JP7418905B2 - ワークピースの加工方法 - Google Patents

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Description

本発明は、ウェーハに代表される板状のワークピースを加工する際に用いられるワークピースの加工方法に関する。
携帯電話機やパーソナルコンピュータに代表される電子機器では、電子回路等のデバイスを備えるデバイスチップが必須の構成要素になっている。デバイスチップは、例えば、シリコン等の半導体材料でなるウェーハの表面側を分割予定ライン(ストリート)で複数の領域に区画し、各領域にデバイスを形成した後、この分割予定ラインに沿ってウェーハを分割することで得られる。
ウェーハに代表される板状のワークピースを分割する際には、例えば、レーザアブレーションと呼ばれる加工方法が用いられる(例えば、特許文献1参照)。このレーザアブレーションでは、ワークピースの一部をレーザビームによって溶融し、昇華させるので、デブリ等と呼ばれる加工屑が発生し易い。
レーザアブレーションで発生したデブリがワークピースに接触し、固着すると、このデブリをワークピースから容易に除去できなくなる。そこで、予めワークピースの表面側を水溶性の保護膜で覆い、ワークピースに対してデブリが接触しないようにしている(例えば、特許文献2参照)。
特開2003-320466号公報 特開2006-14031号公報
ところで、レーザアブレーション等でワークピースを加工すると、ワークピースの被加工領域に加工歪み(熱歪み)が発生し、デバイスチップの抗折強度が低下する。そこで、被加工領域を薬液(エッチング液)で処理するエッチング(ウェットエッチング)と呼ばれる方法を用いて、ワークピースから加工歪みを除去することが検討されている。
このエッチングでは、ワークピースの被加工領域に対して薬液を選択的に作用させるために、例えば、上述した水溶性の保護膜をマスクとして用いることが考えられる。しかしながら、水溶性の保護膜は、薬液に対する耐性を殆ど有しないので、この水溶性の保護膜を用いてワークピースを処理すると、途中で保護膜が失われ、ワークピースの保護されるべき領域にも薬液が作用してしまう。
非水溶性の保護膜をワークピースの表面に設け、エッチングの際のマスクとして用いることも考えられる。この場合には、ワークピースに薬液を作用させた後、有機溶剤を用いて非水溶性の保護膜をワークピースの表面から除去することになる。しかしながら、この方法では、保護膜等の残渣がワークピースの表面に残り易かった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、保護膜に起因する問題を解決してワークピースを適切に加工できる新たなワークピースの加工方法を提供することである。
本発明の一態様によれば、ワークピースの加工方法であって、ワークピースの表面に非水溶性の樹脂でなる保護膜を形成する保護膜形成ステップと、該保護膜が形成されたワークピースを加工する加工ステップと、加工されたワークピースの該表面の全体を覆うように有機溶剤を供給して該保護膜を劣化させる劣化ステップと、劣化した該保護膜に洗浄水を供給して該保護膜をワークピースの該表面から除去する除去ステップと、を含み、ワークピースの該表面が該有機溶剤によって覆われた状態で該洗浄水の供給を開始し、該除去ステップでは、該洗浄水を該保護膜に吹き付けるように供給することで、該洗浄水の衝撃により該保護膜をワークピースの該表面から除去することを特徴とするワークピースの加工方法が提供される。
発明の一態様において、該除去ステップでは、該洗浄水をエアーと混合して該保護膜に吹き付けるように供給することが好ましい。また、本発明の一態様において、該除去ステップでは、該洗浄水を200ml/min~400ml/minの条件で該保護膜に吹き付けるように供給することが好ましい。また、本発明の一態様において、該除去ステップでは、該洗浄水を供給するためのノズルをワークピースの径方向に移動させながら該洗浄水を供給することが好ましい。また、本発明の一態様において、該保護膜を劣化させる際には、ワークピースを回転させつつ該有機溶剤をワークピースの中央部に供給し、該保護膜をワークピースの該表面から除去する際には、該洗浄水をワークピースの該表面側に供給して該保護膜を除去することが好ましい。また、該有機溶剤は、イソプロピルアルコールを含むことがある。
また、該保護膜が形成されたワークピースを加工する際には、ワークピースに吸収される波長のレーザビームをワークピースの該表面側に照射してワークピースが部分的に除去された加工痕を形成しても良い。また、該保護膜が形成されたワークピースを加工する際には、該保護膜を介してワークピースの該表面側をチャックテーブルで保持しつつワークピースの裏面を研削してワークピースを薄くしても良い。また、該保護膜が形成されたワークピースを加工する際には、該保護膜をマスクとするエッチングによってワークピースの一部を除去しても良い。
本発明の一態様に係るワークピースの加工方法では、ワークピースの表面に非水溶性の樹脂でなる保護膜を形成するので、このワークピースを加工する際に、保護膜によってワークピースの表面側が適切に保護される。すなわち、水溶性の保護膜を使用する場合のように、加工の途中で保護膜が失われ、ワークピースの保護されるべき領域が損傷することはない。
更に、本発明の一態様に係るワークピースの加工方法では、不要になった保護膜を有機溶剤によって劣化させた上で、洗浄水によって除去するので、従来のように、保護膜等の残渣がワークピースの表面に残ってしまうこともない。このように、本発明の一態様に係るワークピースの加工方法によれば、保護膜に起因する問題を解決してワークピースを適切に加工できる。
ワークピース等を示す斜視図である。 ワークピースに保護膜が形成される様子を示す一部断面側面図である。 ワークピースがレーザビームによって加工される様子を示す一部断面側面図である。 ワークピースの一部がウェットエッチングによって除去される様子を示す一部断面側面図である。 ウェットエッチングで使用されたエッチング液が洗い流される様子を示す一部断面側面図である。 保護膜を劣化させる様子を示す一部断面側面図である。 図6の一部を拡大した一部断面側面図である。 ワークピースから保護膜が除去される様子を示す一部断面側面図である。 図8の一部を拡大した一部断面側面図である。 ワークピースに形成されている保護膜が平坦化される様子を示す一部断面側面図である。 ワークピースが研削される様子を示す一部断面側面図である。 ワークピースの一部がレーザビームによって改質される様子を示す一部断面側面図である。 図13(A)及び図13(B)は、エキスパンドシートが拡張される様子を示す一部断面側面図である。 ワークピースの一部がプラズマエッチング(ドライエッチング)によって除去される様子を示す一部断面側面図である。
添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図1は、本実施形態に係るワークピースの加工方法で加工されるワークピース(被加工物)11等を模式的に示す斜視図である。図1に示すように、本実施形態のワークピース11は、例えば、ヒ化ガリウム(GaAs)でなる円盤状のウェーハであり、互いに概ね平行な表面11a及び裏面11bを備えている。
ワークピース11の表面11aは、互いに交差する複数の分割予定ライン(ストリート)13によって複数の領域に区画されている。この分割予定ライン13によって区画された領域のそれぞれには、例えば、レーザダイオード(LD:Laser Diode)等のデバイス15が形成されている。
なお、ワークピース11の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えば、シリコン(Si)、リン化インジウム(InP)、窒化ガリウム(GaN)、炭化シリコン(SiC)等の半導体、サファイア(Al)、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス等の誘電体(絶縁体)、タンタル酸リチウム(LiTaO)、ニオブ酸リチウム(LiNbO)等の強誘電体でなる円盤状のウェーハや平面視で矩形状の基板をワークピース11として用いることもできる。
同様に、デバイス15の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。例えば、デバイス15として、IC(Integrated Circuit)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)、LED(Light Emitting Diode)、フォトダイオード(Photodiode)、SAW(Surface Acoustic Wave)フィルタ、BAW(Bulk Acoustic Wave)フィルタ等が形成されても良い。また、ワークピース11には、デバイス15が形成されていなくても良い。
本実施形態に係るワークピースの加工方法では、まず、このワークピース11の裏面11bに、ワークピース11より大型のダイシングテープ21を貼付する(ダイシングテープ貼付ステップ)。ダイシングテープ21は、代表的には、フィルム状の基材と、基材の一方の面に設けられた糊層と、で構成されている。
ダイシングテープ21の基材は、例えば、ポリオレフィン、塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート等の材料でなり、ダイシングテープ21の糊層は、例えば、アクリル系やゴム系の材料でなる。このダイシングテープ21の糊層側をワークピース11の裏面11bに密着させれば、ダイシングテープ21はワークピース11に貼付される。
ダイシングテープ21の糊層側の外周部分には、例えば、ステンレス鋼(SUS)やアルミニウム等の金属材料でなる環状のフレーム23が固定される。これにより、ワークピース11は、ダイシングテープ21を介して環状のフレーム23に支持される。なお、後述するように、ダイシングテープ21やフレーム23を用いずにワークピース11を加工することもできる。
ワークピース11にダイシングテープ21を貼付した後には、ワークピース11の表面11aに非水溶性の樹脂でなる保護膜を形成する(保護膜形成ステップ)。図2は、ワークピースに保護膜が形成される様子を示す一部断面側面図である。保護膜の形成には、例えば、図2に示すスピンコーター12が用いられる。
スピンコーター12は、ワークピース11等が収容される円筒状の収容部14を含んでいる。この収容部14の内側の空間14aが、ワークピース11に対して保護膜を形成する際の処理室となる。空間14aの中央付近には、スピンナテーブル16が配置されている。
スピンナテーブル16の上面の一部は、ワークピース11(ダイシングテープ21)を保持する保持面16aである。保持面16aには、スピンナテーブル16の内部に形成された流路(不図示)やバルブ(不図示)等を介してエジェクタ等の吸引源(不図示)が接続されている。そのため、バルブを開けば、保持面16aに吸引源の負圧が作用する。
スピンナテーブル16の周囲には、上述した環状のフレーム23を固定する複数のクランプ18が設けられている。また、スピンナテーブル16の下部には、スピンドル20を介してモータ等の回転駆動源22が連結されている。スピンナテーブル16は、この回転駆動源22が生じる力によって回転する。
なお、各クランプ18は、例えば、スピンナテーブル16の回転によって生じる遠心力を利用してフレーム23を固定できるように構成されている。そのため、スピンナテーブル16を高速に回転させたとしても、ワークピース11やフレーム23等がスピンナテーブル16から外れてしまうことはない。
スピンナテーブル16の上方には、保護膜の形成に用いられる液状の原料31を先端部から滴下する第1ノズル24が配置されている。第1ノズル24の基端側には、モータ等の回転駆動源26が連結されており、液状の原料31を滴下する第1ノズル24の先端部は、この回転駆動源26が生じる力によってスピンナテーブル16の上方の領域を移動する。
本実施形態では、回転駆動源26の力によって、鉛直方向に沿う回転軸の周りに第1ノズル24を回転させるので、この回転軸から離れた位置にある第1ノズル24の先端部の移動経路は、円弧状になる。液状の原料31を滴下する際には、第1ノズル24の先端部を、空間14aの端部に相当する第1ノズル退避領域から、スピンナテーブル16の直上に相当する滴下領域まで移動させる。
また、スピンナテーブル16の上方には、洗浄用の流体を先端部から供給する第2ノズル28が配置されている。第2ノズル28の基端側には、モータ等の回転駆動源30が連結されており、洗浄用の流体を供給する第2ノズル28の先端部は、この回転駆動源30が生じる力によってスピンナテーブル16の上方の領域を移動する。
本実施形態では、回転駆動源30の力によって、鉛直方向に沿う回転軸の周りに第2ノズル28を回転させるので、この回転軸から離れた位置にある第2ノズル28の先端部の移動経路は、円弧状になる。洗浄用の流体を供給する際には、第2ノズル28の先端部を、空間14aの端部に相当する第2ノズル退避領域から、スピンナテーブル16の直上に相当する洗浄領域まで移動させる。
保護膜を形成する際には、まず、ワークピース11に貼付されているダイシングテープ21の基材側がスピンナテーブル16の保持面16aに接触するように、ワークピース11等をスピンナテーブル16に載せる。そして、吸引源の負圧を保持面16aに作用させる。この結果、ダイシングテープ21は、保持面16aによって吸引され、このダイシングテープ21を介してワークピース11がスピンナテーブル16に保持される。すなわち、ワークピース11の表面11a側が上方に露出する。
その後、第1ノズル24の先端部をスピンナテーブル16の直上に相当する滴下領域に移動させ、この先端部から、スピンナテーブル16に保持されているワークピース11の表面11a側に向けて液状の原料31を滴下する。より具体的には、第1ノズル24の先端部をワークピース11の中央部の上方に位置付け、液状の原料31を滴下する。
併せて、スピンナテーブル16を回転させる。スピンナテーブル16の回転数は、例えば、2000rpmであり、スピンナテーブル16を回転させる時間は、例えば、30秒である。ただし、スピンナテーブル16の回転等に係る条件に特段の制限はない。このスピンナテーブル16の回転により、液状の原料31は、ワークピース11の表面11aの全体に広がる。すなわち、表面11aの全体に液状の原料31が塗布される。
本実施形態では、液状の原料31として、非水溶性の樹脂でなる保護膜の形成に適したPVB(ポリビニルブチラール)を使用する。なお、ポリメタクリル酸メチル樹脂に代表されるアクリル系樹脂、酢酸セルロースを含むセルロース系樹脂、エポキシ系樹脂等を液状の原料31として使用しても良い。
液状の原料31をワークピース11の表面11aの全体に広げた後には、例えば、この液状の原料31を室温で乾燥させる。液状の原料31を乾燥させる時間(ワークピース11を室温で放置する時間)は、例えば、24時間である。これにより、非水溶性の樹脂でなる保護膜33(図3参照)がワークピース11の表面11aに形成される。ただし、ワークピース11の表面11aに塗布された液状の原料31を乾燥させる際の条件に特段の制限はない。
例えば、液状の原料31の供給を停止した状態で、スピンナテーブル16を回転させ続けることによって、ワークピース11の表面11aに塗布された液状の原料31を乾燥させることもできる。また、ホットプレート、オーブン(乾燥炉)、ヒータ、ランプ等を用いて液状の原料31を加熱し、短い時間で乾燥させても良い。例えば、80℃に設定されたオーブンにワークピース11を投入することで、液状の原料31を短い時間で乾燥させることができる。この場合、加熱の時間は、例えば、3分程度で良い。
ワークピース11の表面11aに非水溶性の保護膜33を形成した後には、ワークピース11に吸収される波長のレーザビームをワークピース11の表面11a側に照射してワークピース11を加工する(加工ステップ、レーザアブレーションステップ)。図3は、ワークピース11がレーザビームによって加工される様子を示す一部断面側面図である。レーザビームによってワークピース11を加工する際には、例えば、図3に示すレーザ加工装置42が用いられる。
レーザ加工装置42は、ワークピース11の保持に使用されるチャックテーブル44を備えている。チャックテーブル44は、例えば、ステンレス鋼に代表される金属材料でなる円筒状の枠体46と、多孔質材料でなり枠体46の上部に配置される保持板48と、を含む。
保持板48の上面は、ワークピース11(ダイシングテープ21)を保持する保持面48aとなる。保持板48の下面側は、枠体46の内部に設けられた流路46aやバルブ(不図示)等を介して吸引源(不図示)に接続されている。そのため、バルブを開けば、保持面48aに吸引源の負圧が作用する。
枠体46の周囲には、フレーム23の固定に使用される複数のクランプ50が設けられている。枠体46(チャックテーブル44)は、モータ等の回転駆動源(不図示)に連結されており、上述した保持面48aに対して概ね垂直な回転軸の周りに回転する。また、枠体46(チャックテーブル44)は、移動機構(不図示)によって支持されており、上述した保持面48aに対して概ね平行な方向に移動する。
チャックテーブル44の上方には、レーザ照射ユニット52が配置されている。レーザ照射ユニット52は、レーザ発振器(不図示)でパルス発振されたレーザビーム35を所定の位置に照射し、集光する。本実施形態で使用されるレーザ発振器は、ワークピース11に吸収される波長(吸収され易い波長)のレーザビーム35を生成できるように構成されており、ワークピース11のレーザアブレーションに適している。
上述のように、ワークピース11はヒ化ガリウムによって構成されているので、本実施形態では、355nm~532nmの波長のレーザビーム35を生成できるレーザ発振器が使用される。このようなレーザ発振器としては、例えば、Nd:YAGやNd:YVO4等の結晶を利用するものが挙げられる。
ワークピース11を加工する際には、まず、ワークピース11に貼付されているダイシングテープ21の基材側をチャックテーブル44の保持面48aに接触させた上で、保持面48aに吸引源の負圧を作用させる。この結果、ダイシングテープ21は、保持面48aによって吸引され、ワークピース11は、表面11a側の保護膜33が上方に露出する状態でチャックテーブル44に保持される。なお、フレーム23は、クランプ50によって固定される。
次に、チャックテーブル44の位置等を調整し、例えば、任意の分割予定ライン13の延長線の上方にレーザ照射ユニット52の位置を合わせる。そして、図3に示すように、レーザ照射ユニット52からワークピース11の表面11a側に向けてレーザビーム35を照射しながら、対象の分割予定ライン13に対して平行な方向にチャックテーブル44を移動させる。すなわち、対象の分割予定ライン13に沿ってワークピース11にレーザビーム35を照射する。
レーザビーム35は、例えば、ワークピース11の表面11a又は内部に集光する条件で照射される。このように、ワークピース11に吸収される波長のレーザビーム35を分割予定ライン13に沿ってワークピース11に照射することで、ワークピース11及び保護膜33を分割予定ライン13に沿って部分的に除去し、加工痕17を形成できる。すなわち、レーザアブレーションによる加工痕17を分割予定ライン13に沿ってワークピース11に形成できる。
本実施形態では、分割予定ライン13に沿ってワークピース11を分断する加工痕17を形成できる条件でレーザビーム35が照射される。具体的には、対象の分割予定ライン13(第1分割予定ライン)に対するレーザビーム35の照射を、この分割予定ライン13(第1分割予定ライン)に沿ってワークピース11が分断されるまで何度か繰り返す。
つまり、対象の分割予定ライン13(第1分割予定ライン)に沿ってその一端から他端までレーザビーム35を照射した後には、厚さ方向に異なる別の位置にレーザビーム35を集光させて、同じ分割予定ライン13(第1分割予定ライン)にレーザビーム35を再び照射すれば良い。これにより、対象の分割予定ライン13(第1分割予定ライン)に沿ってワークピース11を確実に分断できるようになる。
ただし、レーザビーム35の出力、スポット径、繰り返し周波数、照射回数等の条件は、ワークピース11を適切に分断できる範囲内で任意に設定される。例えば、一度のレーザビーム35の照射によってワークピース11を分断できるようであれば、対象の分割予定ライン13(第1分割予定ライン)に沿ってレーザビーム35の照射を何度も繰り返す必要はない。
対象の分割予定ライン13(第1分割予定ライン)に沿ってワークピース11を加工した後には、チャックテーブル44の位置等を再び調整し、別の分割予定ライン13(第2分割予定ライン)の延長線の上方にレーザ照射ユニット52の位置を合わせる。そして、レーザ照射ユニット52からワークピース11の表面11a側に向けてレーザビーム35を照射しながら、この別の分割予定ライン13(第2分割予定ライン)に対して平行な方向にチャックテーブル44を移動させる。
すなわち、別の分割予定ライン13(第2分割予定ライン)に沿ってワークピース11にレーザビーム35を照射する。その結果、この別の分割予定ライン13(第2分割予定ライン)に沿ってワークピース11に加工痕17が形成される。なお、この別の分割予定ライン13(第2分割予定ライン)に対するレーザビーム35の照射は、先に対象とした分割予定ライン13(第1分割予定ライン)に対するレーザビーム35の照射と同等の条件で行われる。
上述の手順は、全ての分割予定ライン13に沿ってワークピース11が加工(分断)されるまで繰り返される。その結果、ワークピース11は、それぞれがデバイス15を含む複数のデバイスチップへと分割される。同様に、保護膜33もワークピース11と共に各デバイスチップに対応した小さな保護膜へと分割される。なお、本実施形態では、ワークピース11を分断する態様の加工痕17を形成しているが、この加工痕17は、ワークピース11を分断しない溝等でも良い。
レーザビーム35を照射してワークピース11を加工した後には、保護膜33をマスクとして用いるウェットエッチングによってワークピース11の一部を除去する(加工ステップ、ウェットエッチングステップ)。図4は、ワークピース11の一部がウェットエッチングによって除去される様子を示す一部断面側面図である。
ウェットエッチングによってワークピース11の一部を除去する際には、図4に示すように、エッチング槽62に注がれたエッチング液37にワークピース11を浸す。なお、本実施形態では、ワークピース11と共にダイシングテープ21及びフレーム23もエッチング液37に浸している。
エッチング液37としては、例えば、水酸化アンモニウム(NHOH)と過酸化水素(H)とを水(HO)に溶解させたアルカリ性の水溶液を用いることができる。この場合、例えば、エッチング液37に対してワークピース11を2分ほど浸すと良い。ただし、エッチング液37の種類、処理の時間等の条件は、ワークピース11の種類、厚さ等の条件に応じて任意に設定される。
例えば、エッチング液37として、水酸化カリウム(KOH)、水酸化ナトリウム(NaOH)、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)等を水に溶解させたアルカリ性の水溶液を用いることもできる。また、エッチング液37として、塩化水素(HCl)を水に溶解させた酸性の水溶液(塩酸)や、リン酸(HPO)と硫酸(HSO)との混酸等を用いても良い。
上述のように、ワークピース11の表面11a側は、加工痕17に対応する領域を除いて非水溶性の樹脂でなる保護膜33によって覆われている。そのため、ワークピース11をエッチング液37に浸すと、この保護膜33によって覆われていない領域にのみエッチング液が作用する。
すなわち、このウェットエッチングでは、保護膜33によって覆われていない一部の領域がワークピース11から除去されることになる。これにより、例えば、加工痕17の近傍に生じた加工歪み(熱歪み)等をワークピース11から除去して、デバイスチップの抗折強度を高められる。
また、本実施形態では、上述のように、非水溶性の樹脂でなる保護膜33をウェットエッチングの際のマスクとして用いるので、水溶性の樹脂でなる保護膜をマスクとして用いる場合のように、エッチング液によってマスクが溶解し、失われてしまうことがない。よって、ワークピース11の保護されるべき領域(例えば、デバイス15)を確実に保護できる。
ウェットエッチングによってワークピース11の一部を除去した後には、ワークピース11等に付着しているエッチング液37を洗い流す(リンスステップ)。図5は、ウェットエッチングで使用されたエッチング液37が洗い流される様子を示す一部断面側面図である。エッチング液37を洗い流す際には、例えば、上述したスピンコーター12が用いられる。
具体的には、まず、ワークピース11に貼付されているダイシングテープ21の基材側がスピンナテーブル16の保持面16aに接触するように、ワークピース11等をスピンナテーブル16に載せる。そして、吸引源の負圧を保持面16aに作用させる。この結果、ダイシングテープ21は、保持面16aによって吸引され、このダイシングテープ21を介してワークピース11がスピンナテーブル16に保持される。すなわち、ワークピース11の表面11a側の保護膜33が上方に露出する。
その後、第2ノズル28の先端部をスピンナテーブル16の直上に相当する洗浄領域に移動させ、この先端部から、スピンナテーブル16に保持されているワークピース11(保護膜33)に向けて洗浄用の流体39を供給する。併せて、スピンナテーブル16を、例えば、800rpmの回転数で回転させる。
洗浄用の流体39としては、水(代表的には、純水)等が用いられる。例えば、この処理を5分ほど行うことで、ワークピース11等に付着しているエッチング液37を完全に洗い流すことができる。ただし、スピンナテーブル16の回転数や、処理の時間、洗浄用の流体39の種類等の条件に特段の制限はない。また、スピンコーター12を用いずに、例えば、流水等によってエッチング液37を洗い流すこともできる。
エッチング液37を洗い流した後には、ワークピース11に有機溶剤を供給して保護膜33を劣化させる(劣化ステップ)。図6は、保護膜33を劣化させる様子を示す一部断面側面図であり、図7は、図6の一部を拡大した一部断面側面図である。保護膜33を劣化させる際には、例えば、図6に示す保護膜除去装置72が用いられる。なお、この保護膜除去装置72の構成要素の多くは、スピンコーター12の構成要素と共通である。よって、共通の構成要素には同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
図6に示すように、保護膜除去装置72を構成するスピンナテーブル16の上方には、保護膜33を劣化させる有機溶剤41を先端部から供給する第1ノズル74が配置されている。第1ノズル74の基端側には、モータ等の回転駆動源26が連結されており、有機溶剤41を供給する第1ノズル74の先端部は、この回転駆動源26が生じる力によってスピンナテーブル16の上方の領域を移動する。
本実施形態では、回転駆動源26の力によって、鉛直方向に沿う回転軸の周りに第1ノズル74を回転させるので、この回転軸から離れた位置にある第1ノズル74の先端部の移動経路は、円弧状になる。有機溶剤41を供給する際には、第1ノズル74の先端部を、空間14aの端部に相当する第1ノズル退避領域から、スピンナテーブル16の直上に相当する有機溶剤供給領域まで移動させる。
また、スピンナテーブル16の上方には、洗浄水を先端部から供給する第2ノズル76が配置されている。第2ノズル76の基端側には、モータ等の回転駆動源30が連結されており、洗浄水を供給する第2ノズル76の先端部は、この回転駆動源30が生じる力によってスピンナテーブル16の上方の領域を移動する。
本実施形態では、回転駆動源30の力によって、鉛直方向に沿う回転軸の周りに第2ノズル76を回転させるので、この回転軸から離れた位置にある第2ノズル76の先端部の移動経路は、円弧状になる。洗浄水を供給する際には、第2ノズル76の先端部を、空間14aの端部に相当する第2ノズル退避領域から、スピンナテーブル16の直上に相当する洗浄水供給領域まで移動させる。
保護膜33を劣化させる際には、まず、ワークピース11に貼付されているダイシングテープ21の基材側がスピンナテーブル16の保持面16aに接触するように、ワークピース11等をスピンナテーブル16に載せる。そして、吸引源の負圧を保持面16aに作用させる。この結果、ダイシングテープ21は、保持面16aによって吸引され、このダイシングテープ21を介してワークピース11がスピンナテーブル16に保持される。すなわち、ワークピース11の表面11a側の保護膜33が上方に露出する。
その後、第1ノズル74の先端部をスピンナテーブル16の直上に相当する有機溶剤供給領域に移動させ、この先端部から、スピンナテーブル16に保持されているワークピース11の表面11a側(保護膜33)に向けて有機溶剤41を供給する。より具体的には、第1ノズル74の先端部をワークピース11の中央部の上方に位置付け、有機溶剤41を供給する。併せて、スピンナテーブル16を回転させる。
本実施形態では、この有機溶剤41として、IPA(イソプロピルアルコール)を使用する。これにより、ワークピース11に設けられているデバイス15等を損傷させることなく、保護膜33を劣化させることができる。なお、有機溶剤41によって生じる保護膜33の劣化には、保護膜33の膨潤、ひび割れ(クラックの生成)、部分的な溶解、剥離等が含まれる。
スピンナテーブル16の回転数は、例えば、100rpm~300rpmであり、有機溶剤41の供給量は、例えば、10ml/min~100ml/minである。このような条件で有機溶剤41を供給すると、図7に示すように、ワークピース11の表面11a側(保護膜33)が有機溶剤41で覆われる。
すなわち、ワークピース11の中央部に新しい有機溶剤41を供給し続け、このワークピース11の中央部から外周部へと向かって有機溶剤41を流動させた場合、ワークピース11の表面11a側は有機溶剤41で覆われる。このように、有機溶剤41でワークピース11の表面11a側の全体を覆うことによって、ワークピース11の局所的な乾燥を防いで、保護膜33や有機溶剤41等に起因する残渣がワークピース11に残るのを防止できる。
ワークピース11の表面11a側を有機溶剤41で覆われた状態に保つには、スピンナテーブル16の回転数を上げ過ぎず、且つ、ワークピース11の大きさ(径)に応じた十分な量の有機溶剤41を供給し続けることが重要になる。ただし、スピンナテーブル16の回転数や有機溶剤41の供給量等の条件は、必ずしも上述した範囲になくて良い。
また、有機溶剤の種類等にも大きな制限はない。例えば、デバイス15等を損傷させずに保護膜33を劣化させることができるメタノール、エタノール、トルエン、アセトン、PGME(プロピレングリコールモノメチルエーテル)等を有機溶剤41として使用しても良い。また、ソルミックス(登録商標)に代表される混合溶剤を有機溶剤41として使用することもできる。
保護膜33を劣化させた後には、この保護膜33に洗浄水を供給して、ワークピース11の表面11aから保護膜33を除去する(除去ステップ)。図8は、ワークピース11から保護膜33が除去される様子を示す一部断面側面図であり、図9は、図8の一部を拡大した一部断面側面図である。保護膜33を除去する際には、引き続いて、保護膜除去装置72が用いられる。
具体的には、まず、第2ノズル76の先端部をスピンナテーブル16の直上に相当する洗浄水供給領域に移動させ、この先端部から、スピンナテーブル16に保持されているワークピース11(保護膜33)に向けて洗浄水43を供給する。併せて、スピンナテーブル16を800rpmの回転数で回転させる。なお、本実施形態では、洗浄水43として水(代表的には、純水)を用い、これをエアーと混合してワークピース11(保護膜33)に0.4MPa、200ml/min~400ml/min程度の条件で吹き付ける。
上述のように、保護膜33は、有機溶剤41によって劣化している。そのため、所定の条件で洗浄水43をワークピース11(保護膜33)に吹き付けると、この洗浄水43の衝撃等によって保護膜33はワークピース11から除去される。なお、洗浄水43として水を用い、これをエアーと混合することなく10MPa程度の高い圧力でワークピース11(保護膜33)に吹き付けても良い。
また、本実施形態では、第2ノズル76をワークピース11の径方向に移動させながら洗浄水43を供給する。これにより、ワークピース11の表面11a側の全体に洗浄水43を吹き付けることができるので、第2ノズル76を移動させずに洗浄水43を供給する場合に比べて、保護膜33をより確実に除去できる。
この場合、ワークピース11とフレーム23との間で露出しているダイシングテープ21に洗浄水43を吹き付けてしまうと、有機溶剤41によって劣化したダイシングテープ21の糊層が基材から剥がれてワークピース11に付着する可能性がある。そのため、ダイシングテープ21に対して直に洗浄水43を吹き付けないように、第2ノズル76を移動させることが望ましい。
また、この洗浄水43の供給は、ワークピース11の表面11a側が有機溶剤41によって覆われた状態で開始されることが望ましい。例えば、ワークピース11に対する有機溶剤41の供給を停止した後、ワークピース11上の有機溶剤41が乾燥する前に洗浄水43の供給を開始する。また、有機溶剤41の供給を停止した後、スピンナテーブル16の回転を止めることなく洗浄水43の供給を開始する。これにより、ワークピース11の乾燥を防いで、保護膜33等の残渣がワークピース11に残るのを防止できる。
もちろん、有機溶剤41の供給を完全に停止する前に、洗浄水43の供給を開始しても良い。すなわち、有機溶剤41の供給による保護膜33の劣化処理(劣化ステップ)と、洗浄水43の供給による保護膜33の除去処理(除去ステップ)と、は並列して行われても良い。この場合、ワークピース11の乾燥をより確実に防止できる。また、ワークピース11に対する洗浄水43の供給は、保護膜除去装置72(スピンナテーブル16)を用いるいわゆるスピン洗浄以外の方法で行うこともできる。
以上のように、本実施形態に係るワークピースの加工方法では、ワークピース11の表面11aに非水溶性の樹脂でなる保護膜33を形成するので、このワークピース11を加工する際に、保護膜33によってワークピースの表面11a側が適切に保護される。すなわち、水溶性の保護膜を使用する場合のように、加工の途中で保護膜が失われ、ワークピース11の保護されるべき領域が損傷することはない。
また、本実施形態に係るワークピースの加工方法では、ワークピース11をレーザビーム35で加工した後に、エッチング液37によって処理するので、レーザビーム35による加工の際に発生する加工歪み(熱歪み)等がワークピース11から除去され、その品質が高まる。また、レーザビーム35による加工の際に用いられる保護膜33が、エッチング液37による処理にも使用されるので、レーザビーム35による加工とエッチング液37による処理とで別の保護膜を用意する必要もない。
更に、本実施形態に係るワークピースの加工方法では、不要になった保護膜33を有機溶剤41によって劣化させた上で、洗浄水43によって除去するので、従来のように、保護膜等の残渣がワークピース11の表面に残ってしまうこともない。このように、本実施形態に係るワークピースの加工方法によれば、保護膜33に起因する問題を解決してワークピース11を適切に加工できる。
なお、本発明は上述した実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上述した実施形態では、保護膜33の形成(保護膜形成ステップ)及びエッチング液37の除去(リンスステップ)と、保護膜33の劣化(劣化ステップ)及び保護膜33の除去(除去ステップ)と、を別の装置で行っているが、これら全ての処理を1台の装置で行っても良い。例えば、有機溶剤41の供給に用いられるノズルをスピンコーター12に加えることにより、これら全ての処理を1台のスピンコーター12で行うことができる。
また、例えば、上述した実施形態に係るワークピースの加工方法では、レーザアブレーション及びウェットエッチングの際にワークピース11の表面11a側を保護する目的で非水溶性の樹脂でなる保護膜33を使用しているが、他の目的で保護膜33を使用することもできる。
以下では、研削及びウェットエッチングの際にワークピース11の表面11a側を保護する目的で非水溶性の樹脂でなる保護膜33を使用する第1変形例、及びプラズマエッチング(ドライエッチング)の際にワークピース11の表面11a側を保護する目的で非水溶性の樹脂でなる保護膜33を使用する第2変形例について説明する。
第1変形例に係るワークピースの加工方法では、まず、上述した実施形態と同様の手順でワークピース11の表面11aに非水溶性の樹脂でなる保護膜33を形成する(保護膜形成ステップ)。なお、ここでは、ワークピース11としてシリコンでなるウェーハを用いる。ただし、ワークピース11の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。
また、この変形例では、ワークピース11の裏面11bにダイシングテープ21を貼付しない。よって、ワークピース11をスピンコーター12のスピンナテーブル16で保持する際には、保持面16aに対してワークピース11の裏面11bを直に接触させることになる。
ワークピース11の表面11a側の凹凸が大きい場合には、液状の原料31の塗布と乾燥とを何度か繰り返して保護膜33を形成すると良い。これにより、表面11a側の凹凸を完全に覆うような保護膜33をワークピース11に形成できる。この方法は、例えば、端子(電極)として機能するバンプ等が表面11a側に設けられているワークピース11を研削する際に、極めて有効である。
ワークピース11の表面11aに非水溶性の保護膜33を形成した後には、この保護膜33の露出した表面(ワークピース11とは反対側の面)を平坦化する(平坦化ステップ)。図10は、ワークピース11に形成されている保護膜33が平坦化される様子を示す一部断面側面図である。保護膜33を平坦化する際には、例えば、図10に示すバイト切削装置82が用いられる。
バイト切削装置82は、ワークピース11の保持に使用されるチャックテーブル84を備えている。チャックテーブル84は、下方の移動機構(不図示)によって支持されており、この移動機構によって水平方向に移動する。チャックテーブル84の上面の一部は、ワークピース11を保持する保持面84aとなる。保持面84aは、チャックテーブル84の内部に設けられた流路(不図示)やバルブ(不図示)等を介して吸引源(不図示)に接続されている。そのため、バルブを開けば、保持面84aに吸引源の負圧が作用する。
チャックテーブル84の上方には、バイト切削ユニット86が配置されている。バイト切削ユニット86は、スピンドル88を備えている。このスピンドル88は、鉛直方向に対して軸心が平行になるように、昇降機構(不図示)によって支持される。スピンドル88の下端部には、ワークピース11の直径と同等以上の直径の円盤状の工具マウント90が固定されている。
工具マウント90の下面には、バイト工具92が装着されている。バイト工具92は、アルミニウム、ステンレス鋼等の金属材料で形成された円盤状の基台92aを含む。基台92aの下面には、単結晶ダイヤモンド等でなる切り刃(バイト)92bが固定されている。スピンドル88の上端側には、モータ等の回転駆動源(不図示)が連結されており、バイト工具92は、回転駆動源が生じる力によって回転する。また、バイト工具92は、スピンドル88を支持する昇降機構によって任意の高さに位置付けられる。
保護膜33の表面を平坦化する際には、まず、ワークピース11の裏面11bがチャックテーブル84の保持面84aに接触するように、ワークピース11をチャックテーブル84に載せる。そして、吸引源の負圧を保持面84aに作用させる。この結果、ワークピース11の裏面11bが保持面84aによって吸引され、ワークピース11は、チャックテーブル84に保持される。すなわち、ワークピース11の表面11a側の保護膜33が上方に露出する。
次に、切り刃92bの下端の高さが保護膜33の表面(すなわち、上面)の高さよりも低くなるように、バイト工具92の高さを昇降機構によって調整する。そして、図10に示すように、スピンドル88(バイト工具92)を回転させながら、チャックテーブル84を水平方向に移動させる。
これにより、円弧状の軌跡に沿って保護膜33の表面側に切り刃92bを切り込ませ、保護膜33の表面側の全体を平坦化できる。なお、この第1変形例では、保護膜33を切削することにより平坦化しているが、保護膜33を研削又は研磨することにより平坦化しても良い。
保護膜33を平坦化した後には、ワークピース11の裏面11bを研削する(加工ステップ、研削ステップ)。図11は、ワークピース11が研削される様子を示す一部断面側面図である。ワークピース11を研削する際には、例えば、図11に示す研削装置102が用いられる。
研削装置102は、ワークピース11の保持に使用されるチャックテーブル104を備えている。チャックテーブル104は、モータ等の回転駆動源(不図示)に連結されており、この回転駆動源が生じる力によって鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル104は、下方の移動機構(不図示)によって支持されており、この移動機構によって水平方向に移動する。
チャックテーブル104の上面の一部は、ワークピース11(保護膜33)を保持する保持面104aとなる。保持面104aは、チャックテーブル104の内部に設けられた流路(不図示)やバルブ(不図示)等を介して吸引源(不図示)に接続されている。そのため、バルブを開けば、保持面104aに吸引源の負圧が作用する。
チャックテーブル104の上方には、研削ユニット106が配置されている。研削ユニット106は、スピンドル108を備えている。このスピンドル108は、鉛直方向に対して軸心が平行になるように、昇降機構(不図示)によって支持される。スピンドル108の下端部には、円盤状のマウント110が固定されている。
マウント110の下面には、マウント110と概ね径が等しい円盤状の研削ホイール112が装着されている。研削ホイール112は、ステンレス鋼、アルミニウム等の金属材料で形成されたホイール基台114を備えている。ホイール基台114の下面には、複数の研削砥石116が環状に配列されている。
スピンドル108の上端側(基端側)には、モータ等の回転駆動源(不図示)が連結されており、研削ホイール112は、この回転駆動源が生じる力によって回転する。研削ユニット106に隣接する位置、又は、研削ユニット106の内部には、ワークピース11等に対して研削用の液体(研削液)を供給するためのノズル(不図示)が設けられている。
ワークピース11の裏面11bを研削する際には、まず、ワークピース11に形成されている保護膜33の表面をチャックテーブル104の保持面104aに接触させた上で、この保持面104aに吸引源の負圧を作用させる。この結果、保護膜33は、保持面104aによって吸引され、ワークピース11は、裏面11b側が上方に露出する状態でチャックテーブル104に保持される。
次に、ワークピース11を保持したチャックテーブル104を研削ユニット106の下方に移動させる。そして、図11に示すように、チャックテーブル104とスピンドル108(研削ホイール112)とをそれぞれ回転させ、ワークピース11の裏面11b側に研削用の液体(代表的には、純水)を供給しながら、スピンドル108(研削ホイール112)を下降させる。
スピンドル108の下降速度(下降量)は、研削砥石116の下面が適切な力でワークピース11の裏面11b側に押し当てられるように調整される。これにより、ワークピース11の裏面11b側を研削して、このワークピース11を薄くできる。ここでは、ワークピース11が所定の仕上げ厚みになるまで研削される。
上述のように、この変形例では、非水溶性の樹脂でなる保護膜33によってワークピース11の表面11a側が保護されている。そのため、ワークピース11に供給される研削用の液体に保護膜33が溶解することはない。これにより、保護膜33で表面11a側を適切に保護しながら、ワークピース11の裏面11b側を研削できる。
ワークピース11の裏面11bを研削した後には、例えば、ワークピース11を透過する波長のレーザビームをワークピース11に照射してワークピース11の一部を改質する(加工ステップ、改質ステップ)。図12は、ワークピース11の一部がレーザビームによって改質される様子を示す一部断面側面図である。
ワークピース11の一部を改質する際には、例えば、図12に示すレーザ加工装置122が用いられる。なお、このレーザ加工装置122の構成要素の一部は、レーザ加工装置42の構成要素と共通である。よって、共通の構成要素には同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
レーザ加工装置122を構成するチャックテーブル44の上方には、レーザ照射ユニット124が配置されている。レーザ照射ユニット124は、レーザ発振器(不図示)でパルス発振されたレーザビーム45を所定の位置に照射し、集光する。この変形例で使用されるレーザ発振器は、ワークピース11を透過する波長(吸収され難い波長)のレーザビーム45を生成できるように構成されており、多光子吸収等を利用するワークピース11の改質に適している。
この変形例では、上述のように、ワークピース11がシリコンによって構成されているので、例えば、1064nm~1342nmの波長のレーザビーム45を生成できるレーザ発振器が使用される。このようなレーザ発振器としては、例えば、Nd:YAGやNd:YVO4等の結晶を利用するものが挙げられる。
ワークピース11の一部を改質する際には、まず、ワークピース11に形成されている保護膜33の表面をチャックテーブル44の保持面48aに接触させた上で、この保持面48aに吸引源の負圧を作用させる。この結果、保護膜33は、保持面48aによって吸引され、ワークピース11は、裏面11b側が上方に露出する状態でチャックテーブル44に保持される。
次に、チャックテーブル44の位置等を調整し、例えば、任意の分割予定ライン13の延長線の上方にレーザ照射ユニット124の位置を合わせる。そして、図12に示すように、レーザ照射ユニット124からワークピース11の裏面11b側に向けてレーザビーム45を照射しながら、対象の分割予定ライン13に対して平行な方向にチャックテーブル44を移動させる。すなわち、対象の分割予定ライン13に沿ってワークピース11にレーザビーム45を照射する。
レーザビーム45は、例えば、ワークピース11の内部(裏面11b又は表面11aから第1深さの位置)に集光する条件で照射される。このように、ワークピース11を透過する波長のレーザビーム45を、ワークピース11の内部に集光させることで、集光点及びその近傍でワークピース11の一部を改質し、他の領域に比べて強度が低い改質層19を形成できる。この改質層19は、ワークピース11を分割する際の起点となる。
対象の分割予定ライン13に沿って改質層19を形成した後には、同様の手順で、同じ分割予定ライン13に沿って別の深さの位置(第2深さの位置)に改質層19を形成しても良い。ただし、1つの分割予定ライン13に沿って形成される改質層19の数や位置に特段の制限はない。
また、レーザビーム45は、改質層19の形成時にこの改質層19から伸長するクラックが表面11a(又は裏面11b)に到達する条件でワークピース11に照射されることが望ましい。もちろん、表面11a及び裏面11bの両方にクラックが到達する条件でレーザビーム45を照射しても良い。これにより、ワークピース11をより適切に分割できるようになる。
対象の分割予定ライン13に沿って改質層19を形成した後には、同様の手順で別の分割予定ライン13に沿って改質層19を形成する。この手順は、全ての分割予定ライン13に沿って必要な数の改質層19が形成されるまで繰り返される。なお、この第1変形例では、ワークピース11の裏面11b側からレーザビーム45を照射することによって改質層19を形成しているが、レーザビーム45を照射する態様に特段の制限はない。
例えば、ワークピース11の表面11a側から保護膜33越しにレーザビーム45を照射して、ワークピース11の内部に改質層19を形成することもできる。また、後に使用されるエキスパンドシートをワークピース11の裏面11b側に貼付した上で、このエキスパンドシート越しにレーザビーム45を照射して、ワークピース11の内部に改質層19を形成することもできる。
ワークピース11の一部を改質した後には、このワークピース11の裏面11bに、ワークピース11より大型のエキスパンドシート25を貼付する(エキスパンドシート貼付ステップ)。エキスパンドシート25は、代表的には、フィルム状の基材と、基材の一方の面に設けられた糊層と、で構成されている。
エキスパンドシート25の基材は、例えば、ポリオレフィン、塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート等の材料でなり、エキスパンドシート25の糊層は、例えば、アクリル系やゴム系の材料でなる。このエキスパンドシート25の糊層側をワークピース11の裏面11bに密着させれば、エキスパンドシート25はワークピース11に貼付される。エキスパンドシート25の糊層側の外周部分には、例えば、ステンレス鋼(SUS)やアルミニウム等の金属材料でなる環状のフレーム27が固定される。
ワークピース11にエキスパンドシート25を貼付した後には、このエキスパンドシート25を拡張して改質層19を起点にワークピース11を分割する(拡張ステップ)。図13(A)及び図13(B)は、エキスパンドシート25が拡張される様子を示す一部断面側面図である。エキスパンドシート25を拡張してワークピース11を分割する際には、例えば、図13(A)及び図13(B)に示す拡張装置132が用いられる。
拡張装置132は、ワークピース11の支持に使用される支持構造134と、円筒状の拡張ドラム136とを備えている。支持構造134は、平面視で円形の開口部を有する支持テーブル138を含む。この支持テーブル138の上面には、環状のフレーム27が載せられる。支持テーブル138の外周部分には、フレーム27を固定するための複数のクランプ140が設けられている。支持テーブル138は、支持構造134を昇降させるための昇降機構142によって支持されている。
昇降機構142は、下方の基台(不図示)に固定されたシリンダケース144と、シリンダケース144に挿入されたピストンロッド146とを備えている。ピストンロッド146の上端部には、支持テーブル138が固定されている。昇降機構142は、ピストンロッド146を上下に移動させることで支持構造134を昇降させる。
支持テーブル138の開口部には、拡張ドラム136が配置されている。拡張ドラム136の内径(直径)は、ワークピース11の直径よりも大きくなっている。一方で、拡張ドラム136の外径(直径)は、環状のフレーム27の内径(直径)や、支持テーブル138の開口部の直径よりも小さくなっている。
エキスパンドシート25を拡張する際には、まず、図13(A)に示すように、支持テーブル138の上面の高さを拡張ドラム136の上端の高さに合わせ、支持テーブル138の上面にフレーム27を載せた後に、フレーム27をクランプ140で固定する。これにより、拡張ドラム136の上端は、ワークピース11とフレーム27との間でエキスパンドシート25に接触する。
次に、昇降機構142で支持構造134を下降させて、図13(B)に示すように、支持テーブル138の上面を拡張ドラム136の上端より下方に移動させる。その結果、拡張ドラム136は支持テーブル138に対して上昇し、エキスパンドシート25は拡張ドラム136で押し上げられて放射状に拡張される。
エキスパンドシート25が拡張されると、ワークピース11には、エキスパンドシート25を拡張する方向の力(放射状の力)が作用する。これにより、ワークピース11は、改質層19を起点に複数のデバイスチップへと分割される。また、保護膜33もワークピース11と共に各デバイスチップに対応した小さな保護膜へと分割される。
なお、エキスパンドシート25を拡張する前に、レーザビームを照射して保護膜33を分割し易く加工しても良いし、同様の方法で保護膜33を小さな保護膜へと分割しても良い。また、上述した方法(いわゆるスピンコートと呼ばれる方法)の代わりに、スクリーン印刷等の方法を用いて、各デバイスチップに対応する大きさの複数の保護膜を形成することもできる。
エキスパンドシート25を拡張してワークピース11を分割した後には、上述した実施形態と同様の手順で、保護膜33をマスクとして用いるウェットエッチングによってワークピース11の一部を除去する(加工ステップ、ウェットエッチングステップ)。そして、ウェットエッチングによってワークピース11の一部を除去した後には、上述した実施形態と同様の手順で、ワークピース11等に付着しているエッチング液37を洗い流す(リンスステップ)。
また、エッチング液37を洗い流した後には、上述した実施形態と同様の手順で、ワークピース11に有機溶剤を供給して保護膜33を劣化させる(劣化ステップ)。更に、保護膜33を劣化させた後には、上述した実施形態と同様の手順で、保護膜33に洗浄水を供給し、ワークピース11の表面11aから保護膜33を除去する(除去ステップ)。
この第1変形例に係るワークピースの加工方法でも、ワークピース11の表面11aに非水溶性の樹脂でなる保護膜33を形成するので、このワークピース11を加工する際に、保護膜33によってワークピースの表面11a側が適切に保護される。すなわち、水溶性の保護膜を使用する場合のように、加工の途中で保護膜が失われ、ワークピース11の保護されるべき領域が損傷することはない。
また、第1変形例に係るワークピースの加工方法では、ワークピース11をレーザビーム45で改質した後に、エッチング液37によって処理するので、レーザビーム45による改質の際に発生する加工歪み(熱歪み)等がワークピース11から除去され、その品質が高まる。また、レーザビーム45による改質の際に用いられる保護膜33が、エッチング液37による処理にも使用されるので、レーザビーム45による改質とエッチング液37による処理とで別の保護膜を用意する必要もない。
更に、第1変形例に係るワークピースの加工方法では、不要になった保護膜33を有機溶剤41によって劣化させた上で、洗浄水43によって除去するので、従来のように、保護膜等の残渣がワークピース11の表面に残ってしまうこともない。このように、第1変形例に係るワークピースの加工方法でも、保護膜33に起因する問題を解決してワークピース11を適切に加工できる。
なお、第1変形例に係るワークピースの加工方法では、ワークピース11の一部を改質して分割の起点となる改質層19を形成しているが、この改質層19の代わりに、上述した実施形態のような加工痕17をワークピース11に形成しても良い。また、切削ブレードと呼ばれる円環状の砥石工具をワークピース11に切り込ませて、分割の起点となる溝をワークピース11に形成したり、ワークピース11を切断して複数のデバイスチップへと分割したりすることもできる。
なお、レーザビームや切削ブレードを用いてワークピース11を切断する場合には、このワークピース11へのエキスパンドシート25の貼付やエキスパンドシート25の拡張を省略できる。また、保護膜33をマスクとして用いるウェットエッチングは、省略されても良い。この場合、有機溶剤41で保護膜33を劣化させ、ワークピース11から保護膜33を除去した後に、エキスパンドシート25を拡張してワークピース11を分割することもできる。
一方で、第2変形例に係るワークピースの加工方法では、まず、上述した実施形態と同様の手順で、ワークピース11の裏面11bに、ワークピース11より大型のダイシングテープ21を貼付する(ダイシングテープ貼付ステップ)。ワークピース11にダイシングテープ21を貼付した後には、上述した実施形態と同様の手順で、ワークピース11の表面11aに非水溶性の樹脂でなる保護膜33を形成する(保護膜形成ステップ)。
ただし、この第2変形例では、後に行われるドライエッチング(プラズマエッチング)に対し、ある程度の耐性を持つ保護膜33を形成できるように、液状の原料31を選択する必要がある。ワークピース11の表面11aに非水溶性の保護膜33を形成した後には、例えば、保護膜33を分割予定ライン13に沿って分割する(保護膜分割ステップ)。すなわち、分割予定ライン13に沿ってワークピース11の表面11a側を露出させる。
保護膜33を分割する方法に特段の制限はないが、例えば、上述した実施形態のように、ワークピース11に吸収される波長のレーザビーム35を分割予定ライン13に沿ってワークピース11の表面11a側に照射する方法で保護膜33を分割できる。この場合には、ワークピース11の表面11a側に溝(加工痕)等が形成される。
保護膜33を分割予定ライン13に沿って分割した後には、ワークピース11の一部をプラズマエッチング(ドライエッチング)によって除去する(加工ステップ、プラズマエッチングステップ)。図14は、ワークピース11の一部がプラズマエッチングによって除去される様子を示す一部断面側面図である。ワークピース11の一部をプラズマエッチングで除去する際には、例えば、図14に示すプラズマエッチング装置152が用いられる。
プラズマエッチング装置152は、内部に処理用の空間が形成された真空チャンバ154を備えている。真空チャンバ154の側壁には、ワークピース11等を搬入する際、又は搬出する際に用いられる開口154aが形成されている。開口154aの外部には、この開口154aを覆う大きさのゲート156が設けられている。
ゲート156には、開閉機構(不図示)が連結されており、この開閉機構によってゲート156は、例えば、上下に移動する。例えば、ゲート156を下降させて開口154aを露出させることで、開口154aを通じてワークピース11等を真空チャンバ154の内部の空間に搬入し、又は、ワークピース11等を真空チャンバ154の内部の空間から搬出できる。
真空チャンバ154の底壁には、排気口154bが形成されている。この排気口154bは、真空ポンプ等の排気ユニット158に接続されている。真空チャンバ154の空間内には、下部電極160が配置されている。下部電極160は、導電性の材料を用いて円盤状に形成されており、真空チャンバ154の外部において高周波電源162に接続されている。
下部電極160の上面側には、例えば、静電チャック(不図示)が配置される。静電チャックは、互いに絶縁された複数の電極を備えており、各電極とワークピース11との間に発生する電気的な力を利用してワークピース11を吸着し、保持する。ただし、この変形例のプラズマエッチング装置152は、必ずしも静電チャックを備えなくて良い。
真空チャンバ154の天井壁には、導電性の材料を用いて円盤状に形成された上部電極164が絶縁材166を介して取り付けられている。上部電極164の下面側には、複数のガス噴出孔164aが形成されており、このガス噴出孔164aは、上部電極164の上面側に設けられたガス供給孔164b等を介してガス供給源168に接続されている。これにより、エッチング用のガスを真空チャンバ154の空間内に供給できる。この上部電極164も、真空チャンバ154の外部において高周波電源170に接続されている。
ワークピース11の一部をプラズマエッチングによって除去する際には、まず、開閉機構によってゲート156を下降させる。次に、開口154aを通じてワークピース11を真空チャンバ154の空間内に搬入し、静電チャック(下部電極160)に載せる。この第2変形例では、ワークピース11にダイシングテープ21が貼着されているので、ダイシングテープ21を静電チャックの上面に接触させる。
その後、静電チャックを作動させれば、ワークピース11は、表面11a側に設けられている保護膜33が上方に露出した状態で静電チャックに保持される。静電チャックでワークピース11を保持した後には、保護膜33を介してワークピース11の表面11a側にプラズマエッチングを施すことで、分割予定ライン13に沿って加工痕を形成する。具体的には、まず、開閉機構によってゲート156を上昇させて、真空チャンバ154の空間を密閉する。
また、排気ユニット158を作動させて、空間内を減圧する。この状態で、ガス供給源168からエッチング用のガスを所定の流量で供給しつつ、高周波電源162,170で下部電極160及び上部電極164に適切な高周波電力を供給すると、下部電極160と上部電極164との間にラジカルやイオン等を含むプラズマが発生する。
これにより、保護膜33で覆われていないワークピース11の表面11a側(分割予定ライン13に対応する領域)をプラズマに曝し、ワークピース11を加工できる。なお、ガス供給源168から供給されるエッチング用のガスは、ワークピース11の材質等に応じて適切に選択される。
プラズマエッチングの具体的な態様に制限はない。例えば、いわゆるボッシュプロセスと呼ばれるエッチング技術を用いてワークピース11に加工痕を形成することもできる。この場合には、例えば、エッチング用のガスとして、SFとCとを交互に供給することになる。
第2変形例では、このプラズマエッチングによって、ワークピース11を分断するような加工痕を分割予定ライン13に沿って形成する。その結果、ワークピース11は、それぞれがデバイス15を含む複数のデバイスチップへと分割される。なお、この第2変形例では、ワークピース11を分断する態様の加工痕を形成しているが、加工痕は、ワークピース11を分断しない溝等でも良い。
ワークピース11の一部をプラズマエッチングによって除去し、加工痕を形成した後には、上述した実施形態と同様の手順で、ワークピース11に有機溶剤を供給して保護膜33を劣化させる(劣化ステップ)。また、保護膜33を劣化させた後には、上述した実施形態と同様の手順で、保護膜33に洗浄水を供給し、ワークピース11の表面11aから保護膜33を除去する(除去ステップ)。
この第2変形例に係るワークピースの加工方法でも、ワークピース11の表面11aに非水溶性の樹脂でなる保護膜33を形成するので、このワークピース11を加工する際に、保護膜33によってワークピースの表面11a側が適切に保護される。すなわち、水溶性の保護膜を使用する場合のように、加工の途中で保護膜が失われ、ワークピース11の保護されるべき領域が損傷することはない。
また、第2変形例に係るワークピースの加工方法では、不要になった保護膜33を有機溶剤41によって劣化させた上で、洗浄水43によって除去するので、従来のように、保護膜等の残渣がワークピース11の表面に残ってしまうこともない。このように、第2変形例に係るワークピースの加工方法でも、保護膜33に起因する問題を解決してワークピース11を適切に加工できる。
なお、この第2変形例に係るプラズマエッチングによるワークピース11の加工(プラズマエッチングステップ)を、上述した実施形態や第1変形例に適用することもできる。例えば、上述した実施形態及び第1変形例に係るウェットエッチングによるワークピース11の加工(ウェットエッチングステップ)等に代えて、プラズマエッチングによるワークピース11の加工(プラズマエッチングステップ)を適用しても良い。
同様に、第1変形例に係るワークピース11の改質(改質ステップ)に代えて、プラズマエッチングによるワークピース11の加工(プラズマエッチングステップ)を適用することもできる。これらの場合には、必要に応じて手順の一部が適切に変更される。
例えば、第1変形例に係るワークピース11の改質に代えて、プラズマエッチングによるワークピース11の加工を適用する場合には、ワークピース11の表面11aに非水溶性の樹脂でなる保護膜33を形成した後、プラズマエッチングによってワークピース11を加工する前に、保護膜33を分割予定ライン13に沿って分割する必要がある。
その他、上述した実施形態、第1変形例、及び第2変形例に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
11 ワークピース
11a 表面
11b 裏面
13 分割予定ライン
15 デバイス
17 加工痕
19 改質層
21 ダイシングテープ
23 フレーム
25 エキスパンドシート
27 フレーム
31 原料
33 保護膜
35 レーザビーム
37 エッチング液
39 流体
41 有機溶剤
43 洗浄水
45 レーザビーム
12 スピンコーター
14 収容部
14a 空間
16 スピンナテーブル
16a 保持面
18 クランプ
20 スピンドル
22 回転駆動源
24 第1ノズル
26 回転駆動源
28 第2ノズル
30 回転駆動源
42 レーザ加工装置
44 チャックテーブル
46 枠体
46a 流路
48 保持板
48a 保持面
50 クランプ
52 レーザ照射ユニット
62 エッチング槽
72 保護膜除去装置
74 第1ノズル
76 第2ノズル
82 バイト切削装置
84 チャックテーブル
84a 保持面
86 バイト切削ユニット
88 スピンドル
90 工具マウント
92 バイト工具
92a 基台
92b 切り刃
102 研削装置
104 チャックテーブル
104a 保持面
106 研削ユニット
108 スピンドル
110 マウント
112 研削ホイール
114 ホイール基台
116 研削砥石
122 レーザ加工装置
124 レーザ照射ユニット
132 拡張装置
134 支持構造
136 拡張ドラム
138 支持テーブル
140 クランプ
142 昇降機構
144 シリンダケース
146 ピストンロッド
152 プラズマエッチング装置
154 真空チャンバ
154a 開口
154b 排気口
156 ゲート
158 排気ユニット
160 下部電極
162 高周波電源
164 上部電極
164a ガス噴出孔
164b ガス供給孔
166 絶縁材
168 ガス供給源
170 高周波電源

Claims (9)

  1. ワークピースの加工方法であって、
    ワークピースの表面に非水溶性の樹脂でなる保護膜を形成する保護膜形成ステップと、
    該保護膜が形成されたワークピースを加工する加工ステップと、
    加工されたワークピースの該表面の全体を覆うように有機溶剤を供給して該保護膜を劣化させる劣化ステップと、
    劣化した該保護膜に洗浄水を供給して該保護膜をワークピースの該表面から除去する除去ステップと、を含み、
    ワークピースの該表面が該有機溶剤によって覆われた状態で該洗浄水の供給を開始し、 該除去ステップでは、該洗浄水を該保護膜に吹き付けるように供給することで、該洗浄水の衝撃により該保護膜をワークピースの該表面から除去することを特徴とするワークピースの加工方法。
  2. 該除去ステップでは、該洗浄水をエアーと混合して該保護膜に吹き付けるように供給することを特徴とする請求項に記載のワークピースの加工方法。
  3. 該除去ステップでは、該洗浄水を200ml/min~400ml/minの条件で該保護膜に吹き付けるように供給することを特徴とする請求項に記載のワークピースの加工方法。
  4. 該除去ステップでは、該洗浄水を供給するためのノズルをワークピースの径方向に移動させながら該洗浄水を供給する請求項1から請求項のいずれかに記載のワークピースの加工方法。
  5. 該保護膜を劣化させる際には、ワークピースを回転させつつ該有機溶剤をワークピースの中央部に供給し、
    該保護膜をワークピースの該表面から除去する際には、該洗浄水をワークピースの該表面側に供給して該保護膜を除去することを特徴とする請求項1から請求項のいずれかに記載のワークピースの加工方法。
  6. 該有機溶剤は、イソプロピルアルコールを含むことを特徴とする請求項1から請求項のいずれかに記載のワークピースの加工方法。
  7. 該保護膜が形成されたワークピースを加工する際には、ワークピースに吸収される波長のレーザビームをワークピースの該表面側に照射してワークピースが部分的に除去された加工痕を形成することを特徴とする請求項1から請求項のいずれかに記載のワークピースの加工方法。
  8. 該保護膜が形成されたワークピースを加工する際には、該保護膜を介してワークピースの該表面側をチャックテーブルで保持しつつワークピースの裏面を研削してワークピースを薄くすることを特徴とする請求項1から請求項のいずれかに記載のワークピースの加工方法。
  9. 該保護膜が形成されたワークピースを加工する際には、該保護膜をマスクとするエッチングによってワークピースの一部を除去することを特徴とする請求項1から請求項のいずれかに記載のワークピースの加工方法。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11037792B2 (en) * 2018-10-25 2021-06-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor structure etching solution and method for fabricating a semiconductor structure using the same etching solution
KR20200075531A (ko) * 2018-12-18 2020-06-26 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
US20200321250A1 (en) * 2019-04-02 2020-10-08 Semiconductor Components Industries, Llc Wet chemical die singulation systems and related methods
KR102148626B1 (ko) * 2020-02-24 2020-08-26 이장엽 판재의 성형 및 건조 장치
KR20220149885A (ko) * 2021-04-30 2022-11-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US11837464B2 (en) 2022-01-06 2023-12-05 Applied Materials, Inc. Methods, systems, and apparatus for tape-frame substrate cleaning and drying

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000315668A (ja) 1999-04-30 2000-11-14 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウェーハの研磨方法、洗浄方法及び保護膜
JP2002141311A (ja) 2000-10-31 2002-05-17 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウェーハの研磨方法及びウェーハの洗浄方法
JP2002164324A (ja) 2000-11-22 2002-06-07 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
JP2005268308A (ja) 2004-03-16 2005-09-29 Sony Corp レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0281420A (ja) * 1988-09-19 1990-03-22 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP3209918B2 (ja) * 1996-04-18 2001-09-17 富士通株式会社 剥離液及びそれを使用した半導体装置の製造方法
US6352747B1 (en) * 1999-03-31 2002-03-05 Ppg Industries Ohio, Inc. Spin and spray coating process for curved surfaces
JP2002333848A (ja) * 2001-05-10 2002-11-22 Sharp Corp 複合アクティブマトリクス基板、その製造方法、及び電磁波撮像装置
US6830979B2 (en) * 2001-05-23 2004-12-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor device
JP2003320466A (ja) 2002-05-07 2003-11-11 Disco Abrasive Syst Ltd レーザビームを使用した加工機
JP4416108B2 (ja) * 2003-11-17 2010-02-17 株式会社ディスコ 半導体ウェーハの製造方法
JP2006014031A (ja) 2004-06-28 2006-01-12 Nippon Antenna Co Ltd 伸縮式ボトムヘリカルアンテナ
JP4571850B2 (ja) * 2004-11-12 2010-10-27 東京応化工業株式会社 レーザーダイシング用保護膜剤及び該保護膜剤を用いたウエーハの加工方法
JP2010034178A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Mitsubishi Gas Chemical Co Inc シリコンエッチング液およびエッチング方法
JP5171909B2 (ja) * 2010-09-16 2013-03-27 株式会社東芝 微細パターンの形成方法
CN102842595B (zh) * 2011-06-20 2015-12-02 中国科学院微电子研究所 半导体器件及其制造方法
JP5822356B2 (ja) * 2012-04-17 2015-11-24 花王株式会社 シリコンウェーハ用研磨液組成物
JP6043693B2 (ja) * 2012-10-19 2016-12-14 富士フイルム株式会社 保護膜形成用の樹脂組成物、保護膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
JP2014203954A (ja) * 2013-04-04 2014-10-27 株式会社タムラ製作所 半導体素子の製造方法
JP2016039186A (ja) * 2014-08-05 2016-03-22 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2017038030A (ja) * 2015-08-14 2017-02-16 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法及び電子デバイス
JP6770858B2 (ja) * 2016-09-09 2020-10-21 株式会社ディスコ 分割方法
JP2018056502A (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 株式会社ディスコ デバイスウエーハの加工方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000315668A (ja) 1999-04-30 2000-11-14 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウェーハの研磨方法、洗浄方法及び保護膜
JP2002141311A (ja) 2000-10-31 2002-05-17 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウェーハの研磨方法及びウェーハの洗浄方法
JP2002164324A (ja) 2000-11-22 2002-06-07 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
JP2005268308A (ja) 2004-03-16 2005-09-29 Sony Corp レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置

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