JP2016025143A - 回路基板及びその製造方法 - Google Patents
回路基板及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016025143A JP2016025143A JP2014146770A JP2014146770A JP2016025143A JP 2016025143 A JP2016025143 A JP 2016025143A JP 2014146770 A JP2014146770 A JP 2014146770A JP 2014146770 A JP2014146770 A JP 2014146770A JP 2016025143 A JP2016025143 A JP 2016025143A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal block
- circuit board
- electronic component
- cavity
- core substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 71
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 68
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 68
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 40
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 68
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 35
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 80
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 56
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 13
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 101001121408 Homo sapiens L-amino-acid oxidase Proteins 0.000 description 1
- 102100026388 L-amino-acid oxidase Human genes 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4697—Manufacturing multilayer circuits having cavities, e.g. for mounting components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
- H05K1/185—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73267—Layer and HDI connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92244—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a build-up interconnect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
- H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
- H01L2225/1017—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support
- H01L2225/1023—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support the support being an insulating substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
- H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
- H01L2225/1017—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support
- H01L2225/1035—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support the device being entirely enclosed by the support, e.g. high-density interconnect [HDI]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
- H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
- H01L2225/1047—Details of electrical connections between containers
- H01L2225/1058—Bump or bump-like electrical connections, e.g. balls, pillars, posts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
- H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
- H01L2225/1094—Thermal management, e.g. cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
- H01L2924/1533—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate the connection portion being formed both on the die mounting surface of the substrate and outside the die mounting surface of the substrate
- H01L2924/15331—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate the connection portion being formed both on the die mounting surface of the substrate and outside the die mounting surface of the substrate being a ball array, e.g. BGA
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
- H05K1/0203—Cooling of mounted components
- H05K1/0204—Cooling of mounted components using means for thermal conduction connection in the thickness direction of the substrate
- H05K1/0206—Cooling of mounted components using means for thermal conduction connection in the thickness direction of the substrate by printed thermal vias
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/162—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10045—Mounted network component having plural terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
- H05K2201/10416—Metallic blocks or heatsinks completely inserted in a PCB
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
- H05K3/3436—Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
【課題】コア基板のキャビティに収容されている電子部品の温度上昇を抑えることが可能な回路基板及びその製造方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明の回路基板10では、コア基板11のキャビティ16に収容される電子部品45に金属ブロック17が重ねられて接着剤で固定されている。そして、コア基板11の表裏の両側にビルドアップ層20,20を備え、キャビティ16と電子部品45及び金属ブロック17との隙間には充填樹脂16Jが充填されている。【選択図】図3
Description
本発明は、キャビティを有するコア基板にビルドアップ層が積層されている回路基板及びその製造方法に関する。
従来、この種の回路基板として、キャビティに電子部品が収容されているものが知られている(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、上記した従来の回路基板では、電子部品が発熱により高温になり動作不良を起こすことが懸念される。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、コア基板のキャビティに収容されている電子部品の温度上昇を抑えることが可能な回路基板及びその製造方法の提供を目的とする。
上記目的を達成するためなされた請求項1に係る発明は、コア基板と、前記コア基板を貫通するキャビティと、前記キャビティに収容される複合部品と、前記コア基板の表面及び裏面にそれぞれ積層されて、前記キャビティを覆う絶縁樹脂層を含むビルドアップ層と、前記キャビティと前記複合部品との隙間に充填される充填樹脂とを有する回路基板であって、前記複合部品は、前記表面に向く側に端子面を有する電子部品と、前記端子面とは反対の面に重ねられる金属ブロックとからなる。
[第1実施形態]
以下、本発明の第1実施形態を図1〜図10に基づいて説明する。本実施形態の回路基板10は、図1の平面図に示されているように、例えば、外縁部に沿った枠状の捨て領域R1を有し、その捨て領域R1の内側が正方形の複数の製品領域R2に区画されている。図2には、1つの製品領域R2が拡大して示され、その製品領域R2を対角線に沿って切断した回路基板10の断面構造が図3に拡大して示されている。
以下、本発明の第1実施形態を図1〜図10に基づいて説明する。本実施形態の回路基板10は、図1の平面図に示されているように、例えば、外縁部に沿った枠状の捨て領域R1を有し、その捨て領域R1の内側が正方形の複数の製品領域R2に区画されている。図2には、1つの製品領域R2が拡大して示され、その製品領域R2を対角線に沿って切断した回路基板10の断面構造が図3に拡大して示されている。
図3に示すように、回路基板10は、コア基板11の表裏の両面にビルドアップ層20,20を有する構造になっている。コア基板11は、絶縁性部材で構成されている。コア基板11の表側の面であるF面11Fと、コア基板11の裏側の面であるS面11Sとには、導体回路層12がそれぞれ形成されている。また、コア基板11には、キャビティ16と複数の導電用貫通孔14が形成されている。
導電用貫通孔14は、コア基板11のF面11F及びS面11Sの両面からそれぞれ穿孔しかつ奥側に向かって徐々に縮径したテーパー孔14A,14Aの小径側端部を互いに連通させた中間括れ形状をなしている。これに対し、キャビティ16は、直方体状の空間を有する形状になっている。
各導電用貫通孔14内にはめっきが充填されて複数のスルーホール導電導体15がそれぞれ形成され、それらスルーホール導電導体15によってF面11Fの導体回路層12とS面11Sの導体回路層12との間が接続されている。
