JP2016510090A - 金イオン及びフッ素イオンを含有する溶液を用いた金属ケイ化物の形成方法 - Google Patents

金イオン及びフッ素イオンを含有する溶液を用いた金属ケイ化物の形成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2016510090A
JP2016510090A JP2015558531A JP2015558531A JP2016510090A JP 2016510090 A JP2016510090 A JP 2016510090A JP 2015558531 A JP2015558531 A JP 2015558531A JP 2015558531 A JP2015558531 A JP 2015558531A JP 2016510090 A JP2016510090 A JP 2016510090A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nickel
cobalt
less
silicon
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015558531A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6312713B2 (ja
Inventor
ヴァンサン メヴェレック，
ヴァンサン メヴェレック，
ドミニク サー，
ドミニク サー，
Original Assignee
アルスィメール
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by アルスィメール filed Critical アルスィメール
Publication of JP2016510090A publication Critical patent/JP2016510090A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6312713B2 publication Critical patent/JP6312713B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L21/28518—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table the conductive layers comprising silicides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1635—Composition of the substrate
    • C23C18/1639—Substrates other than metallic, e.g. inorganic or organic or non-conductive
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1635—Composition of the substrate
    • C23C18/1639—Substrates other than metallic, e.g. inorganic or organic or non-conductive
    • C23C18/1642—Substrates other than metallic, e.g. inorganic or organic or non-conductive semiconductor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1689—After-treatment
    • C23C18/1692—Heat-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1689—After-treatment
    • C23C18/1692—Heat-treatment
    • C23C18/1696—Control of atmosphere
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
    • C23C18/1875—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment only one step pretreatment
    • C23C18/1879—Use of metal, e.g. activation, sensitisation with noble metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
    • C23C18/1875—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment only one step pretreatment
    • C23C18/1882—Use of organic or inorganic compounds other than metals, e.g. activation, sensitisation with polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
    • C23C18/34—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
    • C23C18/34—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
    • C23C18/36—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents using hypophosphites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/54—Contact plating, i.e. electroless electrochemical plating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
    • H01L21/28026—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor
    • H01L21/28035—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor the final conductor layer next to the insulator being silicon, e.g. polysilicon, with or without impurities
    • H01L21/28044—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor the final conductor layer next to the insulator being silicon, e.g. polysilicon, with or without impurities the conductor comprising at least another non-silicon conductive layer
    • H01L21/28052—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor the final conductor layer next to the insulator being silicon, e.g. polysilicon, with or without impurities the conductor comprising at least another non-silicon conductive layer the conductor comprising a silicide layer formed by the silicidation reaction of silicon with a metal layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/32051—Deposition of metallic or metal-silicide layers
    • H01L21/32053—Deposition of metallic or metal-silicide layers of metal-silicide layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

【課題】金イオン及びフッ素イオンを含有する溶液を用いた金属ケイ化物の形成方法の提供。【解決手段】本発明の主題は、ケイ化ニッケル又はケイ化コバルトを形成する方法であって、金イオンを０．１ｍＭ〜１０ｍＭ、フッ素イオンを０．６Ｍ〜３．０Ｍ含有する水溶液にケイ素含有基板の表面を５秒間超５分間未満曝露する工程、活性化した基板上に、ニッケル又はコバルトで本質的に構成された層を無電解法によって積層する工程、及び、３００℃超７５０℃未満の温度でラピッドサーマルアニールを施して、ケイ化ニッケル又はケイ化コバルトを形成する工程を含む方法である。上記水溶液は、少なくとも１つのアニオン性又はノニオン性極性基及び炭素数１０〜１６のアルキル鎖を有する化合物から選択される界面活性剤を含有する。上記方法は、ＮＡＮＤメモリ及び太陽電池の製造に本質的に適用できる。【選択図】なし

