KR101870244B1 - 초박형 실리콘 스트레인 게이지 제조 방법 - Google Patents

초박형 실리콘 스트레인 게이지 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 (a) 지지 기판, 산화 실리콘(SiO2)층 및 실리콘(Si)층이 순서대로 적층된 구조를 가지는 SOI(silicon on insulator) 기판을 준비하는 단계; (b) 상기 SOI(silicon on insulator) 기판의 실리콘층을 붕소(B)로 도핑하는 단계; (c) 상기 붕소를 도핑한 실리콘층을 어닐링(annealing)하는 단계; (d) 상기 붕소를 도핑한 실리콘층 상에 전극용 금속층을 형성하는 단계; (e) 상기 전극용 금속층을 패터닝하여 전극을 형성하는 단계; (f) 건식 식각(dry etching)을 통해 실리콘 게이지 패턴을 형성하는 단계; (g) 상기 전극 및 실리콘 게이지 패턴 상에 감광제(photoresist, PR)를 이용해 보호층을 형성하는 단계; 및 (h) BOE(Buffered Oxide Etchant) 용액 및 첨가제를 포함하는 식각 용액을 이용하는 습식 식각(wet etching)을 통해 상기 산화 실리콘층을 제거해 상기 지지 기판으로부터 실리콘 스트레인 게이지를 분리하는 단계;를 포함하는 실리콘 스트레인 게이지의 제조방법에 대한 것으로서,
본 발명에 따른 본 발명에 따르면, 스트레인 게이지를 분리/제조함에 있어서, BOE 용액에 첨가제가 포함된 식각 용액을 이용한 습식 식각법을 사용함으로써, 기존 기술에 비해 보다 얇은 초박형(20㎛ 이하)의 실리콘 스트레인 게이지를 경제적이고 안정적으로 제조할 수 있다.

Description

초박형 실리콘 스트레인 게이지 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA-THIN SILICON STRAIN GAUGE}
본 발명은 스트레인 게이지 제조방법에 대한 것으로서, 보다 상세하게는, 초박형의 실리콘 스트레인 게이지를 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.
센서는 일반적으로 관측대상의 정보를 물리적, 화학적, 생물학적 효과를 이용해 전기적 신호로 변환하는 소자로 정의된다. 센서는 생산공정 자동화, 환경검사, 의료, 자동차, 우주항공, 군수 등은 물론이고 우리 일상생활에 이르는 폭넓은 곳에서 사용되고 있다.
그중, 압력 센서나 힘 센서는 외부에서 압력이나 힘이 가해지면 변형을 일으키는 변형부 위에 스트레인 게이지가 형성된 형태를 가진다. 스트레인 게이지는 모양이 변하면 저항 값이 변하며, 이때의 저항을 측정함으로써 외부에서 가해진 압력이나 힘을 측정할 수 있다.
상기 스트레인 게이지의 종류는 크게 와이어형 게이지, 금속 박막형 게이지, 반도체형 실리콘 게이지로 나뉜다. 이 중에서 반도체형 실리콘 스트레인 게이지는 다른 유형의 게이지보다 민감도(gauge factor)가 수십 배 높기 때문에 현대에 널리 사용된다. 그 중에서 단결정 실리콘은 스트레인 게이지 제조공정에서 흔히 쓰이는 물질 중 하나이며, 보통 실리콘 웨이퍼를 건식 식각(dry etching), CMP(Chemical-Mechanical-Polishing) 등의 방법을 사용하여 가공함으로써 스트레인 게이지를 제조한다.
하지만, 상기 건식 식각 및 CMP 공정을 사용할 경우. 높은 공정 비용의 문제점 외에 CMP 공정에 수반되는 구부러짐 현상(Bending)에 의한 제품 파손의 위험이 상존한다.
한국공개특허 제10-2016-011583호 (공개일 : 2016.10.06) 한국공개특허 제10-2012-0099938호 (공개일 : 2012.09.12) 한국공개특허 제10-2011-0105026호 (공개일 : 2011.09.26.)
