JP2017120864A - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2017120864A
JP2017120864A JP2015257520A JP2015257520A JP2017120864A JP 2017120864 A JP2017120864 A JP 2017120864A JP 2015257520 A JP2015257520 A JP 2015257520A JP 2015257520 A JP2015257520 A JP 2015257520A JP 2017120864 A JP2017120864 A JP 2017120864A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
wavelength conversion
conversion unit
emitting device
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015257520A
Other languages
English (en)
Inventor
幹彦 上荷
Mikihiko Ueni
幹彦 上荷
伊藤　彰
Akira Ito
彰 伊藤
博之 澤野
Hiroyuki Sawano
博之 澤野
健太郎 利根
Kentaro Tone
健太郎 利根
広明 佐野
Hiroaki Sano
広明 佐野
猪股　大介
Daisuke Inomata
大介 猪股
飯塚　和幸
Kazuyuki Iizuka
和幸 飯塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tamura Corp
Koha Co Ltd
Original Assignee
Tamura Corp
Koha Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tamura Corp, Koha Co Ltd filed Critical Tamura Corp
Priority to JP2015257520A priority Critical patent/JP2017120864A/ja
Priority to EP16881753.4A priority patent/EP3399604A4/en
Priority to US16/066,369 priority patent/US10975497B2/en
Priority to PCT/JP2016/088838 priority patent/WO2017115778A1/ja
Priority to CN201680076965.6A priority patent/CN108475897A/zh
Publication of JP2017120864A publication Critical patent/JP2017120864A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0087—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for illuminating phosphorescent or fluorescent materials, e.g. using optical arrangements specifically adapted for guiding or shaping laser beams illuminating these materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/22—Complex oxides
    • C30B29/28—Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S41/00—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
    • F21S41/10—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source
    • F21S41/14—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source characterised by the type of light source
    • F21S41/16—Laser light sources
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S41/00—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
    • F21S41/10—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source
    • F21S41/14—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source characterised by the type of light source
    • F21S41/176—Light sources where the light is generated by photoluminescent material spaced from a primary light generating element
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S41/00—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
    • F21S41/30—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by reflectors
    • F21S41/39—Attachment thereof
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V13/00—Producing particular characteristics or distribution of the light emitted by means of a combination of elements specified in two or more of main groups F21V1/00 - F21V11/00
    • F21V13/12—Combinations of only three kinds of elements
    • F21V13/14—Combinations of only three kinds of elements the elements being filters or photoluminescent elements, reflectors and refractors
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
    • F21V9/30—Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source
    • F21V9/38—Combination of two or more photoluminescent elements of different materials
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/64—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S41/00—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
    • F21S41/20—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by refractors, transparent cover plates, light guides or filters
    • F21S41/24—Light guides
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S41/00—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
    • F21S41/20—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by refractors, transparent cover plates, light guides or filters
    • F21S41/285—Refractors, transparent cover plates, light guides or filters not provided in groups F21S41/24 - F21S41/2805
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S41/00—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
    • F21S41/30—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by reflectors
    • F21S41/32—Optical layout thereof
    • F21S41/36—Combinations of two or more separate reflectors
    • F21S41/365—Combinations of two or more separate reflectors successively reflecting the light
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/30—Semiconductor lasers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0071—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for beam steering, e.g. using a mirror outside the cavity to change the beam direction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4012—Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】レーザーダイオードと蛍光体の組み合わせにより白色光を発する、高輝度の発光装置を提供する。
【解決手段】レーザー発光装置１０に含まれる青色光を発するレーザーダイオードと、レーザーダイオードの発する光の一部を吸収して波長を変換する波長変換部１１と、を有し、波長変換部１１は、ＹＡＧ系の単結晶蛍光体を含み、レーザーダイオードから発せられて波長変換部１１に照射される光の放射照度が８０Ｗ／ｍｍ２以上である、発光装置１を提供する。
【選択図】図２