Description

本発明は概して電子機器の製造、特にデータの保存及び一般的な転送用のＵＳＢキー、ＭＳカード及びＳＤカードで使用される消去可能なＮＡＮＤメモリ等の製造に関する。
本発明は、ケイ素上に金属を化学蒸着することによって金属ケイ化物を製造することに関する。特に、表面において誘電体層と半導体層とが垂直方向に交互に配置された基板を、その後の工程において無電解プロセス（自己触媒プロセスとしても知られる）によって積層される薄い金属層で被覆できるように活性化することに関する。
ケイ化ニッケルは、通常、気相プロセスによってケイ素基板上にニッケル膜を積層した後、ラピッドサーマルアニール（ＲＴＡ）することによって形成される。通常４００〜７５０℃程度の温度でこのようなサーマルアニールを行う間、ニッケルがケイ素層に移動してケイ化ニッケルが形成される。ケイ素中に移動しないで基板表面に残留したニッケルは、その後、形成されたケイ化物を損なうことなく選択的化学洗浄によって除去することができる。
ケイ化ニッケルは、特に、ＶＬＳＩ集積回路で使用される半導体装置の相互接続構造を製造するのに使用される。また、ケイ化ニッケル積層層はＮＡＮＤメモリ及びＭＯＳトランジスタの製造にも使用される。
ＮＡＮＤフラッシュメモリは、直列に接続された浮遊ゲートトランジスタ（ＭＯＳ）で構成されるメモリセルのネットワーク中に情報を保存する。３次元ＮＡＮＤの場合、アスペクト比が非常に大きい構造体、特に開口径が数十ナノメートル、深さが数マイクロメートルの穴の表面全体にわたって均一な厚さの極めて薄いケイ化ニッケル層を積層できることが望ましい。
ＭＯＳ（金属酸化物半導体）トランジスタでは、金属ケイ化物（チタン、コバルト又はタングステンのケイ化物）の層を用いて２つの材料間の抵抗を低減することが多い。
ゲート長の短いＭＯＳトランジスタ又は接合部が比較的浅いＭＯＳトランジスタの場合、ニッケル積層層をより薄くする必要がある。ニッケルはケイ素中での拡散率が非常に高いため、トランジスタ構造体の側壁下にまでケイ化ニッケル領域が形成されて動作不良を引き起こし得るからである。
厚さが均一なニッケル層を得るためには、通常、ケイ素表面をパラジウムで活性化する必要がある。特許文献１には、特に、フッ化水素酸及び酢酸に溶解させた塩化パラジウム塩によって多結晶シリコン表面を周囲温度で約１０秒間活性化する工程を含むケイ化ニッケルの製造方法が開示されている。該活性化工程の後、ニッケル錯化剤（乳酸、クエン酸等）の存在下、硫酸ニッケル及びジメチルアミン−ボランの溶液等を使用して無電解法により厚さ１８０〜２２０ｎｍのニッケル層を積層する。ケイ化ニッケルは、ニッケルを高温（６５０℃）にしてケイ素中に移動させることによって形成される。
米国特許第６，４０６，７４３号明細書
しかしながら、本出願人は、ケイ素表面におけるパラジウムの活性化密度が低すぎるため、パラジウムによる活性化では厚さが小さく均一なニッケル層が得られないことを見出した。本出願人はまた、銀又は銅を使用してケイ素表面を活性化すると、薄く均一なニッケル層は得られるものの、ラピッドサーマルアニール（ＲＴＡ）工程においてケイ化ニッケルが形成されないことを確認した。
気相プロセスによってニッケルを積層させることが既に提案されているが、化学蒸着法（ＣＶＤ又はＡＬＤ）は高コストである。さらに、穴やエッチング形状を有する構造体に採用した場合、構造体の底部と比較して開口部や鋭角上で極めて厚い層が積層されてしまうという欠点もある。アスペクト比が非常に大きく、例えば５：１超、例えば約１０：１となった場合、ＣＶＤで積層された層の厚さは構造体底部では非常に小さくなる。
このように、製造コストを削減するために出来る限り低温でラピッドサーマルアニールを施すことによりケイ素中に移動することが可能な厚さが小さく均一なニッケル層を得ることが求められてきた。このような層は、比較的低コストで容易に実施できる工業プロセスによって得られるものでなければならない。このため、気相法ではなく自己触媒法でニッケルを積層することが求められている。
本発明において、特定の界面活性剤の存在下、金塩水溶液及びフッ素源を使用することによって上記目的を達成できることが見出された。
すなわち、本発明の第一の主題は、ケイ化ニッケル又はケイ化コバルトを形成する方法であって、
・金イオン及びフッ素イオンを含有する水溶液にケイ素含有基板の表面を接触させて、金属金（Ａｕ（０））粒子を形成する工程、
・上記金属金粒子で被覆された基板上に、ニッケル又はコバルトで本質的に構成された層を無電解法によって積層する工程、及び、
・３００℃超７５０℃未満の温度でラピッドサーマルアニール（ＲＴＡ）を施して、ケイ化ニッケル又はケイ化コバルトを形成する工程
を含む方法である。
本発明の方法で得られたニッケル積層層は、以下の複雑な規定を満たす。
・ケイ素基板に付着する。
・類型学的特徴（平面であるか、エッチング面であるか）に関わらず、基板の表面全体にわたって厚さが不変である。これは、厚さが小さい、典型的には５０ｎｍ未満の場合にも当てはまる。
・低温、典型的には３５０℃程度であってもラピッドサーマルアニールの間にケイ素中に拡散する。
ケイ素領域と絶縁領域とが交互に配置された表面を有する構造体において、本発明の方法によれば、ケイ素上にニッケル又はコバルトを選択的に積層することができ、有利である。これにより、原料の過剰な使用が抑えられ、ＲＴＡ終了時にケイ素中に移動しなかったニッケルを除去する工程を行う際のコストが抑えられる。
マイクロエレクトロニクス分野で使用する場合、上記ケイ素基板は、厚さが７０ｎｍ超１１０ｎｍ未満の二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層で被覆された後、厚さが１５０ｎｍ超２３０ｎｍ未満のケイ素層（例えば多結晶シリコン層）で被覆されたケイ素片で構成されていてもよい。
多結晶シリコン（一般的にはポリシリコン又はポリＳｉともいう）は、単結晶シリコンとも非晶質シリコンとも異なるケイ素の特定の形態を意味すると理解される。（単一の結晶で構成された）前者及び（結晶学的コヒーレンスがない又は極めて低い）後者とは異なり、多結晶シリコンは大きさ及び形状の異なる複数の小結晶で構成されている。
本発明の方法の第一の工程では、金イオン及びフッ素イオンを含有する水溶液にケイ素含有基板の表面を接触させて、上記ケイ素基板の表面に金粒子（金グレインともいう）を形成する。
