RU2468471C1 - Способ получения энергонезависимого элемента памяти - Google Patents

Способ получения энергонезависимого элемента памяти Download PDF

Info

Publication number
RU2468471C1
RU2468471C1 RU2011113573/28A RU2011113573A RU2468471C1 RU 2468471 C1 RU2468471 C1 RU 2468471C1 RU 2011113573/28 A RU2011113573/28 A RU 2011113573/28A RU 2011113573 A RU2011113573 A RU 2011113573A RU 2468471 C1 RU2468471 C1 RU 2468471C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
resistive switching
switching
resistance
memory
Prior art date
Application number
RU2011113573/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2011113573A (ru
Inventor
Вадим Вячеславович Путролайнен
Андрей Александрович Величко
Генрих Болеславович Стефанович
Александр Лионович Пергамент
Николай Александрович Кулдин
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Петрозаводский государственный университет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Петрозаводский государственный университет" filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Петрозаводский государственный университет"
Priority to RU2011113573/28A priority Critical patent/RU2468471C1/ru
Publication of RU2011113573A publication Critical patent/RU2011113573A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2468471C1 publication Critical patent/RU2468471C1/ru

Links

Images

Abstract

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении двухэлектродных резистивных энергонезависимых элементов запоминающих устройств. Сущность изобретения: способ получения энергонезависимого элемента памяти включает создание нижнего проводящего электрода, буферного изоляционного слоя, слоя, обладающего резистивным переключением, и верхнего проводящего электрода. В способе создают контакт наноразмерного масштаба к слою, обладающему резистивным переключением путем электрической формовки структуры. Буферный изоляционный слой и слой, обладающий резистивным переключением, изготавливают из бинарных оксидов с использованием низкотемпературных методов вакуумного напыления. Наличие контакта наноразмерного масштаба к слою, обладающему резистивным переключением, локализует область переключения. При этом изменяются параметры элемента памяти: увеличивается отношение сопротивлений в низкоомном и высокоомном состоянии, стабилизируются параметры переключения, снижается вероятность деградации структуры, увеличивая общее количество циклов переключения. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Description

