JP2017043101A - 積層体及び、その製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この発明の積層体は、窒化物セラミックス基板と、該窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に積層された銅合金層とを有し、前記銅合金層が、Si、Mn、Ni、Ti、Al、Ce、Ga、In、P、As、Sb、Nb、Cr、Fe、Li、Be、Mg、Zn、Ge、Co、Mo、B、C、Sn、Y、Pr、Nd、Sm、Zr、Bi、V、W、Tl、Ca、Sr、Ba、Hfから選択される少なくとも一種類の元素を含有するものである。
【選択図】 なし
Description
ここで、パワーデバイスは、セラミックス基板の少なくとも一方の表面、通常は両面のそれぞれに、ヒートシンクとして機能する銅製等の金属層が接合されてなる積層体を、ベース板(放熱板)上に固定し、そして、積層体上に、パワー半導体素子及び、その制御回路が形成されて構成される。
これによれば、金属との濡れ性に乏しい窒化アルミニウム基板と、Cu導体層との間に形成した上記の接合層が、窒化アルミニウム基板とCu導体層とを有効に接合させることになる。その結果として、以前から使用されてきたアルミナに比して熱伝導性に優れる窒化アルミニウム基板により、半導体素子等が発する熱を有効に放散させることができる。
ここで好ましくは、前記銅合金層が銅合金板または銅合金箔からなるものとする。
ここで、前記窒化物セラミックス基板が窒化アルミニウムを主成分とするものである場合、その窒化物セラミックス基板がさらに、Ca、Y、Oからなる群から選択される一種以上の元素を含有し、Caを含む場合には、Ca濃度は0.0001〜3質量%であり、Yを含む場合にはY濃度は0.0001〜10質量%であり、Oを含む場合には、O濃度は0.0001〜20質量%であるものとすることができる。
また前記窒化物セラミックス基板のO含有濃度は0.0001〜20質量%であることが好ましい。
ここにおいて、この発明の積層体では、前記銅合金層と前記窒化物セラミックス基板との剥離強度は、15kN/m以上であることが好ましい。
また、銅合金層の表面には、たとえば有機物による防錆層等が形成されることがあるので、接合の強さに大きな悪影響を及ぼさない程度に、銅合金層の少なくとも窒化物セラミックス基板側の表面には、一般的に用いられる粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層の群から選択される一つ以上の層を施してもよい。この場合は、銅合金層と窒化物セラミックス層とが、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層の群から選択される一つ以上の層だけを介して間接的に接合される。
この発明の一の実施形態に係る積層体は、窒化物セラミックス基板と、その窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に積層された銅合金箔等の銅合金層とを備え、この銅合金層が、Cuの他、Si、Mn、Ni、Ti、Al、Ce、Ga、In、P、As、Sb、Nb、Cr、Fe、Li、Be、Mg、Zn、Ge、Co、Mo、B、C、Sn、Y、Pr、Nd、Sm、Zr、Bi、V、W、Tl、Ca、Sr、Ba、Hfから選択される少なくとも一種類の元素を含有するものである。なお、銅合金層の導電率や熱伝導率をより良好なものとすることができるため、銅合金層において、Cuが主成分であることが好ましい。
また、銅合金層は窒化物や酸化物等の化合物や無機物、上述した元素以外の元素を含む金属、上述以外の元素等を含んでもよい。
また、前記窒化物はNと、Si、Mn、Ni、Ti、Al、Ce、Ga、In、P、As、Sb、Nb、Cr、Fe、Li、Be、Mg、Zn、Ge、Co、B、C、Sn、Y、Pr、Nd、Sm、Zr、Bi、V、W、Tl、Ca、B、Sr、HfおよびBaからなる群から選択される一種以上の元素とからなる化合物であることがより好ましい。
また、前記窒化物はNと、Si、Al、B、Ga、InおよびTiからなる群から選択される一種以上の元素とを含む化合物であることがより好ましい。
また、前記窒化物はNと、Si、Al、B、Ga、InおよびTiからなる群から選択される一種以上の元素とからなる化合物であることがより好ましい。
なかでも、窒化アルミニウム及び窒化珪素はいずれも熱伝導率に優れ、しかも、窒化アルミニウムは熱膨張率が低く、この種の積層体のセラミックス基板として用いることが好適である。また、窒化珪素は、強度が高く、製造時に破損しにくいため、生産性の観点から好ましい。
本願において、例えば、Aを「主成分とする」とは、Aを50質量%以上、より好ましくは60質量%以上、より好ましくは70質量%以上であることを意味する。また、窒化物の濃度は、窒素の濃度と、窒化物を構成する窒素以外の元素の濃度との合計の濃度とする。
このことに対し、発明者は以下の検討を行った。
アルミナ(Al2O3)製のセラミックス基板は、純Cu金属層と所要の強度で直接接合することが可能である。この理由を検討するため、1000℃の温度条件の下、酸素の量に応じて、アルミナと銅との界面で安定する各物質量の変化をシミュレーションした結果を、図1にグラフで示す。ここで、横軸は酸素の量を示し、縦軸は物質量を規格化した指標を示す。いずれも数値が大きいほど量が多いことを意味する。また、図1上に記載されている「Al2O3+Cu+<Alpha>*O2」は物質量を規格化した指標で表した場合に、Al2O3が1、Cuが1、O2がAlpha(図1の横軸)で存在する場合の、各物質量をシミュレーションした結果であることを意味する。
図1に示すところから、アルミナと銅との界面では、酸素の量の増減に伴い、Cu単体及びAl2O3が減少又は増加する一方で、CuとAl2O3とで形成される複合酸化物(CuAl2O3)の量が増加又は減少することが解かり、この複合化合物が、アルミナと銅との密着力を向上させ、それらの接合に寄与していると考えられる。
一方、窒化物セラミックスの代表例としての窒化アルミニウム(AlN)のセラミックス基板は、純Cu金属層と直接的に接合することが難しい。窒化アルミニウムと銅との同様のシミュレーション結果を図2にグラフに示す。
図2に示すところでは、酸素の量に関わらず、窒化アルミニウムと銅との間では化合物が形成されず、これにより、窒化アルミニウムと銅との接合が困難になると考えられる。
窒化アルミニウムのセラミックス基板と純Cu金属層との間に、その表面へのスパッタリング等によってチタン接合層を形成した場合は、そのチタン接合層を介して、窒化アルミニウムのセラミックス基板と純Cu金属層とが接合されることになる。この場合の窒化アルミニウムとチタンとの界面状態を同様に図3にグラフで示す。
図3によれば、窒化アルミニウムとチタンとの界面には、TiNが形成されており、酸素の量が増加するに従って、このTiNの量が増加する。また、酸素の量が増加するにつれて減少するが、窒化アルミニウムとチタンとの界面にはTiAl3も、形成されることになる。チタンを介在させることにより、これらの化合物が形成されて、窒化アルミニウムと銅とが接合されると考えられる。
このことを検証するため、Tiを3.1質量%で含有するチタン銅合金(Cu−Ti)と窒化アルミニウムとの界面状態につき、同様のシミュレーションを行ったところ、図4に示す結果を得た。
図4に示すシミュレーション結果から、チタン銅合金に含まれるTiと、窒化アルミニウムのNでTiNが形成され、これが、チタン銅合金と窒化アルミニウムとの接合に有効に働くと考えられる。
銅合金層がMnを含有する場合は、そのMn濃度の下限値は0.0001質量%、より好ましくは0.05質量%、より好ましくは0.1質量%、より好ましくは0.2質量%とする。Mn濃度の上限値は、好ましくは95質量%、より好ましくは80質量%、より好ましくは50質量%、より好ましくは40質量%、より好ましくは30質量%とする。
銅合金層がTiを含有する場合は、そのTi濃度の下限値は、好ましくは0.0001質量%、より好ましくは0.05質量%、より好ましくは0.1質量%、より好ましくは0.2質量%とする。Ti濃度の上限値は、好ましくは8.5質量%、より好ましくは8.0質量%、より好ましくは7.7質量%、より好ましくは7.5質量%とする。
銅合金層がZrを含有する場合は、そのZr濃度は0.0001〜8.0質量%とすることができ、好ましくは0.01〜7.0質量%、より好ましくは0.05〜5.0質量%である。
銅合金層がCeを含有する場合は、そのCe濃度は、たとえば0.0001〜60質量%とすることができ、好ましくは0.001〜50質量%、より好ましくは0.01〜40質量%、より好ましくは0.01〜10質量%、より好ましくは0.01〜5質量%とする。
銅合金層がHfを含有する場合は、そのHf濃度は、たとえば0.0001〜20質量%とすることができ、好ましくは0.001〜15質量%、より好ましくは0.01〜10質量%、より好ましくは0.01〜8質量%、より好ましくは0.01〜5質量%とする。
それにより、銅合金層と窒化物セラミックス基板との間に他の接合層等を形成するための工程が不要となって、製造工数を減らすことができる。また、接合層等を形成するためのスパッタリング等を行う設備、材料等も不要となって製造コストを小さく抑えることができる。
この観点からは、銅合金層が、Ce、Ti、Zr、Hfから選択される少なくとも一種類の元素を含有することが好ましい。
また、前記窒化物セラミックス基板の厚みは、1μm〜15000μm、1μm〜7000μmとすることができ、好ましくは5μm以上2000μm以下、より好ましくは10μm以上1500μm以下、より好ましくは20μm以上1200μm以下、より好ましくは50μm以上1100μm以下、より好ましくは100μm以上1050μm以下、より好ましくは200μm以上1000μm以下とすることができる。
銅合金層の上記表面粗さは、たとえば、圧延ロールの表面粗さ及び/又は圧延時の油膜当量を制御して冷間圧延をすることによって調整することが可能である。
この窒化物セラミックス基板の表面粗さは、ショットブラスト等によって調整可能である。
そして、この発明の実施形態の車両は、上記のパワーデバイスまたは素子または電子部品を有するものである。
はじめに、Cuを含有し、Si、Mn、Ni、Ti、Al、Ce、Ga、In、P、As、Sb、Nb、Cr、Fe、Li、Be、Mg、Zn、Ge、Co、Mo、B、C、Sn、Y、Pr、Nd、Sm、Zr、Bi、V、W、Tl、Ca、Sr、Ba、Hfから選択される少なくとも一種類の元素を含有する銅合金層、及び、窒化アルミニウムもしくは窒化珪素その他の窒化物セラミックス基板をそれぞれ用意する。なお、銅合金層の導電率や熱伝導率をより良好なものとすることができるため、銅合金層に含まれるCuは主成分であることが好ましい。
この場合、銅合金層は、上記の元素のなかでも、先述したように、銅合金として安定し、かつ窒化物セラミックスとの強固な直接接合を実現できるSi、Mn、Ni、Ti、Zr、Ce、Hfから選択される少なくとも一種類の元素を含有することが好ましい。
ここでは、温度条件を、好ましくは800〜1000℃、より好ましくは850〜950℃とし、互いに重ね合せた窒化物セラミックス基板と銅合金層を挟んで両側から、好ましくは0.6N/mm2〜1.5N/mm2の圧力を作用させて、それらの窒化物セラミックス基板と銅合金層とを相互に、固相接合等によって接合する。上記の圧力は、たとえば、0.083時間〜5時間、好ましくは0.167時間〜4時間、より好ましくは0.5〜3時間にわたって作用させることができる。
その結果として、蒸着、スパッタリング、めっきその他の処理を施すことなしに、銅合金層と窒化物セラミックス基板を接合できるので、そのような処理を施す工程を経ることに起因する工数の増大を有効に防止することができ、積層体を安価にして容易に製造することができる。なお、蒸着、スパッタリング、めっきその他の処理を銅合金層または窒化物セラミックス基板に行ってもよい。
なお、本発明に係る銅合金層は、銅合金板や銅合金箔であることが好ましい。また本発明に係る銅合金層は、圧延加工により製造された圧延銅合金板、圧延銅合金箔や、電解めっきや無電解めっき等の湿式めっきにより形成された、電解銅合金板、電解銅合金箔であることが好ましい。銅合金板や銅合金箔を用いることで、窒化物セラミックス基板へスパッタリング等の方法により、銅合金層を形成するよりも、生産性が高く、製造コストを低減することができる。
表1、表2に示す組成及び形態、厚みの銅合金層を、同表に示す組成の窒化物セラミックス基板に重ね合わせ、0.98N/mm2の圧力を作用させて窒素中(圧力:760Torr)またはアルゴン中(圧力:760Torr)または真空中(圧力:3.0×10-4Torr)で830℃の温度で10分間にわたって加熱して積層させた。
実施例14、16、40は窒素中にて上記加熱・積層を行い、実施例15はアルゴン中にて上記加熱・積層を行い、実施例14〜16及び40以外は真空中にて上記加熱・積層を行った。
なお、圧延箔は表1、表2に記載の組成となるように成分を調整した後に、溶解・鋳造を行ってインゴットを製造した後に、表1、表2の板厚となるまで焼鈍と圧延を繰り返し行うことで製造した。
また、電解箔は電解槽とチタン製の陰極回転ドラムとドラムの周囲に5mm程度の極間距離を置いて電極(アノード)を配置した電解箔製造装置を用いて、以下の条件で表1、表2の記載の厚みとなるまで電気めっきによる析出を行って製造した。
<めっき液組成>
NaCN:10〜30g/L
NaOH:40〜100g/L
CuCN:60〜120g/L
Zn(CN)2:5〜40g/L
<めっき条件>
めっき液温度:60〜80℃
電流密度:1〜10A/dm2
pH:10〜13
<めっき液組成>
銅濃度:60〜120g/L
ニッケル濃度:1〜10g/L
<めっき条件>
めっき液温度:45〜80℃
電流密度:1〜10A/dm2
pH:1〜4
<めっき液組成>
銅濃度:80〜100g/L
硫酸濃度:70〜90g/L
<めっき条件>
めっき液温度:45〜65℃
電流密度:50〜70A/dm2