上記水溶液は、金イオンを０．１ｍＭ〜１０ｍＭ、好ましくは０．１ｍＭ〜５．０ｍＭ、より好ましくは０．５ｍＭ〜１．０ｍＭ含有するのが好ましい。金イオンの濃度は、例えば０．６５ｍＭ超０．７５ｍＭ未満である。
本願明細書中、「…〜…」という表現は、その境界値まで含む数値範囲を意味する。「…超…未満」という表現は、その境界値を含まない数値範囲である。
上記水溶液は、フッ素イオンを０．６Ｍ〜３．０Ｍ、好ましくは１．０Ｍ〜２．０Ｍ、より好ましくは１．４Ｍ〜１．６Ｍ含有するのが好ましい。
上記フッ素イオンは、フッ化水素酸（ＨＦ）、ＮＨ４Ｆ又はＮＨ４Ｆ／ＨＦ混合物から得られるものであってもよい。
上記水溶液は、フッ化水素酸（ＨＦ）を０．６Ｍ〜３．０Ｍ、好ましくは１．０Ｍ〜２．０Ｍ、より好ましくは１．４Ｍ〜１．６Ｍ含有するのが好ましい。
上記金イオンは、塩化金（Ｉ）、塩化金（ＩＩＩ）又は臭化金（ＩＩＩ）等の金（Ｉ）塩及び金（ＩＩＩ）塩から選択される金塩から得られるものであってもよい。例えば、塩化金酸（ＨＡｕＣｌ４）が選択される。
上記水溶液は、金（ＩＩＩ）イオンを０．１ｍＭ〜１０ｍＭ、好ましくは０．１ｍＭ〜５．０ｍＭ、より好ましくは０．５ｍＭ〜１．０ｍＭ含有するのが好ましい。金（ＩＩＩ）イオンの濃度は、例えば０．６５ｍＭ超０．７５ｍＭ未満である。
好ましい一実施形態によれば、上記水溶液は、
・金イオンを０．１ｍＭ〜１０ｍＭ、好ましくは０．５ｍＭ〜１．０ｍＭ、
・フッ素イオンを０．６Ｍ〜３．０Ｍ、好ましくは１．０Ｍ〜２．０Ｍ含有する。
上記水溶液は、ケイ素への攻撃率が変化する、特に増大又は低減するように、強酸、弱酸を問わず、有機又は無機酸化合物を含有していてもよい。一実施形態では、上記水溶液は酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）を含有しない。
また、その後の工程で積層させたいニッケル又はコバルト層の厚さを更に低減したい場合、上記溶液は界面活性剤を含有していてもよい。
上記界面活性剤は、少なくとも１つのアニオン性又はノニオン性極性基及び炭素数１０以上、例えば炭素数１０〜１６、好ましくは炭素数１０〜１４のアルキル鎖を有する化合物から選択できる。上記アルキル鎖は直鎖であることが好ましい。その炭素数は１２（ドデシルともいう）であることが有利である。
このような特定の界面活性剤によれば、多結晶シリコンとの酸化還元反応で形成される金ナノ粒子を安定化できる。また、ケイ素表面でその個数を増加させ、更に分散させることもできる。該界面活性剤を活性化浴に加えることで、金属金粒子の密度を増大させつつ、その大きさを小さくできる。本発明者らは、界面活性剤の大きさが大きくなると、これほど有利な結果は得られないことを確認した。
このように金粒子が分布することによって、ニッケル層及びその後のケイ化ニッケル層をいずれも非常に薄く連続した状態で積層できる。従来の方法では、ケイ素表面全体にわたって均一な層の積層を保証するためにはより多くのニッケルを積層する必要があったため、このような積層は不可能であった。ニッケル層の厚さは１５０ｎｍ未満であることが有利であり、例えば１０ｎｍ超４５ｎｍ未満である。用途によっては、１０ｎｍ〜２５ｎｍ程度であってもよい。
多結晶シリコン表面でナノ粒子を静電的且つ立体的に安定化できるイオン性、カチオン性又はアニオン性界面活性剤が好ましい。
上記界面活性剤は、分子量が１００ｇ／ｍｏｌ超５０００ｇ／ｍｏｌ未満であってもよく、好ましくは１００ｇ／ｍｏｌ超１５００ｇ／ｍｏｌ未満、より好ましくは２００ｇ／ｍｏｌ超５００ｇ／ｍｏｌ未満である。
特に、分子量が１００ｇ／ｍｏｌ超１５００ｇ／ｍｏｌ未満のアニオン性界面活性剤が好ましい。
上記極性基はノニオン性基であってもよく、ポリオキシエチレングリコール基又はポリオキシプロピレングリコール基等のポリオキシアルキレングリコール基であるのが好ましい。本実施形態において、上記界面活性剤は、ポリオキシアルキレングリコールアルキルエーテル、好ましくは炭素数１０〜１６のアルキル鎖を有するポリオキシアルキレングリコールアルキルエーテル、例えばポリオキシエチレングリコールドデシルエーテル等から選択できる。
上記極性基は、スルホネート基（−ＳＯ３ −）、サルフェート基（−ＯＳＯ３ −）又はカルボキシレート基（−ＣＯＯ−）等のアニオン性基であってもよい。本発明においては、サルフェート基が好ましい。上記界面活性剤は、化学式：Ｒ−ＯＳＯ３ −（式中、Ｒは炭素数１０〜１４、好ましくは炭素数１２の直鎖アルキル基である）で表されるアルキルサルフェートであるのが好ましい。上記界面活性剤は、例えばドデシル硫酸ナトリウムであってもよい。
上記界面活性剤は、溶液に対して０．１重量％〜５重量％、例えば２．５重量％〜３．５重量％であることが好ましい。
好ましい一実施形態において、上記水溶液は、組成物の重量に対して、塩化金酸（ＨＡｕＣｌ４）を０．５ｍＭ〜１ｍＭ、フッ化水素酸（ＨＦ）を１．０Ｍ〜２．０Ｍ、必要に応じてドデシル硫酸ナトリウムを２．５重量％〜３．５重量％含有する。
このように表面に金属金グレインを積層することによってケイ素基板を活性化する工程は、１５℃超３０℃未満の温度で実施することが好ましく、２０℃超２５℃未満の温度で実施することがより好ましい。
上記水溶液と上記ケイ素基板との接触時間は、通常５秒〜５分程度であり、好ましくは１０秒〜２分、より好ましくは２０秒〜４０秒である。活性化させる時間は、ケイ素基板の表面に形成させたい金グレインの大きさ及び個数に応じて選択できる。金グレインの大きさが５ｎｍ〜１５ｎｍ程度、好ましくは１０ｎｍ程度のものを選択するのが有利である。
基板表面を活性化溶液に接触させる操作は、必要に応じて攪拌しながら、基板を活性化溶液に浸漬することによって実施されるのが有利である。
このように処理した基板は、脱イオン水で充分に洗滌し、窒素気流下で乾燥させることにより、活性化溶液の残渣を全て除去するのが有利である。
本発明の方法の第二の工程では、上記金粒子で被覆された基板上に、ニッケル又はコバルトで本質的に構成された層を無電解法によって積層する。「本質的に」とは、９０重量％より多いことを意味すると理解され、他の元素としてはホウ素、リン又はタングステンが挙げられる。
上記ニッケル又はコバルトで本質的に構成された層は、平面を被覆する場合には均一であることが有利であり、ケイ素をくりぬいた３次元構造体（ＴＳＶビア、ＮＡＮＤメモリのトレンチ等）を被覆する場合にはコンフォーマルであることが有利である。
本発明において均一度（均一性）は、ニッケル又はコバルトで本質的に構成された層で表面を被覆した場合のその層の厚さの変動幅と等しい。本発明の方法によって得られるニッケル又はコバルトで本質的に構成された層の均一度（均一性）は、１０％未満、好ましくは５％未満、より好ましくは１％未満であるのが有利である。
本発明においてコンフォーマリティ（ｃｏｎｆｏｒｍａｌｉｔｙ）は、構造体の底部での層厚さに対する上部での層厚さの比に等しい。また、本発明においてコンフォーマリティは、構造体の上部、側部及び底部からなる全体にわたる層厚さの変動幅に等しいとも言える。
本発明の方法によって得られるニッケル又はコバルトで本質的に構成された層のコンフォーマリティは、９０％超１１０％未満、好ましくは９５％超、より好ましくは９９％超であることが有利である。
トレンチは、通常、ケイ素にエッチングされた後、所望の深さまで金属被覆され、その後、ケイ素ウエハの薄化が行われる。トレンチの形状及び大きさは、装置の用途に応じて変更できる。トレンチは、一般的に、その深さ、開口径及びアスペクト比（空洞の径に対する深さの比で定義される）によって特徴付けられる。例えば、アスペクト比が１０：１のトレンチの場合、その直径は深さの１０分の１の大きさである。
上記ニッケル又はコバルトで本質的に構成された層は、以下のように、非常に深い構造体の表面を被覆する場合にはコンフォーマルであることが有利である。アスペクト比が大きい、特に５：１より大きい、好ましくは１０：１より大きいトレンチを被覆する場合、構造体の底部に対する上部の被覆率が９０％超１１０％未満であることが有利である。
特に多結晶シリコン層とＳｉＯ２層とが交互に配置された表面を有するＮＡＮＤメモリ装置の場合、空洞の開口径に対する深さの比で表される上記アスペクト比は、５：１〜１０００：１の範囲であってもよい。本発明の方法は、例えば１０：１より大きいようなアスペクト比が特に大きい空洞にニッケル金属層を積層することができ、有利である。トレンチのアスペクト比は極めて大きいことが有利であり、１０：１超１０００：１未満、例えば５０：１超５００：１未満又は１００：１超２００：１未満であることが有利である。
本発明の方法によれば、開口径が１０ｎｍ〜１００ｎｍ、深さが５００ｎｍ〜１０μｍの空洞の表面を、厚さが１０ｎｍ超１５０ｎｍ未満、コンフォーマリティが９０％超、好ましくは９５％超、より好ましくは９９％超のニッケル又はコバルトで本質的に構成された層で被覆することができる。
上記金属の積層は、基板の電気的分極を必要としない非電気化学的プロセス（自己触媒プロセス又は「無電解」プロセスとしても知られる）によって実施される。
上記金属積層層は、ニッケル、コバルト、ニッケル／ホウ素（ＮｉＢ）合金、コバルト／ホウ素（ＣｏＢ）合金、ニッケル／リン（ＮｉＰ）合金、コバルト／リン（ＣｏＰ）合金又はコバルト／タングステン／リン（ＣｏＷＰ）合金であってもよい。
上記ニッケル又はコバルト積層層は、
・少なくとも１つのニッケル又はコバルトイオンの金属塩を、好ましくは１０−３Ｍ超１Ｍ未満の濃度で；
・少なくとも１つのニッケル又はコバルトイオン用還元剤を、好ましくは１０−４Ｍ超１Ｍ未満の量で；
・必要に応じて、少なくとも１つのニッケル又はコバルトイオン用安定化剤を、好ましくは１０−３Ｍ超１Ｍ未満の量で
含有する水溶液に活性化した基板を曝露することによって得られることが好ましい。
上記ニッケル又はコバルト塩は、塩化物、酢酸塩、アセチルアセトナート、ヘキサフルオロリン酸塩、硝酸塩、過塩素酸塩、硫酸塩及びテトラフルオロホウ酸塩からなる群より選択される水溶性塩であることが好ましい。
本発明において好ましい金属塩は、硫酸ニッケル若しくはコバルト、塩化ニッケル若しくはコバルト、酢酸ニッケル若しくはコバルト又はスルファミン酸ニッケル若しくはコバルトから選択される。例えば、硫酸ニッケル六水和物が選択される。
上記還元剤は、リン誘導体、ホウ素誘導体、グルコース、ホルムアルデヒド及びヒドラジンからなる群より選択されることが有利である。
上記リン誘導体は次亜リン酸（Ｈ３ＰＯ２）及びその塩から選択でき、上記ホウ素誘導体はボラン錯体から選択できる。
上記還元剤は、ホウ素誘導体、特に、ジメチルアミン−ボラン、トリメチルアミン−ボラン、トリエチルアミン−ボラン、ピリジン−ボラン、モルホリン−ボラン又はｔｅｒｔ−ブチルアミン−ボランから選択されたものを使用することが有利である。ジメチルアミン−ボラン（ＤＭＡＢ）を使用することが好ましい。
上記安定化剤は、ニッケルイオン又はコバルトイオンと錯体化することにより、触媒の非存在下で還元剤による溶解した金属イオンの還元を防止できる化合物から選択できる。
上記金属イオン用安定化剤は、エチレンジアミン、及び、酢酸、プロピオン酸、コハク酸、ヒドロキシ酢酸、マロン酸、アミノ酢酸、リンゴ酸若しくはクエン酸の塩からなる群より選択できる。Ｎｉ２＋又はＣｏ２＋イオンを安定化するために、クエン酸又はその塩のうちの１つを選択することが好ましい。
上記水溶液のｐＨは酸性でも塩基性でもよく、例えばＨａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ（８４ｔｈ ｅｄｉｔｉｏｎ，Ｄａｖｉｄ Ｒ．Ｌｉｄｅ，ＣＲＣ Ｐｒｅｓｓ）に記載されるようなｐＨ調整化合物（又は緩衝液）を１つ以上使用して所望のｐＨ範囲内に調整できる。
上記水溶液は、例えば、ｐＨ値を３超１２未満に調整できる試薬を含有していてもよく、例えば、ｐＨを８超１２未満に調整する非高分子アミンを含有していてもよい。
通常、上記金属層は、所望の層厚さに従って、５０℃超９０℃未満の温度、好ましくは６５℃で３０秒間〜３０分間基板を上述の水溶液に浸すことによって得られる。
本発明に従って水溶液に基板を曝露する前に、基板を予湿する前工程を実施してもよい。例えば、金属塩とその安定化剤を含有するが還元剤は含有しない水溶液又は溶液に基板を浸漬する。脱イオン水を使用するのが好ましい。全体を５００ｍｂａｒ未満の減圧下に１分間〜３０分間、好ましくは５分間〜１５分間置く。
上記ニッケル又はコバルト層を積層する工程は、被覆対象の基板を２０ｒｐｍ超６００ｒｐｍ未満の回転速度で回転させること、超音波若しくはメガサウンド（ｍｅｇａｓｏｕｎｄ）処理すること、又は、反応器内で水溶液を単純に再循環させることによって実施できる。
