：２００質量部を混合して攪拌を行い、２時間還流を行った。その後、１０ｍｍＨｇにてトルエンを減圧留去し、１３５℃で２時間焼き付け表面処理を行った。

この表面処理後の酸化亜鉛粒子：３３質量部、ブロック化イソシアネート（商品名：スミジュール３１７５、住友バイエルンウレタン社製）：６質量部、電子受容性化合物「例示化合物（１−９）」：１質量部、及びメチルエチルケトン：２５質量部を３０分間混合した。その後、ブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ−１、積水化学工業社製）：５質量部、シリコーンボール（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）：３質量部、レベリング剤として、シリコーンオイル（商品名：ＳＨ２９ＰＡ、東レダウコーニングシリコーン社製）：０．０１質量部を添加し、サンドミルにて１．２時間の分散を行い、下引層形成用塗布液を得た。

この下引層形成用塗布液を用いて、浸漬塗布法にて直径４０ｍｍ、長さ３５７ｍｍ、肉厚１．０ｍｍのアルミニウム製の基体（アルミニウム基体）上に塗布し、１８０℃、３０分の乾燥硬化を行い、膜厚２５μｍの下引層を得た。

（電荷発生層の形成）
電荷発生材料として、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料：１８質量部、結着樹脂として、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂（商品名：ＶＭＣＨ、株式会社ＮＵＣ製）：１６質量部、及びｎ−酢酸ブチル：１００質量部からなる混合物を容量１００ｍＬガラス瓶中に、充填率５０％で１.０ｍｍφガラスビーズと共に入れて、ペイントシェーカーを用いて２．５時間分散処理し、電荷発生層形成用塗布液を得た。得られた電荷発生層形成用塗布液を、上記で形成した下引層上に浸漬塗布し、１００℃、５分の条件で乾燥して、膜厚０．２０μｍの電荷発生層を形成した。

（電荷輸送層の形成）
電荷輸送材料として、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）「例示化合物（ＣＴ１−３）：２質量部と、下記構造式（ＣＴ２Ａ）で示されるベンジジン誘導体である電荷輸送材料：２質量部と、結着樹脂として、下記構造式（ＰＣ−１）で示されるポリカーボネート樹脂（ｐｍ：ｐｎ＝２５：７５、粘度平均分子量＝４万）：６質量部とをテトラヒドロフラン：６０質量部に加えて溶解した電荷輸送層形成用を得た。この電荷輸送層形成用塗布液を、上記で形成した電荷発生層上に塗布して、１５０℃、３０分の条件で乾燥を行い、膜厚２４μｍの電荷輸送層を形成した。

以上の工程を経て、感光体１を得た。
得られた感光体の下引層における単位面積あたりの静電容量を前述の方法で測定した結果、１．０×１０^−９Ｆ／ｃｍ^２であった。

〔感光体２〕
感光体１の下引層の形成において、サンドミルの分散時間を１．２時間から０．８時間に代えた以外は、感光体１と同様にして、感光体２を作製した。
得られた感光体の下引層における単位面積あたりの静電容量を前述の方法で測定した結果、１．５×１０^−８Ｆ／ｃｍ^２であった。

〔感光体３〕
感光体１の下引層の形成において、サンドミルの分散時間を１.２時間から１．０時間に代えた以外は、感光体１と同様にして、感光体３を作製した。
得られた感光体の下引層における単位面積あたりの静電容量を前述の方法で測定した結果、５×10^−９Ｆ／ｃｍ^２であった。

〔感光体Ｃ１〕
感光体１の下引層の形成において、サンドミルの分散時間を１．２時間から１．４時間に代えた以外は、感光体１と同様にして、感光体Ｃ１を作製した。
得られた感光体の下引層における単位面積あたりの静電容量を前述の方法で測定した結果、２．０×１０^−８Ｆ／ｃｍ^２であった。

