JP2016127209A - ペロブスカイト酸化物薄膜の作製方法およびこれを利用したメモリ素子 - Google Patents
ペロブスカイト酸化物薄膜の作製方法およびこれを利用したメモリ素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016127209A JP2016127209A JP2015001745A JP2015001745A JP2016127209A JP 2016127209 A JP2016127209 A JP 2016127209A JP 2015001745 A JP2015001745 A JP 2015001745A JP 2015001745 A JP2015001745 A JP 2015001745A JP 2016127209 A JP2016127209 A JP 2016127209A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- perovskite
- oxide thin
- buffer layer
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 12
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical group [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 8
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 claims description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical group [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical group [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Inorganic materials [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910002148 La0.6Sr0.4MnO3 Inorganic materials 0.000 description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229910004121 SrRuO Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 230000006386 memory function Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Description
上記導電性を有する強誘電酸化物としては、p型の半導体であるBi1-xFeO3(1>x>0)を使用し、上記金属電極として、Ptを使用している。
本発明に類似するSrRuO3/SrO/YSZ/Si構造では、[001]配向が得られている。
平坦性を含む他の特性については記載がなく、その方法および効果については説明されていない。
強誘電体層の膜厚がわずか数nmのトンネル接合において良好な不揮発メモリ効果を得るためには、強誘電バリア層および下部電極層として用いるペロブスカイト酸化物薄膜が、いずれも完全な[001]配向であることに加え、高い平坦性を有していなければならない。
このエピタキシャル格子歪は通常、強誘電体と同じペロブスカイト構造を有し、所望の格子定数を有する単結晶基板を用いることにより制御される。
また、高い平坦性・結晶性も、この効果を得るためには必須である。
上記の、薄膜の品質にかかわる高度な要請に対し、シリコン基板は結晶構造が異なる上、金属酸化物および酸素と容易に化学反応するため、これらすべての条件を満たす高品質のペロブスカイトの積層構造を形成することができなかった。
まず、シリコン基板の上に、シリコンとの反応を防止するために蛍石型構造のバッファー層(YSZ)を堆積し、その上に複合バッファー層としてまず岩塩型構造の酸化ストロンチウムを堆積し、ついでペロブスカイト型チタン酸酸化物を堆積する。
これにより、強誘電体をバリア層として用いたトンネル接合構造において、非常に高い平坦性を有するバリア層・電極界面を実現し、不揮発メモリ素子において、高性能の不揮発メモリ動作を提供することができる。
トンネル接合の上部電極を除く、酸化物薄膜により構成される積層構造の作製方法は次のとおりである。
つぎに、構造・配向性制御層であるSrO薄膜を基板温度550℃, 酸素圧10mTorrで2nm厚に形成した。
つぎに、格子定数・平坦性制御層であるSrTiO3薄膜を基板温度650℃, 酸素圧10mTorrで4nm厚に形成した。
さらに基板温度650℃、酸素圧力35mTorrの作製条件で、強誘電バリア層となるBaTiO3層を3nm厚に形成した。
peak-to-valleyも最大1nm程度であり、表面の二乗平均平坦度は僅か0.25nmであると見積もられる。
peak-to-valleyが約10nmに達するピンホールが多数見られ、二乗平均平坦度も1.1nmであり、トンネル接合に使用することはできない。
BaTiO3層の積層方向の格子定数は、0.418〜0.419nmと見積もられ、バルクのc軸長さに対応する0.4038nmを大きく上回っている。
この格子定数値は、BaTiO3層の膜厚が8nm以下の範囲でほぼ一定である。
BaTiO3層・La0.6Sr0.4MnO3層・SrTiO3層を示す逆格子点の分布中心におけるqx値は、ほぼ共通であることが分かる。薄膜面内方向の格子定数は、√2/qxにより求められ、約0.391nmと見積もられる。
この値は、SrTiO3の格子定数(0.3905nm)に最も近いことから、高い平坦性と結晶性を有するSrTiO3バッファー層が、BaTiO3層とLa0.6Sr0.4MnO3層の積層面内方向の格子定数を決定していることが分かる。
その結果、SrTiO3より格子定数の大きいBaTiO3層は圧縮歪を受けて成長する。BaTiO3層の有する格子歪の大きさ(積層方向の格子定数と面内方向の格子定数の比)は、0.419/0.391=1.07に達している。
逆にSrTiO3より格子定数の小さいLa0.6Sr0.4MnO3層は、伸長歪を受けて成長する。
ついで、リフトオフにより、Au/Co/BaTiO3/La0.6Sr0.4MnO3/SrTiO3/SrO/YSZ/Si不揮発性メモリ素子構造を作製した。
電流-電圧特性は、特に-1V〜+1Vの電圧範囲で顕著なヒステリシスを描いており、+3Vから-3Vへ掃引した場合と、-3Vから+3Vへ掃引した場合とで特性が一致せず、両者が原点で交差している。
これは、強誘電電気分極が下向きの時と上向きの時とでトンネル障壁高さが異なることを意味し、強誘電特性に対応したトンネル抵抗状態を可逆的にスイッチする抵抗変化メモリ効果が実現されていることが分かる。
YSZとSrOは結晶構造が異なるが、格子定数がほぼ同一であるため、SrOはYSZ上に良好なエピタキシャル成長が可能である。
また、SrOとSrTiO3は、結晶構造も格子定数も異なるが、SrOの構造はSrTiO3におけるSrサイト副格子の構造と同一の原子配列と組成を有するため、SrTiO3はSrO上に良好なエピタキシャル成長が可能である。
このことから、各バッファー層は、バルクに近い安定構造を維持してエピタキシャル成長しているとともに、各バッファー層間の界面も安定な状態を有していると考えられる。
その結果、SrTiO3バッファー層の表面は、単結晶基板に近い性質を有し、その上に積層するペロブスカイト薄膜に対して、完全配向性はもちろん、高平坦性・高結晶性・エピタキシャル格子歪の付与が同時に可能になったと考えられる。
しかし、各バッファー層の膜厚の増大に伴い、結晶性が向上するが平坦性は劣化する傾向がある。そのため、各バッファー層の膜厚は、YSZ:10-50nm, SrO:2-3nm, SrTiO3:3-6nmの範囲から選択される。
従って、この範囲の格子定数を有するペロブスカイト酸化物であれば、本発明方法により平坦性の高い高品質薄膜をSi(001)基板上に形成することが可能である。
2 反応防止バッファー層
3 平坦性制御複合バッファー層
4 トンネル接合
5 YSZ層
6 SrO層
7 SrTiO3層
8 下部電極層(La0.6Sr0.4MnO3)
9 トンネルバリア層(BaTiO3)
10 上部電極層(Co)
11 YSZ
12 SrO
13 SrTiO3
14 Srサイト副格子
15 La0.6Sr0.4MnO3
16 SrTiO3
17 BaTiO3
Claims (10)
- 自然酸化膜を有するシリコン(001)基板の上に蛍石型構造の薄膜からなるバッファー層を堆積し、
その上に、岩塩構造の酸化物薄膜とその表面が平坦なペロブスカイト構造の酸化物薄膜よりなる複合バッファー層構造を順次堆積して、
その上に、1種類以上のペロブスカイト型構造の酸化物薄膜を順次堆積して、
その表面がトンネル接合し得る程度に平坦な1種類以上のペロブスカイト型構造の酸化物薄膜を積層した構造を得ることを特徴とする、ペロブスカイト酸化物薄膜積層構造の作製方法。 - 自然酸化膜を有するシリコン(001)基板の上に蛍石型構造の薄膜からなるバッファー層を堆積し、
その上に、岩塩構造の酸化物薄膜とその表面が平坦なペロブスカイト構造の酸化物薄膜よりなる複合バッファー層構造を堆積して、
その上に、1種類以上のペロブスカイト型構造の酸化物薄膜を順次堆積して、
該複合バッファー層構造のペロブスカイト構造の酸化物薄膜を構成する酸化物と堆積面内方向に同じ格子定数を有する1種類以上のペロブスカイト型構造の酸化物薄膜を積層した構造を得ることを特徴とする、ペロブスカイト酸化物薄膜積層構造の作製方法。 - 前記蛍石型構造の薄膜からなるバッファー層がイットリウム安定化ジルコニア(YSZ)であることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれか1項記載のペロブスカイト酸化物薄膜積層構造の作製方法。
- 前記複合バッファー層構造を構成する岩塩構造の酸化物薄膜がSrOで、ペロブスカイト構造層の酸化物薄膜がSrTiO3であることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれか1項記載のペロブスカイト酸化物積層構造の作製方法。
- 請求項1に記載するペロブスカイト酸化物薄膜積層構造の作製方法で作製された前記シリコン(001)基板上の前記複合バッファー層の上に、下部電極として電気伝導性を有するペロブスカイト酸化物薄膜を堆積し、さらにその上にトンネルバリア層として強誘電性を有するペロブスカイト酸化物薄膜を堆積し,その上に上部電極として金属薄膜を形成して得られることを特徴とする、トンネル接合を有する不揮発性メモリ素子。
- 前記電気伝導性を有するペロブスカイト酸化物薄膜よりなる下部電極が、La1-xSrxMnO3(0.2<x<0.5)であることを特徴とする、請求項5に記載の不揮発性メモリ素子。
- 前記強誘電性を有するペロブスカイト酸化物薄膜よりなるトンネルバリア層が、膜厚2〜5nmのBaTiO3であることを特徴とする、請求項5に記載の不揮発性メモリ素子。
- 前記上部電極を構成する金属薄膜が、Fe,Co,Ni,Cu,Ptであることを特徴とする、請求項5に記載する不揮発性メモリ素子。
- 自然酸化膜を有するシリコン(001)基板と、
蛍石型構造の薄膜からなるバッファー層と、
岩塩構造の酸化物薄膜とその表面が平坦なペロブスカイト構造の酸化物薄膜よりなる複合バッファー層構造体と、
その表面がトンネル接合し得る程度に平坦な1種類以上のペロブスカイト型構造の酸化物薄膜が、
順に積層されたペロブスカイト酸化物薄膜積層構造体。 - 自然酸化膜を有するシリコン(001)基板と、
蛍石型構造の薄膜からなるバッファー層と、
岩塩構造の酸化物薄膜とその表面が平坦なペロブスカイト構造の酸化物薄膜よりなる複合バッファー層構造体と、
該複合バッファー層構造のペロブスカイト構造の酸化物薄膜と堆積面内方向に同じ格子定数を有する1種類以上のペロブスカイト型構造の酸化物薄膜が、
順に積層されたペロブスカイト酸化物薄膜積層構造体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015001745A JP6479480B2 (ja) | 2015-01-07 | 2015-01-07 | 不揮発性メモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015001745A JP6479480B2 (ja) | 2015-01-07 | 2015-01-07 | 不揮発性メモリ素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016127209A true JP2016127209A (ja) | 2016-07-11 |