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해서, 기존에 비해 경제적이고 간단한 방법일 뿐만 아니라, 초박형의 실리콘 스트레인 게이지를 안정적으로 제조할 수 있는 실리콘 스트레인 게이지의 제조방법의 제공을 그 목적으로 한다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 (a) 지지 기판, 산화 실리콘(SiO2)층 및 실리콘(Si)층이 순서대로 적층된 구조를 가지는 SOI(silicon on insulator) 기판을 준비하는 단계; (b) 상기 SOI(silicon on insulator) 기판의 실리콘층을 붕소(B)로 도핑하는 단계; (c) 상기 붕소를 도핑한 실리콘층을 어닐링(annealing)하는 단계; (d) 상기 붕소를 도핑한 실리콘층 상에 전극용 금속층을 형성하는 단계; (e) 상기 전극용 금속층을 패터닝하여 전극을 형성하는 단계; (f) 건식 식각(dry etching)을 통해 실리콘 게이지 패턴을 형성하는 단계; (g) 상기 전극 및 실리콘 게이지 패턴 상에 감광제(photoresist, PR)를 이용해 보호층을 형성하는 단계; 및 (h) BOE(Buffered Oxide Etchant) 용액 및 첨가제를 포함하는 식각 용액을 이용하는 습식 식각(wet etching)을 통해 상기 산화 실리콘층을 제거해 상기 지지 기판으로부터 실리콘 스트레인 게이지를 분리하는 단계;를 포함하는 실리콘 스트레인 게이지의 제조방법을 제안한다.
또한, 상기 지지 기판은 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘 스트레인 게이지의 제조방법을 제안한다.
또한, 상기 전극용 금속층은, 크롬(Cr)층 및 상기 크롬층 상에 적층된 백금(Pt)층을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 스트레인 게이지의 제조방법을 제안한다.
또한, 상기 건식 식각은 DRIE(Deep Reactive Ion Etching) 공정을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 스트레인 게이지의 제조방법을 제안한다.
또한, 상기 첨가제는 옥틸아민(Octylamine) 및 옥틸알코올(Octylalcohol)을 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 스트레인 게이지의 제조방법을 제안한다.
또한, 상기 BOE 용액은 40% NH4F 및 49% HF를 6 : 1의 부피비로 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 스트레인 게이지의 제조방법을 제안한다.
또한, 상기 단계 (h)에서 상기 식각 용액을 50 ℃의 온도로 유지하면서 습식 식각을 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 스트레인 게이지의 제조방법을 제안한다.
그리고, 본 발명은 발명의 다른 측면에서 상기 방법에 의해 제조된 실리콘 스트레인 게이지를 제안한다.
그리고, 본 발명은 발명의 또 다른 측면에서 상기 방법에 의해 제조된 실리콘 스트레인 게이지를 포함하는 압력 센서를 제안한다.
본 발명에 따른 본 발명에 따르면, 스트레인 게이지를 분리/제조함에 있어서, BOE 용액에 첨가제가 포함된 식각 용액을 이용한 습식 식각법을 사용함으로써, 기존에 사용되던 DRIE 등 건식 식각법과 달리 에칭이 균일하게 진행되어 분리 응력(releasing stress)이 감소되어 종래 기술과 달리 초박형(20㎛ 이하)의 실리콘 스트레인 게이지의 제조가 가능하며, 기존 BOE 공법보다 잔여물이 적게 남게 되어 수율 또한 증가하며, 또한, 습식 에칭법의 사용으로 종래보다 제조비용을 절감할 수 있으므로, 기존 기술에 비해 보다 얇은 초박형(20㎛ 이하)의 실리콘 스트레인 게이지를 경제적이고 안정적으로 제조할 수 있다.
