JP2016018713A - 導電膜 - Google Patents

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圭佑 榎本
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基実 松島
浩志 松木
Hiroshi Matsuki
浩志 松木
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Tokihito Tanaka
斎仁 田中
富明 大竹
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富明 大竹
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Abstract

【課題】断線が起き難く透明性及び導電性が共に確保された線状の導電膜の提供。【解決手段】幅が1〜100μmであり、長手方向における長さが10μm以上の線状の導電膜であって、長さが0.1〜100μm、直径が0.3〜100nmのカーボンナノチューブ及びグラフェンの群の中から選ばれる一種又は二種以上の炭素系導電材2、及び長さが1〜100μm、直径が10〜200nmのAgからなる金属ナノ粒状物1を有し、炭素系導電材と金属ナノ粒状物の間に、(炭素系導電材の直径)<(金属ナノ粒状物の直径)、(炭素系導電材の長さ)<(金属ナノ粒状物の長さ)の関係を有し、炭素系導電材の密度が0.1〜30mg/m2であり、金属ナノ粒状物の密度が0.1〜60mg/m2である導電膜。【選択図】図1

Description

本発明は、幅が100μm以下の線状の導電膜に関する。
金属ナノワイヤが用いられた透明導電膜が提案されている。
特開2010−44968公報 特表2010−525526公報
透明導電膜に用いられる金属ナノワイヤは次の特徴を持っている。例えば、直径が30〜100nmである。長さが10〜100μmである。
導電膜の透明性(高光透過率)を確保する為には、前記金属ナノワイヤの割合(量:密度)が低い方が好ましい。しかし、金属ナノワイヤ量が少なくなると、導電性が低下する。特に、導電膜の幅が狭くなると、断線が起き易かった。すなわち、導電性が確保でき難かった。例えば、導電膜の幅が100μm以下になると、導電性が確保できない場合が多発することが判って来た。
従って、本発明が解決しようとする課題は、導電性が確保された導電膜を提供することである。特に、透明性および導電性が共に確保された導電膜を提供することである。中でも、幅狭(幅が100μm以下)な場合において、透明性および導電性が共に確保された導電膜を提供することである。
前記課題を解決する為の検討が、鋭意、推し進められた。その結果、導電性材料として、金属ナノワイヤとカーボンナノチューブとが併用された場合、導電膜の幅が狭くなっても、導電性が確保できており、かつ、透明性も高いことが判って来た。
特許文献1,2は、導電性材料として、金属ナノワイヤ及びカーボンナノチューブを開示している。
しかし、特許文献1,2は幅狭な導電膜を開示していない。特に、幅が100μm以下の導電膜を開示していない。このことを示唆する記載も皆無である。
特許文献1,2は、導電性材料が金属ナノワイヤのみの場合、導電膜の幅が100μm以下になると、導電性が確保されない(断線が起きる)場合が多発する旨を開示していない。このことを示唆する記載も皆無である。
特許文献1,2は、導電性材料として金属ナノワイヤとカーボンナノチューブとが併用された場合、導電膜の幅が100μm以下になっても、導電性が確保される旨を開示していない。このことを示唆する記載も皆無である。
従って、特許文献1,2から本願発明を想到せしめる動機付けは得られない。
本発明は、
幅が100μm以下の線状の導電膜であって、
前記導電膜は、炭素系導電材、及び金属ナノ粒状物を有する
