JP2017092081A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高耐圧なショットキーバリアダイオードを大型にすることなく、耐圧のバラツキを少なくする。
【解決手段】半導体基板１０と、半導体基板１０の一方の面に形成された半導体層２０と、半導体層２０の上に形成された開口部３０ａを有する絶縁膜３０と、開口部３０ａにおいて露出している半導体層２０の上、開口部３０ａの側壁及び開口部３０ａの周囲の絶縁膜３０の上に形成された一方の電極４１（ショットキー電極）と、半導体基板１０の他方の面に形成された他方の電極５０（カソード電極）と、を有する。開口部３０ａの側壁は、半導体層２０との界面から絶縁膜３０の表面に向かって順に形成された表面が凹曲面の下部凹曲面部３１と上部傾斜部３２とにより形成される。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関するものである。

窒化ガリウム（ＧａＮ）は、バンドギャップが３．４ｅＶであり、Ｓｉのバンドギャップ（１．１ｅＶ）及びＧａＡｓのバンドギャップ（１．４ｅＶ）よりも広く、高い破壊電界強度を有している。更に、ＧａＮは大きい飽和電子速度を有する材料であることから、耐圧が数百Ｖ以上の高電圧動作かつ高出力が得られる電源用半導体装置を形成するための材料として極めて有望である。このため、ＧａＮを用いた半導体装置は、高効率スイッチング素子、電気鉄道、電気自動車用、電力系統装置等の高耐圧電力デバイスとして期待されている。

このような高耐圧電力デバイスとして、例えば、高耐圧のショットキーバリアダイオードでは構造の異なる横型デバイスと縦型デバイスとがある。このうち、横型デバイスは、高耐圧にするためには、ゲート電極とドレイン電極との間の距離Ｌ_ｇｄを長くする必要があり、距離Ｌ_ｇｄを長くすると、デバイスの占める面積が大きくなるため、高耐圧のパワーデバイスを高集積化し、小型にすることが困難となる。このため、電流が基板面に対し略垂直となる縦方向に流れ、高耐圧にしてもデバイスの占める面積が大きくならない縦型デバイスが注目を集めている。

特開２００９−７６８６６号公報 特開２０１０−５６１００号公報 特表２０１４−５１１０３２号公報

YuSaitoh, Kazuhide Sumiyoshi, Masaya Okada, Taku Horii, Tomihito Miyazaki, HiromuShiomi,Masaki Ueno, Koji Katayama, Makoto Kiyama, and Takao Nakamura AppliedPhysics Express, VOL. 3(2010) p081001

図１は、縦型デバイスであって、特許文献１及び２等に開示されているフィールドプレート構造のショットキーバリアダイオード（Schottky Barrier Diode：ＳＢＤ）の断面を示す。図１に示されるように、このショットキーバリアダイオードは、Ｎ^＋−ＧａＮ基板９１０の表面に、Ｎ⁻−ＧａＮ層９２０が形成されており、Ｎ⁻−ＧａＮ層９２０の上には、開口部９３０ａを有する絶縁膜９３０が形成されている。絶縁膜９３０の開口部９３０ａにおけるＮ⁻−ＧａＮ層９２０の上、開口部９３０ａの側壁及び絶縁膜９３０の上には、アノード電極９４０が形成されており、Ｎ^＋−ＧａＮ基板９１０の裏面にはカソード電極９５０が形成されている。アノード電極９４０は、Ｎ⁻−ＧａＮ層９２０の上に形成されているショットキー電極９４１と、絶縁膜９３０の上に形成されているフィールドプレート電極９４２とにより形成されており、これらが一体となって形成されている。

図１に示されるフィールドプレート構造のショットキーバリアダイオードでは、絶縁膜９３０の開口部９３０ａの側壁は傾斜部９３１が形成されており、傾斜部９３１のテーパー角度θ_ａを小さくすることにより、電界緩和の効果が大きくなり、耐圧が向上する。尚、テーパー角度θ_ａとは、Ｎ⁻−ＧａＮ層９２０の表面に対する絶縁膜９３０の開口部９３０ａの側壁となる傾斜部９３１の面の傾斜角度である。絶縁膜９３０は、フィールドプレート電極９４２を形成するためのものであるため、所定の膜厚で形成されている。

ところで、絶縁膜９３０の開口部９３０ａは、Ｎ⁻−ＧａＮ層９２０の上に絶縁膜９３０を成膜した後、絶縁膜９３０の一部をＮ⁻−ＧａＮ層９２０の表面が露出するまでエッチング等により除去することにより形成される。しかしながら、このエッチング工程においては、エッチング条件等によりテーパー角度θ_ａにバラツキが生じる場合がある。このように、絶縁膜９３０の開口部９３０ａの側壁の傾斜部９３１におけるテーパー角度θ_ａにバラツキが生じると、ショットキーバリアダイオードにおける耐圧にもバラツキが生じ、歩留まりの低下を招き好ましくない。

よって、デバイスを大型にすることなく、高耐圧で、耐圧が均一なショットキーバリアダイオードが求められている。

本実施の形態の一観点によれば、半導体基板と、前記半導体基板の一方の面に形成された半導体層と、前記半導体層の上に形成された開口部を有する絶縁膜と、前記開口部において露出している半導体層の上、前記開口部の側壁及び前記開口部の周囲の絶縁膜の上に形成された一方の電極と、前記半導体基板の他方の面に形成された他方の電極と、を有し、前記開口部の側壁は、前記半導体層との界面から絶縁膜の表面に向かって順に形成された表面が凹曲面の下部凹曲面部と上部傾斜部とにより形成されていることを特徴とする。

開示の半導体装置によれば、ショットキーバリアダイオードを大型にすることなく、高耐圧で、耐圧のバラツキを少なくすることができる。

縦型のショットキーバリアダイオードの断面図 本実施の形態におけるショットキーバリアダイオードの断面図 図１に示されるショットキーバリアダイオードのシミュレーションのモデル図 本実施の形態におけるショットキーバリアダイオードのシミュレーションのモデル図 図１に示されるショットキーバリアダイオードの絶縁膜９３０の説明図（１） 図１に示されるショットキーバリアダイオードの絶縁膜９３０の説明図（２） アノード電圧（逆電圧）とアノード電流（逆電流）との相関図（１） アノード電圧（逆電圧）とアノード電流（逆電流）との相関図（２） 本実施の形態におけるショットキーバリアダイオードの絶縁膜３０の説明図 アノード電圧（逆電圧）とアノード電流（逆電流）との相関図（３） 本実施の形態におけるショットキーバリアダイオードの製造方法の工程図（１） 本実施の形態におけるショットキーバリアダイオードの製造方法の工程図（２） 本実施の形態におけるショットキーバリアダイオードの製造方法の工程図（３）

実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。

（半導体装置）
本実施の形態における半導体装置について説明する。本実施の形態における半導体装置は、フィールドプレート構造のショットキーバリアダイオードである。具体的には、図２に示されるように、Ｎ^＋型半導体基板１０の表面に、Ｎ⁻型半導体層２０が形成されており、Ｎ⁻型半導体層２０の上には、開口部３０ａを有する絶縁膜３０が形成されている。絶縁膜３０の開口部３０ａにおけるＮ⁻型半導体層２０の上、開口部３０ａの側壁及び絶縁膜３０の上には、アノード電極４０が形成されており、Ｎ^＋型半導体基板１０の裏面にはカソード電極５０が形成されている。アノード電極４０は、Ｎ⁻型半導体層２０の上に形成されているショットキー電極４１と、絶縁膜３０の上に形成されているフィールドプレート電極４２とにより形成されており、これらが一体となって形成されている。開口部３０ａは上から見た形状が円形に形成されているものが耐圧等の観点から好ましいが、正方形等の形状で形成されていてもよい。

