JP2017049103A - 放射線検出装置及び放射線検出システム - Google Patents

Abstract

【課題】帯電による画像のノイズを低減することができる放射線検出装置及び放射線検出システムを提供することを課題とする。
【解決手段】放射線検出装置は、光を電荷に変換する光電変換部（１０８）を有する基板（１０２）と、前記基板の上に形成され、放射線を光に変換するシンチレータ層（１０４）と、前記基板の上に形成されている導電性配線（１０６）とを有し、前記シンチレータ層は、少なくとも一部が導電性を有し、前記導電性配線に電気的に接続されていることを特徴とする。
【選択図】図６

Description

本発明は、放射線検出装置及び放射線検出システムに関する。

近年、大面積ガラス上にアレイ状に形成された光電変換素子の表面に、放射線を照射することによって発光する蛍光体層を積層したデジタル放射線検出装置が商品化されている。このデジタル放射線検出装置は、主に複数のフォトセンサ及びスイッチング素子等の素子が２次元状に配置されている光検出器（以下センサ基板という）上に、放射線を光電変換素子で検出可能な光に変換するためのシンチレータ層を形成している。このように、画像情報を有する放射線を蛍光体層などの波長変換体により光電変換素子が感知可能な波長の光に変換し、変換された光を光電変換素子により電気信号に変換してデジタル画像情報を取得するものは、間接変換方式の放射線検出装置と呼ばれている。

通常、シンチレータ層は、被検体を透過した放射線を光電変換素子の感度特性に見合った波長の光に変換する蛍光体層、及び蛍光体層からの発光を効率的にセンサ基板側へ誘導するための反射層を備える。また、シンチレータ層上部には、センサ基板及び蛍光体層を外部環境から保護する目的でアルミニウム等の薄膜フィルムを用いた保護層が設けられる。

特許文献１には、保護層の外側、又は保護層の外側と蛍光体側に帯電防止フィルムを用いる方法が開示されている。特許文献１によると、保護層の構成中に帯電防止フィルムを含ませることにより、プロセス時、又は製品使用時に発生する静電気による帯電を防ぐことができ、安定した画像品質を保証することが可能である。

特開２０１３−２１７９０４号公報

粒子状蛍光体を堆積形成する方法には、主に２つの方法がある。まず、第１の方法は、支持体上に粒子状蛍光体のペーストをダイコート、スリットコート、スクリーン印刷等の方法を用いて厚膜印刷し、乾燥後、この蛍光体層上に粘着層を転写形成し、これをセンサ基板上に転写する方法である。ここで、一般的に、支持体には、蛍光体の発光を効率よくセンサ基板に出射させる目的で、高反射率を有する反射フィルム等が用いられる。この方法を「間接形成法」と呼ぶ。「間接形成法」では、更に、センサ基板を電磁波や水分から保護する目的で、アルミニウム等の低原子量金属の皮膜の施された樹脂フィルムを、蛍光体層を覆うように転写形成する。このフィルムを「保護層」と呼ぶ。上記の「間接形成法」は、蛍光体層形成プロセスをセンサ基板と切り離して実施できるため、工程設計上有利である。その反面、高コストになるといった課題と、蛍光体層とセンサ基板の間に粘着層が介在してしまうため、界面での光散乱が増大し、この結果ＭＴＦを低下させてしまうという課題がある。

第２の方法は、センサ基板上に直接、粒子状蛍光体のペーストをダイコート、スリットコート、スクリーン印刷等の方法を用いて厚膜印刷し、乾燥後、蛍光体層上に、反射層及び保護層を転写形成する方法である。この方法を「直接形成法」と呼ぶ。「直接形成法」の反射層及び保護層は、予め複合形成させたフィルムとすることが可能であり、この場合、転写の回数を減ずることができ、コスト的に有利である。また、「直接形成法」では、センサ基板と蛍光体層の間に粘着層を設ける必要がないため、界面の光散乱の抑制が可能であり、「間接形成法」に比べ、ＭＴＦ及び感度が共に有利である。