Description

本発明は、発光装置に関する。
従来、レーザー素子と、レーザー素子の発する光の波長を変換可能なＹＡＧ（Yttrium Aluminium Garnet）系蛍光体とを有する発光装置が知られている（例えば、特許文献１〜３参照）。
特許文献１には、ＹＡＧ系蛍光体として、平板状の単結晶蛍光体が開示されている。
特許文献２には、ＹＡＧ系蛍光体として、無機材料であるガラス等のバインダーによって結着された蛍光体が開示されている。また、特許文献２には、レーザーダイオードチップからの光を集光レンズで集光して蛍光体ガラスに入射させる発光装置の構造が開示されている。
特許文献３には、ＹＡＧ系蛍光体として、バインダーに含まれる蛍光体粉末や、蛍光体セラミックス等の蛍光体焼結体が開示されている。また、特許文献３には、レーザーダイオードからの光をレンズや光ファイバー等の入射光学系を通して蛍光体に入射させる発光装置の構造が開示されている。
また、特許文献３には、レーザー光の入射パワーが５Ｗであること、レーザー光が平行光として通過する導光路の直径が０．３ｍｍであることが記載されている。このことから、蛍光体に照射されるレーザー光のスポット径は０．３ｍｍ程度であり、放射照度は７０Ｗ／ｍｍ２程度であると考えられる。
国際公開第２０１５／０２０２０５号 特許第５０８３２０５号公報 国際公開第２０１４／２０３４８４号
本発明の目的は、レーザーダイオードと蛍光体の組み合わせにより白色光を発する、高輝度の発光装置を提供することにある。
本発明の一態様は、上記目的を達成するために、以下の［１］〜［７］の発光装置を提供する。
［１］青色光を発するレーザーダイオードと、前記レーザーダイオードの発する光の一部を吸収して波長を変換する波長変換部と、を有し、前記波長変換部は、ＹＡＧ系の単結晶蛍光体を含み、前記レーザーダイオードから発せられて前記波長変換部に照射される光の放射照度が８０Ｗ／ｍｍ２以上である、発光装置。
［２］前記レーザーダイオードから発せられた光を集光するレンズを有し、前記レンズにより集光された光が前記波長変換部に照射される、上記［１］に記載の発光装置。
［３］前記レーザーダイオードから発せられた光を伝送する光導波路を有し、前記光導波路により伝送された光が前記波長変換部に照射される、上記［１］に記載の発光装置。
［４］前記波長変換部が、１個の前記単結晶蛍光体からなる、上記［１］〜［３］のいずれか１項に記載の発光装置。
［５］前記波長変換部が、バインダーにより互いに接着された複数の粒子状の前記単結晶蛍光体からなる、上記［１］〜［３］のいずれか１項に記載の発光装置。
［６］前記単結晶蛍光体が、組成式（Ｙ１−ａ−ｂＬｕａＣｅｂ）３＋ｃＡｌ５−ｃＯ１２（０≦ａ≦０．９９９４、０．０００２≦ｂ≦０．００６７、−０．０１６≦ｃ≦０．３１５）で表される組成を有する、上記［１］〜［５］のいずれか１項に記載の発光装置。
［７］前記波長変換部が、窒化アルミニウム、アルミナ、ＳｉＮ、Ｃｕ、又はＡｌからなる、前記波長変換部から発せられる熱を放熱する放熱部材により保持された、上記［１］〜［６］のいずれか１項に記載の発光装置。
本発明によれば、レーザーダイオードと蛍光体の組み合わせにより白色光を発する、高輝度の発光装置を提供することができる。
図１は、ＬＤとＬＥＤの電流−光出力特性を模式的に示すグラフである。 図２は、第１の実施の形態に係る発光装置の構成を示す模式図である。 図３は、第１の実施の形態に係る発光装置の構成を示す模式図である。 図４（ａ）、（ｂ）は、第１の実施の形態に係る波長変換部の保持構造の例を示す断面図である。 図５（ａ）、（ｂ）は、第１の実施の形態に係る波長変換部の保持構造の例を示す断面図である。 図６は、第１の実施の形態に係る波長変換部の保持構造の例を示す断面図である。 図７は、第１の実施の形態に係る波長変換部の保持構造の例を示す断面図である。 図８は、第１の実施の形態に係る波長変換部の保持構造の例を示す断面図である。 図９は、第１の実施の形態に係る波長変換部の保持構造の例を示す断面図である。 図１０は、第１の実施の形態に係る波長変換部の保持構造の例を示す断面図である。 図１１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、第１の実施の形態に係る波長変換部の保持構造の例を示す断面図である。 図１２（ａ）、（ｂ）は、図１１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示される波長変換部を切り出すための単結晶蛍光体板の上面図及び垂直断面図である。 図１３は、第１の実施の形態に係る波長変換部の保持構造の例を示す断面図である。 図１４は、第２の実施の形態に係る発光装置の構成を示す模式図である。 図１５は、第２の実施の形態に係る発光装置の構成を示す模式図である。 図１６は、第２の実施の形態に係る波長変換部の保持構造の例を示す断面図である。 図１７は、第２の実施の形態に係る波長変換部の保持構造の例を示す断面図である。 図１８は、第２の実施の形態に係る波長変換部の保持構造の例を示す断面図である。 図１９は、第２の実施の形態に係る波長変換部の保持構造の例を示す断面図である。 図２０は、第２の実施の形態に係る波長変換部の保持構造の例を示す断面図である。 図２１は、第３の実施の形態に係る車両のヘッドライト周辺の構成を模式的に示すブロック図である。 図２２は、ヘッドライトに含まれる発光装置の一例の構成を示す模式図である。 図２３は、ヘッドライトに含まれる発光装置の他の例の構成を示す模式図である。 図２４は、第３の実施の形態に係るプロジェクターの構成を模式的に示すブロック図である。 図２５は、プロジェクターの光源部に含まれる発光装置の一例の構成を示す模式図である。 図２６は、プロジェクターの光源部に含まれる発光装置の他の例の構成を示す模式図である。 図２７は、第３の実施の形態に係るサーチライトの構成を模式的に示すブロック図である。 図２８は、第３の実施の形態に係るリモート照明の構成を模式的に示すブロック図である。 図２９は、リモート照明のヘッドライトに含まれる発光装置の一例の構成を示す模式図である。 図３０は、実施例１に係る波長変換部の保持構造を示す垂直断面図である。 図３１は、実施例２に係る接触面積割合と波長変換部の温度の関係、及び接触面積割合と波長変換部の全光束との関係を示すグラフである。 図３２（ａ）は、実施例３に係る波長変換部の保持構造を示す垂直断面図である。図３２（ｂ）は、比較例に係る波長変換部の保持構造を示す垂直断面図である。 図３３（ａ）は、実施例３及び比較例に係るレーザー発光装置への投入電流と全放射束との関係を示すグラフである。図３３（ｂ）は、実施例３に係る単結晶蛍光体に照射される光の放射照度と全光束との関係、及び比較例に係る粉末蛍光体に照射される光の放射照度と全光束との関係を示すグラフである。 図３４（ａ）は、実施例４に係るレーザー発光装置への投入電流と全放射束との関係を示すグラフである。図３４（ｂ）は、実施例４に係る波長変換部に照射される光の放射照度と波長変換部から取り出される光の照度との関係を示すグラフである。 図３５（ａ）、（ｂ）は、実施例５のシミュレーションにより求められた、波長変換部の被照射面における照射光のスポット面積と、波長変換部から取り出される光の色むらの関係を示す図である。
本発明の発光装置は、光源としてのレーザーダイオード（ＬＤ）と、ＹＡＧ系単結晶蛍光体を含む波長変換部とを有する。ＬＤから発せられる青色光と、波長変換部中のＹＡＧ系単結晶蛍光体により変換された黄色系の光によって、白色光が発光装置から発せられる。
図１は、ＬＤとＬＥＤの電流−光出力特性を模式的に示すグラフである。図１に示されるように、ＬＥＤは、小さい電流を流しているときは発光効率がよいが、電流を大きくするにつれて効率が下がる。
一方、ＬＤは、レーザー発振するための発振閾値電流よりも電流が大きくなると、発光効率をほぼ一定に保ったまま発光出力が増加する。このため、ＬＤは大電流を流したときの発光効率が高い。また、最大光出力もＬＥＤと比較して大きい。また、ＬＤは、発光面積がＬＥＤに比較して小さく（ニアフィールドパタン）、かつ光の出射角（ファーフィールドパタン）もＬＥＤに比べて狭角である。このためレンズで集光した時に、ＬＥＤの場合に比べて、光エネルギーを大きく、かつ面積を小さくでき、著しく高い密度で光を集光する事が出来る。したがって、ＬＤは、高輝度の発光装置の光源として優れているといえる。
しかしながら、ＬＤと蛍光体を組み合わせて白色光を得ようとする場合、ＬＤの発する高エネルギーの光を高効率で波長変換することのできる蛍光体を用いなければ、高輝度の発光装置を製造することはできない。
蛍光体は、一般に、固有の量子効率（励起光を蛍光に変換する効率）や、温度消光特性（温度の上昇に伴い量子効率が低下する性質）を有する。高エネルギーの光を高効率で波長変換するためには、高温下での量子効率が高いことや、温度消光が小さいことが求められる。
そこで、本実施の形態においては、焼結により製造されるセラミック蛍光体よりも高温下での量子効率や温度消光特性に優れる単結晶蛍光体を用いている。
［第１の実施の形態］
第１の実施の形態に係る発光装置は、波長変換部の光取出し面が被照射面（ＬＤから発せられた光が照射される面）の反対側にある透過型構造を有する。
（発光装置の構成）
図２、図３は、第１の実施の形態に係る発光装置１、２の構成を示す模式図である。発光装置１、２は、青色光を発するＬＤを有するレーザー発光装置１０と、レーザー発光装置１０の発する光（レーザー発光装置１０に含まれるＬＤの発する光）の一部を吸収して波長を変換する波長変換部１１と、を有する。
また、発光装置１は、レーザー発光装置１０から発せられた光を平行光に変えるレンズ１３ａと、レンズ１３ａからの平行光を波長変換部１１の表面近傍に焦点を結ぶように集光するレンズ１３ｂをさらに有する。
また、発光装置２は、レーザー発光装置１０から発せられた光を伝送する光導波路としての光ファイバー２１をさらに有する。光ファイバー２１は、コアとクラッドからなる光伝播部２１ａと、光伝播部２１ａを被覆する被覆膜２１ｂを有する。
また、図３に示される例では、波長変換部１１の近傍で光ファイバー２１を保持する支持体２３と、光ファイバー２１の先端の周囲を囲む環状部材２４と、環状部材２４と光伝播部２１ａの間に設けられ、光伝播部２１ａを保持する保持部材２６が発光装置２に含まれる。保持部材２６は、例えば、ジルコニア等のセラミックスや金属からなる。例えば、支持体２３がフェルールであり、環状部材２４に勘合挿入されるような構造であってもよい。環状部材２４の外形は円でも四角でもいいし、一部が切れていてもよい。また、図３に示されるように、複数の光ファイバー２１をコネクター２２で連結してもよい。また、発光装置２において、光ファイバー２１の代わりに、導光パイプ等の光ファイバー以外の光導波路を用いてもよい。
レーザー発光装置１０は、ＬＤを光源として有するレーザーモジュールである。このため、「レーザー発光装置１０の発する光」を「レーザー発光装置１０に含まれるＬＤの発する光」と読み替えることができる。図２、図３には、レーザー発光装置１０の一例としてＣＡＮ型のレーザーモジュールが示されているが、レーザー発光装置１０は他の型式のレーザーモジュールであってもよい。また、図３に示されるように、１つの波長変換部１１に対して複数のレーザー発光装置１０を用いてもよい。
波長変換部１１は、ＹＡＧ系の単結晶蛍光体を含む。例えば、波長変換部１１は、１個のＹＡＧ系の単結晶蛍光体、又はバインダーにより互いに接着された複数の粒子状の単結晶蛍光体からなる。ここで、単結晶蛍光体とは、結晶粒界を含まない単相の蛍光体結晶をいう。
発光装置１、２において、レーザー発光装置１０から発せられて波長変換部１１に照射される光の放射照度は、８０Ｗ／ｍｍ２以上である。このように放射照度を大きくすることにより、発光装置１、２は高輝度の光を発することができる。ここで、放射照度とは、波長変換部１１に入射する光の単位面積当たりの光出力（Ｗ）をいう。
また、放射照度を高めるためには、スポットのほぼすべてが波長変換部１１の被照射面に含まれるように、レーザー発光装置１０から発せられる光が被照射面に照射されることが好ましい。
また、発光輝度を高めるためには、波長変換部１１のサイズを十分に小さくして、レーザー発光装置１０から発せられる光を波長変換部１１の被照射面の全面に照射することが好ましい。波長変換部１１のサイズを小さくすることにより、光を被照射面の全面に照射しても十分な発光輝度が得られる。
なお、発光装置１において、レンズ１３ｂによって集光される光の焦点を波長変換部１１の表面からずらして、スポット面積を大きくしてもよい。スポット面積を大きくすることにより、青色光の成分と蛍光の成分をむらなく混合し、発光色のむらを軽減することができる。色むらを効果的に抑制するためには、スポット面積を０．０６ｍｍ２以上にして、出来るだけ均一な光を波長変換部１１に照射することが好ましい。発光色のむらの抑制は、光の均一性という観点からも重要であるが、励起光であるレーザーの光が直接出力されることを防ぐことにもなるため、安全性の観点からも重要である。また、スポット面積を大きくすることにより、熱の集中を緩和してクラックの発生を防ぐことができる。
また、波長変換部１１の被照射部分が波長変換部１１の外縁に近いほど放熱性が高まる。このため、レーザー発光装置１０から発せられた光の焦点を波長変換部１１の表面からずらして、波長変換部１１の被照射面におけるスポット面積を被照射面の全面積のおよそ５０％以上とすることにより、波長変換部１１に含まれる蛍光体の発熱を効果的に抑制することができる。
ただし、照射部分の位置制御が困難であり、スポット面積を被照射面の面積とほぼ等しくした場合に光の一部が波長変換部１１から外れるおそれがある場合には、波長変換部１１の被照射面におけるレーザー発光装置１０から発せられた光のスポット面積を、被照射面の全面積のおよそ９０％以下とすることが好ましい。
波長変換部１１は、保持部材１２により保持される。保持部材１２は、波長変換部１１から発せられる熱を放熱するため、熱伝導率の高いセラミックや金属からなることが好ましい。セラミックとしては、例えば、窒化アルミニウム、アルミナ、又はＳｉＮが用いられる。また、金属としては、例えば、Ｃｕ、又はＡｌが用いられる。
なお、光取出効率を向上させるために、波長変換部１１の光取出し面に微細な凹凸を設けてもよい。微細な凹凸は、レーザーを用いた刻印や、半導体プロセスを用いた刻印等により形成される。
〔単結晶蛍光体〕
第１の実施の形態に係る単結晶蛍光体は、Ｃｅで付活されるＹＡＧ系単結晶蛍光体であり、（Ｙ１−ａ−ｂＬｕａＣｅｂ）３＋ｃＡｌ５−ｃＯ１２（０≦ａ≦０．９９９４、０．０００２≦ｂ≦０．００６７、−０．０１６≦ｃ≦０．３１５）で表される組成を有する。ここで、Ｃｅは、Ｙサイトに置換され、付活剤として機能する（発光中心となる）。一方、Ｌｕは、Ｙサイトに置換されるが、付活剤としては機能しない。
なお、上記の蛍光体の組成のうち、一部の原子は結晶構造上の異なる位置を占めることがある。また、上記の組成式における組成比のＯの値は１２と記述されるが、上記の組成は、不可避的に混入または欠損する酸素の存在により組成比のＯの値が僅かに１２からずれた組成も含む。また、組成式におけるｃの値は、単結晶蛍光体の製造上、不可避的に変化する値であるが、−０．０１６≦ｃ≦０．３１５程度の数値範囲内での変化は、単結晶蛍光体の物性にほとんど影響を及ぼさない。
Ｃｅの濃度を表す上記組成式におけるｂの数値の範囲が０．０００２≦ｂ≦０．００６７であるのは、ｂの数値が０．０００２よりも小さい場合は、Ｃｅ濃度が低すぎるために、励起光の吸収が小さくなり、外部量子効率が小さくなりすぎるという問題が生じ、０．００６７よりも大きい場合は、単結晶蛍光体のインゴットを育成する際にクラックやボイド等が生じ、結晶品質が低下する可能性が高くなるためである。
第１の実施の形態に係る単結晶蛍光体は、例えば、ＣＺ法（Czochralski Method）、ＥＦＧ法（Edge Defined Film Fed Growth Method）、ブリッジマン法、ＦＺ法（Floating Zone Method）、ベルヌーイ法等の液相成長法によって得ることができる。
波長変換部１１が１個のＹＡＧ系の単結晶蛍光体からなる場合は、これらの液相成長法により得られた単結晶蛍光体のインゴットを切断して平板状に加工して、波長変換部１１を得る。波長変換部１１がバインダーにより互いに接着された複数の粒子状の単結晶蛍光体からなる場合は、単結晶蛍光体のインゴットを粉砕して粒子状に加工し、粒子状に加工された複数の単結晶蛍光体をバインダーで接着して、波長変換部１１を得る。
〔単結晶蛍光体の製造〕
本実施の形態の単結晶蛍光体の製造方法の一例として、ＣＺ法による製造方法について以下に述べる。
まず、出発原料として、高純度（９９．９９％以上）のＹ２Ｏ３、Ｌｕ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ａｌ２Ｏ３の粉末を用意し、乾式混合を行い、混合粉末を得る。なお、Ｙ、Ｌｕ、Ｃｅ、及びＡｌの原料粉末は、上記のものに限られない。また、Ｌｕを含まない単結晶蛍光体を製造する場合は、その原料粉末は用いない。
次に、得られた混合粉末をイリジウム製のルツボ内に入れ、ルツボをセラミックス製の筒状容器に収容する。そして、筒状容器の周囲に巻回される高周波コイルにより３０ｋＷの高周波エネルギーをルツボに供給して誘導電流を生じさせ、ルツボを加熱する。それにより、混合粉末を溶融させて融液を得る。
次に、ＹＡＧ単結晶である種結晶を用意して、その先端を融液に接触させた後、１０ｒｐｍの回転数で回転させながら１ｍｍ／ｈ以下の引き上げ速度で引き上げ、１９６０℃以上の引き上げ温度で＜１１１＞方向に単結晶蛍光体インゴットを育成する。この単結晶蛍光体インゴットの育成は、筒状容器内に毎分２Ｌの流量で窒素を流し込み、大気圧下、窒素雰囲気中で行われる。
こうして、例えば、直径約２．５ｃｍ、長さ約５ｃｍの単結晶蛍光体インゴットが得られる。得られた単結晶蛍光体インゴットを所望の大きさに切り出すことにより、例えば、発光装置に用いる平板状の単結晶蛍光体を得ることができる。また、単結晶蛍光体インゴットを粉砕することにより、粒子状の単結晶蛍光体を得ることができる。
〔波長変換部の保持構造〕
図４〜１３は、第１の実施の形態に係る波長変換部１１の保持構造の例を示す断面図である。
図４（ａ）、（ｂ）に示される保持構造においては、保持部材１２が波長変換部１１とほぼ同じ平面形状の貫通孔１２ａを有し、波長変換部１１は貫通孔１２ａ内で保持される。
図４（ａ）に示される保持部材１２は金属からなり、保持部材１２を塑性変形させて貫通孔１２ａに挿入された波長変換部１１を機械的に固定する。保持部材１２は、例えば、熱伝導に優れ、加工が容易なＣｕ、Ａｌからなることが好ましい。
図４（ｂ）に示される波長変換部１１は、貫通孔１２ａと波長変換部１１との隙間に充填された充填剤５０により固定される。充填剤５０として、例えば、熱伝導性の高い放熱用シリコーン系樹脂、高反射シリコーン系樹脂、反射率と熱伝導率の高い焼結銀等を用いることが好ましい。
図５（ａ）、（ｂ）に示される保持構造は、図４（ａ）、（ｂ）に示される保持構造と同様に、保持部材１２が波長変換部１１とほぼ同じ平面形状の貫通孔１２ａを有し、波長変換部１１は貫通孔１２ａ内で保持される。
図５（ａ）に示される保持部材１２は、図４（ａ）に示される保持部材１２と同様に、金属からなる保持部材１２の塑性変形により機械的に固定される。図５（ｂ）に示される保持部材１２は、図４（ｂ）に示される保持部材１２と同様に、充填剤５０により固定される。
また、図５（ａ）、（ｂ）に示される保持構造においては、波長変換部１１が保持部材１２に直接、又は充填剤５０を介して接触する部分の面積が、波長変換部１１の全表面積の５％以上、３０％以下である。この割合を３０％以下とすることにより、波長変換部１１と保持部材１２との接触面における光の繰り返し反射による光の減衰を効果的に抑えることができる。また、この割合を５％以上とすることにより、効果的に保持部材１２に熱を伝導させて放熱することができる。
また、図５（ａ）に示される保持構造において、波長変換部１１の保持部材１２との接触面、及び保持部材１２の波長変換部１１との接触面を鏡面化してもよい。接触面を鏡面化することにより、接触面積を増加させ、より効果的に保持部材１２に熱を伝導させて放熱することができる。
図６に示される波長変換部１１は、その被照射面（レーザー発光装置１０から発せられた光が照射される面）上に青色の波長の光のみを透過させ、それ以外の波長の光を反射する膜状のダイクロイックフィルター５１を有する。波長変換部１１は、貫通孔１２ａ内で、機械的に又は充填剤５０により保持部材１２に固定される。
ダイクロイックフィルター５１は波長変換部１１の被照射面上に塗布により直接形成されるため、波長変換部１１との密着性が高く、予め用意されたダイクロイックフィルター上に波長変換部１１を載せる場合のように、両者の間に薄い空気層が含まれることがない。このため、空気層による光の散乱が抑えられ、高い発光効率が得られる。なお、ダイクロイックフィルター５１は、波長変換部１１の光取出し面以外の面であれば、被照射面以外の面の上に形成されてもよい。
図７に示される保持構造においては、波長変換部１１は、保持部材１２の貫通孔１２ａを塞ぐように設置されたバンドパスフィルター５２を介して保持部材１２上に設置される。
バンドパスフィルター５２は、ガラス、石英、ＳｉＣ、サファイア等の透明材料からなる透明基板５２ａと、透明基板５２ａの下面（レーザー発光装置１０から発せられた光が照射される面）に形成された反射防止膜５２ｂと、透明基板５２ａの上面（波長変換部１１側の面）に形成された青色光のみを透過する膜状のダイクロイックフィルター５２ｃから構成される。
レーザー発光装置１０から発せられた光はバンドパスフィルター５２に入射して波長変換部１１に達するため、空気中から波長変換部１１に直接入射する場合と比較して、入射光の反射損失、及び波長変換部１１内で発光した光の戻りによる損失を低減して、発光効率が向上する。また、波長変換部１１から透明基板５２ａに熱を逃がすことによる冷却効果も得られる。
波長変換部１１とバンドパスフィルター５２は、ガラス等を含む、透光性接着剤等によって接着される。また、バンドパスフィルター５２と保持部材１２は、前記透光性部材のほか、はんだなどの金属や、焼結銀等の接合剤によって接着される。
図８に示される波長変換部１１は、側面の被照射面側の一部に金属膜５６を有する。金属膜５６は、波長変換部１１内部の金属膜５６に向かって進む光を反射し、波長変換部１１の側面の被照射面側の一部から光が出射することを防ぐ。
金属膜５６は、波長変換部１１の表面をメタライズすることによって形成される。具体的には、波長変換部１１に個片化する前の単結晶蛍光体板や、バインダーで接着された複数の単結晶蛍光体粒から構成される板状部材をハーフダイシングした後、メタライズすることにより、波長変換部１１の側面の一部にのみ金属膜５６が形成される。波長変換部１１の被照射面上に形成された金属膜は、研磨やフォトリソグラフィ工程を用いたエッチングやリフトオフ工程を用いることで除去される。
波長変換部１１と保持部材１２は、はんだ等の金属や、焼結銀等である接合剤５５により接合される。はんだ等による接着は、機械的な固定よりも容易である。
図９に示される波長変換部１１は、上面（光取出し側の面）上に図示しない透光性担持剤に混ぜられた粉末状の散乱剤５７が塗布されている。波長変換部１１から取出される光が散乱剤５７によって散乱されるため、強度分布や色分布が均一化される。
散乱剤５７や蛍光体粉末の粒径は５〜５０μｍであることが好ましい。粒径が５μｍ未満の場合は反射ロスが増え、５０μｍを超えると散乱剤５７の層の厚さの制御が困難になる。透光性担持剤としては、例えば、ガラス系接着剤、又は耐熱樹脂製接着剤を用いることができる。波長変換部１１は、貫通孔１２ａ内で、機械的に又は充填剤５０により保持部材１２に固定される。
散乱剤５７の代わりに蛍光体粉末を用いて、発光色を調整してもよい。
図１０に示される波長変換部１１は、光取出し側の一部が保持部材１２の表面から光取出し側に突出しており、この突出部分が半球状、錘状、錐台状、又はこれらに近い形状を有する。これにより、波長変換部１１が直方体である場合と比較して、波長変換部１１から取出される光の波長変換部１１中の光路差が小さくなり、発光色むらを低減することができる。
波長変換部１１の突出部分は、例えば、直方体の波長変換部１１を単結晶蛍光体インゴット等から切り出した後、砥石による研削加工を行うことにより得られる。また、多軸の加工機を用いて、平板状の単結晶蛍光体等を微細加工用のキリで切削加工した後、切り出してもよい。また、波長変換部１１の一辺の長さが３００μｍ以下である場合、ハンドリングが困難なため、平板状の単結晶蛍光体等を支持基板に取り付けた後に加工してもよい。また、突出部分の加工にバレル研磨や薬液を用いた方法を用いてもよい。
波長変換部１１は、貫通孔１２ａ内で、機械的に又は充填剤５０により保持部材１２に固定される。
図１１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示される波長変換部１１は、ＹＡＧ系単結晶蛍光体からなり、保持部材１２の貫通孔１２ａを塞ぐように設置された平板部１１ａと、貫通孔１２ａの真上に設置された、半球、錐、錐台等の形状を有する突起部１１ｂを有する。
突起部１１ｂの径は貫通孔１２ａの径と同等、又はより大きく、突起部１１ｂの中心軸は貫通孔１２ａの中心軸とほぼ一致する。波長変換部１１と保持部材１２は、図示しない接着剤や接着シート等によって接着される。
図１１（ｂ）に示される波長変換部１１は、保持部材１２側の面の突起部１１ｂの下の領域に窪み部１１ｃを有する。窪み部１１ｃを設けることにより、平板部１１ａ内に進む光を低減し、光源サイズの拡大を抑えることができる。
図１１（ｃ）に示される波長変換部１１は、平板部１１ａを小さくすることにより、光源サイズの拡大を抑えている。なお、図１１（ｃ）に示されるように、貫通孔１２ａが光取出し側に向かって細くなるテーパー形状を有してもよい。
図１２（ａ）、（ｂ）は、図１１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示される波長変換部１１を切り出すための単結晶蛍光体板１１ｄの上面図及び垂直断面図である。単結晶蛍光体板１１ｄは、例えば、マトリクス状に並んだ突起部１１ｂを形成するように、平板状のＹＡＧ系単結晶蛍光体の表面を研削することにより得られる。
単結晶蛍光体板１１ｄを切断して波長変換部１１に個片化した後、個々の波長変換部１１を保持部材１２に固定してもよいし、複数の保持部材１２が切り出される金属板又はセラミック板上に単結晶蛍光体板１１ｄを接着した後、これらを一括して切断、個片化してもよい。
図１１（ｂ）に示される波長変換部１１の窪み部１１ｃは、波長変換部１１を保持部材１２に固定する前と後のいずれに形成されてもよい。
図１３に示される波長変換部１１は、保持部材としての透明基板５８上に透明接着剤６１により固定される。透明基板５８は、図１３に示されるように、下面（レーザー発光装置１０から発せられた光が照射される面）上に反射防止膜５９を有していてもよく、また、上面（波長変換部１１側の面）上に青色の波長の光のみを透過させ、それ以外の波長の光を反射する膜状のダイクロイックフィルター６０を有していてもよい。
波長変換部１１の形状は、例えば、直方体、半球、角錐である。透明基板５８は、例えば、ガラス、石英、ＳｉＣ、サファイア等の透明材料からなる。
波長変換部１１の透明基板５８への透明接着剤６１による固定は、貫通孔１２ａを有する保持部材１２への固定と比較して容易である。また、波長変換部１１の発熱は透明接着剤６１を通じて放熱される。
透明接着剤６１の代わりに、波長変換部１１の側部に接着剤を塗布して保持部材１２に接着してもよい。この場合、接着剤は透明でなくてもよく、透明でない場合、光の出射方向を波長変換部１１の上方に限定することにより、光源サイズを小さくすることができる。また、光量を増すため、接着剤はレーザー発光装置１０から発せられる青色光や蛍光に対する反射率の高いものであってもよい。
［第２の実施の形態］
第２の実施の形態に係る発光装置は、波長変換部の光取出し面が被照射面の反対側にない構造を有する。
（発光装置の構成）
