JP2017157683A - Led発光装置およびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】薄型化を図ることが可能なLED発光装置を提供すること。【解決手段】LED発光装置A1は、半導体層12と、半導体層12の厚さ方向(z方向)において互いに反対側を向くチップ主面1aおよびチップ裏面1bと、チップ主面1aに形成されたp側電極13とを備えるLEDチップ1と、LEDチップ1のチップ裏面1b以外を覆う、LEDチップ1からの光を透過させる透光樹脂5と、ワイヤ31によってp側電極13と導通接合されており、ワイヤ31がボンディングされる第1主面21aと、第1主面21aの反対側を向く第1裏面21bとを備える第1電極パッド21とを備えている。透光樹脂5は、チップ裏面1bと同じ方向を向く透光樹脂裏面5bを備えている。チップ裏面1bと第1裏面21bとは、透光樹脂裏面5bから露出し、且つ透光樹脂裏面5bと面一になっている。【選択図】図3

Description

本発明は、光源としてLEDチップを備えるLED発光装置およびその製造方法に関する。
特許文献1には、従来のLED発光装置の一例が開示されている。同文献に開示されたLED発光装置は、基板と当該基板に搭載されたLEDチップとを備える。前記LEDチップは、前記基板の片面上に実装されている。また、前記LED発光装置は、前記LEDチップを覆う透光樹脂を備える。また、前記LEDチップから側方に進行する光を前記片面が向く方向へと反射するリフレクタが備えられる場合がある。
前記LEDチップは、前記基板の前記片面上に実装されているため、前記基板から突出する。さらに、前記透光樹脂や前記リフレクタは、前記LEDチップよりも厚さが大とならざるを得ない。したがって、前記LED発光装置の厚さ方向寸法を小さくして、前記LED発光装置を薄型化することは容易ではない。
特開2015−191924号公報
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、薄型化を図ることが可能なLED発光装置を提供することをその課題とする。
本発明の第1の側面によって提供されるLED発光装置は、半導体層と、前記半導体層の厚さ方向において互いに反対側を向くチップ主面およびチップ裏面と、前記チップ主面に形成された第1電極とを備えるLEDチップと、前記LEDチップの前記チップ裏面以外を覆う、前記LEDチップからの光を透過させる透光樹脂と、第1ワイヤによって前記第1電極と導通接合されており、前記第1ワイヤがボンディングされる第1主面と、前記第1主面の反対側を向く第1裏面と、を備える第1電極パッドとを備えており、前記透光樹脂は、前記チップ裏面と同じ方向を向く透光樹脂裏面を備え、前記チップ裏面と前記第1裏面とは、前記透光樹脂裏面から露出し、且つ前記透光樹脂裏面と面一になっていることを特徴とする。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記LEDチップは、前記チップ主面に形成された第2電極をさらに備えており、第2ワイヤによって前記第2の電極と導通接合されており、前記第2ワイヤがボンディングされる第2主面と、前記第2主面の反対側を向く第2裏面とを備える第2電極パッドを、前記LED発光装置はさらに備えており、前記第2裏面は、前記透光樹脂裏面から露出し、且つ前記透光樹脂裏面と面一になっている。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記LEDチップは、前記半導体層を挟んで前記第1電極とは反対側に位置し、且つ前記チップ裏面を構成する第2電極をさらに備えている。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記LED発光装置は、前記チップ主面と同じ方向を向く不透光樹脂主面、前記チップ裏面と同じ方向を向く不透光樹脂裏面、および、前記不透光樹脂主面と前記不透光樹脂裏面とを繋ぎ、且つ前記LEDチップを囲む反射面を有する不透光樹脂をさらに備えており、前記不透光樹脂裏面は、前記チップ裏面と面一になっている。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記不透光樹脂は、前記第1主面の少なくとも一部を露出させており、前記第1ワイヤは、前記第1主面のうち、前記不透光樹脂から露出した領域にボンディングされている。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記反射面は、前記不透光樹脂裏面に平行な断面が円形状である。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記反射面は、前記不透光樹脂裏面に平行な断面が、前記第1電極パッドの方向に突出した部分を有する形状である。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記透光樹脂は、前記不透光樹脂主面と面一である透光樹脂主面を有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記不透光樹脂は、白色樹脂からなる。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記透光樹脂の形状は、直方体形状である。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記透光樹脂の形状は、前記チップ主面が向く方向に膨出する部分を有する砲弾型形状である。
本発明の第2の側面によって提供される製造方法は、LED発光装置の製造方法であって、固定部材の片面に電極パッドを形成する工程と、前記固定部材の片面に、電極を有するLEDチップを配置する工程と、前記LEDチップの前記電極と前記電極パッドとを、ワイヤで導通接合する工程と、前記LEDチップおよび前記ワイヤを覆うように、前記LEDチップからの光を透過させる透光樹脂を形成する工程と、前記固定部材を、前記LEDチップ、前記電極パッドおよび前記透光樹脂から剥離する工程とを備えることを特徴とする。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記透光樹脂を形成する工程の前に、前記LEDチップを囲むように不透光樹脂を形成する工程を備えており、前記透光樹脂は、液体の樹脂を、上記不透光樹脂の前記LEDチップを囲む領域に注入して硬化させることで形成される。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記固定部材は、ダイシングテープである。
本発明によれば、前記チップ裏面は露出しており、前記チップ裏面を支持する基板などを備えていない。また、前記チップ裏面、前記第1裏面、および、前記透光樹脂裏面は、すべて面一になっている。これにより、厚さ方向寸法を、基板などの寸法を含まない、前記透光樹脂の厚さ方向寸法とすることができる。したがって、前記LED発光装置の薄型化を図ることができる。
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
本発明の第1実施形態に基づくLED発光装置を示す要部平面図である。 図1のLED発光装置を示す底面図である。 図1のIII−III線に沿う断面図である。 図1のLED発光装置の製造方法の一例を示す図である。 本発明の第2実施形態に基づくLED発光装置を示す要部平面図である。 図5のLED発光装置を示す底面図である。 図5のVII−VII線に沿う断面図である。 本発明の第3実施形態に基づくLED発光装置を示す要部平面図である。 図8のLED発光装置を示す底面図である。 図8のX−X線に沿う断面図である。 本発明の第4実施形態に基づくLED発光装置を示す要部平面図である。 図11のLED発光装置を示す底面図である。 図11のXIII−XIII線に沿う断面図である。 本発明の第4実施形態に基づくLED発光装置の変形例を示す断面図である。 本発明の第4実施形態に基づくLED発光装置の変形例を示す断面図である。
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
図1〜図3は、本発明の第1実施形態に基づくLED発光装置を示している。本実施形態のLED発光装置A1は、LEDチップ1、第1電極パッド21、第2電極パッド22、ワイヤ31,32、リフレクタ4、および、透光樹脂5を備えている。
図1は、LED発光装置A1を示す要部平面図である。図2は、LED発光装置A1を示す底面図である。図3は、図1のIII−III線に沿う断面図である。なお、これらの図において、LED発光装置A1の厚さ方向をz方向、z方向に直角である方向をx方向およびy方向とする。図1および図2においては、理解の便宜上、透光樹脂5にハッチングを付している。
LEDチップ1は、LED発光装置A1の光源であり、たとえば可視光、赤外光、紫外光等を発する。LEDチップ1は、支持基板11に半導体層12を積層させて形成されており、半導体層12の厚さ方向(z方向)の半導体層12側のチップ主面1aと、厚さ方向の支持基板11側のチップ裏面1bとを備えている(図3参照)。また、LEDチップ1は、いわゆる2ワイヤタイプのチップであり、半導体層12のp型半導体層に導通するp側電極13およびn型半導体層に導通するn側電極14が、チップ主面1aに形成されている(図3参照)。p側電極13には、ワイヤ31の一端がボンディングされ、n側電極14には、ワイヤ32の一端がボンディングされる。「p側電極13」が本発明の「第1電極」に相当し、「n側電極14」が本発明の「第2電極」に相当する。なお、LEDチップ1の構造は、これに限定されない。
第1電極パッド21および第2電極パッド22は、LED発光装置A1を回路基板などに実装する際に、導通接合される電極として用いられるものである。第1電極パッド21および第2電極パッド22は、たとえば、Cu、Ni、Ti、Au等の単種類または複数種類の金属からなり、たとえばメッキによって形成される。第1電極パッド21は、ワイヤ31の他端がボンディングされる第1主面21a、および、第1主面21aの反対側を向く第1裏面21bを備えている。また、第2電極パッド22は、ワイヤ32の他端がボンディングされる第2主面22a、および、第2主面22aの反対側を向く第2裏面22bを備えている。
