JP2018041894A - チップ間隔維持方法 - Google Patents
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Abstract
Description
例えば、本実施形態においては、エキスパンドシートT2の環状フレームFの内周縁Feと被加工物Wの外周縁Wdとの間の領域T2cに複数の熱収縮テープT3を貼着する熱収縮テープ貼着ステップをまず実施する。熱収縮テープT3は、例えば、少なくともエキスパンドシートT2よりも大きな加熱収縮性及び機械的外力に対する適度な伸縮性を備える樹脂(例えば、ポリプロピレン又はポリ塩化ビニル等)から構成されており、その外形が矩形状に形成されている。熱収縮テープT3は、本実施形態においては糊層からなる粘着面を備えているが、粘着面を備えていないものでもよい。なお、矩形状の熱収縮テープT3は、例えば、外形がリング状に形成された熱収縮テープよりもコストを抑えることができ、かつ貼着もより容易に行うことができる。すなわち、例えば、矩形状の熱収縮テープT3は、長尺状の熱収縮テープを直線状に切断するのみで切り出すことができるが、リング状の熱収縮テープは、円形状に切断していく必要があるため、切断作業に煩雑さを伴い、また、廃棄しなければならない部分が多く生じてしまうためである。
例えば、熱収縮テープ貼着ステップを実施した後、エキスパンドシートT2を介して環状フレームFによって支持された状態の被加工物Wを、図6に示すチップ間隔拡張装置5に搬送する。チップ間隔拡張装置5は、エキスパンドシートT2を拡張することで、各チップCの間隔を拡張することができる装置である。チップ間隔拡張装置5は、例えば、エキスパンドシートT2の外径よりも大きな外径を備える環状テーブル50を具備しており、環状テーブル50の開口50cの直径はエキスパンドシートT2の外径よりも小さく形成されている。環状テーブル50の外周部には、例えば4つ(図示の例においては、2つのみ図示している)の固定クランプ52が均等に配設されている。固定クランプ52は、図示しないバネ等によって回転軸52cを軸に回動可能となっており、環状テーブル50の保持面50aと固定クランプ52の下面との間に環状フレームF及びエキスパンドシートT2を挟み込むことができる。
拡張ドラム53の内周側には、被加工物Wを吸引保持する吸引保持テーブル6が配設されている。吸引保持テーブル6は、多孔質部材によって形成され上面に吸着面600を有する吸着部60と、吸着部60を支持する枠体61と、吸着部60に吸引力を伝達する吸引源62とを備えている。吸着面600と枠体61の上面610とは面一に形成されており、吸引源62により生み出される吸引力が吸着面600に伝達されることにより、吸着面600上においてエキスパンドシートT2を介して被加工物Wを吸引保持することができる。
チップ間に所定の間隔Vが形成された後、吸引源62と吸着部60とを連通させて吸着面600に吸引作用を施し、エキスパンドシートT2のうち領域T2cの内周側を吸引保持する。そして、図8に示すように、例えば、環状テーブル50の保持面50aと拡張ドラム53の環状の上端面とが同一の高さ位置になるように、環状テーブル昇降手段55が環状テーブル50を+Z方向に上昇させると、エキスパンドシートT2を水平方向に引っ張る力が無くなりエキスパンドシートT2のテンションが解除される。これに伴って、エキスパンドシートT2の環状フレームFの内周縁Feと被加工物Wの外周縁Wdとの間の領域T2cが延びて弛んだ状態になる。そのため、図8に示す加熱手段7によって、エキスパンドシートT2の領域T2cを熱収縮テープT3とともに加熱する。
D:デバイス M:改質層 C:チップ
T1:保護テープ T1a:保護テープの粘着面
T2:エキスパンドシート T2a:エキスパンドシートの粘着面
T2b:エキスパンドシートの基材面 T3:熱収縮テープ
1:レーザー加工装置 10:チャックテーブル 10a:チャックテーブルの保持面
11:レーザー光照射手段 111:集光器 112:集光レンズ
12:加工送り手段 14:アライメント手段 140:赤外線カメラ
2:研削装置 20:保持テーブル 20a:保持テーブルの保持面
23:Y軸方向送り手段
21:研削手段 210:回転軸 212:モータ 213:マウント
214:研削ホイール 214a:ホイール基台 214b:研削砥石
5:チップ間隔拡張装置 50:環状テーブル 50a:環状テーブルの保持面 50c:環状テーブルの開口 52:固定クランプ 53:拡張ドラム
55:環状テーブル昇降手段 550:シリンダチューブ 551:ピストンロッド
6:吸引保持テーブル 60:吸着部 600:吸着面 61:枠体 610:上面
62:吸引源
7:加熱装置
Claims (1)
- エキスパンドシートに貼着された状態で該エキスパンドシートを介して環状フレームにより支持されている被加工物を構成する複数のチップの間隔を拡張した状態で維持するチップ間隔維持方法であって、
該エキスパンドシートを拡張して該チップ間に間隔を形成するチップ間隔形成ステップと、
該チップ間隔形成ステップを実施した後、該チップ間の間隔を維持した状態で環状フレームの内周縁と被加工物の外周縁との間のエキスパンドシートを加熱して被加工物の外周側で引き延ばされた該エキスパンドシートを収縮させるエキスパンドシート収縮ステップと、を備え、
少なくとも該エキスパンドシート収縮ステップを実施する前に、環状フレームの内周縁と被加工物の外周縁との間のエキスパンドシートに複数の熱収縮テープを貼着する熱収縮テープ貼着ステップを更に備え、
該エキスパンドシート収縮ステップでは環状フレームの内周縁と被加工物の外周縁との間のエキスパンドシートを該熱収縮テープとともに加熱することで該熱収縮テープが貼着された領域の該エキスパンドシートを収縮させる、チップ間隔維持方法。
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2007005530A (ja) * | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Lintec Corp | チップ体の製造方法 |
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US6312800B1 (en) * | 1997-02-10 | 2001-11-06 | Lintec Corporation | Pressure sensitive adhesive sheet for producing a chip |
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JP5313036B2 (ja) * | 2009-05-11 | 2013-10-09 | 株式会社ディスコ | 粘着テープの拡張方法 |
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---|---|---|---|---|
JP2005142365A (ja) * | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2007005530A (ja) * | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Lintec Corp | チップ体の製造方法 |
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