JP2008078401A

JP2008078401A - 照明装置

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Publication number: JP2008078401A
Application number: JP2006256174A
Authority: JP
Inventors: Tomohiro Sanpei; 友広三瓶; Masami Iwamoto; 正己岩本; Masahiro Izumi; 昌裕泉
Original assignee: Toshiba Lighting and Technology Corp
Current assignee: Toshiba Lighting and Technology Corp
Priority date: 2006-09-21
Filing date: 2006-09-21
Publication date: 2008-04-03

Abstract

【課題】光の取出し効率を向上できるとともに、製造上、ＬＥＤチップ等の半導体発光素子を種々の実装間隔で実装するのに好適な照明装置を提供する。
【解決手段】照明装置１は、装置基板２と、複数の半導体発光素子１１と、複数のパッド１５と、ボンディングワイヤ１７とを具備する。装置基板２は反射面として機能する面２ａを有する。この面２ａに各半導体発光素子１１を間隔的に並べて素子用接着剤１４により接着する。パッド１５は少なくとも表側部位が導電部となっている。これらのパッド１５を、装置基板２の面２ａにパッド用接着剤１６により接着して、各半導体発光素子１１と交互に配設する。ボンディングワイヤ１７を隣接された半導体発光素子１１及びパッド１５にわたって設けて、このボンディングワイヤ１７で半導体発光素子１１の電極とパッド１５の導電部とを接続したことを特徴している。
【選択図】図２

Description

本発明は、複数のＬＥＤ(発光ダイオード)チップなどの半導体発光素子を光源とした照明装置に関する。

従来、チップ基板が導電性材料からなる緑色ＬＥＤチップ及び赤色ＬＥＤチップを、絶縁性プリント基板に形成された導電体層に導電性接着剤を用いて接着するとともに、チップ基板がサファイア基板からなる青色ＬＥＤチップを、プリント基板の導電体層が形成されていない部位に絶縁性接着剤を用いて接着し、これらの各ＬＥＤの電極を導電体層にワイヤボンディングにより接続し、各ＬＥＤＥチップを包囲して設けたカバー部材のキャビティー内で、各ＬＥＤチップの発光を混ぜて照明を行うＬＥＤディスプレイが知られている。そして、このディスプレイの輝度を高めるために、絶縁性接着剤に反射率の高い白色フィラーを含ませて、この絶縁性接着剤の表面で青色ＬＥＤチップが発した青色光を反射させる技術が知られているとともに、これに代えて、絶縁性接着剤を透明とし、かつ、サファイア基板の真下のプリント基板の板面にＡｌを蒸着する等により反射率の高い反射層を形成して、この反射層で青色ＬＥＤチップが発した青色光を反射させる技術が知られている（例えば特許文献１参照。）。
特許第３３２９５７３号公報（段落0003、0020−0024、図１−図５）

特許文献１の技術では、プリント基板側での反射性能を高めるために、青色ＬＥＤ毎に対応して反射層を設けているので、ディスプレイ全体としての反射層の面積が小さい。このため、特許文献１の技術は、照明の明るさが必要とされる照明装置として実用上十分な光の取出しを得るには改善の余地がある。

又、特許文献１の技術では、ＬＥＤチップが実装される基板に、導電体層が形成されたプリント基板を用いている。このプリント基板は、絶縁性基板の一面に蒸着やメッキ処理により銅箔の層を形成し、この銅箔層上にレジスト層を積層した後、銅箔層をエッチング処理した後に、残ったレジスト層を除去することによって形成された所定のパターンの導電体層を設けている。

そして、ＬＥＤチップの実装間隔はディスプレイの用途や設計仕様等に応じて異なるが、既述の手順で作られるプリント基板では、基板に形成された導電体層のパターンとの関係でＬＥＤチップの接着による実装位置が予め決められている。このため、製造上において、ＬＥＤチップが実装される基板を共通に使用して、この基板へのＬＥＤチップの実装間隔を変更して他の種類に変更することはできない。したがって、ＬＥＤチップの実装間隔を変更するには、エッチング処理等を施すことによりＬＥＤチップの実装間隔の変更に適合するパターンで設けられた導電体層を有したプリント基板を採用する以外には対応することができず、製造上不便で、かつ、コスト的に不利である。