JP6479480B2 JP6479480B2 (ja) | 2019-03-06 |
Family
ID=56359742
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015001745A Active JP6479480B2 (ja) | 2015-01-07 | 2015-01-07 | 不揮発性メモリ素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6479480B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106601903A (zh) * | 2016-12-06 | 2017-04-26 | 山东大学苏州研究院 | c轴高度取向的钛酸钡薄膜及其在中低温下的原位制法 |
JP2018056460A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | トンネル接合素子及び不揮発性メモリ素子 |
CN111254458A (zh) * | 2018-11-30 | 2020-06-09 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种钙钛矿复合阴极及其制备方法和应用 |
KR20210073701A (ko) * | 2019-12-10 | 2021-06-21 | 브이메모리 주식회사 | 변동 저저항 라인 기반 전자 소자 및 이의 제어 방법 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001222913A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-08-17 | Taiyo Yuden Co Ltd | 誘電体薄膜,その製造方法,その電子部品 |
JP2005011931A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Seiko Epson Corp | 強誘電体メモリ素子 |
JP2005203422A (ja) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Seiko Epson Corp | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法、並びに磁気メモリ装置 |
JP2005294308A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Fujitsu Ltd | 強誘電体膜を含んだ電子素子とその製造方法 |
JP2007019504A (ja) * | 2002-09-30 | 2007-01-25 | Toshiba Corp | 絶縁膜及び電子素子 |
US20070205448A1 (en) * | 2006-03-06 | 2007-09-06 | Ut-Battelle, Llc | Ferroelectric tunneling element and memory applications which utilize the tunneling element |
JP2008066668A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009070926A (ja) * | 2007-09-11 | 2009-04-02 | Tokyo Institute Of Technology | ペロブスカイト型酸化物薄膜の成膜方法および積層体 |
-
2015
- 2015-01-07 JP JP2015001745A patent/JP6479480B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001222913A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-08-17 | Taiyo Yuden Co Ltd | 誘電体薄膜,その製造方法,その電子部品 |
JP2007019504A (ja) * | 2002-09-30 | 2007-01-25 | Toshiba Corp | 絶縁膜及び電子素子 |
JP2005011931A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Seiko Epson Corp | 強誘電体メモリ素子 |
JP2005203422A (ja) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Seiko Epson Corp | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法、並びに磁気メモリ装置 |
JP2005294308A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Fujitsu Ltd | 強誘電体膜を含んだ電子素子とその製造方法 |
US20070205448A1 (en) * | 2006-03-06 | 2007-09-06 | Ut-Battelle, Llc | Ferroelectric tunneling element and memory applications which utilize the tunneling element |
JP2008066668A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009070926A (ja) * | 2007-09-11 | 2009-04-02 | Tokyo Institute Of Technology | ペロブスカイト型酸化物薄膜の成膜方法および積層体 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018056460A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | トンネル接合素子及び不揮発性メモリ素子 |
CN106601903A (zh) * | 2016-12-06 | 2017-04-26 | 山东大学苏州研究院 | c轴高度取向的钛酸钡薄膜及其在中低温下的原位制法 |
CN111254458A (zh) * | 2018-11-30 | 2020-06-09 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种钙钛矿复合阴极及其制备方法和应用 |
KR20210073701A (ko) * | 2019-12-10 | 2021-06-21 | 브이메모리 주식회사 | 변동 저저항 라인 기반 전자 소자 및 이의 제어 방법 |
KR102293876B1 (ko) | 2019-12-10 | 2021-08-27 | 브이메모리 주식회사 | 변동 저저항 라인 기반 전자 소자 및 이의 제어 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6479480B2 (ja) | 2019-03-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100919430B1 (ko) | 불휘발성 메모리 소자 | |
Shannigrahi et al. | Fatigue-free lead zirconate titanate-based capacitors for nonvolatile memories | |
Nguyen et al. | Research update: enhanced energy storage density and energy efficiency of epitaxial Pb0. 9La0. 1 (Zr0. 52Ti0. 48) O3 relaxor-ferroelectric thin-films deposited on silicon by pulsed laser deposition | |
US20100065803A1 (en) | Memory device and manufacturing method thereof | |
JP6479480B2 (ja) | 不揮発性メモリ素子 | |
JP2007227922A (ja) | 非晶質合金酸化層を含む不揮発性メモリ素子 | |
US7754351B2 (en) | Epitaxial (001) BiFeO3 membranes with substantially reduced fatigue and leakage | |
KR101450093B1 (ko) | 이종접합 산화막 구조를 이용한 저항변화 메모리소자 및 그 제조방법 | |
JP6356486B2 (ja) | 抵抗変化型メモリ及び抵抗変化型メモリの製造方法 | |
RU2468471C1 (ru) | Способ получения энергонезависимого элемента памяти | |
US20120213964A1 (en) | Polycrystalline ferroelectric or multiferroic oxide articles on biaxially textured substrates and methods for making same | |
JP2008066668A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US7932505B2 (en) | Perovskite transition metal oxide nonvolatile memory element | |
Lin et al. | Microstructures and ferroelectric properties of PbTiO3/PbZrO3 superlattices deposited by pulse laser deposition | |
US11264448B2 (en) | Dielectric thin film and memcapacitor including the same | |
JP2001122698A (ja) | 酸化物電極薄膜 | |
JP6813844B2 (ja) | トンネル接合素子及び不揮発性メモリ素子 | |
Liu et al. | Asymmetric electrical properties in Pt/Ba0. 5Sr0. 5Ti0. 99Co0. 01O3/Nb-doped SrTiO3 capacitors | |
JP3705695B2 (ja) | 層状ペロブスカイト構造の誘電体薄膜の作製方法、層状ペロブスカイト構造の誘電体薄膜及び層状ペロブスカイト構造の誘電体薄膜を有する電子部品 | |
Bolstad et al. | Synthesis and characterization of (111)-oriented BaTiO3 thin films | |
JP3664785B2 (ja) | スイッチング素子 | |
JP6367035B2 (ja) | 不揮発性メモリ素子とその製造方法 | |
Li et al. | Anatomy of vertical heteroepitaxial interfaces reveals the memristive mechanism in Nb2O5-NaNbO3 thin films | |
JP2006196828A (ja) | 酸化物薄膜素子 | |
WO2021132602A1 (ja) | 強誘電性薄膜、それを用いた電子素子および強誘電性薄膜の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170914 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180627 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180703 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180815 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190205 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190206 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6479480 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |