JP7357488B2 - 露光装置、および物品製造方法 - Google Patents
露光装置、および物品製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7357488B2 JP7357488B2 JP2019161464A JP2019161464A JP7357488B2 JP 7357488 B2 JP7357488 B2 JP 7357488B2 JP 2019161464 A JP2019161464 A JP 2019161464A JP 2019161464 A JP2019161464 A JP 2019161464A JP 7357488 B2 JP7357488 B2 JP 7357488B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- concave mirror
- substrate
- optical system
- exposure apparatus
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
- G02B17/082—Catadioptric systems using three curved mirrors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70316—Details of optical elements, e.g. of Bragg reflectors, extreme ultraviolet [EUV] multilayer or bilayer mirrors or diffractive optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Lenses (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
図2は、実施例1における投影光学系3の光線図である。マスクMの面上の図示された点、Ymax,Ymin,Qr,Ql(後述する図4参照)から発した光束は、マスク面直下の屈折光学部材G1,G2を通過後、第1平面反射鏡T1の作用で光路を直角に曲げられ、第1凹面鏡Mo1に入射する。第1凹面鏡Mo1で反射された光束は、投影光学系3の光軸O-O’近傍にある屈折光学部材G3を通過後、凸面鏡Mtに入射する。凸面鏡Mtは、この結像光学系の瞳である。凸面鏡Mtで反射した光束は、再び、屈折光学部材G3を通過後、第2凹面鏡Mo2に入射する。第2凹面鏡Mo2で反射した光束は、第2平面反射鏡T2に進行し、この作用で光路を直角に曲げられ、プレート面直上の屈折光学部材G4,G5を通過し、プレートPの面上に結像する。図2において、マスク面上の点Qr,Qlから発した光束のうち、第1凹面鏡Mo1や第2凹面鏡Mo2上で光軸O-O’に最も近い点と光軸O-O’との距離Du,Dlが示されている。これに関する説明は図5で後述する。本実施例の結像倍率は、1.15倍であり、開口数(NA)は0.105、露光幅は750mmである。いずれも、マスク面での値である。また、露光波長としては、i、h、g線を用い、これらに対して収差補正を行っている。これらを実現するための各光学部材の曲率半径R、間隔D、硝子部材の光学屈折率N、および対応する光学部材の参照符号が、表1にまとめられている。なお、光学部材のいくつかは、非球面で構成されていて、非球面形状を定義する式は、以下の式1で与えられる。各係数も表1に併記されている。
+Ah4+Bh6+Ch8+Dh10+Eh12+Fh14+Gh16+Hh18+Jh20 …(式1)
ここで、rは表1における1/Rである。
したがって、第1凹面鏡Mo1上での有効光束領域は、図5において二点鎖線で示されているが、そのZ方向への広がり幅は、これまで定義した数値を用いて、Sw+2r+Anで表される。また、X方向への広がり幅は、W+2rである。ここで、本発明は、上記有効光束領域内で、X軸に最も近い点Pr,Plに着目し、これらとX軸との距離Dを規定する。点Pr,Plは、図4に示されるマスク面上Qr,Qlから発した光束のうち、最も光軸に近い点である。具体的には、照明領域の全ての物点からの光束によって第1凹面鏡Mo1または第2凹面鏡Mo2に形成される有効領域と、投影光学系3の光軸Oと直交しプレートPと平行な方向(X方向)に延びる直線との最小接近距離をDとする。
図7は、実施例2における投影光学系3の光線図である。本実施例の投影光学系3は拡大系である。例えばその結像倍率は、1.25倍であり、開口数(NA)は0.1、露光幅は750mmである。いずれも、マスク面Mでの値である。また、露光波長としては、i、h、g線を用い、これらに対して収差補正を行っている。マスク面Mからプレート面Pへ光線が進行する過程や途中の光学部材の基本的構成は図2と同じであるので、説明は割愛する。各光学部材の曲率半径R、間隔D、硝子部材の光学屈折率N、および対応する光学部材の参照符号が、表2にまとめられている。
図9は、実施例3における投影光学系3の光線図である。本実施例の投影光学系3は拡大系である。例えばその結像倍率は、1.49倍であり、開口数(NA)は0.105、露光幅は750mmである。いずれも、マスク面Mでの値である。また、露光波長としては、i、h、g線を用い、これらに対して収差補正を行っている。マスク面Mからプレート面Pへ光線が進行する過程や途中の光学部材の基本的構成は図2と同じである。各光学部材の曲率半径R、間隔D、硝子部材の光学屈折率N、および対応する光学部材の参照符号が、表3にまとめられている。
本発明の実施形態に係る物品製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
Claims (11)
- マスクおよび基板を走査しながら前記基板を露光する露光装置であって、
前記マスクのパターンを前記基板に投影する投影光学系を有し、
前記投影光学系は、第1凹面鏡、凸面鏡、および第2凹面鏡を含み、前記マスクのパターンを透過した光が前記第1凹面鏡、前記凸面鏡、および前記第2凹面鏡の順に反射するように構成され、
前記マスク上における円弧状の照明領域の全ての物点からの光束によって前記第1凹面鏡に形成される有効領域と、前記投影光学系の光軸と直交し前記基板と平行な方向に延びる直線との最小距離をDuとし、前記第2凹面鏡に形成される有効領域と、前記直線との最小距離をDlとし、前記基板上に形成される前記円弧の最外周半径をRuとするとき、
0<Du≦0.1・Ru
又は
0<Dl≦0.1・Ru
の少なくとも一方の条件を満たすことを特徴とする露光装置。 - マスクおよび基板を走査しながら前記基板を露光する露光装置であって、
前記マスクのパターンを前記基板に投影する投影光学系を有し、
前記投影光学系は、第1凹面鏡、凸面鏡、および第2凹面鏡を含み、前記マスクのパターンを透過した光が前記第1凹面鏡、前記凸面鏡、および前記第2凹面鏡の順に入射し、
前記マスク上における円弧状の照明領域の全ての物点からの光束によって前記第1凹面鏡に形成される有効領域と、前記投影光学系の光軸と直交し前記基板と平行な方向に延びる直線との最小距離をDuとし、前記第2凹面鏡に形成される有効領域と、前記直線との最小距離をDlとし、前記基板上に形成される前記円弧の最外周半径と最内周半径との間の、前記直線に沿う方向の中央における差をSwとするとき、
0<Du<1.15・Sw
又は
0<Dl<1.15・Sw
の少なくとも一方の条件を満たすことを特徴とする露光装置。 - 前記投影光学系は、前記マスク面および前記基板面においてテレセントリックであり、
前記投影光学系は、前記マスク面または前記基板面の近傍に正の屈折力を持つレンズ群を更に含み、
前記第1凹面鏡に入射する主光線の角度である第1角度が前記投影光学系の光軸に近づく方向に傾いている、または、前記第2凹面鏡から射出する主光線の角度である第2角度が前記光軸から離れる方向に傾いている、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の露光装置。 - 前記投影光学系は、拡大系であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記投影光学系は、等倍系であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記投影光学系は、縮小系であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記照明領域の前記基板面上での走査方向と直交する方向の幅をWとするとき、
W≧780mm
の条件を満たすことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記レンズ群は、非球面形状を有するレンズを含むことを特徴とする請求項3に記載の露光装置。
- 前記第1角度を表す第1テレセン度の絶対値または前記第2角度を表す第2テレセン度の絶対値が、0.015ラジアン以上であることを特徴とする請求項3に記載の露光装置。
- 前記マスク面および前記基板面におけるテレセン度は、±0.05ラジアン以内であることを特徴とする請求項3に記載の露光装置。
- 請求項1乃至10のいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記露光された基板を現像する工程と、
を含み、前記現像された基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019161464A JP7357488B2 (ja) | 2019-09-04 | 2019-09-04 | 露光装置、および物品製造方法 |
TW109126462A TWI825339B (zh) | 2019-09-04 | 2020-08-05 | 曝光裝置,及物品的製造方法 |
KR1020200107614A KR20210028574A (ko) | 2019-09-04 | 2020-08-26 | 노광 장치 및 물품제조방법 |
CN202010922291.5A CN112445082B (zh) | 2019-09-04 | 2020-09-04 | 曝光装置以及物品制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019161464A JP7357488B2 (ja) | 2019-09-04 | 2019-09-04 | 露光装置、および物品製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021039282A JP2021039282A (ja) | 2021-03-11 |
JP2021039282A5 JP2021039282A5 (ja) | 2022-08-24 |
JP7357488B2 true JP7357488B2 (ja) | 2023-10-06 |
Family
ID=74735493
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019161464A Active JP7357488B2 (ja) | 2019-09-04 | 2019-09-04 | 露光装置、および物品製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7357488B2 (ja) |
KR (1) | KR20210028574A (ja) |
CN (1) | CN112445082B (ja) |
TW (1) | TWI825339B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113296342B (zh) * | 2021-05-21 | 2024-03-12 | 光感(上海)科技有限公司 | 一种光学投影*** |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001507873A (ja) | 1997-11-07 | 2001-06-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | リソグラフィ投影用の3ミラー光学系及びこのミラー光学系を具える投影装置 |
JP2005025199A (ja) | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Asml Holding Nv | フラットパネルディスプレイ製造用露光システムおよびフラットパネルディスプレイ製造用ユニット拡大環状光学系 |
JP2008286888A5 (ja) | 2007-05-15 | 2010-07-15 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008089832A (ja) | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Canon Inc | 露光装置 |
JP5196869B2 (ja) | 2007-05-15 | 2013-05-15 | キヤノン株式会社 | 投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101010605B1 (ko) | 2007-10-15 | 2011-01-24 | 재단법인 포항산업과학연구원 | U형 벤딩 파이프의 자동 열처리장치 |
JP5398185B2 (ja) * | 2008-07-09 | 2014-01-29 | キヤノン株式会社 | 投影光学系、露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2010135479A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Canon Inc | 走査型投影露光装置 |
JP5595001B2 (ja) * | 2009-10-06 | 2014-09-24 | キヤノン株式会社 | 投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
DE102014218474A1 (de) * | 2014-09-15 | 2016-03-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsobjektiv, Projektionsbelichtungsanlage und Projektionsbelichtungsverfahren für die EUV-Mikrolithographie |
US10025079B2 (en) * | 2015-09-28 | 2018-07-17 | Kenneth Carlisle Johnson | Actinic, spot-scanning microscope for EUV mask inspection and metrology |
