JP2016018713A - Conductive film - Google Patents
Conductive film Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016018713A JP2016018713A JP2014141526A JP2014141526A JP2016018713A JP 2016018713 A JP2016018713 A JP 2016018713A JP 2014141526 A JP2014141526 A JP 2014141526A JP 2014141526 A JP2014141526 A JP 2014141526A JP 2016018713 A JP2016018713 A JP 2016018713A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive film
- carbon
- metal
- conductive material
- length
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
Description
本発明は、幅が１００μｍ以下の線状の導電膜に関する。 The present invention relates to a linear conductive film having a width of 100 μm or less.
金属ナノワイヤが用いられた透明導電膜が提案されている。 A transparent conductive film using metal nanowires has been proposed.
透明導電膜に用いられる金属ナノワイヤは次の特徴を持っている。例えば、直径が３０〜１００ｎｍである。長さが１０〜１００μｍである。 The metal nanowire used for the transparent conductive film has the following characteristics. For example, the diameter is 30 to 100 nm. The length is 10 to 100 μm.
導電膜の透明性（高光透過率）を確保する為には、前記金属ナノワイヤの割合（量：密度）が低い方が好ましい。しかし、金属ナノワイヤ量が少なくなると、導電性が低下する。特に、導電膜の幅が狭くなると、断線が起き易かった。すなわち、導電性が確保でき難かった。例えば、導電膜の幅が１００μｍ以下になると、導電性が確保できない場合が多発することが判って来た。 In order to ensure the transparency (high light transmittance) of the conductive film, it is preferable that the ratio (amount: density) of the metal nanowires is low. However, when the amount of metal nanowires decreases, the conductivity decreases. In particular, when the width of the conductive film narrowed, disconnection was likely to occur. That is, it was difficult to ensure conductivity. For example, it has been found that when the width of the conductive film is 100 μm or less, there are many cases where the conductivity cannot be ensured.
従って、本発明が解決しようとする課題は、導電性が確保された導電膜を提供することである。特に、透明性および導電性が共に確保された導電膜を提供することである。中でも、幅狭（幅が１００μｍ以下）な場合において、透明性および導電性が共に確保された導電膜を提供することである。 Therefore, the problem to be solved by the present invention is to provide a conductive film in which conductivity is ensured. In particular, it is to provide a conductive film in which both transparency and conductivity are ensured. In particular, it is to provide a conductive film in which both transparency and conductivity are ensured when the width is narrow (the width is 100 μm or less).
前記課題を解決する為の検討が、鋭意、推し進められた。その結果、導電性材料として、金属ナノワイヤとカーボンナノチューブとが併用された場合、導電膜の幅が狭くなっても、導電性が確保できており、かつ、透明性も高いことが判って来た。 The study for solving the above problems has been intensively promoted. As a result, it has been found that when metal nanowires and carbon nanotubes are used in combination as a conductive material, conductivity can be secured and transparency is high even when the width of the conductive film is narrow. .
特許文献１，２は、導電性材料として、金属ナノワイヤ及びカーボンナノチューブを開示している。
しかし、特許文献１，２は幅狭な導電膜を開示していない。特に、幅が１００μｍ以下の導電膜を開示していない。このことを示唆する記載も皆無である。
However,
特許文献１，２は、導電性材料が金属ナノワイヤのみの場合、導電膜の幅が１００μｍ以下になると、導電性が確保されない（断線が起きる）場合が多発する旨を開示していない。このことを示唆する記載も皆無である。
特許文献１，２は、導電性材料として金属ナノワイヤとカーボンナノチューブとが併用された場合、導電膜の幅が１００μｍ以下になっても、導電性が確保される旨を開示していない。このことを示唆する記載も皆無である。
従って、特許文献１，２から本願発明を想到せしめる動機付けは得られない。
Therefore, the motivation to conceive the present invention from
本発明は、
幅が１００μｍ以下の線状の導電膜であって、
前記導電膜は、炭素系導電材、及び金属ナノ粒状物を有する
ことを特徴とする導電膜を提案する。
The present invention
A linear conductive film having a width of 100 μm or less,
The said electrically conductive film proposes the electrically conductive film characterized by having a carbon-type electrically conductive material and a metal nanoparticle.
本発明は、前記導電膜であって、前記導電膜は、幅が１μｍ以上であることを特徴とする導電膜を提案する。 The present invention proposes a conductive film, wherein the conductive film has a width of 1 μm or more.
本発明は、前記導電膜であって、前記金属ナノ粒状物が金属ナノワイヤであることを特徴とする導電膜を提案する。 The present invention proposes a conductive film, wherein the conductive film is a metal nanowire.
本発明は、前記導電膜であって、前記金属ナノ粒状物を構成する金属がＡｇであることを特徴とする導電膜を提案する。 The present invention proposes a conductive film which is the conductive film, wherein the metal constituting the metal nanoparticle is Ag.
本発明は、前記導電膜であって、前記金属ナノ粒状物は、長さが１〜１００μｍ、直径が１０〜２００ｎｍであることを特徴とする導電膜を提案する。 The present invention proposes the conductive film, wherein the metal nanoparticulate has a length of 1 to 100 μm and a diameter of 10 to 200 nm.
本発明は、前記導電膜であって、前記炭素系導電材がカーボンナノチューブ及びグラフェンの群の中から選ばれる一種または二種以上のものであることを特徴とする導電膜を提案する。 The present invention proposes the conductive film, wherein the carbon-based conductive material is one or more selected from the group of carbon nanotubes and graphene.
本発明は、前記導電膜であって、前記炭素系導電材がカーボンナノチューブであることを特徴とする導電膜を提案する。 The present invention proposes a conductive film that is the conductive film, wherein the carbon-based conductive material is a carbon nanotube.
本発明は、前記導電膜であって、前記炭素系導電材は、長さが０．１〜１００μｍ、直径が０．３〜１００ｎｍであることを特徴とする導電膜を提案する。 The present invention proposes the conductive film, wherein the carbon-based conductive material has a length of 0.1 to 100 μm and a diameter of 0.3 to 100 nm.
