JP2018006491A - 洗浄装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1に示す装置1を用いた。基板6として、比較的疎水性が高い基板である酸化マグネシウム基板を用いて、検証実験を行った。基板6は表面が鏡面研磨済みのものを用い、基板サイズは10mm四方とした。まず、基板固定機構2により基板6を固定した。その後、基板6の回転を開始し、リンス機構4によって、基板6表面にリンス液をかけながした。回転数は120rpm、リンス流量は、1.0L/min、リンス時間は10秒とし、リンス液には純水を用いた。その後、停止タイミングの同期機構5により、リンス機構4からのリンス液供給と、基板回転機構3の回転を同時に停止した。リンス後の基板表面写真を図2に示す。液滴は基板外周側に形成されていることが確認された。最後に、スピン乾燥を行った。回転数は3000rpm、回転時間は30秒とした。この条件で計5枚の基板6を洗浄し、リンス後の基板表面の液滴形成位置、および乾燥後のウォーターマークの有無を確認した。結果を表1に示す。リンス後には、基板外周側の定位置に液滴が形成され、また乾燥後にウォーターマークは確認されなかった。
リンス液と基板回転機構3の停止タイミングを同期させずに、実施例1と同様の条件にて実験実施および評価を行った。結果を表1に示す。リンス後の液滴形成位置は基板外周、中央と、ランダムに発生し、基板中央に液滴が形成された場合には、乾燥後にウォーターマークが観察された。リンス後に基板中央に液滴が形成された基板写真を図3に、その基板の乾燥後に観察されたウォーターマークの写真を図4に示す。
2 基板固定機構
3 基板回転機構
4 リンス機構
5 同期機構
6 基板
Claims (1)
- 少なくとも、基板を保持するための基板固定機構と、基板を回転させるための基板回転機構と、リンス液供給のためのリンス機構により構成され、さらに前記リンス機構からのリンス液供給と前記基板回転機構の回転が停止するタイミングを同期させることができる機構を含む、基板の枚葉洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016129501A JP2018006491A (ja) | 2016-06-30 | 2016-06-30 | 洗浄装置 |
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Family Applications (1)
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JP (1) | JP2018006491A (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11121428A (ja) * | 1997-10-17 | 1999-04-30 | Shibaura Mechatronics Corp | スピン処理方法およびスピン処理装置 |
JP2003092280A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-03-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板乾燥方法 |
JP2006019523A (ja) * | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2008034779A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-02-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2008085164A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
2016
- 2016-06-30 JP JP2016129501A patent/JP2018006491A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11121428A (ja) * | 1997-10-17 | 1999-04-30 | Shibaura Mechatronics Corp | スピン処理方法およびスピン処理装置 |
JP2003092280A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-03-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板乾燥方法 |
JP2006019523A (ja) * | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2008034779A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-02-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2008085164A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
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