本発明の目的は、光の取出し効率を向上できるとともに、製造上、ＬＥＤチップ等の半導体発光素子を種々の実装間隔で実装し易い照明装置を得ることにある。

請求項１の発明は、反射面として機能する面を有した装置基板と；この装置基板の前記反射面として機能する面に間隔的に並べて透光性素子用接着剤により接着された複数の半導体発光素子と；これら半導体発光素子と交互に配設されて前記装置基板の前記反射面として機能する面にパッド用接着剤により接着されるとともに、少なくとも表側部位が導電部となっている複数のパッドと；隣接された前記半導体発光素子及びパッドにわたって設けられこれら半導体発光素子の電極とパッドの導電部とを接続したボンディングワイヤと；を具備することを特徴としている。

この発明で使用する半導体発光素子の発光色は、青色、赤色、緑色のいずれであってもよく、使用する各半導体発光素子の発光色は、半導体発光素子ごとに異なっていても、或いは全てが同じであってもよい。

この発明で、装置基板には、各種の絶縁基板や金属基板を用いることができ、金属基板には、金属ベースに他の層を積層した複合基板が含まれる。この発明で、装置基板の光反射面として機能する面には、この装置基板をなす板材自体の地肌面を利用することもできるが、反射性能を高めるために積極的に光反射層を設けることが好ましい。光反射層としては、装置基板をなす板材自体の表面の反射率よりも高い反射率を有する高反射材料、例えば白色の塗装からなる塗膜の層、又は金属層好ましくは銀の層等を挙げることができ、金属の光反射層の場合には、蒸着又はめっき等で設けることができる。

この発明で、装置基板の反射面として機能する面が絶縁性を有している場合、素子用接着剤及びパッド用接着剤には、半田等の導電性接着剤又はエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の絶縁性接着剤を使用すればよく、装置基板の反射面として機能する面が導電性を有している場合、素子用接着剤及びパッド用接着剤には、絶縁性接着剤を使用すればよい。パッド用接着剤に白色フィラーを混入する等によりこの接着剤を白色とすることは、パッドの周囲にはみ出したパッド用接着剤で、半導体発光素子から放射された光を反射させて、光の取出し効率を促進させ得る点で好ましい。

この発明で、パッドは、それ全体が導電性材料で形成されていてもよく、或いは、アルミナで代表されるセラミックのような酸化物の表側部位に導電部を担う金属メッキを施して形成されていてもよい。しかも、全体が導電性材料で形成されたパッドであつても、その表側部位に導電部を担う金属メッキを施すことは妨げない。金属メッキの材料としては、例えばＡｕ又はＮｉを挙げることができる。

この発明で、ボンディングワイヤをなすリード細線には例えばＡｕ又はＡｌの線を好適に使用できる。このボンディングワイヤは、ボンディング装置によって半導体発光素子の電極とパッドの導電部に、ボールボンディング又はウェッジボンディングによりボンディング接合されるものである。半導体発光素子の電極に対してボールボンディングを施し、パッドの導電部に対してウェッジボンディングを施すことは、ボンディングの処理速度を低下させないとともに、半導体発光素子に対する熱圧着に伴う加圧負荷を低減できる点で好ましい。ボンディングワイヤは、複数のパッドを中継して複数の半導体発光素子を、直列、又は並列、若しくは直並列に接続するために使用される。又、この発明で、各半導体発光素子、各パッド、及びボンディングワイヤを封止する透光性の封止部材を設けることは好ましいが、この封止部材は必要不可欠ではない。

請求項１の発明では、複数の半導体発光素子を装置基板の反射面として機能する面に並べて配置しているので、面発光ができる。この場合、半導体発光素子から放射された光を、これら半導体発光素子を配設する上で必要な面積を有した装置基板の反射面として機能する面の略全領域で反射するから、光の取出し効率を向上できる。

