JP2016173356A - シリコン製機械部品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】部品形成工程でシリコン基板20をエッチング加工して機械部品であるひげぜんまい10を形成し、水素アニール処理工程で、そのひげぜんまい10に水素アニール処理を施して各角部にRを付ける。部品形成工程では、機械部品であるひげぜんまい10が、シリコン基板20のエッチングされなかった部分に接続部14である一部分だけで接続した状態で、そのエッチングされなかった部分に支持されるようにエッチング加工するとよい。水素アニール処理は、800℃から1200℃の高温水素雰囲気中で予め設定した時間だけ行う。
【選択図】図1
Description
ひげぜんまいは、通常、金属を加工して形成されるが、加工精度のばらつきや金属が有する内部応力の影響などによって、設計通りの形状が得られない場合が多い。
また、シリコンは金属よりも温度特性が良好なので、金属よりも環境温度に対して変形しにくいという特徴がある。
そのため、例えば特許文献1には、シリコン等の結晶構造を有する材料で形成したひげぜんまいの表面に、金属等の導電性材料層を成膜して機械的な強度を高めることが提案されている。
このような問題は、機械式時計に使用する他の部品、例えばガンギ車、アンクル、歯車等、あるいは一般の精密機器等に使用する機械部品をシリコン等で製造する場合にも、同様に生じる。
上記部品形成工程では、上記機械部品が上記シリコン基板のエッチングされなかった部分に一部分だけで接続した状態で、該エッチングされなかった部分に支持されるようにエッチング加工するとよい。
上記機械部品として、機械式時計の調速機構又は脱進機構を構成する部品、特にシリコン製ひげぜんまいを製造するとよい。
〔ひげぜんまいの製造方法〕
先ず、この発明による製造方法で製造するシリコン製機械部品の一例であるひげぜんまいについて、図1及び図2によって説明する。図1はそのひげぜんまいの製造中の状態を示す平面図、図2は図1のA−A線に沿う断面の端面図である。
したがって、接続部14を切り離すだけで、このひげぜんまい10をシリコン基板20から分離して取り出すことができる。
ひげ玉12は、回転軸体と嵌合する貫通孔12aを有している。また、ひげ玉12とぜんまい部11とは接続部15によって接続されている。すなわち、ぜんまい部11は、接続部15を介してひげ玉12を中心にひげ玉12を巻回している形状である。
水素アニールにおける水素の役割は未だ完全には解明されていないが、最近の研究で、シリコン基板表面を水素終端することによって、清浄なシリコン基板表面が得られるという報告がなされている。清浄なシリコン(Si)表面原子は、表面エネルギーが高い凸部から、表面エネルギーが低い凹部へ、つまりエネルギー的に安定な方向へ拡散して、図3の(b)に示すようにシリコン部材1の表面を平滑化し、角部を丸くする、すなわちRを付ける作用をなす。
ここで、シリコン部材の角部にRを付けた場合の効果について、図4〜図6を用いて説明する。
図4は、シリコン部材に変位荷重を加えて、それによる最大主応力を計測する様子を模式的に示す斜視図である。
このシリコン部材1は、図4でZ方向の長さa、Y方向の幅(高さ)b,X方向の厚みcの直方体の試料である。この試験例では、a=200μm、b=150μm、c=50μmの寸法のシリコン部材1を使用した。
図6は、図4及び図5に太線矢印Lで示す方向の変位荷重が5μmのとき、R径(図5で角部に付けたRの半径、「フィレット径」とも云う)をパラメータとする、太い破線矢印Sで示す方向の最大主応力の計測結果を示す線図である。横軸は図5でX方向の厚みcの中央点を原点とするX座標〔μm〕を、縦軸は最大主応力〔Mpa〕をそれぞれ示す。
各曲線は上から下へ順に、R径が0、1、2、3、4、5〔μm〕の場合の各最大主応力特性を示している。
したがって、シリコン製機械部品にも、その各稜線に沿う角部に部品の性能に影響を与えない範囲で適切なR径のRを付けることによって、その耐衝撃性及び耐久性を高めることができることが分かった。
シリコン部材の角部にRを付ける方法としては、酸化膜除去による方法があり、それを図7によって説明する。図7は、酸化膜除去によってシリコン部材の角部にR付けする方法を説明するための断面工程図である。
