JP2016510360A - 多孔質シリコン微粒子を得るための、複合した電気化学的および化学的エッチングプロセス - Google Patents
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Abstract
Description
[0001]本出願は米国仮特許出願61/749636号(2013年1月7日提出)の優先権を主張する。本出願は米国特許出願13/589588号(2012年8月20日提出)および国際出願PCT/US2010/054577号(2010年10月28日提出)にも関連する。これらの出願のそれぞれの全体が参考文献として本明細書に取り込まれる。
[0002]適用しない
[0030]幾つかの態様において、本開示は多孔質のシリコン微粒子を調製する新規な方法に関する。幾つかの態様において、本開示はそのような多孔質シリコン微粒子を含む陽極材料に関する。
[0032]幾つかの態様において、本開示は多孔質のシリコン微粒子を調製する方法に関する。図1に例示する幾つかの態様において、本開示の方法は次の各工程を含む:シリコン基材を電気化学的にエッチングして、それによりシリコン基材の上に多孔質のシリコンの皮膜を生成させること(工程10);シリコン基材から多孔質のシリコンの皮膜を分離すること(工程12);工程10と工程12を複数回繰り返すこと;工程10に従ってシリコン基材を電気化学的にエッチングして、それによりシリコン基材の上に多孔質シリコン皮膜を生成させること(工程14);多孔質シリコン皮膜とシリコン基材を化学的にエッチングすること(工程16);および、多孔質シリコン皮膜とシリコン基材を分割し、それにより多孔質のシリコンの微粒子を形成すること(工程18)。幾つかの態様において、本開示の方法はまた、多孔質シリコン微粒子を結合材料と組み合わせる工程も含む(工程20)。幾つかの態様において、本開示の方法はまた、多孔質シリコン微粒子を製造するために用いられる多孔質シリコン皮膜の厚さを制御する工程も含む。
[0035]本開示の方法においては様々なタイプのシリコン基材を用いることができる。例えば、幾つかの態様において、シリコン基材にはバルクのシリコン基材が含まれてもよい。幾つかの態様において、シリコン基材には、結晶質シリコン、半結晶質シリコン、非晶質シリコン、ドープしたシリコン、被覆したシリコン、シリコンのナノ粒子で予備被覆したシリコン、およびこれらの組み合わせが含まれる。
[0038]シリコン基材を電気化学的にエッチングするために、様々な方法を用いてもよい。幾つかの態様において、電気化学的なエッチングによってシリコン基材の上に多孔質のシリコンの皮膜が生成する。幾つかの態様において、電気化学的にエッチングすることは、硝酸(HNO3)、フッ化水素酸(HF)、硫酸(H2SO4)、塩酸(HCl)、およびこれらの組み合わせなどの1種以上の強酸を用いることを含んでもよい。さらに特定された態様において、シリコン基材の電気化学的なエッチングはフッ化水素酸の存在下で生じる。幾つかの態様において、シリコン基材の電気化学的なエッチングはジメチルホルムアミド(DMF)の中のフッ化水素酸の存在下で生じる。
[0044]形成された多孔質シリコン皮膜をシリコン基材から分離するために、様々な方法を用いることができる(これは「リフトオフ」の手順とも呼ぶ)。様々な態様において、そのような分離工程は電気化学的なエッチングを行う間に、または電気化学的なエッチングを行った後に行うことができる。
[0050]幾つかの態様において、電気化学的エッチングと分離の工程は複数回繰り返される。例えば、幾つかの態様において、電気化学的エッチングと分離の工程は5回を超えて繰り返される。幾つかの態様において、電気化学的エッチングと分離の工程は10回を超えて繰り返される。幾つかの態様において、電気化学的エッチングと分離の工程は、多孔質シリコン皮膜がシリコン基材から分離できなくなるまで繰り返される。幾つかの態様において、電気化学的エッチングと分離の工程は、シリコン基材に1つ以上の亀裂が生じるまで繰り返される。