ことを特徴とする導電膜を提案する。
本発明は、前記導電膜であって、前記導電膜は、幅が1μm以上であることを特徴とする導電膜を提案する。
本発明は、前記導電膜であって、前記金属ナノ粒状物が金属ナノワイヤであることを特徴とする導電膜を提案する。
本発明は、前記導電膜であって、前記金属ナノ粒状物を構成する金属がAgであることを特徴とする導電膜を提案する。
本発明は、前記導電膜であって、前記金属ナノ粒状物は、長さが1〜100μm、直径が10〜200nmであることを特徴とする導電膜を提案する。
本発明は、前記導電膜であって、前記炭素系導電材がカーボンナノチューブ及びグラフェンの群の中から選ばれる一種または二種以上のものであることを特徴とする導電膜を提案する。
本発明は、前記導電膜であって、前記炭素系導電材がカーボンナノチューブであることを特徴とする導電膜を提案する。
本発明は、前記導電膜であって、前記炭素系導電材は、長さが0.1〜100μm、直径が0.3〜100nmであることを特徴とする導電膜を提案する。
本発明は、前記導電膜であって、(前記炭素系導電材の直径)<(前記金属ナノ粒状物の直径)であることを特徴とする導電膜を提案する。
本発明は、前記導電膜であって、(前記炭素系導電材の長さ)<(前記金属ナノ粒状物の長さ)であることを特徴とする導電膜を提案する。
本発明は、前記導電膜であって、前記炭素系導電材の密度が0.1〜30mg/mであり、前記金属ナノ粒状物の密度が0.1〜60mg/mであることを特徴とする導電膜を提案する。
本発明は、前記導電膜であって、前記導電膜は、長手方向における長さが10μm以上であることを特徴とする導電膜を提案する。
本発明は、前記導電膜であって、前記導電膜が透明導電膜であることを特徴とする導電膜を提案する。
導電膜は、幅が100μm以下であるにも拘わらず、透明性および導電性が共に確保されていた。
金属ナノワイヤ及び導電性炭素材で形成された導電膜のイメージ図 金属ナノワイヤ分散液塗布後の概略断面図 カーボンナノチューブ分散液塗布後の概略断面図 紫外線照射時の概略断面図 金属ナノワイヤの存在具合を説明する概略平面図
本発明の実施形態が説明される。本発明は導電膜である。前記導電膜は幅が100μm以下である。前記導電膜は線状である。前記導電膜は、炭素系導電材、及び金属ナノ粒状物を有する。
前記導電膜は、好ましくは、幅が100μm以下であった。更に好ましくは、幅が60μm以下であった。好ましくは、幅が10μm以上であった。
前記金属ナノ粒状物は、好ましくは、金属ナノワイヤである。前記金属は、好ましくは、Agである。前記金属ナノ粒状物(金属ナノワイヤ)は、好ましくは、長さ(平均長さ)が1〜100μmであった。更に好ましくは、3μm以上であった。更に好ましくは、70μm以下であった。もっと好ましくは、50μm以下であった。前記金属ナノ粒状物(金属ナノワイヤ)は、好ましくは、直径(平均直径)が10〜200nmであった。更に好ましくは、20nm以上であった。更に好ましくは、150nm以下であった。もっと好ましくは、100nm以下であった。
前記炭素系導電材は、好ましくは、カーボンナノチューブ及びグラフェンの群の中から選ばれる一種または二種以上のものである。特に好ましくは、カーボンナノチューブである。前記炭素系導電材(カーボンナノチューブ)は、好ましくは、長さ(平均長さ)が0.1〜100μmであった。更に好ましくは、50μm以下であった。もっと好ましくは、10μm以下であった。前記炭素系導電材(カーボンナノチューブ)は、好ましくは、直径(平均直径)が0.3〜100nmであった。更に好ましくは、0.7nm以上であった。もっと好ましくは、0.9nm以上であった。更に好ましくは、50nm以下であった。もっと好ましくは、10nm以下であった。好ましくは、(前記炭素系導電材の直径)<(前記金属ナノ粒状物の直径)であった。好ましくは、(前記炭素系導電材の長さ)<(前記金属ナノ粒状物の長さ)であった。
前記導電膜中の前記炭素系導電材(カーボンナノチューブ)は、好ましくは、密度が0.1〜30mg/mであった。更に好ましくは、1mg/m以上であった。更に好ましくは、20mg/m以下であった。
前記導電膜中の前記金属ナノ粒状物(金属ナノワイヤ)は、好ましくは、密度が0.1〜60mg/mであった。更に好ましくは、1mg/m以上であった。更に好ましくは、50mg/m以下であった。前記密度は、前記導電膜を真上から見た場合における単位面積当たりの単位質量である。
前記導電膜は、好ましくは、長手方向における長さが10μm以上である。特に、100μm以上である。上限値に格別な制約は無い。用途によって決まる。長手方向は、例えば前記幅に直交する方向である。長手方向は、例えば電流が流れる方向である。長手方向の端部には、例えば電極が存在する。
前記導電膜は、好ましくは、透明導電膜である。透明性は、光(可視光)透過率が、好ましくは、70%以上である。更に好ましくは、80%以上である。
以下、更に詳しい説明がされる。
本発明の一実施形態が、図1〜図3によって、説明される。図1は、金属ナノワイヤと炭素系導電材により形成される透明導電膜のイメージ図である。図2は、金属ナノワイヤ分散液が基板上に塗布された後の概略断面図である。図3は、金属ナノワイヤ分散液塗膜(金属ナノワイヤ層)上に、カーボンナノチューブ分散液が塗布された後の概略断面図である。
各図中、1は金属ナノ粒状物である。特に、金属ナノワイヤである。1Aは金属ナノ粒状物(金属ナノワイヤ)層である。金属ナノワイヤ1は、如何なる製造方法で製造されたものでも良い。例えば、液相法、又は気相法などによって製造できる。Adv.Mater.2002,14,P833〜837や、Chem.Mater.2002,14,P4736〜4745等に、Agナノワイヤの製造方法が開示されている。特開2006−233252号公報などには、Auナノワイヤの製造方法が開示されている。特開2002−266007号公報などには、Cuナノワイヤの製造方法が開示されている。特開2004−149871号公報などには、Coナノワイヤの製造方法が開示されている。上記Adv.Mater.及びChem.Mater.は、水系で、簡便に、かつ、大量に、Agナノワイヤを製造する技術を開示している。銀の導電率は金属中で最大であるから、金属ナノワイヤは銀ナノワイヤであることが好ましい。
金属ナノワイヤ1の直径(平均直径)は、透明性の観点から、好ましくは、200nm以下であった。導電性の観点から、好ましくは、10nm以上であった。平均直径が200nm以下の場合、光散乱の影響が軽減される。平均直径は小さな方が、光透過率低下やヘイズ劣化の抑制から、好ましい。平均直径が10nm以上の場合、導電体としての機能が有意に発現される。平均直径は大きい方が、導電性が向上する。従って、より好ましくは、平均直径が20nm以上であった。150nm以下であった。更に好ましくは、30nm以上であった。100nm以下であった。金属ナノワイヤ1の長さ(平均長さ)は、導電性の観点から、好ましくは、1μm以上であった。凝集による透明性への影響から、好ましくは、100μm以下であった。より好ましくは、3μm以上であった。50μm以下であった。金属ナノワイヤの平均直径及び平均長さは、SEMやTEMを用いて十分な数のナノワイヤを写真撮影し、個々の金属ナノワイヤ像の計測値の算術平均から求めることが出来る。
金属ナノ粒状物(金属ナノワイヤ)含有層(金属ナノ粒状物(金属ナノワイヤ)層)1Aは、前記特徴の金属ナノ粒状物(金属ナノワイヤ)1が分散した分散液が塗布されることによって、基板3上に設けられる。塗布方法としては、例えばダイコート、ナイフコート、スプレー塗布、スピンコート、スリットコート、マイクログラビア、フレキソ等が挙げられる。勿論、これに限らない。前記塗布は基板3の全面に行われる。又は、前記塗布は所定のパターンで行われる。塗布は均一に行われることが好ましい。