まず、Step1の工程で、直方体のシリコン(Si)部材1を数時間から数日かけて熱酸化し、その表面に酸化膜(SiO2膜)3を形成する。それによって、酸化処理後のシリコン部材1′の各稜線に沿う角部における酸化膜3の内側に内側Rが、外側に外側Rが形成される。
例えば、1.1μm程度の膜厚の酸化膜を形成するとR径0.5μm程度のRをシリコン部材1′の角部に付けることができるが、酸化膜の形成に8時間程度を要する。
また、4.5μm程度の膜厚の酸化膜を形成するとR径2μm程度のRをシリコン部材1′の角部に付けることができるが、酸化膜の形成に約4日かかる。
そのため、この方法でシリコン製機械部品の角部にR付けすると、その寸法が変化してしまい、高い寸法精度が要求される部品を製造することはできない。また、酸化膜の形成に長時間を要するため、製造効率が悪くなる。
図8はひげぜんまいを構成するぜんまい部11の一部を示し、図1及び図2に示したひげぜんまい10と対応する部分には同一の符号を付している。
ひげぜんまいのサイズと時計の振動数fの関係は、ひげぜんまいのバネ定数Kとテンワの慣性モーメントIとのバランスで決まり、振動数fは次の数1によって求めれられる。
0.05%×86400秒=43秒
であり、1日に40秒以上も狂うことが概算できる。
ぜんまい部11の厚みt=50μmのとき、その厚みtが0.5μm変化すると1%の変化であり、tとfのディメンションを考慮して同様に計算すると、
1%×(2/3)×86400秒=1296秒
であり、1日に約1300秒(=1時間に54秒)ずれると見積もられる。
したがって、ひげぜんまいの寸法精度は非常にシビアであることが分かる。
そこで、この発明によるシリコン製機械部品の製造方法では、シリコン基板をエッチング加工して形成した機械部品に、水素アニール処理を施して角部にRを付ける。
その基礎となる2つの実験結果について説明する。
図9に示す角部1aを有する断面が方形のシリコン部材1の試料に対して、水素アニール処理を施した。
・水素(H2)ガス流量 0.5slm
・温度と時間 800℃で5分→1100℃で90分→800℃で5分→室温
・圧力 10kPa
この条件で水素アニール処理を行った結果、図10に示すように、シリコン部材1の角部にR径がR1=1μmのRが付いた。処理時間は100分である。
・水素(H2)ガス流量 0.5slm
・温度と時間 800℃で5分→1100℃で90分→800℃で5分→室温
・圧力 50kPa
この第2の実験条件は、第1の実験条件より圧力を5倍に高めただけである。この条件で水素アニール処理を行った結果、図11に示すように、シリコン部材1の角部にR径がR2=0.5μmのRが付いた。処理時間は同じく100分である。
しかも、表面が平滑になるが、角部以外の外形寸法は殆ど変化しないので、寸法精度が高い部品を製造することができる。
そこで、この発明の一実施形態として、シリコン製機械部品であるひげぜんまいの製造方法を図12によって説明する。図12は、そのひげぜんまいの製造方法を説明するための工程図である。
この図12におけるひげぜんまい10は、図1のA−A線に沿う断面の図2に示した端面に相当するが、図示の便宜上大幅に簡略化して示している。
この実施形態のひげぜんまいの製造方法では、図12に示す(a)〜(l)の工程を順に実行する。
シリコン基板20として、SOI基板を使用せずに、単結晶シリコン基板の内部に、SiO2の層(ボックス層に相当)を形成し、単結晶シリコンの層でこのSiO2の層を上下(上が活性層、下が支持層に相当)から挟んだような基板を使用してもよい。
そして、(c)の工程で、その二酸化珪素膜31上の全面にフォトレジスト32を塗布し、それをフォトリソグラフィ技術によって、製造するひげぜんまいの平面形状にパターニングする。
(e)の工程ではさらに、そのパターニングされた二酸化珪素膜31をエッチングマスクとして、深掘りRIE(Deep-RIE)技術によって、活性層23をひげぜんまい10の平面形状に、ボックス層22に達するまでエッチングする。
このとき、ひげぜんまい10は、その一部分が図1に示した接続部14によって、活性
層23のエッチングされなかった部分に接続した状態で支持されている。シリコン基板20をこのように加工した状態を加工基板20Aとする。
ここまでは、シリコン基板をエッチング加工してひげぜんまいのような機械部品を製造する際の従来の工程と同様である。
(g)の工程では、加工基板20Aの支持層21の下面の全面にフォトレジスト33を塗布し、それをフォトリソグラフィ技術によって、少なくともひげぜんまい10に対応する全領域を含む大きさの開口33aを形成するようにパターニングする。
そして、(h)の工程で、開口33aを形成したフォトレジスト33をマスクとして、加工基板20Aの支持層21を、RIE技術又は深掘りRIE技術によってボックス層22に達するまでエッチングする。それによって、フォトレジスト33の開口33aと同じ大きさの開口21aを支持層21に形成する。この状態のシリコン基板を加工基板20Bとする。
上記(g)〜(j)の工程が、機械部品であるひげぜんまい10が加工基板20Cのひげぜんまい10以外の部分と接触しないように加工基板20Aを加工する工程である。
水素アニールの処理条件はこれに限るものではなく、求められる性能により800℃から1200℃程度の高温水素雰囲気中で、予め設定したガス流量、圧力、時間、例えばガス流量0.5〜2slm、圧力5〜100kPaで、15分〜9時間ほどアニール処理を行うとよい。
そして、ひげぜんまい10は水素アニール処理中、図1に示した接続部14以外は加工基板20Cのどこにも接触していないので、その全表面に均一に水素アニール処理を施すことができる。しかも、張り付きが発生することはない。
この工程が、機械部品であるひげぜんまい10を、活性層23と接続した部分(接続部14)を切断して加工基板20Cから分離する工程である。
このようにして、水素アニール処理によって角部にRを付けて強度を高めたシリコン製のひげぜんまいを、容易且つ確実に製造することができる。
このようにすれば、水素アニール処理したシリコン製のひげぜんまいを効率よく製造することができる。
ひげぜんまい10を加工基板から取り出し、別のシリコン基板に支持させて水素アニール処理を行っても、ひげぜんまい10の下面がその別のシリコン基板の上面に接触するため張り付きを起こし、やはりひげぜんまい10の回収が不能になる。
この実施形態によるひげぜんまいの製造方法は、上述したような問題を解消することができる。すなわち、シリコン基板をエッチング加工して形成したひげぜんまいを、その製造工程中に表面全体に水素アニール処理を施して、全ての角部にRを付けてその強度を高めることができる。しかも張り付きが生じないので、そのひげぜんまいを容易に回収することができる。
この発明は、ひげぜんまいに限らず各種のシリコン製機械部品の製造に適用できる。その一例として機械式時計の脱進機構に使用するガンギ車及びアンクルの製造方法の実施形態について、図13と図14によって説明する。
図13は、ガンギ車の製造方法の実施形態を説明するための図であり、図12における(j)の工程に相当する工程を示し、(a)は平面図、(b)はそのD−D線に沿う断面の端面図である。なお、便宜上、シリコン基板20を加工した加工基板20Cと、それを構成する支持層21、ボックス層22及び活性層23は、図12に示した加工基板20Cと同じ符号を使用する。
ハブ部53及び4本の支持アーム54からなる。ハブ部53の中心には軸孔53aが形成されている。
そして、図13の(b)に示すように、シリコン基板の支持層21の少なくともガンギ車50に対応する領域に開口21aを形成し、ガンギ車50を下から支持していたボックス層22をエッチングによって除去する。この状態が加工基板20Cである。
この状態で、図12における(k)の工程と同様に、ガンギ車50を保持する加工基板20C全体を水素アニール処理用のチャンバー内に配置し、そのチャンバー内全体を高温の水素雰囲気にして水素アニール処理を行う。それによって、シリコンで形成されたガンギ車50の表面を平滑化し、全ての角部に丸み(R)を付けて強度を高めることができる。
そのため、水素アニール処理後に、接続部23bを切断すれば、加工基板20Cから、ガンギ車50を損傷することなく容易に取り出すことができる。
このようにして、水素アニール処理によって全ての角部にRを付けて強度を高めたシリコン製のガンギ車を、容易且つ確実に製造することができる。
そして、図14の(b)に示すように、シリコン基板の支持層21の少なくともアンクル60に対応する領域に開口21aを形成し、アンクル60を下から支持していたボックス層22をエッチングによって除去する。この状態が加工基板20Cである。
この状態で、図12における(k)の工程と同様に、アンクル60を保持する加工基板20C全体を水素アニール処理用のチャンバー内に配置し、そのチャンバー内全体を高温の水素雰囲気にして水素アニール処理を行う。それによって、シリコンで形成されたアンクル60の表面を平滑化し、全ての角部に丸みを付けて強度を高めることができる。
そのため、水素アニール処理後に、接続部23dを切断すれば、加工基板20Cから、アンクル60を損傷することなく容易に取り出すことができる。
このようにして、水素アニール処理によって全ての角部にRを付けて強度を高めたシリコン製のアンクル60を、容易且つ確実に製造することができる。
そのようにすれば、水素アニール処理したシリコン製のガンギ車又はアンクルを一層効率よく製造することができる。
次に、この発明によるアンクルの製造方法の他の実施形態を図15によって説明する。図15は、そのアンクル製造方法の各工程を示す図12と同様な工程図であり、図12と対応する図分には同一の符号を付している。
この実施形態のアンクル製造方法では、図15に示す(a)〜(l)の工程を順に実行する。
そして、(b)の工程では、そのシリコン基板25の上面に、エッチングマスクを形成するための二酸化珪素(SiO2)膜31を成膜する。
(c)の工程で、その二酸化珪素膜31上の全面にフォトレジスト32を塗布し、それをフォトリソグラフィ技術によって、図14の(a)に示したような製造するアンクルの平面形状にパターニングする。
(e)の工程ではさらに、そのパターニングされた二酸化珪素膜31をエッチングマスクとして、前述した深掘りRIE(Deep-RIE)技術によって、シリコン基版25をアンクルの平面形状に、その厚さに達するまでエッチングする。
(g)の工程では、加工基板25Aの下面の全面にフォトレジスト33を塗布し、それをフォトリソグラフィ技術によって、少なくともアンクル60に対応する全領域を含む大きさの開口33aを形成するようにパターニングする。
その後、(i)の工程でフォトレジスト33を剥離し、(j)の工程で、フッ酸によって加工基板25Bのマスクに使用した二酸化珪素膜31を除去する。この状態のシリコン基板を加工基板25Cとする。
上記(g)〜(j)の工程が、機械部品であるアンクル60が加工基板25Cのアンクル60以外の部分と接触しないように加工基板25Aを加工する工程である。
水素アニールの処理条件は、求められる性能により800℃から1200℃程度の高温水素雰囲気中で、予め設定したガス流量、圧力、時間、例えばガス流量0.5〜2slm、圧力5〜100kPaで、15分〜6時間ほどアニール処理を行うとよい。
そして、アンクル60は水素アニール処理中、接続部25dの先端部以外に加工基板25Cのどこにも接触していないので、その全表面に均一に水素アニール処理を施すことができ、張り付きが発生することもない。
この工程が、機械部品であるアンクル60を、加工基板25Cと接続した部分(接続部25d)を切断して加工基板25Cから分離する工程である。
このようにして、水素アニール処理によって全ての角部にRを付けて強度を高めたシリコン製のアンクルを、容易且つ確実に製造することができる。
この実施形態と同様に、単結晶のシリコン基板(シリコンウエハ)をエッチング加工して、ガンギ車やその他のシリコン製機械部品も製造することができる。
また、この発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲の各請求項に記載された技術的特徴を有する以外は、何ら限定されるものではないことは言うまでもない。
さらに、以上説明してきた各実施形態の構成例、動作例及び変形例等は、適宜変更又は追加したり、一部を削除してもよく、相互に矛盾しない限り任意に組み合わせて実施することも可能であることは勿論である。
2:支持体 3:酸化膜(SiO2膜)
10:ひげぜんまい 11:ぜんまい部 12:ひげ玉 12a:貫通孔
13:ひげ持ち 14,15:接続部
20:シリコン基板(SOI基板) 20a:隙間(空間)
20A,20B,20C,20D:シリコン基板20の加工基板 21:支持層
21a:支持層の開口 22:ボックス層 23:活性層
23a,23c:活性層の開口 23b,23d,25d:接続部
25:シリコン基板(単結晶シリコン基板)
25a,25c:シリコン基板25の開口
25A,25B,25C:シリコン基板25の加工基板
31:二酸化珪素膜 32,33:フォトレジスト 33a:フォトレジストの開口 40:別のシリコン基板 50:ガンギ車 51:歯部 52:リング部