LEDチップ1のチップ裏面1b、第1電極パッド21の第1裏面21b、および、第2電極パッド22の第2裏面22bは、リフレクタ4および透光樹脂5から露出しており(図2,3参照)、面一になっている(図3参照)。
ワイヤ31,32は、LEDチップ1と第1電極パッド21および第2電極パッド22とを導通させるためのものであり、たとえばAu等の金属からなる。ワイヤ31の一端はLEDチップ1のp側電極13にボンディングされており、他端は第1電極パッド21の第1主面21aにボンディングされている。また、ワイヤ32の一端はLEDチップ1のn側電極14にボンディングされており、他端は電極パッド22の第2主面22aにボンディングされている。
リフレクタ4は、LEDチップ1から側方に発せられた光をチップ主面1a側に向けて反射するためのものである。リフレクタ4は、たとえば白色のシリコーン樹脂やエポキシ樹脂からなり、LEDチップ1を囲むように形成されている。リフレクタ4は、チップ主面1aと同じ方向を向くリフレクタ主面4aと、チップ裏面1bと同じ方向を向くリフレクタ裏面4bと、リフレクタ主面4aとリフレクタ裏面4bとを繋ぎ、且つLEDチップ1を囲む反射面4cとを備えている。また、リフレクタ4は、リフレクタ主面4a側に開口する主面側開口部41、および、リフレクタ裏面4b側に開口する裏面側開口部42を有する。「リフレクタ4」が本発明の「不透光樹脂」に相当する。また、「リフレクタ主面4a」が本発明の「不透光樹脂主面」に相当し、「リフレクタ裏面4b」が本発明の「不透光樹脂裏面」に相当する。リフレクタ4は、例えばモールド成形によって形成される。
本実施形態においては、反射面4cは、リフレクタ4の厚さ方向(z方向)においてリフレクタ裏面4bから離間するほど、z方向に対して直角である方向においてLEDチップ1から遠ざかるように傾斜している。つまり、反射面4cは、z方向に直交する断面が、リフレクタ主面4a側に向かうほど大きくなるテーパ形状になっている。また、反射面4cは、z方向に直交する断面(リフレクタ裏面4bに平行な断面)が円形状になっている。
リフレクタ4は、第1電極パッド21の第1主面21aのうち、ワイヤ31がボンディングされる領域を露出させるように、また、第2電極パッド22の第2主面22aのうち、ワイヤ32がボンディングされる領域を露出させるように形成されている(図1,3参照)。また、リフレクタ4のリフレクタ裏面4bは、LEDチップ1のチップ裏面1b、第1電極パッド21の第1裏面21bおよび第2電極パッド22の第2裏面22bと面一になっている(図3参照)。
透光樹脂5は、LEDチップ1のチップ裏面1b以外を覆っており、リフレクタ4の反射面4cによって囲まれた空間を埋めている。透光樹脂5は、たとえば透明または半透明のシリコーン樹脂やエポキシ樹脂などの、LEDチップ1からの光を透過させる材質からなる。透光樹脂5は、たとえば、リフレクタ4の反射面4cによって囲まれた空間に、主面側開口部41から、液体状態の透光樹脂材料を注入し、その後硬化させることで形成される。透光樹脂5は、チップ主面1aと同じ方向を向く透光樹脂主面5aと、チップ裏面1bと同じ方向を向く透光樹脂裏面5bとを備えている。なお、透光樹脂5は、LEDチップ1からの光によって励起されることにより当該光とは異なる波長の光を発する蛍光材料を含んでいてもよい。
透光樹脂5は、リフレクタ4の裏面側開口部42から突出しないように形成され、透光樹脂裏面5bは、リフレクタ裏面4bと面一になっている(図3参照)。すなわち、LEDチップ1のチップ裏面1b、第1電極パッド21の第1裏面21b、第2電極パッド22の第2裏面22b、リフレクタ4のリフレクタ裏面4b、および、透光樹脂5の透光樹脂裏面5bは、すべて面一になっている。
また、本実施形態では、透光樹脂5は、リフレクタ4の主面側開口部41から突出しないように形成されており、透光樹脂主面5aとリフレクタ主面4aとは面一になっている(図3参照)。なお、透光樹脂5をリフレクタ4の主面側開口部41から盛り上がった状態で形成し、レンズとして機能させるようにしてもよい。ただし、LED発光装置A1をより薄型化するためには、透光樹脂主面5aとリフレクタ主面4aとを面一にすることが望ましい。
次に、図4を参照して、LED発光装置A1の製造方法の一例を説明する。