上述の水溶液を上記通常の温度範囲で使用すると、１分超２０分未満の接触時間で厚さが６ナノメートル超２００ナノメートル未満の金属膜が得られた。
一実施形態によれば、上記ニッケル又はコバルトで本質的に構成された層は、ニッケル塩、ホウ素系還元剤及び安定化剤を含有する水溶液に活性化した基板表面を曝露することによって積層されたニッケル／ホウ素層であり、上記水溶液のｐＨは９超１２未満であり、上記水溶液の温度は５０℃超９０℃未満である。
また、上記ニッケル塩を含有する水溶液は、金属層が形成されるにしたがいその表面に吸収される抑制剤を含有していることが有利である。
上記抑制剤は、「アミン」基又は官能基を有する重合体、特に、キトサン、ポリ（アリルアミン）、ポリ（ビニルアミン）、ポリ（ビニルピリジン）、ポリ（アミノスチレン）、ポリ（エチレンイミン）、ポリ（Ｌ−リジン）及びこれらの重合体の酸型（又はプロトン化型）に由来する重合体及び共重合体から選択されるものであることが好ましい。
本発明の一実施形態によれば、非プロトン化型のポリ（エチレンイミン）単独重合体又は共重合体を使用することが好ましい。
例えば、数平均分子量Ｍｎが５００ｇ／ｍｏｌ超２５０００ｇ／ｍｏｌ未満の直鎖ポリ（エチレンイミン）が選択される。
本発明において使用されるアミン官能基を有する重合体の濃度は、１ｐｐｍ〜２５０ｐｐｍ、より具体的には１ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ、より好ましくは１ｐｐｍ〜１０ｐｐｍ、例えば１．５ｐｐｍ〜３ｐｐｍであるのが有利である（１ｐｐｍは溶液１ｋｇ当たり１ｍｇに相当）。
アミン官能基を有する重合体がポリ（エチレンイミン）である場合、上記水溶液のｐＨは８〜１２、好ましくは８．５〜１０であることが有利である。ｐＨは特に９程度、例えば８．９超９．１未満である。この場合、ｐＨを調整できる試薬として水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン又はＮ−メチルエタノールアミンを使用できる。
ニッケル又はコバルト層の厚さは、均一又はコンフォーマルであることが好ましい。厚さは１０ｎｍ超１５０ｎｍ未満、より好ましくは１０ｎｍ超１００ｎｍ未満、更には１０ｎｍ超４０ｎｍ未満である。上記ニッケル又はコバルト層の厚さは１０ｎｍ超２０ｎｍ未満とすることさえできる。
その後、ニッケル又はホウ素金属層で被覆された基板に対して、当業者に周知のラピッドサーマルアニールを実施できる。温度は、ケイ化ニッケル又はケイ化コバルトを形成できるように、通常は３００℃超７５０℃未満である。熱の作用により、ニッケル又はコバルト原子がケイ素層中に移動する。「ラピッド（急速）」とは、通常、５分未満、例えば３分未満を意味すると理解される。
上記温度は３００℃超５００℃未満、更には３５０℃超４５０℃未満にまで下げることができ、例えば３２５℃超３７５℃未満であってもよい。本発明の一実施形態によれば、上記ラピッドサーマルアニールは、３２５℃超３７５℃未満の温度で３０秒間〜２分間実施する。
上記サーマルアニールは、チューブオーブン又はホットプレートを用いて実施できる。
チューブオーブンは、様々な形状及び大きさのサンプルを収容できるチューブ状の電気加熱オーブンである。本発明においては、サンプルの入ったガラス管を長手軸に沿って装填することによって収容できる。ガラス管内の全内容物を加熱する際には、選択した気流を制御して一緒に使用してもよい。
本発明の好ましい用途においては、この上述したプロセスに対して、ＲＴＡ工程終了時に、ケイ素中に移動しないでケイ素基板の表面に残留したニッケル又はコバルトを除去する工程を追加してもよい。
したがって、サーマルアニール工程終了時までにケイ素中に移動しなかったニッケル又はコバルトを化学洗浄により除去できる。
上記ケイ素含有基板は、ケイ素、好ましくは多結晶シリコンで構成された基板であってもよい。上記基板の表面において、ケイ素領域と、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯＣ及びＳｉＣから選択される誘電体領域とが垂直方向に交互に配置されていてもよい。本発明は、ケイ素領域上にニッケルを選択的に積層できるという利点を有し、上記誘電体領域がニッケルで被覆されないため、金属の不必要な消費が抑えられる。
被覆対象である上記ケイ素含有基板は、意匠を有していない平面であってもよく、あるいは、平面であって垂直中空構造を有しており、その開口径が２０ｎｍ超１００ｎｍ未満、その深さが５００ｎｍ超３μｍ未満の大きさであってもよい。
本発明の方法は、電子機器の製造、特にデータの保存及び一般的な転送用のＵＳＢキー、ＭＳカード及びＳＤカードで使用される消去可能なＮＡＮＤメモリ等の製造に適用できる。
本発明の第二の主題は、ケイ素基板上にニッケル又はコバルト層を形成する方法であって、
・金イオンと、フッ素イオンと、アニオン性又はノニオン性極性基及び炭素数１０〜１４のアルキル鎖を有する重合体及び化合物から選択される界面活性剤とを含有する水溶液にケイ素含有基板の表面を曝露して、金属金粒子を形成する工程、及び、
・上記金粒子で被覆された基板上に、ニッケル又はコバルトで本質的に構成された厚さ１０ｎｍ超１５０ｎｍ未満、好ましくは１０ｎｍ〜４０ｎｍ、より好ましくは１０ｎｍ〜２５ｎｍの層を無電解法によって積層する工程
を含む方法である。
本発明の第一の主題について記載した特徴は、本発明の第二の主題にも適用される。
本発明の第三の主題は、上述したケイ化ニッケル又はケイ化コバルトを形成する方法を含む、ＮＡＮＤメモリの製造方法である。
さらに、本発明の第四の主題は、上述したケイ化ニッケル又はケイ化コバルトを形成する方法を含む、太陽電池の製造方法に関する。
添付の図面を参照しながら以下に示す実施例の記載をみれば、本発明をより明確に理解できるであろう。しかしながら、本発明はこれらに限定されない。
界面活性剤の非存在下（Ａ）及び界面活性剤の存在下（Ｂ）で得られた多結晶シリコン表面上の金ナノ粒子を表す２枚の走査型電子顕微鏡画像である。 本発明における溶液での活性化後に得られた極めて薄いニッケル合金層（＜２０ｎｍ）の積層を表す走査型電子顕微鏡画像である。 サーマルアニール（３５０℃／１分）と反応又は移動しなかったニッケルの洗浄を行った後に得られたケイ化ニッケル（ＮｉＳｉ）層（＜４０ｎｍ）を表す走査型電子顕微鏡画像である。
