JP2017162933A - ウエーハの分割方法 - Google Patents
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Abstract
Description
12 絶縁膜
21 イオン
22 ラジカル
82 保護膜
86 (デバイスチップの)側面
87 (ウエーハ(デバイスチップ)の)表面
C デバイスチップ
D デバイス
G 分割溝
M 改質層
W ウエーハ
Claims (1)
- 表面に絶縁膜を備え分割予定ラインによって区画されデバイスを形成するウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザ光線を照射させ、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射させ、該分割予定ラインに沿ってウエーハを分割するウエーハの分割方法であって、
ウエーハの表面となる絶縁膜の上面に水溶性の保護膜を形成する保護膜形成工程と、
該保護膜形成工程で形成される該保護膜側からウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射させ該分割予定ラインに沿って該絶縁膜を切断する分割溝を形成する分割溝形成工程と、
該分割溝形成工程の後、該分割溝に沿ってウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射させウエーハの内部で集光させウエーハの内部に改質層を形成する改質層形成工程と、
該改質層形成工程の後、外力を加え該改質層に沿って個々のデバイスチップに分割する分割工程と、
該分割工程で分割された個々のデバイスチップの側面をラジカルを主体としてプラズマエッチングするエッチング工程と、
該エッチング工程の後、洗浄水を供給させ該保護膜を除去する保護膜除去工程と、を備えるウエーハの分割方法。
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Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
JP2020031135A (ja) * | 2018-08-22 | 2020-02-27 | 株式会社ディスコ | シリコンウェーハの加工方法及びプラズマエッチングシステム |
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- 2016-03-08 JP JP2016044878A patent/JP2017162933A/ja active Pending
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