キャビティ16には、電子部品45と金属ブロック17とを重ね合わせてなる複合部品46が収容されている。金属ブロック17は、例えば銅製の偏平な直方体であって、金属ブロック17の平面形状は、キャビティ16の平面形状より一回り小さい四角形をなしている。また、金属ブロック17の厚さ、即ち、金属ブロック17の表裏の一方の面である第1主面17Fと、金属ブロック17の表裏の他方の面である第2主面17Sとの間の距離は、コア基板11の板厚より僅かに小さく、かつ、導体回路層12の厚さより大きくなっている。
また、金属ブロック17の第1主面17F及び第2主面17Sと、それら第1主面17F及び第2主面17Sの間の4つの側面17A(即ち、金属ブロック17の全ての外面)は、粗面になっている。具体的には、金属ブロック17を、酸液(例えば、硫酸と過酸化水素を主成分とした酸)に所定時間、漬けて表面を浸食させることで、金属ブロック17の表面の算術平均粗さRaは、0.1[μm]〜3.0[μm]になっている(JIS B 0601−1994の定義による)。
電子部品45は、例えば、半導体チップ30(例えば、CPU、メモリ)に、再配線層32を重ねてなる。半導体チップ30は、偏平な直方体状をなし、その平面形状は金属ブロック17より僅かに小さい四角形になっている。また、半導体チップ30は、表裏の一方の面で、本発明の端子面に相当する第1主面30Fのみに複数のパッド(図示しない)を有し、その第1主面30F上に再配線層32が重ねられている。再配線層32は、例えば、ポリイミドなどの絶縁性樹脂からなり、その内部に一方の面と他方の面を接続する配線がなされている。再配線層32内部の配線は、半導体チップ30側がより微細になっていて、半導体チップ30の第1主面30Fの複数のパッドは、再配線層32内部の配線によって、再配線層32の半導体チップ30と反対側の面に設けられ、第1主面30Fのパッドより大きい複数のパッド32Aに接続されている。即ち、再配線層32によって半導体チップ30のパッドのサイズ及び配置等が変更されている。そして、半導体チップ30のうち第1主面30Fと反対側の第2主面30Sが金属ブロック17の第1主面17Fに接着剤にて固定されている。なお、その接着剤としては、伝熱性に優れた導電性の接着剤が用いられている。
電子部品45と金属ブロック17とを合わせた複合部品46の全体の厚さは、コア基板11の板厚より僅かに大きくなっている。そして、電子部品45が、コア基板11のF面11Fから僅かに突出すると共に、金属ブロック17が、コア基板11のS面11Sから僅かに突出している。そして、電子部品45のパッドを有する接続面45F(即ち、再配線層32の一方の面)が、コア基板11のF面11Fにおける導体回路層12の最外面と略面一になる一方、金属ブロック17の第2主面17Sがコア基板11のS面11Sにおける導体回路層12の最外面と略面一になっている。また、金属ブロック17とキャビティ16の内面との間の隙間には、本発明に係る充填樹脂16Jが充填されている。
コア基板11のF面11F側のビルドアップ層20も、S面11S側のビルドアップ層20も共に、コア基板11側から順番に、第1絶縁樹脂層21、第1導体層22、第2絶縁樹脂層23、第2導体層24を積層してなり、第2導体層24上には、ソルダーレジスト層25が積層されている。また、第1絶縁樹脂層21及び第2絶縁樹脂層23には、それぞれ複数のビアホール21H,23Hが形成され、それらビアホール21H,23Hは、共にコア基板11側に向かって徐々に縮径したテーパー状になっている。さらに、これらビアホール21H,23H内にめっきが充填されて複数のビア導体21D,23Dが形成されている。そして、第1絶縁樹脂層21のビア導体21Dによって、導体回路層12と第1導体層22との間及び、金属ブロック17と第1導体層22との間及び、電子部品45と第1導体層22との間が接続され、第2絶縁樹脂層23のビア導体23Dによって、第1導体層22と第2導体層24の間が接続されている。また、ソルダーレジスト層25には、複数のパッド用孔が形成され、第2導体層24の一部がパッド用孔内に位置してパッド26になっている。
コア基板11のF面11F上のビルドアップ層20の最外面である回路基板10のF面10Fにおいては、複数のパッド26が、製品領域R2の外縁部に沿って2列に並べられた大パッド26A群と、それら大パッド26A群に囲まれた内側の領域に縦横複数列に並べられた小パッド26C群とから構成されている。そして、例えば、図2に示すように、小パッド26C群における周囲一列の小パッド26Cを除いた四角形のエリアの真下となる位置に複合部品46が配置されている。また、図3に示すように、所定数の小パッド26Cが4つのビア導体21D,23Dを介して複合部品46の電子部品45に接続されている。これに対し、コア基板11のS面11S上のビルドアップ層20の最外面である回路基板10のS面10Sでは、小パッド26Cより大きな3つの中パッド26Bが本発明に係る基板接続部を構成し、所定の中パッド26Bがビア導体21D,23Dを介して複合部品46の金属ブロック17に接続されている。
本実施形態の回路基板10は、以下のようにして製造される。
(1)図4(A)に示すように、コア基板11としてエポキシ樹脂又はBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂とガラスクロスなどの補強材からなる絶縁性基材11Kの表裏の両面に、銅箔11Cがラミネートされているものが用意される。
(1)図4(A)に示すように、コア基板11としてエポキシ樹脂又はBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂とガラスクロスなどの補強材からなる絶縁性基材11Kの表裏の両面に、銅箔11Cがラミネートされているものが用意される。
(2)図4(B)に示すように、コア基板11にF面11F側から例えばCO2レーザが照射されて導電用貫通孔14(図3参照)を形成するためのテーパー孔14Aが穿孔される。
(3)図4(C)に示すように、コア基板11のS面11Sのうち前述したF面11F側のテーパー孔14Aの真裏となる位置にCO2レーザが照射されてテーパー孔14Aが穿孔され、それらテーパー孔14A,14Aから導電用貫通孔14が形成される。
(4)無電解めっき処理が行われ、銅箔11C上と導電用貫通孔14の内面に無電解めっき膜(図示せず)が形成される。
(5)図4(D)に示すように、銅箔11C上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト33が形成される。
(6)電解めっき処理が行われ、図5(A)に示すように、電解めっきが導電用貫通孔14内に充填されてスルーホール導電導体15が形成されると共に、銅箔11C上の無電解めっき膜(図示せず)のうちめっきレジスト33から露出している部分に電解めっき膜34が形成される。
(7)めっきレジスト33が剥離されると共に、めっきレジスト33の下方の無電解めっき膜(図示せず)及び銅箔11Cが除去され、図5(B)に示すように、残された電解めっき膜34、無電解めっき膜及び銅箔11Cにより、コア基板11のF面11F上に導体回路層12が形成されると共に、コア基板11のS面11S上に導体回路層12が形成される。そして、F面11Fの導体回路層12とS面11Sの導体回路層12とがスルーホール導電導体15によって接続された状態になる。
(8)図5(C)に示すように、コア基板11に、ルーター又はCO2レーザによってキャビティ16が形成される。
(9)図5(D)に示すように、キャビティ16が塞がれるように、PETフィルムからなるテープ90がコア基板11のS面11S上に張り付けられる。
(10)金属ブロック17が用意される。金属ブロック17は、銅の板材又は銅の角材を切断して形成され、耐酸性のメッシュ構造の容器に収容された状態で、貯留槽に貯留されている酸液(例えば、例えば、硫酸と過酸化水素を主成分とした酸)に所定時間浸された後、水洗される。これにより、金属ブロック17の表面全体が粗面になる。
(11)電子部品45が用意され、各電子部品45のうちパッドを有しない背面45Sが金属ブロック17の第1主面17Fに接着剤によって貼り付けられる。
(11)電子部品45が用意され、各電子部品45のうちパッドを有しない背面45Sが金属ブロック17の第1主面17Fに接着剤によって貼り付けられる。
(12)図6(A)に示すように、複合部品46がマウンター(図示せず)によってキャビティ16に収められる。このとき、複合部品46の電子部品45がコア基板11のF面11F側に配置され、金属ブロック17がコア基板11のS面11S側に配置される。
(13)図6(B)に示すように、コア基板11のF面11F上の導体回路層12上に、第1絶縁樹脂層21としてのプリプレグ(心材を樹脂含浸してなるBステージの樹脂シート)と銅箔37が積層されてから、加熱プレスされる。その際、コア基板11のF面11Fの導体回路層12,12同士の間がプリプレグにて埋められ、プリプレグから染み出た熱硬化性樹脂がキャビティ16の内面と複合部品46との隙間に充填される。
(14)図6(C)に示すように、テープ90を除去する。
(15)図6(D)に示すように、コア基板11のS面11S上の導体回路層12上に第1絶縁樹脂層21としてのプリプレグと銅箔37が積層されてから、加熱プレスされる。その際、コア基板11のS面11Sの導体回路層12,12同士の間がプリプレグにて埋められ、プリプレグから染み出た熱硬化性樹脂がキャビティ16の内面と複合部品46との隙間に充填される。また、コア基板11のF面11F及びS面11Sのプリプレグから染み出てキャビティ16の内面と複合部品46との隙間に充填された熱硬化性樹脂によって前述の充填樹脂16Jが形成される。
(15)図6(D)に示すように、コア基板11のS面11S上の導体回路層12上に第1絶縁樹脂層21としてのプリプレグと銅箔37が積層されてから、加熱プレスされる。その際、コア基板11のS面11Sの導体回路層12,12同士の間がプリプレグにて埋められ、プリプレグから染み出た熱硬化性樹脂がキャビティ16の内面と複合部品46との隙間に充填される。また、コア基板11のF面11F及びS面11Sのプリプレグから染み出てキャビティ16の内面と複合部品46との隙間に充填された熱硬化性樹脂によって前述の充填樹脂16Jが形成される。
なお、第1絶縁樹脂層21としてプリプレグの代わりに心材を含まない樹脂フィルムを用いてもよい。その場合は、銅箔を積層することなく、樹脂フィルムの表面に、直接、セミアディティブ法で導体回路層を形成することができる。
(16)図7(A)に示すように、上記したプリプレグによって形成されたコア基板11の表裏の両側の第1絶縁樹脂層21,21にCO2レーザが照射されて、複数のビアホール21Hが形成される。ここで、コア基板11のF面11F側に形成される複数のビアホール21Hは、一部のビアホール21Hがコア基板11のF面11Fの導体回路層12上に配置され、別の一部のビアホール21Hが電子部品45のパッド32A上に配置される。
また、コア基板11のS面11S側に形成される複数のビアホール21Hは、一部のビアホール21Hがコア基板11のS面11Sの導体回路層12上に配置され、別の一部のビアホール21Hが金属ブロック17上に配置される。なお、金属ブロック17上にビアホール21Hを形成する際に、ビアホール21Hの奥側に位置する金属ブロック17の粗面の凹凸はレーザ光照射または、照射後のデスミア処理で排除されてもよい。
(17)無電解めっき処理が行われ、第1絶縁樹脂層21,21上と、ビアホール21H,21H内とに無電解めっき膜(図示せず)が形成される。
(18)図7(B)に示すように、銅箔37上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト40が形成される。
(19)電解めっき処理が行われ、図7(C)に示すように、めっきがビアホール21H,21H内に充填されてビア導体21D,21Dが形成され、さらには、第1絶縁樹脂層21,21上の無電解めっき膜(図示せず)のうちめっきレジスト40から露出している部分に電解めっき膜39,39が形成される。
(20)めっきレジスト40が剥離されると共に、めっきレジスト40の下方の無電解めっき膜(図示せず)及び銅箔37が除去され、図8(A)に示すように、残された電解めっき膜39、無電解めっき膜及び銅箔37により、コア基板11の表裏の各第1絶縁樹脂層21上に第1導体層22が形成される。そして、コア基板11の表裏の各第1導体層22の一部と導体回路層12とがビア導体21Dによって接続されると共に、コア基板11のF面11F側の第1導体層22の他の一部と電子部品45のパッド32Aとがビア導体21Dによって接続され、さらに、コア基板11のS面11S側の第1導体層22の他の一部と金属ブロック17のパッドとがビア導体21Dによって接続された状態になる。
(21)上記した(13)〜(20)と同様の処理により、図8(B)に示すように、コア基板11の表裏の各第1導体層22上に第2絶縁樹脂層23と第2導体層24とが形成されて、各第2導体層24の一部と第1導体層22とがビア導体23Dによって接続された状態になる。