Область применения
Изобретение относится к области микроэлектроники и может применяться при изготовлении двухэлектродных резистивных энергонезависимых элементов запоминающих устройств.
Уровень техники
В настоящее время в области микроэлектроники существует ряд проблем, решение которых не представляется возможным на основе стандартной кремниевой технологии (CMOS и т.д.). Одна из наиболее актуальных проблем заключается в дальнейшем увеличении степени интеграции микросхем. Задавая физический размер чипа, необходимое увеличение числа компонентов требует перехода от планарной двумерной к трехмерной (3D) интеграции (микросхема растет вверх), что невозможно в рамках стандартной высокотемпературной (более 700°C) кремниевой технологии - создание верхних слоев элементов будет разрушать нижележащие компоненты. Особенно это заметно при разработке микросхем памяти. Необходимый объем памяти (более 1 Тб) может быть реализован на основе многоэтажной (stackable) конструкции. Создание таких микросхем требует применения низкотемпературных способов осаждения материалов и разработки принципиально новых эффективных электронных компонентов на основе этих материалов.
Flash технология позволяет реализовать быструю память (наносекундный масштаб доступа) достаточно большого объема, которая может объединить два класса компьютерной памяти - выполнять функции как оперативного, так и долговременного, энергонезависимого хранения информации. Для определения такой памяти исследователи IBM ввели специальный термин - storage class memory (SCM).
Однако многочисленные и дорогостоящие исследование показали, что flash технология, основанная на использовании стандартного (но практически безальтернативного) планарного процесса (CMOS) кремниевой технологии, не позволяет реализовать SCM память. Главным препятствием является неконтролируемое убегание информационного заряда в наноразмерных структурах. Кроме того, элементарное рассмотрение показывает, что для реализации того же информационного объема, который реализован в современных HDD, необходим переход к 3D интеграции, который невозможен в современном планарном процессе кремниевой технологии.
Наиболее перспективной 3D технологией в данный момент считается многослойная конструкция памяти (stackable memory), каждый слой которой организован в виде системы перпендикулярных металлических проводников, в точках пересечения которых расположены ячейки - хранители информации (cross-point memory).
Для реализации необходимо отметить, что такая конструкция памяти выдвигает на первый план требование использования низкотемпературных технологических процессов. SCM 3D памяти рассматривается ряд физических явлений: сегнетоэлектрический переход в наноразмерных конденсаторах, изменение намагниченности наноразмерных доменов, электрохимический рост проводящих нанокластеров, резистивное переключение. Каждое явление имеет ряд ограничений, и наиболее продвинутым эффектом (без физически непреодолимых ограничений) в настоящий момент считается резистивное переключение в тонких пленках халькогенидных аморфных материалов или оксидных пленках (RRAM).
Резистивный переход в халькогенидных материалах определяется электрически стимулированным обратимым переходом из аморфного в кристаллическое состояние, с различными удельными сопротивлениями. Однако этот переход не позволяет достичь необходимые эксплуатационные характеристики. В частности, ток стирания информации достаточно высок и нет физической возможности его уменьшения.
Более перспективным выглядит резистивное (Resistive Random Access Memory, ReRAM) переключение в оксидных пленках, которое реализуется в многочисленных оксидных семействах, получаемых различными низкотемпературными способами. Достоинствами ReRAM является простота структуры, относительно легкая масштабируемость, возможность создания многоуровневых структур.
Энергонезависимое резистивное переключение было обнаружено в широком диапазоне оксидов переходных металлов, как в простых бинарных оксидах: Nb2O5 [1], Ta2O5 [2], TiO2 [3], NiO [4] и др., так и в сложных многокомпонентных оксидах перовскитоподобной структуры: РСМО [5], Cr:SZO [6], SrTiO3 [7], Nb:STO [8] и др.
К резистивным энергонезависимым элементам памяти предъявляются следующие требования:
1) большая разница сопротивления структур в высокоомном и низкоомном состоянии;
2) высокое быстродействие во время записи и считывания;
3) длительное время хранения информации;
4) простота изготовления, дешевая и эффективная технология производства;
5) малые размеры ячеек.
На данный момент основной метод производства резистивных энергонезависимых элементов памяти включает следующие этапы:
- формирование нижних проводящих электродов,
- формирование оксидного слоя, обладающего резистивным переключением,
- нанесение верхних проводящих электродов.
Известен элемент энергонезависимой памяти с использованием оксидов переходных металлов в качестве слоя, обладающего резистивным переключением, расположенного между двумя электродами. Элемент памяти состоит из двух проводящих слоев (электродов) и слоя нестехиометрического оксида металла с резистивным переключением между ними. Нестехиометрические оксиды могут проявлять лучшие свойства резистивного переключения, чем стехиометрические. Особенно подходят следующие оксиды металлов: TixOy, ZrxOy, HfxOy, VxOy, NbxOy, TaxOy, CrxOy, МохОу и WxOy. Оксид металла содержит хотя бы одну легирующую примесь, например Ti, Co, Zr, V, Al, Nb. Легирующие примеси могут быть введены в любой подходящей концентрации (например, атомная концентрация 0-30%).