まず、接着面6aが上方に向くように配置された耐熱性ダイシングテープ6の上面(接着面6a)に、第1電極パッド21および第2電極パッド22を形成し、LEDチップ1を配置する(図4(a)参照)。当該耐熱性ダイシングテープ6が、本発明の「固定部材」に相当する。第1電極パッド21および第2電極パッド22の形成は、たとえば、メッキによって行われる。具体的には、まず、無電解メッキによって、耐熱性ダイシングテープ6上に、いわゆるべた塗り状にCuメッキ層を形成する。そして、Cuメッキ層にたとえばエッチングを用いたパターニングを施し、電解メッキによって、Cu,Ni,Auなどの金属メッキ層を形成することで、第1電極パッド21および第2電極パッド22を形成する。なお、その他の方法で形成してもよいし、あらかじめ作成した第1電極パッド21および第2電極パッド22を配置するようにしてもよい。第1電極パッド21(第2電極パッド22)の耐熱性ダイシングテープ6の接着面6aに接する面が、第1裏面21b(第2裏面22b)になる。そして、第1電極パッド21と第2電極パッド22との間に、LEDチップ1を配置する。LEDチップ1は、チップ裏面1bが耐熱性ダイシングテープ6の接着面6aに接するように配置される。なお、先にLEDチップ1を配置してから、第1電極パッド21および第2電極パッド22を形成または配置するようにしてもよい。
次に、LEDチップ1と第1電極パッド21および第2電極パッド22とを、それぞれワイヤ31,32のボンディングによって導通接合する(図4(b)参照)。
次に、LEDチップ1を囲むようにして、耐熱性ダイシングテープ6の接着面6aに、リフレクタ4を形成する(図4(c)参照)。リフレクタ4は、たとえばモールド成形によって、耐熱性ダイシングテープ6上に形成される。なお、リフレクタ4を別途作成しておいて、耐熱性ダイシングテープ6の接着面6aに配置するようにしてもよい。リフレクタ4の耐熱性ダイシングテープ6の接着面6aに向かう面が、リフレクタ裏面4bになる。なお、LEDチップ1を配置する前に、リフレクタ4を形成するようにしてもよいし、リフレクタ4を形成してから、LEDチップ1にワイヤ31,32をボンディングするようにしてもよい。
次に、リフレクタ4の反射面4cによって囲まれた空間に、透光樹脂5を形成する(図4(d)参照)。具体的には、リフレクタ4の反射面4cによって囲まれた空間に、主面側開口部41から、液体状態の透光樹脂材料を注入し、その後硬化させることで形成する。注入する透光樹脂材料の粘度および量を適切に調整することで、透光樹脂5がリフレクタ4の主面側開口部41から突出しないようにしている。透光樹脂5の耐熱性ダイシングテープ6の接着面6aに向かう面が、透光樹脂裏面5bになる。
次に、所定の位置で切断を行い、耐熱性ダイシングテープ6を、LEDチップ1、第1電極パッド21、第2電極パッド22、リフレクタ4および透光樹脂5から剥離することにより、LED発光装置A1が得られる(図4(e))。なお、先に、耐熱性ダイシングテープ6を剥離してから切断するようにしてもよい。
耐熱性ダイシングテープ6上にLEDチップ1、第1電極パッド21および第2電極パッド22を配置し、その上からリフレクタ4および透光樹脂5を形成して、その後、耐熱性ダイシングテープ6を剥がすので、LEDチップ1のチップ裏面1b、第1電極パッド21の第1裏面21bおよび第2電極パッド22の第2裏面22bは、リフレクタ4および透光樹脂5から露出した状態になる。また、チップ裏面1b、第1裏面21b、第2裏面22b、リフレクタ裏面4bおよび透光樹脂裏面5bは、すべて面一になる。
なお、耐熱性ダイシングテープ6は、製造工程においてLEDチップ1、第1電極パッド21および第2電極パッド22を固定しておくためのものなので、他の固定部材で代用するようにしてもよい。例えば、板状の部材に粘着剤を塗布したものであってもよい。
次に、LED発光装置A1の作用について説明する。
本実施形態によれば、LEDチップ1のチップ裏面1bが露出している。つまり、LED発光装置A1は、LEDチップ1のチップ裏面1bを支持する基板を備えておらず、リフレクタ4によってチップ裏面1bを支持するようにもなっていない。また、LEDチップ1のチップ裏面1b、第1電極パッド21の第1裏面21b、第2電極パッド22の第2裏面22b、リフレクタ4のリフレクタ裏面4b、および、透光樹脂5の透光樹脂裏面5bは、すべて面一になっている。したがって、リフレクタ4および透光樹脂5の厚さ方向寸法が、LED発光装置A1の厚さ方向寸法になる。これにより、基板やリフレクタでLEDチップ1のチップ裏面1bを支持するものと比べて、厚さ方向寸法が小さくなる。したがって、LED発光装置A1の薄型化を図ることができる。
また、本実施形態によれば、透光樹脂5の透光樹脂主面5aとリフレクタ4のリフレクタ主面4aとが面一になっている。これにより、透光樹脂5がリフレクタ4の主面側開口部41から突出した形状のものと比べて、厚さ方向寸法が小さくなる。したがって、LED発光装置A1の薄型化を図ることができる。
また、本実施形態によれば、LEDチップ1のチップ裏面1bが露出しているので、LED発光装置A1を回路基板などに実装した場合に、チップ裏面1bが回路基板に直接接することになる。したがって、LEDチップ1の熱を回路基板に放出することができるので、放熱性がよい。
また、本実施形態によれば、リフレクタ4の反射面4cは、z方向に直交する断面(リフレクタ裏面4bに平行な断面)が円形状になっている。これにより、LED発光装置A1から、より均一な光を出射することができる。
また、本実施形態によれば、リフレクタ4は、第1主面21aおよび第2主面22aのワイヤ31,32がボンディングされる領域を露出させるように形成される。これにより、ワイヤボンディング後にリフレクタ4を形成する際に、ワイヤ31,32が邪魔にならないようにすることができる。また、ワイヤボンディングの前にリフレクタ4を形成した場合、リフレクタ4がワイヤボンディングの邪魔にならないようにすることができる。