53:ハブ部 53a:軸孔 54:支持アーム 60:アンクル
61:サオ 62:腕 63:爪部 64:軸孔
Claims (5)
- シリコン基板をエッチング加工して機械部品を形成する部品形成工程と、
該部品形成工程で形成された前記機械部品に水素アニール処理を施して前記機械部品の角部を丸くする水素アニール処理工程と、
を有することを特徴とするシリコン製機械部品の製造方法。
- 前記部品形成工程では、前記機械部品が前記シリコン基板のエッチングされなかった部分に一部分だけで接続した状態で、該エッチングされなかった部分に支持されるようにエッチング加工することを特徴とする請求項1に記載のシリコン製機械部品の製造方法。
- 前記水素アニール処理を、800℃から1200℃の高温水素雰囲気中で予め設定した時間だけ行うことを特徴とする請求項1に記載のシリコン製機械部品の製造方法。
- 前記機械部品が、機械式時計の調速機構又は脱進機構を構成する部品であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のシリコン製機械部品の製造方法。
- 前記機械部品が、機械式時計のひげぜんまいであることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のシリコン製機械部品の製造方法。
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Cited By (3)
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KR20200120949A (ko) * | 2018-03-21 | 2020-10-22 | 니바록스-파 에스.에이. | 실리콘 헤어스프링을 제조하기 위한 방법 |
JP2021518548A (ja) * | 2018-03-20 | 2021-08-02 | パテック フィリップ ソシエテ アノニム ジュネーブ | シリコン時計製造用構成要素の製造方法 |
JP2021521455A (ja) * | 2018-04-16 | 2021-08-26 | パテック フィリップ ソシエテ アノニム ジュネーブ | シリコンベースの時計用バネの製作方法 |
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021518548A (ja) * | 2018-03-20 | 2021-08-02 | パテック フィリップ ソシエテ アノニム ジュネーブ | シリコン時計製造用構成要素の製造方法 |
EP3769162B1 (fr) | 2018-03-20 | 2022-08-10 | Patek Philippe SA Genève | Procede de fabrication de composants horlogers en silicium |
US11880165B2 (en) | 2018-03-20 | 2024-01-23 | Patek Philippe Sa Geneve | Method for manufacturing silicon timepiece components |
KR20200120949A (ko) * | 2018-03-21 | 2020-10-22 | 니바록스-파 에스.에이. | 실리콘 헤어스프링을 제조하기 위한 방법 |
CN111819501A (zh) * | 2018-03-21 | 2020-10-23 | 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司 | 制造硅游丝的方法 |
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JP2021521455A (ja) * | 2018-04-16 | 2021-08-26 | パテック フィリップ ソシエテ アノニム ジュネーブ | シリコンベースの時計用バネの製作方法 |
JP7204776B2 (ja) | 2018-04-16 | 2023-01-16 | パテック フィリップ ソシエテ アノニム ジュネーブ | シリコンベースの時計用バネの製作方法 |
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