図１４、図１５は、第２の実施の形態に係る発光装置３、４の構成を示す模式図である。発光装置３、４は、発光装置１、２と同様に、青色光を発するレーザーダイオードを有するレーザー発光装置１０と、レーザー発光装置１０に含まれるレーザーダイオードの発する光の一部を吸収して波長を変換する波長変換部１１と、を有する。
また、発光装置３は、レーザー発光装置１０から発せられた光を平行光に変えるレンズ１３ａと、レンズ１３ａからの平行光を波長変換部１１の表面近傍に焦点を結ぶように集光するレンズ１３ｂと、レンズレンズ１３ｂからの光を波長変換部１１へ向けて反射するミラー３１をさらに有する。発光装置３においては、レーザー発光装置１０から発せられた光は主に光を取出す側の面に照射される。
また、発光装置４は、レーザー発光装置１０から発せられた光を伝送する光導波路としての光ファイバー２１をさらに有する。光ファイバー２１の先端は波長変換部１１の側方に設置され、波長変換部１１の側面にレーザー発光装置１０から発せられた光が照射される。光ファイバー２１の光伝播部２１ａは、保持部材２７により保持される。
また、図１５に示されるように、複数の光ファイバー２１をコネクター２２で連結してもよい。また、図１５に示されるように、１つの波長変換部１１に対して複数のレーザー発光装置１０を用いてもよい。また、発光装置４において、光ファイバー２１の代わりに、導光パイプ等の光ファイバー以外の光導波路を用いてもよい。
発光装置３、４において、レーザー発光装置１０から発せられて波長変換部１１に照射される光の放射照度は、８０Ｗ／ｍｍ２以上である。このように放射照度を大きくすることにより、発光装置３、４は高輝度の光を発することができる。
また、放射照度を高めるためには、スポットのほぼすべてが波長変換部１１の被照射面に含まれるように、レーザー発光装置１０から発せられる光が被照射面に照射されることが好ましい。
また、発光輝度を高めるためには、波長変換部１１のサイズを十分に小さくして、レーザー発光装置１０から発せられる光を波長変換部１１の被照射面の全面に照射することが好ましい。波長変換部１１のサイズを小さくすることにより、光を被照射面の全面に照射しても十分な発光輝度が得られる。
なお、発光装置３において、レンズ１３ｂによって集光される光の焦点を波長変換部１１の表面からずらして、スポット面積を大きくしてもよい。スポット面積を大きくすることにより、青色光の成分と蛍光の成分をむらなく混合し、発光色のむらを軽減することができる。色むらを効果的に抑制するためには、スポット面積を０．０６ｍｍ２以上にして、出来るだけ均一な光を波長変換部１１に照射することが好ましい。発光色のむらの抑制は、光の均一性という観点からも重要であるが、励起光であるレーザーの光が直接出力されることを防ぐことにもなるため、安全性の観点からも重要である。また、スポット面積を大きくすることにより、熱の集中を緩和してクラックの発生を防ぐことができる。
また、波長変換部１１の被照射部分が波長変換部１１の外縁に近いほど放熱性が高まる。このため、レーザー発光装置１０から発せられた光の焦点を波長変換部１１の表面からずらして、波長変換部１１の被照射面におけるスポット面積を被照射面の全面積のおよそ５０％以上とすることにより、波長変換部１１に含まれる蛍光体の発熱を効果的に抑制することができる。
ただし、照射部分の位置制御が困難であり、レーザー発光装置１０から発せられた光の一部が波長変換部１１から外れるおそれがある場合には、波長変換部１１の被照射面におけるレーザー発光装置１０から発せられた光のスポット面積を、被照射面の全面積のおよそ９０％以下とすることが好ましい。
波長変換部１１は、保持部材３０により保持される。保持部材３０は、波長変換部１１から発せられる熱を放熱するため、熱伝導率の高いセラミックや金属からなることが好ましい。セラミックとしては、例えば、窒化アルミニウム、アルミナ、又はＳｉＮが用いられる。また、金属としては、例えば、Ｃｕ、又はＡｌが用いられる。
〔波長変換部の保持構造〕
図１６〜２０は、第２の実施の形態に係る波長変換部１１の保持構造の例を示す断面図である。
図１６に示される保持構造においては、波長変換部１１は保持部材３０の面上に保持される。波長変換部１１と保持部材３０の隙間に充填剤６２を充填することにより、波長変換部１１は保持部材３０に固定される。
充填剤６２として、例えば、熱伝導性の高い放熱用シリコーン系樹脂、高反射シリコーン系樹脂、反射率と熱伝導率の高い焼結銀等を用いることが好ましい。なお、充填剤６２を用いずに、保持部材３０を塑性変形させて、波長変換部１１を機械的に固定してもよい。
図１７に示される波長変換部１１は、その底面（保持部材３０側の面）上に可視光を反射する膜状のダイクロイックフィルター６３を有する。ダイクロイックフィルター６３を設けることにより波長変換部１１の底面での反射率を向上させ、光取出し効率を向上させることができる。このダイクロイックフィルター６３を用いる方法は、例えば、波長変換部１１の底面や保持部材３０の上面を鏡面化して反射率を向上させる方法と比較して、波長変換部１１と保持部材３０との間に空気層が含まれないため、光の散乱による光取出し効率の低下を抑えることができる。
波長変換部１１と保持部材３０を接合する接合剤６４として、例えば、導電シート、はんだ、焼結金属、又は樹脂接着剤を用いることができる。なお、ダイクロイックフィルター６３は、波長変換部１１の光取出し面以外の面であれば、低面以外の面の上に形成されてもよい。
図１８に示される波長変換部１１は、その底面（保持部材３０側の面）上に金属膜５６を有する。金属膜５６を設けることにより波長変換部１１の底面での反射率を向上させ、光取出し効率を向上させることができる。
金属膜５６は、波長変換部１１の表面をメタライズすることによって形成される。例えば、波長変換部１１に個片化する前の単結晶蛍光体板や、バインダーで接着された複数の単結晶蛍光体粒から構成される板状部材の表面をメタライズした後、波長変換部１１に個片化することにより、金属膜５６が得られる。
波長変換部１１は、接合剤６４により保持部材３０に固定される。なお、グリースは加工が容易であるが、反射率が低く、接合力が弱いため、接合剤６４として用いるには適さない。
図１９に示される波長変換部１１は、光取出し面上に図示しない透光性担持剤に混ぜられた粉末状の散乱剤５７が塗布されている。波長変換部１１から取出される光が散乱剤５７によって散乱されるため、強度分布や色分布が均一化される。
散乱剤５７や蛍光体粉末の粒径は５〜５０μｍであることが好ましい。粒径が５μｍ未満の場合は反射ロスが増え、５０μｍを超えると散乱剤５７の層の厚さの制御が困難になる。透光性担持剤としては、例えば、ガラス系接着剤、又は耐熱樹脂製接着剤を用いることができる。波長変換部１１は、接合剤６４により保持部材３０に固定される。
散乱剤５７の代わりに蛍光体粉末を用いて、発光色を調整してもよい。
図２０に示される波長変換部１１は、図１１（ｃ）に示される波長変換部１１と同じものである。また、図１１（ａ）に示される波長変換部１１と同じものであってもよい。波長変換部１１は、接合剤６４により保持部材３０に固定される。
［第３の実施の形態］
第３の実施の形態は、第１の実施の形態及び第２の実施の形態の発光装置の使用例を示すものである。
図２１は、第３の実施の形態に係る車両７０のヘッドライト周辺の構成を模式的に示すブロック図である。
車両７０は、ヘッドライト７１と、ヘッドライト７１等に電源を供給する電源７３と、入力部７２に入力された指示に基づいて電源７３を制御する制御部７４と、を有する。
図２２は、ヘッドライト７１に含まれる発光装置の一例である発光装置２ａの構成を示す模式図である。発光装置２ａは、図３に示される発光装置２にリフレクター２５を加えた構成を有する。リフレクター２５は保持部材１２等に取り付けられ、波長変換部１１から取出される白色光を反射して指向性を与える。
図２３は、ヘッドライト７１に含まれる発光装置の他の例である発光装置３ａの構成を示す模式図である。発光装置３ａは、図１４に示される発光装置３にリフレクター２５を加えた構成を有する。
また、発光装置３ａにおいては、１つの波長変換部１１に対して２つのレーザー発光装置１０が用いられており、２つのレーザー発光装置１０から発せられた光はそれぞれ異なる方向から波長変換部１１に照射される。リフレクター２５は保持部材１２等に取り付けられ、２つのレーザー発光装置１０から発せられた光が通過するための孔を有する。
図２４は、第３の実施の形態に係るプロジェクター８０の構成を模式的に示すブロック図である。
プロジェクター８０は、光源部８１と、入力部８２に入力された指示に基づいて光源部８１等を制御する制御部８４と、光源部８１等に電源を供給する電源８３と、光源部８１から発せられた光に画像情報を加えて投射レンズ８６へ送る光学系８５と、外部のスクリーンへ画像を投影する当社レンズ８６と、を有する。
図２５は、光源部８１に含まれる発光装置の一例である発光装置１ａの構成を示す模式図である。発光装置１ａは、図２に示される発光装置１に超狭角レンズ１４を加えた構成を有する。超狭角レンズ１４は保持部材１２等に取り付けられ、波長変換部１１から取出される白色光に指向性を与える。
図２６は、光源部８１に含まれる発光装置の他の例である発光装置２ｂの構成を示す模式図である。発光装置２ｂは、図３に示される発光装置２に超狭角レンズ１４を加えた構成を有する。
図２７は、第３の実施の形態に係るサーチライト９０の構成を模式的に示すブロック図である。
サーチライト９０は、光源部９１と、光源部９１等に電源を供給する電源９３と、入力部９２に入力された指示に基づいて電源９３を制御する制御部９４と、を有する。