Первый проводящий слой может быть сформирован из нитрида металла. Второй электрод содержит материал, выбранный из группы, состоящей из Pt, Ir, Ru, Rh, Re, Pd, TixAlyNz, TaxAlyNz, WxAlyNz, IrO2 и RuO2. Проводящие слои могут образовывать с оксидным слоем омический контакт или контакт Шоттки. Все слои могут содержать подслои. Электрические устройства, например диоды, могут быть соединены с элементами памяти последовательно.
Способ получения элемента памяти согласно патенту CN 101711431
1. На диэлектрическую подложку методами вакуумного напыления наносится нижний проводящий слой, состоящий из нитридов металла.
2. Далее наносится слой, обладающий резистивным переключением, состоящий, как правило, из нестехиометрических оксидов переходных металлов, таких как TixOy, ZrxOy, HfxOy, VxOy, NbxOy, ТахОу, CrxOy, МохОу и WxOy. Также данные оксиды могут легироваться металлами типа Li, Cr, Са или La.
3. На слой, обладающий резистивным переключением, наносится верхний проводящий слой, который выполняется из металлов: Pt, Ir, Ru, Rh, Re, Pd, TixAlyNz, TaxAlyNz, WxAlyNz, IrO2 и RuO2.
Недостатком данного элемента памяти является то, что резистивное переключение в элементах памяти с использованием нестехиометрических оксидов переходных металлов в большинстве случаев не стабильно: параметры переключения, такие как значение силы тока в высокоомном и низкоомном состоянии, пороговое напряжение переходов из одного состояния в другое, могут меняться от цикла к циклу. Общее количество переключений невелико (101-103), после чего, как правило, наблюдается деградация структуры, при которой структура необратимо переходит в низкоомное состояние.
Известен также энергонезависимый элемент резистивной памяти, использующий слой оксида перовскитоподобной структуры, как материал для хранения данных. Переключаемое резистивное устройство представляет собой многослойную тонкопленочную структуру, располагаемую между верхними и нижними проводящими электродами. Многослойные тонкопленочные структуры включают слой перовскита с буферным слоем на одной стороне или слой перовскита с буферными слоями по обе стороны от слоя перовскита. Обратимые изменения сопротивления индуцируются в устройстве при приложении электрических импульсов. Изменения сопротивления устройства сохраняются после применения электрических импульсов. Функции буферного слоя, добавленного к устройству, включают: увеличение сопротивления области переключения, уменьшение импульса напряжения, необходимого для переключения устройства, защита устройства от повреждения ударным токовым импульсом, повышение температуры, а также повышение стабильности работы устройства, позволяющее использовать его для различных приложений памяти (Патент US 7608467 от 27.10.2009).
Способ получения элемента памяти согласно патенту US 7608467
1. На подложку методами вакуумного напыления наносится нижний проводящий слой.
2. На нижние электроды наносится буферный слой, состоящий из SiO2, CeO2, MgO, ZnO и Y2O3 или перовскитоподобных оксидов, не обладающих резистивным переключением: LaMnO3, Ba1-xSrxTiO3 (BST), Pb(Zr,Ti)O3 (PZT), La-легированный PZT (PLZT) и Pb3Ge5O11 (PGO).
3. Далее наносится слой, обладающий резистивным переключением, состоящий из оксидов перовскитоподобной структуры: LnBa(Co,M)2O5+x, ReBMnO3, ReВСоO3 и легированные соединения на их основе, где Ln=Eu или Gd, M=Cu, Fe, Re - редкоземельный ион, и В=Li+, Na+ или K+.
4. На слой, обладающий резистивным переключением, наносится верхний проводящий слой.
Недостатком данного элемента памяти является малое отношение сопротивлений в низкоомном и высокоомном состоянии (менее 1 порядка), что является одним из основных параметров элемента памяти. Кроме того, использование сложных оксидов структуры перовскита, получение которых является отдельной технологической задачей и производится при высоких температурах, что препятствует процессу трехмерной интеграции микросхемы памяти. Использование более простых бинарных оксидов, обладающих резистивным переключением, более выгодно с точки зрения стоимости производства элементов памяти.
Технический результат предлагаемого изобретения заключается в увеличении отношения сопротивлений (3 порядка) в низкоомном и высокоомном состоянии, а также упрощение технологии и снижение температур в процессе получения буферного изоляционного слоя и слоя, обладающего резистивным переключением, что позволяет удешевить изготовление энергонезависимых элементов памяти и производить трехмерную интеграцию микросхем на их основе, значительно увеличивая объем памяти.
Технический результат обеспечивается созданием контакта наноразмерного масштаба (менее 50 нм) к слою, обладающему резистивным переключением путем электрической формовки структуры. Буферный изоляционный слой и слой, обладающий резистивным переключением, изготавливают из бинарных оксидов низкотемпературными (менее 350°C) методами вакуумного напыления. В качестве материала слоя, обладающего резистивным переключением, используют нестехиометричные бинарные оксиды переходных металлов TixOy, ZrxOy, HfxOy, VxOy, NbxOy, TaxOy, CrxOy, MoxOy, WxOy или их легированные соединения. В качестве материала буферного слоя используют следующие оксиды с высокой диэлектрической проницаемостью: SiO2, Ta2O5, TiO2, Al2O3, HfO2, Y2O3, La2O3, ZrO2, Gd2O3, Er2O3, Sc2O3, SrTiO3. В качестве материала электродов используют металлы или полупроводники с низким удельным сопротивлением.
Перечень фигур
На фиг.1 изображена общая структура ячейки памяти: 1 - верхний проводящий электрод, 2 - слой, обладающий резистивным переключением, 3 - буферный изоляционный слой, 4 - нижний проводящий электрод, 5 - проводящий канал, образующийся в результате электрической формовки.
На фиг.2 изображено переключение в структуре Si-SiO2-V2O5-Au после формовки.
Способ получения энергонезависимого элемента памяти представляет собой создание нижних и верхних проводящих электродов, между которыми создается двухслойная структура, представляющая собой: буферный изоляционный слой, граничащий с нижним проводящим электродом, и слой, обладающий резистивным переключением, граничащий с верхним проводящим электродом (см. фиг.1). Все шаги изготовления энергонезависимого элемента памяти проходят с использованием низкотемпературных методов.
Способ получения энергонезависимого элемента памяти:
1. На подложку методами вакуумного напыления наносится нижний электрод состоящий из металла или полупроводника с низким удельным сопротивлением.
2. На нижние электроды наносится буферный слой, состоящий из оксидов с высокой диэлектрической проницаемостью: SiO2, Ta2O5, TiO2, Al2O3, HfO2, Y2O3, La2O3, ZrO2, Gd2O3, Er2O3, Sc2O3, SrTiO3.
3. Далее наносится слой, обладающий резистивным переключением, состоящий из нестехиометричных бинарных оксидов переходных металлов TixOy, ZrxOy, HfxOy, VxOy, NbxOy, TaxOy, CrxOy, MoxOy, WxOy или их легированных соединений.
4. На слой, обладающий резистивным переключением, наносится верхний электрод.
В исходном состоянии (ИС) структура находится в состоянии с высоким сопротивлением, определяемым буферным изоляционным слоем. При подаче на верхний проводящий электрод положительного напряжения величиной, достаточной для электрического пробоя буферного изоляционного слоя (в зависимости от его материала и толщины), структура резко (скачкообразно) переходит в состояние с низким сопротивлением. Такой процесс носит название электрической формовки. Напряжение формовки обусловлено электрическим пробоем буферного изоляционного слоя и зависит от материала данного слоя и его толщины. В результате электрической формовки в буферном изоляционном слое образуется проводящий канал, который создает контакт наноразмерного масштаба к слою, обладающему резистивным переключением. Для получения контакта наноразмерного масштаба необходимо ограничить ток во время формовки (106-105 А) при помощи источника напряжения или последовательного сопротивления. В условиях ограничения тока основным источником энергии, выделяемой при электрической формовке, является разрядка конденсаторной структуры, образованной буферным изоляционным слоем. В данном случае в диэлектрическом слое образуется тонкий проводящий канал, создающий канал именно наноразмерного масштаба. Дальнейшее расширение проводящего канала не происходит из-за сравнительно малого выделения тепловой энергии в проводящем канале за счет ограничения протекающего тока.
Наличие контакта наноразмерного масштаба к слою, обладающему резистивным переключением, локализует область переключения. При этом изменяются параметры элемента памяти: увеличивается отношение сопротивлений в низкоомном и высокоомном состоянии, стабилизируются параметры переключения, снижается вероятность деградации структуры, увеличивая общее количество циклов переключения (более 106).
После электрической формовки в структуре наблюдается энергонезависимое переключение (см. фиг.2), а именно при последующей подаче на верхний электрод отрицательного напряжения структура (I-II) переходит в высокоомное состояние (ВС) (III-IV). При достижении достаточно большого положительного напряжения (IV-V) структура возвращается в низкоомное состояние (НС) (VI-I).
Физический принцип функционирования настоящего изобретения как элемента энергонезависимой памяти основан на обратимом изменении сопротивления границы между слоем, обладающим резистивным переключением, и проводящим каналом в буферном изоляционном слое, за счет электрополевой миграции ионов кислорода, сопровождающейся изменением концентрации кислородных вакансий.
Осуществление изобретения
На оксидированную кремниевую подложку Si-SiO2 (КДБ кремний р-типа, толщина оксида ~100 нм) методом термического распыления V2O5 порошка в вакууме на промышленной установке ВУП-5М при комнатной температуре подложки (20°C) производят напыление оксидной пленки пентаоксида ванадия (V2O5) толщиной ~100 нм. На слой V2O5 напыляют золотой (Au) верхний электрод. Формовка структуры происходит при приложении к структуре напряжения 100 В, после чего структура переходит в состояние, обладающее переключением с памятью.
Технические характеристики переключения следующие: отношение сопротивлений в низкоомном и высокоомном состоянии при переключении составляет 103 (от 1 ГОм в высокоомном до 1 МОм в низкоомном состоянии, при положительном напряжении 5 В); устойчивое переключение элемента памяти не менее 106 циклов; переключение остается стабильным при температурах до 100°C, при этом напряжение переключения изменяется не более чем на 0.5 В.
Figure 00000001

Claims (3)

1. Способ получения энергонезависимого элемента памяти, включающий создание нижнего проводящего электрода, буферного изоляционного слоя, слоя, обладающего резистивным переключением, и верхнего проводящего электрода, отличающийся тем, что создают контакт наноразмерного масштаба к слою, обладающему резистивным переключением, путем электрической формовки структуры, буферный изоляционный слой и слой, обладающий резистивным переключением, изготавливают из бинарных оксидов с использованием низкотемпературных методов вакуумного напыления.
2. Способ получения энергонезависимого элемента памяти по п.1, отличающийся тем, что в качестве материала слоя, обладающего резистивным переключением, используют нестехиометричные оксиды металлов: TixOy, ZrxOy, HfxOy, VxOy, NbxOy, TaxOy, CrxOy, MoxOy, WxOy, или их легированные соединения.
3. Способ получения энергонезависимого элемента памяти по п.1, отличающийся тем, что в качестве материала буферного изоляционного слоя используют бинарные оксиды с высокой диэлектрической проницаемостью: SiO2, Та2О3, TiO2, Al2O3, HfO2, Y2O3, La2O3, ZrO2, Gd2O3, Er2O3, Sc2O3.
RU2011113573/28A 2011-04-07 2011-04-07 Способ получения энергонезависимого элемента памяти RU2468471C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011113573/28A RU2468471C1 (ru) 2011-04-07 2011-04-07 Способ получения энергонезависимого элемента памяти

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011113573/28A RU2468471C1 (ru) 2011-04-07 2011-04-07 Способ получения энергонезависимого элемента памяти

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011113573A RU2011113573A (ru) 2012-10-20
RU2468471C1 true RU2468471C1 (ru) 2012-11-27

Family

ID=47144828

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011113573/28A RU2468471C1 (ru) 2011-04-07 2011-04-07 Способ получения энергонезависимого элемента памяти

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2468471C1 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2540486C1 (ru) * 2013-09-27 2015-02-10 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) Способ получения резистивного элемента памяти
RU2749028C1 (ru) * 2020-07-29 2021-06-03 Федеральное государственное бюджетное учреждение Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) Способ получения активной структуры элемента энергонезависимой резистивной памяти
RU2787740C1 (ru) * 2021-12-23 2023-01-12 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" Способ обратимого энергозависимого переключения резистивного состояния твердотельного прибора на базе структуры металл-диэлектрик-металл

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2516771C1 (ru) * 2012-10-23 2014-05-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) Резистивный флэш элемент памяти
US9425237B2 (en) 2014-03-11 2016-08-23 Crossbar, Inc. Selector device for two-terminal memory
US9735357B2 (en) 2015-02-03 2017-08-15 Crossbar, Inc. Resistive memory cell with intrinsic current control
US10840442B2 (en) 2015-05-22 2020-11-17 Crossbar, Inc. Non-stoichiometric resistive switching memory device and fabrication methods
JP6865561B2 (ja) * 2016-05-20 2021-04-28 クロスバー， インコーポレイテッドＣｒｏｓｓｂａｒ， Ｉｎｃ． 非確率論抵抗性スイッチングメモリデバイス及び製造方法
US10096362B1 (en) 2017-03-24 2018-10-09 Crossbar, Inc. Switching block configuration bit comprising a non-volatile memory cell

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2124765C1 (ru) * 1992-05-26 1999-01-10 Кэппа Ньюмерикс Инк. Композиция материала запоминающего устройства, способ его изготовления, энергонезависимое запоминающее устройство, способ его изготовления, способ запоминания и воспроизведения двух независимых бит двоичных данных в одной ячейке памяти энергонезависимого запоминающего устройства
US20060250837A1 (en) * 2005-05-09 2006-11-09 Sandisk 3D, Llc Nonvolatile memory cell comprising a diode and a resistance-switching material
US20070090444A1 (en) * 2005-10-21 2007-04-26 Samsung Electronics Co, Ltd. Nonvolatile memory device including nano dot and method of fabricating the same
US7326979B2 (en) * 2002-08-02 2008-02-05 Unity Semiconductor Corporation Resistive memory device with a treated interface
WO2008140979A1 (en) * 2007-05-09 2008-11-20 Intermolecular, Inc. Resistive-switching nonvolatile memory elements
WO2009104229A1 (ja) * 2008-02-19 2009-08-27 パナソニック株式会社 抵抗変化型不揮発性メモリ素子とその作製方法
US7608467B2 (en) * 2004-01-13 2009-10-27 Board of Regents University of Houston Switchable resistive perovskite microelectronic device with multi-layer thin film structure
US20090302302A1 (en) * 2005-05-23 2009-12-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Metal oxide resistive memory and method of fabricating the same

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2124765C1 (ru) * 1992-05-26 1999-01-10 Кэппа Ньюмерикс Инк. Композиция материала запоминающего устройства, способ его изготовления, энергонезависимое запоминающее устройство, способ его изготовления, способ запоминания и воспроизведения двух независимых бит двоичных данных в одной ячейке памяти энергонезависимого запоминающего устройства
US7326979B2 (en) * 2002-08-02 2008-02-05 Unity Semiconductor Corporation Resistive memory device with a treated interface
US7608467B2 (en) * 2004-01-13 2009-10-27 Board of Regents University of Houston Switchable resistive perovskite microelectronic device with multi-layer thin film structure
US20060250837A1 (en) * 2005-05-09 2006-11-09 Sandisk 3D, Llc Nonvolatile memory cell comprising a diode and a resistance-switching material
US20090302302A1 (en) * 2005-05-23 2009-12-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Metal oxide resistive memory and method of fabricating the same
US20070090444A1 (en) * 2005-10-21 2007-04-26 Samsung Electronics Co, Ltd. Nonvolatile memory device including nano dot and method of fabricating the same
WO2008140979A1 (en) * 2007-05-09 2008-11-20 Intermolecular, Inc. Resistive-switching nonvolatile memory elements
WO2009104229A1 (ja) * 2008-02-19 2009-08-27 パナソニック株式会社 抵抗変化型不揮発性メモリ素子とその作製方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2540486C1 (ru) * 2013-09-27 2015-02-10 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) Способ получения резистивного элемента памяти
RU2749028C1 (ru) * 2020-07-29 2021-06-03 Федеральное государственное бюджетное учреждение Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) Способ получения активной структуры элемента энергонезависимой резистивной памяти
RU2749028C9 (ru) * 2020-07-29 2021-09-07 Федеральное государственное бюджетное учреждение Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) Способ получения активной структуры элемента энергонезависимой резистивной памяти
RU2787740C1 (ru) * 2021-12-23 2023-01-12 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" Способ обратимого энергозависимого переключения резистивного состояния твердотельного прибора на базе структуры металл-диэлектрик-металл

Also Published As

Publication number Publication date
RU2011113573A (ru) 2012-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2468471C1 (ru) Способ получения энергонезависимого элемента памяти
US9349947B2 (en) Methods of using a two terminal multi-layer thin film resistance switching device with a diffusion barrier
US7955871B2 (en) Method of using a switchable resistive perovskite microelectronic device with multi-layer thin film structure
US8264864B2 (en) Memory device with band gap control
US8358529B2 (en) Conductive metal oxide structures in non-volatile re-writable memory devices
CN101064359B (zh) 包括可变电阻材料的非易失存储器件
KR100718155B1 (ko) 두 개의 산화층을 이용한 비휘발성 메모리 소자
KR101159075B1 (ko) ｎ+ 계면층을 구비한 가변 저항 랜덤 액세스 메모리 소자
CN102484127B (zh) 基于混合金属价键化合物的记忆电阻
US20080011996A1 (en) Multi-layer device with switchable resistance
US20100135061A1 (en) Non-Volatile Memory Cell with Ferroelectric Layer Configurations
US8399874B2 (en) Vertical nonvolatile memory device including a selective diode
CN101159309A (zh) 一种低功耗电阻存储器的实现方法
Zhao et al. High mechanical endurance RRAM based on amorphous gadolinium oxide for flexible nonvolatile memory application
US7932505B2 (en) Perovskite transition metal oxide nonvolatile memory element
KR101481920B1 (ko) 금속-절연체 전이현상을 이용한 선택 소자, 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 셀
KR100785021B1 (ko) Ｃｕ2Ｏ를 포함한 비휘발성 가변 저항 메모리 소자
CN101577311A (zh) 一次编程存储器及其制造方法
JP6813844B2 (ja) トンネル接合素子及び不揮発性メモリ素子
KR100647332B1 (ko) 저항 변환 물질을 포함하는 ｒｒａｍ
KR101009441B1 (ko) 높은 소자 수율을 나타내는 상온 공정에 의한 저항 변화 기억 소자용 다층의 금속 산화물 박막 구조물의 제조 방법
KR100989180B1 (ko) 저항변화기록소자 및 그 제조방법
US20110151617A1 (en) Memory and methods of forming the same to enhance scalability of non-volatile two-terminal memory cells
Wei et al. Resistive switching behavior of Ag/Mg 0.2 Zn 0.8 O/ZnMn 2 O 4/p+-Si heterostructure devices for nonvolatile memory applications
WO2015038158A1 (en) Switching resistance memory devices with interfacial channels

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150408

NF4A Reinstatement of patent

Effective date: 20180220

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20190408