JP2017011007A - 電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 198
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 133
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 59
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 94
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 27
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 3
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- LRUUNMYPIBZBQH-UHFFFAOYSA-N Methazole Chemical compound O=C1N(C)C(=O)ON1C1=CC=C(Cl)C(Cl)=C1 LRUUNMYPIBZBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【解決手段】配線電極42はゲート電極50とテストパッド電極41とを互いにつないでいる。ゲート抵抗層51は、ゲートパッド電極33と、テストパッド電極41および配線電極42の少なくともいずれかとを互いにつないでいる。保護絶縁膜65は、第2の電極32およびゲートパッド電極33の各々を部分的に覆っており、かつゲートパッド電極33のゲートパッド部PGとテストパッド電極41のテストパッド部PTとを露出している。保護絶縁膜65は、外周端EPと、第2の電極32上の第1の内周端ESと、ゲートパッド電極上の第2の内周端EGとを有する。外周端EPと第2の内周端EGとの間の最小距離LGは、外周端EPと第1の内周端ESとの間の最小距離LS以上である。
【選択図】図1
Description
(構成)
図1は、本実施の形態における半導体チップ91(電力用半導体装置)の構成を概略的に示す回路図である。半導体チップ91は、トランジスタ構造TRのゲート電極50と、ゲートパッド部PGとの間に、ゲート抵抗素子としてのゲート抵抗層51を有している。これにより、ゲートパッド部PGに印加されたゲート信号は、ゲート抵抗素子としてのゲート抵抗層51を介して、ゲート電極50に入力される。また半導体チップ91は、ゲート抵抗層51とゲート電極50との間に接続されたテストパッド部PTを有する。これにより、ゲートパッド部PGとテストパッド部PTとの間の電気抵抗を測定することができる。よって、ゲート抵抗素子としてのゲート抵抗層51の抵抗値を知ることができる。
次に半導体チップ91の製造方法について説明する。
上記のようにして得られた複数の半導体チップ91を電気的に並列に接続し、その後、ゲルまたはモールド材によって封止することで、大きな電力容量を有する電力用半導体モジュールを得ることができる。この電力用半導体モジュールは、その内部に設けられた複数の半導体チップ間でのゲート抵抗値のばらつきが小さいので、高周波動作時においても発振現象を生じにくい。なお、後述する他の実施の形態の半導体チップによっても、このような電力用半導体モジュールを製造し得る。
図9は、本実施の形態における半導体チップ92(電力用半導体装置)の構成を、保護絶縁膜65(図2)の図示を省略しつつ概略的に示す上面図である。半導体チップ91は、ゲート抵抗層51(図3)に代わり、複数のゲート抵抗層51Vを有する。ゲート抵抗層51Vの各々は、平面視においてテストパッド電極41の外に配置されており、ゲートパッド電極33と配線電極42とを互いにつないでいる。なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態1の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
前述した実施の形態1においては、耐電圧を測定するステップS50(図6)において、図8に示すように、テストパッド電極41のテストパッド部PTが露出されている。このため耐電圧測定時において、保護絶縁膜65の外周端EPと、テストパッド電極41上に位置する第3の内周端ETとの間での放電を避けるには、外周端EPからテストパッド部PTを、ある程度離して配置する必要がある。たとえば耐電圧3.3kVの場合、第3の内周端ETを外周端EPから1.5mm程度離せば、放電の発生をかなり抑えることができるが、放電を完全に防止することは困難である。第3の内周端ETを外周端EPからより大きく離すことは、半導体チップ91の有効面積の大きな減少につながり得る。
図11は、本実施の形態における半導体チップ94(電力用半導体装置)の構成を概略的に示す部分断面図である。半導体チップ94は、保護絶縁膜65(図5)の代わりに保護絶縁膜66を有している。保護絶縁膜66は、保護絶縁膜65と同様にゲートパッド電極33のゲートパッド部PGを露出しているが、テストパッド電極41のテストパッド部PTは覆っている。
図16は、本実施の形態における半導体チップ95(電力用半導体装置)の構成を概略的に示す部分断面図である。半導体チップ95は、保護絶縁膜65(第1の保護絶縁膜)を有する半導体チップ91(図5)の構成に加えてさらに、保護絶縁膜67(第2の保護絶縁膜)を有している。保護絶縁膜67は、保護絶縁膜65が露出するテストパッド部PTを覆っている。保護絶縁膜67は、ゲートパッド部PGとテストパッド部PTとの間の電気抵抗を測定する工程(図6:ステップS10)の後、かつドレイン電極31とソース電極32との間の耐電圧を測定する工程(図6:ステップS50)の前に形成される。なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態1または2の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
Claims (7)
- 第1の面と、前記第1の面と反対の第2の面とを有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1の面上に設けられた第1の電極と、
前記半導体基板の前記第2の面上に設けられた第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の電流を制御するために前記半導体基板上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極から離れて前記半導体基板の前記第2の面上に設けられ、ゲートパッド部を有するゲートパッド電極と、
前記ゲートパッド電極から離れて前記半導体基板の前記第2の面上に設けられ、前記ゲートパッド電極と前記半導体基板の縁との間に配置され、テストパッド部を有するテストパッド電極と、
前記ゲートパッド電極から離れ、前記ゲート電極と前記テストパッド電極とを互いにつなぐ配線電極と、
前記ゲートパッド電極と、前記テストパッド電極および前記配線電極の少なくともいずれかと、を互いにつなぐ少なくとも1つのゲート抵抗層と、
前記第2の電極および前記ゲートパッド電極の各々を部分的に覆い、かつ前記ゲートパッド電極の前記ゲートパッド部と前記テストパッド電極の前記テストパッド部とを露出する保護絶縁膜と、
を備え、前記保護絶縁膜は、外周端と、前記第2の電極上の第1の内周端と、前記ゲートパッド電極上の第2の内周端とを有し、前記外周端と前記第2の内周端との間の最小距離は、前記外周端と前記第1の内周端との間の最小距離以上である、電力用半導体装置。 - 第1の面と、前記第1の面と反対の第2の面とを有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1の面上に設けられた第1の電極と、
前記半導体基板の前記第2の面上に設けられた第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の電流を制御するために、前記第2の電極から電気的に分離して前記半導体基板上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極から離れて前記半導体基板の前記第2の面上に設けられ、ゲートパッド部を有するゲートパッド電極と、
前記ゲートパッド電極から離れて前記半導体基板の前記第2の面上に設けられ、前記ゲートパッド電極と前記半導体基板の縁との間に配置され、テストパッド部を有するテストパッド電極と、
前記ゲートパッド電極から離れ、前記ゲート電極と前記テストパッド電極とを互いにつなぐ配線電極と、
前記ゲートパッド電極と、前記テストパッド電極および前記配線電極の少なくともいずれかと、を互いにつなぐ少なくとも1つのゲート抵抗層と、
を備える、電力用半導体装置。 - 前記テストパッド電極は、前記ゲート抵抗層上に配置された部分を含む、請求項1または2に記載の電力用半導体装置。
- 前記少なくとの1つのゲート抵抗層は、平面視において前記テストパッド電極の外に配置され、前記ゲートパッド電極と前記配線電極とを互いにつなぐゲート抵抗層を含む、請求項1から3のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。
- 電力用半導体装置を準備する工程を備え、前記電力用半導体装置は、
第1の面と、前記第1の面と反対の第2の面とを有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1の面上に設けられた第1の電極と、
前記半導体基板の前記第2の面上に設けられた第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の電流を制御するために前記半導体基板上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極から離れて前記半導体基板の前記第2の面上に設けられ、ゲートパッド部を有するゲートパッド電極と、
前記ゲートパッド電極から離れて前記半導体基板の前記第2の面上に設けられ、前記ゲートパッド電極と前記半導体基板の縁との間に配置され、テストパッド部を有するテストパッド電極と、
前記ゲートパッド電極から離れ、前記ゲート電極と前記テストパッド電極とを互いにつなぐ配線電極と、
前記ゲートパッド電極と、前記テストパッド電極および前記配線電極の少なくともいずれかと、を互いにつなぐ少なくとも1つのゲート抵抗層と、
前記第2の電極および前記ゲートパッド電極の各々を部分的に覆い、かつ前記ゲートパッド電極の前記ゲートパッド部と前記テストパッド電極の前記テストパッド部とを露出する保護絶縁膜と、
を含み、さらに
前記ゲートパッド電極の前記ゲートパッド部と前記テストパッド電極の前記テストパッド部との間の電気抵抗を測定する工程と、
前記テストパッド電極の前記テストパッド部を絶縁体によって覆いつつ、前記第1の電極と前記第2の電極との間の耐電圧を測定する工程と、
を備える、電力用半導体装置の製造方法。 - 前記ゲートパッド電極の前記ゲートパッド部と前記テストパッド電極の前記テストパッド部との間の電気抵抗を測定する工程の後、かつ前記第1の電極と前記第2の電極との間の耐電圧を測定する工程の前に、前記テストパッド電極の前記テストパッド部を覆う第2の保護絶縁膜を形成する工程をさらに備える、請求項5に記載の電力用半導体装置の製造方法。
- 電力用半導体装置を準備する工程を備え、前記電力用半導体装置は、
第1の面と、前記第1の面と反対の第2の面とを有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1の面上に設けられた第1の電極と、
前記半導体基板の前記第2の面上に設けられた第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の電流を制御するために前記半導体基板上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極から離れて前記半導体基板の前記第2の面上に設けられ、ゲートパッド部を有するゲートパッド電極と、
前記ゲートパッド電極から離れて前記半導体基板の前記第2の面上に設けられ、前記ゲートパッド電極と前記半導体基板の縁との間に配置され、テストパッド部を有するテストパッド電極と、
前記ゲートパッド電極から離れ、前記ゲート電極と前記テストパッド電極とを互いにつなぐ配線電極と、
前記ゲートパッド電極と、前記テストパッド電極および前記配線電極の少なくともいずれかと、を互いにつなぐ少なくとも1つのゲート抵抗層と、
を含み、さらに
前記ゲートパッド電極の前記ゲートパッド部と前記テストパッド電極の前記テストパッド部との間の電気抵抗を測定する工程と、
前記ゲートパッド電極の前記ゲートパッド部と前記テストパッド電極の前記テストパッド部との間の電気抵抗を測定する工程の後に、前記テストパッド電極の前記テストパッド部を覆い、かつ前記ゲートパッド電極の前記ゲートパッド部を露出する保護絶縁膜を形成する工程と、
前記保護絶縁膜を形成する工程の後に、前記第1の電極と前記第2の電極との間の耐電圧を測定する工程と、
を備える、電力用半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015122586A JP6351547B2 (ja) | 2015-06-18 | 2015-06-18 | 電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015122586A JP6351547B2 (ja) | 2015-06-18 | 2015-06-18 | 電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017011007A true JP2017011007A (ja) | 2017-01-12 |
JP6351547B2 JP6351547B2 (ja) | 2018-07-04 |
Family
ID=57764240
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015122586A Active JP6351547B2 (ja) | 2015-06-18 | 2015-06-18 | 電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6351547B2 (ja) |
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JP6351547B2 (ja) | 2018-07-04 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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