JP2016157803A - 炭化珪素半導体装置の製造方法およびそれに用いるレーザ加工装置 - Google Patents
炭化珪素半導体装置の製造方法およびそれに用いるレーザ加工装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016157803A JP2016157803A JP2015034297A JP2015034297A JP2016157803A JP 2016157803 A JP2016157803 A JP 2016157803A JP 2015034297 A JP2015034297 A JP 2015034297A JP 2015034297 A JP2015034297 A JP 2015034297A JP 2016157803 A JP2016157803 A JP 2016157803A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- wavelength
- silicon carbide
- dicing
- carbide semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
【解決手段】レーザ発振器31が発生させる固体レーザ38の波長を第1、第2波長変換ユニット36、37によって変換させ、レーザアニールとレーザダイシングそれぞれに適用できる波長とする。これにより、共通の1つのレーザ発振器31を用いたレーザ加工装置に基づいてレーザアニールとレーザダイシングを行うことが可能となる。よって、装置設備の簡素化を図ることが可能になると共に、設備投資コストの削減を図ることが可能となる。
【選択図】図3
Description
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。まず、図1を参照して、本実施形態に示すSiC半導体装置の製造方法により製造した半導体素子としてのプレーナ型の縦型パワーMOSFETの構成について説明する。本SiC半導体装置は、例えばインバータに適用すると好適なものである。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してレーダダイシングによるダイシング工程を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
1a 主表面
1b 裏面
10 ソース電極
11 ドレイン電極
15 デバイス形成基板
31 レーザ発振器
36、37 第1、第2波長変換ユニット
40 チャンバー
51、52 レーザ光
110 金属薄膜
111 合金層
Claims (12)
- 主表面(1a)および当該主表面の反対面である裏面(1b)を有する炭化珪素半導体基板(1)と、該炭化珪素半導体基板の裏面に対して形成されるオーミック電極(11)を有する半導体素子と、を有する炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記半導体素子の構成要素の少なくとも一部を形成した前記炭化珪素半導体基板を用意し、当該炭化珪素半導体基板の裏面に対して金属薄膜(110)を形成する金属薄膜形成工程と、
前記金属薄膜形成工程の後、前記金属薄膜にレーザ光照射を行ってレーザアニールを行うことでシリサイド化させ、前記オーミック電極を形成する電極形成工程と、
前記電極形成工程の後、ダイシング領域においてレーザ光照射を行ってレーザダイシングを行うことで前記オーミック電極が形成された前記炭化珪素半導体基板をチップ単位に分割するダイシング工程と、を含み、
前記電極形成工程および前記ダイシング工程では、共通のレーザ発生部(31)を用いて所定波長のレーザ(38)を発生させると共に、少なくとも前記電極形成工程および前記ダイシング工程の一方において、前記レーザ発生部が発生させた前記レーザの波長を波長変換ユニット(36、37)にて変換し、前記電極形成工程では炭化珪素を透過しない波長のレーザ光(51)にて前記レーザアニールを行い、前記ダイシング工程では炭化珪素を透過する波長のレーザ光にて前記レーザダイシングを行うことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記電極形成工程および前記ダイシング工程は、共通の前記レーザ発生部を用いて連続して行われることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記電極形成工程および前記ダイシング工程は、前記オーミック電極を形成した後の前記炭化珪素半導体基板を同一のチャンバー(41)内において、前記炭化珪素半導体基板の裏面側より前記レーザ光の照射を行うことで連続して行われることを特徴とする請求項2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記電極形成工程では、前記レーザアニールに用いる前記レーザ光として紫外光の領域の波長のものを用い、
前記ダイシング工程では、前記レーザダイシングに用いる前記レーザ光として近赤外光もしくは可視光の領域の波長のものを用いることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記電極形成工程および前記ダイシング工程では、前記レーザ発生部として固体レーザ(38)を発生させるレーザ発振器(31)を用いることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記固体レーザの基本波の波長が1064nmであり、
前記電極形成工程では、前記波長変換ユニット(37)によって、前記固体レーザの3倍波である355nmもしくは4倍波である266nmの波長に変換したものを前記レーザアニールにおける前記レーザ光として用いることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記固体レーザの基本波の波長が1064nmであり、
前記ダイシング工程では、前記固体レーザの基本波、もしくは、前記波長変換ユニット(36)によって、前記固体レーザの2倍波である532nmに変換したものを前記レーザダイシングにおける前記レーザ光として用いることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 主表面(1a)および当該主表面の反対面である裏面(1b)を有する炭化珪素半導体基板(1)と、該炭化珪素半導体基板の裏面に対して形成されるオーミック電極(11)を有する半導体素子とを有する炭化珪素半導体装置の製造に用いられ、
レーザ光照射によるレーザアニールを行うことで前記オーミック電極を形成する工程と、ダイシング領域においてレーザ光照射を行ってレーザダイシングを行うことで前記オーミック電極が形成された前記炭化珪素半導体基板をチップ単位に分割する工程の両方に用いられるレーザ加工装置であって、
レーザ(38)を発生させるレーザ発生部(31)と、
前記レーザアニールと前記レーザダイシングの少なくとも一方を行う際に、前記レーザ発生部が発生させる前記レーザの波長を変換することで、前記レーザアニールの際には炭化珪素を透過しない波長のレーザ光(51)を出力し、前記レーザダイシングの際には炭化珪素を透過する波長のレーザ光(52)を出力する波長変換ユニット(36、37)と、を備えていることを特徴とするレーザ加工装置。 - 前記波長変換ユニットは、前記レーザアニールの際には前記レーザ光として紫外光の領域の波長のものを出力し、前記レーザダイシングの際には前記レーザ光として近赤外光もしくは可視光の領域の波長のものを出力することを特徴とする請求項8に記載のレーザ加工装置。
- 前記レーザ発生部は、固体レーザ(38)を発生させるレーザ発振器(31)であることを特徴とする請求項8または9に記載のレーザ加工装置。
- 前記固体レーザの基本波の波長が1064nmであり、
前記レーザアニールの際には、前記波長変換ユニット(37)によって、前記固体レーザの3倍波である355nmもしくは4倍波である266nmの波長に変換したものを前記レーザ光とすることを特徴とする請求項8ないし10のいずれか1つに記載のレーザ加工装置。 - 前記固体レーザの基本波の波長が1064nmであり、
前記レーザダイシングの際には、前記固体レーザの基本波、もしくは、前記波長変換ユニット(36)によって、前記固体レーザの2倍波である532nmに変換したものを前記レーザ光とすることを特徴とする請求項8ないし11のいずれか1つに記載のレーザ加工装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015034297A JP6387855B2 (ja) | 2015-02-24 | 2015-02-24 | 炭化珪素半導体装置の製造方法およびそれに用いるレーザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015034297A JP6387855B2 (ja) | 2015-02-24 | 2015-02-24 | 炭化珪素半導体装置の製造方法およびそれに用いるレーザ加工装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016157803A true JP2016157803A (ja) | 2016-09-01 |