[0052]電気化学的エッチングの工程と多孔質シリコン皮膜を分離する工程を所望の回数にわたって繰り返した後、本開示の方法は、シリコン基材を電気化学的にエッチングする最終の工程を含んでもよく、それによりシリコン基材の上に多孔質シリコン皮膜を生成させる。その後、多孔質シリコン皮膜とシリコン基材が化学的にエッチングされてもよい。
[0056]幾つかの態様において、化学的エッチングの工程に続いて、多孔質シリコン皮膜とシリコン基材の分割が行われ、それにより多孔質なシリコンの微粒子が形成される。そのような目的のために様々な分割方法を用いることができる。例えば、幾つかの態様において、分割は、物理的粉砕、圧潰、音波処理、超音波処理、超音波破壊、微粉砕、超音波微粉砕、およびこれらの組み合わせのうちの少なくとも一つによって生じる。さらに特定された態様において、分割は超音波処理によって生じる。
[0058]幾つかの態様において、多孔質シリコン微粒子を1種以上の結合材料と組み合わせてもよい。様々な態様において、組み合わせることは、多孔質シリコン微粒子を形成する前に、または形成する間に、または形成した後に行うことができる。
[0062]幾つかの態様において、結合材料には1種以上の金属が含まれてもよい。幾つかの態様において、その金属には、(これらに限定はされないが)金、銅、銀、チタン、鉄、およびこれらの組み合わせが含まれてもよい。
[0069]幾つかの態様において、本開示の方法はまた、多孔質シリコン微粒子を形成するために用いられる多孔質シリコン皮膜の厚さを制御する工程も含む。多孔質シリコン皮膜の厚さを制御するために様々な方法を用いることができる。例えば、幾つかの態様において、多孔質シリコン皮膜の厚さは一つ以上のパラメーターを調節することによって制御される。幾つかの態様において、制御可能なパラメーターとしては、電気化学的エッチングを行う際の電流密度、電気化学的エッチングを行う際のシリコン基材の抵抗率、電気化学的または化学的なエッチングを行う際に用いられる電解質のエッチング液の濃度、電極の配置、プロセス温度、電気化学的または化学的なエッチングを行う際の温度、およびこれらの組み合わせのうちの少なくとも一つがある。
[0071]本開示の方法は、様々なタイプの多孔質シリコン微粒子を形成するために利用することができる。例えば、幾つかの態様において、形成される多孔質シリコン微粒子は多数の細孔を含む。幾つかの態様において、細孔は様々な直径を有する。幾つかの態様において、多孔質シリコン微粒子の細孔は約1ナノメートルと約5マイクロメートルの間の直径を有する。幾つかの態様において、細孔は少なくとも約50nmの直径を有するマクロ細孔を含む。幾つかの態様において、細孔は約50ナノメートルから約3マイクロメートルまでの間の直径を有するマクロ細孔を含む。幾つかの態様において、細孔は約500ナノメートルから約2マイクロメートルまでの間の直径を有するマクロ細孔を含む。幾つかの態様において、細孔は約50nm未満の直径を有するメソ細孔を含む。幾つかの態様において、細孔は約2nm未満の直径を有するミクロ細孔を含む。
[0078]本開示のさらなる態様は陽極材料に関する。幾つかの態様において、その陽極材料は本開示の多孔質シリコン微粒子を含む。さらに特定された態様において、本開示の陽極材料は、(1)多数の細孔を有する多孔質シリコン微粒子、(2)多孔質シリコン微粒子と組み合わせた被覆、および(3)多孔質シリコン微粒子と組み合わせた結合材料、を含む。
[0087]本開示において、出願人は、大量の多孔質シリコン微粒子を費用対効果が高くて効率的なやり方で生成させるために用いることができる新規なプロセスを開発した。さらに、本開示の多孔質シリコン微粒子は、多数回のサイクルにわたっての高い放電容量や高いクーロン効率のような、様々な有利な特性を有する。従って、本開示の方法と多孔質シリコン微粒子は多くの用途を見いだすことができる。
[0092]ここで、本開示のさらに特定された態様とそれらの態様についての裏づけを与える実験結果について言及する。しかるに、以下で開示することは例証することだけを目的とし、どのような形であっても特許請求の範囲に記載された主題の範囲を限定することを意図していないことを、出願人は特筆しておく。
[0094]本実施例は、リチウムイオン電池のための陽極としての多孔質シリコンのミクロンサイズの微粒子を生成するための、複合した電気化学的および化学的エッチングプロセスを例証する。
[00101]多段階リフトオフのプロセスを用いて、シリコンウエーハの電気化学的エッチングによって多孔質シリコンを合成した。多孔質シリコン皮膜の厚さは、印加する電流、ウエーハの抵抗率、電解液の濃度およびウエーハのドーピングのようなエッチングパラメーターを制御することによって変更することができる。多孔質シリコンにおいては、プライムグレードの、ホウ素をドープしたp型の(100)シリコンウエーハ(Siltronix Corp、シリコンセンスおよびシリコンクエスト)を用いた。提供されたウエーハは275±25μmの厚さおよび14〜22オーム-cmと10〜30オーム-cmの間の平均抵抗率を有する。多孔質シリコンを製作するために、Agilent電力源(E3612A)によって室温において供給される一定の電流密度において、ウエーハの中に細孔がエッチングされる。エッチング溶液は20〜30mLのジメチルホルムアミド(DMF、Sigma Aldrich)と2〜4mLの49%HF(Fisher Scientific)の溶液からなる。細孔の形成は、フッ化物イオンの数が孔の数よりも多いときに([F−]>[h+])起こる。エッチングされた多孔質シリコンは、エッチング時間に応じて500nm〜2μmの平均直径と10μm〜200μmの間の深さを有するだろう。最初に、室温において1〜5mA/cm2の一定の電流密度を3〜5時間にわたって用いてエッチングすることによって、多孔質シリコン皮膜を形成する。これにより、10μm〜200μmの厚さを有する多孔質シリコンの層が形成される。
[00104]形成された多孔質シリコン皮膜を、電気化学的なエッチングプロセスを行う間に電流密度を増大させることによってシリコン基材から複数回リフトオフ(分離)させた。用いられたシリコンウエーハは、275±25μmの厚さと1〜20オーム-cmの間の平均抵抗率を有する。エッチング溶液は10:1の比率のジメチルホルムアミドと49%HFの溶液からなる。室温において1〜5mA/cm2の一定の電流密度を3〜5時間にわたって用いてウエーハをエッチングすることによって、多孔質シリコン皮膜を形成する。この電気化学的エッチングを行う間にシリコン基材が割れ始めると、出願人は多孔質シリコン皮膜の層をリフトオフすることができなかった。
[00106]多孔質シリコン皮膜を含む割れが生じたシリコン基材について、この多孔質な基材を1〜10mlのフッ化水素酸(HF)と0.1〜1mlの硝酸銀(AgNO3)の中に室温において1〜10分間入れることによって、化学的なエッチングを行った。これにより、シリコン基材の上のシリコン基材と多孔質シリコン皮膜が銀の粒子で被覆された。銀で被覆された後に、多孔質シリコン皮膜と割れたシリコン基材を化学的エッチング液(10mlのHFと0.1mlの30%過酸化水素(H2O2))の中に10〜120分間保持した。
[00109]全ての電気化学的な測定のために、二つの電極および三電極電池(Hosen Test cell、Hohsen Corp. Japan)を用いた。PANおよび電気化学的および化学的にエッチングした多孔質シリコン微粒子をステンレス鋼の上にドロップキャストすることによって、作用電極を製作した。その構成物をアルゴン雰囲気の中で550℃で熱分解した。半電池の構成において、対電極としてリチウム箔(厚さ0.75mm、Alfa Aesar)を用いた。電池全体の構成において酸化リチウムコバルト(LiCoO2)を用いた。隔離板として、電解液で湿潤させた三層ポリプロピレン膜(Celgard 2325)を用いた。用いた電解液は、1:1の比率(w/w)のエチレンカーボネート:ジエチルカーボネート(Ferro Corporation)または1:1の比率(w/w)のFEC(Ferro Corporation):ジメチルカーボネート(Sigma Aldrich)の中の1MのLiPF6であった。陽極材料は電池に組み立てる前に空気に晒されなかった。全ての電池は、アルゴンを満たしたグローブボックス(5ppm未満の酸素と水、Vacuum Atmospheres Co.)の中で組み立てられた。Arbin InstrumentsのBT2000を用いて電気化学試験を行う。出願人の陽極材料は、1000mAhg−1の一定の充電容量(CCC)についてC/3とC/2の速度(rate)においてLi/Li+に対して0Vと1Vの間で充電と放電が行われた。クーロン効率(脱リチウムの容量/リチウム化の容量)は、ほぼ100%として計算された。
Claims (47)
- 多孔質のシリコン微粒子を調製する方法であって、次の各工程:
(a)シリコン基材を電気化学的にエッチングすること、この場合、電気化学的なエッチングはシリコン基材をある電流密度に曝露することを含み、そしてこの電気化学的なエッチングによってシリコン基材の上に多孔質のシリコンの皮膜が生成する;
(b)シリコン基材から多孔質のシリコンの皮膜を分離すること、この場合、分離することは、電流密度を順次に増加させるやり方で徐々に増大させることを含む;
(c)工程(a)と工程(b)を複数回繰り返すこと;
(d)工程(a)に従ってシリコン基材を電気化学的にエッチングし、それによりシリコン基材の上に多孔質シリコン皮膜を生成すること;
(e)多孔質シリコン皮膜とシリコン基材を化学的にエッチングすること;および
(f)多孔質シリコン皮膜とシリコン基材を分割し、それにより多孔質のシリコンの微粒子を形成すること;
を含む上記方法。 - シリコン基材がシリコンウエーハを含む、請求項1に記載の方法。
- シリコン基材の電気化学的なエッチングが酸を使用することを含む、請求項1に記載の方法。
- 酸がフッ化水素酸を含む、請求項3に記載の方法。
- 電気化学的なエッチングが、シリコン基材を約1mA/cm2から約10mA/cm2までの電流密度に曝露することを含む、請求項1に記載の方法。
- 分離工程の際に電流密度を徐々に増大させることが、電流密度を1回増加させる毎に約1〜2mA/cm2増大させることを含む、請求項1に記載の方法。
- 工程(a)と工程(b)が5回を超えて繰り返される、請求項1に記載の方法。
- 工程(a)と工程(b)が、多孔質シリコン皮膜がシリコン基材から分離できなくなるまで繰り返される、請求項1に記載の方法。
- 工程(a)と工程(b)が、シリコン基材に1つ以上の亀裂が生じるまで繰り返される、請求項1に記載の方法。
- 化学的なエッチングが多孔質シリコン皮膜とシリコン基材を金属に曝露することによって生じる、請求項1に記載の方法。
- 金属が、銀、銅、クロム、金、アルミニウム、タンタル、鉛、亜鉛、シリコン、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項10に記載の方法。
- 金属が銀である、請求項10に記載の方法。
- 曝露することによって多孔質シリコン皮膜とシリコン基材が金属で被覆される、請求項10に記載の方法。
- 物理的粉砕、圧潰、音波処理、超音波処理、超音波破壊、微粉砕、超音波微粉砕、およびこれらの組み合わせのうちの少なくとも一つによって分割される、請求項1に記載の方法。
- 超音波処理によって分割が行われる、請求項1に記載の方法。
- 多孔質シリコン微粒子を結合材料と組み合わせる工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 結合材料が、結合剤、炭素材料、ポリマー、金属、添加剤、炭水化物、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項16に記載の方法。
- 結合材料が、ポリアクリロニトリル(PAN)、熱分解ポリアクリロニトリル(PPAN)、二フッ化ポリビニリデン(PVDF)、ポリアクリル酸(PAA)、カルボキシメチルセルロース(CMC)、およびこれらの組み合わせからなる群から選択されるポリマーを含む、請求項16に記載の方法。
- 結合材料が炭化されている、請求項16に記載の方法。
- 結合材料が炭化ポリアクリロニトリルを含む、請求項19に記載の方法。
- 形成される多孔質シリコン微粒子が、直径が約1ナノメートル〜約5マイクロメートルである多数の細孔を含む、請求項1に記載の方法。
- 多数の細孔が、少なくとも約50nm、約50nm未満、約2nm未満、およびこれらの組み合わせの直径を有する、請求項1に記載の方法。
- 多数の細孔が階層的な細孔を含む、請求項1に記載の方法。
- 階層的な細孔がマクロ細孔の中にミクロ細孔とメソ細孔を含む、請求項23に記載の方法。
- 形成される多孔質シリコン微粒子が、約10マイクロメートルから約200マイクロメートルまでの範囲の厚さを有する、請求項1に記載の方法。
- 形成される多孔質シリコン微粒子が、多孔質シリコン微粒子の厚みの少なくとも50%に及ぶ細孔を含む、請求項1に記載の方法。
- 形成される多孔質シリコン微粒子が、多孔質シリコン微粒子の厚みの全体に及ぶ細孔を含む、請求項1に記載の方法。
- 多孔質シリコン微粒子が、約1μmから約50μmまでの直径を有する、請求項1に記載の方法。
- 多孔質シリコン皮膜の厚さを制御する工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 多孔質シリコン皮膜の厚さが、電気化学的エッチングを行う際の電流密度、電気化学的エッチングを行う際のシリコン基材の抵抗率、電気化学的または化学的なエッチングを行う際に用いられる電解質のエッチング液の濃度、電気化学的または化学的なエッチングを行う際の温度、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される一つ以上のパラメーターを調節することによって制御される、請求項29に記載の方法。
- 陽極材料であって、次の各要素:
多孔質シリコン微粒子、この多孔質シリコン微粒子は多数の細孔を有していて、それら多数の細孔は約1ナノメートルと約5マイクロメートルの間の直径を有する;
多孔質シリコン微粒子と組み合わせた被覆;および
多孔質シリコン微粒子と組み合わせた結合材料、この結合材料は結合剤、炭素材料、ポリマー、金属、添加剤、炭水化物、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される;
を含む前記陽極材料。 - 被覆が金属被覆を含む、請求項31に記載の陽極材料。
- 金属が、銀、銅、クロム、金、アルミニウム、タンタル、鉛、亜鉛、シリコン、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項32に記載の陽極材料。
- 金属が銀である、請求項32に記載の陽極材料。
- 結合材料が、ポリアクリロニトリル(PAN)、熱分解ポリアクリロニトリル(PPAN)、二フッ化ポリビニリデン(PVDF)、ポリアクリル酸(PAA)、カルボキシメチルセルロース(CMC)、およびこれらの組み合わせからなる群から選択されるポリマーを含む、請求項31に記載の陽極材料。
- 結合材料が、炭化ポリアクリロニトリルを含む、請求項31に記載の陽極材料。
- 多数の細孔が、少なくとも約50nm、約50nm未満、約2nm未満、およびこれらの組み合わせの直径を有する、請求項31に記載の陽極材料。
- 多数の細孔が、階層的な細孔を含む、請求項31に記載の陽極材料。
- 階層的な細孔が、マクロ細孔の中にミクロ細孔とメソ細孔を含む、請求項31に記載の陽極材料。
- 多孔質シリコン微粒子が、約10マイクロメートルから約200マイクロメートルまでの範囲の厚さを有する、請求項31に記載の陽極材料。
- 多孔質シリコン微粒子が、多孔質シリコン微粒子の厚みの少なくとも50%に及ぶ細孔を含む、請求項31に記載の陽極材料。
- 多孔質シリコン微粒子は、多孔質シリコン微粒子の厚みの全体に及ぶ細孔を含む、請求項31に記載の陽極材料。
- 多孔質シリコン微粒子が、約1μmから約50μmまでの直径を有する、請求項31に記載の陽極材料。
- 陽極材料が、少なくとも50サイクルにわたって少なくとも約600mAh/gの放電容量を有する、請求項31に記載の陽極材料。
- 陽極材料が、少なくとも50サイクルにわたって少なくとも約1000mAh/gの放電容量を有する、請求項31に記載の陽極材料。
- 陽極材料が、少なくとも50サイクルにわたって少なくとも約90%のクーロン効率を有する、請求項31に記載の陽極材料。
- 陽極材料が、リチウムイオン電池の一部として用いられる、請求項31に記載の陽極材料。
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