JP2016132611A - SiC単結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
〈1〉CのSi溶液に種結晶を接触させてSiC単結晶を成長させる、溶液法によるSiC単結晶の製造方法であって、黒鉛坩堝の周囲に配置された誘導加熱コイルに第1周波数の高周波電流を流し、原料Siを所定温度まで加熱し、前記原料Siを溶解しつつ、前記黒鉛坩堝からCを溶解させてSi−C溶液とすること、前記所定温度まで加熱した後、第1周波数から第2周波数に周波数を下げて、前記Si−C溶液を保温保持することを含む、SiC単結晶の製造方法。
〈2〉前記Si−C溶液の保温保持中に、高周波電流の周波数を、第1周波数と第2周波数に交互に複数回切り替える、請求項1に記載の方法。
〈3〉前記第1周波数が、4〜6kHzである、〈1〉項又は〈2〉項に記載の方法。
〈4〉前記第2周波数が、0.5〜2kHzである、〈1〉〜〈3〉項のいずれか1項に記載の方法。
2 誘導加熱コイル
3 Si−C溶液
3a Si−C溶液面
4 SiC単結晶
5 種結晶
6 高周波電源
7 インバータ
8 トランス
9a、9b コンデンサ
10 切替スイッチ
11 整合器
100 SiC単結晶製造装置
Claims (4)
- CのSi溶液に種結晶を接触させてSiC単結晶を成長させる、溶液法によるSiC単結晶の製造方法であって、
黒鉛坩堝の周囲に配置された誘導加熱コイルに第1周波数の高周波電流を流し、原料Siを所定温度まで加熱し、前記原料Siを溶解しつつ、前記黒鉛坩堝からCを溶解させてSi−C溶液とすること、
前記所定温度まで加熱した後、第1周波数から第2周波数に周波数を下げて、前記Si−C溶液を保温保持すること
を含む、SiC単結晶の製造方法。 - 前記Si−C溶液を保温保持中に、高周波電流の周波数を、第1周波数と第2周波数に交互に複数回切り替える、請求項1に記載の方法。
- 前記第1周波数が、4〜6kHzである、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記第2周波数が、0.5〜2kHzである、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015010488A JP6287870B2 (ja) | 2015-01-22 | 2015-01-22 | SiC単結晶の製造方法 |
US15/001,708 US10106910B2 (en) | 2015-01-22 | 2016-01-20 | Method for producing SiC single crystal |
CN201610039181.8A CN105821479A (zh) | 2015-01-22 | 2016-01-21 | SiC单晶的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015010488A JP6287870B2 (ja) | 2015-01-22 | 2015-01-22 | SiC単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016132611A true JP2016132611A (ja) | 2016-07-25 |
JP6287870B2 JP6287870B2 (ja) | 2018-03-07 |
Family
ID=56433968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015010488A Active JP6287870B2 (ja) | 2015-01-22 | 2015-01-22 | SiC単結晶の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10106910B2 (ja) |
JP (1) | JP6287870B2 (ja) |
CN (1) | CN105821479A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2015
- 2015-01-22 JP JP2015010488A patent/JP6287870B2/ja active Active
-
2016
- 2016-01-20 US US15/001,708 patent/US10106910B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2016-01-21 CN CN201610039181.8A patent/CN105821479A/zh active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105821479A (zh) | 2016-08-03 |
JP6287870B2 (ja) | 2018-03-07 |
US10106910B2 (en) | 2018-10-23 |
US20160215412A1 (en) | 2016-07-28 |
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A977 | Report on retrieval |
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