2は炭素系導電材である。炭素系導電材2は、例えばグラフェンである。或いは、カーボンナノチューブである。好ましくは、カーボンナノチューブである。特に、単層カーボンナノチューブである。中でも、例えば酸処理を受けた単層カーボンナノチューブである。
前記カーボンナノチューブ(CNT)としては、単層カーボンナノチューブ、2層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ等が挙げられる。中でも、単層カーボンナノチューブが好ましい。特に、G(1590cm−1付近に表れるグラファイト物質に共通なラマンピークにおける強度)/D(1350cm−1付近に表れる欠陥に起因するラマンピークにおける強度)≧10のカーボンナノチューブが好ましい。G/Dの上限値は、例えば150程度である。例えば、G/Dが20〜60のカーボンナノチューブが好ましかった。更には、直径が0.3〜100nmのCNTが好ましかった。特に、直径が0.3〜2nmのCNTが好ましかった。長さが0.1〜100μmのCNTが好ましかった。特に、長さが0.1〜5μmのCNTが好ましかった。前記炭素系導電材(CNT)2は、好ましくは、互いに、絡み合ったものである。
単層カーボンナノチューブは、如何なる製法によって得られた単層カーボンナノチューブでも良い。例えば、アーク放電法、化学気相法、レーザー蒸発法などの製法で得られた単層カーボンナノチューブを用いることが出来る。但し、結晶性の観点から、アーク放電法で得られた単層カーボンナノチューブが好ましい。このものは入手も容易である。単層カーボンナノチューブは、酸処理が施された単層カーボンナノチューブが好ましい。酸処理は、酸性液体中に単層カーボンナノチューブが浸漬されることで実施される。浸漬の代わりに噴霧と言った手法が採用されても良い。酸性液体は各種のものが用いられる。例えば、無機酸や有機酸が用いられる。但し、無機酸が好ましい。例えば、硝酸、塩酸、硫酸、リン酸、或いはこれらの混合物が挙げられる。中でも、硝酸または混酸(例えば、硝酸と硫酸との混酸)を用いた酸処理が好ましい。この酸処理によって、単層カーボンナノチューブと炭素微粒子とがアモルファスカーボンを介して物理的に結合している場合に、アモルファスカーボンを分解して両者を分離したり、単層カーボンナノチューブ作製時に使用した金属触媒の微粒子を分解することになる。単層カーボンナノチューブは、濾過によって不純物が除去され、純度が向上した単層カーボンナノチューブが好ましい。その理由は、不純物による導電性の低下や光透過率の低下が防止されるからである。濾過には各種の手法が採用される。例えば、吸引濾過、加圧濾過、クロスフロー濾過などが用いられる。中でも、スケールアップの観点から、中空糸膜を用いたクロスフロー濾過の採用が好ましい。
炭素系導電材(例えば、CNT(必要に応じて更にフラーレンを含有))含有層(炭素系導電材(CNT)層)2Aは、前記特徴の炭素系導電材(CNT(必要に応じて更にフラーレンを含有))2が分散した分散液が塗布されることによって、基板3上に設けられる。例えば、金属ナノ粒状物(金属ナノワイヤ)層1A上に塗布されることによって、炭素系導電材(CNT(必要に応じて更にフラーレンを含有))層2Aは設けられる。例えば、金属ナノワイヤ分散液が塗布された後、CNT(必要に応じて更にフラーレンを含有)分散液が塗布される。塗布方法としては、例えばダイコート、ナイフコート、スプレー塗布、スピンコート、スリットコート、マイクログラビア、フレキソ等が挙げられる。勿論、これに限らない。前記CNT分散液の塗布は基板3の全面に行われる。又は、前記塗布は所定のパターンで行われる。塗布は均一に行われることが好ましい。
上記においては、炭素系導電材および金属ナノ粒状物を有する導電膜は、金属ナノ粒状物(金属ナノワイヤ)層1Aの上に、炭素系導電材含有溶液を塗布することによって得られた。炭素系導電材含有溶液が塗布されることによって、炭素系導電材は金属ナノ粒状物の間に進入して行った。すなわち、炭素系導電材と金属ナノ粒状物とが一つの層(膜)中に存在している導電膜が得られた。しかし、炭素系導電材および金属ナノ粒状物を共に含有する溶液(分散液)を塗布することによっても、炭素系導電材と金属ナノ粒状物とが一つの層(膜)中に存在している導電膜は得られる。
3は基板である。基板3の構成材料としては各種のものが適宜用いられる。例えば、ポリスチレン(PS)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、スチレン−メチルメタクリレート共重合体(MS)、ポリカーボネート(PC)、シクロオレフィンポリマー(COP)、シクロオレフィンコポリマー(COC)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等の樹脂が用いられる。樹脂の他にも、無機ガラス材料やセラミック材料を用いることが出来る。
本発明にあっては、金属ナノ粒状物(金属ナノワイヤ)層1Aや炭素系導電材(CNT)層2Aは、予め、所定のパターンで塗布されたものであっても良い。すなわち、塗布時において、導電膜は、既に、所定幅(100μm以下)のものであっても良い。或いは、金属ナノワイヤ層1AやCNT層2Aが幅広(100μm幅を越えた)に塗布され、この後、所定の手段によって、所定幅(100μm以下)に形成されたものであっても良い。導電膜が幅広に塗布された後、所定幅(100μm以下)に形成される手法として、例えば紫外線照射の方法が有る。用いられる紫外線は、好ましくは、波長が10〜400nmであった。より好ましくは、150〜260nmであった。特に好ましくは、150〜180nmの範囲に波長を有する紫外線であった。もっと好ましくは、波長が160〜175nmの紫外線であった。例えば、400nmを越えた長波長の紫外線を照射した場合には、導電性カーボンナノチューブが絶縁性に変性し難かった。因みに、通常のフォトリソグラフィプロセスに用いられる高圧水銀灯の紫外線(波長:365nm)照射では、変性が起こり難かった。導電性カーボンナノチューブを絶縁性に変性させる為には、照射される紫外線は、波長が260nm以下のものが一層好ましかった。より好ましくは180nm以下の紫外線であった。例えば、低圧水銀灯の紫外線(波長:185nm,254nm)照射によれば、照射個所においては、カーボンナノチューブは導電性から絶縁性に容易に変性した。但し、基板3が樹脂製の場合、基板3に変色と言った現象が認められる場合も有った。このようなことから、照射紫外線は180nm以下、更には175nm以下の波長のものが特に好ましかった。例えば、キセノンエキシマランプによる紫外線(波長:172nm)は格別に好ましいものであった。上記特性の紫外線照射の時間は、例えば10秒〜1時間程度であった。好ましくは40分以下であった。紫外線照射の積算光量は、例えば100〜100,000mJ/cm程度であった。好ましくは100〜30,000mJ/cmであった。積算光量はカーボンナノチューブ層の厚さによっても多少変動する。オーバーコート層4が有ると、カーボンナノチューブは、より短時間で、導電性から絶縁性に変性した。オーバーコート層4の種類や厚さによっても変動した。特に、加水分解性オルガノシランの加水分解物を含有する組成物であると、照射時間が、大幅に、短縮された。オーバーコート層4の厚さは、好ましくは、10nm〜200nmであった。更に好ましくは、50nm〜150nmであった。
以下、具体的な実施例が挙げられる。但し、本発明は以下の実施例にのみ限定されない。本発明の特長が大きく損なわれない限り、各種の変形例や応用例も本発明に含まれる。
[実施例1]
図2〜図4は第1実施例の導電膜の製造工程図である。図は概略断面図である。
カーボンナノチューブ分散液が得られた。これは次の方法による。アーク放電により合成されたシングルウォールカーボンナノチューブに対して、酸処理、水洗浄、遠心分離が行われた。この精製カーボンナノチューブに、界面活性剤(ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム:SDBS)0.2wt%水溶液が、加えられた。このカーボンナノチューブ含有水溶液に対して、超音波装置により、分散処理が行われた。次いで、遠心分離、濾過が行われた。このようにしてカーボンナノチューブ分散液(CNT:3200ppm)が得られた。前記CNTの平均長さは3μmであった。平均直径は1.4nmであった。
銀ナノワイヤ含有溶液が得られた。これは次の方法による。銀ナノワイヤの水分散溶液(10mg/ml、SLV−35;イーエムジャパン株式会社製)1mLと、純水199mLとが混合された。前記銀ナノワイヤの平均長さは10μmであった。平均直径は35nmであった。
前記銀ナノワイヤ含有溶液が、透明基板(PETフィルム:MKZ−T4B(東山フイルム社製))3上に、56mg/mの割合で、塗布された。塗布方法はスプレーコーティングである。乾燥後、銀ナノワイヤ層1Aが形成された。
前記カーボンナノチューブ分散液が、銀ナノワイヤ層1A上に塗布された。塗布方法はスプレーコーティングである。塗布厚(乾燥後の厚さ)は0.05μmで、カーボンナノチューブ重量は1mg/mであった。塗布後、メタノールによる洗浄が行われた。これにより、塗膜(カーボンナノチューブ層)中に含まれる界面活性剤が取り除かれた。この後、乾燥(2分間;100℃)が行われた。これにより、カーボンナノチューブ層2Aが、銀ナノワイヤ層1A上に、設けられた。このカーボンナノチューブ層2Aは、隙間を、多く持っている。塗布されたカーボンナノチューブは、銀ナノワイヤ層1A中に進入していた。
この後、カーボンナノチューブ層2Aの上から、2.5wt%エアロセラ溶液(加水分解性オルガノシラン含有組成物:パナソニック株式会社製)が塗布された。塗布方法はスピンコーティングである。塗布厚(乾燥後の厚さ)は0.1μmであった。このエアロセラ溶液は、前記カーボンナノチューブの隙間の中に、含浸していた。4は、前記エアロセラ溶液の塗布によって構成された層である。
この後、フォトリソグラフィー法により、エアロセラ層4の上にマスク(OMR−100、東京応化株式会社製)5が設けられた。
この後、上方から、紫外線(キセノンエキシマランプ:波長:172nm)が照射された。紫外線が、マスク5の存在しない個所に、照射された。紫外線照射時の雰囲気は、窒素94%、酸素6%であった。前記混合気体圧力は1.013×105Paであった。照射紫外線の積算光量は10,560mJ/cmであった。
前記紫外線照射個所の導電層は導電性を失っていた。紫外線未照射領域(マスク5対応個所)の導電層は導電性を保持していた。マスク5幅は30μm,50μm,80μm,500μmの4種類が作成された。
[実施例2]
実施例1において、前記銀ナノワイヤ量が9mg/m、前記CNT量が5mg/m以外は、実施例1に準じて行われた。
[比較例1]
市販品(表面抵抗値:80Ω/□)の銀ナノワイヤ透明導電膜が用いられた。この透明導電膜はCNTを含有していない。前記透明導電膜が、強酸エッチングにより、所定幅に形成された。
[参考例1]
実施例1において、前記銀ナノワイヤ量が0mg/m、前記CNT量が17mg/m以外は、実施例1に準じて行われた。
[特性]
実施例1,2、比較例1、及び参考例1の導電膜の断線率(導通性が得られなかった導電膜の本数/導通性が調べられた導電膜の本数)、表面電気抵抗が調べられた。その結果が、表−1,2に示される。
表−1(断線率:%)
マスク幅(導電膜の幅)
30μm 50μm 80μm 500μm
実施例1 0 0 0 0
実施例2 0 0 0 0
比較例1 75 25 38 0
参考例1 0 0 0 0

表−2(表面電気抵抗:Ω/□)