〔感光体Ｃ２〕
感光体１の下引層の形成において、サンドミルの分散時間を１．２時間から０．５時間に代えた以外は、感光体１と同様にして、感光体Ｃ２を作製した。
得られた感光体の下引層における単位面積あたりの静電容量を前述の方法で測定した結果、８×１０^−１０Ｆ／ｃｍ^２であった。

＜中間転写ベルトの作製＞
〔中間転写ベルト１〕
（熱硬化性ポリイミド樹脂塗布液１の調整）
熱硬化性ポリイミド樹脂（その前駆体溶液となるポリアミック酸溶液）として、ポリイミドワニス（宇部興産社製、商品名：Ｕ−ワニス−Ａ、固形分：２０質量％）１００質量部（樹脂固形分４０質量部）中に、カーボンブラック（オリオンエンジニアドカーボンズ社製、商品名：Ｓｐｅｃｉａｌ Ｂｌａｃｋ ４、揮発分：１４質量％）２５質量部を徐々に加えながら混合した。この溶液に対して、ハイフレクックスディスパーサーを用いて分散処理を行って、熱硬化性ポリイミド樹脂塗布液１を調整した。

（中間転写ベルト１の作製）
外径９０ｍｍ、長さ４５０ｍｍのＳＵＳ材料製円筒状金型を用意し、その外周面にシリコーン系離型剤を塗布・乾燥処理することで、円筒状金型の離型剤処理を行った。
上記離型剤処理を施した円筒状金型を周方向に１０ｒｐｍの速度で回転させながら、円筒状金型端部より、上記熱硬化性ポリイミド樹脂塗布液１を、口径１．０ｍｍディスペンサーより吐出しながら、金型上に設置した金属ブレードにて一様の圧力で押し付けながら塗布を行った。ディスペンサーユニットを円筒状金型の軸方向に１００ｍｍ／分の速度で移動させることによって円筒状金型上に螺旋状に塗布液を塗布した。塗布後、ブレードを解除して円筒状金型を２分間回転し続けレベリングを行った。

その後、塗膜を形成した円筒状金型を乾燥炉中で１５０℃空気雰囲気下、１０ｒｐｍで回転させながら、３０分乾燥処理を行うことで、溶媒が留去された皮膜を得た。
乾燥後、クリーンオーブン中で、２５０℃、３０分間加熱処理を行い、皮膜（ポリアミック酸の皮膜）のイミド化反応を完了させた。
その後、金型を２５℃にして、金型から皮膜樹脂を取り外し、厚みが８０μｍの中間転写ベルト１を得た。
得られた中間転写ベルトの体積抵抗率の常用対数値を前述の方法で測定した結果、８ｌｏｇΩ・ｃｍであった。

〔中間転写ベルト２〕
カーボンブラックの添加量を１５質量部にした以外は、熱硬化性ポリイミド樹脂塗布液１と同様にして、熱硬化性ポリイミド樹脂塗布液２を得た。
熱硬化性ポリイミド樹脂塗布液１の代わりに熱硬化性ポリイミド樹脂塗布液２を用いた以外は、中間転写ベルト１と同様にして、厚みが８０μｍの中間転写ベルト２を得た。
得られた中間転写ベルトの体積抵抗率の常用対数値を前述の方法で測定した結果、１２．０ｌｏｇΩ・ｃｍであった。

〔中間転写ベルト３〕
カーボンブラックの添加量を２０質量部にした以外は、熱硬化性ポリイミド樹脂塗布液１と同様にして、熱硬化性ポリイミド樹脂塗布液３を得た。
熱硬化性ポリイミド樹脂塗布液１の代わりに熱硬化性ポリイミド樹脂塗布液３を用いた以外は、中間転写ベルト１と同様にして、厚みが８０μｍの中間転写ベルト３を得た。
得られた中間転写ベルトの体積抵抗率の常用対数値を前述の方法で測定した結果、１０ｌｏｇΩ・ｃｍであった。

〔中間転写ベルトＣ１〕
カーボンブラックの添加量を２５．５質量部にした以外は、熱硬化性ポリイミド樹脂塗布液１と同様にして、熱硬化性ポリイミド樹脂塗布液Ｃ１を得た。
熱硬化性ポリイミド樹脂塗布液１の代わりに熱硬化性ポリイミド樹脂塗布液Ｃ１を用いた以外は、中間転写ベルト１と同様にして、厚みが８０μｍの中間転写ベルトＣ１を得た。
得られた中間転写ベルトの体積抵抗率の常用対数値を前述の方法で測定した結果、７．８ｌｏｇΩ・ｃｍであった。

〔中間転写ベルトＣ２〕
カーボンブラックの添加量を１４．５質量部にした以外は、熱硬化性ポリイミド樹脂塗布液１と同様にして、熱硬化性ポリイミド樹脂塗布液Ｃ２を得た。
熱硬化性ポリイミド樹脂塗布液１の代わりに熱硬化性ポリイミド樹脂塗布液Ｃ２を用いた以外は、中間転写ベルト１と同様にして、厚みが８０μｍの中間転写ベルトＣ２を得た。
得られた中間転写ベルトの体積抵抗率の常用対数値を前述の方法で測定した結果、１２．２ｌｏｇΩ・ｃｍであった。

＜評価＞
〔転写不良に起因する画像欠陥の評価〕
表１に示す感光体及び表１に示す中間転写ベルトを、画像形成装置（富士ゼロックス社製ＡｐｅｏｓＰｏｒｔ−Ｖ Ｃ５５８５の改造機）に搭載し、一次転写電流値が表１に示す値になるように転写電圧を設定し、プロセス速度：３５０ｍｍ／ｓｅｃ、温度３０℃、湿度７５％の環境下で、イエロー、マゼンタ、シアン、黒、赤、緑、青のパッチ記載したチャート（ＹＭＣＫＲＧＢチャート）を５枚形成し、５枚目の画像を目視で確認し、下記評価基準により転写不良に起因する画像欠陥の評価を行った。

−転写不良に起因する画像欠陥の評価基準−
Ｇ１（○）：転写不良に起因する画像欠陥が発生しない
Ｇ２（△）：転写不良に起因する画像欠陥がわずかに発生するが、許容範囲内
Ｇ３（×）：転写不良に起因する画像欠陥が発生し、許容範囲を超える

＜評価＞
〔ゴーストの評価〕
表１に示す感光体及び表１に示す中間転写ベルトを、画像形成装置（富士ゼロックス社製ＡｐｅｏｓＰｏｒｔ−Ｖ Ｃ５５８５の改造機）に搭載し、一次転写電流値が表１に示す値になるように転写電圧を設定し、プロセス速度：３５０ｍｍ／ｓｅｃ、温度３０℃、湿度７５％の環境下で、下記画像（ゴーストチャート）を５枚形成し、５枚目の画像を目視で確認し、下記評価基準によりゴーストの評価を行った。
なお、「ゴーストチャート」とは、具体的には、×の字を記載した感光体一周分経過した箇所にハーフトーン画像チャートが記載されているチャートである。

−ゴーストの評価基準−
Ｇ１（○）：ゴーストが発生しない
Ｇ２（△）：ゴーストがわずかに発生するが、許容範囲内
Ｇ３（×）：ゴーストが発生し、許容範囲を超える

〔走行による電位上昇レベルの評価〕
表１に示す感光体及び表１に示す中間転写ベルトを、画像形成装置（富士ゼロックス社製ＡｐｅｏｓＰｏｒｔ−Ｖ Ｃ５５８５の改造機）に搭載し、一次転写電流値が表１に示す値になるように転写電圧を設定し、プロセス速度：３５０ｍｍ／ｓｅｃ、温度３０℃、湿度７５％の環境下で、１００％ベタ画像のチャートを１枚形成し、次いで画像濃度５％のチャートを２００，０００枚形成し、さらに１００％ベタ画像を１枚形成した。最初の１００％ベタ画像形成における画像露光後の感光体電位ＶＬ１と、最後に形成した１００％ベタ画像形成における画像露光後の感光体電位ＶＬ２と、の電位差（ＶＬ２−ＶＬ１）を測定し、下記評価基準により走行による電位上昇レベルの評価を行った。