上記のように、「直接形成法」では、反射層及び保護層の複合フィルムを用いることが可能である。複合フィルムの離形フィルムを剥離し、粘着剤を露出させると、粘着剤に帯電し、粘着剤の表面に電荷が偏在してしまう。その状態で、複合フィルムを蛍光体層に貼り合せると、帯電が素子へ悪影響を及ぼし、センサ基板の局所的な暗電流の増加により、画像にアーチファクトのノイズを生じさせる課題がある。

本発明の目的は、帯電による画像のノイズを低減することができる放射線検出装置及び放射線検出システムを提供することである。

本発明の放射線検出装置は、光を電荷に変換する光電変換部を有する基板と、前記基板の上に形成され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記基板の上に形成されている導電性配線とを有し、前記シンチレータ層は、少なくとも一部が導電性を有し、前記導電性配線に電気的に接続されていることを特徴とする。

本発明によれば、帯電による局所的な暗電流の増加を低減し、画像のノイズを低減することができる。

放射線検出装置の構成例を示す図である。 放射線検出システムの構成例を示す図である。 複合フィルムの構成例を示す断面図である。 吸着台での離形フィルムの帯電を示す図である。 転写台での接触帯電及び剥離帯電を示す図である。 シンチレータ層を説明するための図である。

（第１の実施形態）
図１（Ａ）は本発明の第１の実施形態による放射線検出装置１１の構成例を示す上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の放射線検出装置１１の線Ｘ−Ｘに沿った断面図である。放射線検出装置１１は、センサ基板１０２と、回路基板１１１と、回路基板１１２と、フレキシブルプリント基板１１０とを有する。センサ基板１０２は、フレキシブルプリント基板１１０を介して、信号を読み出すための回路基板１１１と、放射線検出装置１１を駆動するための回路基板１１２に接続される。センサ基板１０２内の光電変換部１０８は、放射線を検出し、信号を生成する。光電変換部１０８により生成された信号は、回路基板１１２から入力された駆動信号に従って、回路基板１１１に出力される。

放射線検出装置１１は、入射した放射線を光に変換する導電性のシンチレータ層（蛍光体層）１０４と、その光を検出するためのセンサ基板１０２とを有する。導電性のシンチレータ層１０４は、入射した放射線を光に変換するシンチレータ粒子と接着材より構成されており、直接形成法により形成される。センサ基板１０２は、光を電荷に変換する光電変換部１０８と、光電変換部１０８を保護するためのセンサ保護層１０５とを有する。センサ保護層１０５は、センサ基板１０２の光電変換部１０８を覆うように形成されている。導電性配線１０６は、センサ保護層１０５の外側において、センサ基板１０２の上に形成されている。シンチレータ層１０４は、図６（Ｂ）に示すように、センサ基板１０２のセンサ保護膜１０５及び導電性配線１０６の上に形成されている。シンチレータ層１０４は、少なくとも一部が導電性を有し、導電性配線１０６に電気的に接続されている。反射層１０３は、図３に示すように、反射層３０３及び第２の粘着層３０４を有し、シンチレータ層１０４の上に設けられる。保護層１０１は、図３に示すように、保護層３０１及び第１の粘着層３０２を有し、光電変換部１０８内では、反射層１０３上に設けられ、光電変換部１０８外では、導電性配線１０６上に設けられる。本実施形態では、粒子状のシンチレータ層１０４は、透明導電処理がされており、図６（Ｂ）に示すように、導電性配線１０６に電気的に接続されている。導電性配線１０６は、接地された筐体２００（図２）に電気的に接続されている。

シンチレータ層１０４は、放射線を光に変換する。反射層１０３は、シンチレータ層１０４からの発光を効率的にセンサ基板１０２側へ誘導する。センサ基板１０２内の光電変換部１０８は、光電変換素子及び薄膜トランジスタを有し、シンチレータ層１０４により変換された光を電荷に変換し、画素信号を生成する。

次に、図１（Ａ）及び（Ｂ）の導電性配線１０６について説明する。導電性配線１０６は、センサ基板１０２上において、図６（Ｂ）に示すように、シンチレータ層１０４の導電部と接するように配置されている。また、導電性配線１０６は、筐体２００（図２）に電気的に接続される。また、導電性配線１０６は、フレキシブルプリント基板１１０を介して、回路基板１１１又は１１２に接続されていてもよく、その場合、導電性配線１０６は、光電変換部１０８の配線形成時と同時に形成させることが好ましい。導電性配線１０６は、センサ基板１０２の光電変換部１０８を覆うように形成してもよく、その場合は、センサ保護層１０５としても機能する。すなわち、導電性配線１０６は、センサ保護層１０５と一体化させてもよい。導電性配線１０６は、センサ保護層１０５とは別体で設置される場合は、センサ保護層１０５上、もしくはセンサ保護層１０５のエリアより外に設置されるのが好ましい。導電性配線１０６の材質としては、一般的に用いられる金属配線から選定してよく、形成方法も一般的な形成方法をそのまま使用できる。ただし、導電性配線１０６は、光電変換部１０８へ及ぶ場合は、ＩＴＯ、ＡＴＯ等の透明導電性膜を使用することが好ましい。また、プロセス条件や工程の制限から、導電性配線１０６は、作製容易な導電性有機樹脂を使用することも可能である。

図６（Ａ）及び（Ｂ）は、シンチレータ層１０４の構成例を示す図である。図６（Ａ）のように、シンチレータ層１０４は、多数のシンチレータ粒子６０１及び接着材６０２を有する。シンチレータ層１０４を構成するシンチレータ粒子６０１は、例えば、微量のテルビウム（Ｔｂ）が添加された硫酸化ガドリニウム（ＧＯＳ：Ｔｂ）で構成される。以下、「：」は、添加されていることを示す。

シンチレータ粒子６０１は、耐湿性、発光効率、熱プロセス耐性、残光性の観点で、一般式Ｍｅ₂Ｏ₂Ｓ：Ｒｅで示される金属酸硫化物で構成されることが好ましい。ここで、Ｍｅは、Ｌａ、Ｙ、Ｇｄのいずれか１つであり、ＲｅはＴｂ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｔｍの少なくとも１つである。シンチレータ粒子６０１が導電性を有するようにしてもよい。シンチレータ粒子６０１に導電性を持たせる場合は、湿式又は乾式の薄膜形成法を用いて、金属並びに導電性ポリマーを、乾式法（真空中での物理手法）又は湿式法（水系、非水系）を使用してコーティングすることができる。導電性を付与する材料としては、金属系の場合は各種金属材料単体や、その酸化物、窒化物等の化合物が挙げられるが、光学的な透過性に優れた、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂、ＺｎＯ、ＩＴＯ、ＡＴＯが好ましい。また、有機系導電性材料としては、ポリチオフェン系、ポリアセチレン系、ポリアニリン系、ポリピロール系等有るが、上記と同様、光学的に透過性の高いポリチオフェン系もしくはポリアセチレン系、並びにポリピロール系が好ましい。

シンチレータ層１０４を構成する接着材６０２は、少なくとも一部が導電性の樹脂で構成されている必要があり、光学的透明度の高いポリチオフェン系、ポリアセチレン系、ポリアニリン系、ポリピロール系の樹脂が好ましい。また、接着材６０２は、エチルセルロース、ニトロセルロース等のセルロース系樹脂、ポリメチルメタアクリレート等のアクリル系、ポリビニルブチラール溶剤系グレードなどのポリビニルアセタール系樹脂に導電性フィラーを含有するようにしてもよい。これにより、接着材６０２に導電性をもたせることができる。導電性フィラーは、一般的に用いられているカーボンブラックを使用してもよいし、金属微粒子を添加してもよい。ただ、添加量により光の透過率が著しく低下することから、表面抵抗率を維持した状態でできるだけ添加量を少なくすることが好ましい。また、上記の透明金属や導電性有機樹脂粒子等の透過率の高いフィラーを添加することが好ましい。

シンチレータ層１０４中の接着材６０２の比率は、多いほど光学的透明性に影響があるため、少ない方が好ましいが、少なすぎるとシンチレータ粒子６０１同士の接着性が悪くなってしまう。そこで、必要な接着力を得るために、シンチレータ層１０４の周辺部において、シンチレータ粒子６０１の体積（Ｖｓ）に対する接着材６０２の体積（Ｖｒ）の比（Ｖｒ／Ｖｓ）は、０．１２５以上であることが好ましい。また、導電性を有するシンチレータ層１０４と導電性配線１０６の表面抵抗率は、帯電しても減衰すればよく、少なくとも、１．０×１０¹²Ω／□以下であればよい。また、シンチレータ層１０４において、反射層１０３との接触表面だけが導電性を有していてもよい。上記の構成で抵抗率が満足できない場合は接着材６０２中に、導電性フィラーを入れてもよい。

シンチレータ粒子６０１及び接着材６０２は、接着材６０２を溶解する有機溶剤に添加される。これによって、ペーストが形成され、ペーストがセンサ基板１０２の上に塗布され、その後、乾燥工程を経て、シンチレータ層１０４が形成される。有機溶剤は、接着材６０２を溶解し、チクソトロピックな特性を有するものが好ましい。また、有機溶剤は、塗工性の観点において、飽和蒸気圧の低いものが好ましい。

ペーストをセンサ基板１０２へ塗布する方法としては、特に限定はない。ロールコート法、バーコート法、ディップコーティング法、スピンコーティング法、キャスティング法、ダイコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、ドクターコート法などを用いることができる。印刷法としては、凸版（活版）印刷法、孔版（スクリーン）印刷法、平版（オフセット）印刷法、凹版（グラビア）印刷法、スプレー印刷法、インクジェット印刷法などを用いることができる。乾燥温度は、導電性接着材６０２に用いている溶媒が有機化合物層から抜ければよく、０〜２５０℃、より好ましくは５〜２００℃、更に好ましくは１０〜１５０℃である。

なお、シンチレータ層１０４の表面が導電処理されている。これにより、保護層１０１及び反射層１０３をシンチレータ層１０４に転写する際、反射層１０３に帯電により発生した電荷は、シンチレータ層１０４より拡散し、導電性配線１０６から筐体２００（図２）へと伝わり、外部へ放出される。また、保護層１０１及び反射層１０３の転写後に、反射層１０３の貼り合わせ界面やその周辺に残存している電荷も、導電性配線１０６を筐体２００（図２）に接続することにより、放出されていく。この結果、放射線検出装置１１内に留まっている電荷を大幅に減らすことが可能となる。

図２は、上記の放射線検出装置１１を適用した放射線検出システム２０の構成例を示す図である。放射線検出システム２０は、例えば、放射線検出装置１１を備えた筐体２００と、イメージプロセッサ等を含む信号処理部２３０と、ディスプレイ等を含む表示部２４０と、放射線を発生させるための放射線源２１０とを有する。放射線源２１０は、放射線（例えばＸ線）を発生する。放射線源２１０から発せられた放射線は、被験者２２０を透過し、被験者２２０の体内の情報を含む放射線が、筐体２００が備える放射線検出装置１１により検出される。これにより得られた放射線画像を用いて、例えば、信号処理部２３０は、所定の信号処理を行い、画像データを生成する。この画像データは、表示部２４０に表示される。

図３は、複合フィルム４０３の断面構造を示す図である。複合フィルム４０３は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基台にアルミニウムを蒸着した保護層３０１と、第１の粘着層３０２と、反射層３０３と、第２の粘着層３０４とを有する。第２の粘着層３０４を粘着直前まで保護する目的で、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）による離形フィルム４０３が設けられている。保護シート付きフィルム４０４は、複合フィルム４０３に離形フィルム３０５を設けたものである。図１（Ａ）及び（Ｂ）の保護層１０１は、保護層３０１及び第１の粘着層３０２を有する。図１（Ａ）及び（Ｂ）の反射層１０３は、反射層３０３及び第２の粘着層３０４を有する。

図４は、吸着台４０１での保護シート付きフィルム４０４の剥離帯電を示す図である。保護シート付きフィルム４０４は、取り扱い上の問題から、位置を十分合わせた上で装置の吸着台４０１に吸着させ、この後に、離形フィルム３０５を剥離する。この際、大きな剥離帯電が発生し、第の粘着層３０４の表面に正の電荷が帯電する。特に、均一な力で剥離する機構等を有さない場合は、正の帯電は第２の粘着層３０４の表面に偏在してしまう。ここで、吸着台４０１は、転写台への移動や精度といった点から、通常ＳＵＳを用いるため、導電性であり、装置を通じて接地されている。吸着台４０１が導電性で接地されている場合は、静電誘導現象が発生し、除電ブロワ４０２等による除電は、非常に困難である。

図５は、複合フィルム４０３をセンサ基板１０２に転写する工程を示す図である。複合フィルム４０３の周辺部では、反射膜１０３が除去されている。すなわち、複合フィルム４０３は、中央部では、保護層１０１及び反射層１０３を有し、周辺部では、保護層１０１のみを有する。吸着台４０１は、シンチレータ層１０４が形成されたセンサ基板１０２上に移動される。複合フィルム４０３の第１の粘着層３０４をセンサ基板１０２の端部に接触させた後、転写ロール５０１を移動回転させることにより、複合フィルム４０３をセンサ基板１０２に転写する。この際、複合フィルム４０３は、吸着台４０１と接触することによる静電誘導現象により帯電していないように見えていたが、本来、複合フィルム４０３はプラスに帯電しており、吸着台４０１と引き離されると、静電誘導により見えていなかった静電気が発現する。

上記の理由により、複合フィルム４０３の第２の粘着層３０４は、正電荷に帯電しており、この状態で、更に接触帯電を伴い、センサ基板１０２上に転写及び接着されることになる。シンチレータ層１０４の上には、保護層１０１及び反射層１０３が形成される。シンチレータ層１０４がない領域では、導電性配線１０６の上には、保護層１０１が設けられる。

導電性配線１０６がない場合、複合フィルム４０３の貼り合わせ工程中に発生した電荷は、貼り合わせ後も、シンチレータ層１０４と第２の粘着層３０４界面やシンチレータ層１０４中に偏在し続ける。このため、帯電が素子へ影響を及ぼし、光電変換部１０８の局所的な暗電流の増加により、画像中にアーチファクトのノイズが発生するという課題が生じる。

本実施形態によれば、導電性配線１０６は、シンチレータ層１０４と、接地された筐体（接地ノード）２００に電気的に接続されるので、第２の粘着層３０４及びシンチレータ層１０４の電荷を接地ノードに放出させることができる。なお、導電性配線１０６は、定電位ノードに電気的に接続されていてもよい。これにより、光電変換部１０８の局所的な暗電流の増加を防止し、画像中のアーチファクトのノイズを防止することができる。

（比較例）
比較例として、導電性配線１０６を有しない放射線検出装置１１の例について述べる。まず、５５０ｍｍ×４４５ｍｍ×０．７ｔの無アルカリガラス基板の上に、アモルファスシリコン（非晶質シリコン）を用いた半導体薄膜を形成した。

次いで、その上に、光を電荷に変換する光電変換部１０８と、これらを駆動するための複数の配線とを形成した。光電変換部１０８は、光を電荷に変換する光電変換素子と薄膜トランジスタ（スイッチング素子）とを含む画素を行列状に複数有する。光電変換部１０８は、ここでは、２８１６×３４１６の画素から構成されている。この内外周部の各８画素は、センサ基板１０２作成時、ドライエッチング等のプロセスマージン等を確保するために形成される所謂ダミー画素と呼ばれる画素が有り、有効面の外周部約１．２ｍｍの幅で形成されている。

その後、センサ保護層１０５として、ＳｉＮｘ層及びポリイミド樹脂層を形成し、センサ基板１０２を得た。

次に、蛍光体のペーストを準備した。具体的には、溶媒中に、接着材６０２としてポリビニルブチラールを溶かしたものに、Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓからなるシンチレータ粒子６０１を混合してペーストを作成した。その重量比は、シンチレータ粒子６０１：溶媒：接着材６０２＝８９：１０：１とした。ペーストを真空脱泡した後に、スリットコーターによってセンサ基板１０２上に塗工し、１１０℃で、３０分乾燥させた。このようにして、センサ基板１０２上にシンチレータ層１０４を形成した。

次いで、キーエンス製ＬＴ−９０３０レーザー変位計を用い、シンチレータ層１０４の未塗布部と塗布部の差分を測定し、膜厚測定を行ったところ２００μｍであった。

次に、図３に示す断面構造を有する複合フィルム４０３を準備し、ロールラミネーター装置の吸着台４０１に位置を合わせ、真空吸着させた。

次いで、キーエンス社製ＳＪ−Ｅの除電バーを吸着台４０１上の保護フィルム上部約２０ｃｍにセットし、０．２５ＭＰａの流量で除電を行いながら、５ｃｍ／秒の速度で離形フィルム３０５を剥離した。

続いて、シンチレータ層１０４が形成されたセンサ基板１０２をロールラミネーター装置の転写台側にアライメントを合わせてセットした。

この後、吸着台４０１を転写台上に移動させ、８ｃｍ／秒の速度で複合フィルム４０３をセンサ基板１０２上のシンチレータ層１０４上に転写した。

さらに、その後、気泡を抜くために加圧脱泡を行い、電気実装と緩衝材の接着、及び電気回路の接続、機構部分への実装を行い、放射線検出装置１１を得た。

この放射線検出装置１１の電源を入れ、Ｘ線照射を行わず、１０秒間アイドリングを実施し、その後、１秒間蓄積させた画像を取得し、暗電流の分布を調べたところ、面内に、正常部に比べ、最高１８％の高暗電流領域が２０か所以上、円形の形を呈して確認できた。

（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態では、上記の比較例と同様の方法で、センサ基板１０２を得た。次に、凹パターンが形成されたマスターモールドに配線用インキを塗布し、その配線用インキをブランケットに転移させ、さらに、ブランケットに転移させた配線用インキをセンサ基板１０２上に再度転移させることによって、導電性配線１０６を形成した。

次に、蛍光体の導電性ペーストを準備した。具体的には、接着材６０２として分散処理を行った化研産業株式会社製Baytron PEDOTを使用し、溶媒中に溶かしたものにＧｄ₂Ｏ₂Ｓからなるシンチレータ粒子６０１を混合してペーストを作成した。その重量比は、シンチレータ粒子６０１：溶媒：接着材６０２＝８９：１０：１とした。ペーストを真空脱泡した後にスリットコーターによってセンサ基板１０２上に塗工し、１１０℃で、３０分乾燥させた。この膜厚測定を行ったところ、２００μｍ前後であった。これにより、導電性のシンチレータ層１０４が形成され、導電性のシンチレータ層１０４は導電性配線１０６に接続される。

次いで、上記の比較例と同様に、複合フィルム４０３をセンサ基板１０２上のシンチレータ層１０４上に転写した。さらに、上記の比較例と同様に、気泡を抜くために加圧脱泡を行った。次いで、導電性配線１０６と筐体２００に接続されている外部配線とを導電ペーストでヒートシールすることにより接地する。次いで、電気実装と緩衝材の接着、及び電気回路の接続、機構部分への実装を行い、放射線検出装置１１を得た。

第２の実施形態で作製した放射線検出装置１１の暗電流の分布を、上記の比較例と同様の方法で調べたところ、高暗電流領域を確認することはできず、安定した画像品質を保証することができた。

（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態では、上記の比較例と同様の方法で、センサ基板１０２を得た。次に、センサ基板１０２にマスク処理を行い、スパッタ法にてＩＴＯの薄膜を光電変換部１０８の全面と配線部領域へ成膜する。このＩＴＯの薄膜は、導電性配線１０６及びセンサ保護層１０５の両方の機能を有し、センサ基板１０２の光電変換部１０８を覆うように形成される。このＩＴＯの薄膜の上に、第２の実施形態と同様の方法で、シンチレータ層１０４を形成した。他の製造方法は、第２の実施形態と同様の方法で行い、放射線検出装置１１を得た。すなわち、上記のＩＴＯの薄膜を、筐体２００に接続されている外部配線に接続することにより接地した。

第３の実施形態で作製した放射線検出装置１１の暗電流の分布を、上記の比較例と同様の方法で調べたところ、高暗電流領域を確認することはできず、安定した画像品質を保証することができた。

（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態では、上記の第２の実施形態と同様に、センサ基板１０２上に導電性配線１０６を形成した。次に、上記の比較例と同様の方法で、シンチレータ層１０４を形成する。このとき、シンチレータ層１０４の厚さを１８０μｍとなるようにスリットコーターの条件を調整し、塗布、形成する。

次に、第２の実施形態と同様のペーストを用い、上記のシンチレータ層１０４上に覆いかぶさるように、導電性シンチレータ層を塗工し、１１０℃で、３０分乾燥させた。このとき、トータルのシンチレータ層１０４が２００μｍとなるように、条件を調整して塗布する。上記の導電性シンチレータ層は、導電性配線１０６に接続される。その後の工程は、第２の実施形態と同様の方法で行い、放射線検出装置１１を得た。すなわち、導電性配線１０６を、筐体２００に接続されている外部配線に接続することにより接地した。

第４の実施形態で作製した放射線検出装置１１の暗電流の分布を、上記の比較例と同様の方法で調べたところ、高暗電流領域を確認することはできず、安定した画像品質を保証することができた。

なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。

１０２ センサ基板、１０４ シンチレータ層、１０６ 導電性配線、１０８ 光電変換部

Claims (12)

1. 光を電荷に変換する光電変換部を有する基板と、
   前記基板の上に形成され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、
   前記基板の上に形成されている導電性配線とを有し、
   前記シンチレータ層は、少なくとも一部が導電性を有し、前記導電性配線に電気的に接続されていることを特徴とする放射線検出装置。
2. 前記導電性配線は、筐体に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載の放射線検出装置。
3. 前記導電性配線は、定電位ノードに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１又は２記載の放射線検出装置。
4. 前記シンチレータ層は、シンチレータ粒子と接着材とを有し、前記接着材の少なくとも一部が導電性を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
5. 前記接着材は、導電性フィラーを含有していることを特徴とする請求項４記載の放射線検出装置。
6. 前記シンチレータ粒子は、導電性を有することを特徴とする請求項４又は５記載の放射線検出装置。
7. 前記シンチレータ層は、シンチレータ粒子と接着材とを有し、前記シンチレータ粒子は、導電性を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
8. 前記導電性を有するシンチレータ層と前記導電性配線の表面抵抗率は、１．０×１０¹²Ω／□以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
9. 前記導電性配線は、前記基板の前記光電変換部を覆うように形成されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
10. さらに、前記基板の前記光電変換部を覆うように形成されている保護層を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
11. 前記光電変換部は、光を電荷に変換する光電変換素子を含む画素を行列状に複数有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
12. 請求項１〜１１のいずれか１項に記載の放射線検出装置と、
    放射線を発生する放射線源と
    を有することを特徴とする放射線検出システム。

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