JP2017147471A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態の半導体装置は、SiC層と、前記SiC層と電気的に接続される電極と、前記SiC層と前記電極との間に設けられ、不純物の最大濃度が1×1020cm−3以上5×1022cm−3以下で、前記不純物の最大濃度の第1の位置と、前記第1の位置から前記SiC層側の、前記不純物の濃度が前記最大濃度の一桁低下した第2の位置との間の第1の距離が50nm以下であり、前記電極と前記第2の位置との間の第2の距離が50nm以下である不純物領域と、を備える。
【選択図】図1
Description
本実施形態の半導体装置は、SiC層と、SiC層と電気的に接続される電極と、SiC層と電極との間に設けられ、不純物の最大濃度が1×1020cm−3以上5×1022cm−3以下で、不純物の最大濃度の位置と、最大濃度の位置からSiC層側の、不純物の濃度が最大濃度の一桁低下した位置との距離が50nm以下である不純物領域と、を備える。
本実施形態の半導体装置は、n型のSiC基板と電極との界面にn型不純物領域が設けられる点で、第1の実施形態と異なっている。第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施形態の半導体装置は、SiC層がn型領域とp型領域を有し、不純物領域が、不純物がn型不純物である第1の領域と、不純物がp型不純物である第2の領域を有し、n型領域と電極との間に第1の領域が設けられ、p型領域と電極との間に第2の領域が設けられ点で、第1及び第2の実施形態と異なっている。第1又は第2の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施形態の半導体装置は、トランスペアレント型ダイオードである点で、第1乃至第3の実施形態と異なっている。以下、第1乃至第3の実施形態と重複する内容については記述を省略する。
10b n−型のドリフト層(SiC層)
12 アノード層(SiC層)
14 アノード電極(電極)
16 p型不純物領域(不純物領域)
18 カソード電極(電極)
22 n型不純物領域(不純物領域)
32 ソース領域(n型領域)
34 pウェルコンタクト領域(p型領域)
44 ソース・pウェル共通電極(電極)
46 n型不純物領域(第1の領域)
48 p型不純物領域(第2の領域)
70 p+型のSiC層(p型領域)
74 n+型のSiC層(n型領域)
76 アノード電極(電極)
80 n型不純物領域(第1の領域)
82 p型不純物領域(第2の領域)
100 PINダイオード(半導体装置)
200 PINダイオード(半導体装置)
300 MOSFET(半導体装置)
400 トランスペアレント型ダイオード(半導体装置)
Claims (12)
- SiC層と、
前記SiC層と電気的に接続される電極と、
前記SiC層と前記電極との間に設けられ、不純物の最大濃度が1×1020cm−3以上5×1022cm−3以下で、前記不純物の最大濃度の第1の位置と、前記第1の位置から前記SiC層側の、前記不純物の濃度が前記最大濃度の一桁低下した第2の位置との間の第1の距離が50nm以下であり、前記電極と前記第2の位置との間の第2の距離が50nm以下である不純物領域と、
を備える半導体装置。 - 前記SiC層がp型であり、前記不純物がp型不純物である請求項1記載の半導体装置。
- 前記p型不純物が、Al(アルミニウム)、B(ボロン)、Ga(ガリウム)、又はIn(インジウム)である請求項2記載の半導体装置。
- 前記SiC層がn型であり、前記不純物がn型不純物である請求項1記載の半導体装置。
- 前記n型不純物が、N(窒素)、P(リン)、As(ヒ素)、又はSb(アンチモン)である請求項4記載の半導体装置。
- 前記SiC層がn型領域とp型領域を有し、
前記不純物領域が、前記不純物がn型不純物である第1の領域と、前記不純物がp型不純物である第2の領域を有し、
前記n型領域と前記電極との間に前記第1の領域が設けられ、前記p型領域と前記電極との間に前記第2の領域が設けられる請求項1記載の半導体装置。 - 前記電極は金属である請求項1乃至請求項6いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記金属中の炭素濃度が1×1018cm−3以下である請求項7記載の半導体装置。
- 前記第1の距離及び前記第2の距離が20nm以下である請求項1乃至請求項8いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記第1の距離及び前記第2の距離が10nm以下である請求項1乃至請求項9いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記第1の位置と前記第2の位置との間の前記不純物の濃度プロファイルが下に凸である請求項1乃至請求項10いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記第1の位置が前記電極と前記不純物領域との界面に位置する請求項1乃至請求項11いずれか一項記載の半導体装置。
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