(22)図8(C)に示すように、コア基板11の表裏の各第2導体層24上にソルダーレジスト層25,25が積層される。
(23)図9に示すように、コア基板11の表裏のソルダーレジスト層25,25の所定箇所にテーパー状のパッド用孔が形成され、コア基板11の表裏の各第2導体層24のうちパッド用孔から露出した部分がパッド26になる。
(24)パッド26上に、ニッケル層、パラジウム層、金層の順に積層されて図3に示した金属膜41が形成される。以上で回路基板10が完成する。
本実施形態の回路基板10の構造及び製造方法に関する説明は以上である。次に回路基板10の作用効果を、回路基板10の使用例と共に説明する。本実施形態の回路基板10は、例えば、以下のようにして使用される。即ち、図10に示すように、回路基板10の有する前述の大、中、小のパッド26A,26B,26C上に、それら各パッドの大きさに合った大、中、小の半田バンプ27A,27B,27Cが形成される。そして、例えば、回路基板10のF面10Fの小パッド群と同様に配置されたパッド群を下面に有するCPU80が、各製品領域R2の小半田バンプ27C群上に搭載されて半田付けされて、第1パッケージ基板10Pが形成される。このときCPU80と電子部品45とが、ビア導体21D,23Dを介して接続される。
次いで、メモリ81を回路基板82のF面82Fに実装してなる第2パッケージ基板82Pが、CPU80の上方から第1パッケージ基板10P上に配されて、その第2パッケージ基板82Pにおける回路基板82のS面82Sに備えるパッドに第1パッケージ基板10Pにおける回路基板10の大半田バンプ27Aが半田付けされてPoP83(Package on Package83)が形成される。なお、PoP83における回路基板10,82の間には図示しない樹脂が充填される。
次いで、PoP83がマザーボード84上に配されて、そのマザーボード84が有するパッド群にPoP83における回路基板10の中半田バンプ27Bが半田付けされる。このとき、マザーボード84が有する例えばグランド用のパッドが回路基板10のうち金属ブロック17に接続されているパッド26と半田付けされる。なお、マザーボード84が放熱専用のパッドを有している場合には、それら放熱専用のパッドと回路基板10の金属ブロック17とが、ビア導体21D,23Dで接続されてもよい。
さて、PoP83が使用されると、CPU80及び電子部品45が共に発熱する。すると、電子部品45の熱が金属ブロック17に伝わり、回路基板10のS面10S側のビア導体21D,23Dを介して金属ブロック17からマザーボード84へと放熱される。これにより、電子部品45の温度上昇が抑えられる。また、これによりCPU80より電子部品45の温度が低くなると、CPU80の熱が回路基板10のF面10F側のビア導体21D,23Dを介して電子部品45、金属ブロック17へと伝わり、回路基板10のS面10S側のビア導体21D,23Dを介してマザーボード84へと放熱される。これにより、回路基板10に実装されているCPU80の温度上昇も抑えることができる。
また、回路基板10においては金属ブロック17の熱伸縮率が、第1絶縁樹脂層21や電子部品45等の他の部位の熱収縮率に比べて大きくなり得るが、金属ブロック17の外面全体が粗面になっていて接着剤や充填樹脂16Jにより他の部位に接続されているので、金属ブロック17と他の部位との剥離を抑えることができ、回路基板10における金属ブロック17の固定が安定する。また、金属ブロック17の外面を粗面にすることで、接着剤や充填樹脂16Jとの接触面積が増し、伝熱効率が上がる。
[第2実施形態]
前記第1実施形態の回路基板10では、コア基板11に内蔵された複合部品46の真上に複合部品46の電子部品45と接続された別の電子部品(CPU80)が実装されていたが、複合部品の真上に別の電子部品が実装されていなくてもよい。本実施形態の回路基板50を使用した複合基板85を図11に示す。本実施形態では、コア基板11Vに形成されたキャビティ16Vに、電子部品(CPU80V)と金属ブロック17Vとからなる複合部品47が収容されている。そして、CPU80Vの端子面80Tの各パッドにビア導体21Dが接続されている。
前記第1実施形態の回路基板10では、コア基板11に内蔵された複合部品46の真上に複合部品46の電子部品45と接続された別の電子部品(CPU80)が実装されていたが、複合部品の真上に別の電子部品が実装されていなくてもよい。本実施形態の回路基板50を使用した複合基板85を図11に示す。本実施形態では、コア基板11Vに形成されたキャビティ16Vに、電子部品(CPU80V)と金属ブロック17Vとからなる複合部品47が収容されている。そして、CPU80Vの端子面80Tの各パッドにビア導体21Dが接続されている。
本実施形態の回路基板50の製造方法は、コア基板11Vへの複合部品47の収容方法が前記第1実施形態と異なる。具体的には、コア基板11Vにキャビティ16Vを形成し、コア基板11VのS面にテープ90を張り付けた後、まず、粗化した金属ブロック17Vのみをマウンターでキャビティ16Vに収める。次いで、キャビティ16Vに収容された金属ブロック17Vに接着フィルムを貼り付けて接着層86を形成する。次いで、端子面80Tと反対側の面を金属ブロック17V側にしたCPU80Vをマウンターでキャビティ16Vに収め、加圧して接着する。このようにして、CPU80Vと金属ブロック17Vとを接着してなる複合部品47がキャビティ16Vに収容される。なお、接着層86の形成は、例えば、接着剤をスプレーで塗布するなど異なる方法で行ってもよい。また、接着方法も、例えば、加熱によるものなど異なる方法によるものであってもよい。
本実施形態の回路基板50では、前記第1実施形態のように電子部品(CPU80)を回路基板上に実装した場合より、電子部品(CPU80V)が発する熱をS面50S側に逃がし易い。また、F面50F側に電子部品が突出しないので、複合基板85の厚みを減らすことができる。
[他の実施形態]
本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
(1)前記実施形態の金属ブロック17,17Vは、銅の板材又は銅の角材を切断した後に表面を粗化していたが、切断前に粗化してもよい。その場合は、金属ブロック17,17Vの側面すべて、あるいは側面の一部の面は、粗化されていない状態になる。
(2)前記実施形態の金属ブロック17,17Vは、酸により表面の粗化を行っていたが、例えば粒子の吹き付けや、凹凸面の押し付けにより粗化を行ってもよい。
(3)前記実施形態の金属ブロック17,17Vには、回路基板10,50外のマザーボード84に熱を逃がすためのビア導体21D,23Dが接続されていたが、金属ブロック17,17Vにビア導体21D,23Dが接続されていなくてもよい。そのような構成であっても、金属ブロック17,17Vが電子部品(電子部品45、CPU80V)から熱を吸収することで、電子部品の急激な温度上昇を抑えることができ、また、金属ブロック17,17Vから回路基板10,50における電子部品の反対側に熱を逃がすことができる。
10,50 回路基板
11,11V コア基板
12 導体回路層
16,16V キャビティ
16J 充填樹脂
17,17V 金属ブロック
20 ビルドアップ層
21 第1絶縁樹脂層(絶縁樹脂層)
21D ビア導体
26A 大パッド(基板接続部)
26C 小パッド(電子部品実装部)
30F 第1主面30F(端子面)
45 電子部品
46,47 複合部品
80V CPU(電子部品)
80T 端子面
11,11V コア基板
12 導体回路層
16,16V キャビティ
16J 充填樹脂
17,17V 金属ブロック
20 ビルドアップ層
21 第1絶縁樹脂層(絶縁樹脂層)
21D ビア導体
26A 大パッド(基板接続部)
26C 小パッド(電子部品実装部)
30F 第1主面30F(端子面)
45 電子部品
46,47 複合部品
80V CPU(電子部品)
80T 端子面
Claims (12)
- コア基板と、
前記コア基板を貫通するキャビティと、
前記キャビティに収容される複合部品と、
前記コア基板の表面及び裏面にそれぞれ積層されて、前記キャビティを覆う絶縁樹脂層を含むビルドアップ層と、
前記キャビティと前記複合部品との隙間に充填される充填樹脂とを有する回路基板であって、
前記複合部品は、前記表面に向く側に端子面を有する電子部品と、前記端子面とは反対の面に重ねられる金属ブロックとからなる。 - 請求項1に記載の回路基板であって、
前記電子部品の端子及び前記金属ブロックには、前記ビルドアップ層に含まれるビア導体が接続されている。 - 請求項1又は2に記載の回路基板であって、
前記コア基板の表面及び裏面に導体回路層が積層されて、それら各導体回路層の上に前記ビルドアップ層が積層され、
前記電子部品のうち前記端子面及び、前記金属ブロックのうち前記電子部品との重ね合わせ面と反対側の面が、それぞれ前記導体回路層と前記ビルドアップ層との境界面に位置している。 - 請求項3に記載の回路基板であって、
前記金属ブロックは、前記導体回路層よりも厚い。 - 請求項1乃至4の何れか1の請求項に記載の回路基板であって、
前記電子部品の前記金属ブロックとの重ね合わせ面よりも前記金属ブロックの前記電子部品との重ね合わせ面の方が広い。 - 請求項1乃至5の何れか1の請求項に記載の回路基板であって、
前記電子部品と前記金属ブロックとが導電性接着剤で接着されている。 - 請求項1乃至6の何れか1の請求項に記載の回路基板であって、
前記金属ブロックにおける樹脂との接続面は、算術平均粗さが0.1[μm]〜3.0[μm]の粗面になっている。 - 請求項1乃至7の何れか1の請求項に記載の回路基板であって、
前記複合部品のうち前記電子部品が前記表面側、前記金属ブロックが前記裏面側に配置され、
前記コア基板の表側に積層される前記ビルドアップ層の最外部のうち前記複合部品の真上となる位置には、他の電子部品が実装される電子部品実装部が設けられ、前記ビルドアップ層の最外部のうち前記電子部品実装部の周りには、前記他の電子部品の上から重ねられる他の回路基板が接続される基板接続部が設けられている。 - 請求項1乃至8の何れか1の請求項に記載の回路基板であって、
前記金属ブロックは、グランド用配線に接続されている。 - コア基板にキャビティを形成することと、
表裏の一方の面に端子面を有する電子部品と、前記端子面とは反対の面に重ねられる金属ブロックとからなる複合部品を前記キャビティに収容することと、
前記コア基板の表裏に前記キャビティ及び前記複合部品を覆うビルドアップ層を積層することと、
前記キャビティと前記複合部品との隙間に充填樹脂を充填すること、を含む回路基板の製造方法。 - 請求項10に記載の回路基板の製造方法において、
前記複合部品を前記キャビティに収容する前に、前記複合部品を構成する前記電子部品と前記金属ブロックとを接着する。 - 請求項10に記載の回路基板の製造方法において、
前記複合部品を構成する前記電子部品及び前記金属ブロックのうち前記金属ブロックのみを前記キャビティに収容した後、前記電子部品を収容して、前記キャビティ内で前記電子部品と前記金属ブロックを接着して前記複合部品にする。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014146770A JP2016025143A (ja) | 2014-07-17 | 2014-07-17 | 回路基板及びその製造方法 |
US14/802,139 US9955591B2 (en) | 2014-07-17 | 2015-07-17 | Circuit substrate and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014146770A JP2016025143A (ja) | 2014-07-17 | 2014-07-17 | 回路基板及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016025143A true JP2016025143A (ja) | 2016-02-08 |
Family
ID=55075824
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014146770A Pending JP2016025143A (ja) | 2014-07-17 | 2014-07-17 | 回路基板及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9955591B2 (ja) |
JP (1) | JP2016025143A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170033112A (ko) * | 2015-09-16 | 2017-03-24 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 |
US9852995B1 (en) | 2016-09-21 | 2017-12-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
JP2018074142A (ja) * | 2016-10-25 | 2018-05-10 | 旭徳科技股▲ふん▼有限公司 | パッケージキャリアおよびその製造方法 |
JP2019087731A (ja) * | 2017-11-08 | 2019-06-06 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | ファン−アウト半導体パッケージ |
US10643919B2 (en) | 2017-11-08 | 2020-05-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Fan-out semiconductor package |
KR20200055555A (ko) * | 2018-11-13 | 2020-05-21 | 삼성전기주식회사 | 패키지 구조물 |
JP2020174115A (ja) * | 2019-04-10 | 2020-10-22 | 株式会社フジクラ | 多層回路基板 |
CN113013130A (zh) * | 2019-12-20 | 2021-06-22 | 奥特斯科技(重庆)有限公司 | 具有双介电层的部件承载件及其制造方法 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016015432A (ja) * | 2014-07-03 | 2016-01-28 | イビデン株式会社 | 回路基板及びその製造方法 |
EP3432353B1 (en) * | 2016-04-27 | 2021-09-01 | Mitsubishi Electric Corporation | High frequency circuit |
CN106455320B (zh) * | 2016-09-29 | 2019-02-15 | 北京航天时代光电科技有限公司 | 一种电子元器件的抗振动加固方法 |
KR102561987B1 (ko) * | 2017-01-11 | 2023-07-31 | 삼성전기주식회사 | 반도체 패키지와 그 제조 방법 |
JP2019079902A (ja) * | 2017-10-24 | 2019-05-23 | イビデン株式会社 | プリント配線板 |
KR102492796B1 (ko) * | 2018-01-29 | 2023-01-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
EP3716321A1 (en) * | 2019-03-29 | 2020-09-30 | AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft | Component carrier with embedded semiconductor component and embedded highly conductive block which are mutually coupled |
US11527462B2 (en) | 2019-12-13 | 2022-12-13 | International Business Machines Corporation | Circuit substrate with mixed pitch wiring |
US11107771B2 (en) * | 2019-12-26 | 2021-08-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Segregated power and ground design for yield improvement |
KR20210104364A (ko) * | 2020-02-17 | 2021-08-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
EP3869923A1 (en) * | 2020-02-20 | 2021-08-25 | AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft | Cooling profile integration for embedded power systems |
TWI752820B (zh) * | 2021-02-08 | 2022-01-11 | 欣興電子股份有限公司 | 電路板結構及其製作方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5642261A (en) * | 1993-12-20 | 1997-06-24 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Ball-grid-array integrated circuit package with solder-connected thermal conductor |
TWI400998B (zh) * | 2010-08-20 | 2013-07-01 | Nan Ya Printed Circuit Board | 印刷電路板及其製造方法 |
JP2013038374A (ja) | 2011-01-20 | 2013-02-21 | Ibiden Co Ltd | 配線板及びその製造方法 |
KR20130014122A (ko) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | 삼성전기주식회사 | 전자 소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
TWI489918B (zh) * | 2012-11-23 | 2015-06-21 | Subtron Technology Co Ltd | 封裝載板 |
-
2014
- 2014-07-17 JP JP2014146770A patent/JP2016025143A/ja active Pending
-
2015
- 2015-07-17 US US14/802,139 patent/US9955591B2/en active Active
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170033112A (ko) * | 2015-09-16 | 2017-03-24 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 |
KR102435128B1 (ko) | 2015-09-16 | 2022-08-24 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 |
US9852995B1 (en) | 2016-09-21 | 2017-12-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
US10424542B2 (en) | 2016-09-21 | 2019-09-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
JP2018074142A (ja) * | 2016-10-25 | 2018-05-10 | 旭徳科技股▲ふん▼有限公司 | パッケージキャリアおよびその製造方法 |
US10177067B2 (en) | 2016-10-25 | 2019-01-08 | Subtron Technology Co., Ltd. | Manufacturing method of package carrier |
US10643919B2 (en) | 2017-11-08 | 2020-05-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Fan-out semiconductor package |
TWI695465B (zh) * | 2017-11-08 | 2020-06-01 | 南韓商三星電子股份有限公司 | 扇出型半導體封裝 |
JP2019087731A (ja) * | 2017-11-08 | 2019-06-06 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | ファン−アウト半導体パッケージ |
KR20200055555A (ko) * | 2018-11-13 | 2020-05-21 | 삼성전기주식회사 | 패키지 구조물 |
KR102561946B1 (ko) | 2018-11-13 | 2023-08-01 | 삼성전기주식회사 | 패키지 구조물 |
JP2020174115A (ja) * | 2019-04-10 | 2020-10-22 | 株式会社フジクラ | 多層回路基板 |
CN113013130A (zh) * | 2019-12-20 | 2021-06-22 | 奥特斯科技(重庆)有限公司 | 具有双介电层的部件承载件及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160021753A1 (en) | 2016-01-21 |
US9955591B2 (en) | 2018-04-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2016025143A (ja) | 回路基板及びその製造方法 | |
US9893016B2 (en) | Multilayer wiring board having wiring structure for mounting multiple electronic components and method for manufacturing the same | |
JP2016015433A (ja) | 回路基板及びその製造方法 | |
JP2016015432A (ja) | 回路基板及びその製造方法 | |
JP2016096297A (ja) | 金属塊内蔵配線板及びその製造方法 | |
US9613893B2 (en) | Wiring substrate and method for manufacturing the same | |
JP5873152B1 (ja) | 配線基板 | |
JP2014229698A (ja) | 配線板及び配線板の製造方法 | |
JP2015028986A (ja) | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 | |
JP2016149475A (ja) | 回路基板及びその製造方法 | |
JP2015211194A (ja) | プリント配線板および半導体パッケージ、ならびにプリント配線板の製造方法 | |
JP2016063130A (ja) | プリント配線板および半導体パッケージ | |
JP2015170770A (ja) | プリント配線板 | |
JP2015211204A (ja) | 回路基板及びその製造方法 | |
JP2015225895A (ja) | プリント配線板および半導体パッケージ、ならびにプリント配線板の製造方法 | |
JP2016171119A (ja) | 回路基板及びその製造方法 | |
JP2013140955A (ja) | 部品組込み型印刷回路基板及びその製造方法 | |
JP6378616B2 (ja) | 電子部品内蔵プリント配線板 | |
JP2014150091A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
JP2016171118A (ja) | 回路基板及びその製造方法 | |
JP2016127148A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP2017069474A (ja) | 回路基板及びその製造方法 | |
JP2013030808A (ja) | 配線基板製造用の仮基板及びその製造方法 | |
JP2013080823A (ja) | プリント配線板及びその製造方法 | |
JP2017174953A (ja) | プリント配線板およびプリント配線板の製造方法 |