本発明は、前記導電膜であって、（前記炭素系導電材の直径）＜（前記金属ナノ粒状物の直径）であることを特徴とする導電膜を提案する。 The present invention proposes a conductive film that is the conductive film, wherein (diameter of the carbon-based conductive material) <(diameter of the metal nanoparticle).
本発明は、前記導電膜であって、（前記炭素系導電材の長さ）＜（前記金属ナノ粒状物の長さ）であることを特徴とする導電膜を提案する。 The present invention proposes a conductive film that is the conductive film, wherein (the length of the carbon-based conductive material) <(the length of the metal nanoparticle).
本発明は、前記導電膜であって、前記炭素系導電材の密度が０．１〜３０ｍｇ／ｍ２であり、前記金属ナノ粒状物の密度が０．１〜６０ｍｇ／ｍ２であることを特徴とする導電膜を提案する。 The present invention is the conductive film, wherein the carbon-based conductive material has a density of 0.1 to 30 mg / m 2 , and the metal nanoparticle has a density of 0.1 to 60 mg / m 2. A characteristic conductive film is proposed.
本発明は、前記導電膜であって、前記導電膜は、長手方向における長さが１０μｍ以上であることを特徴とする導電膜を提案する。 The present invention proposes a conductive film, wherein the conductive film has a length in the longitudinal direction of 10 μm or more.
本発明は、前記導電膜であって、前記導電膜が透明導電膜であることを特徴とする導電膜を提案する。 The present invention proposes a conductive film, wherein the conductive film is a transparent conductive film.
導電膜は、幅が１００μｍ以下であるにも拘わらず、透明性および導電性が共に確保されていた。 Although the conductive film had a width of 100 μm or less, both transparency and conductivity were ensured.
本発明の実施形態が説明される。本発明は導電膜である。前記導電膜は幅が１００μｍ以下である。前記導電膜は線状である。前記導電膜は、炭素系導電材、及び金属ナノ粒状物を有する。 Embodiments of the invention are described. The present invention is a conductive film. The conductive film has a width of 100 μm or less. The conductive film is linear. The conductive film includes a carbon-based conductive material and metal nanoparticle.
前記導電膜は、好ましくは、幅が１００μｍ以下であった。更に好ましくは、幅が６０μｍ以下であった。好ましくは、幅が１０μｍ以上であった。 The conductive film preferably had a width of 100 μm or less. More preferably, the width was 60 μm or less. Preferably, the width was 10 μm or more.
前記金属ナノ粒状物は、好ましくは、金属ナノワイヤである。前記金属は、好ましくは、Ａｇである。前記金属ナノ粒状物（金属ナノワイヤ）は、好ましくは、長さ（平均長さ）が１〜１００μｍであった。更に好ましくは、３μｍ以上であった。更に好ましくは、７０μｍ以下であった。もっと好ましくは、５０μｍ以下であった。前記金属ナノ粒状物（金属ナノワイヤ）は、好ましくは、直径（平均直径）が１０〜２００ｎｍであった。更に好ましくは、２０ｎｍ以上であった。更に好ましくは、１５０ｎｍ以下であった。もっと好ましくは、１００ｎｍ以下であった。 The metal nanoparticulate material is preferably a metal nanowire. The metal is preferably Ag. The metal nanoparticle (metal nanowire) preferably has a length (average length) of 1 to 100 μm. More preferably, it was 3 μm or more. More preferably, it was 70 μm or less. More preferably, it was 50 μm or less. The metal nanoparticle (metal nanowire) preferably had a diameter (average diameter) of 10 to 200 nm. More preferably, it was 20 nm or more. More preferably, it was 150 nm or less. More preferably, it was 100 nm or less.
前記炭素系導電材は、好ましくは、カーボンナノチューブ及びグラフェンの群の中から選ばれる一種または二種以上のものである。特に好ましくは、カーボンナノチューブである。前記炭素系導電材（カーボンナノチューブ）は、好ましくは、長さ（平均長さ）が０．１〜１００μｍであった。更に好ましくは、５０μｍ以下であった。もっと好ましくは、１０μｍ以下であった。前記炭素系導電材（カーボンナノチューブ）は、好ましくは、直径（平均直径）が０．３〜１００ｎｍであった。更に好ましくは、０．７ｎｍ以上であった。もっと好ましくは、０．９ｎｍ以上であった。更に好ましくは、５０ｎｍ以下であった。もっと好ましくは、１０ｎｍ以下であった。好ましくは、（前記炭素系導電材の直径）＜（前記金属ナノ粒状物の直径）であった。好ましくは、（前記炭素系導電材の長さ）＜（前記金属ナノ粒状物の長さ）であった。 The carbon-based conductive material is preferably one or more selected from the group of carbon nanotubes and graphene. Particularly preferred are carbon nanotubes. The carbon-based conductive material (carbon nanotube) preferably has a length (average length) of 0.1 to 100 μm. More preferably, it was 50 μm or less. More preferably, it was 10 μm or less. The carbon-based conductive material (carbon nanotube) preferably has a diameter (average diameter) of 0.3 to 100 nm. More preferably, it was 0.7 nm or more. More preferably, it was 0.9 nm or more. More preferably, it was 50 nm or less. More preferably, it was 10 nm or less. Preferably, (the diameter of the carbon-based conductive material) <(the diameter of the metal nanoparticle). Preferably, (the length of the carbon-based conductive material) <(the length of the metal nanoparticle).
前記導電膜中の前記炭素系導電材（カーボンナノチューブ）は、好ましくは、密度が０．１〜３０ｍｇ／ｍ２であった。更に好ましくは、１ｍｇ／ｍ２以上であった。更に好ましくは、２０ｍｇ／ｍ２以下であった。 The carbon-based conductive material (carbon nanotube) in the conductive film preferably had a density of 0.1 to 30 mg / m 2 . More preferably, it was 1 mg / m 2 or more. More preferably, it was 20 mg / m 2 or less.
前記導電膜中の前記金属ナノ粒状物（金属ナノワイヤ）は、好ましくは、密度が０．１〜６０ｍｇ／ｍ２であった。更に好ましくは、１ｍｇ／ｍ２以上であった。更に好ましくは、５０ｍｇ／ｍ２以下であった。前記密度は、前記導電膜を真上から見た場合における単位面積当たりの単位質量である。 The metal nanoparticulate matter (metal nanowire) in the conductive film preferably had a density of 0.1 to 60 mg / m 2 . More preferably, it was 1 mg / m 2 or more. More preferably, it was 50 mg / m 2 or less. The density is a unit mass per unit area when the conductive film is viewed from directly above.
前記導電膜は、好ましくは、長手方向における長さが１０μｍ以上である。特に、１００μｍ以上である。上限値に格別な制約は無い。用途によって決まる。長手方向は、例えば前記幅に直交する方向である。長手方向は、例えば電流が流れる方向である。長手方向の端部には、例えば電極が存在する。 The conductive film preferably has a length in the longitudinal direction of 10 μm or more. In particular, it is 100 μm or more. There is no particular restriction on the upper limit. It depends on the application. The longitudinal direction is a direction orthogonal to the width, for example. The longitudinal direction is, for example, a direction in which current flows. For example, an electrode is present at the end in the longitudinal direction.
前記導電膜は、好ましくは、透明導電膜である。透明性は、光（可視光）透過率が、好ましくは、７０％以上である。更に好ましくは、８０％以上である。 The conductive film is preferably a transparent conductive film. As for transparency, light (visible light) transmittance is preferably 70% or more. More preferably, it is 80% or more.
以下、更に詳しい説明がされる。
本発明の一実施形態が、図１〜図３によって、説明される。図１は、金属ナノワイヤと炭素系導電材により形成される透明導電膜のイメージ図である。図２は、金属ナノワイヤ分散液が基板上に塗布された後の概略断面図である。図３は、金属ナノワイヤ分散液塗膜（金属ナノワイヤ層）上に、カーボンナノチューブ分散液が塗布された後の概略断面図である。
Further detailed description will be given below.
One embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is an image diagram of a transparent conductive film formed of metal nanowires and a carbon-based conductive material. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view after the metal nanowire dispersion is applied onto the substrate. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view after the carbon nanotube dispersion liquid is applied on the metal nanowire dispersion liquid coating film (metal nanowire layer).
各図中、１は金属ナノ粒状物である。特に、金属ナノワイヤである。１Ａは金属ナノ粒状物（金属ナノワイヤ）層である。金属ナノワイヤ１は、如何なる製造方法で製造されたものでも良い。例えば、液相法、又は気相法などによって製造できる。Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２００２，１４，Ｐ８３３〜８３７や、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２００２，１４，Ｐ４７３６〜４７４５等に、Ａｇナノワイヤの製造方法が開示されている。特開２００６−２３３２５２号公報などには、Ａｕナノワイヤの製造方法が開示されている。特開２００２−２６６００７号公報などには、Ｃｕナノワイヤの製造方法が開示されている。特開２００４−１４９８７１号公報などには、Ｃｏナノワイヤの製造方法が開示されている。上記Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．及びＣｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．は、水系で、簡便に、かつ、大量に、Ａｇナノワイヤを製造する技術を開示している。銀の導電率は金属中で最大であるから、金属ナノワイヤは銀ナノワイヤであることが好ましい。 In each figure, 1 is a metal nanoparticle. In particular, it is a metal nanowire. 1A is a metal nanoparticle (metal nanowire) layer. The metal nanowire 1 may be manufactured by any manufacturing method. For example, it can be produced by a liquid phase method or a gas phase method. Adv. Mater. 2002, 14, P833-837, Chem. Mater. 2002, 14, P4736-4745, etc. disclose a method for producing Ag nanowires. Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2006-233252 discloses a method for producing Au nanowires. JP 2002-266007 A discloses a method for producing Cu nanowires. Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2004-149871 discloses a method for producing Co nanowires. Adv. Mater. And Chem. Mater. Discloses a technique for producing Ag nanowires in an aqueous system, simply and in large quantities. Since the conductivity of silver is the highest among metals, the metal nanowire is preferably a silver nanowire.
金属ナノワイヤ１の直径（平均直径）は、透明性の観点から、好ましくは、２００ｎｍ以下であった。導電性の観点から、好ましくは、１０ｎｍ以上であった。平均直径が２００ｎｍ以下の場合、光散乱の影響が軽減される。平均直径は小さな方が、光透過率低下やヘイズ劣化の抑制から、好ましい。平均直径が１０ｎｍ以上の場合、導電体としての機能が有意に発現される。平均直径は大きい方が、導電性が向上する。従って、より好ましくは、平均直径が２０ｎｍ以上であった。１５０ｎｍ以下であった。更に好ましくは、３０ｎｍ以上であった。１００ｎｍ以下であった。金属ナノワイヤ１の長さ（平均長さ）は、導電性の観点から、好ましくは、１μｍ以上であった。凝集による透明性への影響から、好ましくは、１００μｍ以下であった。より好ましくは、３μｍ以上であった。５０μｍ以下であった。金属ナノワイヤの平均直径及び平均長さは、ＳＥＭやＴＥＭを用いて十分な数のナノワイヤを写真撮影し、個々の金属ナノワイヤ像の計測値の算術平均から求めることが出来る。 The diameter (average diameter) of the metal nanowire 1 was preferably 200 nm or less from the viewpoint of transparency. From the viewpoint of conductivity, the thickness was preferably 10 nm or more. When the average diameter is 200 nm or less, the influence of light scattering is reduced. A smaller average diameter is preferable from the viewpoint of suppressing light transmittance reduction and haze deterioration. When the average diameter is 10 nm or more, the function as a conductor is significantly expressed. The larger the average diameter, the better the conductivity. Therefore, more preferably, the average diameter was 20 nm or more. It was 150 nm or less. More preferably, it was 30 nm or more. It was 100 nm or less. The length (average length) of the metal nanowire 1 was preferably 1 μm or more from the viewpoint of conductivity. From the influence on the transparency due to aggregation, the thickness was preferably 100 μm or less. More preferably, it was 3 μm or more. It was 50 μm or less. The average diameter and average length of the metal nanowires can be obtained from an arithmetic average of measured values of individual metal nanowire images by photographing a sufficient number of nanowires using SEM or TEM.
金属ナノ粒状物（金属ナノワイヤ）含有層（金属ナノ粒状物（金属ナノワイヤ）層）１Ａは、前記特徴の金属ナノ粒状物（金属ナノワイヤ）１が分散した分散液が塗布されることによって、基板３上に設けられる。塗布方法としては、例えばダイコート、ナイフコート、スプレー塗布、スピンコート、スリットコート、マイクログラビア、フレキソ等が挙げられる。勿論、これに限らない。前記塗布は基板３の全面に行われる。又は、前記塗布は所定のパターンで行われる。塗布は均一に行われることが好ましい。
The metal nanoparticulate (metal nanowire) -containing layer (metal nanoparticulate (metal nanowire) layer) 1A is applied to the
２は炭素系導電材である。炭素系導電材２は、例えばグラフェンである。或いは、カーボンナノチューブである。好ましくは、カーボンナノチューブである。特に、単層カーボンナノチューブである。中でも、例えば酸処理を受けた単層カーボンナノチューブである。
2 is a carbon-based conductive material. The carbon-based
前記カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）としては、単層カーボンナノチューブ、２層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ等が挙げられる。中でも、単層カーボンナノチューブが好ましい。特に、Ｇ（１５９０ｃｍ−１付近に表れるグラファイト物質に共通なラマンピークにおける強度）／Ｄ（１３５０ｃｍ−１付近に表れる欠陥に起因するラマンピークにおける強度）≧１０のカーボンナノチューブが好ましい。Ｇ／Ｄの上限値は、例えば１５０程度である。例えば、Ｇ／Ｄが２０〜６０のカーボンナノチューブが好ましかった。更には、直径が０．３〜１００ｎｍのＣＮＴが好ましかった。特に、直径が０．３〜２ｎｍのＣＮＴが好ましかった。長さが０．１〜１００μｍのＣＮＴが好ましかった。特に、長さが０．１〜５μｍのＣＮＴが好ましかった。前記炭素系導電材（ＣＮＴ）２は、好ましくは、互いに、絡み合ったものである。 Examples of the carbon nanotube (CNT) include single-walled carbon nanotubes, double-walled carbon nanotubes, and multi-walled carbon nanotubes. Among these, single-walled carbon nanotubes are preferable. In particular, carbon nanotubes with G (intensity at a Raman peak common to graphite substances appearing in the vicinity of 1590 cm −1 ) / D (intensity at a Raman peak due to defects appearing near 1350 cm −1 ) ≧ 10 are preferable. The upper limit value of G / D is about 150, for example. For example, carbon nanotubes having a G / D of 20 to 60 were preferred. Furthermore, CNTs having a diameter of 0.3 to 100 nm were preferred. In particular, CNT having a diameter of 0.3 to 2 nm was preferable. CNTs with a length of 0.1-100 μm were preferred. In particular, CNTs having a length of 0.1 to 5 μm were preferred. The carbon-based conductive material (CNT) 2 is preferably entangled with each other.
単層カーボンナノチューブは、如何なる製法によって得られた単層カーボンナノチューブでも良い。例えば、アーク放電法、化学気相法、レーザー蒸発法などの製法で得られた単層カーボンナノチューブを用いることが出来る。但し、結晶性の観点から、アーク放電法で得られた単層カーボンナノチューブが好ましい。このものは入手も容易である。単層カーボンナノチューブは、酸処理が施された単層カーボンナノチューブが好ましい。酸処理は、酸性液体中に単層カーボンナノチューブが浸漬されることで実施される。浸漬の代わりに噴霧と言った手法が採用されても良い。酸性液体は各種のものが用いられる。例えば、無機酸や有機酸が用いられる。但し、無機酸が好ましい。例えば、硝酸、塩酸、硫酸、リン酸、或いはこれらの混合物が挙げられる。中でも、硝酸または混酸（例えば、硝酸と硫酸との混酸）を用いた酸処理が好ましい。この酸処理によって、単層カーボンナノチューブと炭素微粒子とがアモルファスカーボンを介して物理的に結合している場合に、アモルファスカーボンを分解して両者を分離したり、単層カーボンナノチューブ作製時に使用した金属触媒の微粒子を分解することになる。単層カーボンナノチューブは、濾過によって不純物が除去され、純度が向上した単層カーボンナノチューブが好ましい。その理由は、不純物による導電性の低下や光透過率の低下が防止されるからである。濾過には各種の手法が採用される。例えば、吸引濾過、加圧濾過、クロスフロー濾過などが用いられる。中でも、スケールアップの観点から、中空糸膜を用いたクロスフロー濾過の採用が好ましい。 The single-walled carbon nanotube may be a single-walled carbon nanotube obtained by any manufacturing method. For example, single-walled carbon nanotubes obtained by production methods such as arc discharge, chemical vapor deposition, and laser evaporation can be used. However, single-walled carbon nanotubes obtained by an arc discharge method are preferred from the viewpoint of crystallinity. This is easily available. The single-walled carbon nanotube is preferably a single-walled carbon nanotube subjected to acid treatment. The acid treatment is performed by immersing single-walled carbon nanotubes in an acidic liquid. A technique called spraying may be employed instead of immersion. Various kinds of acidic liquids are used. For example, an inorganic acid or an organic acid is used. However, inorganic acids are preferred. For example, nitric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, or a mixture thereof can be used. Among these, acid treatment using nitric acid or a mixed acid (for example, a mixed acid of nitric acid and sulfuric acid) is preferable. By this acid treatment, when single-walled carbon nanotubes and carbon microparticles are physically bonded via amorphous carbon, the amorphous carbon is decomposed and separated from each other, or the metal used when producing single-walled carbon nanotubes The fine particles of the catalyst will be decomposed. The single-walled carbon nanotube is preferably a single-walled carbon nanotube in which impurities are removed by filtration and purity is improved. This is because a decrease in conductivity and a decrease in light transmittance due to impurities are prevented. Various methods are employed for filtration. For example, suction filtration, pressure filtration, cross flow filtration and the like are used. Among these, from the viewpoint of scale-up, it is preferable to employ cross flow filtration using a hollow fiber membrane.
炭素系導電材（例えば、ＣＮＴ（必要に応じて更にフラーレンを含有））含有層（炭素系導電材（ＣＮＴ）層）２Ａは、前記特徴の炭素系導電材（ＣＮＴ（必要に応じて更にフラーレンを含有））２が分散した分散液が塗布されることによって、基板３上に設けられる。例えば、金属ナノ粒状物（金属ナノワイヤ）層１Ａ上に塗布されることによって、炭素系導電材（ＣＮＴ（必要に応じて更にフラーレンを含有））層２Ａは設けられる。例えば、金属ナノワイヤ分散液が塗布された後、ＣＮＴ（必要に応じて更にフラーレンを含有）分散液が塗布される。塗布方法としては、例えばダイコート、ナイフコート、スプレー塗布、スピンコート、スリットコート、マイクログラビア、フレキソ等が挙げられる。勿論、これに限らない。前記ＣＮＴ分散液の塗布は基板３の全面に行われる。又は、前記塗布は所定のパターンで行われる。塗布は均一に行われることが好ましい。
The carbon-based conductive material (for example, CNT (including fullerene as necessary)) containing layer (carbon-based conductive material (CNT) layer) 2A is the carbon-based conductive material (CNT (fullerene as required). Is provided on the
上記においては、炭素系導電材および金属ナノ粒状物を有する導電膜は、金属ナノ粒状物（金属ナノワイヤ）層１Ａの上に、炭素系導電材含有溶液を塗布することによって得られた。炭素系導電材含有溶液が塗布されることによって、炭素系導電材は金属ナノ粒状物の間に進入して行った。すなわち、炭素系導電材と金属ナノ粒状物とが一つの層（膜）中に存在している導電膜が得られた。しかし、炭素系導電材および金属ナノ粒状物を共に含有する溶液（分散液）を塗布することによっても、炭素系導電材と金属ナノ粒状物とが一つの層（膜）中に存在している導電膜は得られる。
In the above, the electrically conductive film which has a carbon-type electrically-conductive material and a metal nanoparticulate was obtained by apply | coating a carbon-type electrically-conductive material containing solution on the metal nanoparticulate (metal nanowire)
３は基板である。基板３の構成材料としては各種のものが適宜用いられる。例えば、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、スチレン−メチルメタクリレート共重合体（ＭＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等の樹脂が用いられる。樹脂の他にも、無機ガラス材料やセラミック材料を用いることが出来る。
3 is a substrate. Various materials are appropriately used as the constituent material of the
本発明にあっては、金属ナノ粒状物（金属ナノワイヤ）層１Ａや炭素系導電材（ＣＮＴ）層２Ａは、予め、所定のパターンで塗布されたものであっても良い。すなわち、塗布時において、導電膜は、既に、所定幅（１００μｍ以下）のものであっても良い。或いは、金属ナノワイヤ層１ＡやＣＮＴ層２Ａが幅広（１００μｍ幅を越えた）に塗布され、この後、所定の手段によって、所定幅（１００μｍ以下）に形成されたものであっても良い。導電膜が幅広に塗布された後、所定幅（１００μｍ以下）に形成される手法として、例えば紫外線照射の方法が有る。用いられる紫外線は、好ましくは、波長が１０〜４００ｎｍであった。より好ましくは、１５０〜２６０ｎｍであった。特に好ましくは、１５０〜１８０ｎｍの範囲に波長を有する紫外線であった。もっと好ましくは、波長が１６０〜１７５ｎｍの紫外線であった。例えば、４００ｎｍを越えた長波長の紫外線を照射した場合には、導電性カーボンナノチューブが絶縁性に変性し難かった。因みに、通常のフォトリソグラフィプロセスに用いられる高圧水銀灯の紫外線（波長：３６５ｎｍ）照射では、変性が起こり難かった。導電性カーボンナノチューブを絶縁性に変性させる為には、照射される紫外線は、波長が２６０ｎｍ以下のものが一層好ましかった。より好ましくは１８０ｎｍ以下の紫外線であった。例えば、低圧水銀灯の紫外線（波長：１８５ｎｍ，２５４ｎｍ）照射によれば、照射個所においては、カーボンナノチューブは導電性から絶縁性に容易に変性した。但し、基板３が樹脂製の場合、基板３に変色と言った現象が認められる場合も有った。このようなことから、照射紫外線は１８０ｎｍ以下、更には１７５ｎｍ以下の波長のものが特に好ましかった。例えば、キセノンエキシマランプによる紫外線（波長：１７２ｎｍ）は格別に好ましいものであった。上記特性の紫外線照射の時間は、例えば１０秒〜１時間程度であった。好ましくは４０分以下であった。紫外線照射の積算光量は、例えば１００〜１００，０００ｍＪ／ｃｍ２程度であった。好ましくは１００〜３０，０００ｍＪ／ｃｍ２であった。積算光量はカーボンナノチューブ層の厚さによっても多少変動する。オーバーコート層４が有ると、カーボンナノチューブは、より短時間で、導電性から絶縁性に変性した。オーバーコート層４の種類や厚さによっても変動した。特に、加水分解性オルガノシランの加水分解物を含有する組成物であると、照射時間が、大幅に、短縮された。オーバーコート層４の厚さは、好ましくは、１０ｎｍ〜２００ｎｍであった。更に好ましくは、５０ｎｍ〜１５０ｎｍであった。
In the present invention, the metal nanoparticulate (metal nanowire)
以下、具体的な実施例が挙げられる。但し、本発明は以下の実施例にのみ限定されない。本発明の特長が大きく損なわれない限り、各種の変形例や応用例も本発明に含まれる。 Specific examples will be given below. However, the present invention is not limited only to the following examples. Various modifications and application examples are also included in the present invention as long as the features of the present invention are not greatly impaired.
［実施例１］
図２〜図４は第１実施例の導電膜の製造工程図である。図は概略断面図である。
[Example 1]
2 to 4 are manufacturing process diagrams of the conductive film of the first embodiment. The figure is a schematic sectional view.