本実施の形態においては、Ｎ^＋型半導体基板１０は、厚さが約４１５μｍのＮ^＋−ＧａＮにより形成されており、Ｎ型となる不純物元素としてＳｉが約２×１０^１８ｃｍ^−３の濃度でドープされている。また、Ｎ⁻型半導体層２０は、膜厚が約１６μｍのＮ⁻−ＧａＮにより形成されており、Ｎ型となる不純物元素としてＳｉが約１×１０^１６ｃｍ^−３の濃度でドープされている。絶縁膜３０は、膜厚が約４００ｎｍのＳｉＮにより形成されている。

本実施の形態においては、絶縁膜３０の開口部３０ａの側壁は、Ｎ⁻型半導体層２０の上に形成されている下部凹曲面部３１と、下部凹曲面部３１の上の端から絶縁膜３０の表面に至るまでの上部傾斜部３２とにより形成されている。下部凹曲面部３１は、Ｎ⁻型半導体層２０の上から約２００ｎｍまでの領域に形成されており、上部傾斜部３２は、下部凹曲面部３１が形成されている領域よりも上の約２００ｎｍから約４００ｎｍまでの領域に形成されている。従って、下部凹曲面部３１が形成される領域は、Ｎ⁻型半導体層２０の上の厚さｔ_１が約２００ｎｍの領域であり、上部傾斜部３２が形成される領域は、下部凹曲面部３１が形成される領域よりも上の厚さｔ_２が約２００ｎｍの領域である。本実施の形態においては、厚さｔ_１と厚さｔ_２が略同じであるか、厚さｔ_１が厚さｔ_２より厚くてもよく、また、薄くてもよい
本実施の形態においては、下部凹曲面部３１は、断面の形状が凹んだ曲線となるように形成されており、上部傾斜部３２は、断面が直線となるように形成されている。よって、下部凹曲面部３１の表面は、凹んだ凹曲面となっている。尚、下部凹曲面部３１が形成される部分は、凹曲面に代えて、凸曲面が形成された下部凸曲面部であってもよい。このように、下部凹曲面部３１を形成することにより高耐圧であっても、後述するように、耐圧のバラツキを抑制することができ、耐圧が均一なショットキーバリアダイオードを得ることができる。

尚、本実施の形態においては、Ｎ⁻型半導体層２０の表面に対する上部傾斜部３２の面の角度をテーパー角度θとする。また、Ｎ⁻型半導体層２０の表面に平行な方向における下部凹曲面部３１の幅、即ち、Ｎ⁻型半導体層２０の表面に平行な方向における下部凹曲面部３１と上部傾斜部３２との境界から下部凹曲面部３１の端までの幅を下部凹曲面部３１の幅Ｌ_１とする。また、Ｎ⁻型半導体層２０の表面に平行な方向における上部傾斜部３２の幅、即ち、Ｎ⁻型半導体層２０の表面に平行な方向における上部傾斜部３２の端から下部凹曲面部３１と上部傾斜部３２との境界までの幅を下部凹曲面部３１の幅Ｌ_２とする。

（シミュレーション結果）
次に、ショットキーバリアダイオードにおいて、絶縁膜の開口部の側面の形状を変化させた場合における逆電圧と逆電流との関係についてシミュレーションを行った結果について説明する。尚、ショットキーバリアダイオードの耐圧は、アノード電圧（逆電圧）を印加した際に、アノード電流（逆電流）が急激に高くなった電圧を耐圧としている。

図３は、図１に示される構造のショットキーバリアダイオードのシミュレーションのモデルの一部であり、図１に示される構造のショットキーバリアダイオードのＮ⁻−ＧａＮ層９２０及び絶縁膜９３０の要部を拡大した図である。絶縁膜９３０はＮ⁻−ＧａＮ層９２０の上に形成されており、開口部９３０ａを有している。絶縁膜９３０は、開口部９３０ａの周囲に形成された傾斜部９３１と、傾斜部９３１の周囲に形成された平坦部９３２とにより形成されている。絶縁膜９３０の平坦部９３２における厚さｔ_ａは４００ｎｍであり、傾斜部９３１は、テーパー角度θ_ａが、例えば、３０°となるように形成されている。