JP6387855B2 JP6387855B2 (ja) | 2018-09-12 |
Family
ID=56826780
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015034297A Active JP6387855B2 (ja) | 2015-02-24 | 2015-02-24 | 炭化珪素半導体装置の製造方法およびそれに用いるレーザ加工装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6387855B2 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009166104A (ja) * | 2008-01-17 | 2009-07-30 | Keyence Corp | レーザ加工装置、レーザ加工方法及びレーザ加工装置の設定プログラム並びにコンピュータで読取可能な記録媒体 |
JP2010186991A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-08-26 | Showa Denko Kk | 半導体素子の製造方法及び半導体素子、並びに半導体装置 |
JP2011091100A (ja) * | 2009-10-20 | 2011-05-06 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2011222607A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | SiC半導体素子の製造方法 |
JP2011253909A (ja) * | 2010-06-01 | 2011-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 光起電力装置の製造方法 |
JP2013171906A (ja) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Laser System:Kk | レーザダイシング方法およびレーザ加工装置 |
-
2015
- 2015-02-24 JP JP2015034297A patent/JP6387855B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009166104A (ja) * | 2008-01-17 | 2009-07-30 | Keyence Corp | レーザ加工装置、レーザ加工方法及びレーザ加工装置の設定プログラム並びにコンピュータで読取可能な記録媒体 |
JP2010186991A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-08-26 | Showa Denko Kk | 半導体素子の製造方法及び半導体素子、並びに半導体装置 |
JP2011091100A (ja) * | 2009-10-20 | 2011-05-06 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2011222607A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | SiC半導体素子の製造方法 |
JP2011253909A (ja) * | 2010-06-01 | 2011-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 光起電力装置の製造方法 |
JP2013171906A (ja) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Laser System:Kk | レーザダイシング方法およびレーザ加工装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6387855B2 (ja) | 2018-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10903078B2 (en) | Methods for processing a silicon carbide wafer, and a silicon carbide semiconductor device | |
US10361274B2 (en) | Silicon carbide semiconductor device having metal silicide surrounds a peripheral of metal carbide | |
JP4924690B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
US9941362B2 (en) | Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
JP5369762B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
US20150214053A1 (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
WO2011096326A1 (ja) | 半導体素子の製造方法および半導体素子の製造装置 | |
JP6053968B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
JP2012146716A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2010212530A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JP2016157911A (ja) | 不純物導入装置、不純物導入方法及び半導体素子の製造方法 | |
US8309436B2 (en) | Method of producing epitaxial substrate with gettering for solid-state imaging device, and method of producing solid-state imaging device using same substrate | |
JP2009283754A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2012004185A (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP7314758B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
JP5201305B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6387855B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法およびそれに用いるレーザ加工装置 | |
JP2016127157A (ja) | レーザアニール装置及び半導体素子の製造方法 | |
US8357592B2 (en) | Method and apparatus for manufacturing semiconductor substrate dedicated to semiconductor device, and method and apparatus for manufacturing semiconductor device | |
JPH11224861A (ja) | 半導体不純物の活性化方法、および活性化装置 | |
JP5892742B2 (ja) | 電力用半導体装置の製造方法 | |
JP2010283219A (ja) | 半導体デバイス向け半導体基板の製造方法、半導体デバイスの製造方法、半導体デバイスの製造装置 | |
JP2017168683A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP7135839B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
JP6776762B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170627 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180322 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180327 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180516 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180717 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180730 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6387855 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |