JP2013171906A - レーザダイシング方法およびレーザ加工装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のレーザダイシング方法は、分割予定ラインに沿ってシリコンカーバイド基板に波長500nm以上のレーザ光を照射して、前記分割予定ラインに沿って前記シリコンカーバイド基板に前記シリコンカーバイド基板の厚みの50%以上の深さの損傷を形成する損傷形成工程と、前記レーザ光を照射された前記シリコンカーバイド基板に引張力を加えるエキスパンド工程とを含む。前記レーザ光は、照射スポットが空間的および時間的に密に重なり合うように前記シリコンカーバイド基板に照射される。前記シリコンカーバイド基板は、前記損傷形成工程または前記エキスパンド工程において分割される。
【選択図】図2
Description
[1]分割予定ラインに沿ってシリコンカーバイド基板に波長500nm以上のレーザ光を照射して、前記分割予定ラインに沿って前記シリコンカーバイド基板に前記シリコンカーバイド基板の厚みの50%以上の深さの損傷を形成する損傷形成工程と、前記レーザ光を照射された前記シリコンカーバイド基板に引張力を加えるエキスパンド工程と、を含み、前記レーザ光は、照射スポットが空間的および時間的に密に重なり合うように前記シリコンカーバイド基板に照射され、前記シリコンカーバイド基板は、前記損傷形成工程または前記エキスパンド工程において分割される、レーザダイシング方法。
[2]前記シリコンカーバイド基板の厚みは、200μm以下であり、前記レーザ光は、パルスレーザ光であり、前記シリコンカーバイド基板の表面における前記レーザ光の照射スポットの中心間距離をSP(μm)とし、前記レーザ光の繰り返し周波数をF(kHz)としたとき、(SP/F)<0.007である、[1]に記載のレーザダイシング方法。
[3]前記シリコンカーバイド基板は、前記損傷形成工程において分割される、[1]または[2]に記載のレーザダイシング方法。
[4]前記シリコンカーバイド基板は、前記エキスパンド工程において分割される、[1]または[2]に記載のレーザダイシング方法。
[5]前記損傷形成工程と前記エキスパンド工程との間に、前記シリコンカーバイド基板に折曲力を加えて、前記損傷を起点として前記シリコンカーバイド基板を分割するブレーク工程を含まない、[1]〜[4]のいずれか一項に記載のレーザダイシング方法。
[6]前記レーザ光は、パルス幅が20ナノ秒以上のパルスレーザ光または連続発振レーザ光である、[1]〜[5]のいずれか一項に記載のレーザダイシング方法。
[7]前記レーザ光の波長は、10μm以下である、[1]〜[6]のいずれか一項に記載のレーザダイシング方法。
[8]前記レーザ光は、前記シリコンカーバイド基板の表面側から前記シリコンカーバイド基板に照射され、前記レーザ光の集光点は、前記シリコンカーバイド基板の表面から上方100μm〜表面から内部120μmの範囲内に位置する、[1]〜[7]のいずれか一項に記載のレーザダイシング方法。
[9]波長500nm以上のレーザ光を出射するレーザ光源と、前記レーザ光をシリコンカーバイド基板に照射する光学系と、前記光学系および前記シリコンカーバイド基板の少なくとも一方を移動させて、前記光学系と前記シリコンカーバイド基板とを相対的に移動させる駆動部と、を有し、前記レーザ光を、分割予定ラインに沿って、かつ照射スポットが空間的および時間的に密に重なり合うように、シリコンカーバイド基板に照射して、前記分割予定ラインに沿って前記シリコンカーバイド基板に前記シリコンカーバイド基板の厚みの50%以上の深さの損傷を形成する、レーザ加工装置。
[10]前記シリコンカーバイド基板の厚みは、200μm以下であり、前記レーザ光は、パルスレーザ光であり、前記シリコンカーバイド基板の表面における前記レーザ光の照射スポットの中心間距離をSP(μm)とし、前記レーザ光の繰り返し周波数をF(kHz)としたとき、(SP/F)<0.007である、[9]に記載のレーザ加工装置。
[11]前記レーザ光は、パルス幅が20ナノ秒以上のパルスレーザ光または連続発振レーザ光である、[9]または[10]に記載のレーザ加工装置。
[12]前記レーザ光の波長は、10μm以下である、[9]〜[11]のいずれか一項に記載のレーザ加工装置。
本発明のレーザダイシング方法は、SiC基板にレーザ光を照射してSiC基板に損傷を形成する損傷形成工程と、レーザ光を照射されたSiC基板に引張力を加えるエキスパンド工程とを含む。SiC基板は、損傷形成工程またはエキスパンド工程のいずれかにおいて分割される。後述するように、本発明のレーザダイシング方法は、SiC基板に照射するレーザ光の波長が500nm以上であること、および照射スポットが空間的および時間的に密に重なり合うようにレーザ光を照射すること、を特徴とする。
損傷形成工程では、SiC基板に波長が500nm以上のレーザ光を照射して、SiC基板の厚みの50%以上(好ましくは75%以上)の深さの損傷をSiC基板に形成する(図2Aおよび図2B参照)。以下、損傷形成工程におけるレーザ光の照射条件について説明する。
本発明のレーザダイシング方法は、SiC基板に照射するレーザ光の波長が500nm以上であることを一つの特徴とする。
SiC基板に照射するレーザ光は、パルスレーザ光であってもよいし、連続発振(CW)レーザ光であってもよい。アスペクト比の大きい損傷(SiC基板の厚みの50%以上の深さの損傷)を形成する観点からは、パルス幅が20ナノ秒以上(より好ましくは100ナノ秒以上)のパルスレーザ光または連続発振レーザ光(パルス幅:無限大)を照射することが好ましい。このようにパルス幅が20ナノ秒以上のパルスレーザ光または連続発振レーザ光を照射することで、形成される損傷のアスペクト比を大きくすることができる。これは、パルス幅を長くすることで、尖頭出力が小さくなり、その結果として多光子吸収が生じる確率も小さくなるためだと考えられる。したがって、パルス幅が20ナノ秒のパルスレーザ光よりも、パルス幅が100ナノ秒のパルスレーザ光を照射した場合の方が、より効率的にアスペクト比の大きい損傷を形成することができる。一方、パルス幅が20ナノ秒未満のパルスレーザ光を照射すると、形成される損傷のアスペクト比が小さくなるおそれがある。
本発明のレーザダイシング方法は、照射スポットが空間的および時間的に密に重なり合うようにレーザ光を照射することも一つの特徴とする。
i)結合切断
SiC分子内およびSiC分子間において化学結合が部分的に切断されている。
ii)アモルファス領域
被照射領域では結晶構造となっているのに対し、アモルファス構造である。
iii)格子欠陥
Si原子またはC原子が、結晶格子から欠落されているもしくは互いに置換されている、または他の原子(O原子またはH原子)に置換されている。
本発明のレーザダイシング方法において、レーザ光源として用いるレーザの種類は、波長500nm以上のレーザ光を出射することができれば特に限定されない。そのようなレーザの例には、HoレーザやErレーザ、各種半導体レーザなどが含まれる。
エキスパンド工程では、損傷形成工程において損傷を形成されたSiC基板に引張力を加える(図2C参照)。前述の通り、「引張力を加える」とは、基板面に対して略平行方向の力を加えることを意味する。SiC基板が損傷形成工程で分割されている場合は、エキスパンド工程により、分割されたチップ間の間隔が拡げられる。一方、SiC基板が損傷形成工程で分割されていない場合は、エキスパンド工程により、損傷を起点としてSiC基板が分割され、同時に分割されたチップ間の間隔が拡げられる。
本発明のレーザ加工装置は、本発明のレーザダイシング方法のレーザ照射工程に用いられる装置である。すなわち、本発明のレーザ加工装置は、波長500nm以上のレーザ光を、分割予定ラインに沿って、かつ照射スポットが空間的および時間的に密に重なり合うようにSiC基板に照射して、分割予定ラインに沿ってSiC基板にSiC基板の厚みの50%以上の深さの損傷を形成する装置である。本発明のレーザ加工装置は、SiC基板に照射するレーザ光の波長が500nm以上であること、および照射スポットが空間的および時間的に密に重なり合うようにレーザ光を照射すること、を特徴とする。
(1)波長
前述の通り、本発明のレーザダイシング方法は、波長500nm以上のレーザ光をSiC基板に照射することを一つの特徴とする。一方、波長500nm以上のレーザ光をSiC以外の物質に照射しても、SiCに照射したときのように高アスペクト比の損傷を高精度かつ高速に形成することはできない。
また、本発明のレーザダイシング方法は、照射スポットが空間的および時間的に密に重なり合うようにレーザ光を照射することも一つの特徴とする。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されない。
加工対象物として、直径3インチのSiC単結晶基板(厚さ150μm)から所定の形状に切り出したSiC基板を準備した。SiC基板としては、10×10mmの正方形状に切り出したもの、基板を碁盤目状に9分割したもの(扇形の部分のみ使用;25×25mm)および基板を4等分したもの(扇形;38×38mm)を準備した。
加工対象物として、直径3インチのSiC単結晶基板(厚さ130μm)から所定の形状に切り出したSiC基板を準備した。SiC基板としては、10×10mmの正方形状に切り出したものおよび基板を碁盤目状に9分割したもの(扇形の部分のみ使用;25×25mm)を準備した。
参考例として、異なるパルス幅のパルスレーザ光を照射して、SiC基板に深い損傷を形成できるかどうかを調べた結果を示す。
比較例では、UVパルスレーザ光をSiC基板に照射した例を示す。
11,110 SiC基板
12,120 分割予定ライン
13,130 損傷
140 ダイシングテープ
200 レーザ加工装置
210 レーザ光源
220 テレスコープ光学系
230 集光レンズ
240 ステージ
250 AFカメラ
260 XYステージコントローラ
270 Zコントローラ
280 コンピュータ
Claims (12)
- 分割予定ラインに沿ってシリコンカーバイド基板に波長500nm以上のレーザ光を照射して、前記分割予定ラインに沿って前記シリコンカーバイド基板に前記シリコンカーバイド基板の厚みの50%以上の深さの損傷を形成する損傷形成工程と、
前記レーザ光を照射された前記シリコンカーバイド基板に引張力を加えるエキスパンド工程と、を含み、
前記レーザ光は、照射スポットが空間的および時間的に密に重なり合うように前記シリコンカーバイド基板に照射され、
前記シリコンカーバイド基板は、前記損傷形成工程または前記エキスパンド工程において分割される、
レーザダイシング方法。 - 前記シリコンカーバイド基板の厚みは、200μm以下であり、
前記レーザ光は、パルスレーザ光であり、
前記シリコンカーバイド基板の表面における前記レーザ光の照射スポットの中心間距離をSP(μm)とし、前記レーザ光の繰り返し周波数をF(kHz)としたとき、(SP/F)<0.007である、
請求項1に記載のレーザダイシング方法。 - 前記シリコンカーバイド基板は、前記損傷形成工程において分割される、請求項1に記載のレーザダイシング方法。
- 前記シリコンカーバイド基板は、前記エキスパンド工程において分割される、請求項1に記載のレーザダイシング方法。
- 前記損傷形成工程と前記エキスパンド工程との間に、前記シリコンカーバイド基板に折曲力を加えて、前記損傷を起点として前記シリコンカーバイド基板を分割するブレーク工程を含まない、請求項1に記載のレーザダイシング方法。
- 前記レーザ光は、パルス幅が20ナノ秒以上のパルスレーザ光または連続発振レーザ光である、請求項1に記載のレーザダイシング方法。
- 前記レーザ光の波長は、10μm以下である、請求項1に記載のレーザダイシング方法。
- 前記レーザ光は、前記シリコンカーバイド基板の表面側から前記シリコンカーバイド基板に照射され、
前記レーザ光の集光点は、前記シリコンカーバイド基板の表面から上方100μm〜表面から内部120μmの範囲内に位置する、請求項1に記載のレーザダイシング方法。 - 波長500nm以上のレーザ光を出射するレーザ光源と、
前記レーザ光をシリコンカーバイド基板に照射する光学系と、
前記光学系および前記シリコンカーバイド基板の少なくとも一方を移動させて、前記光学系と前記シリコンカーバイド基板とを相対的に移動させる駆動部と、を有し、
前記レーザ光を、分割予定ラインに沿って、かつ照射スポットが空間的および時間的に密に重なり合うように、シリコンカーバイド基板に照射して、前記分割予定ラインに沿って前記シリコンカーバイド基板に前記シリコンカーバイド基板の厚みの50%以上の深さの損傷を形成する、
レーザ加工装置。 - 前記シリコンカーバイド基板の厚みは、200μm以下であり、
前記レーザ光は、パルスレーザ光であり、
前記シリコンカーバイド基板の表面における前記レーザ光の照射スポットの中心間距離をSP(μm)とし、前記レーザ光の繰り返し周波数をF(kHz)としたとき、(SP/F)<0.007である、
請求項9に記載のレーザ加工装置。 - 前記レーザ光は、パルス幅が20ナノ秒以上のパルスレーザ光または連続発振レーザ光である、請求項9に記載のレーザ加工装置。
- 前記レーザ光の波長は、10μm以下である、請求項9に記載のレーザ加工装置。
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