図４は、図２に示される本実施の形態における半導体装置であるショットキーバリアダイオードのシミュレーションのモデルの一部であり、図２に示されるショットキーバリアダイオードにおけるＮ⁻型半導体層２０及び絶縁膜３０の構造の要部を拡大した図である。絶縁膜３０はＮ⁻型半導体層２０の上に形成されており、開口部３０ａを有している。絶縁膜３０は、開口部３０ａの周囲に形成された下部凹曲面部３１と、下部凹曲面部３１の周囲に形成された上部傾斜部３２と、上部傾斜部３２の周囲に形成された平坦部３３とにより形成されている。絶縁膜３０の平坦部３３における厚さｔは４００ｎｍであり、下部凹曲面部３１における厚さｔ_１が２００ｎｍ、上部傾斜部３２における厚さｔ_２が２００ｎｍとなるように形成されている。上部傾斜部３２は、テーパー角度θが、例えば、３０°となるように形成されており、下部凹曲面部３１は、例えば、断面の形状が曲率半径２００ｎｍの円の一部となるような形状で形成されている。

次に、図１に示す構造のショットキーバリアダイオードと、図２に示す本実施の形態におけるショットキーバリアダイオードにおける耐圧のバラツキについて、シミュレーションの結果に基づき説明する。

図１に示す構造のショットキーバリアダイオードにおいて、絶縁膜９３０に開口部９３０ａを形成する際には、Ｎ⁻−ＧａＮ層９２０の上に絶縁膜９３０を成膜した後、開口部９３０ａとなる領域の絶縁膜をエッチングにより除去することにより形成する。この際、絶縁膜９３０の傾斜部９３１におけるテーパー角度θ_ａが、例えば、３０°となるように形成しようとしても、上述したように、エッチング条件等により、テーパー角度θ_ａが、３０°よりも大きくなったり、小さくなったりする。

図５及び図６は、図１に示されるショットキーバリアダイオードにおいて、傾斜部９３１のテーパー角度θ_ａが変化した場合における絶縁膜９３０の開口部９３０ａの側壁の様子を示す。尚、絶縁膜９３０における平坦部９３２の厚さｔ_ａは４００ｎｍである。

図５は、傾斜部９３１のテーパー角度θ_ａが３０°を基準として小さくなる場合を示す。具体的には、図５（ａ）はテーパー角度θ_ａが３０°の場合、図５（ｂ）はテーパー角度θ_ａが２８．１°の場合、図５（ｃ）はテーパー角度θ_ａが２６．２°の場合を示す。従って、Ｎ⁻−ＧａＮ層９２０の表面と平行な方向における傾斜部９３１の幅Ｌ_ａは、図５（ａ）に示す場合が約６９３ｎｍであり、これを基準とすると、図５（ｂ）に示す場合は約７４９ｎｍであり、図５（ａ）に示す場合に比べて約５６ｎｍ長くなる。また、図５（ｃ）に示す場合は約８１３ｎｍであり、図５（ａ）に示す場合に比べて約１００ｎｍ長くなる。

図６は、傾斜部９３１のテーパー角度θ_ａが３０°を基準として大きくなる場合を示す。具体的には、図６（ａ）はテーパー角度θ_ａが３０°の場合、図６（ｂ）はテーパー角度θ_ａが３３°の場合、図６（ｃ）はテーパー角度θ_ａが３６°の場合を示す。従って、Ｎ⁻−ＧａＮ層９２０の表面と平行な方向における傾斜部９３１の幅Ｌ_ａは、図６（ａ）に示す場合が約６９３ｎｍであり、これを基準とすると、図６（ｂ）に示す場合が約６１６ｎｍであり、図６（ａ）に示す場合に比べて約７７ｎｍ短くなる。また、図６（ｃ）に示す場合は約５５１ｎｍであり、図６（ａ）に示す場合に比べて約１４４ｎｍ短くなる。

図７は、図１に示されるショットキーバリアダイオードにおいて、傾斜部９３１のテーパー角度θ_ａが小さくなった場合におけるアノード電圧（逆電圧）とアノード電流（逆電流）との関係を示す。図７より、耐圧は、図５（ａ）に示すテーパー角度θ_ａが３０°では約−９３０Ｖであり、図５（ｂ）に示すテーパー角度θ_ａが２８．１°では約−９８０Ｖであり、図５（ｃ）に示すテーパー角度θ_ａが２６．２°では約−１０１０Ｖである。従って、テーパー角度θ_ａが３０°から２６．２°の範囲、即ち、傾斜部９３１の幅Ｌ_ａがテーパー角度θ_ａが３０°を基準した場合よりも約１００ｎｍまで長くなった範囲で、耐圧は約８０Ｖの範囲でバラツキが生じる。

このように、図１に示されるショットキーバリアダイオードにおいて耐圧に大きなバラツキが生じることは、図６に示されるように、傾斜部９３１のテーパー角度θ_ａが大きくなる場合においても同様である。図８には、図１に示されるショットキーバリアダイオードにおいて、傾斜部９３１のテーパー角度θ_ａが大きくなった場合におけるアノード電圧（逆電圧）とアノード電流（逆電流）との関係を示す。図８より、耐圧は、図６（ａ）に示すテーパー角度θ_ａが３０°では約−９３０Ｖであり、図６（ｂ）に示すテーパー角度θ_ａが３３°では約−８９０Ｖであり、図６（ｃ）に示すテーパー角度θ_ａが３６°では約−８４０Ｖである。従って、テーパー角度θ_ａが３０°から３６°の範囲において、耐圧は約９０Ｖの範囲でバラツキが生じる。

図２に示される本実施の形態におけるショットキーバリアダイオードにおいても、絶縁膜３０に開口部３０ａを形成する際にバラツキが生じる。本実施の形態におけるショットキーバリアダイオードにおいては、絶縁膜３０に開口部３０ａを形成する際のエッチングにより、Ｎ⁻型半導体層２０と平行な方向における下部凹曲面部３１の幅Ｌ_１にバラツキが生じるものと考える。図９は、図２に示される本実施の形態におけるショットキーバリアダイオードにおいて、下部凹曲面部３１の形状が変化した場合における絶縁膜３０の開口部３０ａの側壁の様子を示す。

尚、絶縁膜３０における平坦部３３の厚さｔは４００ｎｍである。絶縁膜３０の開口部３０ａの側面の下部凹曲面部３１は、Ｎ⁻型半導体層２０の上に、厚さｔ_１が２００ｎｍ形成されており、上部傾斜部３２は、下部凹曲面部３１の上に、厚さｔ_２が２００ｎｍとなるように形成されている。

図９には、Ｎ⁻型半導体層２０と平行な方向における下部凹曲面部３１の幅Ｌ_１が長くなる場合を示しており、図５における傾斜部９３１のテーパー角度θ_ａが小さくなる場合に対応している。具体的には、図９（ａ）は、下部凹曲面部３１の幅Ｌ_１が２００ｎｍの場合であり、これを基準としている。従って、図９（ｂ）は、下部凹曲面部３１の幅Ｌ_１が２６０ｎｍの場合であり、図９（ａ）に示す場合と比べて約６０ｎｍ長くなる。また、図９（ｃ）は、下部凹曲面部３１の幅Ｌ_１が３００ｎｍの場合であり、図９（ａ）に示す場合と比べて約１００ｎｍ長くなる。尚、Ｎ⁻型半導体層２０と平行な方向における上部傾斜部３２の幅Ｌ_２は、３５０ｎｍであり、上部傾斜部３２のテーパー角度θは約３０°としている。

図１０は、図２に示される本実施の形態におけるショットキーバリアダイオードにおいて、シミュレーションにより得られた下部凹曲面部３１の幅Ｌ_１が長くなった場合におけるアノード電圧（逆電圧）とアノード電流（逆電流）との関係を示す。図１０より、図９（ａ）に示す下部凹曲面部３１の幅Ｌ_１が２００ｎｍの場合では約−１０９０Ｖである。図９（ｂ）に示す下部凹曲面部３１の幅Ｌ_１が２６０ｎｍの場合では約−１０９０Ｖである。図９（ｃ）に示す下部凹曲面部３１の幅Ｌ_１が３００ｎｍの場合では約−１１２０Ｖである。よって、下部凹曲面部３１の幅Ｌ_１が２００ｎｍから３００ｎｍまでの１００ｎｍの範囲における耐圧のバラツキは約３０Ｖであり、図５に示される場合と比べて、耐圧のバラツキを約３８％以下に低減することができる。即ち、図５に示される場合の傾斜部９３１の長さが１００ｎｍ長くなった場合と比較して、本実施の形態においては、下部凹曲面部３１の幅Ｌ_１が約１００ｎｍ長くなった場合における耐圧のバラツキを約３８％以下に低減することができる。

（半導体装置の製造方法）
次に、本実施の形態における半導体装置の製造方法について図１１から図１３に基づき説明する。

最初に、図１１（ａ）に示すように、Ｎ^＋−ＧａＮにより形成されているＮ^＋型半導体基板１０の表面に、Ｎ⁻型半導体層２０となるＮ⁻−ＧａＮをエピタキシャル成長により形成する。Ｎ^＋型半導体基板１０は厚さが４１５μｍであり、Ｎ⁻型半導体層２０はＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）により、膜厚が１６μｍのＮ⁻−ＧａＮを成長させることにより形成する。ＭＯＣＶＤによりＮ⁻型半導体層２０を形成する際には、Ｇａの原料ガスにはＴＭＧ（トリメチルガリウム）、Ｎの原料ガスにはＮＨ_３（アンモニア）、ドープされるＳｉの原料ガスにはＳｉＨ_４（モノシラン）が用いられる。

次に、図１１（ｂ）に示すように、Ｎ^＋型半導体基板１０の裏面に、カソード電極５０を形成する。カソード電極５０は、Ｔｉ／Ａｌの金属積層膜を真空蒸着により成膜することにより形成し、Ｔｉ／Ａｌの金属積層膜を成膜した後は、アニールすることによりオーミックコンタクトさせる。

次に、図１１（ｃ）に示すように、Ｎ⁻型半導体層２０の上に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により膜厚が４００ｎｍのＳｉＮを成膜することにより絶縁膜３０を形成する。

次に、図１２（ａ）に示すように、絶縁膜３０において開口部３０ａが形成される領域に開口部６０ａを有するレジストパターン６０を形成する。具体的には、絶縁膜３０の上に、フォトレジストを塗布し、露光装置による露光、現像を行うことにより、絶縁膜３０において開口部３０ａが形成される領域に開口部６０ａを有するレジストパターン６０を形成する。

次に、図１２（ｂ）に示すように、レジストパターン６０が形成されていない領域の絶縁膜３０を深さが約２００ｎｍまでＲＩＥ等によるエッチングにより除去する。この際行われるエッチングは、絶縁膜３０及びＮ⁻型半導体層２０の表面に対し、エッチングにより形成される上部傾斜部３２のテーパー角度θが約３０°となるような条件で行う。これにより、厚さｔ_２が２００ｎｍの上部傾斜部３２を形成する。

次に、図１２（ｃ）に示すように、レジストパターン６０が形成されていない領域において、Ｎ⁻型半導体層２０の表面が露出するまで、残りの厚さが約２００ｎｍの絶縁膜３０をウェットエッチングにより除去する。ウェットエッチングでは、等方的にエッチングが行われるため、上部傾斜部３２より下において、絶縁膜３０は凹状に除去され凹曲面が形成される。これにより、開口部３０ａの側壁に厚さｔ_１が２００ｎｍの凹曲面を有する下部凹曲面部３１が形成される。これにより、絶縁膜３０には、側壁が下部凹曲面部３１と上部傾斜部３２により形成された開口部３０ａが形成される。

次に、図１３（ａ）に示すように、有機溶剤等によりレジストパターン６０を除去する。

次に、図１３（ｂ）に示すように、開口部３０ａ及び開口部３０ａの周囲の絶縁膜３０の上にアノード電極４０を形成する。具体的には、開口部３０ａが形成されている絶縁膜３０の上にフォトレジストを塗布し、露光装置により露光、現像を行うことにより、アノード電極４０が形成される領域に開口部を有する不図示のレジストパターンを形成する。この後、真空蒸着によりＮｉ／Ａｕの金属積層膜を成膜し、有機溶剤等に浸漬させて、レジストパターンの上の金属積層膜をレジストパターンとともにリフトオフにより除去することにより、残存する金属積層膜によりアノード電極４０を形成する。このようにして、Ｎ⁻型半導体層２０の上に形成されるショットキー電極４１と、絶縁膜３０の上に形成されているフィールドプレート電極４２とを有するアノード電極４０が形成され、本実施の形態におけるショットキーバリアダイオードが作製される。

上記においては、Ｎ^＋型半導体基板１０がＮ^＋−ＧａＮ、Ｎ⁻型半導体層２０がＮ⁻−ＧａＮにより形成されている場合について説明したが、Ｎ^＋型半導体基板１０がＮ^＋−ＳｉＣ、Ｎ⁻型半導体層２０がＮ⁻−ＳｉＣにより形成されているものであってもよい。また、絶縁膜３０としては、ＳｉＮ以外にも、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、ＨｆＯ_２等を用いてもよい。

本実施の形態における半導体装置であるショットキーバリアダイオードは、電力用デバイスとして用いることができる。例えば、パワースイッチングによる電力変換、即ち、交流−交流、交流−直流、直流−交流、直流−直流の変換を行う装置に用いることができる。また、現在は、情報通信機器、省エネ家電製品、照明、電気鉄道、自動車、電力系統装置に至るまで、パワーエレクトロニクスは不可欠な技術であるため、これらの用途において、耐圧が数百Ｖ以上の電力用途のパワーデバイスとして用いることができる。例えば、自動車向けのＡＣ／ＤＣコンバータ、ＤＣ／ＤＣコンバータ、電気鉄道、電力系統装置等に用いることができる。

以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。

上記の説明に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
半導体基板と、
前記半導体基板の一方の面に形成された半導体層と、
前記半導体層の上に形成された開口部を有する絶縁膜と、
前記開口部において露出している半導体層の上、前記開口部の側壁及び前記開口部の周囲の絶縁膜の上に形成された一方の電極と、
前記半導体基板の他方の面に形成された他方の電極と、
を有し、
前記開口部の側壁は、前記半導体層との界面から絶縁膜の表面に向かって順に形成された表面が凹曲面の下部凹曲面部と上部傾斜部とにより形成されていることを特徴とする半導体装置。
（付記２）
半導体基板と、
前記半導体基板の一方の面に形成された半導体層と、
前記半導体層の上に形成された開口部を有する絶縁膜と、
前記開口部において露出している半導体層の上、前記開口部の側壁及び前記開口部の周囲の絶縁膜の上に形成された一方の電極と、
前記半導体基板の他方の面に形成された他方の電極と、
を有し、
前記開口部の側壁は、前記半導体層との界面から絶縁膜の表面に向かって順に形成された表面が凸曲面の下部凸曲面部と上部傾斜部とにより形成されていることを特徴とする半導体装置。
（付記３）
前記半導体基板は、ＧａＮまたはＳｉＣを含む材料により形成されており、
前記半導体層は、ＧａＮまたはＳｉＣを含む材料により形成されていることを特徴とする付記１または２に記載の半導体装置。
（付記４）
前記絶縁膜は、ＳｉＮ、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、ＨｆＯ_２のうちのいずれかを含む材料により形成されていることを特徴とする付記１から３のいずれかに記載の半導体装置。
（付記５）
前記半導体基板には、Ｎ型となる不純物元素がドープされており、
前記半導体層には、Ｎ型となる不純物元素がドープされていることを特徴とする付記１から４のいずれかに記載の半導体装置。
（付記６）
前記一方の電極は、前記半導体層の上に形成されたショットキー電極と、前記絶縁膜の上に形成されたフィールドプレート電極とにより形成されており、
前記一方の電極における前記ショットキー電極と前記他方の電極との間において、前記半導体基板及び前記半導体層を貫通して電流が流れるショットキーバリアダイオードであることを特徴とする付記１から５のいずれかに記載の半導体装置。
（付記７）
半導体基板の一方の面の上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体基板の他方の面に他方の電極を形成する工程と、
前記半導体層の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の開口部が形成される領域に開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンの開口部における絶縁膜を所定の厚さまでドライエッチングにより除去する工程と、
前記ドライエッチングの後、ウェットエッチングにより、前記レジストパターンの開口部における絶縁膜を除去し、半導体層の表面を露出させる工程と、
前記開口部において露出している半導体層の上、前記開口部の側壁及び前記開口部の周囲の絶縁膜の上に一方の電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記８）
前記開口部の側壁は、前記半導体層との界面から絶縁膜の表面に向かって順に形成された表面が凹曲面の下部凹曲面部と上部傾斜部とにより形成されていることを特徴とする付記７に記載の半導体装置の製造方法。
（付記９）
前記開口部の側壁は、前記半導体層との界面から絶縁膜表面に向かって順に形成された表面が凸曲面の下部凸曲面部と上部傾斜部とにより形成されていることを特徴とする付記７に記載の半導体装置の製造方法。

１０ Ｎ^＋型半導体基板
２０ Ｎ⁻型半導体層
３０ 絶縁膜
３０ａ 開口部
３１ 下部凹曲面部
３２ 上部傾斜部
４０ アノード電極
４１ ショットキー電極
４２ フィールドプレート電極
５０ カソード電極

Claims (6)

1. 半導体基板と、
   前記半導体基板の一方の面に形成された半導体層と、
   前記半導体層の上に形成された開口部を有する絶縁膜と、
   前記開口部において露出している半導体層の上、前記開口部の側壁及び前記開口部の周囲の絶縁膜の上に形成された一方の電極と、
   前記半導体基板の他方の面に形成された他方の電極と、
   を有し、
   前記開口部の側壁は、前記半導体層との界面から絶縁膜の表面に向かって順に形成された表面が凹曲面の下部凹曲面部と上部傾斜部とにより形成されていることを特徴とする半導体装置。
2. 半導体基板と、
   前記半導体基板の一方の面に形成された半導体層と、
   前記半導体層の上に形成された開口部を有する絶縁膜と、
   前記開口部において露出している半導体層の上、前記開口部の側壁及び前記開口部の周囲の絶縁膜の上に形成された一方の電極と、
   前記半導体基板の他方の面に形成された他方の電極と、
   を有し、
   前記開口部の側壁は、前記半導体層との界面から絶縁膜の表面に向かって順に形成された表面が凸曲面の下部凸曲面部と上部傾斜部とにより形成されていることを特徴とする半導体装置。
3. 前記半導体基板は、ＧａＮまたはＳｉＣを含む材料により形成されており、
   前記半導体層は、ＧａＮまたはＳｉＣを含む材料により形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
4. 前記絶縁膜は、ＳｉＮ、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、ＨｆＯ_２のうちのいずれかを含む材料により形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置。
5. 前記一方の電極は、前記半導体層の上に形成されたショットキー電極と、前記絶縁膜の上に形成されたフィールドプレート電極とにより形成されており、
   前記一方の電極における前記ショットキー電極と前記他方の電極との間において、前記半導体基板及び前記半導体層を貫通して電流が流れるショットキーバリアダイオードであることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置。
6. 半導体基板の一方の面の上に半導体層を形成する工程と、
   前記半導体基板の他方の面に他方の電極を形成する工程と、
   前記半導体層の上に絶縁膜を形成する工程と、
   前記絶縁膜の開口部が形成される領域に開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンの開口部における絶縁膜を所定の厚さまでドライエッチングにより除去する工程と、
   前記ドライエッチングの後、ウェットエッチングにより、前記レジストパターンの開口部における絶縁膜を除去し、半導体層の表面を露出させる工程と、
   前記開口部において露出している半導体層の上、前記開口部の側壁及び前記開口部の周囲の絶縁膜の上に一方の電極を形成する工程と、
   を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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