도 1(a) 내지 도 1(h)는 본 발명에 따른 초박형 실리콘 스트레이 게이지의 제조방법의 각 단계를 모식적으로 나타낸 도면으로서,
도 1(a)는 SOI(silicon on insulator) 기판의 단면을 나타내고,
도 1(b)는 상기 SOI 기판의 실리콘층을 붕소(B)로 도핑하는 단계에서의 적층체 상부 및 단면 A-A'를 각각 나타내고,
도 1(c)는 상기 붕소를 도핑한 실리콘층 상에 백금과 크롬을 스퍼터링(sputtering)을 증착시켜 전극용 금속층을 형성하는 단계에서의 적층체 상부 및 단면 A-A'를 각각 나타내고,
도 1(d)는 상기 전극용 금속층을 패터닝하여 전극을 형성하는 단계에서의 적층체 상부 및 단면 A-A'를 각각 나타내고,
도 1(e)는 건식 식각(dry etching)을 통해 실리콘 게이지 패턴을 형성하는 단계에서의 적층체 상부 및 단면 A-A'를 각각 나타내고,
도 1(f)는 전극 및 실리콘 게이지 패턴 상에 감광제(photoresist, PR)를 이용해 보호층을 형성하는 단계에서의 적층체 상부 및 단면 A-A'를 각각 나타내고,
도 1(g)는 BOE(Buffered Oxide Etchant) 용액 및 첨가제를 포함하는 식각 용액을 이용하는 습식 식각(wet etching)을 통해 상기 산화 실리콘층을 제거해 상기 지지 기판으로부터 실리콘 스트레인 게이지를 분리하는 단계에서의 적층체 상부 및 단면 A-A'를 각각 나타내고,
도 1(h)는 최종적으로 제조된 실리콘 스트레인 상부 및 단면 A-A'를 각각 나타낸다.
도 2는 본 발명에 따른 제조방법의 일실시예에 따라 제조한 실리콘 스트레인 게이지의 사진이다.
도 3(a)는 실리콘 스트레인 게이지를 지지 기판으로부터의 분리할 때 식각 용액으로서 첨가제(옥틸아민 및 옥틸알코올) 포함 BOE 용액(NH4F+HF)을 사용할 경우 얻어지는 실리콘 스트레인 게이지의 표면 상태를 보여주는 사진이고, 도 3(b)는 식각 용액으로서 BOE 용액(H4F+HF)을 사용할 경우 얻어지는 실리콘 스트레인 게이지의 표면 상태를 보여주는 사진이다.
본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다.
본 발명의 개념에 따른 실시예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있으므로 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본 명세서 또는 출원에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예를 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 본 발명에 대해 상세하게 설명하기로 한다.
본 발명에 따른 초박형 실리콘 스트레인 게이지의 제조방법은, (a) 지지 기판, 산화 실리콘(SiO2)층 및 실리콘(Si)층이 순서대로 적층된 구조를 가지는 SOI(silicon on insulator) 기판을 준비하는 단계; (b) 상기 SOI(silicon on insulator) 기판의 실리콘층을 붕소(B)로 도핑하는 단계; (c) 상기 붕소를 도핑한 실리콘층을 어닐링(annealing)하는 단계; (d) 상기 붕소를 도핑한 실리콘층 상에 전극용 금속층을 형성하는 단계; (e) 상기 전극용 금속층을 패터닝하여 전극을 형성하는 단계; (f) 건식 식각(dry etching)을 통해 실리콘 게이지 패턴을 형성하는 단계; (g) 상기 전극 및 실리콘 게이지 패턴 상에 감광제(photoresist, PR)를 이용해 보호층을 형성하는 단계; 및 (h) BOE(Buffered Oxide Etchant) 용액 및 첨가제를 포함하는 식각 용액을 이용하는 습식 식각(wet etching)을 통해 상기 산화 실리콘층을 제거해 상기 지지 기판으로부터 실리콘 스트레인 게이지를 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 단계 (a)에서는 도 1(a)에 그 단면이 모식적으로 도시된 SOI(silicon on insulator) 기판을 준비하는 단계이다.
상기 SOI 기판은 지지 기판, 산화 실리콘(SiO2)층 및 실리콘(Si)층이 순서대로 적층된 구조를 가지며, 일례로서, 실리콘으로 이루어진 지지 기판과 실리콘 층 사이에 산화 실리콘층이 압축/결합되어 있을 수 있다. 이때, 상단 실리콘 층은 device layer, 중단의 산화 실리콘층은 Box layer, 하단의 실리콘으로 이루어진 지지 기판은 handle layer라고 칭한다.
한편, 상기 SOI 기판은 게이지의 디자인에 따라 두께를 자유롭게 조절할 수 있으며, device layer의 두께는 3 내지 20㎛인 것이 바람직하다. Box layer는 1 내지 5㎛인 것이 바람직하며, Handle layer는 200 내지 550㎛가 바람직하다.
또한, 상기 SOI 기판의 상단 표면은 {100} 결정면을 가지는 것이 바람직하며, p-type 실리콘을 사용하는 것이 바람직하다.
다음으로, 상기 단계 (b)에서는 게이지의 저항대역을 조절하기 위해, 상기 SOI(silicon on insulator) 기판의 실리콘층을 붕소(B)로 도핑하는 단계로서, 본 단계를 수행함으로써 도 1(b)에 도시된 평면도 및 단면도를 가지는 적층체가 얻어진다.
한편, 본 단계 (b)에서의 붕소 이온 도핑은 1×1015/cm2 ~ 3×1015/cm2의 주입량으로 수행될 수 있다.
다음으로, 상기 단계 (c)에서 주입 이온의 활성화와 이온주입으로 인한 표면손상을 회복하기 위해 상기 붕소를 도핑한 실리콘층을 어닐링(annealing) 공정이 이루어진다. 일례로, 본 단계 (c)에서의 어닐링은 1000℃, 60분 조건 하에서 수행될 수 있다.
다음으로, 상기 단계 (d)는 상기 붕소를 도핑한 실리콘층 상에 전극용 금속층을 형성하는 단계이다.
일례로, 상온에서 스퍼터링(sputtering) 방법을 이용하여 2000Å두께로 전극용 금속층을 증착한다. 이때, 상기 전극용 금속층 증착에 사용되는 금속은 백금(Platimum)인 것이 바람직한데, 백금은 실리콘과 잘 부착이 되지 않기 때문에 백금 증착 전에 접착층 또는 버퍼층으로서 크롬(Chromium)을 100Å 두께로 먼저 증착한 다음 백금을 증착시킨다. 크롬은 후술할 BOE 용액을 이용한 습식 식각 공정에서 BOE 용액과 반응하지 않는다는 점에서도 접착층 소재로서 바람직하다.
본 단계를 수행함으로써 도 1(c)에 도시된 평면도 및 단면도를 가지는 적층체가 얻어진다.
다음으로, 상기 단계 (e)는 상기 전극용 금속층을 패터닝하여 전극을 형성하는 단계로서, 일례로, 전 단계에서 형성된 상기 전극용 금속층에 패턴을 형성하기 위해 스핀 코팅(Spin coating)으로 감광제(Photoresist)를 상기 전극용 금속층의 상부에 도포하고 포토마스크를 이용하여 노광시켜 패턴을 형성한 후, 건식 식각으로 전극 부분을 제외한 나머지 부분을 식각하고, 잔여 감광제를 제거해, 도 1(d)에 도시된 평면도 및 단면도를 가지는 적층체가 얻어진다.
다음으로, 상기 단계 (f)는 건식 식각(dry etching)을 통해 실리콘 게이지 패턴을 형성하는 단계로서, 일례로서 상기 단계 (e)와 동일한 방법을 이용해 게이지 패턴을 형성시킬 수 있으며, 이때, 상기 건식 식각 방법은 DRIE(Deep Reactive Ion Etching)을 이용할 수 있다.
본 단계를 수행함으로써 도 1(e)에 도시된 평면도 및 단면도를 가지는 적층체가 얻어진다.
다음으로, 상기 단계 (g)는 후술할 단계 (h)에서의 습식 식각에 의해 전극이 손상되지 않도록 상기 전극 및 실리콘 게이지 패턴 상에 감광제(photoresist, PR)를 이용해 보호층을 형성하는 단계로서, 본 단계를 수행함으로써 도 1(f)에 도시된 평면도 및 단면도를 가지는 적층체가 얻어진다.
다음으로, 상기 단계 (h)는, 도 1(g)에 도시한 것처럼 BOE(Buffered Oxide Etchant) 용액 및 첨가제를 포함하는 식각 용액을 이용하는 습식 식각(wet etching)을 통해 상기 산화 실리콘층을 제거해 상기 지지 기판으로부터 실리콘 스트레인 게이지를 분리하는 단계로서, 본 단계를 완료함으로써, 도 1(h)의 모식도 및 도 2의 표면 이미지를 가지는 초박형 실리콘 스트레인 게이지가 최종적으로 얻어진다.
일례로, 먼저 BOE 용액(NH4F:+HF=6:1)을 준비한다. BOE 용액은 불산과 불화암모늄이 혼합된 완충용액으로 주로 산화실리콘을 식각하는데 사용한다.
하지만, 기존 BOE 용액에 실리콘이 노출되면 불균일 식각에 의해 표면의 거칠기가 증가하게 되며 이는 금속전극의 박리현상을 초래할 가능성이 있으며, 게이지의 안정성과 민감도에도 악영향을 끼치게 된다. 그리고 상온에서 진행하게 되면 느린 식각속도로 인하여 공정시간이 길어진다.
따라서, 본 단계에서의 습식 식각은 고온에서 진행하고 또한, 상기 BOE 용액에 첨가제를 추가포 포함하는 습식 식각용 용액을 사용하는 것이 바람직하다.
보다 구체적으로, BOE 용액의 온도를 50℃로 유지하며 첨가제로서는 Octylamine 및 Octylalcohol을 사용하며, 이때, Octylamine은 90ppm로 Octylalcohol은 30ppm으로 첨가량을 설정하는 것이 가장 바람직하다.
BOE에 Octylamine을 첨가하게 되면 BOE의 젖음성(Wettability)이 증가하게 되어 실리콘과 산화실리콘의 식각특성이 더 우수해지며 결과적으로 안정적인 게이지의 품질을 보장할 수 있다. 다만, BOE에 Octylamine만 첨가했을 경우에는 거품이 쉽게 발생하고 이는 안정적인 게이지 분리를 방해하는데, Octylalcohol도 함께 첨가시켰을 경우에는 거품현상이 없었으며 게이지의 수율도 증가시킬 수 있다.
한편, 본 단계에서의 습식 식각은 환경에 따라 3 내지 5시간 정도로 진행을 하는 것이 바람직하다.
습식 식각 공정을 완료한 후, 분리된 게이지는 표면에 감광제로 만든 보호층이 남아있는 상태이므로 이를 아세톤을 이용하여 깨끗이 제거한다. 아세톤에 노출되는 시간은 30분 이내가 바람직하다.
도 3은 실리콘 스트레인 게이지를 지지 기판으로부터의 분리할 때 식각 용액으로서 첨가제(옥틸아민 및 옥틸알코올) 포함 BOE 용액(H4F+HF)을 사용할 경우 얻어지는 실리콘 스트레인 게이지의 표면 상태를 보여주는 사진[도 3(a)] 및 식각 용액으로서 BOE 용액(NH4F+HF)을 사용할 경우 얻어지는 실리콘 스트레인 게이지의 표면 상태를 보여주는 사진[도 3(b)]이다.
도 3을 참조하면 BOE에 첨가제(Octylamine 및 Octylalcohol)를 넣어 습식 식각을 진행한 결과, 기존 BOE에서와는 달리 습식공정 후에도 게이지 위에 보호층이 그대로 남아있었다. 그리고 게이지의 손상률이 크게 감소하였고, 전극의 박리현상도 기존에 비해 크게 개선되었다.
