JP2016020278A - Substrate processing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板処理方法に関する。
本願は、２０１１年２月２４日に出願された米国特許仮出願６１／４４６，１９７号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
The present invention relates to a substrate processing method.
This application claims priority based on US Provisional Application No. 61 / 446,197 filed on Feb. 24, 2011, the contents of which are incorporated herein by reference.
ディスプレイ装置などの表示装置を構成する表示素子として、例えば液晶表示素子、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）素子が知られている。現在、これらの表示素子では、各画素に対応して基板表面に薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を形成する能動的素子（アクティブデバイス）が主流となってきている。 As display elements that constitute display devices such as display devices, for example, liquid crystal display elements and organic electroluminescence (organic EL) elements are known. Currently, in these display elements, active elements (active devices) that form thin film transistors (TFTs) on the substrate surface corresponding to each pixel have become mainstream.
近年では、シート状の基板（例えばフィルム部材など）上に表示素子を形成する技術が提案されている。このような技術として、例えばロール・トゥ・ロール方式（以下、単に「ロール方式」と表記する）と呼ばれる手法が知られている（例えば、特許文献１参照）。ロール方式は、基板供給側の供給用ローラーに巻かれた１枚のシート状の基板（例えば、帯状のフィルム部材）を送り出すと共に送り出された基板を基板回収側の回収用ローラーで巻き取りながら、供給用ローラーと回収用ローラーとの間に設置された処理装置により基板に所望の加工を施していくものである。 In recent years, a technique for forming a display element on a sheet-like substrate (for example, a film member) has been proposed. As such a technique, for example, a technique called a roll-to-roll system (hereinafter simply referred to as “roll system”) is known (see, for example, Patent Document 1). In the roll method, one sheet-like substrate (for example, a belt-like film member) wound around a substrate supply side supply roller is sent out, and the fed substrate is wound around the substrate collection side recovery roller, The substrate is subjected to desired processing by a processing apparatus installed between the supply roller and the collection roller.
そして、基板が送り出されてから巻き取られるまでの間に、例えば複数の搬送ローラー等を用いて基板が搬送され、複数の処理装置(ユニット)を用いてＴＦＴを構成するゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体膜、ソース・ドレイン電極等を形成し、基板の被処理面上に表示素子の構成要素を順次形成する。例えば、有機ＥＬの素子を形成する場合には、発光層、陽極、陰極、電気回路等を基板上に順次形成する。 Then, during the period from when the substrate is sent out to when it is wound up, for example, the substrate is transported using a plurality of transport rollers, etc., and the gate electrode and gate insulating film constituting the TFT using a plurality of processing devices (units) Then, a semiconductor film, source / drain electrodes, and the like are formed, and components of the display element are sequentially formed on the surface to be processed of the substrate. For example, in the case of forming an organic EL element, a light emitting layer, an anode, a cathode, an electric circuit, and the like are sequentially formed on a substrate.
しかしながら、上記の構成においては、送り出されてから巻き取られるまで掛け渡される基板の寸法が長くなるため、基板の管理が困難になる場合がある。 However, in the above-described configuration, since the dimension of the substrate to be stretched from when it is sent out until it is wound up becomes long, it may be difficult to manage the substrate.
本発明に係る態様は、搬送時における基板の管理負担を低減することができる基板処理方法を提供することを目的とする。 The aspect which concerns on this invention aims at providing the substrate processing method which can reduce the management burden of the board | substrate at the time of conveyance.
本発明に係る態様に従えば、可撓性を有する帯状の基板を長尺方向に移動させながら処理部によって処理する基板処理方法であって、前記処理部は、前記基板の長尺方向の移動経路に設けられ、前記基板の第１面側に配置される第一部分と、該第一部分と相対的に分離可能に連結するように前記基板の第２面側に配置される第二部分と、前記第一部分と前記第二部分とが連結した状態で、前記基板を長尺方向に通過可能とする通過部とを備えるチャンバー内に設けられ、前記チャンバーの前記第一部分と前記第二部分との分離により形成される空間内に前記基板が搬入されるように、前記長尺方向と交差する幅方向に前記基板を移動することと、前記空間内に前記基板が位置した状態で、前記チャンバーの前記第一部分と前記第二部分とを連結させて、前記チャンバー内を所定環境に調整することと、前記所定環境の下で前記処理部による前記基板の処理を行うことと、を含む基板処理方法が提供される。 According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method for processing by a processing unit while moving a flexible strip-shaped substrate in the longitudinal direction, wherein the processing unit moves the substrate in the longitudinal direction. A first portion disposed on the first surface side of the substrate, and a second portion disposed on the second surface side of the substrate so as to be separably connected to the first portion; In a state where the first part and the second part are connected to each other, the first part and the second part of the chamber are provided in a chamber including a passage part that allows the substrate to pass in the longitudinal direction. Moving the substrate in a width direction intersecting the longitudinal direction so that the substrate is carried into a space formed by separation, and in a state where the substrate is positioned in the space, The first part and the second part are connected. By, and adjusting the chamber to a predetermined environment, the substrate processing method comprising the performing the processing of the substrate by the processing unit under a predetermined environment is provided.
本発明に係る態様によれば、搬送時における基板の管理負担を低減することができる。 According to the aspect of the present invention, it is possible to reduce the management burden of the substrate during transport.
［第一実施形態］
以下、図面を参照して、本発明の第一実施形態を説明する。
図１は、本実施形態に係る基板処理装置ＦＰＡの全体構成を示す斜視図である。図２及び図３は、基板処理装置ＦＰＡの一部の構成について、図１とは異なる視点から見たときの状態を示す斜視図である。
図１から図３に示すように、基板処理装置ＦＰＡは、帯状に形成され可撓性を有する基板Ｓを搬送する搬送部１と、基板Ｓに対して所定の処理を行う処理部２と、搬送部１及び処理部２を統括的に制御する制御部ＣＯＮＴとを有している。基板処理装置ＦＰＡは、例えば製造工場の床面ＦＬに載置された基台（ペデスタル）ＳＴ上に設けられている。
[First embodiment]
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of the substrate processing apparatus FPA according to the present embodiment. 2 and 3 are perspective views showing a state of a part of the configuration of the substrate processing apparatus FPA when viewed from a different viewpoint from FIG.
As shown in FIGS. 1 to 3, the substrate processing apparatus FPA includes a transport unit 1 that transports a flexible substrate S formed in a strip shape, a
基板処理装置ＦＰＡは、帯状に形成され可撓性を有する基板Ｓの表面に各種処理を実行するロール・トゥ・ロール方式（以下、単に「ロール方式」と表記する）の装置である。基板処理装置ＦＰＡは、基板Ｓ上に例えば有機ＥＬ素子、液晶表示素子等の表示素子（電子デバイス）を形成する場合に用いられる。勿論、これらの素子以外の素子（例えば、ソーラーセル、カラーフィルター、タッチパネル等）を形成するシステムにおいて基板処理装置ＦＰＡを用いても構わない。 The substrate processing apparatus FPA is an apparatus of a roll-to-roll system (hereinafter simply referred to as “roll system”) that performs various processes on the surface of a flexible substrate S formed in a strip shape. The substrate processing apparatus FPA is used when a display element (electronic device) such as an organic EL element or a liquid crystal display element is formed on the substrate S. Of course, the substrate processing apparatus FPA may be used in a system for forming elements other than these elements (for example, solar cells, color filters, touch panels, etc.).
以下、本実施形態に係る基板処理装置ＦＰＡの構成を説明するにあたり、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。以下の図においては、ＸＹＺ直交座標系のうち床面ＦＬに平行な平面をＸＹ平面としている。ＸＹ平面のうち基板Ｓが移動する方向をＹ方向とし、Ｙ方向に直交する方向をＸ方向としている。また、床面ＦＬ（ＸＹ平面）に垂直な方向をＺ軸方向としている。 Hereinafter, in describing the configuration of the substrate processing apparatus FPA according to the present embodiment, an XYZ orthogonal coordinate system is set, and the positional relationship of each member will be described with reference to the XYZ orthogonal coordinate system. In the following drawings, a plane parallel to the floor surface FL in the XYZ orthogonal coordinate system is an XY plane. In the XY plane, the direction in which the substrate S moves is the Y direction, and the direction orthogonal to the Y direction is the X direction. A direction perpendicular to the floor surface FL (XY plane) is taken as a Z-axis direction.
基板処理装置ＦＰＡにおいて処理対象となる基板Ｓとしては、例えば樹脂フィルムやステンレス鋼などの箔（フォイル）を用いることができる。例えば、樹脂フィルムは、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ステンレス箔などの材料を用いることができる。 As the substrate S to be processed in the substrate processing apparatus FPA, for example, a foil (foil) such as a resin film or stainless steel can be used. For example, the resin film is polyethylene resin, polypropylene resin, polyester resin, ethylene vinyl copolymer resin, polyvinyl chloride resin, cellulose resin, polyamide resin, polyimide resin, polycarbonate resin, polystyrene resin, vinyl acetate resin, polyethylene terephthalate, polyethylene Materials such as naphthalate and stainless steel foil can be used.
基板Ｓの短尺方向の寸法は例えば５０ｃｍ〜２ｍ程度に形成されており、長尺方向の寸法（１ロール分の寸法）は例えば１０ｍ以上に形成されている。勿論、この寸法は一例に過ぎず、これに限られることは無い。例えば基板Ｓの短尺方向の寸法が１ｍ以下、又は５０ｃｍ以下であっても構わないし、２ｍ以上であっても構わない。また、基板Ｓの長尺方向の寸法が１０ｍ以下であっても構わない。 The dimension in the short direction of the substrate S is, for example, about 50 cm to 2 m, and the dimension in the long direction (size for one roll) is, for example, 10 m or more. Of course, this dimension is only an example and is not limited thereto. For example, the dimension in the short direction of the substrate S may be 1 m or less, 50 cm or less, or 2 m or more. Moreover, the dimension of the elongate direction of the board | substrate S may be 10 m or less.
基板Ｓは、例えば１ｍｍ以下の厚みを有し、可撓性を有するように形成されている。ここで可撓性とは、例えば基板に少なくとも自重程度の所定の力を加えても線断したり破断したりすることはなく、該基板を撓めることが可能な性質をいう。また、例えば上記所定の力によって屈曲する性質も可撓性に含まれる。また、上記可撓性は、該基板の材質、大きさ、厚さ、又は温度、湿度などの環境、等に応じて変わる。なお、基板Ｓとしては、１枚の帯状の基板を用いても構わないが、複数の単位基板を接続して帯状に形成される構成としても構わない。 The substrate S has a thickness of 1 mm or less, for example, and is formed to have flexibility. Here, the term “flexibility” refers to the property that the substrate can be bent without being broken or broken even when a predetermined force of at least its own weight is applied to the substrate. Further, for example, the property of bending by the predetermined force is also included in the flexibility. The flexibility varies depending on the material, size, thickness, or environment such as temperature and humidity of the substrate. As the substrate S, a single strip-shaped substrate may be used, but a configuration in which a plurality of unit substrates are connected and formed in a strip shape may be used.
基板Ｓは、比較的高温（例えば２００℃程度）の熱を受けても寸法が実質的に変わらない（熱変形が小さい）ように熱膨張係数が比較的小さい方が好ましい。例えば、無機フィラーを樹脂フィルムに混合して熱膨張係数を小さくすることができる。無機フィラーの例としては、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、酸化ケイ素などが挙げられる。 The substrate S preferably has a relatively small coefficient of thermal expansion so that its dimensions do not substantially change even when it receives heat at a relatively high temperature (for example, about 200 ° C.) (thermal deformation is small). For example, an inorganic filler can be mixed with a resin film to reduce the thermal expansion coefficient. Examples of the inorganic filler include titanium oxide, zinc oxide, alumina, silicon oxide and the like.
基台ＳＴは、ベース部ＳＴａ、脚部ＳＴｂ及び支持台ＳＴｃを有している。ベース部ＳＴａは床面ＦＬに載置されている。脚部ＳＴｂは、ベース部ＳＴａ上に複数設けられており、支持台ＳＴｃを支持している。支持台ＳＴｃは、例えば矩形に形成されており、Ｘ方向に、処理部２が取り付けられる開口部と、その開口部を挟むように設けられた２つの開口部ＳＴｄが設けられている。すなわち、支持台ＳＴｃには、Ｘ方向に沿って３つの開口部ＳＴｄが設けられている。３つの開口部ＳＴｄ内には、Ｙ軸方向に平行に延在する案内レール７ｒが設けられている。案内レール７ｒは、各開口部ＳＴｄについてＸ方向に２つ平行に並んで設けられている。
The base ST has a base part STa, a leg part STb, and a support base STc. Base portion STa is placed on floor surface FL. A plurality of leg portions STb are provided on the base portion STa and support the support base STc. The support base STc is formed in a rectangular shape, for example, and is provided with an opening to which the
搬送部１は、第一レール３、第二レール４、基板送り出し機構５、基板巻き取り機構６、レール駆動機構（レール駆動部）７及びローラー駆動部８を有している。
The transport unit 1 includes a
第一レール３は、支持台ＳＴｃの＋Ｙ側の辺に沿って配置されている。第一レール３は、３つの単位レール３Ａ〜３Ｃに分割されている。各単位レール３Ａ〜３Ｃは、支持台ＳＴｃの３つの開口部ＳＴｄのそれぞれに対応する位置に配置されている。単位レール３Ａ〜３ＣのＸ方向の寸法は、各開口部ＳＴｄのＸ方向の寸法に対応した値となっている。
The
第二レール４は、支持台ＳＴｃの−Ｙ側の辺に沿って配置されている。第二レール４は、３つの単位レール４Ａ〜４Ｃに分割されている。各単位レール４Ａ〜４Ｃは、上記の単位レール３Ａ〜３Ｃと同様、支持台ＳＴｃの３つの開口部ＳＴｄのそれぞれに対応する位置に配置されている。単位レール４Ａ〜４ＣのＸ方向の寸法は、各開口部ＳＴｄのＸ方向の寸法に対応した値となっており、上記の単位レール３Ａ〜３ＣのＸ方向の寸法と同一の寸法になっている。
The
第一レール３の単位レール３Ａ〜３Ｃ及び第二レール４の単位レール４Ａ〜４Ｃは、各開口部ＳＴｄに設けられ、かつＹ方向に延びた案内レール７ｒにそれぞれ支持されている。図１に示す構成では、単位レール３Ａ〜３Ｃが案内レール７ｒの＋Ｙ側端部に支持されており、単位レール４Ａ〜４Ｃが案内レール７ｒの−Ｙ側端部に支持されている。
The unit rails 3A to 3C of the
第一レール３の単位レール３Ａ〜３Ｃと、第二レール４の単位レール４Ａ〜４Ｃとは、それぞれＸ方向に平行に配置されている。また、案内レール７ｒがＹ軸方向に平行に延在しているため、単位レール３Ａ〜３Ｃ及び単位レール４Ａ〜４Ｃは、互いに平行な状態を維持しつつ案内レール７ｒ上をＹ方向に移動可能に設けられている。このように、第一レール３及び第二レール４は、案内レール７ｒによってＸＹ平面に平行な平面上を直線状に移動可能な構成となっている。
The unit rails 3A to 3C of the
基板送り出し機構５は、第一レール３上に配置されている。基板送り出し機構５は、ローラー支持部５ａ及び供給ローラー５ｂを有している。ローラー支持部５ａは、第一レール３上に接続されており、第一レール３に沿ってＸ方向に移動可能に設けられている。ローラー支持部５ａは、第一レール３を構成する単位レール３Ａ〜３Ｃに亘って移動可能である。
The
供給ローラー５ｂは、ローラー支持部５ａに回転可能に支持されている。供給ローラー５ｂは、回転軸の方向がＸ方向に平行な方向に一致するように支持されている。供給ローラー５ｂには基板Ｓがロール状に巻きつけられている。供給ローラー５ｂが回転することにより、この供給ローラー５ｂに巻きつけられた基板Ｓが−Ｙ方向に送り出されるようになっている。供給ローラー５ｂは、モータ等によって回転可能である。
The
基板巻き取り機構６は、第二レール４上に配置されている。基板巻き取り機構６は、ローラー支持部６ａ及び回収ローラー６ｂを有している。ローラー支持部６ａは、第二レール４上に接続されており、第二レール４に沿ってＸ方向に移動可能に設けられている。ローラー支持部６ａは、ローラー駆動部８のうち第二レール４を構成する単位レール４Ａ〜４Ｃに亘って移動可能である。
The
回収ローラー６ｂは、ローラー支持部６ａに回転可能に支持されている。回収ローラー６ｂは、回転軸の方向がＸ方向に平行な方向に一致するように支持されている。回収ローラー６ｂには基板Ｓがロール状に巻きつけられている。回収ローラー６ｂが回転することにより、この回収ローラー６ｂに基板Ｓが巻きつけられるようになっている。回収ローラー６ｂは、モータ等によって回転可能である。
The
レール駆動機構７は、案内レール７ｒに沿って第一レール３及び第二レール４をＹ方向に移動させる。レール駆動機構７は、第一レール３を単位レール３Ａ、３Ｃごとに駆動可能であると共に、第二レール４を単位レール４Ａ、４Ｃごとに駆動可能である。制御部ＣＯＮＴは、レール駆動機構７による駆動量、駆動速度及び駆動のタイミングなどを制御可能である。レール駆動機構７は、案内レール７ｒに沿って、単位レール３Ａと単位レール４Ａとを互いに近づけたり、互いに離したりすることが可能である。また、レール駆動機構７は、案内レール７ｒに沿って、単位レール３Ｃと単位レール４Ｃとを互いに近づけたり、互いに離したりすることが可能である。
The rail drive mechanism 7 moves the
ローラー駆動部８は、第一駆動部８３及び第二駆動部８４を有している。第一駆動部８３は、ローラー支持部５ａを第一レール３に沿ってＸ方向に移動させると共に、供給ローラー５ｂを回転させる。第二駆動部８４は、ローラー支持部６ａを第二レール４に沿ってＸ方向に移動させると共に、回収ローラー６ｂを回転させる。制御部ＣＯＮＴは、第一駆動部８３及び第二駆動部８４を個別にあるいは同期させて制御することができるようになっている。また、制御部ＣＯＮＴは、第一駆動部８３及び第二駆動部８４における駆動量、駆動速度、駆動のタイミングなどを制御可能である。
The
処理部２は、図３に示すように、基板送り出し機構５から供給され基板巻き取り機構６へと搬送される基板Ｓの移動経路上で、この基板Ｓの被処理面（第１面）Ｓａに対して処理を行う。処理部２は、チャンバー装置（チャンバー）ＣＢ、チャンバー駆動装置２５、処理装置１０、案内装置３０及びアライメント計測装置５０を有している。なお、本実施形態では、処理装置１０として、印刷機を示している。
As shown in FIG. 3, the
チャンバー装置ＣＢは、第一レール３と第二レール４との間（本実施形態においては単位レール３Ｂと単位レール４Ｂとの間）に配置されている。チャンバー装置ＣＢは、基板Ｓのうち供給ローラー５ｂと回収ローラー６ｂとの間に配置された部分を囲う筐体である。チャンバー装置ＣＢは、基板Ｓの−Ｚ側の面Ｓａ（被処理面）に設けられた第一部分ＣＢ１と、基板Ｓの＋Ｚ側の面Ｓｂに設けられた第二部分ＣＢ２とを有している。チャンバー装置ＣＢは、第一部分ＣＢ１と第二部分ＣＢ２とがＺ方向に相対的に分離可能に連結されている。
The chamber device CB is disposed between the
チャンバー装置ＣＢは、基板Ｓを通過させる通過部２６及び２７を有している。通過部（第１の通過部）２６は、チャンバー装置ＣＢの＋Ｙ側の壁部に形成された開口部である。通過部２６は、第一部分ＣＢ１に形成された凹部２６ａと、第二部分ＣＢ２に形成された凹部２６ｂとで構成される。通過部（第２の通過部）２７は、チャンバー装置ＣＢの−Ｙ側の壁部に形成された開口部である。通過部２７は、第一部分ＣＢ１に形成された凹部２７ａと、第二部分ＣＢ２に形成された凹部２７ｂとで構成される。第一部分ＣＢ１と第二部分ＣＢ２とが連結された状態においては、この通過部２６及び２７がチャンバー装置ＣＢに対して開口された状態となる。供給ローラー５ｂから送り出された基板Ｓは、通過部２６を介してチャンバー装置ＣＢに搬入され、通過部２７を介してチャンバー装置ＣＢから搬出される。
The chamber device CB has
チャンバー駆動装置２５は、支持柱（支持部）２５ａ及び２５ｂと、架橋部材２５ｃ及び２５ｄと、昇降機構２５ｅ及び２５ｆとを有している。支持柱２５ａは、基台ＳＴの支持台（ステージ）ＳＴｃのうち第一レール３よりも＋Ｙ側に固定されている。支持柱２５ｂは、基台ＳＴの支持台（ステージ）ＳＴｃのうち第二レール４よりも−Ｙ側に固定されている。
The
架橋部材２５ｃは、支持柱２５ａによって支持されている。架橋部材２５ｃは、チャンバー装置ＣＢの第一部分ＣＢ１の＋Ｙ側の外壁に固定されている。架橋部材２５ｄは、支持柱２５ｂによって支持されている。架橋部材２５ｄは、チャンバー装置ＣＢの第一部分ＣＢ１の−Ｙ側の外壁に固定されている。
The bridging
昇降機構２５ｅは、支持柱２５ａに設けられており、架橋部材２５ｃに接続されている。昇降機構２５ｅは、支持柱２５ａに沿ってＺ方向に架橋部材２５ｃを移動させる不図示のアクチューエータを有している。昇降機構２５ｆは、支持柱２５ｂに設けられており、架橋部材２５ｄに接続されている。昇降機構２５ｆは、支持柱２５ｂに沿ってＺ方向に架橋部材２５ｄを移動させる不図示のアクチューエータを有している。上記のアクチューエータとしては、例えばモータ機構やエアシリンダ機構などが挙げられる。
The
このように、第一部分ＣＢ１は、第一レール３及び第二レール４よりもＹ方向の外側から支持された構成になっている。また、第一部分ＣＢ１は、昇降機構２５ｅ及び２５ｆにより、支持柱２５ａ及び２５ｂに沿ってＺ方向に、架橋部材２５ｃ及び２５ｄと一体的に移動するように構成されている。
As described above, the first portion CB <b> 1 is configured to be supported from the outer side in the Y direction than the
処理装置１０は、チャンバー装置ＣＢのうち例えば第二部分ＣＢ２に収容されている。処理装置１０は、基板Ｓの被処理面Ｓａに対して例えば有機ＥＬ素子を形成するための各種装置を有している。このような装置としては、例えば被処理面Ｓａ上に隔壁を形成するための隔壁形成装置、電極を形成するための電極形成装置、発光層を形成するための発光層形成装置などが挙げられる。より具体的には、液滴塗布装置（例えばインクジェット型塗布装置など）、成膜装置（例えば蒸着装置、スパッタリング装置）、露光装置、現像装置、表面改質装置、洗浄装置、乾燥装置などが挙げられる。これらの各装置は、基板Ｓの搬送経路に沿って適宜設けられる。本実施形態では、処理装置１０は、被処理面Ｓａ上に塗布膜を転写して形成する転写装置（例えば、グラビア印刷機、フレキソ印刷機等）１１を有している。
The
転写装置１１は、転写ローラー１１ａと、塗布液貯留部１１ｂと、膜厚調整部１１ｃとを有している。転写ローラー１１ａは、一部が塗布液貯留部１１ｂに貯留された塗布液１１ｄに付けられた状態となっている。転写ローラー１１ａは、この状態で回転可能に設けられている。転写装置１１は、転写ローラー１１ａを時計回りに回転させる不図示の回転駆動機構（例えばモータ機構など）を有している。転写装置１１は、チャンバー装置ＣＢ内の空間のうち例えばＹ方向の中央よりも＋Ｙ側に配置されている。また、チャンバー装置ＣＢの第一部分ＣＢ１のうち転写ローラー１１ａの＋Ｘ側の壁部には、蓋部１１ｅが設けられている。この蓋部１１ｅは、Ｘ方向視で転写ローラー１１ａよりも大きい寸法に形成されている。このため、蓋部１１ｅを開いた状態においては、第一部分ＣＢ１に転写ローラー１１ａをＸ方向に出し入れすることができるようになっている。
The
案内装置３０は、処理部２内において基板Ｓを案内する複数の案内ローラーＧＲ及び複数の案内パッドＧＰを有している。複数の案内ローラーＧＲは、基板Ｓの搬送経路に沿って設けられている。複数の案内ローラーＧＲのうち３つの案内ローラーＧＲ１は、転写ローラー１１ａに基板Ｓの被処理面Ｓａを押し当てる押圧ローラーとして機能する。この３つの案内ローラーＧＲ１は、不図示のガイド部材によって位置関係が変化しないように移動可能となっている。
The
また、複数の案内ローラーＧＲのうち３つの案内ローラーＧＲ２は、塗布液が転写された後の基板Ｓの裏面Ｓｂを案内する。また、複数（ここでは３つ）の案内パッドＧＰは、塗布液が転写された後の基板Ｓの被処理面Ｓａを案内する。複数の案内パッドＧＰは、それぞれシリンドリカル状の案内面ＧＰａから気体を噴出する不図示の噴出口を複数有しており、案内面ＧＰａ上に気体の層を形成することができる構成となっている。この気体の層により、案内面ＧＰａにおいて基板Ｓの被処理面Ｓａに対して非接触で案内することができるようになっている。案内ローラーＧＲ２と案内パッドＧＰとは、Ｙ方向に交互に配置されている。 Moreover, three guide rollers GR2 among the plurality of guide rollers GR guide the back surface Sb of the substrate S after the coating liquid is transferred. In addition, a plurality (three in this case) of guide pads GP guide the surface Sa to be processed of the substrate S after the coating liquid is transferred. Each of the plurality of guide pads GP includes a plurality of unillustrated jet outlets for ejecting gas from the cylindrical guide surface GPa, and can form a gas layer on the guide surface GPa. . By this gas layer, the guide surface GPa can be guided in a non-contact manner with respect to the processing surface Sa of the substrate S. The guide roller GR2 and the guide pad GP are alternately arranged in the Y direction.
また、案内ローラーＧＲ３及びＧＲ４は、第二部分ＣＢ２内の固定位置に設けられている。案内ローラーＧＲ５は、第二部分ＣＢ２の＋Ｙ側に配置されており、Ｚ方向に移動可能に設けられている。案内ローラーＧＲ５は、−Ｚ側に移動することによって案内ローラーＧＲ３との間で基板Ｓを挟む構成となっている。 Further, the guide rollers GR3 and GR4 are provided at fixed positions in the second portion CB2. The guide roller GR5 is disposed on the + Y side of the second portion CB2, and is provided so as to be movable in the Z direction. The guide roller GR5 is configured to sandwich the substrate S with the guide roller GR3 by moving to the −Z side.
アライメント計測装置５０は、基板Ｓのエッジ部、又は基板Ｓに設けられているアライメントマークを計測し、その計測結果に基づいて、基板Ｓに対してアライメント動作を行う。アライメント計測装置５０は、基板Ｓのエッジ部、又はアライメントマークを検出するアライメントカメラや、このアライメントカメラの検出結果に基づいて基板Ｓの位置及び姿勢の少なくとも一方を調整する調整装置などを有している。基板Ｓの位置計測、速度計測として、光学マウスのような方式で、基板Ｓ上にレーザ光を投射し、基板Ｓ上に生じるスペックルパターンの変化を光電検出する方式を用いることもできる。
The
次に、上記のように構成された基板処理装置ＦＰＡの動作を説明する。図４〜図１４は、基板処理装置ＦＰＡの動作を示す図である。
まず、搬送部１のうち供給ローラー５ｂと回収ローラー６ｂとの間に基板Ｓを掛け渡す動作を行う場合について説明する。
Next, the operation of the substrate processing apparatus FPA configured as described above will be described. 4-14 is a figure which shows operation | movement of the substrate processing apparatus FPA.
First, the case where the operation | movement which spans the board | substrate S between the
図４に示すように、制御部ＣＯＮＴは、基板送り出し機構５を第一レール３の単位レール３Ａ上に配置させると共に、基板巻き取り機構６を第二レール４の単位レール４Ａ上に配置させる。この動作により、供給ローラー５ｂと回収ローラー６ｂとがＹ方向に対向するように、かつ、平行に配置される。
As shown in FIG. 4, the control unit CONT arranges the
次に、供給ローラー５ｂにロール状に巻かれた基板Ｓを取り付ける。基板Ｓの先端Ｓｆには、例えば図４に示す構成ではリーダＬｆが取り付けられているが、このリーダＬｆが省略された構成であっても構わない。供給ローラー５ｂにロール状の基板Ｓを取り付けた後、制御部ＣＯＮＴは、第二レール４の単位レール４Ａを＋Ｙ方向へ移動させる。この動作により、供給ローラー５ｂと回収ローラー６ｂとが近づくことになる。
Next, the substrate S wound in a roll shape is attached to the
制御部ＣＯＮＴは、供給ローラー５ｂと回収ローラー６ｂとの距離が第一距離Ｄ１になった場合、第一駆動部８３によって供給ローラー５ｂを回転させる。この動作により、基板Ｓの先端Ｓｆが回収ローラー６ｂ側へ送り出され、基板Ｓの先端Ｓｆが回収ローラー６ｂに到達してこの回収ローラー６ｂに巻き掛けられる。なお、基板Ｓの先端Ｓｆを回収ローラー６ｂに巻きかける操作は、自動化されていてもよいが、人手によって、先端Ｓｆを回収ローラー６ｂに、固定テープ等を用いて貼り付けてもよい。
When the distance between the
制御部ＣＯＮＴは、基板Ｓの先端Ｓｆが回収ローラー６ｂに掛けられた後、供給ローラー５ｂを回転させると共に、基板巻き取り機構６が元の位置に到達するまで、単位レール４Ａを−Ｙ方向へ移動させる。この動作により、基板Ｓの先端Ｓｆが回収ローラー６ｂに掛けられた状態で−Ｙ方向へ引き出されることになる。
The controller CONT rotates the
基板巻き取り機構６が元の位置に到達した後、制御部ＣＯＮＴは、この基板巻き取り機構６の移動を停止させる。その後、制御部ＣＯＮＴは、図５に示すように、チャンバー装置ＣＢの第二部分ＣＢ２を＋Ｚ方向へ移動させ、第一部分ＣＢ１と第二部分ＣＢ２との間に基板Ｓが通過可能な隙間を形成する。このとき、供給ローラー５ｂと回収ローラー６ｂとの間の掛け渡された基板Ｓには、Ｙ方向に適度なテンションが与えられ、基板Ｓが第一部分ＣＢ１と第二部分ＣＢ２との間の隙間を通れるようにする。基板Ｓのテンションは、基板巻き取り機構６を制御することによって調整することができる。
After the
この状態で、制御部ＣＯＮＴは、図６に示すように、第一駆動部８３及び８４によって基板送り出し機構５及び基板巻き取り機構６を同期させて、それぞれ単位レール３Ｂ上及び単位レール４Ｂ上へ移動させる。この状態では、基板ＳはＺ方向において第一部分ＣＢ１の凹部２６ａ及び２７ａと、第二部分ＣＢ２の凹部２６ｂ及び２７ｂに挟まれた位置に配置されることになる。
In this state, as shown in FIG. 6, the control unit CONT synchronizes the
制御部ＣＯＮＴは、基板送り出し機構５及び基板巻き取り機構６をそれぞれ単位レール３Ｂ及び４Ｂ上に配置させた後、図７に示すように、第二部分ＣＢ２を−Ｚ方向へ移動させ、第一部分ＣＢ１と第二部分ＣＢ２とを連結させる。この状態において、第一部分ＣＢ１と第二部分ＣＢ２とが接触し、第一部分ＣＢ１と第二部分ＣＢ２との間の隙間が塞がれる。基板Ｓは、通過部２６においてチャンバー装置ＣＢの内部に入り、通過部２７においてチャンバー装置ＣＢから出てくることになる。
The controller CONT moves the second part CB2 in the −Z direction as shown in FIG. 7 after disposing the
第一部分ＣＢ１と第二部分ＣＢ２とを連結させた後、制御部ＣＯＮＴは、チャンバー装置ＣＢ内の案内装置３０をスタンバイさせる。具体的には、まず図８に示すように、案内ローラーＧＲ１及びＧＲ２を基板Ｓの＋Ｚ側に配置させ、案内パッドＧＰを基板Ｓの−Ｚ側に配置させた状態とする。図３に示すように、基板送り出し機構５及び基板巻き取り機構６の各々には、供給ローラー５ｂ及び回収ローラー６ｂの高さを調節するエレベータ５ｄ、６ｄが設けられ、基板送り出し機構５から基板巻き取り機構６に渡る基板Ｓがほぼ水平となるように高さ調整される。
After connecting the first part CB1 and the second part CB2, the control unit CONT puts the
この状態から、図９に示すように、案内ローラーＧＲ１を−Ｚ方向に移動させて基板Ｓを−Ｚ側へ押圧し、被処理面Ｓａを転写ローラー１１ａに接触させる。また、案内ローラーＧＲ２を−Ｚ方向に移動させると共に、案内パッドＧＰを＋Ｚ側に移動させる。この動作により、チャンバー装置ＣＢの中央部より−Ｙ側においては、基板ＳがＺ方向にチャンバー装置ＣＢ内で多数回折り返されて案内される。このため、Ｙ方向に見て基板Ｓが重なった状態で搬送される。
From this state, as shown in FIG. 9, the guide roller GR1 is moved in the -Z direction to press the substrate S toward the -Z side, and the surface Sa to be processed is brought into contact with the
制御部ＣＯＮＴは、転写装置１１の処理のタイミングに合わせて供給ローラー５ｂ及び回収ローラー６ｂを回転させると共に、転写ローラー１１ａを回転させる。この動作により、供給ローラー５ｂから基板Ｓが送り出されると共に、回収ローラー６ｂで基板Ｓが巻き取られる状態となり、この状態で転写装置１１による塗布膜の転写処理が基板Ｓの被処理面Ｓａに対して行われることになる。
The control unit CONT rotates the
図９に示すように、基板Ｓの被処理面Ｓａを支持するのは案内パッドＧＰの案内面ＧＰａであるため、塗布膜に対して非接触の状態で基板Ｓを搬送することができる。なお、基板Ｓのうち案内ローラーＧＲ２と案内パッドＧＰとで案内される部分に対して、例えば加熱装置などの乾燥装置を用いて乾燥させるようにしても構わない。 As shown in FIG. 9, the target surface Sa of the substrate S is supported by the guide surface GPa of the guide pad GP, so that the substrate S can be conveyed in a non-contact state with respect to the coating film. Note that a portion of the substrate S guided by the guide roller GR2 and the guide pad GP may be dried using, for example, a drying device such as a heating device.
制御部ＣＯＮＴは、転写装置１１の処理速度に応じて、供給ローラー５ｂから回収ローラー６ｂへと移動する基板Ｓの移動速度を調整する。図１０に示すように、供給ローラー５ｂに巻かれた基板Ｓの巻き径Ｒ１と、回収ローラー６ｂに巻かれた基板Ｓの巻き径Ｒ２と、に応じて、第一駆動部８３及び第二駆動部８４における駆動速度を調整させる。この動作により、搬送速度が一定のまま基板Ｓが搬送されることになる。基板Ｓの速度のモニターは、図３のアライメント計測装置５０が、基板Ｓに設けられているアライメントマークを計測するタイミング（時間）によっても行われる。また、基板Ｓの巻き径Ｒ１、基板Ｓの巻き径Ｒ２の変化によりエレベータ５ｄ、６ｄを調整してもよい。
The controller CONT adjusts the moving speed of the substrate S moving from the
制御部ＣＯＮＴは、転写装置１１の処理位置や寸法などに応じて、供給ローラー５ｂと回収ローラー６ｂとの距離を調整しても構わない。この場合、制御部ＣＯＮＴは、レール駆動機構７によって例えば単位レール３Ｂあるいは単位レール４ＢをＹ方向にそれぞれ移動させるようにする。転写装置１１により、表示素子の構成要素の一部が基板Ｓ上に順次形成される。
The controller CONT may adjust the distance between the
図１１は、基板Ｓに対する処理が完了した状態のチャンバー装置ＣＢの様子を示している。この状態から、図１２に示すように、制御部ＣＯＮＴは、チャンバー装置ＣＢの第二部分ＣＢ２を＋Ｚ側へ移動させ、第一部分ＣＢ１と第二部分ＣＢ２との間に基板Ｓが通過可能な隙間を形成する。 FIG. 11 shows a state of the chamber apparatus CB in a state where the processing for the substrate S is completed. From this state, as shown in FIG. 12, the control unit CONT moves the second part CB2 of the chamber apparatus CB to the + Z side, and a gap through which the substrate S can pass between the first part CB1 and the second part CB2. Form.
この状態で、制御部ＣＯＮＴは、図１３に示すように、第一駆動部８３及び８４の同期制御によって基板送り出し機構５及び基板巻き取り機構６を同期させて、それぞれ単位レール３Ｃ上及び単位レール４Ｃ上へ移動させる。この動作により、基板Ｓは第一部分ＣＢ１と第二部分ＣＢ２とで挟まれた位置から＋Ｘ側へ退避した状態となる。基板送り出し機構５及び基板巻き取り機構６が単位レール３Ｃ上及び単位レール４Ｃ上に配置された後、基板送り出し機構５及び基板巻き取り機構６の移動を停止させる。
In this state, as shown in FIG. 13, the control unit CONT synchronizes the
制御部ＣＯＮＴは、基板送り出し機構５及び基板巻き取り機構６の移動を停止させた後、回収ローラー６ｂを回転させつつ単位レール４Ｃを＋Ｙ方向へ移動させる。この動作により、回収ローラー６ｂが基板Ｓを巻き取りながら供給ローラー５ｂと回収ローラー６ｂとが再び近づくことになる。
The control unit CONT stops the movement of the
制御部ＣＯＮＴは、供給ローラー５ｂと回収ローラー６ｂとの距離が第二距離Ｄ２になった後、図１４に示すように、第二駆動部８４によって供給ローラー５ｂを回転させる。この場合、第二距離Ｄ２については、例えば上記の第一距離Ｄ１と等しい距離とすることができる。この動作により、基板Ｓの後端Ｓｅが回収ローラー６ｂ側へ送り出され、基板Ｓの後端Ｓｅが回収ローラー６ｂに到達してこの回収ローラー６ｂに巻き掛けられる。なお、基板Ｓの後端Ｓｅには、例えば図５に示す構成ではリーダＬｅが取り付けられているが、このリーダＬｅが省略された構成であっても構わない。
After the distance between the
制御部ＣＯＮＴは、基板Ｓの後端Ｓｅが回収ローラー６ｂに掛けられた後、基板巻き取り機構６が元の位置へ移動するまで、単位レール４Ｃを−Ｙ方向へ移動させる。基板巻き取り機構６が元の位置へ戻った後、回収ローラー６ｂに巻かれたロール状の基板Ｓは、次の処理装置へと移動される。あるいは、基板Ｓに対してすべての処理が行われている場合には、この回収ローラー６ｂから取り外されて回収される。
The controller CONT moves the
以上のように、本実施形態によれば、供給ローラー５ｂから回収ローラー６ｂへ向けた基板Ｓの移動方向に対して交差する方向に基板Ｓがチャンバー装置ＣＢの内部に搬入及び搬出されるように、供給ローラー５ｂ及び回収ローラー６ｂとチャンバー装置ＣＢ及び転写装置１１とを相対的に移動させることとしたので、送り出されてから巻き取られるまで掛け渡される基板Ｓの寸法を一定としつつ基板Ｓを処理装置１０に搬入させ、かつ、基板Ｓに対して処理を行わせることができる。これにより、送り出されてから巻き取られるまで掛け渡される基板Ｓの寸法が長くなるのを抑えることができるため、搬送時の基板Ｓの管理負担を低減することができる。
As described above, according to the present embodiment, the substrate S is carried into and out of the chamber apparatus CB in a direction intersecting the moving direction of the substrate S from the
［第二実施形態］
次に、本発明の第二実施形態を説明する。
図１５は、本実施形態に係る基板処理装置ＦＰＡ２の構成を示す断面図である。
図１５に示すように、本実施形態では、チャンバー装置ＣＢにポンプなどの圧力調整装置（圧力調整部）６０が接続されており、チャンバー装置ＣＢの内部の圧力を調整（例えば加圧、減圧）可能な構成となっている。チャンバー装置ＣＢには、処理装置１０として、例えば減圧環境下で処理を行うプラズマ装置１２が設けられている。チャンバー装置ＣＢの＋Ｙ側には差動排気室６１及び６２が設けられており、チャンバー装置ＣＢの−Ｙ側には差動排気室６３及び６４が設けられている。各差動排気室６１〜６４にもポンプが接続される。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 15 is a cross-sectional view showing the configuration of the substrate processing apparatus FPA2 according to this embodiment.
