JP2010199336A - ワーク加工方法およびワーク加工装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】粗研削加工を行う第1の加工手段の第1の回転軸は回転軸に対して第1の傾斜角だけ僅かに傾斜させる一方、仕上げ研削加工を行う第2の加工手段の第2の回転軸φ2は回転軸φ0に対して第1の傾斜角よりも小さな第2の傾斜角βだけ僅かに傾斜させることで、粗研削加工に際しては第1の傾斜角が相対的に大きいため脱落砥粒によるスクラッチが起こりにくくし、仕上げ研削加工に際しては第2の傾斜角βが相対的に小さいが砥粒が小さく延性モードが支配的となる加工であり、脱落砥粒があってもスクラッチの影響は実質的になく、被研削面を平坦度のよい状態で仕上げることができるようにした。
【選択図】図2−2
Description
まず、カセット7から研削前の板状ワークWを搬出入手段13により取り出して、位置合わせ手段9で中心位置合わせした後、搬送手段10によって上方から吸着保持して、搬入搬出待機位置Aに位置する保持手段6の保持面6s上に搬入し吸着保持させる。この際、板状ワークWは、被研削面となる裏面Wb側が上面となるようにする。
ついで、ターンテーブル5を120度回転させることで、搬入搬出待機位置Aに位置していた保持手段6を粗研削位置に位置付ける。そして、板状ワークWを保持した保持面6sを回転軸φ0を中心として反時計方向に回転させるとともに、第1の加工手段3の第1の研削砥石3bを反時計方向に回転させて、板状ワークWの裏面Wb側から中央部を凹状に研削加工する。まず、可動ブロック17を進退させることで、図4に示すように、第1の研削砥石3bの外周縁が余剰領域W2に対応する領域の内側(デバイス領域W1と余剰領域W2との境界)と板状ワークWの中心W0とを通るように第1の研削面3aを位置付ける。そして、図5に示すように、高速回転している第1の研削砥石3bを昇降送り手段15により板状ワークWの裏面Wbに対して下降させて研削送りすることで、図6に示すように、円弧状の第1の研削痕21が形成されるように研削加工を施し、板状ワークWのデバイス領域W1に対応した裏面Wbを凹形状部W3とする。
ついで、ターンテーブル5を120度回転させることで、粗研削位置Bに位置していた保持手段6を仕上げ研削位置に位置付ける。そして、粗研削加工済みの板状ワークWを保持した保持面6sを回転軸φ0を中心として時計方向に回転させるとともに、第2の加工手段4の第2の研削砥石4bを時計方向に回転させて、板状ワークWの裏面Wb側から中央部(凹形状部W3)をさらに凹状に仕上げ研削加工する。まず、可動ブロック18を進退させることで、図7に示すように、第2の研削砥石4bの外周縁が余剰領域W2に対応する領域の内側(デバイス領域W1と余剰領域W2との境界)と板状ワークWの中心W0とを通るように第2の研削面4aを位置付ける。そして、図8に示すように、高速回転している第2の研削砥石4bを昇降送り手段16により板状ワークWの裏面Wbに対して下降させて研削送りすることで、図9に示すように、円弧状の第2の研削痕23が形成されるように研削加工を施す。このようにして、板状ワークWの裏面Wb側から板状ワークWの余剰領域W2を残して研削し、板状ワークWの裏面Wb側に研削による凹形状部W3とこの凹形状部W3を囲むリング状の補強部W4とを形成する加工工程が終了する。この補強部W4が、切削加工終了後の搬出手段11等による保持部分となる。
3 第1の加工手段
3a 第1の研削面
3b 第1の研削砥石
3c 第1のスピンドル部
4 第2の加工手段
4a 第2の研削面
4b 第2の研削砥石
4c 第2のスピンドル部
6 保持手段
6s 保持面
14 制御手段
21 第1の研削痕
23 第2の研削痕
W 板状ワーク
Wa 表面
Wb 裏面
W1 デバイス領域
W2 余剰領域
W3 凹形状部
W4 補強部
φ0 回転軸
φ1 第1の回転軸
φ2 第2の回転軸
α 第1の傾斜角
β 第2の傾斜角
Claims (2)
- 板状ワークを保持して回転軸を中心に回転駆動される保持面を有する保持手段と、
前記保持面に対向する第1の研削面を有する粗研削用の第1の研削砥石と、該第1の研削砥石を前記第1の研削面に対して垂直な垂直軸を第1の回転軸として回転可能に支持する第1のスピンドル部とを有する第1の加工手段と、
前記保持面に対向する第2の研削面を有する仕上げ研削用の第2の研削砥石と、該第2の研削砥石を前記第2の研削面に対して垂直な垂直軸を第2の回転軸として回転可能に支持する第2のスピンドル部とを有する第2の加工手段と、
を含む加工装置を用いて、表面側にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲む余剰領域とを有する前記板状ワークの前記デバイス領域に対応する裏面側の領域を前記第1の研削面および前記第2の研削面によって順次研削することによって前記余剰領域に対応する裏面側にリング状の補強部を形成するワーク加工方法であって、
前記板状ワークの前記表面側を前記保持面に保持する保持工程と、
前記回転軸に対して前記第1の回転軸を相対的に第1の傾斜角だけ僅かに傾斜させた状態で、前記保持面に保持された前記板状ワークの裏面側に対して、前記第1の研削砥石の外周縁が前記余剰領域に対応する領域の内側と前記板状ワークの中心とを通るように、前記第1の研削面を位置付けて粗研削加工を施す第1の加工工程と、
前記回転軸に対して前記第2の回転軸を相対的に前記第1の傾斜角より小さな第2の傾斜角だけ僅かに傾斜させた状態で、前記保持面に保持されて前記第1の加工工程済みの前記板状ワークの裏面側に対して、前記第2の研削砥石の外周縁が前記余剰領域に対応する領域の内側と前記板状ワークの中心とを通るように、第2の研削面を位置付けて仕上げ研削加工を施す第2の加工工程と、
を含むことを特徴とするワーク加工方法。 - 板状ワークを保持して回転軸を中心に回転駆動される保持面を有する保持手段と、
前記保持面に対向する第1の研削面を有する粗研削用の第1の研削砥石と、該第1の研削砥石を該第1の研削面に対して垂直な垂直軸を第1の回転軸として回転可能に支持する第1のスピンドル部とを有し、前記第1の回転軸を前記回転軸に対して相対的に第1の傾斜角だけ僅かに傾斜させた第1の加工手段と、
前記保持面に対向する第2の研削面を有する仕上げ研削用の第2の研削砥石と、該第2の研削砥石を該第2の研削面に対して垂直な垂直軸を第2の回転軸として回転可能に支持する第2のスピンドル部とを有し、前記第2の回転軸を前記回転軸に対して相対的に前記第1の傾斜角よりも小さな第2の傾斜角だけ僅かに傾斜させた第2の加工手段と、
表面側にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲む余剰領域とを有して前記保持面に保持された前記板状ワークの裏面側に対して、前記第1の研削砥石の外周縁が前記余剰領域に対応する領域の内側と前記板状ワークの中心とを通るように、前記第1の研削面を位置付けて粗研削加工を施すとともに、前記保持面に保持されて前記粗研削加工済みの前記板状ワークの裏面側に対して、前記第2の研削砥石の外周縁が前記余剰領域に対応する領域の内側と前記板状ワークの中心とを通るように、第2の研削面を位置付けて仕上げ研削加工を施すことによって前記余剰領域に対応する裏面側にリング状の補強部を形成するように制御する制御手段と、
を備えることを特徴とするワーク加工装置。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011233766A (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 硬質基板の加工方法 |
JP2012174987A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 単結晶基板の研削方法 |
JP2015020261A (ja) * | 2013-07-23 | 2015-02-02 | 株式会社ディスコ | 異物除去機構及び異物除去方法 |
JP2015036173A (ja) * | 2013-08-13 | 2015-02-23 | 株式会社ディスコ | 異物除去工具及び異物除去方法 |
JP2015037137A (ja) * | 2013-08-14 | 2015-02-23 | 株式会社ディスコ | チャックテーブル |
JP2017094418A (ja) * | 2015-11-19 | 2017-06-01 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
JP2017188549A (ja) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 三益半導体工業株式会社 | スピンエッチング方法及び装置並びに半導体ウェーハの製造方法 |
JP2022151725A (ja) * | 2021-03-24 | 2022-10-07 | 環球晶圓股▲ふん▼有限公司 | ウェハ |
JP7357567B2 (ja) | 2020-02-20 | 2023-10-06 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0655424A (ja) * | 1992-08-10 | 1994-03-01 | Seiko Seiki Co Ltd | 研削盤 |
JPH10315103A (ja) * | 1997-05-16 | 1998-12-02 | Okamoto Kosaku Kikai Seisakusho:Kk | 研削/研磨方法およびその装置 |
JP2000288881A (ja) * | 1999-04-06 | 2000-10-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置及び研削方法 |
JP2008042081A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハ研削装置 |
JP2008060470A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
-
2009
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0655424A (ja) * | 1992-08-10 | 1994-03-01 | Seiko Seiki Co Ltd | 研削盤 |
JPH10315103A (ja) * | 1997-05-16 | 1998-12-02 | Okamoto Kosaku Kikai Seisakusho:Kk | 研削/研磨方法およびその装置 |
JP2000288881A (ja) * | 1999-04-06 | 2000-10-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置及び研削方法 |
JP2008042081A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハ研削装置 |
JP2008060470A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011233766A (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 硬質基板の加工方法 |
JP2012174987A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 単結晶基板の研削方法 |
JP2015020261A (ja) * | 2013-07-23 | 2015-02-02 | 株式会社ディスコ | 異物除去機構及び異物除去方法 |
JP2015036173A (ja) * | 2013-08-13 | 2015-02-23 | 株式会社ディスコ | 異物除去工具及び異物除去方法 |
JP2015037137A (ja) * | 2013-08-14 | 2015-02-23 | 株式会社ディスコ | チャックテーブル |
JP2017094418A (ja) * | 2015-11-19 | 2017-06-01 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
JP2017188549A (ja) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 三益半導体工業株式会社 | スピンエッチング方法及び装置並びに半導体ウェーハの製造方法 |
JP7357567B2 (ja) | 2020-02-20 | 2023-10-06 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2022151725A (ja) * | 2021-03-24 | 2022-10-07 | 環球晶圓股▲ふん▼有限公司 | ウェハ |
US11837632B2 (en) | 2021-03-24 | 2023-12-05 | Globalwafers Co., Ltd. | Wafer |
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