光源部９１には、例えば、図２６に示される発光装置２ｂを用いることができる。
図２８は、第３の実施の形態に係るリモート照明１００の構成を模式的に示すブロック図である。
リモート照明１００は、光源部１０１ａ、１０１ｂと、光源部１０１ａ、１０１ｂ等に電源を供給する電源１０３と、入力部１０２に入力された指示に基づいて電源１０３を制御する制御部１０４と、を有する。光源部１０１ａと光源部１０１ｂはそれぞれケーブルで接続された異なる筐体に含まれており、使用者は光源部１０１ｂが含まれる部分のみを持って対象を照らすことができる。
図２９は、ヘッドライト７１に含まれる発光装置の一例である発光装置４ａの構成を示す模式図である。発光装置４ａは、図１５に示される発光装置４にリフレクター２５を加えた構成を有する。
また、発光装置４ａにおいては、１つの波長変換部１１に対して２つのレーザー発光装置１０が用いられており、２つのレーザー発光装置１０から発せられた光はそれぞれ異なる方向から波長変換部１１に照射される。リフレクター２５は保持部材１２等に取り付けられる。
また、発光装置４ａにおいては、レーザー発光装置１０が光源部１０１ａに含まれ、波長変換部１１が光源部１０１ｂに含まれる。
（実施の形態の効果）
上記実施の形態によれば、高出力のレーザーダイオードと高温下での量子効率や温度消光特性に優れる単結晶蛍光体を用いることにより、高輝度の発光装置を提供することができる。
図３０に示される保持構造において、波長変換部１１にクラックが発生するときの照射される光の放射照度を調べた。
本実施例に係る波長変換部１１は、図３０に示されるように、上面に反射防止膜５９が形成されており、また、底面に青色の波長の光のみを透過させ、それ以外の波長の光を反射する膜状のダイクロイックフィルター５１が形成されている。また、波長変換部１１は、側面に塗布された高反射シリコーン系樹脂６５によって保持部材１２に固定される。
また、本実施例においては、波長変換部１１として平面形状の一辺の長さが０．４ｍｍである直方体のＹＡＧ系単結晶蛍光体を用い、保持部材１２の材料としてＡｌを用いた。そして、出力が０．９６Ｗ（投入電流が１Ａ）のレーザー光を波長変換部１１の反射防止膜５９側の面に２．６×１０−４ｍｍ２のスポット面積で照射した。
その結果、放射照度が３６９２Ｗ／ｍｍ２以上でクラックが発生することがわかった。このため、放射照度が３６９２Ｗ／ｍｍ２以上になる場合は、レーザー発光装置１０の出力を下げるか、波長変換部１１の表面近傍に集光される光の焦点をずらして、スポット径を大きくすることが求められる。
図５（ａ）に示される保持構造において、波長変換部１１と保持部材１２の接触面積と波長変換部１１の温度との関係、及び波長変換部１１と保持部材１２の接触面積と波長変換部１１の全光束との関係を調べた。本実施例においては、波長変換部１１として直方体のＹＡＧ系単結晶蛍光体を用いた。
図３１は、接触面積割合と波長変換部１１の温度の関係、及び接触面積割合と波長変換部１１の全光束との関係を示すグラフである。ここで、接触面積割合とは、波長変換部１１の全表面積に対する、波長変換部１１が保持部材１２に接触する面積の割合である。
図３１に示されるように、接触面積割合を３０％以下とすることにより、波長変換部１１の全光束を最大値の９０％以上とすることができる。また、接触面積割合を１０％以上とすることにより、温度を量子効率の低下が少ない２５０℃以下とすることができる。
図３２（ａ）に示される保持構造において、波長変換部１１を構成する１個のＹＡＧ系単結晶蛍光体に照射される光の放射照度と１個のＹＡＧ系単結晶蛍光体の全光束との関係を調べた。実施例３においては、１個のＹＡＧ系単結晶蛍光体として直径２０ｍｍの円板状のＹＡＧ系単結晶蛍光体を用いた。
また、図３２（ｂ）に示される保持構造において、比較例としての粉末蛍光体６７に照射される光の放射照度と粉末蛍光体６７の全光束との関係を調べた。粉末蛍光体６７は、直径２０ｍｍの円板状のサファイア板６６の表面上で焼結された粉末状のＹＡＧ系多結晶蛍光体である。
また、図３２（ｂ）に示される保持構造において、粉末蛍光体６７の代わりに波長変換部１１を構成する粒子状のＹＡＧ系単結晶蛍光体の集合体をサファイア板６６上に設置し、これに照射される光の放射照度と全光束との関係を調べた。粒子状のＹＡＧ系単結晶蛍光体の集合体は、ＹＡＧ系単結晶蛍光体のインゴットを粉砕することにより得た。
図３２（ａ）、（ｂ）に示される保持構造においては、アルミニウムからなる保持部材１２を用いた。また、これらの保持構造の波長変換部１１と粉末蛍光体６７に照射する光を発するレーザー発光装置１０として、発光波長が４４８ｎｍの青色ＬＤを有する装置を用いた。
図３３（ａ）は、これらの蛍光体に照射する光を発するレーザー発光装置１０への投入電流と全放射束との関係を示すグラフである。
図３３（ｂ）は、実施例３に係る波長変換部１１を構成する１個のＹＡＧ系単結晶蛍光体及び粒子状のＹＡＧ系単結晶蛍光体の集合体に照射される光の放射照度と全光束との関係、及び比較例に係る粉末蛍光体６７に照射される光の放射照度と全光束との関係を示すグラフである。
図３３（ｂ）に係る評価においては、レーザー発光装置１０への投入電流を２Ａ（全放射束が２．０７４Ｗ）に固定した状態で、波長変換部１１及び粉末蛍光体６７の被照射面（図３２（ａ）、（ｂ）における下側の面）上のスポット面積を変化させることにより、放射照度を変えた。例えば、放射照度が６１０４Ｗ／ｍｍ２のときのスポット面積は０．０００３４ｍｍ２であり、放射照度が８２９６Ｗ／ｍｍ２のときのスポット面積は０．０００２５ｍｍ２である。
図３３（ｂ）によれば、放射照度を増加させると、粉末蛍光体６７は放射照度がおよそ１００Ｗ／ｍｍ２に達したときに全光束の低下が始まり、粒子状のＹＡＧ系単結晶蛍光体の集合体はおよそ５００Ｗ／ｍｍ２に達したときに全光束の低下が始まる。また、１個のＹＡＧ系単結晶蛍光体は、放射照度がおよそ１００００Ｗ／ｍｍ２に達しても全光束の低下が見られない。この結果は、粒子状のＹＡＧ系単結晶蛍光体の集合体は粉末蛍光体６７よりも温度消光しにくく、１個のＹＡＧ系単結晶蛍光体はさらに温度消光しにくいことを示している。
図７に示される保持構造において、波長変換部１１に照射される光の放射照度と波長変換部１１から取り出される光の照度との関係を調べた。実施例４においては、波長変換部１１として平面形状の一辺の長さが０．４ｍｍ、厚さが０．３ｍｍである直方体のＹＡＧ系単結晶蛍光体を用いた。
実施例３の波長変換部１１に照射する光を発するレーザー発光装置１０として、発光波長が４４８ｎｍの青色ＬＤを有する装置を用いた。
図３４（ａ）は、実施例４に係るレーザー発光装置１０への投入電流と全放射束との関係を示すグラフである。
図３４（ｂ）は、実施例４に係る波長変換部１１に照射される光の放射照度と波長変換部１１から取り出される光の照度との関係を示すグラフである。
図３４（ｂ）に係る評価においては、レーザー発光装置１０への投入電流を２Ａに固定した状態で、波長変換部１１及び粉末蛍光体６７の被照射面（図３４（ｂ）における下側の面）上のスポット面積を変化させることにより、放射照度を変えた。例えば、放射照度が４０．３２Ｗ／ｍｍ２のときのスポット面積は０．０３４ｍｍ２であり、色度座標ｘ、ｙは０．３４７１、０．４１５８である。
図３４（ｂ）に示される波長変換部１１から取り出される光の照度は、バンドパスフィルター５２が無い場合と比較して、２０〜３０％高い。
実施例５では、レーザー発光装置１０から発せられた光の波長変換部１１の被照射面におけるスポット面積と、波長変換部１１から取り出される光の色むらの関係をシミュレートした。
このシミュレーションにおいては、波長変換部１１に光を照射するＬＤの出力、発光波長をそれぞれ２．２７Ｗ、４５０ｎｍとして、波長変換部１１を厚さ０．３ｍｍのＹＡＧ系単結晶蛍光体とした。そして、波長変換部１１から２９．６ｍｍ離れたところに設定された一辺の長さが２００ｍｍの正方形の受光面における光の色分布をシミュレートした。
図３５（ａ）、（ｂ）は、それぞれ波長変換部１１の被照射面のスポット面積が０．０４８ｍｍ２、０．０６０ｍｍ２である場合の上記の受光面における光の色分布を示す。図３５（ａ）の受光面には青色光の抜けが見られ、色むらが生じている。一方、図３５（ｂ）の受光面には青色光の抜けが見られず、色むらが生じていない。
実施例５のシミュレーションの結果、波長変換部１１の被照射面のスポット面積を０．０６０ｍｍ２以上にすることにより、色のむらが抑えられた。このことから、光の焦点をずらしてスポット面積を大きくすることにより発光色のむらを抑制できることが確認された。なお、色むらを抑えるためのスポット面積の閾値は、波長変換部１１のサイズやＬＤの出力等により異なる。
以上、本発明の実施の形態及び実施例を説明したが、本発明は、上記実施の形態及び実施例に限定されず、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。また、発明の主旨を逸脱しない範囲内において上記実施の形態及び実施例の構成要素を任意に組み合わせることができる。
また、上記に記載した実施の形態及び実施例は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態及び実施例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
１、１ａ、２、２ａ、２ｂ、３、３ａ、４、４ａ…発光装置、 １０…レーザー発光装置、 １１…波長変換部、 １３ａ、１３ｂ…レンズ、 ２１…光ファイバー

