JP2013030759A - パッケージされたデバイス、パッケージング方法及びパッケージ材の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電子回路、MEMSその他のデバイスを搭載したデバイス基板10と、ビア配線21を配設してかつキャビティ22を有するパッケージ材20とを接合して成る。ビア配線21と一体化した接続用バンプ24がキャビティ22内に突出しており、かつデバイスに接続された配線接続用パッド12が接続用バンプ24と対向して接続していることにより、接続用バンプ24を経由してデバイスがビア配線21に配線接続している。
【選択図】図1
Description
(1−x)(αLi2O−βMgO-γAl2O3−δSiO2)・xBi2O3 (1)
(式中、xは質量比で0.01〜0.1であり、α、β、γ及びδはモル比で、α:β:γ:δ=2〜5:1〜2:1〜2:7〜17である。)
で示される組成を有する複合酸化物によってLTCC基板を形成することが本発明者らの一部によりなされている(特許文献3参照)。
さらに、パッケージングされるデバイス、具体的には電子回路、MEMS等を収める空間を作るために、それが形成された基板を掘り下げる必要があるが、掘り下げられた基板上にデバイスを形成しようとすると、作製工程上、不便な点が多い。デバイスによっては、そのような作製工程が許されないことも少なくない。
好ましくは、接続用バンプは、貴金属から成るか又は貴金属を含んだ混合物から成る。好ましくは、接続用バンプは多孔質からなる。
好ましくは、デバイス基板とパッケージ材とで画成された内部空間が気密封止されている。
好ましくは、配線接続用パッドがデバイス基板のパッケージ材との接合面よりもxの長さだけ突き出しており、キャビティの深さをyとすると、接合前におけるxとyとの関係が0.05y≦x≦0.7yを満たす。
パッケージ材は、ガラス基板又はLTCC(Low Temperature Co‐fired Ceramics)基板であることが好ましい。
好ましくは、ビア配線が、貴金属を含んだ混合物から成る貫通配線又は内部配線として形成されている。
デバイス基板とパッケージ材とは、好ましくは陽極接合して成る。
また、ビア配線が、貴金属又は貴金属を含んだ金属混合物とガラスその他の無機粉末とから成り、パッケージ基材のエッチングプロセスによって、キャビティを形成すると共に導体の先端部中の無機成分の一部を溶かして多孔質の接続用バンプをビア配線と一体化して形成することを特徴とする。
図1は、本発明の実施形態に係るパッケージされたデバイス(以下、「パッケージドデバイス」と呼ぶ。)を模式的に示す断面図である。ここで、デバイスとしては多様なものが考えられるが、デバイス基板10上に形成されるデバイス構造は別の断面にあり図1には示されておらず、デバイスに繋がった配線接続用パッド12のみが示されている。図1に示すように、本発明の実施形態に係るパッケージドデバイス1は、電子回路、MEMSその他のデバイスを搭載したデバイス基板10と、ビア配線21を配設しかつキャビティ22を有するパッケージ材20とを接合して成る。デバイス基板10とパッケージ材20とは無端形状にシールされており、内部空間2を画成している。別の断面にあり図1には示されていないデバイス構造の全部又は一部は、この内部空間2に収納されうる。図示のものはデバイス基板10とパッケージ材20とが接合面3で陽極接合されているが、接合方法は陽極接合に限らず、図示しないシール材などにより封止されて接合されていてもよい。
図1に示す形態では、デバイス基板10には何ら窪みが形成されていないが、窪みを設けてその窪みにデバイスが形成されており、配線接続用パッド12の高さが接合面3となる面よりも突出していればよい。
図1に示す形態では、接合面3は、デバイス10とパッケージ材20との対向面付近が共有結合により接合した、所謂陽極接合した面を想定しているが、別にこれに限ることなく、デバイス基板10とパッケージ材20との対向面にシール材を挟むなどして接合されていてもよい。
また、図1に示す形態において、配線接続用パッド12と接続用バンプ24とが共に同じ金属材料を含んでいる場合、例えば何れもAuを含んでいる場合には、配線接続用パッド12中のAuが接続用バンプ23中に拡散し、また逆に接続用バンプ23中のAuが配線接続用パッド12中に拡散して、所謂拡散接合することにより、より安定した接合状態を得ることができる。
次に、本発明の実施形態に係るパッケージドデバイス1の作製に必要となるパッケージ材20について説明する。
図3及び図4は図2に示すパッケージ材20の製造方法を示す工程図である。本発明の実施形態に係るパッケージ材20は、次のプロセスによって作製される。
次に、本発明の実施形態に係るパッケージング方法について説明する。パッケージ材10が陽極接合用のパッケージの場合を前提として説明する。
図1〜図5にあっては、デバイス基板上に形成されるデバイス構造は、図示した断面切り口にはなく別の切り口に存在し、配線接続用パッドのみが示されている。図6はデバイス基板40がSOI(Silicon on Insulator)基板であって、デバイスがSOI基板のデバイス層で形成されるMEMSである場合のパッケージング方法を示す断面図である。