なお、実施例46については、銅合金層の窒化物セラミックス基板に積層される側の表面に以下の条件で防錆処理を行い、防錆層を形成した銅合金層を用いた。形成された防錆皮膜の厚みは50〜500Åである。
<防錆処理液>
ベンゾトリアゾール0.1質量%
ベンゾトリアゾール・モノエタノールアミン塩0.2質量%
イソプロピルアルコール10質量%
残部水
<防錆処理条件>
防錆処理液温度:30℃
処理(浸漬)時間:60秒
<防錆層>
・めっき液
Zn:5〜50g/L
Ni:5〜50g/L
・めっき条件
pH:2.5〜4
温度:30〜60℃
電流密度:0.5〜5A/dm2
めっき時間:6〜60秒
・付着量
Zn:300〜1500μg/dm2
Ni:300〜1500μg/dm2
<クロメート処理層>
・クロメート処理液
K2Cr2O7:2〜10g/L
NaOH:10〜50g/L
ZnSO4 ・7H2O:0.05〜10g/L
・クロメート処理条件
pH:7〜13
浴温:20〜80℃
電流密度:0.05〜5 A/dm2
時間:5〜50秒
・付着量
Cr付着量:15〜100μg/dm2
Zn付着量:30〜200μg/dm2
実施例1〜20、44〜55及び、比較例1〜8のそれぞれで銅合金層に積層させた窒化物セラミックスとしてのAlNは、一般に市販されているものを用いた。
平均粒径1.4μmのAlN粉末に、Yを含む実施例においては、Y源として平均粒径0.8μmのY2O3粉末を用い、Caを含む実施例においてはCa源として平均粒径1.8μmのCaO粉末を用い、表2に記載のY濃度、Ca濃度となるように、Y2O3粉末とCaO粉末を添加し、また実施例43においては表2のO濃度となるように平均粒径1.5μmのA2O3粉末を添加し、ボールミルを用いて粉砕、混合して原料調整した。
次ぎにこの原料にパラフィンワックス6重量%を添加して造粒した後、1000kg/cm2の圧力でプレス成形し、45mm×45mm×3mmの圧粉体とした。この圧粉体を窒素ガス雰囲気中で、まず300℃まで加熱して脱脂した。
その後、前記脱脂済み圧粉体をカーボン型中に収納し、窒素ガス雰囲気中、1800℃で0.5時間常圧焼結することでAlNを主体とした窒化物セラミックス基板を製造した。
TiNについては、純チタンの板(Ti濃度99質量%以上)を、1vol%の水素を含んだ窒素中で1000℃で加熱することで作製した。
(1)サファイア基板を有機洗浄し、基板の昇温性を改善するために裏面に高融点金属モリブデンを蒸着したサファイア基板を、真空に保たれているMBE成長室内の基板ヒーターに設置する。そして、基板を800℃程度まで昇温して、そのまま30分間保持し、サファイア基板表面の高温クリーニングを行う。その後、同温度で基板にRFプラズマで窒素ガスを分解して得た窒素ラジカルを照射してサファイア基板表面を30分間窒化し、表面に薄い窒化アルミニウムを形成する。
(2)RFプラズマセルのシャッターを閉じて基板表面への窒素ラジカルの照射を中断し、基板温度を350℃まで降温する。
(3)その後、GaセルとRFプラズマセルのシャッターを同時に開けて、GaNバッファ層を膜厚20nmとなるまで成長させる。
(4)Gaセルのシャッターを閉じると同時にInセルのシャッターを開き、基板温度350℃のままで、InNバッファ層を膜厚10nmとなるまで成長させる。
(5)InNバッファ層の成長終了後、Inセルのシャッターを閉じ、RFプラズマセルのシャッターを開け、窒素ラジカルだけを試料表面に照射しつづけながら基板を470℃に昇温する。
(6)基板温度が470℃に達したらInセルのシャッターを開き、基板温度470℃でInN層を膜厚2000nmとなるまで成長させる。
なお、以上に述べた実施例及び比較例において、銅合金層および窒化物セラミックス基板中の各元素の濃度は、銅合金層または窒化物セラミックス基板を切断または粉砕した後、一般的に銅合金層または窒化物セラミックス基板を溶かすために用いられる液(例えば硝酸、フッ酸、塩酸またはこれらを混合した酸等)を用いて溶解を行った後に、原子吸光法により定量することができる。また、銅合金層および窒化物セラミックス基板中の酸素濃度、窒素濃度については、銅合金層または窒化物セラミックス基板を切断または粉砕し、LECO社製のO/N同時分析計(TC−300、TC−400、TC−436、TC−500等)にて定量することができる。酸素濃度、窒素濃度が高い場合には、測定する試料の量を少なく(例えば0.01〜0.1g等)して、酸素濃度、窒素濃度を測定すると良い。
このようにして作製した積層体で銅合金層と窒化物セラミックス基板の接合強度を評価するためにピ−ル強度試験を行った。ピ−ル強度試験は、銅板の一端部が基板の外部に5mm程度突出するように、また、接合面積を10mm×10mmとして接合し、これを50mm/minの速度で90度上方に引張り上げるのに要する単位幅当りの力(剥離強度)を算出し、評価した。この結果を表1に示す。
ここで剥離強度は、10kN/m未満の場合は不良品であり、10kN/m以上15kN/m未満の場合は一般的な大きさの強度であると評価する。また、剥離強度が15kN/m以上20kN/m未満の場合は、積層体として用いるに適しており、20kN/m以上30kN/m未満の場合はより良く、さらに、30kN/m以上の場合はさらに良いと考えられる。
従って、実施例1〜55のような銅合金層は、窒化物セラミックス基板と積層させて、パワーデバイス等の積層体に用いることができることが解った。
Claims (17)
- 窒化物セラミックス基板と、該窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に積層された銅合金層とを有し、前記銅合金層が、Si、Mn、Ni、Ti、Al、Ce、Ga、In、P、As、Sb、Nb、Cr、Fe、Li、Be、Mg、Zn、Ge、Co、Mo、B、C、Sn、Y、Pr、Nd、Sm、Zr、Bi、V、W、Tl、Ca、Sr、Ba、Hfから選択される少なくとも一種類の元素を含有する、積層体。
- 前記銅合金層が銅合金板または銅合金箔からなる、請求項1に記載の積層体。
- 前記銅合金層が、Si、Mn、Ni、Ti、Zr、Ce、Hfから選択される少なくとも一種類の元素を含有し、該銅合金層が、Siを含有する場合はSi濃度が0.0001〜3.0質量%であり、Mnを含有する場合はMn濃度が0.0001〜95質量%あり、Niを含有する場合はNi濃度が0.0001〜95質量%であり、Tiを含有する場合はTi濃度が0.0001〜8.5質量%であり、Zrを含有する場合はZr濃度が0.0001〜8.0 質量%であり、Ceを含有する場合はCe濃度が0.0001〜60質量%であり、Hfを含有する場合はHf濃度が0.0001〜20質量%である、請求項1又は2に記載の積層体。
- 前記窒化物セラミックス基板が、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化チタン、窒化ホウ素、窒化インジウム又は窒化ガリウムを主成分とし、あるいは、炭化チタンと窒化チタンとの複合材料、又は、窒化ホウ素と炭化ケイ素との複合材料を主成分としてなる、請求項1〜3のいずれか一項に記載の積層体。
- 窒化アルミニウムを主成分とする前記窒化物セラミックス基板が、Ca、Y、Oからなる群から選択される一種以上の元素を含有し、Caを含む場合には、Ca濃度は0.0001〜3質量%であり、Yを含む場合にはY濃度は0.0001〜10質量%であり、Oを含む場合には、O濃度は0.0001〜20質量%である、請求項4に記載の積層体。
- 前記窒化物セラミックス基板のO含有濃度が0.0001〜20質量%である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の積層体。
- 前記銅合金層の厚みを、1μm〜7000μmとし、前記窒化物セラミックス基板の厚みを、1μm〜7000μmとしてなる、請求項1〜6のいずれか一項に記載の積層体。
- 前記銅合金層と前記窒化物セラミックス基板との剥離強度が15kN/m以上である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の積層体。
- 請求項1〜8のいずれか一項に記載の積層体を有する放熱体。
- 請求項1〜8のいずれか一項に記載の積層体を有するパワーデバイス。
- 請求項1〜8のいずれか一項に記載の積層体を有する素子。
- 請求項1〜8のいずれか一項に記載の積層体を有する電子部品。
- 請求項1〜8のいずれか一項に記載の積層体を有する電子機器。
- 請求項10に記載のパワーデバイスまたは請求項11に記載の素子または請求項12に記載の電子部品を有する車両。
- 銅合金層と窒化物セラミックス基板との積層体を製造するに当り、前記銅合金層が、Si、Mn、Ni、Ti、Al、Ce、Ga、In、P、As、Sb、Nb、Cr、Fe、Li、Be、Mg、Zn、Ge、Co、Mo、B、C、Sn、Y、Pr、Nd、Sm、Zr、Bi、V、W、Tl、Ca、Sr、Ba、Hfから選択される少なくとも一種類の元素を含有するものとし、窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に、前記銅合金層を、熱圧着により積層させる、積層体の製造方法。
- 前記銅合金層が、Si、Mn、Ni、Ti、Zr、Ce、Hfから選択される少なくとも一種類の元素を含有し、該銅合金層が、Siを含有する場合はSi濃度が0.0001〜3.0質量%であり、Mnを含有する場合はMn濃度が0.0001〜95質量%あり、Niを含有する場合はNi濃度が0.0001〜95質量%であり、Tiを含有する場合はTi濃度が0.0001〜8.5質量%であり、Zrを含有する場合はZr濃度が0.0001〜8.0質量%であり、Ceを含有する場合はCe濃度が0.0001〜60質量%であり、Hfを含有する場合はHf濃度が0.0001〜20質量%である、請求項15に記載の積層体の製造方法。
- 前記銅合金層と前記窒化物セラミックス基板とを接合するに際し、窒素もしくはアルゴン雰囲気中または真空中で、800〜1000℃の温度の下、0.6N/mm2〜1.5N/mm2の圧力を作用させることにより、前記銅合金層と前記窒化物セラミックス基板とを接合する、請求項15又は16に記載の積層体の製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020020006A (ja) * | 2018-08-01 | 2020-02-06 | Jx金属株式会社 | セラミックス層と銅粉ペースト焼結体の積層体 |
KR20210043586A (ko) * | 2018-08-28 | 2021-04-21 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 구리/세라믹스 접합체, 절연 회로 기판, 및 구리/세라믹스 접합체의 제조 방법, 및 절연 회로 기판의 제조 방법 |
KR20220054461A (ko) * | 2019-12-02 | 2022-05-02 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 구리/세라믹스 접합체, 절연 회로 기판, 및 구리/세라믹스 접합체의 제조 방법, 절연 회로 기판의 제조 방법 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201601903A (zh) * | 2014-03-20 | 2016-01-16 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 積層體及其製造方法 |
CN105624454B (zh) * | 2016-02-02 | 2017-11-24 | 亳州沃野知识产权服务有限公司 | 一种高强度高过滤通量合金构件的制备方法 |
CN107868656A (zh) * | 2016-09-26 | 2018-04-03 | 罗宇晴 | 导热铝料的组成物及其制造方法 |
JP6965768B2 (ja) * | 2017-02-28 | 2021-11-10 | 三菱マテリアル株式会社 | 銅/セラミックス接合体、絶縁回路基板、及び、銅/セラミックス接合体の製造方法、絶縁回路基板の製造方法 |
TWI746807B (zh) * | 2017-02-28 | 2021-11-21 | 日商三菱綜合材料股份有限公司 | 銅/陶瓷接合體,絕緣電路基板,及銅/陶瓷接合體的製造方法,絕緣電路基板的製造方法 |
US11229209B2 (en) * | 2018-06-27 | 2022-01-25 | Vapor Technologies, Inc. | Copper-based antimicrobial PVD coatings |
CN112359247B (zh) * | 2020-11-16 | 2021-11-09 | 福州大学 | 一种Cu-Hf-Si-Ni-Ce铜合金材料及其制备方法 |
CN115124362B (zh) * | 2022-06-20 | 2023-07-18 | 昆明冶金研究院有限公司北京分公司 | 陶瓷覆铜板及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6484648A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-29 | Kyocera Corp | Aluminum nitride substrate for semiconductor device |
JPH04163946A (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-09 | Toshiba Corp | セラミック回路基板 |
JPH05171317A (ja) * | 1991-12-17 | 1993-07-09 | Tokin Corp | AlN基板メタライズ材料 |
JPH10247698A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-09-14 | Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk | 絶縁性放熱板 |
JP6038389B2 (ja) * | 2014-03-20 | 2016-12-07 | Jx金属株式会社 | 積層体及び、その製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4237459B2 (ja) * | 2002-09-26 | 2009-03-11 | Dowaホールディングス株式会社 | 金属−セラミックス接合体の製造方法 |
-
2015
- 2015-03-20 TW TW104108932A patent/TW201601903A/zh unknown
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-
2016
- 2016-11-02 JP JP2016214888A patent/JP6511424B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6484648A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-29 | Kyocera Corp | Aluminum nitride substrate for semiconductor device |
JPH04163946A (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-09 | Toshiba Corp | セラミック回路基板 |
JPH05171317A (ja) * | 1991-12-17 | 1993-07-09 | Tokin Corp | AlN基板メタライズ材料 |
JPH10247698A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-09-14 | Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk | 絶縁性放熱板 |
JP6038389B2 (ja) * | 2014-03-20 | 2016-12-07 | Jx金属株式会社 | 積層体及び、その製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020020006A (ja) * | 2018-08-01 | 2020-02-06 | Jx金属株式会社 | セラミックス層と銅粉ペースト焼結体の積層体 |
KR20210043586A (ko) * | 2018-08-28 | 2021-04-21 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 구리/세라믹스 접합체, 절연 회로 기판, 및 구리/세라믹스 접합체의 제조 방법, 및 절연 회로 기판의 제조 방법 |
KR102409815B1 (ko) | 2018-08-28 | 2022-06-15 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 구리/세라믹스 접합체, 절연 회로 기판, 및 구리/세라믹스 접합체의 제조 방법, 및 절연 회로 기판의 제조 방법 |
KR20220054461A (ko) * | 2019-12-02 | 2022-05-02 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 구리/세라믹스 접합체, 절연 회로 기판, 및 구리/세라믹스 접합체의 제조 방법, 절연 회로 기판의 제조 방법 |
KR102413017B1 (ko) | 2019-12-02 | 2022-06-23 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 구리/세라믹스 접합체, 절연 회로 기판, 및 구리/세라믹스 접합체의 제조 방법, 절연 회로 기판의 제조 방법 |
US11638350B2 (en) | 2019-12-02 | 2023-04-25 | Mitsubishi Materials Corporation | Copper/ceramic bonded body, insulating circuit board, method for producing copper/ceramic bonded body, and method for producing insulating circuit board |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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