JP2016515305A - ラミネートポリマーを使用するプレーナ磁気技術に関する装置および方法 - Google Patents

Abstract

ラミネートポリマーを使用するプレーナ磁気技術に関する装置および方法を開示する。所定の実施形態では、磁気デバイスは、ポリマーラミネート層を備えるベース層を有する。ベース層は、ポリマーラミネート層の第１側に実装される群をなす１つまたは複数の導電性リボンをさらに備えていてもよい。ベース層は、少なくとも１つの切除端を具備する外周を有していてもよい。磁気デバイスは、ベース層上に実装される構造体をさらに備えていてもよい。構造体は、ベース層から離れる側に実装される群をなす１つまたは複数の導電性特徴部を備えていてもよい。構造体は、ポリマーラミネート層を切断し切除端を形成する切断動作を十分に可能とする分だけ切除端から内側に設定される縁部を具備する外周を有していてもよい。

Description

本出願は、参照により本明細書に明示的に援用される「ＤＥＶＩＣＥＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ ＲＥＬＡＴＥＤ ＴＯ ＬＡＭＩＮＡＴＥＤ ＰＯＬＹＭＥＲＩＣ ＰＬＡＮＡＲ ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ（ラミネートポリマーを使用するプレーナ磁気技術に関する装置および方法）」と題する２０１３年３月１１日出願の米国仮特許出願第６１／７７６、５８９号の優先権を主張する。

本開示は、概して磁気技術に関し、特に、ラミネートポリマーを使用するプレーナ磁気技術に関する装置および方法に関する。

インダクタ、トランス、およびチョーク等の従来の磁気デバイスは、通常、磁性コアに巻き付けられる導線を有している。当該磁気デバイスは、広範囲の電気的および／または磁気的用途のために実装可能である。

上述の用途の多くにおいて、プリント基板（ＰＣＢ）等の回路基板上に磁気デバイスを実装する必要がある。従来の多くの貫通孔型磁気デバイスでは、上述のようなＰＣＢ上への実装は、多大な時間を要し、信頼性を欠く。

所定の実施形態では、本開示は、ポリマーラミネート層を備えるベース層を有する磁気デバイスに関する。ベース層は、ポリマーラミネート層の第１側に実装される群をなす１つまたは複数の導電性リボンをさらに備える。ベース層は、少なくとも１つの切除端を具備する外周を有する。磁気デバイスは、ベース層上に実装される構造体をさらに備える。構造体は、ベース層から離れる側に実装される群をなす１つまたは複数の導電性特徴部を備える。

所定の実施形態では、構造体は、ポリマーラミネート層を切断し切除端を形成する切断動作を十分に可能とする分だけ切除端から内側に設定される縁部を具備する外周を有していてもよい。所定の実施形態では、ポリマーラミネート層は、磁性ポリマー材料を含んでいてもよい。

所定の実施形態では、構造体は、磁性ポリマー材料を含んでいてもよい。磁性ポリマー構造体は、ベース層上に形成されてもよい。磁性ポリマー構造体は、ベース層上に印刷または成形されてもよい。

所定の実施形態では、磁性ポリマー構造体は、例えば接着剤の層および／または１つもしくは複数のアンカーピンによってベース層に対して取り付けられ、１つもしくは複数のアンカーピンは、磁性ポリマー構造体およびベース層に形成されるビアの少なくとも一部を貫通して延びてもよい。

所定の実施形態では、群をなす１つまたは複数の導電性リボンは、外端と内端とを有する螺旋状リボンを含んでいてもよい。ベース層は、螺旋状リボンの内端と電気接触する導電性ビアをさらに備えていてもよい。導電性ビアは、螺旋状リボンの内端とベース層の第１側に対向する第２側におけるリボンの所定位置との間で電気接続を得るように構成されてもよい。

所定の実施形態では、群をなす１つまたは複数の導電性リボンは、実質的に平行に配置される複数のストリップを備えていてもよい。ベース層は、ストリップの対応する端部に電気接触する複数の導電性ビアをさらに備えていてもよい。導電性ビアは、ストリップの対応する端部と、ベース層の第１側に対向する第２側における所定位置との間で電気接続を得るように構成されていてもよい。

所定の実施形態では、群をなす１つまたは複数の導電性特徴部は、１つまたは複数の導電性リボンから成る第２の群をなす１つまたは複数の導電性リボンを含んでいてもよい。第２の群をなす１つまたは複数の導電性リボンは、外端と内端とを有する螺旋状リボンを含んでいてもよい。第２群をなす１つまたは複数の導電性リボンは、実質的に平行に配置される複数のストリップを含んでいてもよい。

所定の実施形態では、磁気デバイスは、第２の群をなす１つまたは複数の導電性リボンの上に形成される絶縁層をさらに備えていてもよい。磁気デバイスは、絶縁層上に形成される複数の端子をさらに備え、端子の少なくとも１つは、第１の群をなす１つまたは複数の導電性リボンに対して電気接触し、端子のその他の少なくとも１つは、第２の群をなす１つまたは複数の導電性リボンに対して電気接触してもよい。

所定の実施形態では、群をなす１つまたは複数の導電性特徴部は、磁性ポリマー材料上に実質的に直接形成されてもよい。所定の実施形態では、群をなす１つまたは複数の導電性特徴部は、磁性ポリマー材料上に実質的に直接形成される１つまたは複数の端子を含んでいてもよい。

所定の実施形態では、構造体は、ベース層の第１側に実装されてもよい。磁気デバイスは、ベース層の第２側に実装される第２構造体をさらに備えていてもよい。第２構造体は、ベース層の切除端を形成する切断動作を十分に可能とする分だけ切除端から内側に設定される縁部を具備する外周を有していてもよい。

所定の実施形態では、本開示は、磁気デバイスを製造する方法に関する。当該方法は、ポリマーラミネート層を備えるベース層を形成または設ける工程を含む。ベース層は、ポリマーラミネート層の第１側に実装される群をなす１つまたは複数の導電性リボンのアレイをさらに備える。当該方法は、ベース層上に構造体のアレイを形成または設ける工程をさらに含む。当該方法は、各構造体上に、群をなす１つまたは複数の導電性特徴部を形成する形成工程をさらに含み、１つまたは複数の導電性特徴部の少なくとも一部は、群をなす１つまたは複数の導電性リボンに対して電気的に接続される。当該方法は、ポリマーラミネート層を切断して複数の個別ユニットを構成する工程をさらに含み、個別ユニットのそれぞれは、ベース層上に実装される構造体を有する。

所定の実施形態では、ポリマーラミネート層および構造体のアレイの一方または両方は、磁性ポリマー材料を含んでいてもよい。所定の実施形態では、ポリマーラミネート層の切断工程は、構造体のアレイを切断する工程を含んでいてもよい。

所定の実施形態では、構造体のアレイは、構造体の間に空間を規定するように構成され、空間は、構造体が切削工具に接触することなくポリマーラミネート層の切断工程を可能とする程度に十分大きくてもよい。所定の実施形態では、上述の方法は、導電性ビアを形成することにより、導電性リボンと導電性特徴部との間で電気接続を得る工程をさらに含んでいてもよい。導電性特徴部は、端子を含んでいてもよい。端子の形成工程は、導電層を形成する工程と、パターンで導電層をエッチングすることにより、端子を形成する工程と、を含んでいてもよい。所定の実施形態では、上述の方法は、導電層の形成工程前に、構造体上に絶縁層を形成する工程をさらに含んでいてもよい。

所定の実施形態では、導電性ビアの形成工程は、ポリマーラミネート層を貫通してキャスタレーションビアを形成する工程を含んでいてもよい。キャスタレーションビアは、各構造体の少なくとも片側においてキャスタレーション特徴部を構成するように寸法決めされてもよい。導電性ビアの形成工程は、キャスタレーションビアをめっき加工する工程をさらに含んでいてもよい。

所定の実施形態では、上述の方法は、構造体上に、１つまたは複数の導電性リボンから成る第２の群をなす１つまたは複数の導電性リボンを形成する工程をさらに含んでいてもよい。

所定の実施形態では、本開示は、第１側と、第１側に対向する第２側とを有するポリマーラミネート層を備える磁気デバイスに関する。磁気デバイスは、ポリマーラミネート層の第１側に配置される第１の群をなす１つまたは複数の導電性リボンをさらに備える。磁気デバイスは、群をなす１つまたは複数の導電性ビアをさらに備え、導電性ビアは、ポリマーラミネート層を貫通して延び、第１の群をなす導電性リボンと、ポリマーラミネート層の第２側における１つまたは複数の位置との間で電気接続を得るように、第１の群をなす導電性リボンに対して接続される。

所定の実施形態では、磁気デバイスは、ポリマーラミネート層の第２側に配置される第２の群をなす１つまたは複数の導電性リボンをさらに備えていてもよい。群をなす１つまたは複数の導電性ビアは、第１および第２の群をなす導電性リボンを電気的に接続することにより、ワインディングを構成してもよい。第１および第２の群をなす導電性リボンは、それぞれ、実質的に平行に配置されることにより磁束軸を構成する複数のストリップ状リボンを備え、磁束軸は、電流がワインディングを流れるときに、ポリマーラミネート層の平面に対して実質的に平行となってもよい。第１および第２の群をなす導電性リボンは、それぞれ、螺旋状リボンを備えていてもよい。第１および第２螺旋状リボンは、電気的に接続されることにより、磁束軸を構成し、磁束軸は、電流がワインディングを流れるときに、ポリマーラミネート層の平面に対して実質的に垂直となってもよい。

所定の実施形態では、ポリマーラミネート層は、ワインディング用の磁性コアを構成する磁性体を含んでいてもよい。所定の実施形態では、ワインディングは、入力端子と出力端子とを備えることにより、インダクタンス値を有するプレーナインダクタを構成してもよい。

所定の実施形態では、磁気デバイスは、第２のワインディングをさらに備えていてもよい。第１および第２のワインディングは、相対的に構成および位置決めされることにより、トランスを構成してもよい。第１および第２のワインディングは、共通のポリマーラミネート層上に形成されてもよい。第１および第２のワインディングは、個別のポリマーラミネート層上に形成されてもよい。所定の実施形態では、第１および第２のワインディングに対応するポリマーラミネート層は、積層して配置されてもよい。所定の実施形態では、第１および第２のワインディングは、入れ子状に配置されてもよい。

所定の実施形態では、第１のワインディングおよび第２のワインディングは、それぞれ、インダクタンス値を有するプレーナインダクタとして構成されてもよい。所定の実施形態では、第１のワインディングおよび第２のワインディングは、相対的に構成および位置決めされることにより、トランスを構成してもよい。第１および第２のワインディングに対応する第１および第２の磁束軸は、実質的に同一平面上にあってもよい。第１および第２の磁束軸は、実質的に同軸であってもよい。第１および第２の磁束軸は、実質的に平行であるが、所定距離離れていてもよい。

所定の実施形態では、磁気デバイスは、ポリマーラミネート層の第１および第２側の１つまたは複数に配置される、１つまたは複数のパッケージング層をさらに備えていてもよい。パッケージング層は、ワインディングの１つまたは複数の端子に対して接続される、１つまたは複数の電気端子を備えていてもよい。パッケージング層は、磁気シールドを生じるように構成されてもよい。

所定の実施形態では、本開示は、磁気デバイスを製造する方法に関する。当該方法は、第１側と、第１側に対向する第２側と、を有するポリマーラミネート層を形成または設ける工程を含む。ポリマーラミネート層は、複数の領域を有し、各領域は、個別ユニットに分離可能なように構成される。当該方法は、ポリマーラミネート層の各領域の第１側に、第１の群をなす１つまたは複数の導電性リボンを形成する工程をさらに含む。当該方法は、ポリマーラミネート層の各領域を貫通して延びる群をなす１つまたは複数の導電性ビアを形成する工程をさらに含み、群をなす１つまたは複数の導電性ビアは、第１の群をなす導電性リボンに対して接続されることにより、第１の群をなす導電性リボンと、ポリマーラミネート層の第２側における１つまたは複数の位置との間で電気接続を得る。

所定の実施形態では、上述の方法は、ポリマーラミネート層の各領域の第２側に配置される第２の群をなす１つまたは複数の導電性リボンを形成する工程をさらに含み、群をなす１つまたは複数の導電性ビアは、第１および第２の群をなす導電性リボンを電気的に接続することにより、ワインディングを構成してもよい。所定の実施形態では、上述の方法は、ワインディングに対して複数の端子を形成する工程をさらに含んでいてもよい。所定の実施形態では、上述の方法は、ポリマーラミネート層が分割されていない状態でワインディングの端子に対する電気接触を行うことによって、１つまたは複数の検査を行う工程をさらに含んでいてもよい。

所定の実施形態では、上述の方法は、ポリマーラミネート層を分割することにより、複数の領域に対応する複数の個別の磁気デバイスを構成する工程をさらに含んでいてもよい。所定の実施形態では、上述の方法は、個別の磁気デバイスを非磁気デバイスと組み合わせることにより、一体型部品パッケージを構成する工程をさらに含んでいてもよい。所定の実施形態では、上述の方法は、分離前の個別ユニットのそれぞれに対して非磁気デバイスを連結する工程をさらに含んでいてもよい。

幾つかの実施の例において、本開示は、第１側と第２側とを有するポリマーラミネート層を備える第１プレーナ部品を有する表面実装可能な磁気デバイスに関する。第１プレーナ部品は、プレーナ磁気機能を得るようにポリマーラミネート層の第１および第２側の一方または両方に実装される１つまたは複数の導電性パターンをさらに備える。表面実装可能な磁気デバイスは、第１プレーナ部品の第１側に対して連結される第２プレーナ部品をさらに備える。第２プレーナ部品は、磁気デバイスの表面実装を可能とするように構成される複数の端子を備える。表面実装可能な磁気デバイスは、１つまたは複数の導電性パターンと複数の端子との間で電気接続を得るように実装される、複数の接続特徴部をさらに備える。

所定の実施形態では、第１プレーナ部品のポリマーラミネート層は、分割プロセスの結果生じる少なくとも１つの切除端を有する外周を備え、分割プロセスによって、表面実装可能な磁気デバイスを、複数の類似デバイスの１つとして構成してもよい。複数の類似デバイスは、分割プロセス前に、少なくとも部分的にアレイ状に製造されてもよい。

所定の実施形態では、表面実装可能な磁気デバイスは、第１プレーナ部品の第２側に対して連結される第３プレーナ部品をさらに備えていてもよい。第３プレーナ部品は、１つまたは複数の導電性パターンに対して電気的に接続される複数の端子を備えていてもよい。第３プレーナ部品は、複数の端子と共に磁気デバイスの表面実装を可能とするように構成されてもよい。所定の実施形態では、第２および第３プレーナ部品の端子は、終端間および上下間の一方または両方で接続対称性が得られるように構成されてもよい。

所定の実施形態では、第２プレーナ部品は、第１プレーナ部品と複数の端子との間でパッケージング機能が得られるように構成されるパッケージング層を備えていてもよい。

所定の実施形態では、第２プレーナ部品は、磁性ポリマー材料から形成されるプレーナ構造体を含んでいてもよい。プレーナ構造体は、ポリマーラミネート層を切断する切断動作を十分に可能とする分だけ第１プレーナ部品のポリマーラミネート層の切除端から内側に設定される縁部を有する外周を有していてもよい。表面実装可能な磁気デバイスは、磁性ポリマー材料から形成されるプレーナ構造体を有する第３プレーナ部品をさらに備えていてもよい。

所定の実施形態では、第２プレーナ部品の端子は、プレーナ構造体の外面上に形成される導電層からパターニングされてもよい。所定の実施形態では、第２プレーナ部品は、プレーナ構造体の外面上に形成される導電体パターンをさらに備えていてもよい。第２プレーナ部品は、プレーナ構造体の外面上に形成される導電体パターンを実質的に覆う絶縁層をさらに備えていてもよい。第２プレーナ部品の端子は、絶縁層の外面上に形成される導電層からパターニングされてもよい。

所定の実施形態では、第１および第２プレーナ部品の一方または両方は、磁性体を含んでいてもよい。所定の実施形態では、複数の接続特徴部は、１つまたは複数の導電性ビアを含んでいてもよい。

所定の実施形態では、表面実装可能な磁気デバイスは、表面実装機能を保持するように磁気デバイスに対して連結される非磁気デバイスをさらに備えていてもよい。磁気デバイスおよび非磁気デバイスは、積層して配置されるか、左右に配置されるか、終端間で配置されてもよい。磁気デバイスおよび非磁気デバイスは、一体型部品パッケージとして組み合わせられてもよい。

本開示を要約する目的で、発明の幾つかの態様、効果、および新規の特徴がここで説明されている。なお、これら効果の全てが、必ずしも、発明の特定の実施形態に従って達成されなくてもよいことが理解されよう。したがって、発明は、ここで教示されるような効果または効果群を、ここで教示または示唆されるようなその他の効果を達成する必要なく、達成または最適化する方法で具現化または実行されてもよい。

１つまたは複数の誘導素子を有するラミネート層ベースのデバイスを示す図である。 所定の実施形態では１つまたは複数の誘導素子を有するラミネート層ベースのデバイスが１つまたは複数の磁性体も備えることを示す図である。 所定の実施形態では図１および／または図２の積層デバイスが磁気部品として実装されることを示す図である。 ここで述べるような１つまたは複数の特徴を有するデバイスが、パッケージングされたデバイスとして実装されることを示す図である。 誘導素子を構成する複数の導体特徴部を有する積層デバイスの例を示す。 導電性リボンがラミネート層の片側に形成される例を示す図である。 導電性リボンがラミネート層の両側に形成される例を示す図である。 幾つかの実施の例において、ここで述べるような１つまたは複数の特徴を有するデバイスがアレイ状に製造されることを示す図である。 幾つかの実施の例において、ここで述べるような１つまたは複数の特徴を有するデバイスがアレイ状に製造されることを示す図である。 導電性リボンおよびビア等の導電性特徴部がラミネート層の上およびその中にどのように形成されるかの例を示す図である。 導電性リボンおよびビア等の導電性特徴部がラミネート層の上およびその中にどのように形成されるかの別の例を示す図である。 第１および第２のワインディングが、それらの磁束軸が実質的に同軸であるが長手方向にオフセットするように配置される、例示的な構造を示す図である。 第１および第２のワインディングが、それらの磁束軸が実質的に同軸であるが長手方向にオフセットするように配置される、例示的な構造を示す図である。 第１および第２のワインディングが、それらの磁束軸が実質的に平行であるが横方向にオフセットするように配置される、例示的な構造を示す図である。 第１および第２のワインディングが、それらの磁束軸が実質的に平行であるが横方向にオフセットするように配置される、例示的な構造を示す図である。 図１２Ｂの例と同様の例示的な構造の斜視図を示す図である。 所定の実施形態では第１および第２のワインディングが異なる平面上に位置することを示す図である。 別のワインディング内に入れ子になっているワインディングを備えるアセンブリの例示的製造プロセスの各種図面および段階を示す図である。 別のワインディング内に入れ子になっているワインディングを備えるアセンブリの例示的製造プロセスの各種図面および段階を示す図である。 別のワインディング内に入れ子になっているワインディングを備えるアセンブリの例示的製造プロセスの各種図面および段階を示す図である。 別のワインディング内に入れ子になっているワインディングを備えるアセンブリの例示的製造プロセスの各種図面および段階を示す図である。 別のワインディング内に入れ子になっているワインディングを備えるアセンブリの例示的製造プロセスの各種図面および段階を示す図である。 積層基板上に形成される導電性リボンが螺旋状である構成を示す図である。 ２つのワインディングが、それらを流れる電流が互いに増幅する磁場を生成するように、どのように接続されるかを示す図である。 ２つのワインディングが、それらを流れる電流が互いに増幅する磁場を生成するように、どのように接続されるかを示す図である。 それぞれが１つまたは複数の螺旋状リボンを有する２つの個別のラミネート層を有する構成を示す図である。 所定の実施形態では積層基板の所定面に２つ以上の螺旋状リボンが設けられることを示す図である。 リボンストリップを有する１つまたは複数のデバイスが、１つまたは複数のリボン螺旋体と共に積層される構成を示す図である。 積層基板が磁性体から形成される構成を示す図である。 積層基板が磁性体から形成される構成を示す図である。 磁性体が積層デバイスを部分的に占める構成を示す図である。 磁性体が積層デバイスを部分的に占める構成を示す図である。 図２１Ａおよび図２１Ｂの積層デバイスがどのように製造されるかの例を示す図である。 図２１Ａおよび図２１Ｂの積層デバイスがどのように製造されるかの例を示す図である。 図２１Ａおよび図２１Ｂの積層デバイスがどのように製造されるかの例を示す図である。 図２１Ａおよび図２１Ｂの積層デバイスがどのように製造されるかの例を示す図である。 図２１および図２２の部分的磁性領域構成がどのように異なるかの例を示す図である。 図２１および図２２の部分的磁性領域構成がどのように異なるかの例を示す図である。 図２３Ａおよび図２３Ｂの積層デバイスがどのように製造されているかの例を示す図である。 図２３Ａおよび図２３Ｂの積層デバイスがどのように製造されているかの例を示す図である。 図２３Ａおよび図２３Ｂの積層デバイスがどのように製造されているかの例を示す図である。 図２３Ａおよび図２３Ｂの積層デバイスがどのように製造されているかの例を示す図である。 図２３Ａおよび図２３Ｂの積層デバイスがどのように製造されているかの例を示す図である。 図２３Ａおよび図２３Ｂの積層デバイスがどのように製造されているかの例を示す図である。 プレーナ磁気デバイスを有するパッケージングされたデバイスの側面図および平面図を示す図である。 プレーナ磁気デバイスを有するパッケージングされたデバイスの側面図および平面図を示す図である。 所定のパッケージング層上に実装可能な電気接触特徴部の例を示す図である。 所定のパッケージング層上に実装可能な電気接触特徴部の例を示す図である。 所定のパッケージング層上に実装可能な電気接触特徴部の例を示す図である。 層から成る積層体が複数のデバイスのアレイを規定する例示的な構造の平面図を示す図である。 図２７の例示的な構造の側断面図を示す図である。 所定の実施形態では積層体における１つまたは複数の層が分割切断される材料の量を抑制するように寸法決めされていることを示す図である。 構造体が実装されるベース層の例を示す図である。 構造体が実装されるベース層の別の例を示す図である。 図２９〜図３１の例示的ベース層および構造体を基礎とする、プレーナ磁気デバイスを製造するために実施されるプロセスを示す図である。 図３２のプロセスの各種工程に実質的に対応する各種製造段階の例を示す図である。 図２９〜図３１を参照して述べられる例示的ベース層および構造体を基礎とする、プレーナ磁気デバイスを製造するために実施される別のプロセスを示す図である。 図３４のプロセスの各種工程に実質的に対応する各種製造段階の例を示す図である。 磁性ポリマー構造体がどのようにベース層上に実装されるかの例を示す図である。 磁性ポリマー構造体がどのようにベース層上に実装されるかの例を示す図である。 磁性ポリマー構造体がどのようにベース層上に実装されるかの例を示す図である。 所定の実施形態では構造体の２つ以上の層がベース層上に形成または設けられることを示す図である。 付加的な層がベース層の片側に実装される構成を示す図である。

以下において見出しが記載されている場合、それら見出しは便宜上のみのものであり本発明の範囲または意義に必ずしも影響を与えるものではない。

磁気部品（例えばインダクタ、トランス、およびチョーク等）は、一般に、ワイヤが巻き付けられた磁性コアを有している。所定の実施形態では、セラミックインダクタ、非セラミックインダクタ、トランス、およびチョーク等のデバイスを製造するのにプレーナ技術を利用可能である。

ここで述べられるのは、ラミネート技術に基づく磁気部品に関する装置および方法の各種例である。当該部品としては、例えば、プリント基板（ＰＣＢ）上に実装可能なインダクタ、トランス、およびチョークを含んでいてもよい。これらの技術を利用することの利点は、電気性能の向上、ＰＣＢ空間要件の緩和、高い品質、良好な長期信頼性、および低い製造コスト等であり得る。

図１は、１つまたは複数の誘導素子１０２を有する、ポリマーラミネート層ベースのデバイス１００を概略的に示している。ここで述べるように、このような誘電素子は、インダクタ、トランス、およびチョーク等の磁気デバイスとして実装可能である。ポリマー層に関して述べるが、本開示の１つまたは複数の特徴は、その他の種類のラミネート層においても実施可能であることが理解されよう。

所定の実施形態では１つまたは複数の誘導素子１０２を有するポリマーラミネート層ベースのデバイス１００が１つまたは複数の磁性体１０４も有することを、図２に概略的に示す。当該磁性体の例についてここでより詳細に説明する。

所定の実施形態では図１および／または図２の積層デバイス１００が磁気部品１１０として実装されることを、図３に概略的に示す。そのような磁気部品は、インダクタ、トランス、および／またはチョークを含んでいてもよい。これらの例示的部品について述べるが、本開示の１つまたは複数の特徴は、その他の種類のデバイスにおいて実施可能であることが理解されよう。

ここで述べられるような１つまたは複数の特徴を有するデバイスは、通常パッキングされずに利用されるか、図４に示すように、パッケージングされたデバイス１２０内において実装されてもよい。当該パッケージングされたデバイスは、図３に示す１つまたは複数の磁気部品１１０を有していてもよい。

図５は、誘導素子を構成する複数の導体特徴部を有する積層デバイス１３０の例を示している。導体特徴部は、ポリマーラミネート層１３２の表面上またはその近傍に形成された複数の導電性リボン１３４を含んでいてもよい。導電性リボン１３４の端部は、層貫通導電性ビア１３６に対して電気的に接続されるように示されている。

所定の実施形態では、導電性リボンはポリマーラミネート層の片側に形成されてもよい（例えば、図６）。一例として、当該構成は、別のポリマーラミネート層と組み合わされ、複数の導電性ワインディングを形成可能であり、当該導電性ワインディングは導電性リボンおよびビアを介して電気的経路を構成する。

所定の実施形態では、導電性リボンは、ポリマーラミネート層の両側に形成されてもよい（例えば、図７）。当該構成により、一例として、複数の導電性ワインディングを有する内蔵型の層を構成でき、当該導電性ワインディングは導電性リボンおよびビアを介して電気的経路を構成する。

説明を目的として、ポリマーラミネート層は、プリント基板（ＰＣＢ）に利用される任意の材料から形成される層であってもよく、当該材料は、例えば、銅箔、ＦＲ４、およびプリプレグを含んでいてもよい。なお、所定のポリマーラミネート層は、単層であってもよく、２層以上の複層から成る複合物であってもよいことが理解されよう。ここで述べるように、ポリマーラミネート層は、１つまたは複数の導電性特徴部を有していてもよく、当該導電性特徴部は、外面の一方または両方の上において、ワインディングおよび／または導電トレースを形成する直線状および／または曲線状のリボンを有していてもよい。ここで述べるように、ポリマーラミネート層は、誘導素子用の磁性コアを構成し得るポリマー磁性体を含んでいてもよいし含まなくてもよい。一例として、ポリマー磁性体は、鉄粉、フェライト粉、これらの材料および／またはその他金属の化合物／混合物、ポリマー樹脂、不活性充填剤、および潤滑剤から構成可能である。所定の実施形態では、導電性ポリマー膜、あるいは、銅箔またはニッケルめっき銅箔を含む金属箔等の導電層を、ポリマーラミネート層の片面または両面上に積層可能であり、当該ポリマーラミネート層は、その全体または一部がポリマー磁性体で任意に構成可能である。その他の実施形態において、例えばめっき加工、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ蒸着、および当該分野で公知のその他の方法によって、ポリマーラミネート層の片面または両面上に金属を堆積可能である。導電性特徴部は、例えば選択領域のマスキング、ならびに、その他の選択領域の除去により、導電性リボン、導電トレース、導体パッド、または端子を形成することによって、単層または複数層の導電層から形成可能である。任意で、これらの導電性特徴部は、例えばレーザ掘削または機械掘削によって形成される層貫通ビアに接続されてもよい。これらのビアは、任意で、積層体のその他の領域と共にめっき加工され、１つまたは複数の層を貫通する導体を形成してもよい。あるいは、これらのビアにはポリマー絶縁材料（非導電性材料）が充填され、絶縁体が充填されたビアの内側において同心円状に小径のビアを掘削し、続いてめっき加工を行う。これにより、導電層を貫通する導体を形成可能であり、当該導電層においては、導体は、これらの導電層から電気的に絶縁されるが、デバイスの外面上において端子を形成する層等のその他の導電層に対して接続される。これらの例示的技術を使用して、複雑な構造が形成可能であり、積層構造内において、外部端子を１つまたは複数の導電層に対して接続されていてもよいが、その他の導電層から電気的に絶縁される。

所定の実施形態ではポリマーラミネート層の片側において導電性リボン等の１つまたは複数の導電性特徴部が設けられていることを、図６に示す。例示的な構造１４０は、ポリマーラミネート層１４２の表面に形成される複数の導電性リボン１４４の平面図を示す。当該導電性リボンは、それらが位置する面からポリマーラミネート層１４２を貫通して延びる導電性ビア１４６のそれぞれに対して電気的に接続されるように示されている。ここで述べるように、導電性ワインディングのアセンブリは、好適に構成された２つのデバイス１４０を、ビアが電気的に接続され、導電性リボンが２つの外面上に位置するように組み合わせることによって形成可能である。また、ここで述べるように、１つまたは複数のワインディングを構成する１つまたは複数の層が２つのデバイス１４０の間に挿入されていてもよい。

所定の実施形態ではポリマーラミネート層の両側において導電性リボン等の導電性特徴部が設けられていることを、図７に示す。例示的な構造１５０は、ポリマーラミネート層１５２の第１面（例えば、上面）に形成される複数の導電性リボン１５４の平面図を示す。同様に、複数の導電性リボン１５８が、ポリマーラミネート層１５２の第２面（例えば、下面）上に形成されるように示されている。これらの導電性リボン１５４、１５８は、それらが位置する２つの面の間でポリマーラミネート層１５２を貫通して延びる導電性ビア１５６のそれぞれに対して電気的に接続されるように示されている。

図示の例において、第１面および第２面上に形成されビア１５６を介して接続される導電性リボン１５４、１５８は、導電トレース１５５ａ、１５５ｂおよびそれらに対応する層貫通めっきビア１６０ａ、１６０ｂの間にワインディングを形成しており、そのような層貫通ビア１６０ａ、１６０ｂは、次の製造工程で、完成したパッケージの外側において端子に対して電気的に接続され得る。図２５Ａ〜図２５Ｂ、図２６Ａ〜図２６Ｃ、および図３２〜図３５を参照して、そのような外部端子の例をここでさらに詳細に述べる。図２５Ｂおよび図２６Ａ〜図２６Ｃにおける例示的な端子は、第２面上に位置するように示されているが、そのような端子は、第１面上に位置してもよくあるいはその組合せであってもよい。図７の例において、層貫通めっきビアを有するワインディングの端部を相互に接続する導電トレースについて述べているが、その他の種類の接続構造を実施可能であることが理解されよう。

所定の実施形態ではここで述べられる例の幾つかまたは全てにあるようなデバイスがアレイとして製造されていることを、図８Ａおよび図８Ｂに示す。図８Ａの例示的な構造１７０において、ポリマーラミネート層１７２ａ〜１７２ｄおよびそれに対応する導電性特徴部が共通のシート上に形成されるように示されている。各ワインディングは、図７を参照して述べたワインディングと同様に、ワインディングの端部を対応する層貫通めっきビアに対して相互に接続する導電トレースを含むように示されている。部分的または全体的な完成時に、これらのデバイスは、例えば、個別のデバイスに分割可能である。所定の実施形態では、分割ライン１７４、あるいは、デバイスの分離を容易にするように構成されるその他の特徴部によって容易に分割を行うことができる。分割後、層貫通めっきビア（例えば、分割ライン上に位置する層貫通ビア）は、図２５Ａおよび２５Ｂに示すように、各端部において上下一対の端子のそれぞれを接続するキャスタレーションになり得る。

図８Ｂは、２つのポリマーラミネート層１７２ａ、１７２ｂおよびそれに対応する導電性特徴部を備える例示的な構造１７１を示す。各ポリマーラミネート層は、導電トレース１７５および層貫通めっきビア１７６によって接合される２つのワインディングを備えるように示されている。これら２つのワインディングから成るアセンブリのそれぞれは、その２つの端部において、図７を参照して述べるようなものと同様の導電トレースおよびそれに対応する層貫通めっきビアを備えていてもよい。層貫通めっきビア１７６によって、２つのワインディングの間のポイントにおける電気接続を得ることができる。

図９および図１０は、導電性リボンおよびビア等の導電性特徴部がポリマーラミネート層の上およびその中にどのように形成されるかの例を示している。図９Ａは、導電層２０１が形成された（例えば、ポリマーラミネート層２００の上面に対して積層されている）ポリマーラミネート層２００の側断面図を示している。図９Ｂにおいて、複数の層貫通ビア２０２が、導電層２０１およびポリマーラミネート層２００を貫通して形成可能である。所定の実施形態では、当該ビアは、例えば機械掘削またはレーザ掘削によって形成可能である。図９Ｃは、形成時において、ビア２０２が導電体でめっき加工されることにより、ポリマーラミネート層２００の両側の間において導電性ビア２０４を形成することを示す。このようなめっきは、ビア２０２の内側に付着し、ポリマーラミネート層２００の上面の上の導電層２０１の外面にも付着し得る。このようなめっきを使用して導電層２０１の外面を被覆することによる導電性ビア２０４と導電層２０１との電気接続は、破線領域２０５によって示されている。めっきによって、導電層２０１の電気抵抗および／または耐熱性を低下させることができる。

所定の実施形態では、上部導電層２０１およびめっき被覆膜と同様の導電層が、ポリマーラミネート層２００の下面にも形成されていてもよい。そのような構成において、上部導電層２０１および下部導電層（不図示）は、上述の導電性ビア２０４の一部または全部を介して電気的に接続されていてもよい。図９Ｄにおいて、導電性リボン２０６は、２つの導電性ビア２０４を電気的に接続するようにポリマーラミネート層２００の上面において導電層２０１から形成されるように示されている。これらの導電性リボンは、例えば、前述のような導電層のポリマーラミネート層２００に対する積層、それに続いて、マスク蒸着、マスクエッチング、レーザパターニング、めっき加工、またはそれらの組合せにより形成可能であり、マスキング、めっき等の金属の蒸着、ならびに、金属エッチングのプロセスと関連するアセンブリ公知の技術を利用して形成可能である。図９Ｄにおいて、２０７で示される領域は、導電層２０１の選択領域が（例えば、エッチングにより）除去され、ここで述べられるような導電性特徴部（例えば、導電性リボン）が構成される例である。所定の実施形態では、同様の導電性リボンが、ポリマーラミネート層２００の下面に形成可能である。

所定の実施形態では、前述のめっき（例えば、導電層２０１の電気抵抗および／または耐熱性を低下するように構成される）は、選択的なめっき厚付けプロセスによって得ることが可能である。このようなめっき厚付け加工において、１つまたは複数の付加的なめっき加工サイクルが行われることにより、めっきの厚さを所望の構成まで高めることが可能である。例えば、これらの付加的なめっき加工サイクルは、フォトリソグラフィ工程を含み、当該フォトリソグラフィ工程は、マスキングに続く、めっき加工、および選択的エッチングまたはフォトマスク除去動作に関連する。

図９Ｄの例において、導電性リボン２０６は上面の上方に突出するように示されている。さらに、導電性ビア２０４は導電性壁を有するように示されている。図１０はその他の構成も可能であることを示す。例えば、凹状通路が導電性リボンを受けるために形成されていてもよく、導電性リボンは少なくとも部分的に凹状通路内に位置する。別の例において、層貫通ビアが導電性リボンの形成後に形成可能である。さらに別の例において、層貫通ビアは、実質的に導電体で充填可能である。その他の変形例も実施可能である。

図１０Ａに示すように、ポリマーラミネート層２１０が設けられていてもよい。図１０Ｂは、凹状通路２１２がポリマーラミネート層２１０の片側または両側に形成されてもよいことを示している。図１０Ｃは、凹状通路２１２内に形成される導電性リボン２１４の端部断面図を示す。図１０Ｄは、導電性リボン２１４およびポリマーラミネート層２１０を貫通して形成されるビア２１６を示す。所定の実施形態では、金属等の導電体２１８でビアが充填されることにより、上面における導電性リボン２１４を下面における別の導電性特徴部（不図示）に対して電気的に接続することを、図１０Ｅに示す。

幾つかの実施の例において、図５〜図１０の例のような２つ以上のワインディングは互いに相対的に位置決めされトランス等の磁気デバイスを構成可能である。第１および第２のワインディングがそれらの磁束軸が実質的に同軸であるが長手方向にオフセットするように配置されることを、図１１Ａおよび１１Ｂに示す。第１および第２のワインディング３０２、３０４が、共通の基板層３０６上に配置されるように、図１１Ａの例示的な構造３００に示す。そのようなワインディングは、共通の基板層上において互いに相対的に位置決めされ、第１および第２のワインディング３０２、３０４の間で所望の磁気結合を得ることが可能である。磁束軸３０５は第１のワインディング３０２に対して示され、磁束軸３０７は第２のワインディング３０４に対して示されている。図示の例において、第１および第２の磁気軸３０５、３０７は、実質的に同軸であり長手方向にオフセットしていてもよい。

第１および第２のワインディング３１２、３１４が個別の基板層３１６、３１８上に配置されるように、図１１Ｂの例示的な構造３１０において示す。そのような個別の基板層は、互いに相対的に寸法決めされるか、互いに相対的に位置決めされるか、その両方であり、第１および第２のワインディング３１２、３１４の間で所望の磁気結合を得ることが可能である。磁束軸３１５は、第１のワインディング３１２に対して示され、磁束軸３１７は、第２のワインディング３１４に対して示されている。図示の例において、第１および第２の磁気軸３１５、３１７は、実質的に同軸であり長手方向にオフセットしていてもよい。

第１および第２のワインディングがそれらの磁束軸が実質的に平行であるが横方向にオフセットするように配置されることを、図１２Ａおよび１２Ｂに示す。第１および第２のワインディング３２２、３２４が共通の基板層３２６に配置されるように、図１２Ａの例示的な構造３２０において示す。そのようなワインディングは、共通の基板層上において互いに相対的に位置決めされ、第１および第２のワインディング３２２、３２４の間で所望の磁気結合を得ることが可能である。磁束軸３２５は第１のワインディング３２２に対して示され、磁束軸３２７は第２のワインディング３２４に対して示されている。図示の例において、第１および第２の磁気軸３２５、３２７は、実質的に平行であり、横方向にオフセットしていてもよい。第１および第２の磁気軸３２５、３２７は、また、互いに対向し、その他の所望の磁気特性を得てもよい。このような例は、共通の基板層３２６内に円形の磁場を生成するものであってもよい。この構造は、円形の磁場の中心において開口部を有することにより、磁場が所望の磁気特性を得るように直接補助してもよい。別の実施形態において、共通の基板層３２６における１つまたは複数の開口部は、例えば打ち抜き、レーザ掘削、または機械掘削によって形成可能であり、そのような開口部は、ギャップを形成するためにガスまたは非導電性材料で充填される。そのようなギャップは、一般に、特にトランス等の磁気デバイスの構造において利用され、そのような磁気デバイスは、磁場の特性を変更することによって所望の磁気特性を得ることが可能である。

第１および第２のワインディング３３２、３３４が個別の基板層３３６、３３８に配置されるように、図１２Ｂの例示的な構造３３０に示す。そのような個別の基板層は、互いに相対的に寸法決めされるか、互いに相対的に位置決めされるか、その両方であり、第１および第２のワインディング３３２、３３４の間で所望の磁気結合を得ることが可能である。磁束軸３３５は、第１のワインディング３３２に対して示され、磁束軸３３７は、第２のワインディング３３４に対して示されている。図示の例において、第１および第２の磁気軸３３５、３３７は、実質的に平行であり、横方向にオフセットしていてもよい。第１および第２の磁気軸３３５、３３７は、必要に応じてまたは要望通りに、互いに対向することによって図１２Ａを参照して述べるような例示的な所望の誘導特性を得てもよい。

図１２Ｃは、図１２Ｂの例と同様の例示的な構造３４０の斜視図を示している。スペーサ３４６が第１および第２のワインディング３４２、３４４に対応する基板層の間に配置されるように、この例では示されている。スペーサ３４６は、そのような２つの基板層の間において所望の離間間隔および／または所望のアライメントを得るように寸法決めされていてもよい。所定の実施形態では、スペーサ３４６は電気絶縁材料で形成されてもよい。所定の実施形態では、スペーサ３４６は、非磁性体、磁性体、またはそれらの組合せから形成されてもよい。

図１１および１２を参照して述べられる例において、第１および第２のワインディングは、実質的に共通の平面上に位置している。所定の実施形態では第１および第２のワインディングが異なる平面に位置することを、図１３に示す。対応する第１のワインディング３５２を有する第１の基板層が、対応する第２のワインディング３５４を有する第２の基板層の上方に位置することを、例示的な構造３５０において示す。所定の実施形態では、スペーサ層３５６は、第１および第２の基板層の間に配置されてもよい。スペーサ層３５６は、そのような２つのワインディング３５２、３５４の間において所望の離間間隔および／または所望の電気絶縁を得るように寸法決めされていてもよい。

図示の例において、第１および第２の基板層ならびにスペーサ層３５６は、互いに積層され積層構造を構成してもよい。所定の実施形態では、スペーサ層３５６は電気絶縁材料から形成されてもよい。所定の実施形態では、スペーサ層３５６は、非磁性体、磁性体、またはそれらの組合せから形成されてもよい。

所定の実施形態では、ワインディングが別のワインディング内に入れ子にされてもよい。図１４Ａ〜図１４Ｅはそのような構成の例を示している。図１４Ａは、サブアセンブリ３６０、３７０、３８０を有する積層アセンブリの分解斜視図を示し、図１４Ｂ〜図１４Ｅは、そのような入れ子構造を得るために行われる例示的な製造プロセスの各種段階を示している。

図１４Ｂにおいて、基板層３６２の片側において複数の導電性リボン３６４を有するアセンブリ３６０が形成または設けられている。図１４Ａ〜図１４Ｅの説明を目的として、層貫通ビアは、この段階では形成されていない。しかしながら、アセンブリ３６０は、この段階において形成されるビアを有していてもよいことが理解されよう。

図１４Ｃにおいて、基板層３７２の両側のそれぞれにおいて複数の導電性リボン３７４を有するアセンブリ３７０が形成または設けられている。所定の実施形態では、アセンブリ３７０は、対応する導電性リボン３７４に対して接続するビア３７６をさらに有していてもよい。所定の実施形態では、当該アセンブリ３７０は、アセンブリ３６０の導電性リボンを有さない側の上方（矢印３７８）に位置してもよい。所定の実施形態では、アセンブリ３７０は、アセンブリ３６０上に直接位置してもよい。

図１４Ｄにおいて、基板層３８２の片側において複数の導電性リボン３８４を有するアセンブリ３８０が形成または設けられている。図１４Ａ〜図１４Ｅの説明を目的として、層貫通ビアは、この段階では形成されていない。しかしながら、アセンブリ３８０は、この段階において形成されるビアを有していてもよいことが理解されよう。所定の実施形態では、アセンブリ３８０およびアセンブリ３６０の導電性リボンを有していない側が互いに対向するような方向に向けられたときに、アセンブリ３８０は、アセンブリ３６０を補完する。所定の実施形態では、そのようなアセンブリ（３８０）は、既にアセンブリ３６０の上方に位置しているアセンブリ３７０の上方（矢印３８６）に位置してもよい。所定の実施形態では、アセンブリ３８０は、アセンブリ３７０上に直接位置してもよい。

図１４Ｅは、互いに積層されて積層アセンブリ３９０を構成するアセンブリ３６０、３７０、３８０を示している。複数の導電性ビア３９４が対応する導電性リボン３６４（アセンブリ３６０に形成）、３８４（アセンブリ３８０に形成）に接続されるように形成されていることを示している。所定の実施形態では、導電性ビア３９４は、機械掘削またはレーザ掘削によって基板層３８２、３７２、３６２および導電性リボン３８４、３６４を貫通して形成可能である。

所定の実施形態では、中間層３７０に対応するワインディングの横寸法は、上層および下層３８０、３６０に対応するワインディングの横寸法よりも小さくなるように選択されていてもよい。そのような構成によって、中間層３７０のワインディングが上層および下層３８０、３６０に対応するワインディング内に入れ子可能となる。また、このような構成によって、ビア３９４が、中間層３７０の入れ子状態にあるワインディングに影響を与えることなく形成可能である。

導電性リボンが実質的に直線のストリップとなることを、図５〜図１４を参照してここで述べられる各種例において示す。なお、そのような導電性リボンはその他の形状を有していてもよく、異なるワインディング構造に適応するために湾曲したり屈曲していてもよいことが理解されよう。図１５は、積層基板４０２上に形成される導電性リボン４０４が螺旋形状を有する例示的な構造４００を示す。

螺旋状リボン４０４の第１端部（例えば、外側端部）および第２端部（例えば、内側端部）は、積層基板４０２を貫通して延びる対応する導電性ビア４０６、４０８に接続されていてもよい。別の螺旋状リボンが反対側（図１５においては不図示）に設けられている構成においては、導電性ビア４０６、４０８の一方または両方は、上部螺旋状リボンの下部螺旋状リボンに対する接続を容易にする。積層基板４０２が別のポリマーラミネート層と共に利用される構成においては、導電性ビア４０６、４０８は、螺旋状リボンのある導電性リボン（例えば、別の螺旋状リボン）に対する接続を容易にする。

幾つかの実施の例において、所定の積層基板の両側における複数の螺旋状リボン、個別の積層基板における複数の螺旋状リボン、またはそれらの組合せは、当該螺旋状リボンによって生成される磁場が互いに打ち消しあわず有効磁場が高められた磁気デバイスを構成するように、接続されていてもよい。例えば、２つのワインディング４１０、４２０が、それらを流れる電流が互いに高め合う磁場を生成するように（例えば、ワインディング４１０、４２０の内側端部４１４、４２６における導電性ビアを介して）どのように接続されるかを、図１６Ａおよび１６Ｂに示す。ワインディング４１０が積層基板（例えば、図１５の４０２）の上面にあり、ワインディング４２０が同一の積層基板の下面にあるものとする。図１６Ａに示すように、螺旋状リボン４０４の内側端部４１４から外側端部４１２に向かって流れる電流によって、図示の平面上で概略的に示される磁場軸がもたらされる。図１６Ｂに示すように（図１６Ａと同様に、上方から図示）、螺旋状リボン４２４の外側端部４２２から内側端部４２６に向かって流れる電流によって、図示の平面上で概略的に示される磁場軸がもたらされる。ワインディング４２０が例示的な積層基板の下面にあるために、上述のように生成される磁場軸は、実質的に、互いに調整され高め合う（例えば、上方に向かって）。

図１６Ａおよび図１６Ｂの例において、上部螺旋状リボン４０４の外側端部４１２は、導電トレース４０５を介して、層貫通めっきビア４０７（例えば、分割時に縁部となるライン４０９に沿って位置するビア）に対して接続されていてもよい。同様に、下部螺旋状リボン４２４の外側端部４２２は、導電トレース４１５を介して、層貫通めっきビア４１７（例えば、分割時に縁部となるライン４１９に沿って位置するビア）に対して接続されていてもよい。

前述の電流流れ方向を得るために、２つのワインディング４１０、４２０は互いに絶縁され個別の電流源から電流が供給されてもよい。また、２つのワインディング４１０、４２０は、互いに接続され、共通の電流源から電流が供給されてもよい。例えば、下部ワインディング４２０の外側端部４２２が電流源に対して接続されている場合に、下部ワインディング４２０の内側端部４２６は、上部ワインディング４１０の内側端部４１４に対して（例えば、導電性ビアを介して）接続され、前述の例示的な電流流れを生じさせてもよい。別の例においては、上部ワインディング４１０の内側端部４１４が電流源に対して接続されている場合に、上部ワインディング４１０の外側端部４１２は、下部ワインディング４２０の外側端部４２４に対して（例えば、導電性ビアを介して）接続され前述の例示的電流流れを生じさせてもよい。

図１５および図１６の２つのワインディングが互いに電気的に絶縁されている場合、当該２つのワインディングのアセンブリはトランスとして機能し得る。当該構成において、所望の昇圧または降圧機能を得るために２つのワインディングの巻線密度が異なっていてもよい。

ここで述べるように、２つ以上の螺旋状リボンは、個別のポリマーラミネート層上に設けられてもよい。図１７は、２つの個別のポリマーラミネート層４３２、４３４を有する例示的な構造４３０を示し、ポリマーラミネート層４３２、４３４は、それぞれ、１つまたは複数の螺旋状リボンを有する。ここで述べるように、当該螺旋状リボンは、インダクタまたはトランスとして機能するように構成および接続されていてもよい。

所定の実施形態では積層基板の所定の面において２つ以上の螺旋状リボンが設けられていることを、図１８に示す。例えば、積層基板４４２の片側に形成される第１および第２螺旋状リボンを備える構成４４０を示す。それらの螺旋状リボンは、電気的に絶縁可能であり、これらの端部の一部または全部は、対応する導電性ビア（例えば、螺旋状リボン４４に対して４４８および４５２、および、螺旋状リボン４４６に対して４５０および４５４）に対して電気的に接続されていてもよい。

インダクタとして利用される場合には、２つの螺旋状リボンは、積層基板の同一面上において有効巻き数が増加する（例えば、実質的に平行な２つの螺旋体によっては凡そ２倍となる）ように接続されていてもよい。トランスとして利用される場合には、２つの螺旋状リボンは、所望の昇圧または降圧機能を得るように構成（例えば、異なる巻線密度）および接続（例えば、各螺旋体が個々に入力および出力を有する）可能である。

幾つかの実施の例において、前述のような、所定のポリマーラミネート層の片側に２つ以上の螺旋状リボンが形成される例は、同一のポリマーラミネート層の他方の側にまで及んでもよい。このような、ポリマーラミネート層の両面上における多数の螺旋体は、適切に構成および相互接続され、インダクタ、チョーク、またはトランス等の各種デバイスを構成可能である。

図１８にさらに示すように、前述のような、所定のポリマーラミネート層の片側に２つ以上の螺旋状リボンが形成される例は、別のポリマーラミネート層４６０にまで及んでもよい。このような異なるポリマーラミネート層上における多数の螺旋体は、適切に構成および相互接続され、インダクタ、チョーク、またはトランス等の各種デバイスを構成可能である。

幾つかの実施の例において、各種例における螺旋状リボンおよび対応する導電性ビアは、図９および図１０を参照して述べられたものと同様の方法で積層基板上に形成可能である。さらに幾つかの実施の例においては、当該螺旋状リボンを有するデバイスのアレイ化は、図８を参照して述べられたものと同様の方法で行われてもよい。

ここで述べるように、導電性リボンストリップを有するポリマーラミネート層（例えば、図５〜図８）は、その平面と実質的に平行な磁場軸をもたらす。また、ここで述べるように、１つまたは複数の導電性リボン螺旋体を有するポリマーラミネート層（例えば、図１５〜図１８）は、その平面に実質的に垂直な磁場軸をもたらす。そのようなリボンストリップデバイスおよびリボン螺旋体デバイスは、互いに近接して位置しているとき（例えば、互い積層されるとき）、２つの磁場は実質的に互いに垂直となり得る。そのような構成にでは、２つのデバイスの動作は著しく干渉し合うことはない。したがって、このような２つのデバイスは、組み合わされ、ほとんどまたは全く干渉し合うことなく、実質的に個別の機能を提供可能であり、コンパクトな形状が可能である。

図１９は、リボンストリップ（４７２）を有する１つまたは複数のデバイスが１つまたは複数のリボン螺旋体（４７４、４７６）と共に積層される例示的な構造４７０を示している。そのような構成において、リボンストリップデバイス４７２は、積層基板の平面に沿った磁場を有し、リボン螺旋体４７４、４７６は、リボンストリップデバイス４７２の磁場に垂直な方向に沿った磁場を有する。上述のように、これらの互いに垂直の磁場によって、上述のデバイスがほとんどまたは全く干渉し合うことなく積層可能である。

ここで述べられるポリマーラミネート層の各種例において、導電性特徴部の内部および／またはそれに隣接するボリューム内の材料は、磁性コア機能を有していてもよいし有していなくてもよい。非磁性コア構造については、例えばＰＣＢ技術に関連する非磁性体を利用可能である。

一般的に公知であるように、磁気デバイスの磁性コアは、磁場の磁束密度を増加させることにより、インダクタンス等の関連パラメータを増加可能である。磁性コア構造については、多数の方法で実施可能である。例えば、図２０Ａおよび図２０Ｂは、ポリマーラミネート層５０２が磁性体で形成される構成５００を示している。好ましくは、当該磁性体は、導電性特徴部が短絡しないように非導電性を有する。非導電性のポリマー磁性体は、例として、非導電性ポリマー材料を含み、当該非導電性ポリマー材料は、例えば、ポリマー樹脂、不活性充填剤、および潤滑剤と共に混合されることにより所望の磁気および非導電性をもたらす鉄粉、フェライト粉、これらの材料および／またはその他金属の化合物／混合物を含む。

図２０Ａおよび図２０Ｂの例示的な構造５００において、複数のリボンストリップ５０４および対応するビア５０６が磁性層５０２上においてワインディングを形成するように示されている。なお、その他の種類のリボン構成（例えば、リボン螺旋体）が、当該磁性層５０２上において実施可能であることが理解されよう。

図２１Ａおよび図２１Ｂは、磁性体５１２が積層デバイスを部分的に占める別の例示的な構造５１０を示している。図２１Ｂの側断面図において、例示的積層デバイスは、２つの非磁性層５１８、５２０の間に挟まれる磁性層５１２を備えるように示されている。リボンストリップ５１４は、非磁性層５１８、５２０の外面上に形成されるように示され、導電性ビア５１６は、対応するリボンストリップ５１４に対して接続されるように示されている。なお、その他の種類のリボン構造（例えば、リボン螺旋体）が、当該積層デバイス上において実施可能であることが理解されよう。

図２２Ａ〜図２２Ｄは、図２１Ａおよび図２１Ｂの積層デバイスがどのように製造されるかの例を示している。図２２Ａにおいて、第１の非磁性層５２０を設けてもよい。複数のリボンストリップ５１４は、第１の非磁性層５２０の片側に既に形成されているように示されている。当該状態について説明するが、上述のリボンストリップは、各種層（例えば、５２０、５１２、５１８）の積層後に形成されてもよいことが理解されよう。

図２２Ｂにおいては、ポリマー磁性層である磁性層５１２は、第１の非磁性層５２０上に実装されるように示されている。図２２Ｃにおいては、第２の非磁性層５１８は、磁性層５１２上に実装されるように示されている。複数のリボンストリップ５１４は、第２の非磁性層５１８の片側に既に形成されているように示されている。当該状態について説明するが、上述のリボンストリップは、各種層（例えば、５２０、５１２、５１８）の積層後に形成されてもよいことが理解されよう。また、上述のリボンストリップは、磁性層５１２の片面または両面上に直接形成されてもよいことが理解されよう。

図２２Ｄにおいては、３つの例示的な層５２０、５１２、５１８が積層されるように示されている。複数の導電性ビア５１６は、対応するリボンストリップ５１４に対して電気的に接続するように形成可能である。

図２３Ａおよび図２３Ｂは、図２１および図２２の部分的磁性領域構造がどのように異なるかの例を示す。例示的な構造５３０に示すように、ワインディングによって規定されるコアボリューム内に実質的にあるボリュームに磁性領域５３２が限定されることが好ましいと仮定する。当該ワインディングは、対応するビア５３６によって互いに接続されるリボンストリップ５３４として示されている。磁性領域５３２は、第１および第２の非磁性層５４０、５３８に挟まれ、縁部５４２によって外側を囲まれるように示されている。

図２４Ａ〜図２４Ｆは、図２３Ａおよび図２３Ｂの積層デバイスがどのように製造されているかの例を示す。図２４Ａにおいては、第１の非磁性層５４０を設けてもよい。複数のリボンストリップ５３４は、第１の非磁性層５４０の片側に既に形成されているように示されている。当該状態について説明するが、上述のリボンストリップは、各種層の積層後に形成されてもよいことが理解されよう。

図２４Ｂにおいては、第２の非磁性層５４２は第１の非磁性層５４０上に実装されるように示されている。図２４Ｃにおいては、凹部５４４が第２の非磁性層５４２に形成され、層５４２の残りの部分が凹部５４４の周囲の縁部を形成してもよい。幾つかの実施の例において、当該縁部は、予め製造され、第１の非磁性層５４０上に実装可能である。

図２４Ｄにおいて、図２４Ｃの凹部５４４には磁性体５３２が充填されていてもよく、当該磁性体５３２としてはポリマー磁性体であってもよい。例として、当該磁性体が凹部５４４に堆積されるか、あるいは、予め製造および寸法決めされた磁性スラブ５３２が凹部５４４内に挿入されてもよい。なお、リボンストリップは、また、磁性領域５３２の片面または両面上に直接形成されてもよいことが理解されよう。

図２４Ｅにおいては、第３の非磁性層５３８は、縁部５４２および磁性領域５３２に実装されてもよい。複数のリボンストリップ５３４は、第３の非磁性層５３８の片側に既に形成されているように示されている。当該状態について説明するが、上述のリボンストリップは、各種層の積層後に形成されてもよいことが理解されよう。

図２４Ｆにおいては、各種部品５４０、５４２、５３２、５３８が互いに積層されるように示されている。複数の導電性ビア５３６は、対応するリボンストリップ５３４に対して電気的に接続するように形成可能である。

ここで述べるようにワインディングに対して磁性コアを導入するために、任意の数のその他の構成が可能であることは、図２０〜図２４を参照して述べられた例から明白である。

ここで述べるような１つまたは複数の特徴を有するプレーナ磁気デバイスは、外側に向く１つまたは複数の側に配置される導電性リボンを有していてもよい。幾つかの状況において、このような剥き出しのデバイスは、導電性リボンとの適切な電気接続（例えば、導体パッド）、および、回路の一部からの適切な電気絶縁によって、回路に直接実装可能である。

多くの状況において、プレーナ磁気デバイスをパッケージングすることにより、所望の各種特徴および機能を得ることが望まれている場合がある。例えば、パッケージングされたデバイスによって、保護性および取扱いの容易性が得られる。別の例においては、パッケージングされたデバイスは、外部部品に対する電気接続をより容易にするように構成可能である。

図２５Ａは、インダクタまたはトランス等のプレーナ磁気デバイス６０２を有する、パッケージングされたデバイス６００を概略的に示す。プレーナ磁気デバイス６０２は、ここで述べるような１つまたは複数の特徴を有していてもよい。所定の実施形態では、プレーナ磁気デバイス６０２は、２つのパッケージング層６０４ａ、６０４ｂに挟まれていてもよい。当該パッケージング層は、異なる方法で構成することによって、例えば磁性または非磁性体を利用して所望の機能を得てもよい。

例えば、２つのパッケージング層６０４ａ、６０４ｂのそれぞれは、プレーナ磁気デバイスに対するシールド機能をもたらすように構成可能である。固定磁場または緩やかに変動する磁場に対するシールドである場合においては、シールド層は、例えば、高透磁率金属合金から形成されるか、当該金属合金が含浸されていてもよい。

所定の実施形態では、パッケージング層６０４ａ、６０４ｂの一方または両方は、プレーナ磁気デバイス６０２と外部導体パッドまたは端子との電気接続を容易にするように構成可能である。図２５Ａは、デバイスの各端部においてパッケージング層６０４ａ、６０４ｂ上に位置する端子対６０５ａ、６０５ｂを示している。図２５Ｂにおける平面図は、パッケージング層６０４ａの両端部における端子を概略的に示す。これらの端子は、層貫通導電性ビアによって接続可能であり、当該ビアは、分割後に、パッケージング層６０４ｂ上の対応する端子に対する半円状のキャスタレーション６０５ａ、６０５ｂになり、これにより、デバイスの端部において２つの端子対６０５ａ、６０５ｂが形成される。これらの端子対は、積層構造内において選択された導電性特徴部に対して電気的に接続可能であり、積層構造内においてその他の特徴部から電気的に絶縁可能である。これらの端子対は、ＰＣＢおよび／または別のデバイス、あるいは、それらの組合せに対する電気的および／または機械的接続のために利用可能である。端子対は、デバイスを終端間または上下間で実質的に対称にすることにより、ＰＣＢに対する設置を容易にするように構成可能である。任意で、パッケージングされたデバイスは、例えばパッケージング層６０４ａ等の片側のみに端子を有していてもよい。

図２６Ａ〜図２６Ｃは、所定のパッケージング層上で実装可能な電気接触特徴部の例を示している。図２６Ａの例示的な構造６１０においては、電気端子６１４がパッケージング層６１２の片面の四隅に形成されるように示されている。図２６Ｂの別の例示的な構造６２０においては、２つの電気端子６２４が矩形状のパッケージング層６２２の２つの短辺のそれぞれに沿って形成されるように示されている。図２６Ｃのさらに別の例示的な構造６３０においては、２つの電気端子６３４が矩形状のパッケージング層６３２の２つの長辺のそれぞれに沿って形成されるように示されている。なお、パッケージング層上における上述の例示的な電気接触特徴部に対応する１つまたは複数の特徴部は、ここで述べるようなプレーナ磁気デバイスの一部または全部に対してパッケージング／電気的機能を付与するように実装可能であることが理解されよう。

その他多数の接続端子構造が実施可能であることは明白である。所定の実施形態では、当該端子は、城郭風に構成されることにより、例えば、パッケージングされたデバイスが回路基板上にはんだ付けされた後に、終端におけるはんだフィレットの検査を容易にし得る。所定の実施形態では、当該端子は、例えばビアおよび／または導電トレースによって、プレーナ磁気デバイス上の各種接続点に対して電気的に接続されていてもよい。

ここで述べるように、ポリマーラミネート層ベースのデバイスのアレイは、共通の基板上に製造可能である。図８Ａおよび図８Ｂは、個別のデバイスが共通の基板上に形成されるように示される例を示す。また、ここで述べるように、複数のデバイスが積層されることにより、所望の機能を得てもよい。図１３、図１４Ａ〜図１４Ｅ、および図１７〜図１９は、２つ以上のデバイスが積層される例を示す。図８Ａおよび８Ｂを参照して述べるように、当該積層デバイスは、アレイの積層に続いて、個別の積層デバイスへ分割することによって製造可能である。

図２７および図２８は、層７１４、７１０、７１２から成る積層体が複数のデバイス７０２のアレイを規定する例示的な構造７００を示す。図２７は、平面図であり、図２８は、表示線に沿った側断面図である。図２７において、破線７０４、７０６は、実質的にデバイス７０２を示し、デバイス７０２を個々に分割するために切断される場所を示す。

図２８において、切取線７１６は、層７１４、７１０、７１２のそれぞれを貫通して延びるように示されており、例えば図示線７０６に対応していてもよい。図２８の例から分かるように、多数の層７１４、７１０、７１２を設けることにより、切断する必要のある材料の全厚が大きくなる。このような比較的厚い層の切断（例えば、鋸断）は困難であり、結果として、切除端に沿って亀裂等の機械的欠陥をもたらし得る。

所定の実施形態では、積層体における１つまたは複数の層が、分割切断される材料の量を抑制するように寸法決めされていることを、図２９に示す。例示的な構造７５０において、構造体７６２のアレイは、ベース層７６０の上方に位置するように示されている。同様に、構造体７６４のアレイは、ベース層７６０の下方に位置するように示されている。対応する隣接構造体７６２、７６４の間の空間７８０、７８２は、７６６で示される切断線に沿って切断可能なように寸法決めされていてもよい。構造体７６２、７６４が対応する空間７８０、７８２を構成するようにどのように形成されるかの例について、ここでさらに詳細に説明する。したがって、複数のデバイス７５２が上述の層の積層体から形成可能であると共に、切断される材料の量を抑制可能である。上述のアレイを切断することにより得られる各デバイス７５２は、例えば、分割されたベース層７６０と、当該ベース層７６０の上方および下方に構造体７６２、７６４と、を有する。

所定の実施形態では、ベース層７６０は、機能的な電気／磁気要素のアレイ（例えば、図３０および図３１の例）を含むように構成されるか、当該電気／磁気要素に対する構造支持体を設けるように構成されるか、上述の電気／磁気要素を設けることなく、構造支持体をその上に形成される構造体に対して設けるように構成されるか、それらいずれかを組み合わせるように構成可能である。当該ベース層は、例えば、ここで述べるようなポリマーラミネート層であってもよく、プリント基板（ＰＣＢ）に利用される任意の材料から形成される層を含んでいてもよい。

所定の実施形態では、構造体７６２は、ここで述べるような１つまたは複数の電気／磁気要素（例えば、図３０および図３１の例示的要素）を備えるように構成されるか、当該電気／磁気要素に対する構造支持体および／または間隔機能を設けるように構成されるか、上述の電気／磁気要素を設けることなく、構造支持体および／または間隔機能をその上に形成される付加的な層に対して設けるように構成されるか、それらいずれかを組み合わせるように構成可能である。上述の構造体を形成するために利用可能な材料の例について、ここでより詳細に説明する。

同様に、構造体７６４は、ここで述べるような１つまたは複数の電気／磁気要素（例えば、図３０および図３１の例示的要素）を備えるように構成されるか、当該電気／磁気要素に対する構造支持体および／または間隔機能を設けるように構成されるか、上述の電気／磁気要素を設けることなく、構造支持体および／または間隔機能をその上に形成される付加的な層に対して設けるように構成されるか、それらいずれかを組み合わせるように構成可能である。上述の構造体を形成するために利用可能な材料の例について、ここでより詳細に説明する。

図３０および図３１は、図２９の構造体７６２および／または７６４が設けられるベース層７６０の非限定的な例を示す。双方の例において、複数のユニット７５３が、図２９の例と同様の方法で例示的な切断線７６６、７６８によって示されてもよい。

図３０の例において、ベース層７６０の各ユニット７５３は、上面に設けられる螺旋状の導電性リボン７９０を備えるように示されている。当該螺旋状の導電性リボンは、ここで述べるように設けられてもよく、例えば銅箔やめっき等を使用してもよい。各ユニット７５３の下面は、同様の螺旋状の導電性リボンまたは別の導電性特徴部を備えていても、備えていなくてもよい。

図３０の例において、螺旋状の導電性リボン７９０の外端部は、導電性特徴部７９２に対して接続されるように示されており、当該導電性特徴部７９２は、例えばユニット７５３の導電性特徴部７９２と同一の側または他方側における端子に対する電気接続、あるいは、ユニット７５３上に形成される構造体（例えば、図２９における構造体７６２）の別の面に対する電気接続等を得るために実装される。このような電気接続は、例えば金属化ビアまたはめっきキャスタレーション等によって容易になり得る。当該ビアまたはキャスタレーションは、ここで述べるような方法で形成可能である。

また、図３０の例において、螺旋状の導電性リボン７９０の内側端部は、ビア特徴部７９４に対して接続されるように示されており、当該ビア特徴部７９４は、例えばユニット７５３の他方側の導電性特徴部に対する電気接続、あるいは、ユニット７５３上に形成される構造体（例えば、図２９における構造体７６２）の別の面の上の導電性特徴部に対する電気接続等を得るために実装される。このような電気接続は、例えば螺旋状の導電性リボンパターンまたはその近傍における金属化ビア７９６等によって容易になり得る。所定の実施形態では、ビア特徴部７９４は、結果として生じる円形状磁場の中心またはその近傍において開口部を有するように形成可能であり、当該開口部が磁性体で充填されることによって、磁場が所望の磁気特性を得るように直接補助してもよい。その他の実施形態において、１つまたは複数の開口部が、例えば打ち抜き、レーザ掘削、または機械掘削によって形成可能であり、当該開口部は、ギャップを形成するためにガスまたは非導電性材料で充填され、当該ギャップは、トランス等の磁気デバイスの構造において利用可能である。当該デバイスは、磁場の特性を変更することによって、所望の磁気特性を得るように構成可能である。

所定の実施形態では、１つまたは複数のビア７９８が選択された位置において各ユニット７５３に対して形成されることを、図３０に示す。当該ビアは、アンカビアとして利用されることにより、ユニット７５３の上方および／または下方に設けられる構造体を固定可能である。当該機械的固定構造の例について、ここでより詳細に説明する。

図３１の例において、ベース層７６０の各ユニット７５３は、上面に設けられる複数の導電ストリップ７９０を備えるように示されている。当該導電ストリップは、ここで述べるように設けられてもよく、例えば銅箔やめっき等を使用してもよい。各ユニット７５３の下面は、同様の導電ストリップまたはその他の導電性特徴部を備えていても、備えていなくてもよい。

図３１の例において、その他の位置（例えば、下面）に対する電気接触を容易にする導電ストリップ７９０に対応する金属化トレースおよび／または金属化ビア等の導電性特徴部は、図示しない。しかしながら、当該導電性特徴部は、ここで述べるような方法と同様の方法で設けられてもよい。

所定の実施形態では、１つまたは複数のビア７９８が選択された位置において各ユニット７５３に対して形成されることを、図３１に示す。当該ビアは、アンカビアとして利用されることにより、ユニット７５３の上方および／または下方に設けられる構造体を固定可能である。当該機械的固定構造の例について、ここでより詳細に説明する。

図３２は、図２９〜図３１を参照して述べられるベース層および構造体を基礎とする、ポリマー層を有するプレーナ磁気デバイスを製造するために実施される例示的なプロセス８００を示している。図３３は、プロセス８００の各種工程に実質的に対応する各種製造段階の例を示している。

ブロック８０２においてベース層基板が設けられてもよい。図３３において、当該ベース層基板は８３０で示されている。ここで述べるように、ベース層基板は、例えばプリント基板（ＰＣＢ）に利用される任意の材料で形成されるポリマーラミネート層であってもよい。所定の実施形態では、ベース層基板は、ポリマー磁性体から形成されるか、当該材料を含んでいてもよい。所定の実施形態では、ベース層基板は、ポリマーラミネート層とポリマー磁性体との組合せから形成されるか、当該組合せを含んでいてもよい。所定の実施形態では、ベース層基板は、導電性を有していてもよいし有していなくてもよい。

ブロック８０４において、導電体パターンのアレイがベース層基板の片側または両側に形成されることによって、ベース層を構成可能である。図３３において、当該ベース層は７６０で示され、ベース層基板８３０の両側に導電体パターン７９０を有している。なお、当該導電体パターンはベース層基板８３０の片側または両側にあってもよいことが理解されよう。ここで述べるように、上述の導電体パターンは、例えば螺旋状パターンまたはストリップ群を含んでいてもよい。所定の実施形態では、導電体パターンの一部または全部は、８３０で示されているベース層基板に対して直接積層可能である。所定の実施形態では、導電体パターンの一部または全部は、ポリマー材料を挟む１つまたは複数の層を使用してベース層基板に対して積層可能であり、当該ポリマー材料は、例えば、プリント基板（ＰＣＢ）層の積層に通常利用されるプリプレグ等である。介在するポリマー材料は、磁性体を含んでもよいし含まなくてもよく、導電性を有していてもよいし有していなくてもよい。介在するポリマー材料は、高い熱伝導性を有していてもよいし有していなくてもよい。図３３では図示しないが、導電性めっきから層貫通ビアを形成することによって、例えば、導電体パターンの層の電気接続が可能となり得る。当該層貫通ビアは、例示的な中央の層貫通ビアを含み、当該ビアは、上部および下部螺旋体および／またはストリップを接続するように、めっき加工され構成されてもよい（例えば、図３０の７９６）。当該層貫通ビアは、また、複数対の螺旋体が共に接続されることにより、デバイスの巻き数、ひいては、そのインダクタンスを増加させるように、めっき加工され構成されてもよい。例示的な中央の貫通ビア（図３０における７９４）は、円形状磁場の中心またはその近傍において開口部を有するように形成可能であり、当該開口部が磁性体で充填されることによって磁場が所望の磁気特性を得るように直接補助してもよい。別の実施形態において、１つまたは複数の開口部が、例えば打ち抜き、レーザ掘削、または機械掘削によって形成可能であり、当該開口部は、ギャップを形成するためにガスまたは非導電性材料で充填され、当該ギャップは、トランス等の磁気デバイスの構造において利用可能である。当該デバイスは、磁場の特性を変更することによって、所望の磁気特性を得ることが可能である。

ブロック８０６では、磁性ポリマー構造体のアレイはベース層の第１側（例えば、上側）において設けられてもよい。図３３において、当該磁性ポリマー構造体は、８３２として示されている。ブロック８０８において、磁性ポリマー構造体のアレイは、ベース層の第２側（例えば、下側）において設けられてもよい。図３３において、当該磁性ポリマー構造体は、８３２として示されている。

所定の実施形態では、ベース層７６０の上側および／または下側における磁性ポリマー構造体８３２は、多数の方法で設けられてもよい。例えば、磁性ポリマー構造体８３２は、磁性ポリマー材料を利用するスクリーン印刷法または成形法によって、ベース層７６０の表面上に形成可能である。別の例において、予め形成された磁性ポリマー構造体８３２は、例えば接着剤および／または機械的取付デバイスによって、ベース層７６０の表面上に実装可能である。磁性ポリマー構造体８３２の上述のような実施の例について、ここでより詳細に説明する。

ブロック８１０では、導電層が磁性ポリマー構造体８３２の表面上に形成されていてもよい。図３３において、当該導電層は８３４で示されている。

図３２において、ブロック８１２および８１４は、導電性キャスタレーション特徴部を利用する例示的なパッケージング構成を対象としている。なお、その他のパッケージング技術も実施可能であることが理解されよう。

ブロック８１２では、キャスタレーションビアがベース層７６０の選択された位置に形成されてもよい。図３３において、当該ビアは８３８で示されている。所定の実施形態では、ビア８３８により、結果として、磁性ポリマー構造体８３２の対応部分が除去されることによりキャスタレーション特徴部を構成可能となる。所定の実施形態では、その他の種類のキャスタレーションが形成可能である。例えば、２つの磁性ポリマー構造体８３２の間の空間の位置に（例えば、掘削によって）形成される長孔は、ベース層基板８３０において半円状のキャスタレーションを構成するように寸法決めされてもよく、当該キャスタレーションは、対応する磁性ポリマー構造体８３２内に延びてもよい。図３３において図示しないが、例えば機械的接続機能（例えば、図３０における７９８）または２つ以上のポリマー磁性層の磁気結合を得るように、ビアを形成および構成可能である。

ブロック８１４では、キャスタレーションビアおよび磁性ポリマー構造体８３２の露出面は、金属でめっき加工されていてもよい。図３３において、当該めっきビアは８３８’で示されている。ブロック８１６では、ブロック８１０で形成された導電層が適切にエッチングされることによって、導電路および／または端子を形成可能である。図３３において、当該端子は８３６で示されている。所定の実施形態では、例えばエッチングによって上述の端子を形成可能である。所定の実施形態では、磁性ポリマー構造体８３２上の端子８３６は、ここで述べるような導電性ビアおよび／または導電性キャスタレーション特徴部によって、対応する導電体パターン（例えば、図３３における７９０）に対して電気的に接続可能となり得る。

ブロック８１８では、上述の方法で形成されたアレイは個別のユニットに分割されてもよい。図３３において、当該個別のユニットは８５０で示されている。

図３４は、図２９〜図３１を参照して述べられるベース層および構造体を基礎とする、ポリマー層を有するプレーナ磁気デバイスを製造するために実施される別の例示的なプロセス９００を示す。図３５は、プロセス９００の各種工程に実質的に対応する各種製造段階の例を示す。

ブロック９０２において、ベース層基板が設けられてもよい。図３５において、当該ベース層基板は９３０で示されている。ここで述べるように、ベース層基板は、例えばプリント基板（ＰＣＢ）に利用される任意の材料から形成されるポリマーラミネート層であってもよい。所定の実施形態では、ベース層基板は、ポリマー磁性体から形成されるか、当該材料を含んでいてもよい。所定の実施形態では、ベース層基板は、ポリマーラミネート層とポリマー磁性体との組合せから形成されるか、当該組合せを含んでいてもよい。所定の実施形態では、ベース層基板は導電性を有していてもよいし有していなくてもよい。

ブロック９０４において、導電体パターンのアレイがベース層基板の片側または両側に形成されることでベース層が構成されていてもよい。図３５において、当該ベース層は、７６０で示され、ベース層基板９３０の両側に導電体パターン７９０を有する。なお、当該導電体パターンは、ベース層基板９３０の片側または両側にあってもよいことが理解されよう。ここで述べるように、上述の導電体パターンは、例えば螺旋状パターンまたはストリップ群を含んでいてもよい。所定の実施形態では、導電体パターンの一部または全部は、９３０として示されているベース層基板に対して直接積層可能である。所定の実施形態では、導電体パターンの一部または全部は、ポリマー材料を挟む１つまたは複数の層を使用してベース層基板に対して積層可能であり、当該ポリマー材料は、例えば、プリント基板（ＰＣＢ）層の積層に通常利用されるプリプレグ等である。介在するポリマー材料は、磁性体を含んでもよいし含まなくてもよく、導電性を有していても有していなくてもよい。介在するポリマー材料は、高い熱伝導性を有していてもよいし有していなくてもよい。図３５では図示しないが、導電性めっきから層貫通ビアを形成することによって、例えば、導電体パターンの層の電気接続が可能となり得る。当該層貫通ビアは、例示的な中央の層貫通ビアを含み、当該ビアは、上部および下部螺旋体および／またはストリップを接続するように、めっき加工され構成されてもよい（例えば、図３０における７９６）。当該層貫通ビアは、また、複数対の螺旋体が共に接続されることにより、デバイスの巻き数、ひいては、そのインダクタンスを増加させるように、めっき加工され構成されてもよい。例示的な中央の貫通ビア（図３０における７９４）は、円形状磁場の中心またはその近傍において開口部を有するように形成可能であり、当該開口部が磁性体で充填されることによって、磁場が所望の磁気特性を得るように直接補助してもよい。別の実施形態において、１つまたは複数の開口部が、例えば打ち抜き、レーザ掘削、または機械掘削によって形成可能であり、当該開口部は、ギャップを形成するためにガスまたは非導電性材料で充填され、当該ギャップは、トランス等の磁気デバイスの構造において利用可能である。当該デバイスは、磁場の特性を変更することによって、所望の磁気特性を得ることが可能である。

ブロック９０６では、磁性ポリマー構造体のアレイはベース層の第１側（例えば、上側）に設けられてもよい。図３５において、当該磁性ポリマー構造体は、９３２として示されている。ブロック９０８では、磁性ポリマー構造体のアレイはベース層の第２側（例えば、下側）において設けられてもよい。図３５において、当該磁性ポリマー構造体は、９３２として示されている。

所定の実施形態では、ベース層７６０の上側および／または下側における磁性ポリマー構造体９３２は、多数の方法で設けられてもよい。例えば、磁性ポリマー構造体９３２は、磁性ポリマー材料を利用するスクリーン印刷法または成形法によって、ベース層７６０の表面上に形成可能である。別の例において、予め形成された磁性ポリマー構造体９３２は、例えば接着剤および／または機械的取付デバイスによって、ベース層７６０の表面上に実装可能である。磁性ポリマー構造体９３２の上述のような実施の例について、ここでより詳細に説明する。

ブロック９１０では、導電体パターンが磁性ポリマー構造体９３２の表面上に設けられてもよい。図３５において、当該導電体パターンは９３４で示されている。所定の実施形態では、磁性ポリマー構造体９３２における導電体パターン９３４は、ここで述べるように積層機能を得るように構成可能である。図３５においては図示しないが、導電性めっきから層貫通ビアを形成することによって、例えば、導電体パターンの層の電気接続が可能となり得る。当該層貫通ビアは、上部および下部螺旋体および／またはストリップを接続するように、めっき加工され構成されてもよい。当該層貫通ビアは、また、複数対の螺旋体が共に接続されることにより、デバイスの巻き数、ひいては、そのインダクタンスを増加させるように、めっき加工され構成されてもよい。

ブロック９１２では、絶縁層が導電性パターン上に任意で形成されていてもよい。図３５において、当該絶縁層は９３６で示されている。所定の実施形態では、絶縁層９３６は、以下の方法によって形成可能である：スクリーン印刷法、成形法、複数枚の絶縁材料の積層、絶縁材料の噴射、ポリマー構造体のアレイの液体絶縁材料への浸漬、または、ＰＣＢ製造時に通常利用されるその他の方法。任意で、マスキング法が利用されることにより、構造体９３２間の空間に干渉せずに、後の鋸断／分割プロセスを容易にしてもよい。絶縁材料は、任意で、磁性体を含んでいてもよい。絶縁材料は、任意で、高い熱伝導性を有していてもよい。付加的な導電体パターン９３４’が絶縁層９３６上に形成可能であり、当該絶縁層９３６は、任意で、ベース層７６０の片側または両側に位置する磁性ポリマー構造体９３２上に形成される。１つまたは複数の付加的な絶縁層９３６’が、任意で、導電体パターン９３４’上に形成可能である。所定の実施形態では、当該導電体パターンと絶縁層とが交互に並ぶ層が、さらに複雑なインダクタ、トランス、チョーク、またはその他の磁気デバイスとして構築または構成されるように使用されてもよい。図３５においては図示しないが、導電性めっきから層貫通ビアを形成することによって、例えば、導電体パターンの層の電気接続が可能となり得る。当該層貫通ビアは、上部および下部螺旋体および／またはストリップを接続するようにめっき加工され構成されてもよい。当該層貫通ビアは、また、複数対の螺旋体が共に接続されることにより、デバイスの巻き数、ひいては、そのインダクタンスを増加させるように、めっき加工され構成されてもよい。

図３４においてブロック９１４、９１６、および９１８は、導電性キャスタレーション特徴部を利用する例示的なパッケージング構成を対象としている。なお、その他のパッケージング技術も実施可能であることが理解されよう。

ブロック９１４において導電層が絶縁層９３６上に形成されてもよい。図３５において、当該導電層は９４４で示されている。

ブロック９１６において、キャスタレーションビアがベース層７６０の選択された位置に形成されてもよい。図３５において、当該ビアは９３８で示されている。所定の実施形態では、ビア９３８により、結果として、磁性ポリマー構造体９３２および絶縁層９３６の対応部分が除去されることによりキャスタレーション特徴部が構成可能となる。所定の実施形態では、その他の種類のキャスタレーションが形成可能である。例えば、２つの磁性ポリマー構造体９３２の間の空間の位置に（例えば、掘削）形成される長孔は、ベース層基板９３０において半円状のキャスタレーションを構成するように寸法決めされてもよく、当該キャスタレーションは、対応する磁性ポリマー構造体９３２内に延びていてもよい。図３５において図示しないが、例えば機械的接続機能（例えば、図３０における７９８）または２つ以上のポリマー磁性層の磁気結合を得るように、ビアを形成および構成可能である。

ブロック９１８において、キャスタレーションビア、ならびに、磁性ポリマー構造体９３２および任意の絶縁層９３６の露出面は、金属でめっき加工されていてもよく、適切にエッチングされることによって、導電路および／または端子を形成してもよい。図３５において当該めっきキャスタレーションビアは９３８’で示され、当該端子は９４６で示されている。

ブロック９２０において、上述の方法で形成されたアレイは、個別のユニットに分割されてもよい。図３５において、当該個別のユニットは９５０で示されている。

図３６Ａ〜図３６Ｃは、磁性ポリマー構造体（例えば図３３の８３２または図３５の９３２）がどのようにベース層７６０上に形成されるかの非限定的な例を示している。図３６Ａは、複数の磁性ポリマー構造体８３２、９３２がベース層７６０の表面上に形成される例示的な構造９６０を示している。磁性ポリマー構造体８３２、９３２は、例えば磁性ポリマー材料のスクリーン印刷法または成形法によって、形成可能である。当該構成において、形成された磁性ポリマー構造体８３２、９３２とベース層７６０の表面との間の接触面９６１によって、十分な密着性を得ることが可能である。

所定の実施形態では、ベース層上に予め製造された磁性ポリマー構造体を実装することが望ましい。図３６Ｂは、複数の磁性ポリマー構造体８３２、９３２がベース層７６０の表面上に実装される例示的な構造９６５を示す。磁性ポリマー構造体８３２、９３２は、例えば接着層９６６によって容易に実装可能である。接着層９６６は、磁性体を含んでも、含まなくてもよい。接着層９６６は、高い熱伝導性を有していてもよいし有していなくてもよい。

図３６Ｃは、複数の磁性ポリマー構造体８３２、９３２がベース層７６０に実装される例示的な構造９７０を示している。当該例において、複数のアンカビア（磁性ポリマー構造体８３２、９３２におけるビア９７１およびベース層７６０における整合ビア７９８）が形成されることにより、磁性ポリマー構造体８３２、９３２のベース層７６０に対する機械的締結を容易にしてもよい。例えば、ベース層７６０上の磁性ポリマー構造体８３２、９３２において、適切なサイズを有するピンがビア９７１、７９８に対して挿入されていてもよい。

図３７および図３８は、ここで述べるような１つまたは複数の特徴に基づいて実施可能な幾つかの設計変形例を示す。所定の実施形態では、構造体の２つ以上の層がベース層上に形成または設けられることを、図３７に示す。構造体７６２ａ、７６２ｂの２つの層が、ベース層７６０上に形成されることを、例示的な構造９７５に示す。当該層は、磁性ポリマー／導電性パターン構造体、非磁性スペーサ構造体、絶縁構造体、熱伝導構造体、またはそれらの組合せを含んでいてもよい。図３７の例において、構造体７６４の１つの層が、ベース層７６０の下面に形成または設けられるように示されている。なお、下面においては、より少ないまたは多い構造体層が形成されてもよいことが理解されよう。

図２９〜図３７を参照して述べる各種例において、構造体のアレイによって規定される空間によって、より効率的な方法による下地ベース層の切断が可能となると通常仮定される。しかしながらある状況下では、付加的な層を有して、ベース層と共に切断することが望ましい。ベース層および付加的な層の全厚が十分に小さい場合、付加的な層が切断時に大きな抵抗または課題をもたらさない材料から形成される場合、または、その両方である場合には、当該構成によって同様の効果を得ることが可能である。

図３８の例示的な構造９８０において、付加的な層９８１がベース層７６０の下側に形成されているように示されている。ベース層７６０の上側に形成されているのは、構造体７６２の層であり、構造体７６２の間には空間が形成される。したがって、構造体７６２の間を切断するときにベース層７６０および付加的な層９８１が共に切断される。幾つかの実施の例において、付加的な層９８１は、ここで述べるようなベース層、ここで述べるような構造体（例えば、磁性ポリマー／導電性パターン構造体、非磁性スペーサ構造体、絶縁構造体、または熱伝導構造体）、またはそれらの組合せと同様の材料から形成可能である。

所定の実施形態では、本開示の１つまたは複数の特徴としては、非常に薄型の表面実装可能な磁気デバイスが挙げられ、これらの特徴によって、当該デバイスを容易に提供／構成し得る。当該デバイスの一部または全部に対しては、ポリマー磁性体と、例えば箔導体／めっき導体等の導体との組合せを、ＰＣＢ加工（例えば、積層、掘削、めっき加工、フォトリソグラフィ、エッチング等）、スクリーン印刷法、および／または成形法と共に使用されるか、当該使用から利益を得てもよい。所定の実施形態では、導電性リボンおよびビアは、導電性リボンとポリマー磁性体との間のプリプレグ層の有無にかかわらず、ポリマー磁性体上に形成可能である。所定の実施形態では、上述のめっき厚付け導体は、ここで述べるような選択的なめっき厚付け加工によって得られてもよく、当該めっき厚付け加工においては、複数のめっき加工サイクルを行うことによって、めっきの厚さを所望の構成まで高めることが可能である。例えば、当該めっき加工サイクルは、フォトリソグラフィ工程を含み、当該フォトリソグラフィ工程は、マスキングに続く、めっき加工、ならびに、選択的エッチングまたはフォトマスク除去動作に関連する。

所定の実施形態では、本開示の１つまたは複数の特徴によって、例えば単数の表面実装可能なデバイスにおいて多数の部品のアレイおよび積層体を形成する技術を提供可能である。所定の実施形態では、本開示の１つまたは複数の特徴によって、同一パッケージ内のその他の電子デバイスを１つまたは複数のポリマー磁気デバイスとして組み合わせる技術を提供可能である。所定の実施形態では、本開示の１つまたは複数の特徴によって、ポリマー磁気デバイスの片側または両側において表面実装可能な端子対を形成するオプションを提供可能である。所定の実施形態では、本開示の１つまたは複数の特徴によって、複数のポリマー磁気デバイスのアレイを製造および検査可能になることにより、例えば、コストを削減し品質が改善する。

文脈により他の意味であることが明白である場合を除き、本願明細書および特許請求の範囲に亘って、用語「備える、構成する、含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ、 ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」およびその同意語は、排他的または限定的な意味とは反対の包括的な意味、即ち「含むがこれに限定されない」という意味に解釈される。ここで通常用いられる用語「連結（ｃｏｕｐｌｅｄ）」は、２つ以上の要素が直接接続されるか、１つまたは複数の中間要素を介して接続されることを示す。また、用語「ここで（ｈｅｒｅｉｎ）」、「上（ａｂｏｖｅ）」、および「下（ｂｅｌｏｗ）」、ならびに、同様の意味の用語は、本願において使用されるときには、本願を総じて言及するものであり、本願の特定の部分を言及するものではない。他に文脈による指示がない限り、単数形または複数形で使用される、上記の詳細な説明における用語は、それぞれ、複数または単数の要素を含む。２つ以上の項目を含むリスト内の用語「または（ｏｒ）」は、以下の全ての用語の解釈を含む：リスト内のいずれかの項目、リスト内の全ての項目、ならびに、リスト内の項目の任意の組合せ。

上述のような、発明の実施形態の説明は、包括的であることも、上述の厳密な態様に限定することも意図していない。発明の具体的な実施形態および実施例は、例示を目的として上記で説明されており、当業者に理解されるように、様々な等価修正が発明の範囲内で可能である。例えば、プロセスまたはブロックが所定の順番にある一方、代替的な実施形態において、異なる順番の工程を有するルーティンを行うか、異なる順番のブロックを有するシステムを採用し、幾つかのプロセスまたはブロックを削除、移動、追加、細分化、結合、および／または修正してもよい。これらのプロセスまたはブロックのそれぞれは、様々な異なる方法で実施されてもよい。また、プロセスまたはブロックが連続して行われる一方、これらのプロセスまたはブロックは、代わりに、平行して行われるか、異なる時間に行われてもよい。

ここで得られる発明の技術は、その他のシステムに対して適用可能であり、必ずしも上述のシステムに適用する必要はない。上述の各種実施形態の要素および動作は、さらなる実施形態を得るために組み合わせ可能である。

発明の幾つかの実施形態が述べられたが、これらの実施形態は、ほんの一例として述べられ、本開示の範囲を限定するものではない。ここで述べる新たな方法およびシステムは、その他の様々な態様で具現化可能であり、さらに、ここで述べる方法およびシステムの態様において、本開示の精神から逸脱することなく削除、置き換え、および変更が種々可能である。添付の特許請求の範囲およびそれらの等価物は、当該態様および修正が本開示の範囲および精神内にあるとして、それらを含むものとする。

Claims (75)

1. 第１側と、前記第１側に対向する第２側とを有するポリマーラミネート層と、
   前記ポリマーラミネート層の第１側に配置された第１の群をなす１つまたは複数の導電性リボンと、
   群をなす１つまたは複数の導電性ビアであって、前記導電性ビアは、前記ポリマーラミネート層を貫通して延び、前記第１の群をなす導電性リボンと前記ポリマーラミネート層の第２側における１つまたは複数の位置との間で電気接続を得るように、前記第１の群をなす導電性リボンに対して接続される群をなす１つまたは複数の導電性ビアと、
   を備える、磁気デバイス。
2. さらに、
   前記ポリマーラミネート層の前記第２側に配置され、第２の群をなす１つまたは複数の導電性リボンを備え、
   前記群をなす１つまたは複数の導電性ビアは、前記第１および第２の群をなす導電性リボンを電気的に接続してワインディングを構成している、請求項１に記載のデバイス。
3. 前記第１および第２の群をなす導電性リボンが、それぞれ、実質的に平行に配置され磁束軸を構成する複数のストリップ状リボンを有しており、前記磁束軸は、電流が前記ワインディングを流れるときに、前記ポリマーラミネート層の平面に対して実質的に平行となる、請求項２に記載のデバイス。
4. 前記第１および第２の群をなす導電性リボンが、それぞれ、第１および第２螺旋状リボンを有しており、前記第１および第２螺旋状リボンは、電気的に接続されることにより磁束軸を構成し、前記磁束軸は、電流が前記ワインディングを流れるときに、前記ポリマーラミネート層の平面に対して実質的に垂直となる、請求項２に記載のデバイス。
5. 前記ポリマーラミネート層は、前記ワインディング用の磁性コアを構成する磁性体を含む、請求項２に記載のデバイス。
6. 前記ワインディングは、入力端子と出力端子とを有し、インダクタンス値を有するプレーナインダクタを構成する、請求項２に記載のデバイス。
7. さらに、第２のワインディングを備え、前記第１および第２のワインディングは、相対的に構成されおよび位置決めされている、請求項２に記載のデバイス。
8. 前記第１および第２のワインディングは、共通のポリマーラミネート層上に形成される、請求項７に記載のデバイス。
9. 前記第１および第２のワインディングは、個別のポリマーラミネート層上に形成される、請求項７に記載のデバイス。
10. 前記第１および第２のワインディングに対応する前記ポリマーラミネート層は、積層して配置されている、請求項９に記載のデバイス。
11. 前記第１および第２のワインディングは、入れ子状に配置されている、請求項９に記載のデバイス。
12. 前記第１のワインディングおよび第２のワインディングは、それぞれ、インダクタンス値を有するプレーナインダクタとして構成されている、請求項７に記載のデバイス。
13. 前記第１のワインディングおよび第２のワインディングが、相対的に構成され位置決めされてトランスを構成している、請求項７に記載のデバイス。
14. 前記第１および第２のワインディングに対応する第１および第２の磁束軸が実質的に同一平面上にある、請求項７に記載のデバイス。
15. 前記第１および第２の磁束軸は、実質的に同軸である、請求項１４に記載のデバイス。
16. 前記第１および第２の磁束軸は、実質的に平行であるが所定距離離れている、請求項１４に記載のデバイス。
17. さらに、
    前記ポリマーラミネート層の第１および第２側の１つまたは複数に配置された１つまたは複数のパッケージング層を備える、請求項２に記載のデバイス。
18. 前記パッケージング層は、前記ワインディングの１つまたは複数の端子に対して接続される１つまたは複数の電気端子を有する、請求項１７に記載のデバイス。
19. 前記パッケージング層は、磁気シールドを生じるように構成されている、請求項１７に記載のデバイス。
20. 磁気デバイスを製造する方法において、
    第１側と、前記第１側に対向する第２側と、を有するポリマーラミネート層を形成または設ける工程であって、前記ポリマーラミネート層は、複数の領域を有し、各領域は、個別ユニットに分離可能なように構成される、工程と、
    前記ポリマーラミネート層の各領域の第１側に、第１の群をなす１つまたは複数の導電性リボンを形成する工程と、
    前記ポリマーラミネート層の各領域を貫通して延びる群をなす１つまたは複数の導電性ビアを形成する工程であって、前記群をなす１つまたは複数の導電性ビアは、前記第１の群をなす導電性リボンに対して接続されて前記第１の群をなす導電性リボンと前記ポリマーラミネート層の第２側における１つまたは複数の位置との間で電気接続を得る、工程と、
    を含む方法。
21. さらに、
    前記ポリマーラミネート層の各領域の第２側に配置される第２の群をなす１つまたは複数の導電性リボンを形成する工程を含み、
    前記群をなす１つまたは複数の導電性ビアは、前記第１および第２の群をなす導電性リボンを電気的に接続することによりワインディングを構成する、請求項２０に記載の方法。
22. さらに、
    前記ワインディングに対して複数の端子を形成する工程を含む、請求項２１に記載の方法。
23. さらに、
    前記ポリマーラミネート層が分割されていない状態で前記ワインディングの端子に対する電気接触を行うことによって１つまたは複数の検査を行う工程を含む、請求項２２に記載の方法。
24. さらに、
    前記ポリマーラミネート層を分割することにより前記複数の領域に対応する複数の個別の磁気デバイスを構成する工程を含む、請求項２０に記載の方法。
25. さらに、
    前記個別の磁気デバイスを非磁気デバイスと組み合わせることにより一体型部品パッケージを構成する工程を含む、請求項２４に記載の方法。
26. さらに、
    分離前の個別ユニットのそれぞれに対して非磁気デバイスを連結する工程を含む、請求項２０に記載の方法。
27. 第１側と第２側とを有するポリマーラミネート層を有するとともに、プレーナ磁気機能を得るように前記ポリマーラミネート層の第１および第２側の一方または両方に実装される１つまたは複数の導電性パターンを有する第１プレーナ部品と、
    前記第１プレーナ部品の第１側に対して連結され、磁気デバイスの表面実装を可能とするように構成される複数の端子を有する第２プレーナ部品と、
    前記１つまたは複数の導電性パターンと前記複数の端子との間で電気接続を得るように実装される複数の接続特徴部と、
    を備える、表面実装可能な磁気デバイス。
28. 前記第１プレーナ部品のポリマーラミネート層は、分割プロセスの結果生じる少なくとも１つの切除端を有する外周を有し、それにより、前記表面実装可能な磁気デバイスを複数の類似デバイスの１つとして構成する、請求書２７に記載のデバイス。
29. 前記複数の類似デバイスは、前記分割プロセス前に少なくとも部分的にアレイ状に製造される、請求項２８に記載のデバイス。
30. さらに、
    前記第１プレーナ部品の第２側に対して連結された第３プレーナ部品であって、前記１つまたは複数の導電性パターンに対して電気的に接続される複数の端子を有し、前記複数の端子と共に前記磁気デバイスの表面実装を可能とするように構成された第３プレーナ部品を備える、請求項２８に記載のデバイス。
31. 前記第２および第３プレーナ部品の端子は、終端間および上下間の一方または両方で接続対称性が得られるように構成されている、請求項３０に記載のデバイス。
32. 前記第２プレーナ部品が、前記第１プレーナ部品と前記複数の端子との間でパッケージング機能が得られるように構成されたパッケージング層を有する、請求項２８に記載のデバイス。
33. 前記第２プレーナ部品は、磁性ポリマー材料から形成されるプレーナ構造体を含む、請求項２８に記載のデバイス。
34. 前記プレーナ構造体は、前記ポリマーラミネート層を切断する切断動作を十分に可能とする分だけ前記第１プレーナ部品の前記ポリマーラミネート層の前記切除端から内側に設定される縁部を含む外周を有する、請求項３３に記載のデバイス。
35. さらに、
    磁性ポリマー材料から形成されるプレーナ構造体を有する第３プレーナ部品を備える、請求項３４に記載のデバイス。
36. 前記第２プレーナ部品の端子は、前記プレーナ構造体の外面上に形成される導電層からパターニングされる、請求項３４に記載のデバイス。
37. 前記第２プレーナ部品は、前記プレーナ構造体の外面上に形成される導電体パターンをさらに有する、請求項３４に記載のデバイス。
38. 前記第２プレーナ部品は、前記プレーナ構造体の外面上に形成される前記導電体パターンを実質的に覆う絶縁層をさらに有する、請求項３３に記載のデバイス。
39. 前記第２プレーナ部品の端子は、前記絶縁層の外面上に形成される導電層からパターニングされる、請求項３８に記載のデバイス。
40. 前記第１および第２プレーナ部品の一方または両方が磁性体を含んでいる、請求項２８に記載のデバイス。
41. 前記複数の接続特徴部は１つまたは複数の導電性ビアを含む、請求項２８に記載のデバイス。
42. さらに、
    表面実装機能を保持するように前記磁気デバイスに対して連結される非磁気デバイスを備える、請求項２７に記載のデバイス。
43. 前記磁気デバイスおよび前記非磁気デバイスは、積層して配置されている、請求項４２に記載のデバイス。
44. 前記磁気デバイスおよび前記非磁気デバイスが一体型部品パッケージとして組み合わせられる、請求項４２に記載のデバイス。
45. ポリマーラミネート層を有するとともに、前記ポリマーラミネート層の第１側に実装される群をなす１つまたは複数の導電性リボンを有し、少なくとも１つの切除端を具備する外周を有するベース層と、
    前記ベース層上に実装され、前記ベース層から離れる側に実装される群をなす１つまたは複数の導電性特徴部を有する構造体と、
    を備える、磁気デバイス。
46. 前記構造体は、前記ポリマーラミネート層を切断し前記切除端を形成する切断動作を十分に可能とする分だけ前記切除端から内側に設定される縁部を具備する外周を有する、請求項４５に記載のデバイス。
47. 前記ポリマーラミネート層は、磁性ポリマー材料を含む、請求項４５に記載のデバイス。
48. 前記構造体は、磁性ポリマー材料を含む、請求項４５に記載のデバイス。
49. 前記磁性ポリマー構造体は、前記ベース層上に形成される、請求項４８に記載のデバイス。
50. 前記磁性ポリマー構造体は、前記ベース層上に印刷または成形される、請求項４９に記載のデバイス。
51. 前記磁性ポリマー構造体は、前記ベース層に対して取り付けられる、請求項４８に記載のデバイス。
52. 前記磁性ポリマー構造体は、接着剤の層または１つまたは複数のアンカーピンによって前記ベース層に対して取り付けられ、前記１つまたは複数のアンカーピンは、前記磁性ポリマー構造体および前記ベース層に形成されるビアの少なくとも一部を貫通して延びている、請求項５１に記載のデバイス。
53. 前記群をなす１つまたは複数の導電性リボンは、外端と内端とを有する螺旋状リボンを含む、請求項４８に記載のデバイス。
54. 前記ベース層は、前記螺旋状リボンの内端と電気接触する導電性ビアをさらに有し、前記導電性ビアは、前記螺旋状リボンの内端と前記ベース層の第１側に対向する第２側における前記リボンの所定位置との間で電気接続を得るように構成される、請求項５３に記載のデバイス。
55. 前記群をなす１つまたは複数の導電性リボンは、実質的に平行に配置される複数のストリップを備える、請求項４８に記載のデバイス。
56. 前記ベース層は、前記ストリップの対応する端部に電気接触する複数の導電性ビアをさらに有し、前記導電性ビアは、前記ストリップの対応する端部と、前記ベース層の第１側に対向する第２側における所定位置との間で電気接続を得るように構成される、請求項５５に記載のデバイス。
57. 前記群をなす１つまたは複数の導電性特徴部は、第２の群をなす１つまたは複数の導電性リボンを含む、請求項４８に記載のデバイス。
58. 前記第２の群をなす１つまたは複数の導電性リボンは、外端と内端とを有する螺旋状リボンを含む、請求項５７に記載のデバイス。
59. 前記第２の群をなす１つまたは複数の導電性リボンは、実質的に平行に配置される複数のストリップを含む、請求項５７に記載のデバイス。
60. さらに、
    前記第２の群をなす１つまたは複数の導電性リボンの上に形成される絶縁層を備える、請求項５７に記載のデバイス。
61. さらに、
    前記絶縁層上に形成される複数の端子を備え、前記端子の少なくとも１つは、前記第１の群をなす１つまたは複数の導電性リボンに対して電気接触し、前記端子のその他の少なくとも１つは、前記第２の群をなす１つまたは複数の導電性リボンに対して電気接触する、請求項６０に記載のデバイス。
62. 前記群をなす１つまたは複数の導電性特徴部は、前記磁性ポリマー材料上に実質的に直接形成される、請求項４６に記載のデバイス。
63. 前記群をなす１つまたは複数の導電性特徴部は、前記磁性ポリマー材料上に実質的に直接形成される１つまたは複数の端子を含む、請求項６２に記載のデバイス。
64. 前記構造体は、前記ベース層の第１側に実装される、請求項４５に記載のデバイス。
65. さらに、
    前記ベース層の第２側に実装される第２構造体を備え、前記第２構造体は、前記ベース層の前記切除端を形成する前記切断動作を十分に可能とする分だけ前記切除端から内側に設定される縁部を具備する外周を有する、請求項６４に記載のデバイス。
66. 磁気デバイスを製造する方法であって、
    ポリマーラミネート層を有するベース層を形成または設ける工程であって、前記ベース層は前記ポリマーラミネート層の第１側に実装される群をなす１つまたは複数の導電性リボンのアレイを有する、工程と、
    前記ベース層上に構造体のアレイを形成または設ける工程と、
    各構造体上に、群をなす１つまたは複数の導電性特徴部を形成する形成工程であって、前記１つまたは複数の導電性特徴部の少なくとも一部は前記群をなす１つまたは複数の導電性リボンに対して電気的に接続される、工程と、
    前記ポリマーラミネート層を切断して複数の個別ユニットを構成する工程であって、前記個別ユニットのそれぞれは前記ベース層上に実装される構造体を有する、工程と、
    を含む方法。
67. 前記ポリマーラミネート層および前記構造体のアレイの一方または両方は、磁性ポリマー材料を含む、請求項６６に記載の方法。
68. 前記ポリマーラミネート層の前記切断工程は、前記構造体のアレイを切断する工程を含む、請求項６６に記載の方法。
69. 前記構造体のアレイは前記構造体の間に空間を規定するように構成され、前記空間は、前記構造体が切削工具に接触することなく前記ポリマーラミネート層の前記切断工程を可能とする程度に十分大きい、請求項６６に記載の方法。
70. さらに、
    導電性ビアを形成することにより、前記導電性リボンと前記導電性特徴部との間で電気接続を得る工程を含む、請求項６６に記載の方法。
71. 前記導電性特徴部は端子を含む、請求項７０に記載の方法。
72. 前記端子の形成工程は、
    導電層を形成する工程と、
    パターンで前記導電層をエッチングすることにより、前記端子を形成する工程と、
    を含む、請求項７１に記載の方法。
73. 前記導電層の前記形成工程前に、前記構造体上に絶縁層を形成する工程をさらに含む、請求項７２に記載の方法。
74. 前記導電性ビアの形成工程は、
    前記ポリマーラミネート層を貫通してキャスタレーションビアを形成する工程であって、前記キャスタレーションビアは、各構造体の少なくとも片側においてキャスタレーション特徴部を構成するように寸法決めされる工程と、
    前記キャスタレーションビアをめっき加工する工程と、
    を含む、請求項７０に記載の方法。
75. さらに、
    前記構造体上に、第２の群をなす１つまたは複数の導電性リボンを形成する工程を含む、請求項６６に記載の方法。

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