JP2018025698A - アクティブマトリクス回路基板、表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】画素を含む画像表示部を備える基板と、第1電源線、第2電源線、第3電源線、第4電源線、第1制御線および第2制御線と、画素に対応して設けられている画素電極およびメモリー回路と、第4電源線と接続されている共通電極と、第3電源線と画素電極との間に設けられているコンデンサーと、第1電源線と画素電極との間に設けられ、メモリー回路の出力と第1制御線の電位とに基づいて動作する第1スイッチ回路と、第2電源線と画素電極との間に設けられ、メモリー回路の出力と第2制御線の電位とに基づいて動作する第2スイッチ回路と、を有することを特徴とするアクティブマトリクス回路基板。
【選択図】図3
Description
本発明のアクティブマトリクス回路基板は、画素を含む画像表示部を備える基板と、
第1電源線、第2電源線、第3電源線、第4電源線、第1制御線および第2制御線と、
前記画素に対応して設けられている画素電極およびメモリー回路と、
前記第4電源線と接続されている共通電極と、
前記第3電源線と前記画素電極との間に設けられているコンデンサーと、
前記第1電源線と前記画素電極との間に設けられ、前記メモリー回路の出力と前記第1制御線の電位とに基づいて動作する第1スイッチ回路と、
前記第2電源線と前記画素電極との間に設けられ、前記メモリー回路の出力と前記第2制御線の電位とに基づいて動作する第2スイッチ回路と、
を有することを特徴とする。
これにより、スイッチ回路において損傷の発生を防止することができる。
走査線と、
データ線と、
前記画素に対応して設けられ、前記走査線および前記データ線と前記メモリー回路との間に設けられている画素スイッチング素子と、
を有することが好ましい。
前記画素電極と前記共通電極との間に設けられている電気光学物質層と、
を有することを特徴とする。
これにより、表示の切り替え速度が速い電子機器が得られる。
<表示装置>
まず、本発明の第1実施形態について説明する。
電極基板120および対向基板201は、それぞれシート状(平板状)の部材である。これらは、可撓性を有するもの、または、硬質なもののいずれであってもよい。
本実施形態では、粒子71が、負に帯電した黒粒子71aと正に帯電した白粒子71bの2種類を含んでいるとともに、分散媒72が透明である例について説明する。すなわち、本実施形態に係る分散液70は、透明な分散媒72に黒粒子71aと白粒子71bとが分散してなるものである。なお、本実施形態に係る粒子71とは、黒粒子71aと白粒子71bの双方を指すものとする。
また、上述した粒子の表面に、各種表面処理を施した粒子であってもよい。
次に、本発明のアクティブマトリクス回路基板の第1実施形態について説明する。
画素102には、図3に示すように、走査線104、データ線105、第1電源線111、第2電源線112、第3電源線113、第4電源線114、第1制御線115、第2制御線116、および定電位線117が配置されている。
なお、本実施形態では、画像データdとして「0」を規定する場合にはローレベル(低電位)の画像信号を供給し、画像データdとして「1」を規定する場合にはハイレベル(高電位)の画像信号を供給するものとする。
駆動用TFT124は、例えばN型MOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスターである。そして、駆動用TFT124のゲート電極は走査線104に接続され、ソース電極はデータ線105に接続され、ドレイン電極はメモリー回路125の入力端子に接続されている。
走査線駆動回路106は、複数の走査線104に接続されており、駆動用TFT124のオンタイミングを規定する選択信号を、走査線104を介して駆動用TFT124のゲート電極に供給する。
次に、本発明の表示装置の駆動方法の第1実施形態について説明する。
以上により、消費電力を抑えつつ、粒子71の泳動速度を高めることができる。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。
画像データdが「0」である場合、共通電位信号Vcomが0[V]からVに変化する(期間T1から期間T2に遷移する)手前において、第1制御信号φ1および第2制御信号φ2をハイレベル(図6では1)に変更する。これにより、第1スイッチ回路126および第2スイッチ回路127の双方が遮断状態になるので、画素電極121の駆動信号Vpix(L)はコンデンサー128によって引き上げられ、図6に示すように2Vとなった後、徐々に低下する。