又、請求項１の発明では、各半導体発光素子と交互に配置されてこれら半導体発光素子への電力供給を中継する各パッドが、エッチング処理などを要しないで、パッド用接着剤により装置基板の反射面として機能する面に接着されたものであるから、この発明の照明装置の製造においては、各パッドを各半導体発光素子と同様にチップマウンターを用いて装置基板に実装できる。これにより、請求項１の発明の照明装置を製造する上では、照明装置の設計仕様に応じたチップマウンター側での任意な設定により、半導体発光素子の実装間隔及びパッドの実装間隔を適宜変更してこれらを装置基板の反射面として機能する面上に実装することが可能である。このため、装置基板が同じものであっても、例えば装置基板の構成材料が異なるなど装置基板の種類が異なっていても、反射面として機能する面を有した装置基板に対してＬＥＤチップ等の半導体発光素子を種々の実装間隔で容易に実装できる。

請求項２の発明は、前記パッドの厚みを、１０μｍ以上でかつ半導体発光素子の厚みの２倍以下にしたことを特徴としている。

この発明では、パッドの厚みを、半導体発光素子の厚みの２倍以下としたので、半導体発光素子が放射した光の一部の波長が、この素子に隣接して配置されているパッドに当たって吸収されることを抑制できる。又、パッドの厚みを１０μｍ以上としたので、このパッドに対してウェッジボンディングが施される場合、そのボンディングに伴ってパッドが金属製の場合には変形することを抑制でき、パッドが酸化物である場合には割れることを抑制できる。

請求項３の発明は、前記装置基板を、金属ベースと、このベース上に積層された銀製の光反射層と、この光反射層上に積層された透光性のコーテング層とで形成し、前記コーテング層上に前記半導体発光素子及びパッドを接着したことを特徴としている。

この発明で、金属ベースを構成する材料にはＡｌ又はその合金若しくはＣｕ等を用いることができる。又、コーテング層の厚みは光反射層の厚み以下例えば数μｍとすることが望ましく、このコーテング層を構成する材料としては絶縁性を有する透明アクリル樹脂を代表的に挙げることができる。

請求項３の発明で銀製の光反射層は反射率が高いので、照明面を明るく照明できる。そして、銀製の光反射層をコーテング層で覆ったので、銀製光反射層の硫化及び酸化が防止されてこの光反射層の反射性能の低下を抑制でき、そのため、高い照明効率を長期にわたって維持できる。更に、コーテング層は極めて薄いので、それが絶縁物で形成されているとしても、半導体発光素子が発した熱は銀製の光反射層に容易に伝わる。そして、熱伝導率が高い銀製の光反射層によって金属ベース全体に熱が伝えられて、この金属ベースから外部に放出される。こうした放熱によって、複数の半導体発光素子の温度上昇が抑制され、各半導体発光素子の温度のばらつきを生じ難くできるに伴い各半導体発光素子の発光色のばらつきを低減できる。

請求項１の発明によれば、光の取出し効率を向上できるとともに、製造上、ＬＥＤチップ等の半導体発光素子を種々の実装間隔で実装するのに好適な照明装置を提供できる。

請求項２の発明によれば、半導体発光素子が放射した光の一部がパッドに当たって吸収されることを抑制できる。

請求項３の発明によれば、長期間にわたる使用において照射面を明るく照明することを維持できるとともに、各半導体発光素子の熱を装置基板に容易に放出して、各半導体発光素子の温度のばらつきを生じ難くできる。

図１〜図３を参照して本発明の一実施形態を説明する。

図１及び図２中符号１はＬＥＤパッケージを形成する照明装置を示している。この照明装置１は、パッケージ基板である装置基板２と、複数の半導体発光素子１１と、複数のパッド１５と、ボンディングワイヤ１７と、リフレクタ１８と、封止部材１９と、を備えて形成されている。

装置基板２は、照明装置１に必要とされる発光面積を得るために所定形状例えば長方形状をなしている。図２及び図３に示すように装置基板２は、金属ベース３と、光反射層４と、コーテング層５とで形成されている。金属ベース３はＡｌ製である。光反射層４は、銀製であり、金属ベースの一面にその全面にわたり例えばメッキ処理により積層されている。光反射層４は金属ベース３より薄い。コーテング層５は透明樹脂であるアクリル樹脂からなる。コーテング層５は光反射層４の表面に被着されている。このコーテング層５の厚みは光反射層４より薄く数μｍである。

各半導体発光素子１１は例えば窒化物半導体を用いてなるＬＥＤチップからなる。図３に示すように半導体発光素子１１は、透光性を有する素子基板１２の一面に半導体発光層１３を積層して形成されている。図示の半導体発光素子１１は青色ＬＥＤであるため、その素子基板１２はサファイア基板からなる。半導体発光層１３は、バッファ層、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型クラッド層、ｐ型半導体層を素子基板１２に積層して形成されている。発光層は、バリア層とウエル層とを交互に積層した電子井戸構造をなしている。ｎ型半導体層にはｎ型電極１３ａが設けられ、ｐ型半導体層にはｐ型電極１３ｂが設けられている。

半導体発光素子１１は、装置基板２の光反射層４及びコーテング層５が設けられて反射面として機能する面２ａに、間隔的に並べて透光性の素子用接着剤１４により接着されている。この場合、図１に示すように各半導体発光素子１１は装置基板２の長手方向に所定間隔ごとに点在して二列配列されるパターンで配置されている。素子用接着剤１４には例えば絶縁性を有する透明シリコーン樹脂系のダイボンド材を用いることができる。素子用接着剤１４は、装置基板２の反射面として機能する面２ａと半導体発光素子１１の素子基板１２との間に介在して、図３に示すように素子基板１２の周囲にはみだしている。この接着による装置基板２の反射面として機能する面２ａへの各半導体発光素子１１の実装は、図示しないチップマウンターを用いて行われる。

各パッド１５の表側部位は導電部１５ａをなしている（図３参照）。導電部１５ａは、パッド１５をなす導電性材料又は酸化物の表側部位に、金属例えばＡｕをメッキして形成されている。各パッド１５の厚みは、半導体発光素子１１の厚みの２倍以下でかつ１０μｍ以上に設定されている。各パッド１５は平面視四角形をなしその大きさは、半導体発光素子１１の素子面積の４倍以下でかつボンディングワイヤ１７の線径以上に設定されている。図示の例では、各パッド１５は、表側部位に金メッキを施した厚み１００μｍのアルミナ製であって、正方形をなし、縦横３００μｍの大きさに形成されている。

これらのパッド１５は、光反射層４及びコーテング層５が設けられた装置基板２の面２ａに、間隔的に並べてパッド用接着剤１６により接着され、各半導体発光素子１１と交互に配設されている。したがって、図１に示すように各パッド１５は各半導体発光素子１１とともに装置基板２の長手方向に所定間隔ごとに点在して二列配列されるパターンで配置されている。

パッド用接着剤１６には例えば絶縁性を有するシリコーン樹脂系のダイボンド材を用いることができる。パッド用接着剤１６は、装置基板２の面２ａとパッド１５の母材との間に介在して、図３に示すようにパッド１５の周囲にはみだしている。この接着による装置基板２の面２ａへの各パッド１５の実装は、図示しないチップマウンターを用いて行われる。

なお、図１及び図２中符号１５ｃ、１５ｄは夫々装置電極を示している。装置電極パッド１５ｃ、１５ｄは、半導体発光素子１１とパッド１５とがなす２列のいずれかに対応して、その列が延びる方向に並べて配置されている。これらの装置電極パッド１５ｃ、１５ｄは、パッド１５と同じく母材上にＡｕメッキの層からなる導電部を有してなり、パッド用接着剤１６により装置基板２の長手方向一端部に接着されている。これらの装置電極パッド１５ｃ、１５ｄの装置基板２上への実装も、図示しないチップマウンターを用いて行われる。これらの装置電極パッド１５ｃ、１５ｄには、電源に至る図示しない電線が個別に半田付けなどにより接続されるようになっている。