図7(a)は実施例として作製したパッケージドデバイスの断面図であり、(b)はパッケージドデバイス中の配線構造を示す図である。図7(a)の断面は図7(b)のA1−A2線に沿う断面図である。
本発明の実施形態は、図1、図6、図7に示すデバイスのみならず、デバイス基板における接合面よりも配線接続用パッドが突出していれば、如何なる構造のデバイスであっても、パッケージ材と対向していれば収容することができる。配線接続用パッド自体は薄膜でも厚膜であってもよい。
2:内部空間
3:接合面
10:デバイス基板
11:絶縁層
12,12a,12b:配線接続用パッド
13a:接合面
14:デバイス
20:陽極接合用基板
21:パッケージ材
21:ビア配線
22:キャビティ
23:パッケージ基材
23a:接合する面(接合面)
24:接続用バンプ
31:グリーンシート
32:ビア
33:導体
34a,34b,34c:各層
35:積層体
36:LTCC基板
37:レジスト
40:デバイス基板
41a,41b:支持部
42a:可動部
42b:固定部
43a,43b:配線接続用パッド
44:MEMS
50:デバイス基板
51:基材
52:穴
53:ダイヤフラム
54:絶縁膜
55,55a,55b,55c,55d,55e:電極
60:パッケージ材(LTCC基板)
61:第1内部配線
62:第2内部配線
63:第3内部配線
64:第4内部配線
65:第1外部配線
66:第2外部配線
67:水平部
68,68a,68b:柱部
69:キャビティ
70:接続用バンプ
Claims (14)
- 電子回路、MEMSその他のデバイスを搭載したデバイス基板と、ビア配線を配設してかつキャビティを有するパッケージ材とを接合して成り、
上記ビア配線と一体化した接続用バンプが上記キャビティ内に突出しており、かつ上記デバイスに接続された配線接続用パッドが上記接続用バンプと対向して接続されていることにより、上記接続用バンプを経由して上記デバイスが上記ビア配線に配線接続されている、パッケージされたデバイス。 - 前記接続用バンプが、前記キャビティをエッチングで形成する際に残った導体を突き出して形成して成る、請求項1に記載のパッケージされたデバイス。
- 前記接続用バンプが、貴金属から成るか又は貴金属を含んだ混合物から成る、請求項1に記載のパッケージされたデバイス。
- 前記接続用バンプが多孔質からなる、請求項1に記載のパッケージされたデバイス。
- 前記デバイス基板と前記パッケージ材とで画成された内部空間が気密封止されている、請求項1に記載のパッケージされたデバイス。
- 前記配線接続用パッドが前記デバイス基板の前記パッケージ材との接合面よりもxの長さで突き出しており、
前記キャビティの深さをyとすると、接合前におけるxとyとの関係が0.05y≦x≦0.7yを満たす、請求項1に記載のパッケージされたデバイス。 - 前記パッケージ材は、ガラス基板又はLTCC(Low Temperature Co‐fired Ceramics)基板である、請求項1に記載のパッケージされたデバイス。
- 前記ビア配線が、貴金属もしくは貴金属を含んだ混合物から成る貫通配線又は内部配線として形成されている、請求項1に記載のパッケージされたデバイス。
- 前記デバイス基板と前記パッケージ材とが陽極接合して成る、請求項1に記載のパッケージされたデバイス。
- 接合面から窪んだキャビティ内においてビア配線と一体化した接続用バンプを有するパッケージ材と、電子回路、MEMSその他のデバイスを搭載したデバイス基板とを重ね合わせて上記接続用バンプと上記デバイスの配線接続用パッドとを接続して圧接することにより、上記接続用バンプを押し潰して上記パッケージ材と上記デバイス基板との接合部同士を合わせ、上記接続用バンプを介して上記デバイスの配線接続用パッドと上記ビア配線とを電気的に接続してパッケージングする、パッケージング方法。
- 前記パッケージ材と前記デバイス基板との接合部同士を合わせた後、昇温して所定の温度に維持しながら前記デバイス基板と前記パッケージ材との間に直流電圧を印加することにより、上記接合部同士を陽極接合する、請求項10に記載のパッケージング方法。
- 貴金属もしくは貴金属と無機質とから成る導体が表面に露出した無機質のパッケージ基材上に、レジストをパターン形成し、
上記パッケージ基材のうち上記レジストで覆われていない部分をエッチングすることにより、上記パッケージ基材のうち上記レジストで保護されている部分の表面粗さを維持しながら上記パッケージ基材にキャビティを形成すると同時に該キャビティ内に上記導体の一部が露出することにより上記導体の残部からなるビア配線と一体化した接続用バンプを形成する、パッケージ材の製造方法。 - 前記パッケージ基材にレジストをパターン形成する前に該パッケージ基材表面を研磨して陽極接合可能な表面粗さを形成する、請求項12に記載のパッケージ材の製造方法。
- 前記ビア配線が、貴金属又は貴金属を含んだ金属混合物とガラスその他の無機粉末とから成り、
前記パッケージ基材のエッチングプロセスによって、前記キャビティが形成されると共に前記導体の先端部中の無機成分の一部が溶けて多孔質な前記接続用バンプがビア配線と一体化して形成される、請求項12に記載のパッケージ材の製造方法。
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