−走行による電位上昇レベルの評価基準−
Ｇ１（○）：電位差が１００Ｖ以下
Ｇ２（△）：電位差が１００Ｖを超え１５０Ｖ以下
Ｇ３（×）：電位差が１５０Ｖを超える

上記結果から、本実施例では、比較例に比べ、転写不良に起因する画像欠陥及びゴーストが抑制されていることが分かる。

１ 導電性基体、２ 単層型感光層、３ 下引層、４ 電荷発生層、５ 電荷輸送層、６ 機能分離型感光層、７ 電子写真感光体、７Ａ 電子写真感光体、７Ｂ 電子写真感光体、８ 帯電装置、９ 露光装置、１１ 現像装置、１３ クリーニング装置、１４ 潤滑材、４０ 転写装置（一次転写手段の一例）、５０ 中間転写体、１００ 画像形成装置、１２０ 画像形成装置、１３１ クリーニングブレード、１３２ 繊維状部材（ロール状）、１３３ 繊維状部材（平ブラシ状）、３００ プロセスカートリッジ、５００ 体積抵抗率測定装置、５２０ 円形電極、５４０ 対向電極、５６０ 円柱状電極部、５８０ 円筒状電極部

Claims (9)

1. 導電性基体と前記導電性基体上に設けられ単位面積あたりの静電容量が１.０×１０^−９Ｆ／ｃｍ^２以上１.５×１０^−８Ｆ／ｃｍ^２以下である下引層と前記下引層上に設けられた感光層とを有する電子写真感光体と、
   前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
   帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
   トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
   体積抵抗率の常用対数値が８．０ｌｏｇΩ・ｃｍ以上１２.０ｌｏｇΩ・ｃｍ以下であり、前記電子写真感光体の表面に形成された前記トナー像が表面に転写される中間転写体と、
   前記電子写真感光体の表面に形成された前記トナー像を前記中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段であって、軸方向の単位長さ（ｍｍ）あたりの一次転写電流値が１５（μＡ／ｍｍ）以上１９（μＡ／ｍｍ）以下である一次転写手段と、
   前記中間転写体の表面に転写された前記トナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、
   を備える画像形成装置。
2. 前記下引層は、結着樹脂と、金属酸化物粒子と、電子受容性化合物と、を含有する請求項１に記載の画像形成装置。
3. 前記金属酸化物粒子は、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、及び酸化亜鉛粒子から選ばれる少なくとも１種を含む請求項２に記載の画像形成装置。
4. 前記金属酸化物粒子の体積平均一次粒径は、１００ｎｍ以下である請求項２又は請求項３に記載の画像形成装置。
5. 前記金属酸化物粒子は、１種以上のカップリング剤で処理されたものである請求項２〜請求項４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
6. 前記カップリング剤は、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、及びアルミニウム系カップリング剤から選択される少なくとも１種を含む請求項５に記載の画像形成装置。
7. 前記電子受容性化合物は、アントラキノン骨格を有する電子受容性化合物である請求項２〜請求項６のいずれか１項に記載の画像形成装置。
8. 前記アントラキノン骨格を有する電子受容性化合物は、下記一般式（１）で表される化合物である請求項７に記載の画像形成装置。
   
   
   （一般式（１）中、ｎ１及びｎ２は、各々独立に０以上３以下の整数を表す。但し、ｎ１及びｎ２の少なくとも一方は、各々独立に１以上３以下の整数を表す。ｍ１及びｍ２は、各々独立に０又は１の整数を示す。Ｒ^１１及びＲ^１２は、各々独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、又は炭素数１以上１０以下のアルコキシ基を表す。）
9. 前記下引層の厚みが１５μｍ以上３０μｍ以下である請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の画像形成装置。