As shown in FIG. 15, in this embodiment, a pressure adjusting device (pressure adjusting unit) 60 such as a pump is connected to the chamber device CB, and the pressure inside the chamber device CB is adjusted (for example, pressurization, decompression). It has a possible configuration. In the chamber apparatus CB, as the
差動排気室６１〜６４は、それぞれ基板Ｓの−Ｚ側に配置された第一部分６１ａ〜６４ａと、基板Ｓの＋Ｚ側に配置された第二部分６１ｂ〜６４ｂとを有している。差動排気室６１〜６４の第一部分６１ａ〜６４ａは、チャンバー装置ＣＢの第一部分ＣＢ１と一体的に設けられている（第三部分ＣＢ３）。差動排気室６１〜６４の第二部分６１ｂ〜６４ｂは、チャンバー装置ＣＢの第二部分ＣＢ２と一体的に設けられている（第四部分ＣＢ４）。第三部分ＣＢ３と第四部分ＣＢ４とは、Ｚ方向に分離可能に設けられている。
The
第三部分ＣＢ３と第四部分ＣＢ４との間には、シール機構６５が設けられている。シール機構６５は、第三部分ＣＢ３と第四部分ＣＢ４とが接続された状態において、各差動排気室６１〜６４の内部、チャンバー装置ＣＢの内部と、基板Ｓとの間を封止可能な構成（エアタイト状態）となっている。
A
図１６は、シール機構６５の構成を示す図である。
図１６に示すように、シール機構６５は、基板ＳをＺ方向に挟む第一エアパッド機構６５Ａ及び第二エアパッド機構６５Ｂと、第一エアパッド機構６５Ａを第二エアパッド機構６５Ｂ側へ押圧する押圧機構７０とを有している。
FIG. 16 is a diagram illustrating a configuration of the
As shown in FIG. 16, the
第一エアパッド機構６５Ａは、−Ｚ側に向けられた面にエア噴出口６６ａ及びエア吸引口６６ｂが設けられたパッド６６と、例えば窒素ガスなどのエアを供給する不図示のエア供給部に接続される供給側接続部６７と、不図示の吸引ポンプなどに接続される吸引側接続部６８とを有している。エア噴出口６６ａは、パッド６６内の流路を介して供給側接続部６７に接続されている。エア吸引口６６ｂは、パッド６６内の流路を介して吸引側接続部６８に接続されている。
The first
第二エアパッド機構６５Ｂは、＋Ｚ側に向けられた面にエア噴出口１６６ａ及びエア吸引口１６６ｂが設けられたパッド１６６と、例えば窒素ガスなどのエアを供給する不図示のエア供給部に接続される供給側接続部１６７と、不図示の吸引ポンプなどに接続される吸引側接続部１６８とを有している。エア噴出口１６６ａは、パッド１６６内の流路を介して供給側接続部１６７に接続されている。エア吸引口１６６ｂは、パッド１６６内の流路を介して吸引側接続部１６８に接続されている。
The second
本実施形態では、このような構成により、チャンバー装置ＣＢの内部の圧力を調整する場合において、差動排気室が設けられているため、チャンバー装置ＣＢの内部の圧力を安定させることができる。また、第三部分ＣＢ３、第四部分ＣＢ４及び基板Ｓの間を高い密閉度で閉塞することができるため、チャンバー装置ＣＢや各差動排気室６１〜６４に異物が進入するのを防ぐことができる。
In the present embodiment, with such a configuration, when the pressure inside the chamber apparatus CB is adjusted, the differential exhaust chamber is provided, so that the pressure inside the chamber apparatus CB can be stabilized. Further, since the space between the third portion CB3, the fourth portion CB4 and the substrate S can be closed with a high degree of sealing, it is possible to prevent foreign matter from entering the chamber device CB and the
［第三実施形態］
次に、本発明の第三実施形態を説明する。
図１７は、本実施形態に係る基板処理装置ＦＰＡ３の構成を示す断面図である。
図１７に示すように、チャンバー装置ＣＢの第一部分ＣＢ１及び第二部分ＣＢ２のそれぞれには、収容室開閉機構ＳＬが設けられている。収容室開閉機構ＳＬは、第一部分ＣＢ１に取り付けられたスライド機構（開閉部）ＳＬ１と、第二部分ＣＢ２に取り付けられたスライド機構（開閉部）ＳＬ２とを有している。
[Third embodiment]
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 17 is a cross-sectional view showing the configuration of the substrate processing apparatus FPA3 according to this embodiment.
As shown in FIG. 17, each of the first portion CB1 and the second portion CB2 of the chamber device CB is provided with a storage chamber opening / closing mechanism SL. The storage chamber opening / closing mechanism SL has a slide mechanism (opening / closing part) SL1 attached to the first part CB1 and a sliding mechanism (opening / closing part) SL2 attached to the second part CB2.
スライド機構ＳＬ１は、一対のスライド部材７１ａ及び７１ｂを有している。スライド部材７１ａ及び７１ｂは、Ｘ方向に移動可能に設けられている。スライド部材７１ａ及び７１ｂは、第一部分ＣＢ１の収容室ＲＭ１を開閉可能に設けられている。スライド部材７１ａ及び７１ｂが開いた状態では、収容室ＲＭ１が大気開放される。スライド部材７１ａ及び７１ｂが閉じた状態では、収容室ＲＭ１が密閉される。
The slide mechanism SL1 has a pair of
スライド部材７１ａ及び７１ｂが開いた状態において、スライド部材７１ａは第一部分ＣＢ１のフランジ部７３に設けられたスライド収容部（収容部）７３ａに収容され、スライド部材７１ｂは第一部分ＣＢ１のフランジ部７４に設けられたスライド収容部（収容部）７４ａに収容される。このように、第一部分ＣＢ１は、第二部分ＣＢ２との接続に用いられるフランジ部７３及び７４がスライド部材７１ａ及び７１ｂの収容部を兼ねた構成となっている。
In a state where the
スライド機構ＳＬ２は、一対のスライド部材７２ａ及び７２ｂを有している。スライド部材７１ａ及び７１ｂは、Ｘ方向に移動可能に設けられている。スライド部材７２ａ及び７２ｂは、第二部分ＣＢ２の収容室ＲＭ２を開閉可能に設けられている。スライド部材７２ａ及び７２ｂが開いた状態では、収容室ＲＭ２が大気開放されるが、スライド部材７２ａ及び７２ｂは、収容室ＲＭ２の減圧状態を維持するために機能する。スライド部材７２ａ及び７２ｂが閉じた状態では、収容室ＲＭ２が密閉される。
The slide mechanism SL2 has a pair of
スライド部材７２ａ及び７２ｂが開いた状態において、スライド部材７２ａは第二部分ＣＢ２のフランジ部７５に設けられたスライド収容部（収容部）７５ａに収容され、スライド部材７２ｂは第二部分ＣＢ２のフランジ部７６に設けられたスライド収容部（収容部）７６ａに収容される。このように、第二部分ＣＢ２は、第一部分ＣＢ１との接続に用いられるフランジ部７５及び７６がスライド部材７２ａ及び７２ｂの収容部を兼ねた構成となっている。
In a state where the
第一部分ＣＢ１には接続機構７７が設けられている。接続機構７７は、真空パッキング７７ａ及びエアシール機構７７ｂを有している。第二部分ＣＢ２には接続機構７８が設けられている。接続機構７８は、真空パッキング７８ａ及びエアシール機構７８ｂを有している。第一部分ＣＢ１及び第二部分ＣＢ２は、この接続機構７７及び７８によって密閉された状態で接続される構成となっている。
A
また、第一部分ＣＢ１には昇降機構７９が接続されており、第二部分ＣＢ２には昇降機構８０が接続されている。この構成により、第一部分ＣＢ１及び第二部分ＣＢ２は、個別にＺ方向に昇降可能である。なお、図１７においては図示を省略しているが、チャンバー装置ＣＢの＋Ｙ側及び−Ｙ側には、それぞれ差動排気室８５及び８６（図１８等参照）が一体的に取り付けられている。
Further, an elevating
また、基板処理装置ＦＰＡ３は、処理装置１０として、第一部分ＣＢ１に収容された第一処理装置１３と、第二部分ＣＢ２に収容された第二処理装置１４とを有している。なお、第一処理装置１３及び第二処理装置１４のうち一方を省いた構成であっても構わない。第一部分ＣＢ１及び第二部分ＣＢ２には、それぞれ真空ポンプなどの圧力調整装置８１及び８２が接続されている。第一処理装置１３及び第二処理装置１４としては、例えば減圧環境下で処理を行うプラズマ装置などが設けられている。
Further, the substrate processing apparatus FPA3 includes, as the
次に、上記のように構成された基板処理装置ＦＰＡ３の動作を説明する。本実施形態では、基板Ｓに対して処理が終了した状態から、基板Ｓを交換する際の動作を例に挙げて説明する。 Next, the operation of the substrate processing apparatus FPA3 configured as described above will be described. In the present embodiment, the operation when replacing the substrate S from the state where the processing for the substrate S is completed will be described as an example.
図１８は、基板Ｓに対する処理が完了した状態のチャンバー装置ＣＢの様子を示している。基板Ｓに対する処理が完了した状態では、チャンバー装置ＣＢの内部は減圧状態となっている。この状態で第一部分ＣＢ１と第二部分ＣＢ２とを分離させる場合、チャンバー装置ＣＢの内部を大気圧に戻す必要がある。次の基板Ｓに対して処理を行う場合には、再度チャンバー装置ＣＢ内を減圧状態とする必要があるため、その分時間が掛かってしまう。 FIG. 18 shows a state of the chamber apparatus CB in a state where the processing for the substrate S is completed. In the state where the processing on the substrate S is completed, the inside of the chamber apparatus CB is in a reduced pressure state. When the first part CB1 and the second part CB2 are separated in this state, it is necessary to return the interior of the chamber device CB to atmospheric pressure. When processing the next substrate S, it is necessary to reduce the pressure in the chamber apparatus CB again, which takes time.
そこで、本実施形態では、図１９に示すように、制御部ＣＯＮＴは、まず第二部分ＣＢ２に設けられたスライド部材７２ａ及び７２ｂを閉じた状態とする。この動作により、第二部分ＣＢ２の収容室ＲＭ２（図１７参照）が密閉され、収容室ＲＭ２の減圧状態が維持されることになる。
Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 19, the control unit CONT first closes the
スライド部材７２ａ及び７２ｂを閉じた後、又はスライド部材７２ａ及び７２ｂの閉動作と同時に、制御部ＣＯＮＴは、図２０に示すように、第一部分ＣＢ１に設けられたスライド部材７１ａ及び７１ｂを閉じた状態とする。この動作により、第一部分ＣＢ１の収容室ＲＭ１（図１７参照）も密閉され、収容室ＲＭ１の減圧状態が維持されることになる。この時点では、スライド部材７１ａ及び７１ｂとスライド部材７２ａ及び７２ｂとで挟まれた空間は減圧状態であるので、この空間のみを大気圧まで戻すような空圧系を作動させる。
After closing the
この状態で、制御部ＣＯＮＴは、差動排気室８５及び８６の圧力を大気圧に戻した後、図２１に示すように、第一部分ＣＢ１を−Ｚ側に移動させ、この第一部分ＣＢ１と第二部分ＣＢ２とを分離させる。この動作により、スライド部材７１ａ及び７１ｂとスライド部材７２ａ及び７２ｂとで挟まれた空間が大気開放され、第一部分ＣＢ１の収容室ＲＭ１や第二部分ＣＢ２の収容室ＲＭ２は大気開放されない。
In this state, the control part CONT returns the pressure of the
第一部分ＣＢ１と第二部分ＣＢ２とを分離させた後、制御部ＣＯＮＴは、図２２に示すように、チャンバー装置ＣＢの−Ｘ側に待機する基板送り出し機構５及び基板巻き取り機構６を＋Ｘ方向に移動させ、新たな基板Ｓを第一部分ＣＢ１と第二部分ＣＢ２との間に配置させる。その後、制御部ＣＯＮＴは、第一部分ＣＢ１を＋Ｚ側に移動させて第一部分ＣＢ１と第二部分ＣＢ２とを接続させる。
After separating the first part CB1 and the second part CB2, as shown in FIG. 22, the control unit CONT moves the
第一部分ＣＢ１と第二部分ＣＢ２とを接続させた後、制御部ＣＯＮＴは、スライド部材７１ａ及び７１ｂと、スライド部材７２ａ及び７２ｂとで挟まれた狭い空間に残存する大気を排気するよう空圧系を作動させ、その狭い空間が、第一部分ＣＢ１の収容室ＲＭ１内や第二部分ＣＢ２の収容室ＲＭ２内とほぼ同じ減圧状態になったら、スライド部材７１ａ及び７１ｂを開いた状態とすると共に、スライド部材７２ａ及び７２ｂを開いた状態とする。
なお、図１８〜図２２の基板送り出し機構５において、基板Ｓは、ロールの下側から引き出され、図１７における基板Ｓの処理面とは逆の面が処理される。
本実施形態では、第一部分ＣＢ１と第二部分ＣＢ２との分離や接続を、第一部分ＣＢ１のみの移動によって行っているが、第二部分ＣＢ２のみの移動によってまたは第一部分ＣＢ１及び第二部分ＣＢ２の移動によって行ってもよい。
After connecting the first part CB1 and the second part CB2, the control unit CONT is a pneumatic system for exhausting the air remaining in the narrow space sandwiched between the
18 to 22, the substrate S is pulled out from the lower side of the roll, and the surface opposite to the processing surface of the substrate S in FIG. 17 is processed.
In the present embodiment, the separation and connection between the first part CB1 and the second part CB2 are performed by the movement of only the first part CB1, but the movement of only the second part CB2 or the first part CB1 and the second part CB2. It may be done by movement.
以上のように、本実施形態によれば、収容室ＲＭ１及びＲＭ２の減圧状態を維持したまま新たな基板Ｓを搬入し、この基板Ｓに対して処理を開始することができる。これにより、スループットの高い基板処理装置ＦＰＡ３が得られる。 As described above, according to the present embodiment, it is possible to carry in a new substrate S while maintaining the decompressed state of the storage chambers RM1 and RM2, and to start processing on the substrate S. Thereby, the substrate processing apparatus FPA3 having a high throughput is obtained.
［第四実施形態］
次に、本発明の第四実施形態を説明する。
図２３Ａは、本実施形態に係る差動排気装置（差動排気室）１００の構成を示す図である。
図２３Ａに示すように、本実施形態では、差動排気装置１００が単独で配置されているが、この差動排気装置１００は図１８〜２２に示した差動排気室８５及び８６としても組み込めるものである。この差動排気装置１００は第一部分１０１と第二部分１０２とに分離可能な構成となっている。差動排気装置１００は、Ｚ方向に長手となるように形成されている。
[Fourth embodiment]
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 23A is a diagram showing a configuration of a differential exhaust device (differential exhaust chamber) 100 according to the present embodiment.
As shown in FIG. 23A, in the present embodiment, the
第一部分１０１には、この第一部分１０１の内部を２つの収容室１０１Ａ及び１０１Ｂに仕切る仕切り部１０１Ｃが設けられている。また、第一部分１０１には、収容室１０１Ａ及び収容室１０１Ｂをそれぞれ個別に開閉する開閉部材１０５及び１０６が設けられている。開閉部材１０５及び１０６が閉じた状態においては、収容室１０１Ａ及び１０１Ｂは密閉された状態となる。
The
第二部分１０２には、この第二部分１０２の内部を２つの収容室１０２Ａ及び１０２Ｂに仕切る仕切り部１０２Ｃが設けられている。また、第二部分１０２には、収容室１０２Ａ及び収容室１０２Ｂをそれぞれ個別に開閉する開閉部材１０７及び１０８が設けられている。開閉部材１０７及び１０８が閉じた状態においては、収容室１０２Ａ及び１０２Ｂは密閉された状態となる。第二部分１０２は、第一部分１０１に比べてＺ方向の寸法が大きくなるように形成されている。
The
差動排気装置１００は、収容室１０１Ａ及び１０１Ｂの容積に比べて、収容室１０２Ａ及び１０２Ｂの容積が大きくなっている。例えば基板Ｓを乾燥させるエアの吹き付け口を収容室１０２Ａ及び１０２Ｂに配置させる構成としても構わない。また、収容室１０２Ａ及び１０２Ｂの圧力を調整する圧力調整機構や、収容室１０２Ａ及び１０２Ｂの雰囲気を調整する雰囲気調整機構などが設けられた構成であっても構わない。
In the
収容室１０１Ａ及び１０１Ｂには、それぞれ基板Ｓを案内するローラー（又は図３に示したような案内パッドＧＰ）１０３及び１０４が設けられている。ローラー１０３及び１０４は、第二部分１０２の収容室１０２Ａ及び１０２Ｂとの間に跨るようにＺ方向に移動可能に設けられている。
Rollers (or guide pads GP as shown in FIG. 3) 103 and 104 for guiding the substrate S are provided in the
第一部分１０１と第二部分１０２との間には、シール機構１０９が設けられている。シール機構１０９は、先の図１６に示した構成と同様に、第一部分１０１の−Ｚ側端面に設けられた第一パッド１０９ａと、第二部分１０２の＋Ｚ側端面に設けられた第二パッド１０９ｂとを有している。第一パッド１０９ａ及び第二パッド１０９ｂは、基板Ｓを挟む位置に設けられている。第一パッド１０９ａ及び第二パッド１０９ｂは、先の図１６と同様に、表面に気体の層を形成する不図示の気体層形成部を有している。
A
上記のように構成された差動排気装置１００を用いる場合、図２３Ｂに示すように、基板Ｓを挟むように第一部分１０１と第二部分１０２とを接続させ、図１７で示したスライド部材７１ａ、７１ｂ、７２ａ、７２ｂと同様に機能する開閉部材１０５〜１０８を開いた状態とする。その後、ローラー１０３及び１０４を−Ｚ側に移動させる。この動作により、基板Ｓは第一パッド１０９ａの気体層と第二パッド１０９ｂの気体層とで挟まれ、非接触の状態で保持されることになる。
When the
このように、本実施形態によれば、差動排気装置１００をＺ方向に長手に形成することにより、差動排気装置１００の設置面積を小さくすることができる。この場合、容積の大きい収容室１０２Ａ及び１０２Ｂの圧力や雰囲気を維持しつつ、差動排気装置１００を第一部分１０１と第二部分１０２とに分離させることができ、基板Ｓの搬入時の差動排気装置１００内の圧力や雰囲気の再設定を省略又は再設定に掛かる時間を削減することができる。このため、基板Ｓに対して効率的な処理が可能となる。
Thus, according to this embodiment, the installation area of the
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、図８、図９に示した第一実施形態において、案内ローラーＧＲ１、ＧＲ２、ＧＲ５及び案内パッドＧＰがＺ方向に沿って移動する構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、図２４のような変形が可能である。
The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and appropriate modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, in the first embodiment shown in FIG. 8 and FIG. 9, the configuration in which the guide rollers GR1, GR2, GR5 and the guide pad GP move along the Z direction has been described as an example. There is no change, and a modification as shown in FIG. 24 is possible.
図２４に示すように、案内ローラーＧＲ１、ＧＲ２、ＧＲ５及び案内パッドＧＰをθＸ方向に傾いた位置に移動する構成とする。これらの案内ローラーＧＲ１、ＧＲ２、ＧＲ５及び案内パッドＧＰが移動すると、図２５に示すように、上記第一実施形態における構成に比べて、Ｚ方向にスペースを節約することができる。 As shown in FIG. 24, the guide rollers GR1, GR2, GR5 and the guide pad GP are moved to a position inclined in the θX direction. When these guide rollers GR1, GR2, GR5 and the guide pad GP move, as shown in FIG. 25, it is possible to save space in the Z direction as compared with the configuration in the first embodiment.
なお、基板Ｓを転写ローラー１１ａに押圧する３つの案内ローラーＧＲ１の位置関係は、第一実施形態における案内ローラーＧＲ１の位置関係と同一となっている。このため、転写ローラー１１ａによって基板Ｓに塗布膜が転写される際の条件は、第一実施形態における条件と同様になる。
In addition, the positional relationship of the three guide rollers GR1 that press the substrate S against the
また、図２６に示すように、３つの案内ローラーＧＲ１の各軸受同士が固定部材２００によって固定された構成であっても構わない。この場合、図２７に示すように、転写ローラー１１ａの回転軸回りに固定部材２００の角度位置を調整することにより、転写ローラー１１ａの任意の位置に基板Ｓを接触させることができる。このため、例えば塗布液の種類に応じて、膜厚調整部１１ｃにより近い位置に基板Ｓを接触させることができる。これにより、転写ローラー１１ａに付着した塗布液が乾燥しない間に基板Ｓに転写することができる。
Further, as shown in FIG. 26, the bearings of the three guide rollers GR1 may be fixed by a fixing
また、例えば図２８に示すように、チャンバー装置ＣＢの通過部２６及び通過部２７のうち少なくとも一方に基板Ｓを検出する光センサ３００を配置させる構成としても構わない。
For example, as shown in FIG. 28, a configuration may be adopted in which an
また、例えば図２８に示すように、チャンバー装置ＣＢ内にＸ方向に乾燥気体を噴射する噴射部３０３を有する乾燥部３０５が設けられた構成であっても構わない。この場合、乾燥部３０５に、噴射部３０３から転写ローラー１１ａ側への乾燥気体の流れを規制する気流調整板（気流調整部）３０１を設けてもよい。
Further, for example, as shown in FIG. 28, a
また、案内ローラーＧＲ２と第二部分ＣＢ２の＋Ｚ側の壁部（天井部）との間には、案内ローラーＧＲ２の移動に応じて伸縮する蛇腹部３０２が設けてもよい。この蛇腹部３０２は、案内パッドＧＰと第一部分ＣＢ１の−Ｚ側の壁部（底部）との間にも設けてもよい。このような構成により、基板Ｓが案内ローラーＧＲ２と案内パッドＧＰとに掛けられた状態では、基板Ｓの経路に沿う位置に伸長した蛇腹が配置されることになる。このため、この蛇腹部３０２によってＹ方向への気流が規制されることになる。このように、気流調整板３０１や蛇腹部３０２を配置することにより、乾燥気体の流路や気流を調整することができる。
Further, a
また、図２９に示すように、チャンバー装置ＣＢに対して基板Ｓの移動方向（Ｙ方向）の側方にサブチャンバー装置（予備処理部）ＳＣＢが配置された構成であっても構わない。サブチャンバー装置ＳＣＢは、チャンバー装置ＣＢと同一の構成となっている。また、サブチャンバー装置ＳＣＢには、チャンバー装置ＣＢに収容される構成要素（処理装置１０を含む）と同一の構成要素が収容される。このため、チャンバー装置ＣＢを停止させる場合であっても、チャンバー装置ＣＢにおける処理と同一の処理をサブチャンバー装置ＳＣＢにおいて行うことができる。この場合、通常はチャンバー装置ＣＢで処理し、処理が終了した基板Ｓは、サブチャンバー装置ＳＣＢをすり抜けて＋Ｘ方向に出て行くが、チャンバー装置ＣＢを止めてインク充填をするときは、基板Ｓはチャンバー装置ＣＢをすり抜けてサブチャンバー装置ＳＣＢで処理されるように、切り替えられる。 In addition, as shown in FIG. 29, a sub-chamber device (preliminary processing unit) SCB may be arranged on the side of the movement direction (Y direction) of the substrate S with respect to the chamber device CB. The sub-chamber device SCB has the same configuration as the chamber device CB. Further, the sub chamber apparatus SCB accommodates the same constituent elements as the constituent elements (including the processing apparatus 10) accommodated in the chamber apparatus CB. For this reason, even when the chamber apparatus CB is stopped, the same process as the process in the chamber apparatus CB can be performed in the sub-chamber apparatus SCB. In this case, the substrate S which is usually processed by the chamber apparatus CB and passes through the sub-chamber apparatus SCB and exits in the + X direction. However, when the chamber apparatus CB is stopped and ink filling is performed, the substrate S is processed. Are switched so that they pass through the chamber device CB and are processed by the sub-chamber device SCB.
ＦＰＡ…基板処理装置 Ｓ…基板 ＣＯＮＴ…制御部 ＣＢ…チャンバー装置 ＧＲ…案内ローラー ＧＰ…案内パッド １…搬送部 ２…処理部 ５ｂ…供給ローラー ６ｂ…回収ローラー １０…処理装置 ２５…チャンバー駆動装置
FPA ... Substrate processing device S ... Substrate CONT ... Control unit CB ... Chamber device GR ... Guide roller GP ... Guide pad 1 ... Conveying
Claims (5)
前記処理部は、前記基板の長尺方向の移動経路に設けられ、前記基板の第１面側に配置される第一部分と、該第一部分と相対的に分離可能に連結するように前記基板の第２面側に配置される第二部分と、前記第一部分と前記第二部分とが連結した状態で、前記基板を長尺方向に通過可能とする通過部とを備えるチャンバー内に設けられ、
前記チャンバーの前記第一部分と前記第二部分との分離により形成される空間内に前記基板が搬入されるように、前記長尺方向と交差する幅方向に前記基板を移動することと、
前記空間内に前記基板が位置した状態で、前記チャンバーの前記第一部分と前記第二部分とを連結させて、前記チャンバー内を所定環境に調整することと、
前記所定環境の下で前記処理部による前記基板の処理を行うことと、
を含む基板処理方法。 A substrate processing method of processing by a processing unit while moving a flexible strip-shaped substrate in the longitudinal direction,
The processing unit is provided in a moving path in the longitudinal direction of the substrate, and a first portion disposed on the first surface side of the substrate and a first portion of the substrate so as to be relatively separable from the first portion. A second portion disposed on the second surface side, and in a state where the first portion and the second portion are connected to each other, provided in a chamber provided with a passage portion that allows the substrate to pass in the longitudinal direction;
Moving the substrate in a width direction intersecting the longitudinal direction so that the substrate is carried into a space formed by separation of the first portion and the second portion of the chamber;
Adjusting the inside of the chamber to a predetermined environment by connecting the first portion and the second portion of the chamber with the substrate positioned in the space;
Processing the substrate by the processing unit under the predetermined environment;
A substrate processing method.
請求項１に記載の基板処理方法。 The adjustment of the environment in the chamber includes pressurization or depressurization of the chamber.
The substrate processing method according to claim 1.
前記基板の長尺方向の移動に関して前記第１の通過部の上流側、及び前記第２の通過部の下流側の各々に配置された差動排気室を通して、前記基板を長尺方向に移動させる、
請求項２に記載の基板処理方法。 The passage portion of the chamber includes a first passage portion that passes the substrate carried into the chamber, and a second passage portion that passes the substrate carried out of the chamber,
With respect to the movement of the substrate in the longitudinal direction, the substrate is moved in the longitudinal direction through differential exhaust chambers arranged upstream of the first passage and downstream of the second passage. ,
The substrate processing method according to claim 2.
前記基板を前記幅方向に移動させる際は、前記差動排気室の前記第三部分と前記第四部分とを分離して、前記基板が移動する空間を形成する、
請求項３に記載の基板処理方法。 The differential exhaust chamber has a state in which a third portion disposed on the first surface side of the substrate is connected to a fourth portion disposed on the second surface side of the substrate, and a separated state. Can be switched to,
When moving the substrate in the width direction, the third portion and the fourth portion of the differential exhaust chamber are separated to form a space in which the substrate moves.
The substrate processing method according to claim 3.
請求項１から請求項４のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法。 The processing unit provided in the chamber is configured by any one of a transfer device, a droplet coating device, a film forming device, an exposure device, a developing device, a surface modifying device, a cleaning device, and a drying device.
The substrate processing method as described in any one of Claims 1-4.
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