상기와 같은 결과의 주된 이유는 BOE가 첨가제에 의해 실리콘과 실리콘 산화막의 선택비(Selectivity)가 3배 정도 개선된 것(~1000 -> ~3000), 젖음성(Wettability)의 증가로 인한 실리콘 산화막의 고른 식각으로 인한 분리 응력(releasing stress)의 완화이다.
상기에서 상세히 설명한 본 발명에 따른 본 발명에 따르면, 스트레인 게이지를 분리/제조함에 있어서, BOE 용액에 첨가제가 포함된 식각 용액을 이용한 습식 식각법을 사용함으로써, 기존에 사용되던 DRIE 등 건식 식각법과 달리 에칭이 균일하게 진행되어 분리 응력(releasing stress)이 감소되어 종래 기술과 달리 초박형(20㎛ 이하)의 실리콘 스트레인 게이지의 제조가 가능하며, 기존 BOE 공법보다 잔여물이 적게 남게 되어 수율 또한 증가하며, 또한, 습식 에칭법의 사용으로 종래보다 제조비용을 절감할 수 있으므로, 기존 기술에 비해 보다 얇은 초박형(20㎛ 이하)의 실리콘 스트레인 게이지를 경제적이고 안정적으로 제조할 수 있다.
상기 본 발명에 따른 제조방법에 의해 얻어지는 초박형 실리콘 스트레인 게이지는, 일례로 글래스 프릿(glass frit)을 이용하여 압력센서 다이어프램(Diaphragm)에 부착되어 압력 센서 소자로서 유용하게 사용될 수 있다.

Claims (9)

  1. (a) 지지 기판, 산화 실리콘(SiO2)층 및 실리콘(Si)층이 순서대로 적층된 구조를 가지는 SOI(silicon on insulator) 기판을 준비하는 단계;
    (b) 상기 SOI(silicon on insulator) 기판의 실리콘층을 붕소(B)로 도핑하는 단계;
    (c) 상기 붕소를 도핑한 실리콘층을 어닐링(annealing)하는 단계;
    (d) 상기 붕소를 도핑한 실리콘층 상에 전극용 금속층을 형성하는 단계;
    (e) 상기 전극용 금속층을 패터닝하여 전극을 형성하는 단계;
    (f) 건식 식각(dry etching)을 통해 실리콘 게이지 패턴을 형성하는 단계;
    (g) 상기 전극 및 실리콘 게이지 패턴 상에 감광제(photoresist, PR)를 이용해 보호층을 형성하는 단계; 및
    (h) BOE(Buffered Oxide Etchant) 용액 및 첨가제를 포함하는 식각 용액을 이용하는 습식 식각(wet etching)을 통해 상기 산화 실리콘층을 제거해 상기 지지 기판으로부터 실리콘 스트레인 게이지를 분리하는 단계;를 포함하며,
    상기 첨가제는 옥틸아민(Octylamine) 및 옥틸알코올(Octylalcohol)을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 스트레인 게이지의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 지지 기판은 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘 스트레인 게이지의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 전극용 금속층은, 크롬(Cr)층 및 상기 크롬층 상에 적층된 백금(Pt)층을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 스트레인 게이지의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 건식 식각은 DRIE(Deep Reactive Ion Etching) 공정을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 스트레인 게이지의 제조방법.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 BOE 용액은 40% NH4F 및 49% HF를 6 : 1의 부피비로 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 스트레인 게이지의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 단계 (h)에서 상기 식각 용액을 50 ℃의 온도로 유지하면서 습식 식각을 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 스트레인 게이지의 제조방법.
  8. 제1항 내지 제4항, 제6항 및 제7항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 실리콘 스트레인 게이지.
  9. 제1항 내지 제4항, 제6항 및 제7항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 실리콘 스트레인 게이지를 포함하는 압력 센서.
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