実施例1 20
実施例2 150
比較例1 80
参考例1 800
上記表−1から判る通り、実施例1,2の導電膜は、断線率が低い。すなわち、導電膜を形成した場合に、断線が起き難い。
これに対して、導電膜がCNTを含有しない比較例1の導電膜は、幅が広い場合には、断線が起きていないものの、幅が狭くなると、断線が起きている。このことは、導電膜の不良品発生率が高いことを意味している。
この理由は次のようなことであろうと発明者は考えている。金属ナノワイヤは、図5(a)(b)に示す如く、存在している。図5(a)は、導電膜の幅が広い場合である。図5(b)は、導電膜の幅が狭い場合である。導電膜の幅が広いと、金属ナノワイヤは、何所かで、繋がっている(図5(a)参照)。しかし、導電膜の幅が狭いと、金属ナノワイヤの接続が途切れる個所が出来る(図5(b)参照)。金属ナノワイヤの接続が途切れた個所にCNTが存在していると、金属ナノワイヤ−CNT−金属ナノワイヤと言った形態で、電気的接続が確保される。従って、実施例1,2では断線が起き難かったのに対して、比較例1では断線が起き易かったと推定された。
参考例1にあっては、導電膜の幅が狭くなっても、断線が起き難い。しかし、表−2から判る通り、導電膜が金属ナノワイヤを含んでいない為、表面電気抵抗が大きい。すなわち、CNTのみしか含まない導電膜は表面電気抵抗が大きい。このことは、参考例1の導電膜はリード線などに好適でないことを意味する。
実施例1,2の導電膜は表面電気抵抗が小さい。このことは、実施例1,2の導電膜はリード線などに好適であることを意味する。
実施例1,2の導電膜は可視光透過率が高い。
1 金属ナノ粒状物(金属ナノワイヤ)
1A 金属ナノ粒状物(金属ナノワイヤ)層
2 炭素系導電材(CNT)
2A 炭素系導電材(CNT)層
3 基板
4 オーバーコート層
5 マスク

Claims (12)

  1. 幅が100μm以下の線状の導電膜であって、
    前記導電膜は、炭素系導電材、及び金属ナノ粒状物を有する
    ことを特徴とする導電膜。
  2. 前記導電膜は、幅が1μm以上である
    ことを特徴とする請求項1の導電膜。
  3. 前記金属ナノ粒状物が金属ナノワイヤである
    ことを特徴とする請求項1又は請求項2の導電膜。
  4. 前記金属ナノ粒状物を構成する金属がAgである
    ことを特徴とする請求項1〜請求項3いずれかの導電膜。
  5. 前記金属ナノ粒状物は、長さが1〜100μm、直径が10〜200nmである
    ことを特徴とする請求項1〜請求項4いずれかの導電膜。
  6. 前記炭素系導電材がカーボンナノチューブ及びグラフェンの群の中から選ばれる一種または二種以上のものである
    ことを特徴とする請求項1〜請求項5いずれかの導電膜。
  7. 前記炭素系導電材がカーボンナノチューブである
    ことを特徴とする請求項1〜請求項6いずれかの導電膜。
  8. 前記炭素系導電材は、長さが0.1〜100μm、直径が0.3〜100nmである
    ことを特徴とする請求項1〜請求項7いずれかの導電膜。
  9. (前記炭素系導電材の直径)<(前記金属ナノ粒状物の直径)である
    ことを特徴とする請求項1〜請求項8いずれかの導電膜。
  10. (前記炭素系導電材の長さ)<(前記金属ナノ粒状物の長さ)である
    ことを特徴とする請求項1〜請求項9いずれかの導電膜。
  11. 前記炭素系導電材の密度が0.1〜30mg/mであり、
    前記金属ナノ粒状物の密度が0.1〜60mg/mである
    ことを特徴とする請求項1〜請求項11いずれかの導電膜。
  12. 前記導電膜は、長手方向における長さが10μm以上である
    ことを特徴とする請求項1〜請求項11いずれかの導電膜。

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