カーボンナノチューブ分散液が得られた。これは次の方法による。アーク放電により合成されたシングルウォールカーボンナノチューブに対して、酸処理、水洗浄、遠心分離が行われた。この精製カーボンナノチューブに、界面活性剤（ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム：ＳＤＢＳ）０．２ｗｔ％水溶液が、加えられた。このカーボンナノチューブ含有水溶液に対して、超音波装置により、分散処理が行われた。次いで、遠心分離、濾過が行われた。このようにしてカーボンナノチューブ分散液（ＣＮＴ：３２００ｐｐｍ）が得られた。前記ＣＮＴの平均長さは３μｍであった。平均直径は１．４ｎｍであった。 A carbon nanotube dispersion was obtained. This is due to the following method. The single wall carbon nanotubes synthesized by arc discharge were subjected to acid treatment, water washing and centrifugation. A surfactant (sodium dodecylbenzenesulfonate: SDBS) 0.2 wt% aqueous solution was added to the purified carbon nanotubes. The carbon nanotube-containing aqueous solution was subjected to a dispersion treatment using an ultrasonic device. Subsequently, centrifugation and filtration were performed. Thus, a carbon nanotube dispersion liquid (CNT: 3200 ppm) was obtained. The average length of the CNT was 3 μm. The average diameter was 1.4 nm.
銀ナノワイヤ含有溶液が得られた。これは次の方法による。銀ナノワイヤの水分散溶液（１０ｍｇ／ｍｌ、ＳＬＶ−３５；イーエムジャパン株式会社製)１ｍＬと、純水１９９ｍＬとが混合された。前記銀ナノワイヤの平均長さは１０μｍであった。平均直径は３５ｎｍであった。 A silver nanowire-containing solution was obtained. This is due to the following method. 1 mL of an aqueous dispersion of silver nanowires (10 mg / ml, SLV-35; manufactured by EM Japan Ltd.) and 199 mL of pure water were mixed. The average length of the silver nanowires was 10 μm. The average diameter was 35 nm.
前記銀ナノワイヤ含有溶液が、透明基板（ＰＥＴフィルム：ＭＫＺ−Ｔ４Ｂ（東山フイルム社製））３上に、５６ｍｇ／ｍ２の割合で、塗布された。塗布方法はスプレーコーティングである。乾燥後、銀ナノワイヤ層１Ａが形成された。
The silver nanowire-containing solution was applied on a transparent substrate (PET film: MKZ-T4B (manufactured by Higashiyama Film)) 3 at a rate of 56 mg / m 2 . The application method is spray coating. After drying, a
前記カーボンナノチューブ分散液が、銀ナノワイヤ層１Ａ上に塗布された。塗布方法はスプレーコーティングである。塗布厚（乾燥後の厚さ）は０．０５μｍで、カーボンナノチューブ重量は１ｍｇ／ｍ２であった。塗布後、メタノールによる洗浄が行われた。これにより、塗膜（カーボンナノチューブ層）中に含まれる界面活性剤が取り除かれた。この後、乾燥（２分間；１００℃）が行われた。これにより、カーボンナノチューブ層２Ａが、銀ナノワイヤ層１Ａ上に、設けられた。このカーボンナノチューブ層２Ａは、隙間を、多く持っている。塗布されたカーボンナノチューブは、銀ナノワイヤ層１Ａ中に進入していた。
The carbon nanotube dispersion was applied onto the
この後、カーボンナノチューブ層２Ａの上から、２．５ｗｔ％エアロセラ溶液（加水分解性オルガノシラン含有組成物：パナソニック株式会社製）が塗布された。塗布方法はスピンコーティングである。塗布厚（乾燥後の厚さ）は０．１μｍであった。このエアロセラ溶液は、前記カーボンナノチューブの隙間の中に、含浸していた。４は、前記エアロセラ溶液の塗布によって構成された層である。
Thereafter, a 2.5 wt% aerocera solution (hydrolyzable organosilane-containing composition: manufactured by Panasonic Corporation) was applied on the
この後、フォトリソグラフィー法により、エアロセラ層４の上にマスク（ＯＭＲ−１００、東京応化株式会社製）５が設けられた。
Thereafter, a mask (OMR-100, manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) 5 was provided on the
この後、上方から、紫外線（キセノンエキシマランプ：波長：１７２ｎｍ）が照射された。紫外線が、マスク５の存在しない個所に、照射された。紫外線照射時の雰囲気は、窒素９４％、酸素６％であった。前記混合気体圧力は１．０１３×１０５Ｐａであった。照射紫外線の積算光量は１０，５６０ｍＪ／ｃｍ２であった。
Thereafter, ultraviolet rays (xenon excimer lamp: wavelength: 172 nm) were irradiated from above. Ultraviolet rays were radiated to areas where the
前記紫外線照射個所の導電層は導電性を失っていた。紫外線未照射領域（マスク５対応個所）の導電層は導電性を保持していた。マスク５幅は３０μｍ，５０μｍ，８０μｍ，５００μｍの４種類が作成された。
The conductive layer at the ultraviolet irradiation site had lost its conductivity. The conductive layer in the ultraviolet non-irradiated region (corresponding portion of the mask 5) maintained conductivity. Four types of
［実施例２］
実施例１において、前記銀ナノワイヤ量が９ｍｇ／ｍ２、前記ＣＮＴ量が５ｍｇ／ｍ２以外は、実施例１に準じて行われた。
[Example 2]
In Example 1, it carried out according to Example 1 except the amount of the silver nanowire being 9 mg / m 2 and the amount of CNT being 5 mg / m 2 .
［比較例１］
市販品（表面抵抗値：８０Ω／□）の銀ナノワイヤ透明導電膜が用いられた。この透明導電膜はＣＮＴを含有していない。前記透明導電膜が、強酸エッチングにより、所定幅に形成された。
[Comparative Example 1]
A commercially available silver nanowire transparent conductive film (surface resistance value: 80Ω / □) was used. This transparent conductive film does not contain CNT. The transparent conductive film was formed in a predetermined width by strong acid etching.
［参考例１］
実施例１において、前記銀ナノワイヤ量が０ｍｇ／ｍ２、前記ＣＮＴ量が１７ｍｇ／ｍ２以外は、実施例１に準じて行われた。
[Reference Example 1]
In Example 1, it carried out according to Example 1 except the amount of the silver nanowire being 0 mg / m 2 and the amount of the CNT being 17 mg / m 2 .
［特性］
実施例１，２、比較例１、及び参考例１の導電膜の断線率（導通性が得られなかった導電膜の本数／導通性が調べられた導電膜の本数）、表面電気抵抗が調べられた。その結果が、表−１，２に示される。
[Characteristic]
Breaking rate of conductive films of Examples 1 and 2, Comparative Example 1 and Reference Example 1 (number of conductive films in which conductivity was not obtained / number of conductive films in which conductivity was examined), surface electrical resistance was examined. It was. The results are shown in Tables -1.
表−１（断線率：％）
マスク幅（導電膜の幅）
３０μｍ ５０μｍ ８０μｍ ５００μｍ
実施例１ ０ ０ ０ ０
実施例２ ０ ０ ０ ０
比較例１ ７５ ２５ ３８ ０
参考例１ ０ ０ ０ ０
表−２（表面電気抵抗：Ω／□）
実施例１ ２０
実施例２ １５０
比較例１ ８０
参考例１ ８００
Table-1 (Disconnection rate:%)
Mask width (conductive film width)
30 μm 50 μm 80 μm 500 μm
Example 1 0 0 0 0
Example 2 0 0 0 0
Comparative Example 1 75 25 38 0
Reference Example 1 0 0 0 0
Table-2 (Surface electrical resistance: Ω / □)
Example 1 20
Example 2 150
Comparative Example 1 80
Reference Example 1 800
上記表−１から判る通り、実施例１，２の導電膜は、断線率が低い。すなわち、導電膜を形成した場合に、断線が起き難い。 As can be seen from Table 1 above, the conductive films of Examples 1 and 2 have a low disconnection rate. That is, when a conductive film is formed, disconnection hardly occurs.
これに対して、導電膜がＣＮＴを含有しない比較例１の導電膜は、幅が広い場合には、断線が起きていないものの、幅が狭くなると、断線が起きている。このことは、導電膜の不良品発生率が高いことを意味している。 On the other hand, the conductive film of Comparative Example 1 in which the conductive film does not contain CNT has no disconnection when the width is wide, but the disconnection occurs when the width becomes narrow. This means that the defective product occurrence rate of the conductive film is high.
この理由は次のようなことであろうと発明者は考えている。金属ナノワイヤは、図５（ａ）（ｂ）に示す如く、存在している。図５（ａ）は、導電膜の幅が広い場合である。図５（ｂ）は、導電膜の幅が狭い場合である。導電膜の幅が広いと、金属ナノワイヤは、何所かで、繋がっている（図５（ａ）参照）。しかし、導電膜の幅が狭いと、金属ナノワイヤの接続が途切れる個所が出来る（図５（ｂ）参照）。金属ナノワイヤの接続が途切れた個所にＣＮＴが存在していると、金属ナノワイヤ−ＣＮＴ−金属ナノワイヤと言った形態で、電気的接続が確保される。従って、実施例１，２では断線が起き難かったのに対して、比較例１では断線が起き易かったと推定された。 The inventor believes that the reason for this is as follows. Metal nanowires exist as shown in FIGS. 5 (a) and 5 (b). FIG. 5A shows the case where the conductive film is wide. FIG. 5B shows the case where the width of the conductive film is narrow. When the width of the conductive film is wide, the metal nanowires are connected at some places (see FIG. 5A). However, when the width of the conductive film is narrow, there is a place where the connection of the metal nanowire is interrupted (see FIG. 5B). If the CNT exists at a location where the connection of the metal nanowire is interrupted, electrical connection is ensured in the form of metal nanowire-CNT-metal nanowire. Therefore, it was estimated that disconnection was less likely to occur in Examples 1 and 2, whereas disconnection was likely to occur in Comparative Example 1.
参考例１にあっては、導電膜の幅が狭くなっても、断線が起き難い。しかし、表−２から判る通り、導電膜が金属ナノワイヤを含んでいない為、表面電気抵抗が大きい。すなわち、ＣＮＴのみしか含まない導電膜は表面電気抵抗が大きい。このことは、参考例１の導電膜はリード線などに好適でないことを意味する。 In Reference Example 1, disconnection hardly occurs even when the width of the conductive film is narrowed. However, as can be seen from Table 2, since the conductive film does not contain metal nanowires, the surface electrical resistance is large. That is, a conductive film containing only CNTs has a large surface electrical resistance. This means that the conductive film of Reference Example 1 is not suitable for a lead wire or the like.
実施例１，２の導電膜は表面電気抵抗が小さい。このことは、実施例１，２の導電膜はリード線などに好適であることを意味する。 The conductive films of Examples 1 and 2 have low surface electrical resistance. This means that the conductive films of Examples 1 and 2 are suitable for lead wires and the like.
実施例１，２の導電膜は可視光透過率が高い。 The conductive films of Examples 1 and 2 have high visible light transmittance.
１ 金属ナノ粒状物（金属ナノワイヤ）
１Ａ 金属ナノ粒状物（金属ナノワイヤ）層
２ 炭素系導電材（ＣＮＴ）
２Ａ 炭素系導電材（ＣＮＴ）層
３ 基板
４ オーバーコート層
５ マスク
1 Metal nanoparticle (metal nanowire)
1A Metal nanoparticle (metal nanowire)
2A Carbon-based conductive material (CNT)
Claims (12)
前記導電膜は、炭素系導電材、及び金属ナノ粒状物を有する
ことを特徴とする導電膜。 A linear conductive film having a width of 100 μm or less,
The conductive film includes a carbon-based conductive material and metal nanoparticulates.
ことを特徴とする請求項１の導電膜。 The conductive film according to claim 1, wherein the conductive film has a width of 1 μm or more.
ことを特徴とする請求項１又は請求項２の導電膜。 The conductive film according to claim 1, wherein the metal nanoparticulate material is a metal nanowire.
ことを特徴とする請求項１〜請求項３いずれかの導電膜。 The conductive film according to any one of claims 1 to 3, wherein the metal constituting the metal nanoparticulate is Ag.
ことを特徴とする請求項１〜請求項４いずれかの導電膜。 5. The conductive film according to claim 1, wherein the metal nanoparticulate material has a length of 1 to 100 μm and a diameter of 10 to 200 nm.
ことを特徴とする請求項１〜請求項５いずれかの導電膜。 6. The conductive film according to claim 1, wherein the carbon-based conductive material is one or more selected from the group consisting of carbon nanotubes and graphene.
ことを特徴とする請求項１〜請求項６いずれかの導電膜。 The conductive film according to claim 1, wherein the carbon-based conductive material is a carbon nanotube.
ことを特徴とする請求項１〜請求項７いずれかの導電膜。 The conductive film according to claim 1, wherein the carbon-based conductive material has a length of 0.1 to 100 μm and a diameter of 0.3 to 100 nm.
ことを特徴とする請求項１〜請求項８いずれかの導電膜。 The conductive film according to claim 1, wherein (the diameter of the carbon-based conductive material) <(the diameter of the metal nanoparticle).
ことを特徴とする請求項１〜請求項９いずれかの導電膜。 10. The conductive film according to claim 1, wherein (the length of the carbon-based conductive material) <(the length of the metal nanoparticle).
前記金属ナノ粒状物の密度が０．１〜６０ｍｇ／ｍ２である
ことを特徴とする請求項１〜請求項１１いずれかの導電膜。 The carbon-based conductive material has a density of 0.1 to 30 mg / m 2 ,
The conductive film according to claim 1, wherein the density of the metal nanoparticulate material is 0.1 to 60 mg / m 2 .
ことを特徴とする請求項１〜請求項１１いずれかの導電膜。
The conductive film according to any one of claims 1 to 11, wherein the conductive film has a length in a longitudinal direction of 10 µm or more.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014141526A JP2016018713A (en) | 2014-07-09 | 2014-07-09 | Conductive film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014141526A JP2016018713A (en) | 2014-07-09 | 2014-07-09 | Conductive film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016018713A true JP2016018713A (en) | 2016-02-01 |
Family
ID=55233791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014141526A Pending JP2016018713A (en) | 2014-07-09 | 2014-07-09 | Conductive film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2016018713A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106024200A (en) * | 2016-06-24 | 2016-10-12 | 成都天航智虹企业管理咨询有限公司 | Method for preparing graphene conductive thin film |
| CN106082693A (en) * | 2016-06-24 | 2016-11-09 | 成都天航智虹企业管理咨询有限公司 | A kind of method preparing transparent graphene conductive film |
| JP2020167101A (en) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 古河電気工業株式会社 | Carbon nanotube wire |
| CN111933351A (en) * | 2020-07-27 | 2020-11-13 | 邵峥业 | Carbon nano tube composite transparent conductive film and preparation method thereof |
-
2014
- 2014-07-09 JP JP2014141526A patent/JP2016018713A/en active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106024200A (en) * | 2016-06-24 | 2016-10-12 | 成都天航智虹企业管理咨询有限公司 | Method for preparing graphene conductive thin film |
| CN106082693A (en) * | 2016-06-24 | 2016-11-09 | 成都天航智虹企业管理咨询有限公司 | A kind of method preparing transparent graphene conductive film |
| JP2020167101A (en) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 古河電気工業株式会社 | Carbon nanotube wire |
| JP7269070B2 (en) | 2019-03-29 | 2023-05-08 | 古河電気工業株式会社 | carbon nanotube wire |
| CN111933351A (en) * | 2020-07-27 | 2020-11-13 | 邵峥业 | Carbon nano tube composite transparent conductive film and preparation method thereof |
| CN111933351B (en) * | 2020-07-27 | 2021-06-08 | 浙江鑫柔科技有限公司 | Carbon nano tube composite transparent conductive film and preparation method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Gong et al. | Fabrication of highly transparent and flexible nanomesh electrode via self‐assembly of ultrathin gold nanowires | |
| TWI518756B (en) | Patterned conductive film, method of fabricating the same, and application thereof | |
| US20150027755A1 (en) | Transparent conductive film, substrate carrying transparent conductive film, and production method thereof | |
| JP4528302B2 (en) | How to classify carbon nanotubes | |
| Correa-Duarte et al. | Layer-by-layer assembly of multiwall carbon nanotubes on spherical colloids | |
| WO2012176905A1 (en) | Method for forming conductive film, conductive film, insulation method, and insulation film | |
| JP6449559B2 (en) | Nanostructure dispersion and transparent conductor | |
| JP2016018713A (en) | Conductive film | |
| KR20060003332A (en) | Methods and apparatus for patterned deposition of nanostructure-containing materials by self-assembly and related articles | |
| US20090038832A1 (en) | Device and method of forming electrical path with carbon nanotubes | |
| JP5273050B2 (en) | Switching element and manufacturing method thereof | |
| US20090269505A1 (en) | Method for manufacturing a substrate with surface structure by employing photothermal effect | |
| JP3864229B2 (en) | Method for producing nanogap electrode and device having nanogap electrode produced by the method | |
| JP2011029035A (en) | Base material with transparent conductive film, and manufacturing method of base material with transparent conductive film | |
| KR20130009767A (en) | Methods for controlling density, porosity, and/or gap size within nanotube fabric layers and films | |
| Naito et al. | Transparent conducting films composed of graphene oxide/Ag nanowire/graphene oxide/PET | |
| CN104681418B (en) | A kind of preparation method of nanoscale microstructures | |
| JP2012216411A (en) | Method of manufacturing nanoparticle-containing layer and device of manufacturing the same, method of manufacturing conductive structure and device of manufacturing the same | |
| JP6352085B2 (en) | Film and film forming method | |
| WO2014098158A1 (en) | Film forming method, conductive film, and insulating film | |
| Li et al. | Ultrathin AuAg Nanofilms from Ice‐Templated Assembly of AuAg Nanowires | |
| KR20170137796A (en) | Process for producing a patterned transparent conductive film and a transparent conductive film | |
| TWI441577B (en) | Method of thermal dissipation | |
| KR101766828B1 (en) | Method for forming metal mesh and semiconductor device having the metal mesh | |
| JP2016018714A (en) | Conductive film |