また、本実施形態によれば、LED発光装置A1は、耐熱性ダイシングテープ6上にLEDチップ1、第1電極パッド21および第2電極パッド22を配置し、その上からリフレクタ4および透光樹脂5を形成して、その後、耐熱性ダイシングテープ6を剥がすことで製造される。これにより、チップ裏面1b、第1裏面21bおよび第2裏面22bが、リフレクタ4および透光樹脂5から露出し、且つリフレクタ裏面4bおよび透光樹脂裏面5bと面一になるように、LED発光装置A1を製造することができる。
図5〜図15は、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。
図5〜図7は、本発明の第2実施形態に基づくLED発光装置を示している。本実施形態のLED発光装置A2は、LEDチップ1がいわゆる1ワイヤタイプのチップである点が、上述したLED発光装置A1と異なっている。
図5は、LED発光装置A2を示す要部平面図である。図6は、LED発光装置A2を示す底面図である。図7は、図5のVII−VII線に沿う断面図である。
本実施形態においては、LEDチップ1は、1ワイヤタイプのチップであり、p型半導体層に導通するp側電極13がチップ主面1aに形成に設けられており、n型半導体層に導通するn側電極14が支持基板11の半導体層12とは反対側に設けられている(図7参照)。したがって、n側電極14の支持基板11とは反対側の面が、チップ裏面1bになる。「p側電極13」が本発明の「第1電極」に相当し、「n側電極14」が本発明の「第2の電極」に相当する。本実施形態においては、n側電極14がLEDチップ1のチップ裏面1bとして露出しており(図7参照)、これが第2電極パッド22の代わりに、回路基板などに実装する際に導通接合される電極として機能する。したがって、LED発光装置A2は、第2電極パッド22およびワイヤ32を備えていない。
本実施形態においても、第1実施形態と同様の効果を奏することができる。また、第2電極パッド22を備える必要がないので、LED発光装置A2のx方向の寸法を、LED発光装置A1より小さくすることも可能である。
図8〜10は、本発明の第3実施形態に基づくLED発光装置を示している。本実施形態のLED発光装置A3は、リフレクタ4および透光樹脂5の形状が、上述したLED発光装置A2と異なっている。
図8は、LED発光装置A3を示す要部平面図である。図9は、LED発光装置A3を示す底面図である。図10は、図8のX−X線に沿う断面図である。
本実施形態においては、リフレクタ4の裏面側開口部42が小さくなっており(図9,10参照)、ワイヤ31を第1電極パッド21にボンディングするための部分を露出させるために、反射面4cに凹部4dが設けられている(図8,10参照)。したがって、反射面4cは、z方向に直交する断面(リフレクタ裏面4bに平行な断面)が、第1電極パッド21の方向に突出した部分を有する形状になっている(図8参照)。そして、反射面4cの凹部4d以外の部分は、第2実施形態における反射面4cと同様の傾斜を有しており、主面側開口部41は円形状となっている。
本実施形態においても、LEDチップ1のチップ裏面1bが露出しており、LEDチップ1のチップ裏面1b、第1電極パッド21の第1裏面21b、第2電極パッド22の第2裏面22b、リフレクタ4のリフレクタ裏面4b、および、透光樹脂5の透光樹脂裏面5bが、すべて面一になっている。また、透光樹脂5の透光樹脂主面5aとリフレクタ4のリフレクタ主面4aとが面一になっている。したがって、LED発光装置A3の薄型化を図ることができる。また、LEDチップ1のチップ裏面1bが露出しているので、放熱性がよい。また、本実施形態においても、リフレクタ4は、第1主面21aのワイヤ31がボンディングされる領域を露出させるように形成される。したがって、リフレクタ4とワイヤ31とが互いに干渉しない。また、第1実施形態と同様の製造方法で製造することができる。さらに、リフレクタ4の裏面側開口部42が小さいので、LEDチップ1から発せられた光が、裏面側開口部42から出射されてしまうことを抑制することができる。また、反射面4cの傾斜がLED発光装置A2と同様であり、裏面側開口部42が小さくなっているので、主面側開口部41も、LED発光装置A2と比べて小さくなっている。したがって、LED発光装置A3のx方向およびy方向の寸法を、LED発光装置A2より小さくすることも可能である。
なお、リフレクタ4の反射面4cの形状は、上述したものに限られない。リフレクタ4が第1電極パッド21のボンディング位置を覆わないような形状になっていればよい。例えば裏面側開口部42がx方向を長径とする楕円形状であってもよい。また、主面側開口部41の形状も限定されない。また、第3実施形態において、LEDチップ1を2ワイヤタイプのチップとしてもよい。この場合、第1実施形態のように、電極パッド22およびワイヤ32を備える必要がある。
図11〜13は、本発明の第4実施形態に基づくLED発光装置を示している。本実施形態のLED発光装置A4は、リフレクタ4を備えていない点で、上述したLED発光装置A1と異なっている。
図11は、LED発光装置A4を示す要部平面図である。図12は、LED発光装置A4を示す底面図である。図13は、図11のXIII−XIII線に沿う断面図である。
本実施形態においては、リフレクタ4が設けられておらず、LEDチップ1のチップ裏面1b、第1電極パッド21の第1裏面21b、第2電極パッド22の第2裏面22b以外が透光樹脂5によって覆われている。透光樹脂5は、直方体形状をなしている。LED発光装置A4の製造方法は、LED発光装置A1の製造方法(図4参照)において、リフレクタ4を形成する工程(図4(c)参照)を省いたものになる。
本実施形態においても、LEDチップ1のチップ裏面1bが露出しており、LEDチップ1のチップ裏面1b、第1電極パッド21の第1裏面21b、第2電極パッド22の第2裏面22b、および、透光樹脂5の透光樹脂裏面5bが、すべて面一になっている。したがって、LED発光装置A4の薄型化を図ることができる。また、本実施形態においても、透光樹脂5の透光樹脂主面5aが面一になっている。これにより、透光樹脂5が透光樹脂主面5a側に突出した形状のものと比べて、厚さ方向寸法が小さくなる。したがって、LED発光装置A4の薄型化を図ることができる。また、本実施形態においても、LEDチップ1のチップ裏面1bが露出しているので、放熱性がよい。また、本実施形態によれば、LED発光装置A4は、耐熱性ダイシングテープ6上にLEDチップ1、第1電極パッド21および第2電極パッド22を配置し、その上から透光樹脂5を形成して、その後、耐熱性ダイシングテープ6を剥がすことで製造される。これにより、チップ裏面1b、第1裏面21bおよび第2裏面22bが、透光樹脂5から露出し、且つ透光樹脂裏面5bと面一になるように、LED発光装置A4を製造することができる。
なお、第4実施形態において、LEDチップ1を1ワイヤタイプのチップとしてもよい(図14参照)。この場合、電極パッド22およびワイヤ32を備える必要がない。
また、透光樹脂5の形状は限定されない。例えば、第4実施形態において、透光樹脂5の形状を、チップ主面1aが向く方向に膨出する部分を有する砲弾型形状としてもよい。(図15参照)。この場合、LEDチップ1から発せられた光を、指向性を高めつつ出射することができる。
本発明に係るLED発光装置およびその製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係るLED発光装置およびその製造方法の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
A1〜A4 :LED発光装置
1 :LEDチップ
11 :支持基板
12 :半導体層
13 :p側電極(第1電極)
14 :n側電極(第2電極)
1a :チップ主面
1b :チップ裏面
21 :第1電極パッド
21a :第1主面
21b :第1裏面
22 :第2電極パッド
22a :第2主面
22b :第2裏面
31,32 :ワイヤ
4 :リフレクタ(不透光樹脂)
4a :リフレクタ主面(不透光樹脂主面)
4b :リフレクタ裏面(不透光樹脂裏面)
4c :反射面
4d :凹部
41 :主面側開口部
42 :裏面側開口部
5 :透光樹脂
5a :透光樹脂主面
5b :透光樹脂裏面
6 :耐熱性ダイシングテープ
6a :接着面

Claims (14)

  1. 半導体層と、前記半導体層の厚さ方向において互いに反対側を向くチップ主面およびチップ裏面と、前記チップ主面に形成された第1電極と、を備えるLEDチップと、
    前記LEDチップの前記チップ裏面以外を覆う、前記LEDチップからの光を透過させる透光樹脂と、
    第1ワイヤによって前記第1電極と導通接合されており、前記第1ワイヤがボンディングされる第1主面と、前記第1主面の反対側を向く第1裏面と、を備える第1電極パッドと、
    を備えており、
    前記透光樹脂は、前記チップ裏面と同じ方向を向く透光樹脂裏面を備え、
    前記チップ裏面と前記第1裏面とは、前記透光樹脂裏面から露出し、且つ前記透光樹脂裏面と面一になっている、
    ことを特徴とするLED発光装置。
  2. 前記LEDチップは、前記チップ主面に形成された第2電極をさらに備えており、
    第2ワイヤによって前記第2の電極と導通接合されており、前記第2ワイヤがボンディングされる第2主面と、前記第2主面の反対側を向く第2裏面と、を備える第2電極パッドをさらに備えており、
    前記第2裏面は、前記透光樹脂裏面から露出し、且つ前記透光樹脂裏面と面一になっている、
    請求項1に記載のLED発光装置。
  3. 前記LEDチップは、前記半導体層を挟んで前記第1電極とは反対側に位置し、且つ前記チップ裏面を構成する第2電極をさらに備えている、
    請求項1に記載のLED発光装置。
  4. 前記チップ主面と同じ方向を向く不透光樹脂主面、前記チップ裏面と同じ方向を向く不透光樹脂裏面、および、前記不透光樹脂主面と前記不透光樹脂裏面とを繋ぎ、且つ前記LEDチップを囲む反射面を有する不透光樹脂をさらに備えており、
    前記不透光樹脂裏面は、前記チップ裏面と面一になっている、
    請求項1ないし3のいずれかに記載のLED発光装置。
  5. 前記不透光樹脂は、前記第1主面の少なくとも一部を露出させており、
    前記第1ワイヤは、前記第1主面のうち、前記不透光樹脂から露出した領域にボンディングされている、
    請求項4に記載のLED発光装置。
  6. 前記反射面は、前記不透光樹脂裏面に平行な断面が円形状である、
    請求項5に記載のLED発光装置。
  7. 前記反射面は、前記不透光樹脂裏面に平行な断面が、前記第1電極パッドの方向に突出した部分を有する形状である、
    請求項5に記載のLED発光装置。
  8. 前記透光樹脂は、前記不透光樹脂主面と面一である透光樹脂主面を有する、
    請求項4ないし7のいずれかに記載のLED発光装置。
  9. 前記不透光樹脂は、白色樹脂からなる、
    請求項4ないし8のいずれかに記載のLED発光装置。
  10. 前記透光樹脂の形状は、直方体形状である、
    請求項1ないし3のいずれかに記載のLED発光装置。
  11. 前記透光樹脂の形状は、前記チップ主面が向く方向に膨出する部分を有する砲弾型形状である、
    請求項1ないし3のいずれかに記載のLED発光装置。
  12. LED発光装置の製造方法であって、
    固定部材の片面に電極パッドを形成する工程と、
    前記固定部材の片面に、電極を有するLEDチップを配置する工程と、
    前記LEDチップの前記電極と前記電極パッドとを、ワイヤで導通接合する工程と、
    前記LEDチップおよび前記ワイヤを覆うように、前記LEDチップからの光を透過させる透光樹脂を形成する工程と、
    前記固定部材を、前記LEDチップ、前記電極パッドおよび前記透光樹脂から剥離する工程と、
    を備えることを特徴とする製造方法。
  13. 前記透光樹脂を形成する工程の前に、前記LEDチップを囲むように不透光樹脂を形成する工程を備えており、
    前記透光樹脂は、液体の樹脂を、上記不透光樹脂の前記LEDチップを囲む領域に注入して硬化させることで形成される、
    請求項12に記載の製造方法。
  14. 前記固定部材は、ダイシングテープである、
    請求項12または13に記載の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021027249A (ja) * 2019-08-07 2021-02-22 ローム株式会社 半導体発光装置

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0832118A (ja) * 1994-07-19 1996-02-02 Rohm Co Ltd 発光ダイオード
JP2001111119A (ja) * 1999-10-08 2001-04-20 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2005167174A (ja) * 2003-11-14 2005-06-23 Harison Toshiba Lighting Corp 発光素子の外囲器
JP2006165045A (ja) * 2004-12-02 2006-06-22 Shin Etsu Chem Co Ltd ダイシング・ダイボンド用接着シート
JP2010040791A (ja) * 2008-08-05 2010-02-18 Nichia Corp 光半導体装置
JP2010097169A (ja) * 2008-09-22 2010-04-30 Toppan Printing Co Ltd 光電気モジュール、光基板および光電気モジュール製造方法
JP2010171217A (ja) * 2009-01-23 2010-08-05 Sony Corp 発光素子パッケージ、発光装置、および表示装置
JP2011249419A (ja) * 2010-05-24 2011-12-08 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 樹脂封止パッケージ
JP2012089547A (ja) * 2010-10-15 2012-05-10 Apic Yamada Corp リードフレーム、ledパッケージ用基板、ledパッケージ、及び、リードフレームの製造方法
JP2012114107A (ja) * 2010-11-19 2012-06-14 Toshiba Corp Ledパッケージ
US20120268916A1 (en) * 2011-04-21 2012-10-25 Yoo Cheol Jun Light emitting device package and method of manufacturing the same
JP2012256651A (ja) * 2011-06-07 2012-12-27 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置用樹脂パッケージ及びその製造方法並びに該樹脂パッケージを有してなる半導体発光装置
JP2013536568A (ja) * 2010-06-28 2013-09-19 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 表面実装可能半導体素子を製造する方法
JP2014189632A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Dainippon Printing Co Ltd 電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、成形体の製造方法、及び半導体発光装置の製造方法
JP2015521803A (ja) * 2012-06-28 2015-07-30 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH 電気部品および該電気部品の製造方法

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0832118A (ja) * 1994-07-19 1996-02-02 Rohm Co Ltd 発光ダイオード
JP2001111119A (ja) * 1999-10-08 2001-04-20 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2005167174A (ja) * 2003-11-14 2005-06-23 Harison Toshiba Lighting Corp 発光素子の外囲器
JP2006165045A (ja) * 2004-12-02 2006-06-22 Shin Etsu Chem Co Ltd ダイシング・ダイボンド用接着シート
JP2010040791A (ja) * 2008-08-05 2010-02-18 Nichia Corp 光半導体装置
JP2010097169A (ja) * 2008-09-22 2010-04-30 Toppan Printing Co Ltd 光電気モジュール、光基板および光電気モジュール製造方法
JP2010171217A (ja) * 2009-01-23 2010-08-05 Sony Corp 発光素子パッケージ、発光装置、および表示装置
JP2011249419A (ja) * 2010-05-24 2011-12-08 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 樹脂封止パッケージ
JP2013536568A (ja) * 2010-06-28 2013-09-19 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 表面実装可能半導体素子を製造する方法
JP2012089547A (ja) * 2010-10-15 2012-05-10 Apic Yamada Corp リードフレーム、ledパッケージ用基板、ledパッケージ、及び、リードフレームの製造方法
JP2012114107A (ja) * 2010-11-19 2012-06-14 Toshiba Corp Ledパッケージ
US20120268916A1 (en) * 2011-04-21 2012-10-25 Yoo Cheol Jun Light emitting device package and method of manufacturing the same
JP2012256651A (ja) * 2011-06-07 2012-12-27 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置用樹脂パッケージ及びその製造方法並びに該樹脂パッケージを有してなる半導体発光装置
JP2015521803A (ja) * 2012-06-28 2015-07-30 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH 電気部品および該電気部品の製造方法
JP2014189632A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Dainippon Printing Co Ltd 電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、成形体の製造方法、及び半導体発光装置の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021027249A (ja) * 2019-08-07 2021-02-22 ローム株式会社 半導体発光装置
JP7305909B2 (ja) 2019-08-07 2023-07-11 ローム株式会社 半導体発光装置

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