JP6661371B2 (ja) * | 2015-12-25 | 2020-03-11 | キヤノン株式会社 | 評価方法、露光方法、および物品の製造方法 |
JP6748482B2 (ja) * | 2016-05-25 | 2020-09-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置、および、物品の製造方法 |
-
2019
- 2019-09-04 JP JP2019161464A patent/JP7357488B2/ja active Active
-
2020
- 2020-08-05 TW TW109126462A patent/TWI825339B/zh active
- 2020-08-26 KR KR1020200107614A patent/KR20210028574A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-09-04 CN CN202010922291.5A patent/CN112445082B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001507873A (ja) | 1997-11-07 | 2001-06-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | リソグラフィ投影用の3ミラー光学系及びこのミラー光学系を具える投影装置 |
JP2005025199A (ja) | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Asml Holding Nv | フラットパネルディスプレイ製造用露光システムおよびフラットパネルディスプレイ製造用ユニット拡大環状光学系 |
JP2008286888A5 (ja) | 2007-05-15 | 2010-07-15 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021039282A (ja) | 2021-03-11 |
CN112445082B (zh) | 2024-03-19 |
CN112445082A (zh) | 2021-03-05 |
TW202111382A (zh) | 2021-03-16 |
KR20210028574A (ko) | 2021-03-12 |
TWI825339B (zh) | 2023-12-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102266723B1 (ko) | 투영 광학계, 노광 장치 및 물품 제조 방법 | |
JP2004214242A (ja) | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP3925576B2 (ja) | 投影光学系、該光学系を備えた露光装置、及び該装置を用いたデバイスの製造方法 | |
JP2004252358A (ja) | 反射型投影光学系及び露光装置 | |
US6947210B2 (en) | Catoptric projection optical system, exposure apparatus and device fabrication method using same | |
JPH10275771A (ja) | 照明光学装置 | |
KR20080091182A (ko) | 반사 굴절 결상 광학계, 노광 장치 및 디바이스의 제조방법 | |
US6860610B2 (en) | Reflection type projection optical system, exposure apparatus and device fabrication method using the same | |
JP2006147809A (ja) | 露光装置の投影光学系、露光装置およびデバイスの製造方法 | |
KR101892766B1 (ko) | 반사 결상 광학계, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
JP7357488B2 (ja) | 露光装置、および物品製造方法 | |
JP2010107596A (ja) | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2004158786A (ja) | 投影光学系及び露光装置 | |
JP2006138940A (ja) | 反射屈折型投影光学系及び投影反射屈折型投影光学系を有する露光装置、デバイス製造方法 | |
JP7332415B2 (ja) | 投影光学系、走査露光装置および物品製造方法 | |
US11966043B2 (en) | Imaging optical system, exposure apparatus, and article manufacturing method | |
JP2004271552A (ja) | 拡大投影光学系 | |
JP2021092684A (ja) | 投影光学系、露光装置および物品の製造方法 | |
JP2022030810A (ja) | 投影光学系、露光装置及び物品の製造方法 | |
JP2023010009A (ja) | 投影光学系、露光装置、および物品の製造方法 | |
JP2009162951A (ja) | 反射屈折型投影光学系及びそれを有する露光装置 | |
JP2023004358A (ja) | 投影光学系、露光装置、および物品の製造方法 | |
JP2019211798A (ja) | 投影光学系、露光装置及び物品の製造方法 | |
JP2004342711A (ja) | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 | |
JP2009258461A (ja) | 結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20210103 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210113 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220816 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220816 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230417 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230425 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230619 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230828 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230926 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7357488 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |