JP2017181111A - 被加工物の評価方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被加工物の評価方法は、表面WSに複数のデバイスが形成されかつ内部にゲッタリング層Gが形成されたデバイスウエーハWのゲッタリング性を評価する。被加工物の評価方法は、デバイスウエーハWにキャリアを励起させるための励起光Lを照射する励起光照射工程と、デバイスウエーハWの励起光Lの照射範囲Rと励起光Lの照射範囲R外とにそれぞれマイクロ波MTを照射するマイクロ波照射工程と、デバイスウエーハWからのマイクロ波MRの反射波の強度をそれぞれ測定し、照射範囲Rからの反射波の強度から照射範囲R外からの反射波の強度を差し引いた差動信号を導出する測定工程と、測定工程で算出された差動信号の強度に基づいてゲッタリング性を判断する工程と、を有する。
【選択図】図5
Description
本発明の実施形態1に係る被加工物の評価方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係る被加工物の評価方法の評価対象のデバイスウエーハを示す斜視図である。図2は、実施形態1に係る被加工物の評価方法を実行する研削研磨装置の構成例の斜視図である。図3は、図2に示された研削研磨装置の研磨手段の構成例を示す斜視図である。
本発明の実施形態2に係る評価方法を図面に基いて説明する。図6は、本発明の実施形態2に係る被加工物の評価方法を実行する研削研磨装置の評価装置の構成例を示す図である。図7は、図6に示された評価装置によりリファレンス差動信号値が測定されるデバイスウエーハの測定位置を示す斜視図である。図6及び図7において、実施形態1と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。
本発明の実施形態3に係る評価方法を図面に基いて説明する。図8(a)は、本発明の実施形態3に係る被加工物の評価方法を実行する加工システムの一例を示す平面図である。図8(b)は、図8(a)に示された加工装置の各工程を示す図である。図8(a)及び図8(b)において、実施形態1と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。
本発明の実施形態4に係る評価方法を図面に基いて説明する。図9は、本発明の実施形態4に係る被加工物の評価方法を実行する加工装置の一例を示す平面図である。図9において、実施形態3と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。
本発明の実施形態5に係る評価方法を図面に基いて説明する。図10は、本発明の実施形態5に係る被加工物の評価方法を実行する加工装置の一例を示す平面図である。図10において、実施形態1と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。
本発明の実施形態6に係る評価方法を図面に基いて説明する。図11は、本発明の実施形態6に係る被加工物の評価方法を実行する加工装置の一例を示す平面図である。図11において、実施形態5と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。
本発明の実施形態7に係る評価方法を図面に基いて説明する。図12は、本発明の実施形態7に係る被加工物の評価方法を実行する加工装置の一例を示す平面図である。図12において、実施形態5と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。
本発明の実施形態8に係る評価方法を図面に基いて説明する。図13は、本発明の実施形態8に係る被加工物の評価方法を実行する加工装置の一例を示す平面図である。図13において、実施形態5と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。
本発明の実施形態9に係る評価方法を図面に基いて説明する。図14は、本発明の実施形態9に係る被加工物の評価方法を実行する加工装置の一例を示す平面図である。図14において、実施形態5と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。
表面に複数のデバイスが形成されるとともに内部にゲッタリング層が形成された被加工物のゲッタリングを評価する評価装置であって、
被加工物にキャリアを励起させるための励起光Lを照射する励起光照射手段と、
前記被加工物の前記励起光Lの照射範囲Rと前記励起光Lの照射範囲R外とにそれぞれマイクロ波MTを照射するマイクロ波照射手段と、
前記被加工物からの前記マイクロ波MRの反射波の強度をそれぞれ測定し、前記照射範囲Rからの反射波の強度から前記照射範囲R外からの反射波の強度を差し引いた差動信号を導出する測定手段と、
前記測定手段で算出された前記差動信号の強度に基づいてゲッタリング性を判断する手段と、を有することを特徴とする評価装置。
付記1に記載の評価装置と、
前記被加工物を加工する加工手段と、
を備えることを特徴とする加工装置1。
表面に複数のデバイスが形成されるとともに内部にゲッタリング層が形成された被加工物の製造方法であって、
被加工物にキャリアを励起させるための励起光Lを照射する第1の工程と、
前記被加工物の前記励起光Lの照射範囲Rと前記励起光Lの照射範囲R外とにそれぞれマイクロ波MTを照射する第2の工程と、
前記被加工物からの前記マイクロ波MRの反射波の強度をそれぞれ測定し、前記照射範囲Rからの反射波の強度から前記照射範囲R外からの反射波の強度を差し引いた差動信号を導出する第3の工程と、
前記測定手段で算出された前記差動信号の強度に基づいて前記ゲッタリング層のゲッタリング性を判断する第4の工程と、を有することを特徴とする被加工物の製造方法。
WS 表面
D デバイス
G ゲッタリング層
L 励起光
R 照射範囲
MT,MR マイクロ波
Claims (3)
- 表面に複数のデバイスが形成されるとともに内部にゲッタリング層が形成された被加工物のゲッタリング性を評価する評価方法であって、
被加工物にキャリアを励起させるための励起光を照射する励起光照射工程と、
前記被加工物の前記励起光の照射範囲と前記励起光の照射範囲外とにそれぞれマイクロ波を照射するマイクロ波照射工程と、
前記被加工物からの前記マイクロ波の反射波の強度をそれぞれ測定し、前記照射範囲からの反射波の強度から前記照射範囲外からの反射波の強度を差し引いた差動信号を導出する測定工程と、
前記測定工程で算出された前記差動信号の強度に基づいてゲッタリング性を判断する工程と、を有することを特徴とする被加工物の評価方法。 - 前記マイクロ波の周波数は、26GHzである、請求項1に記載の被加工物の評価方法。
- 前記励起光の波長は、349nmである、請求項1または2に記載の被加工物の評価方法。
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