JP2016157865A - シリコンウェーハの良否判定方法、該方法を用いたシリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ - Google Patents
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Abstract
Description
(1)シリコンウェーハにおける、デバイス作製工程において施される熱処理後の酸素析出物のサイズおよび残存酸素濃度を求めた後、求めた前記酸素析出物のサイズおよび前記残存酸素濃度に基づいて、前記デバイス作製工程においてシリコンウェーハにスリップ転位が発生する臨界せん断応力τcriを求め、求めた前記臨界せん断応力τcriと前記デバイス作製工程の熱処理においてシリコンウェーハに与えられる熱応力τとを比較して、前記熱応力τが前記臨界せん断応力τcri以上の場合には前記デバイス作製工程においてシリコンウェーハにスリップ転位が発生すると判定し、前記熱応力τが前記臨界せん断応力τcriを下回る場合には、前記デバイス作製工程においてシリコンウェーハにスリップ転位が発生しないと判定することを特徴とするシリコンウェーハの良否判定方法。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図1は、本発明に係るシリコンウェーハの良否判定方法の一実施形態のフローチャートを示している。まず、ステップS1において、シリコンウェーハWを用意する。このシリコンウェーハWとしては、CZ法や浮遊帯域溶融法(Floating Zone,FZ)法により育成された単結晶シリコンインゴットIに対して、公知の外周研削、スライス、ラッピング、エッチング、鏡面研磨の加工処理を施して得られた、所定の厚みを有するシリコンウェーハを用いることができる。単結晶シリコンインゴットIの育成は、育成したシリコンインゴットIから採取されたシリコンウェーハWが所望の特性を有するように、酸素濃度や炭素濃度、窒素濃度等を適切に調整することができる。また、導電型についても、適切なドーパントを添加してn型またはp型とすることができる。
次に、本発明に係るシリコンウェーハの製造方法について説明する。本発明に係るシリコンウェーハの製造方法は、上記したシリコンウェーハの良否判定方法によりデバイス作製工程においてスリップ転位が発生しないと判定されるシリコンウェーハが得られる育成条件で単結晶シリコンインゴットを育成し、育成した単結晶シリコンインゴットに対してウェーハ加工処理を施すことを特徴とする。
続いて、本発明に係るシリコンウェーハについて説明する。本発明に係るシリコンウェーハは、デバイス作製工程において与えられる熱応力τが、デバイス作製工程においてスリップ転位が発生する臨界せん断応力τcriを下回るBMDサイズLおよび残存酸素濃度COを有するシリコンウェーハであり、デバイス作製工程の熱処理が施されてもスリップ転位が発生しないシリコンウェーハである。
温度を設定し、任意の応力を負荷することができる高温4点曲げ試験を行った。高温4点曲げ試験は、上記した高温3点曲げ試験の作用点を2点にし、その作用点間を15mmとし応力を負荷する試験方法である。高温4点曲げ試験の特徴は、図10の応力分布図に示すように、サンプル片に一定の応力を負荷することができる。そのため、スリップ転位の発生、非発生を確認するためには有効な手法である。表1に示すようなBMD密度、初期酸素濃度、残存酸素濃度CO、析出酸素濃度ΔOi、BMDサイズが異なる多数のサンプルウェーハを用いて、表2に示す条件で高温4点曲げ試験を行った。ここで、サンプルウェーハ中の酸素濃度は全て、ASTM F121−1979に規定される赤外吸収法に準拠し、FT−IR法を用いて測定したものである。
Claims (12)
- シリコンウェーハにおける、デバイス作製工程において施される熱処理後の酸素析出物のサイズおよび残存酸素濃度を求めた後、求めた前記酸素析出物のサイズおよび前記残存酸素濃度に基づいて、前記デバイス作製工程においてシリコンウェーハにスリップ転位が発生する臨界せん断応力τcriを求め、求めた前記臨界せん断応力τcriと前記デバイス作製工程の熱処理においてシリコンウェーハに与えられる熱応力τとを比較して、前記熱応力τが前記臨界せん断応力τcri以上の場合には前記デバイス作製工程においてシリコンウェーハにスリップ転位が発生すると判定し、前記熱応力τが前記臨界せん断応力τcriを下回る場合には、前記デバイス作製工程においてシリコンウェーハにスリップ転位が発生しないと判定することを特徴とするシリコンウェーハの良否判定方法。
- 前記臨界せん断応力τcriは、L:前記酸素析出物のサイズ、CO:前記残存酸素濃度、T:前記熱処理の温度、G:剛性率、b:前記スリップ転位のバーガースベクトル、k:ボルツマン定数として以下の式(A)で与えられる、請求項1に記載のシリコンウェーハの良否判定方法。
- 前記デバイス作製工程における熱処理後の前記酸素析出物のサイズLおよび前記残存酸素濃度COを求める処理は、前記シリコンウェーハに対して前記デバイス作製工程おける熱処理を施した後、該熱処理後のシリコンウェーハにおける前記酸素析出物のサイズおよび前記残存酸素濃度を測定することにより行う、請求項1または2に記載のシリコンウェーハの良否判定方法。
- 前記デバイス作製工程における熱処理後の前記酸素析出物のサイズLおよび前記残存酸素濃度COを求める処理はシミュレーション計算により行う、請求項1または2に記載のシリコンウェーハの良否判定方法。
- 前記熱応力τは、熱処理装置に前記シリコンウェーハを投入して加熱し、加熱された前記シリコンウェーハの半径方向の温度分布に基づいて求める、請求項1〜4のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの良否判定方法。
- 前記熱応力τはシミュレーション計算により求める、請求項1〜4のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの良否判定方法。
- 請求項1〜6に記載のシリコンウェーハの良否判定方法により前記デバイス作製工程においてスリップ転位が発生しないと判定されるシリコンウェーハが得られる育成条件で単結晶シリコンインゴットを育成し、育成した前記単結晶シリコンインゴットに対してウェーハ加工処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
- 前記デバイス作製工程における熱処理後の前記酸素析出物のサイズは10nm以上150nm以下である、請求項7に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記デバイス作製工程における熱処理後の前記残存酸素濃度は10×1017atoms/cm3以上18×1017atoms/cm3以下である、請求項7または8に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- デバイス作製工程において与えられる熱応力τが、前記デバイス作製工程においてスリップ転位が発生する臨界せん断応力τcriを下回る酸素析出物のサイズおよび残存酸素濃度を有するシリコンウェーハ。
- 前記デバイス作製工程の熱処理後の前記酸素析出物のサイズは10nm以上150nm以下である、請求項10に記載のシリコンウェーハ。
- 前記デバイス作製工程の熱処理後の前記残存酸素濃度は10×1017atoms/cm3以上18×1017atoms/cm3以下である、請求項10または11に記載のシリコンウェーハ。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6436255B1 (ja) * | 2018-02-27 | 2018-12-12 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの反り量の予測方法およびシリコンウェーハの製造方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6241381B2 (ja) | 2014-07-09 | 2017-12-06 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
JP7495238B2 (ja) * | 2020-02-19 | 2024-06-04 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの製造方法 |
EP4386819A1 (de) | 2022-12-15 | 2024-06-19 | Siltronic AG | Verfahren zum testen der widerstandsfähigkeit von halbleiterscheiben aus einkristallinem silizium gegen thermisch induzierte versetzungen |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63146437A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-06-18 | Hitachi Ltd | ウエハ面内熱応力転位発生抑制方法 |
JPH1084024A (ja) * | 1996-09-06 | 1998-03-31 | Sumitomo Sitix Corp | 欠陥発生有無の予測方法及び半導体基板の熱処理方法 |
JP2011238664A (ja) * | 2010-05-06 | 2011-11-24 | Sumco Corp | シリコンウェーハの熱処理方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6866713B2 (en) * | 2001-10-26 | 2005-03-15 | Memc Electronic Materials, Inc. | Seed crystals for pulling single crystal silicon |
WO2004018742A1 (ja) * | 2002-07-05 | 2004-03-04 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | シリコン単結晶を製造する方法 |
US7700394B2 (en) * | 2004-06-30 | 2010-04-20 | Sumco Corporation | Method for manufacturing silicon wafer method |
JP2006054350A (ja) * | 2004-08-12 | 2006-02-23 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 窒素ドープシリコンウェーハとその製造方法 |
JP4791073B2 (ja) * | 2005-04-26 | 2011-10-12 | Sumco Techxiv株式会社 | シリコンウェーハの製造方法 |
JP5072460B2 (ja) | 2006-09-20 | 2012-11-14 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト | 半導体用シリコンウエハ、およびその製造方法 |
TW200818327A (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-16 | Sumco Techxiv Corp | Silicon wafer heat treatment method |
EP2412849B1 (en) | 2009-03-25 | 2016-03-23 | SUMCO Corporation | Silicon wafer and method for manufacturing same |
WO2011096489A1 (ja) | 2010-02-08 | 2011-08-11 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハ及びその製造方法、並びに、半導体デバイスの製造方法 |
JP5786557B2 (ja) * | 2011-08-25 | 2015-09-30 | 株式会社Sumco | シミュレーションによるレーザースパイクアニールを施す際に生じる酸素析出物からの発生転位予測方法 |
JP2013163598A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-08-22 | Globalwafers Japan Co Ltd | シリコンウェーハの製造方法 |
-
2015
- 2015-02-25 JP JP2015035646A patent/JP6458551B2/ja active Active
-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63146437A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-06-18 | Hitachi Ltd | ウエハ面内熱応力転位発生抑制方法 |
JPH1084024A (ja) * | 1996-09-06 | 1998-03-31 | Sumitomo Sitix Corp | 欠陥発生有無の予測方法及び半導体基板の熱処理方法 |
JP2011238664A (ja) * | 2010-05-06 | 2011-11-24 | Sumco Corp | シリコンウェーハの熱処理方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6436255B1 (ja) * | 2018-02-27 | 2018-12-12 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの反り量の予測方法およびシリコンウェーハの製造方法 |
JP2019149463A (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの反り量の予測方法およびシリコンウェーハの製造方法 |
WO2019167294A1 (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-06 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの反り量の予測方法およびシリコンウェーハの製造方法 |
CN111971781A (zh) * | 2018-02-27 | 2020-11-20 | 胜高股份有限公司 | 硅晶片的翘曲量的预测方法及硅晶片的制备方法 |
US11094600B2 (en) | 2018-02-27 | 2021-08-17 | Sumco Corporation | Method of predicting warpage of silicon wafer and method of producing silicon wafer |
CN111971781B (zh) * | 2018-02-27 | 2023-09-29 | 胜高股份有限公司 | 硅晶片的翘曲量的预测方法及硅晶片的制备方法 |
Also Published As
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