図１及び図２に示すように互いに隣接して交互に配置されている半導体発光素子１１の電極１３ａ、１３ｂとパッド１５とは、ワイヤボンディングにより設けられたボンディングワイヤ１７で接続されている。更に、前記二列の一端側に配置された装置電極パッド１５ｃ、１５ｄとこれに隣接した半導体発光素子１１の電極も、ワイヤボンディングにより設けられたボンディングワイヤ１７で接続されているとともに、前記二列の他端側に配置されたパッド１５同士もワイヤボンディングにより設けられたボンディングワイヤ１７で接続されている。したがって、本実施形態の場合、各半導体発光素子１１は各パッド１５を中継して直列に接続されている。

ボンディングワイヤ１７には例えば線径が２５μｍ〜３０μｍのＡｕワイヤが使用されている。ボンディングワイヤ１７をボンディングするに当り、図３に示すように半導体発光素子１１の電極１３ａ、１３ｂに対してはボールボンディングによる接合が行われ、パッド１５及び装置電極パッド１５ｃ、１５ｄに対してはウェッジボンディングによる接合が行われている。

半導体発光素子１１の電極１３ａ、１３ｂに対してボールボンディングによる接合をすることにより、電極１３ａ、１３ｂがボンディングワイヤ１７の一端との接続の信頼性を確保することができる。又、パッド１５等に対してウェッジボンディングによる接合をすることにより、ボンディングワイヤ１７の他端もボールボンディングによる接合をする場合に比較して、ボンディングの作業速度を高めることができる。しかも、既述のようにパッド１５の導電部１５ａの大きさを、半導体発光素子１１の素子面積の４倍以下でかつボンディングワイヤ１７の線径以上にしたので、ウェッジボンディングによる接合のための面積が十分に確保されるに伴い、ボンディングワイヤ１７とパッド１５等との接続の信頼性を確保できる。更に、パッド１５の厚みを１０μｍ以上としたので、パッド１５に対してウェッジボンディングが施されるに伴って、ボンディングツールでパッドが押圧されるにも拘わらず、アルミナ製のパッド１５が割れることを抑制できる。なお、パッド１５が金属製である場合には変形することを抑制できる。

前記装置基板２、各半導体発光素子１１、各パッド１５、及び各ボンディングワイヤ１７は、照明装置１の面発光源を形成している。この面発光源は、装置基板２の反射面として機能する面２ａに対して、チップマウンターを用いて所定数の半導体発光素子１１と所定数のパッド１５及び一対の装置電極パッド１５ｃ、１５ｄの夫々を接着した後に、ボンディングマシンを用いて半導体発光素子１１とパッド１５との間、装置基板２の一端側の半導体発光素子１１と装置電極パッド１５ｃ、１５ｄとの間、及び装置基板２の他端側のパッド１５同士を、夫々ボンディングワイヤ１７で接続することにより作ることができる。

この場合、半導体発光素子１１及びパッド１５の実装間隔をチップマウンターに予め教示することにより、教示された実装間隔で半導体発光素子１１及びパッド１５が装置基板２の面２ａに実装される。そのため、照明装置１に要求される仕様に適合した種々の実装間隔を選択できるので、少量多品種の生産も容易にできる。

このように照明装置１の用途等に応じて半導体発光素子１１が実装される装置基板２を適宜選定することができる。例えば、半導体発光素子１１が高密度に配置される場合には、それらの温度上昇を抑制するために、装置基板２に金属ベースを備えたものを用いて、これに半導体発光素子１１の熱を逃がすことが望まれ、この逆に、半導体発光素子１１の温度上昇が問題とならない使用環境では、装置基板２を金属製とすることは必ずしも要請されず絶縁性の装置基板であっても使用可能である。これに対して、特許文献１の技術では、半導体発光素子が実装される装置基板に、導電体層が形成されたプリント基板を用いなければならないので、用途等に応じて装置基板を採用するには、それ用のプリント基板を製造する製造上の手間がかかり、チップマウンターを用いて簡便に対応することはできない。

しかも、その際に、例えば金属ベース３や光反射層４をなす材料などを異ならせて放熱性や反射性を変えること、即ち、装置基板２の種類が変更されても、透光性の素子用接着剤１４及びパッド用接着剤１６の材料選択により容易に対応できる。つまり、装置基板２及びパッド１５の母材が共に導電性材料である場合には、素子用接着剤１４及びパッド用接着剤１６に絶縁性のものを使用すればよく、装置基板２及びパッド１５の母材が共に絶縁材料である場合には、素子用接着剤１４及びパッド用接着剤１６に絶縁性又は導電性のものを使用すればよく、更に、装置基板２が導電性材料でパッド１５の母材が絶縁材料である場合には、素子用接着剤１４に絶縁性のものを使用すると共にパッド用接着剤１６に絶縁性又は導電性のものを使用すればよい。

リフレクタ１８は、一個一個又は数個の半導体発光素子１１ごとに個別に設けられるのではなく、前記面発光源に組み付けられ装置基板２上の全ての半導体発光素子１１、パッド１５、及びボンディングワイヤ１７を包囲する単一のもので、枠、例えば図１に示すように平面長方形の枠で形成されている。リフレクタ１８は装置基板２の反射面として機能する面２ａに接着止めされている。したがって、このリフレクタ１８の内部には全ての半導体発光素子１１、パッド１５、及びボンディングワイヤ１７が収容されている。なお、前記一対の装置電極パッド１５ｃ、１５ｄの一端部はリフレクタ１８の内部に配置されているが、電線が半田付けされる他端部はリフレクタ１８の外部に配置されている。

リフレクタ１８は、例えば合成樹脂で作られていて、その内周面は反射面となっている。リフレクタ１８の反射面は、ＡｌやＮｉ等の反射率が高い金属材料を蒸着又はメッキして形成できる他、可視光の反射率の高い白色塗料を塗布して形成することができる。或いは、リフレクタ１８の成形材料中に白色粉末を混入させてリフレクタ１８自体を可視光の反射率が高い白色とすることもできる。前記白色粉末としては、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化マグネシウム、硫酸バリウム等の白色フィラーを用いることができる。なお、リフレクタ１８の反射面は照明装置１の照射方向に次第に開くように形成することが望ましい。

封止部材１９は、各半導体発光素子１１、各パッド１５、及びボンディングワイヤ１７等を埋めてリフレクタ１８内に注入して固化されている。この封止部材１９は、透光性材料例えば透明シリコーン樹脂や透明ガラス等からなる。封止部材１９内には必要により蛍光体が混入される。例えば、各半導体発光素子１１を青色ＬＥＤチップとした本実施形態では、これらの素子から発光された一次光（青色）を波長変換して異なる波長の二次光として黄色の光を出す蛍光体（図示しない）が、好ましい例として略均一に分散した状態に混入されている。

この組み合わせにより、半導体発光素子１１から放出された青色の光の一部が蛍光体に当たることなく封止部材１９を透過する一方で、半導体発光素子１１から放出された青色の光が当たった蛍光体が、青色の光を吸収し黄色の光を発光して、この黄色の光が封止部材１９を透過するので、これら補色関係にある二色の混合によって白色光をつくることができる。

前記構成の面発光源を備えた照明装置１では、図２中矢印で示した光の取出し方向とは逆に、各半導体発光素子１１の半導体発光層から装置基板２に向けて放射された光は、装置基板２の光反射層４に対する半導体発光素子１１の投影面積部分に透光性の素子用接着剤１４を通って入射し、前記投影領域部分において光の取出し方向に反射される。それだけではなく、半導体発光素子１１から光反射層４に向けて放射された光の内で、素子基板１２を斜めに通過した光、つまり、素子基板１２の側面を通って出射した光は、半導体発光素子１１の周囲に広がっている光反射層４で光の取出し方向に反射される。勿論、前記出射光が封止部材１９内の蛍光体に当たって得られる二次光の内で光反射層４方向に放出された光も、光反射層４で光の取出し方向に反射される。

このように各半導体発光素子１１の個々に対応する面積だけで反射するのではなく、各半導体発光素子１１及び各パッド１５を所定の配置で配設する上で必要な面積を有した光反射層４の略全領域、詳しくは、リフレクタ１８の内側において各パッド１５で覆われた部位を除く全領域で、各半導体発光素子１１から放射された光を光の取出し方向に反射することができる。したがって、照明装置１の光の取出し効率を向上できる。

しかも、半導体発光素子１１からその側方向に向けて光が放出される他、光反射層４で反射されて素子用接着剤１４を通って素子基板１２に再入射した光の一部も、半導体発光素子１１の側面から放出される。ところで、この光の放出方向には半導体発光素子への電力供給の中継をなすパッド１５が近接して配置されている。しかし、パッド１５の厚みは半導体発光素子１１の厚みの２倍以下であるので、既述のように半導体発光素子１１の側方に放出された視感度が悪い青色の光が、その進行方向においてパッド１５に当たることにより吸収されて損失することが抑制される。この点においても光の取出し効率が向上されるので、照明装置１により照射される照射面の輝度が低下することを抑制できる。

その上、光反射層４は銀からなる高反射層であるので、照明面を明るく照明できる。そして、銀製の光反射層４はコーテング層５で覆われているから、コーテング層５により銀製の光反射層４の硫化及び酸化が防止されて、光反射層４の反射性能の低下を抑制できる。そのため、照明装置１は高い照明効率を長期にわたって維持できる。

加えて、前記照明装置１は複数の半導体発光素子１１の全てを包囲する単一のリフレクタ１８を備えている。このため、個々の半導体発光素子１１から光の取出し方向に放射された光の内で、リフレクタ１８で反射されることなく、出射される光量が増加する。したがって、リフレクタ１８での反射に伴う光の損失が少なく、この点でも光の取出し効率を向上できる。なお、前記特許文献１に記載のように１個乃至数個の半導体発光素子ごとに放射状に広がる反射面を有したリフレクタが多数設けられていると、夫々のリフレクタの反射面に入射する光量が多く、その反射面での光の吸収による光の損失があるので、光の取出し効率が良くない。

又、各半導体発光素子１１はその点灯に伴い発熱する。これら半導体発光素子１１と装置基板２の金属ベース３との間には、金属ベース３にメッキされた銀の光反射層４と、これに被着されたコーテング層５と、このコーテング層５に半導体発光素子１１を実装する素子用接着剤１４が互いに積層して介在している。そして、絶縁物製のコーテング層５及び素子用接着剤１４の層は極めて薄いので、それらを通して半導体発光素子１１が発した熱は、熱伝導性が極めてよい銀製の光反射層４に容易に伝えられ、この光反射層４からの金属ベース３全体に伝えられて、この金属ベース３から外部に放出される。したがって、こうした放熱によって、複数の半導体発光素子１１の温度上昇が抑制されて、各半導体発光素子１１の温度のばらつきを生じ難くできるので、各半導体発光素子１１の発光色が微妙に異ならないようにできる。

本発明の一実施形態に係る照明装置を一部切欠いて示す正面図。図１中Ｆ２−Ｆ２線に沿う断面図。図２の一部を拡大して示す断面図。

符号の説明

１…照明装置、２…装置基板、２ａ…装置基板の反射面として機能する面、３…金属ベース、４…光反射層、５…コーテング層、１１…半導体発光素子、１３ａ、１３ｂ…半導体発光素子の電極、１４…素子用接着剤、１５…パッド、１５ｂ…パッドの導電部、１６…パッド用接着剤、１７…ボンディングワイヤ

Claims

反射面として機能する面を有した装置基板と；
この装置基板の前記反射面として機能する面に間隔的に並べて透光性素子用接着剤により接着された複数の半導体発光素子と；
これら半導体発光素子と交互に配設されて前記装置基板の前記反射面として機能する面にパッド用接着剤により接着されるとともに、少なくとも表側部位が導電部となっている複数のパッドと；
隣接された前記半導体発光素子及びパッドにわたって設けられこれら半導体発光素子の電極とパッドの導電部とを接続したボンディングワイヤと；
を具備することを特徴とする照明装置。
前記パッドの厚みを、１０μｍ以上でかつ半導体発光素子の厚みの２倍以下にしたことを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
前記装置基板を、金属ベースと、このベース上に積層された銀製の光反射層と、この光反射層上に積層された透光性のコーテング層とで形成し、前記コーテング層上に前記半導体発光素子及びパッドを接着したことを特徴とする請求項１又は２に記載の照明装置。