画像データdが「1」である場合、共通電位信号VcomがVから0[V]に変化する(期間T2から期間T3に遷移する)手前において、第1制御信号φ1および第2制御信号φ2をローレベルに変更する。これにより、第1スイッチ回路126および第2スイッチ回路127の双方が遮断状態になるので、画素電極121の駆動信号Vpix(H)はコンデンサー128によって引き下げられ、図6に示すように−Vとなった後、徐々に上昇する。
このような第2実施形態においても、第1実施形態と同様の効果が得られる。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。
このような第3実施形態においても、第1、第2実施形態と同様の効果が得られる。
次に、本発明の第4実施形態について説明する。
高電位線118は、メモリー回路125に高電位側の電位信号を供給する。
このような第4実施形態においても、第1〜第3実施形態と同様の効果が得られる。
次に、本発明の第5実施形態について説明する。
このような第5実施形態においても、第1〜第4実施形態と同様の効果が得られる。
次に、本発明の電子機器の実施形態について説明する。本実施形態に係る電子機器は、前記実施形態に係る表示装置を備えている。
図11に示す腕時計401(本発明の電子機器の実施形態)は、時計ケース402と、時計ケース402に連結された一対のバンド403と、を備えている。時計ケース402の正面には、電気泳動表示装置405(本発明の表示装置の実施形態)と、秒針421と、分針422と、時針423と、が設けられている。時計ケース402の側面には、操作子としての竜頭410と操作ボタン411とが設けられている。
図12に示す時計ケース402の内部には収容部402Aが設けられている。収容部402Aには、ムーブメント404と電気泳動表示装置405とが収容されている。収容部402Aの一端側(時計正面側)には、ガラス製または樹脂製の透明カバー407が設けられている。収容部402Aの他端側(時計裏側)には、パッキン408を介して裏蓋409が螺合され、裏蓋409および透明カバー407により時計ケース402が密封されている。
図13は、本発明の電子機器の実施形態が適用された電子ペーパーの構成を示す斜視図である。
Claims (9)
- 画素を含む画像表示部を備える基板と、
第1電源線、第2電源線、第3電源線、第4電源線、第1制御線および第2制御線と、
前記画素に対応して設けられている画素電極およびメモリー回路と、
前記第4電源線と接続されている共通電極と、
前記第3電源線と前記画素電極との間に設けられているコンデンサーと、
前記第1電源線と前記画素電極との間に設けられ、前記メモリー回路の出力と前記第1制御線の電位とに基づいて動作する第1スイッチ回路と、
前記第2電源線と前記画素電極との間に設けられ、前記メモリー回路の出力と前記第2制御線の電位とに基づいて動作する第2スイッチ回路と、
を有することを特徴とするアクティブマトリクス回路基板。 - 前記第1制御線および前記第2制御線は、兼用になっている請求項1に記載のアクティブマトリクス回路基板。
- 前記第1スイッチ回路および前記第2スイッチ回路の少なくとも一方は、電流の逆流を防止する回路を含む請求項1または2に記載のアクティブマトリクス回路基板。
- 前記第3電源線および前記第4電源線は、兼用になっている請求項1ないし3のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス回路基板。
- 前記第1スイッチ回路は、直列に接続されている第1P型トランジスターおよび第2P型トランジスターを含み、前記第2スイッチ回路は、直列に接続されている第1N型トランジスターおよび第2N型トランジスターを含む請求項1ないし4のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス回路基板。
- さらに、
走査線と、
データ線と、
前記画素に対応して設けられ、前記走査線および前記データ線と前記メモリー回路との間に設けられている画素スイッチング素子と、
を有する請求項1ないし5のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス回路基板。 - 請求項1ないし6のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス回路基板と、
前記画素電極と前記共通電極との間に設けられている電気光学物質層と、
を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項7に記載の表示装置を駆動する方法であって、
前記第3電源線の電位および前記第4電源線の電位を互いに同相で変化させるとき、前記電位が変化する手前で前記第1スイッチ回路または前記第2スイッチ回路を遮断状態にすることを特徴とする表示装置の駆動方法。 - 請求項7に記載の表示装置を備えることを特徴とする電子機器。
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