Claims (7)

  1. 青色光を発するレーザーダイオードと、
    前記レーザーダイオードの発する光の一部を吸収して波長を変換する波長変換部と、
    を有し、
    前記波長変換部は、ＹＡＧ系の単結晶蛍光体を含み、
    前記レーザーダイオードから発せられて前記波長変換部に照射される光の放射照度が８０Ｗ／ｍｍ２以上である、
    発光装置。
  2. 前記レーザーダイオードから発せられた光を集光するレンズを有し、
    前記レンズにより集光された光が前記波長変換部に照射される、
    請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記レーザーダイオードから発せられた光を伝送する光導波路を有し、
    前記光導波路により伝送された光が前記波長変換部に照射される、
    請求項１に記載の発光装置。
  4. 前記波長変換部が、１個の前記単結晶蛍光体からなる、
    請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。
  5. 前記波長変換部が、バインダーにより互いに接着された複数の粒子状の前記単結晶蛍光体からなる、
    請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。
  6. 前記単結晶蛍光体が、組成式（Ｙ１−ａ−ｂＬｕａＣｅｂ）３＋ｃＡｌ５−ｃＯ１２（０≦ａ≦０．９９９４、０．０００２≦ｂ≦０．００６７、−０．０１６≦ｃ≦０．３１５）で表される組成を有する、
    請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置。
  7. 前記波長変換部が、窒化アルミニウム、アルミナ、ＳｉＮ、Ｃｕ、又はＡｌからなる、前記波長変換部から発せられる熱を放熱する放熱部材により保持された、
    請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光装置。
JP2015257520A 2015-12-28 2015-12-28 発光装置 Pending JP2017120864A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015257520A JP2017120864A (ja) 2015-12-28 2015-12-28 発光装置
EP16881753.4A EP3399604A4 (en) 2015-12-28 2016-12-27 LIGHT EMITTING DEVICE
US16/066,369 US10975497B2 (en) 2015-12-28 2016-12-27 Light emitting device
PCT/JP2016/088838 WO2017115778A1 (ja) 2015-12-28 2016-12-27 発光装置
CN201680076965.6A CN108475897A (zh) 2015-12-28 2016-12-27 发光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015257520A JP2017120864A (ja) 2015-12-28 2015-12-28 発光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2017120864A true JP2017120864A (ja) 2017-07-06

Family

ID=59224742

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015257520A Pending JP2017120864A (ja) 2015-12-28 2015-12-28 発光装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10975497B2 (ja)
EP (1) EP3399604A4 (ja)
JP (1) JP2017120864A (ja)
CN (1) CN108475897A (ja)
WO (1) WO2017115778A1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018190594A (ja) * 2017-05-02 2018-11-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光学機器
JP2020077555A (ja) * 2018-11-09 2020-05-21 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 照明装置
JP2021028704A (ja) * 2019-08-09 2021-02-25 株式会社タムラ製作所 波長変換部材
JP2021038126A (ja) * 2019-09-05 2021-03-11 アダマンド並木精密宝石株式会社 セラミック複合体の製造方法
WO2021090517A1 (ja) * 2019-11-06 2021-05-14 株式会社球体研究所 発光装置及び発光装置の製造方法
CN113966024A (zh) * 2021-12-21 2022-01-21 广州光联电子科技有限公司 一种激光调节方法、装置和激光***
JP2022545365A (ja) * 2019-08-14 2022-10-27 エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー オプトエレクトロニクス素子

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6871665B2 (ja) * 2016-02-02 2021-05-12 株式会社タムラ製作所 蛍光体含有部材及びその製造方法、及び発光装置又はプロジェクター
DE102017215060A1 (de) * 2017-08-29 2019-02-28 Osram Gmbh Bestrahlungseinheit zur emission von strahlung
KR101977261B1 (ko) 2017-11-03 2019-05-13 엘지전자 주식회사 형광체 모듈
KR101984102B1 (ko) * 2017-11-03 2019-05-30 엘지전자 주식회사 형광체 모듈
DE102018203694B4 (de) * 2018-03-12 2021-12-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Bestrahlungseinheit mit Pumpstrahlungsquelle und Konversionselement
JP7178074B2 (ja) * 2018-03-20 2022-11-25 国立研究開発法人物質・材料研究機構 波長変換部材及び波長変換素子、並びに波長変換部材の製造方法
US11231569B2 (en) * 2018-06-13 2022-01-25 Panasonic Corporation Light-emitting device and illumination device
JP7111989B2 (ja) 2019-04-22 2022-08-03 日亜化学工業株式会社 波長変換部品、波長変換部品の製造方法、及び、発光装置
US20220299184A1 (en) * 2019-05-22 2022-09-22 Magna Closures Inc. High efficiency vehicle headlamps
EP4048942B1 (en) 2019-10-22 2023-07-26 Signify Holding B.V. Improved heat management and efficiency for high intensity laser pumped light source
US11976799B2 (en) 2020-01-17 2024-05-07 Magna Closures Inc. Anti-glare vehicle headlights
CN111993991B (zh) * 2020-08-04 2021-11-26 河南科技大学 一种汽车的夜间行车转弯自动照明装置及控制方法
WO2022071296A1 (ja) * 2020-09-29 2022-04-07 京セラ株式会社 レーザシステム

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010147183A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2010165834A (ja) * 2009-01-15 2010-07-29 Nichia Corp 発光装置
WO2012128384A1 (ja) * 2011-03-24 2012-09-27 シャープ株式会社 発光装置、照明装置および前照灯
JP2014022472A (ja) * 2012-07-13 2014-02-03 Sharp Corp 発光装置、照明装置および発光方法
JP5620562B1 (ja) * 2013-10-23 2014-11-05 株式会社光波 単結晶蛍光体及び発光装置
WO2014203479A1 (ja) * 2013-06-21 2014-12-24 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光源、及び光源を具備する車両用ヘッドランプ
JP2015029034A (ja) * 2013-07-03 2015-02-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2015081314A (ja) * 2013-10-23 2015-04-27 株式会社光波 単結晶蛍光体及び発光装置
JP2015149394A (ja) * 2014-02-06 2015-08-20 スタンレー電気株式会社 波長変換体及びそれを用いた発光装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3540794B1 (en) 2006-03-10 2022-03-30 Nichia Corporation Light-emitting device
WO2010049875A1 (en) 2008-10-30 2010-05-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Laser lighting device
JP5329511B2 (ja) 2010-10-29 2013-10-30 シャープ株式会社 照明装置及び車両用前照灯
EP3168531B1 (en) 2013-06-21 2019-03-20 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Wavelength conversion member, light source and vehicle head lamp
EP3032594A4 (en) 2013-08-09 2017-01-25 Koha Co., Ltd. Light emitting device
JP5749845B2 (ja) * 2014-09-18 2015-07-15 株式会社光波 蛍光体含有部材及び発光装置
US10938182B2 (en) * 2015-08-19 2021-03-02 Soraa Laser Diode, Inc. Specialized integrated light source using a laser diode

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010147183A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2010165834A (ja) * 2009-01-15 2010-07-29 Nichia Corp 発光装置
WO2012128384A1 (ja) * 2011-03-24 2012-09-27 シャープ株式会社 発光装置、照明装置および前照灯
JP2014022472A (ja) * 2012-07-13 2014-02-03 Sharp Corp 発光装置、照明装置および発光方法
WO2014203479A1 (ja) * 2013-06-21 2014-12-24 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光源、及び光源を具備する車両用ヘッドランプ
JP2015029034A (ja) * 2013-07-03 2015-02-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5620562B1 (ja) * 2013-10-23 2014-11-05 株式会社光波 単結晶蛍光体及び発光装置
JP2015081314A (ja) * 2013-10-23 2015-04-27 株式会社光波 単結晶蛍光体及び発光装置
JP2015149394A (ja) * 2014-02-06 2015-08-20 スタンレー電気株式会社 波長変換体及びそれを用いた発光装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018190594A (ja) * 2017-05-02 2018-11-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光学機器
JP2020077555A (ja) * 2018-11-09 2020-05-21 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 照明装置
JP7117488B2 (ja) 2018-11-09 2022-08-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 照明装置
JP2021028704A (ja) * 2019-08-09 2021-02-25 株式会社タムラ製作所 波長変換部材
JP7157898B2 (ja) 2019-08-09 2022-10-21 株式会社タムラ製作所 波長変換部材
JP2022545365A (ja) * 2019-08-14 2022-10-27 エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー オプトエレクトロニクス素子
JP7331244B2 (ja) 2019-08-14 2023-08-22 エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー オプトエレクトロニクス素子
JP2021038126A (ja) * 2019-09-05 2021-03-11 アダマンド並木精密宝石株式会社 セラミック複合体の製造方法
JP7350298B2 (ja) 2019-09-05 2023-09-26 Ｏｒｂｒａｙ株式会社 セラミック複合体の製造方法
WO2021090517A1 (ja) * 2019-11-06 2021-05-14 株式会社球体研究所 発光装置及び発光装置の製造方法
CN113966024A (zh) * 2021-12-21 2022-01-21 广州光联电子科技有限公司 一种激光调节方法、装置和激光***
CN113966024B (zh) * 2021-12-21 2022-03-18 广州光联电子科技有限公司 一种激光调节方法、装置和激光***

Also Published As

Publication number Publication date
CN108475897A (zh) 2018-08-31
EP3399604A4 (en) 2019-08-28
US10975497B2 (en) 2021-04-13
EP3399604A1 (en) 2018-11-07
US20200200347A1 (en) 2020-06-25
WO2017115778A1 (ja) 2017-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2017115778A1 (ja) 発光装置
US10865955B1 (en) Wavelength conversion element and light emitting device
US8872208B2 (en) Light source device and lighting device
JP6489829B2 (ja) 蛍光光源装置
JP6538178B2 (ja) 発光装置
WO2012124587A1 (ja) 波長変換部材およびその製造方法、ならびに、発光装置、照明装置および前照灯
KR20140053837A (ko) 원거리 광발광 반사 변환기를 구비하는 led 백색광원
JP2010157637A (ja) 波長変換焼結体及びこれを用いた発光装置、並びに波長変換焼結体の製造方法
JP2007201392A (ja) 発光素子搭載用基体ならびにこれを用いた発光装置
JP6482993B2 (ja) 照明装置
TW201507206A (zh) 具單晶磷光體之白色發光二極體及其製造方法
US10578957B2 (en) Fluorescent substrate, light source device, and projection display unit
JP2018517249A (ja) 高輝度光を作り出す光学デバイス
JPWO2017077739A1 (ja) 発光体、発光装置、照明装置、および発光体の製造方法
CN108603113B (zh) 荧光体及其制造方法、含荧光体构件以及发光装置或投影仪
JP6788147B1 (ja) Ｃｐｃ、光ガイド、及び追加的蛍光体を有するルミネッセンス集光器
JPWO2017043122A1 (ja) 波長変換部材および発光装置
JP2012079989A (ja) 光源装置および照明装置
WO2016076144A1 (ja) 蛍光光源装置
JP7028863B2 (ja) 波長変換素子、発光装置及び照明装置
JP6591951B2 (ja) 光波長変換部材及び発光装置
JPWO2020162357A1 (ja) 波長変換素子、光源装置、車両用前照灯具、透過型照明装置、表示装置及び照明装置
WO2020100479A1 (ja) 蛍光体粒子、波長変換部材、発光装置及び蛍光体粒子の製造方法
JP6866537B2 (ja) 高ルーメン密度ランプの片面照明

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20180327

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181212

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190521

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20190718

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190917

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20190917

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191023

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20191220

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20200519