以下の実施例は実験室規模で実施した。
特に指示のない限り、これらの実施例は、標準の温度及び圧力条件下（約２５℃、約１ａｔｍ）、周囲空気中で実施し、市販の試薬を更に精製することなくそのまま使用した。
参考実施例１：貴金属塩及びフッ化水素酸を含有する溶液を出発材料として用いた、多結晶シリコン層で被覆された基板の活性化
（ａ）表面の洗浄
当業者であれば、基板の由来及びその要件に従って、表面洗浄のプロトコルをどのように適合させればよいか分かるであろう。ここでは、活性化溶液が低速エッチング溶液でもあるため、洗浄の必要は無かった。本実施例で使用した基板は、辺の長さが１ｃｍ×２ｃｍ、厚さが７５０μｍのケイ素片を、厚さが約９０ｎｍの二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層で被覆し、該層自体を厚さが約１９０ｎｍの多結晶シリコン層で被覆したものである。
（ｂ）基板表面の活性化
（ｂ１）活性化溶液の調製
フッ化水素酸２．５重量％（１．５Ｍ）と、選択した貴金属塩１５ｍｇとの混合液５０ｍＬを清浄なＰＴＦＥビーカー中、周囲温度で調製する。使用した貴金属塩の種類及び量について表１に示す。
（ｂ２）基板表面の活性化処理
工程（ｂ１）で調製した混合液に工程（ａ）に記載した基板を所定時間（表１参照）浸漬する。このように処理した基板を脱イオン水で充分に洗滌し、窒素気流下で乾燥させる。
（ｃ）無電解プロセスによるＮｉＢ金属層の積層
（ｃ１）無電解溶液の事前調製
硫酸ニッケル六水和物３１．１１ｇ（０．１１８ｍｏｌ）、クエン酸４４．６７ｇ（０．２３２ｍｏｌ）、Ｎ−メチルエタノールアミン５２．２６ｇ（０．７００ｍｏｌ）及びＭｎ＝６００ｇ／ｍｏｌのポリエチレンイミン（ＰＥＩ）２．５ｐｐｍをこの順番で１Ｌ容器及び必要最低限の脱イオン水に投入する。塩基によって最終ｐＨを９に調整し、全体積を脱イオン水で１Ｌに調整した。
上記溶液に対して９分の１の体積の還元溶液を加えてからすぐに次の工程を行う。この還元溶液は、ジメチルアミン−ボラン（ＤＭＡＢ）２８ｇ／Ｌ（０．４７５ｍｏｌ）及びＮ−メチルエタノールアミン６０．００ｇ（０．７９８ｍｏｌ）を含有する。
（ｃ２）多結晶シリコン層上へのＮｉＢ合金層の形成
事前に調製し、６５℃とした無電解溶液に工程（ｂ）で処理した基板表面を所望の最終厚さに従って３０秒間〜５分間浸漬して、該表面上にＮｉＢニッケル合金層を積層した。
（ｄ）ケイ化ニッケルの形成
工程（ｃ）で得られたニッケル合金で被覆されたサンプルに対して３５０℃で１分間ラピッドサーマルアニール（ＲＴＡ）を施す。該操作はチューブオーブン又はホットプレートで実施できる。
結果
Figure 2016510090
考察
これら第一の試験群により、ケイ素中へニッケルを移動させるのに使用する貴金属の種類がいかに重要であるかが明らかである。パラジウム（ＩＩ）溶液は表面を活性化できるものの、得られたコンフォーマルなニッケルの厚さが目的としたものより非常に大きい。さらに、銀及び銅塩の場合、サーマルアニール温度が３５０℃ではケイ素中にニッケルが移動できないことが分かる。最後に、金（ＩＩＩ）塩では、薄いニッケル／ホウ素合金層が得られるだけでなく、そのケイ素中への移動も均一である。
実施例２：金（ＩＩＩ）塩、フッ化水素酸及び界面活性剤を含有する本発明における溶液を出発材料として用いた、多結晶シリコン層で被覆された基板の活性化
（ａ）表面の洗浄
本工程は実施例１の工程（ａ）と同様である。
（ｂ）基板表面の活性化
（ｂ１）本発明における活性化溶液の調製
フッ化水素酸２．５重量％、塩酸金（ＩＩＩ）２４０ｐｐｍ及び界面活性剤（表２参照）の混合液５０ｍＬを清浄なＰＴＦＥビーカー中、周囲温度で調製した。
（ｂ２）基板表面の活性化処理
工程（ｂ１）で調製した混合液に工程（ａ）に記載した基板を所定時間（表２参照）、本例では３０秒間、浸漬する。このように処理した基板を脱イオン水で充分に洗滌し、窒素気流下で乾燥させる。
（ｃ）無電解プロセスによるＮｉＢ金属層の積層
（ｃ１）無電解溶液の事前調製
使用した無電解溶液及び操作条件は、実施例１の工程（ｃ１）と同様である。
（ｃ２）多結晶シリコン層上へのＮｉＢニッケル合金層の形成
事前に調製し、６５℃とした無電解溶液に工程（ｂ）で処理した基板表面を所望の最終厚さに従って３０秒間〜５分間浸漬して、該表面上にＮｉＢ金属合金層を作製した。無電解溶液への浸漬時間は、良好な均一性及び伝導性を有する必要最低限のニッケル厚さが得られるように決定する。
層厚さは、サンプル断面を走査型電子顕微鏡を用いて測定する。
導電性及び均一性を測定できる方法は、当業者に公知の四端子測定法を採用した。
結果を表２に示す。なお、最小厚さは各種安定化剤を使用した場合に得られる。
Figure 2016510090
これら第二の試験群により、多結晶シリコンを用いた酸化／還元反応後に形成される金ナノ粒子を安定化させるのに低分子量の界面活性剤が好ましい効果を示すことが分かる。安定化剤を活性化浴に加えることで、金属金粒子の密度を増大させつつ、その大きさを小さくできる。このように金粒子が分布することによって、より薄いニッケル層を積層できる。アニオン性界面活性剤（ＳＤＳ）を使用した場合に最も良好な結果が得られた。このアニオン性界面活性剤は多結晶シリコン表面上でナノ粒子を電気立体的に安定化できるが、一方、立体的に安定化するだけのノニオン性界面活性剤（Ｂｒｉｊ ３５）では不可能である。ＳＤＳ分子は金ナノ粒子を安定化し、その多結晶シリコン表面での濃度を増大させる（図１Ｂ参照）。
（ｄ）ケイ化ニッケルの形成
実施例１の工程（ｄ）と同様に、工程（ｃ）で得られたニッケル合金で被覆されたサンプルに対して３５０℃で１分間ラピッドサーマルアニールを施す。続いて、上記サンプルを化学溶液で処理して未反応のニッケルを除去する。
サーマルアニール及び化学エッチングの前後に、試験４で得られたサンプルの断面を走査型電子顕微鏡で観察する。図２は、活性化及び無電解積層後に得られた厚さ２０ｎｍのニッケル合金層を示す。図３は、サーマルアニール後に形成された薄く極めて均質なケイ化ニッケル層を表す。
ケイ化ニッケル（ＮｉＳｉ）層は極めて均質であり、厚さは最初のニッケル合金層の２倍である。ニッケルとケイ素との化学量論的反応（Ｎｉ：Ｓｉ＝１：１）が起こって完全に拡散し、得られた層の均一性も良好である。

Claims (18)

  1. ケイ化ニッケル又はケイ化コバルトを形成する方法であって、
    金イオン及びフッ素イオンを含有する水溶液にケイ素含有基板の表面を接触させて、金属金粒子を形成する工程、
    前記金属金粒子で被覆された基板上に、ニッケル又はコバルトで本質的に構成された層を無電解法によって積層する工程、及び、
    ３００℃超７５０℃未満の温度でラピッドサーマルアニールを施して、ケイ化ニッケル又はケイ化コバルトを形成する工程を含み、
    前記水溶液は、少なくとも１つのアニオン性又はノニオン性極性基及び炭素数１０〜１６のアルキル鎖を有する化合物から選択される界面活性剤を含有することを特徴とする方法。
  2. 前記水溶液に前記ケイ素含有基板の表面を５秒間超５分間未満接触させることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
  3. 前記フッ素イオンは、フッ化水素酸（ＨＦ）、ＮＨ４Ｆ又はそれらの混合物のうちの１つから得られることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
  4. 前記金イオンは、塩化金酸（ＨＡｕＣｌ４）から得られることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
  5. 前記水溶液は、金イオンを０．１ｍＭ〜１０ｍＭ、好ましくは０．５ｍＭ〜１．０ｍＭ、フッ素イオンを０．６Ｍ〜３．０Ｍ、好ましくは１．０Ｍ〜２．０Ｍ含有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
  6. 前記アルキル鎖は、炭素数が１０〜１４であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
  7. 前記ニッケル又はコバルトで本質的に構成された層は、１０ｎｍ超１５０ｎｍ未満、好ましくは１０ｎｍ超６０ｎｍ未満の均一な又はコンフォーマルな厚さを有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
  8. 前記ニッケル又はコバルトで本質的に構成された層は、ニッケル塩、ホウ素系還元剤、ニッケル用安定化剤及びポリアミンを含有する水溶液に活性化した前記基板表面を曝露することによって積層されたニッケル／ホウ素層であり、前記水溶液のｐＨは９超１２未満であり、前記水溶液の温度は５０℃超９０℃未満であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
  9. 被覆対象である前記ケイ素基板は垂直中空構造を有しており、その開口径が２０ｎｍ超１００ｎｍ未満、その深さが５００ｎｍ超３μｍ未満の大きさであることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
  10. 前記ケイ素含有基板の表面において、ケイ素領域と、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣ及びＳｉＯＣから選択される誘電体領域とが垂直方向に交互に配置されていることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
  11. 前記サーマルアニール工程終了時までにケイ素中に移動しなかったニッケル又はコバルトを化学洗浄により除去できることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
  12. 前記サーマルアニールの温度は３５０℃〜４５０℃であることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
  13. 前記界面活性剤は、分子量が１００ｇ／ｍｏｌ超１５００ｇ／ｍｏｌ未満であることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
  14. 前記界面活性剤はアニオン性極性基を有することを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
  15. 前記界面活性剤はドデシル硫酸ナトリウムであることを特徴とする、請求項１３又は１４に記載の方法。
  16. ケイ素基板上にニッケル又はコバルト層を形成する方法であって、
    金イオンと、フッ素イオンと、少なくとも１つのアニオン性又はノニオン性極性基及び炭素数１０〜１６のアルキル鎖を有する化合物から選択される界面活性剤とを含有する水溶液にケイ素含有基板の表面を曝露する工程；及び、
    活性化した前記基板上に、ニッケル又はコバルトで本質的に構成された厚さ１０ｎｍ超１５０ｎｍ未満の層を無電解法によって積層する工程を含む方法。
  17. 請求項１〜１５のいずれか１項に記載のケイ化ニッケル又はケイ化コバルトを形成する方法を含む、ＮＡＮＤメモリの製造方法。
  18. 請求項１〜１５のいずれか１項に記載のケイ化ニッケル又はケイ化コバルトを形成する方法を含む、太陽電池の製造方法。
JP2015558531A 2013-02-22 2014-02-21 金イオン及びフッ素イオンを含有する溶液を用いた金属ケイ化物の形成方法 Active JP6312713B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1351593A FR3002545B1 (fr) 2013-02-22 2013-02-22 Procede de formation d'un siliciure metallique a l'aide d'une solution contenant des ions or et des ions fluor
FR1351593 2013-02-22
PCT/FR2014/050365 WO2014128420A1 (fr) 2013-02-22 2014-02-21 Procédé de formation d'un siliciure métallique a l'aide d'une solution contenant des ions or et des ions fluor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016510090A true JP2016510090A (ja) 2016-04-04
JP6312713B2 JP6312713B2 (ja) 2018-04-18

Family

ID=48652248

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015558531A Active JP6312713B2 (ja) 2013-02-22 2014-02-21 金イオン及びフッ素イオンを含有する溶液を用いた金属ケイ化物の形成方法

Country Status (10)

Country Link
US (1) US9564333B2 (ja)
EP (1) EP2959036B1 (ja)
JP (1) JP6312713B2 (ja)
KR (1) KR102282657B1 (ja)
CN (1) CN105074052B (ja)
CA (1) CA2899179C (ja)
FR (1) FR3002545B1 (ja)
IL (1) IL240138B (ja)
SG (1) SG11201505902TA (ja)
WO (1) WO2014128420A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020100901A (ja) * 2015-03-20 2020-07-02 アトテック ドイチェランド ゲーエムベーハー シリコン基板を活性化する方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6352079B2 (ja) * 2014-07-03 2018-07-04 奥野製薬工業株式会社 無電解めっき液、めっき皮膜、めっき品及びめっき皮膜の形成方法
FR3045674B1 (fr) * 2015-12-17 2019-12-20 Aveni Procede de metallisation d'un substrat semi-conducteur avec du cuivre mettant en oeuvre un siliciure de cobalt ou de nickel

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5266374A (en) * 1975-11-28 1977-06-01 Nippon Denso Co Ltd Galvanization of non electrolytic nickel for semiconductor substrate
JP2000319541A (ja) * 1999-05-13 2000-11-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 金属被覆粉体の製造方法
US20040005468A1 (en) * 2002-07-03 2004-01-08 Steinecker Carl P. Method of providing a metallic contact on a silicon solar cell
JP2009049235A (ja) * 2007-08-21 2009-03-05 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
WO2009139366A1 (ja) * 2008-05-15 2009-11-19 日鉱金属株式会社 基板
JP2010047790A (ja) * 2008-08-19 2010-03-04 Japan Science & Technology Agency 複合材料及びその製造方法、並びにその製造装置
JP2012237060A (ja) * 2011-04-19 2012-12-06 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 半導体上の銅のめっき

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1237399B (de) * 1963-07-22 1967-03-23 Bayer Ag Verfahren zum kontinuierlichen, chemischen Abscheiden borhaltiger Nickel- und Kobalt-ueberzuege
US4152824A (en) * 1977-12-30 1979-05-08 Mobil Tyco Solar Energy Corporation Manufacture of solar cells
US6406743B1 (en) 1997-07-10 2002-06-18 Industrial Technology Research Institute Nickel-silicide formation by electroless Ni deposition on polysilicon
US5972762A (en) * 1998-01-05 1999-10-26 Texas Instruments--Acer Incorporated Method of forming mosfets with recessed self-aligned silicide gradual S/D junction
JP3255134B2 (ja) * 1999-01-22 2002-02-12 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP2003332264A (ja) * 2002-05-17 2003-11-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法およびそれに用いられる成膜装置
CA2473429A1 (en) * 2003-07-09 2005-01-09 National Research Council Of Canada Process for producing gold nanoparticles
US20060252252A1 (en) * 2005-03-18 2006-11-09 Zhize Zhu Electroless deposition processes and compositions for forming interconnects
JP4944402B2 (ja) * 2005-07-13 2012-05-30 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US7416943B2 (en) * 2005-09-01 2008-08-26 Micron Technology, Inc. Peripheral gate stacks and recessed array gates
KR100739532B1 (ko) * 2006-06-09 2007-07-13 삼성전자주식회사 매몰 비트라인 형성 방법
JP5297171B2 (ja) * 2008-12-03 2013-09-25 上村工業株式会社 無電解ニッケルめっき浴及び無電解ニッケルめっき方法
JP5707709B2 (ja) * 2009-03-23 2015-04-30 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
DE102009047522A1 (de) * 2009-12-04 2011-06-09 Henkel Ag & Co. Kgaa Mehrstufiges Vorbehandlungsverfahren für metallische Bauteile mit Zink- und Eisenoberflächen
KR101850093B1 (ko) * 2011-02-22 2018-04-19 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 이의 제조 방법
KR101182155B1 (ko) * 2011-05-20 2012-09-12 인천대학교 산학협력단 반도체 장치 및 금속박막 형성방법
SG2014014344A (en) * 2011-09-23 2014-06-27 Univ Nanyang Tech Methods for forming gold nanowires on a substrate and gold nanowires formed thereof

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5266374A (en) * 1975-11-28 1977-06-01 Nippon Denso Co Ltd Galvanization of non electrolytic nickel for semiconductor substrate
JP2000319541A (ja) * 1999-05-13 2000-11-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 金属被覆粉体の製造方法
US20040005468A1 (en) * 2002-07-03 2004-01-08 Steinecker Carl P. Method of providing a metallic contact on a silicon solar cell
JP2009049235A (ja) * 2007-08-21 2009-03-05 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
WO2009139366A1 (ja) * 2008-05-15 2009-11-19 日鉱金属株式会社 基板
JP2010047790A (ja) * 2008-08-19 2010-03-04 Japan Science & Technology Agency 複合材料及びその製造方法、並びにその製造装置
JP2012237060A (ja) * 2011-04-19 2012-12-06 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 半導体上の銅のめっき

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020100901A (ja) * 2015-03-20 2020-07-02 アトテック ドイチェランド ゲーエムベーハー シリコン基板を活性化する方法
JP7037859B2 (ja) 2015-03-20 2022-03-17 アトテック ドイチェランド ゲーエムベーハー ウント コ カーゲー シリコン基板を活性化する方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2959036B1 (fr) 2016-12-28
EP2959036A1 (fr) 2015-12-30
IL240138A0 (en) 2015-09-24
SG11201505902TA (en) 2015-08-28
KR102282657B1 (ko) 2021-07-28
KR20150125684A (ko) 2015-11-09
IL240138B (en) 2019-01-31
CA2899179A1 (en) 2014-08-28
US9564333B2 (en) 2017-02-07
JP6312713B2 (ja) 2018-04-18
CA2899179C (en) 2020-07-07
WO2014128420A1 (fr) 2014-08-28
FR3002545A1 (fr) 2014-08-29
US20150380254A1 (en) 2015-12-31
CN105074052B (zh) 2017-11-10
FR3002545B1 (fr) 2016-01-08
CN105074052A (zh) 2015-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8278215B2 (en) Noble metal activation layer
KR20160135771A (ko) 전기화학적 도금 방법들
JP6312713B2 (ja) 金イオン及びフッ素イオンを含有する溶液を用いた金属ケイ化物の形成方法
JP7138108B2 (ja) 銅電着溶液及び高アスペクト比パターンのためのプロセス
US20050124158A1 (en) Silver under-layers for electroless cobalt alloys
US20090004851A1 (en) Salicidation process using electroless plating to deposit metal and introduce dopant impurities
TWI633627B (zh) 用於銅金屬化之方法及用於形成鈷或鎳矽化物之方法
TWI509104B (zh) 釕之無電沈積用之鍍覆溶液
CN105244317B (zh) 一种硅化镍后形成工艺
TWI817348B (zh) 形成擴散阻障之方法及溼化學組成物
CN106062934A (zh) 蚀刻液、使用其的蚀刻方法及半导体基板产品的制造方法
JP2004339578A (ja) コバルト系合金めっき液、めっき方法及びめっき物
WO2023187473A1 (en) Method of metallization with a nickel or cobalt alloy for the manufacture of semiconductor devices
WO2023150370A9 (en) Method of metallization by a nickel or cobalt alloy for the manufacture of semiconductor devices
CN110952081B (zh) 用于形成互连部的方法和溶液
Lysczek et al. Selective deposition of ohmic contacts to p-InGaAs by electroless plating
KR101389983B1 (ko) 콘택트 홀 바닥에 실리사이드가 형성된 금속 배선 형성 방법
WO2018036951A1 (en) Method for directly depositing palladium onto a non-activated surface of a gallium nitride semiconductor

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161219

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20171122

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171128

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180206

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180227

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180320

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6312713

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250